JP2017027811A - 光電センサ、光電センサの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
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- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
- G01V8/12—Detecting, e.g. by using light barriers using one transmitter and one receiver
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/04—Pins or blades for co-operation with sockets
-
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/10—Sockets for co-operation with pins or blades
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Abstract
【解決手段】K型の光電センサに用いられるK型用主要部20は、リードフレーム27を部分的にモールドして平面的に配置されたアンプベース21、投光素子ベース22、受光素子ベース23、屈曲ベース24、補強ベース25、及び端子ベース26を有している。そして、補強ベース25と端子ベース26とを接続するリード部27eを切断して得られるL型用主要部を用いてL型の光電センサが作成される。
【選択図】図7
Description
この構成によれば、切り欠き部により接続端子と接続部との接続部分が大きくなり、接続が強固となる。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
K型の光電センサ10は、ベース部11、投光部12、受光部13、取付部14,15を有し、これら各部は、樹脂により一体成形されている。樹脂はたとえば熱可塑性樹脂である。ベース部11、投光部12、受光部13は、後述するベース等の成形品を含み、その成形品の一部が露出するように樹脂により覆われている。樹脂は、たとえばPBT(ポリブチレンテレフタレート)である。この樹脂をケース10aとする。つまり、K型の光電センサ10は、ケース10aに各部の成形品を埋設して形成されている。
ベース部11は略直方体状に形成されている。ベース部11の後方には投光部12と受光部13が所定の間隔を隔てて対向するように後方に延設されている。投光部12内には投光素子が内蔵され、受光部13内には受光素子が内蔵されている。投光素子から出射される検出光(たとえば赤外光)は、投光部12と受光部13の外枠を介して受光素子にて受光される。
図2に示すK型用主要部20は、アンプベース21、投光素子ベース22、受光素子ベース23、屈曲ベース24、補強ベース25、端子ベース26を有している。これらのベースはリードフレームをモールドして形成されている。つまり、このK型用主要部20は、リードフレームをモールドして形成された成形品である。そして、リードフレームを折り曲げて図2に示す形状のK型用主要部20が形成される。
リードフレーム27は、複数のリード部材を含む。このリードフレーム27を金型に内装し、所定箇所を樹脂によりモールドしてアンプベース21、投光素子ベース22、受光素子ベース23、屈曲ベース24、補強ベース25、端子ベース26が形成される。各ベースを連結するリードフレームをリード部とする。つまり、アンプベース21の長手方向端部にはリード部27a,27bを介して投光素子ベース22と受光素子ベース23とが接続されている。アンプベース21の短手方向一端には、屈曲ベース24と補強ベース25と端子ベース26がリード部27a,27d,27eを介して直列的に接続されている。
図10に示すように、コネクタ17は、複数の接続端子18を有している。本実施形態のコネクタ17は、4本の接続端子18を有している。2本の接続端子は、K型の光電センサ10の動作電源を供給する電源端子である。2本の接続端子は、K型の光電センサ10から2つの検出信号を出力する信号出力端子である。2つの検出信号は、たとえば相補信号である。
L型の光電センサ60は、ベース部61、投光部62、受光部63、取付部64,65を有し、これら各部は、樹脂により一体成形されている。この樹脂をケース60aとする。
次に、上記の光電センサ10(60)の作用を説明する。
K型の光電センサ10では、アンプベース21、投光素子ベース22、受光素子ベース23、カバー部材40、コネクタカバー16がケース10aで略覆われている。ケース10aの成形時にケース10aと他の部材の表面とが互いに溶融して密着する。これにより、K型の光電センサ10の水密性が向上する。
(1)K型の光電センサ10に用いられるK型用主要部20は、リードフレーム27を部分的にモールドして平面的に配置されたアンプベース21、投光素子ベース22、受光素子ベース23、屈曲ベース24、補強ベース25、及び端子ベース26を有する成形品である。そして、補強ベース25と端子ベース26とを接続するリード部27eを切断して得られるL型用主要部20aを用いてL型の光電センサ60を作成する。このように、外形の形状が異なる光電センサ10,60について、1種類の成形品を用いて作成することができる。このため、製造にかかるコスト(それぞれの主要部を形成するための金型等)を低減することができる。また、外形の形状が異なる光電センサ10,60に対して1種類の成形品を用意しておけばよいため、管理する部品数が少なくなり、管理コストを低減することができる。
・上記実施形態のアンプベース21、投光素子ベース22、受光素子ベース23等を成型する樹脂を適宜変更してもよい。たとえば、樹脂として、ABS(アクリロニトリルブタジエンスチレン)、PC、PPS(ポリフェニレンスルフィド)を用いることができる。また、カバー部材40を形成する樹脂に、PMMA(ポリメタクリル酸メチル)を使用することもできる。
Claims (6)
- リードフレームに実装された投光素子と受光素子と回路部品とを含む光電センサであって、
前記回路部品が実装された前記リードフレームの部分を含む回路ベースと、前記回路ベースの両端部にリード部を介して接続され、前記投光素子と前記受光素子とが実装された前記リードフレームの部分をそれぞれ含む投光素子ベース及び受光素子ベースと、前記回路ベースの一端部にリード部を介して接続された屈曲ベースと、前記屈曲ベースと前記リードフレームに含まれる接続部を介して接続された補強ベースとを含む主要部と、
複数の接続端子を有し、外部コネクタが挿入される凹部を有する内部コネクタと、
を有し、
前記投光素子ベース及び前記受光素子ベースは、前記投光素子と前記受光素子とが互いに対向するように前記回路ベースに対して直角を成すように前記リード部が屈曲されて配置され、
前記接続部は、前記投光素子ベース及び前記受光素子ベースと平行な方向に沿って配置され、
前記内部コネクタの接続端子は、前記接続部と直交する方向に沿って伸びるように配置されて前記リード部に接続され、
前記主要部は、リードフレームが部分的にモールドされ、前記リードフレームのリード部により接続され平面的に配置された回路ベースと投光素子ベースと受光素子ベースと屈曲ベースと補強ベースと端子ベースとを有する成形品において、前記補強ベースと前記端子ベースとの間のリード部が切断されて形成されたものであること、
を特徴とする光電センサ。 - 前記接続部は切り欠き部を有し、
前記接続端子は切り欠き部に挿入されて前記接続部と接続されること、
を特徴とする請求項1に記載の光電センサ。 - リードフレームに実装された投光素子と受光素子と回路部品とを含む光電センサであって、
前記回路部品が実装された前記リードフレームの部分を含む回路ベースと、前記回路ベースの両端部にリード部を介して接続され、前記投光素子と前記受光素子とが実装された前記リードフレームの部分をそれぞれ含む投光素子ベース及び受光素子ベースと、前記回路ベースの一端部にリード部を介して直列的に接続された屈曲ベースと、前記屈曲ベースと前記リードフレームに含まれる接続部を介して接続された補強ベースと、前記補強ベースにリード部を介して接続され、接続部を有する端子ベースとを含む成形品からなる主要部と、
複数の接続端子を有し、外部コネクタが挿入される凹部を有する内部コネクタと、
を有し、
前記投光素子ベース及び前記受光素子ベースは、前記投光素子と前記受光素子とが互いに対向するように前記回路ベースに対して直角を成すように前記リード部が屈曲されて配置され、
前記端子ベースに含まれるリードフレームは前記投光素子ベース及び前記受光素子ベースと平行な方向に沿った接続面を有し、
前記内部コネクタの接続端子は、前記端子ベースの接続面と平行に配置されて前記接続面に接続されたこと、
を特徴とする光電センサ。 - 前記主要部を覆うカバー部材と、
前記内部コネクタを覆うコネクタカバーと、
前記主要部、前記カバー部材、前記コネクタカバーを覆うように成型されるケースと、
を有し、
前記接続面は、前記ケースの中心に位置するように前記リード部が屈曲されていること、
を特徴とする請求項3に記載の光電センサ。 - リードフレームを部分的にモールドし、前記リードフレームのリード部により接続され平面的に配置された回路ベースと投光素子ベースと受光素子ベースと屈曲ベースと補強ベースと端子ベースとを有する成形品を形成する工程と、
接続端子を有するコネクタをコネクタカバーに収容し、前記コネクタカバーの貫通孔から前記接続端子を突出させる工程と、
前記補強ベースと前記端子ベースとの間のリード部を切断して主要部を形成する工程と、
前記主要部のリード部材を折り曲げて前記投光素子ベースと前記受光素子ベースとを合い対向させる工程と、
前記回路ベースと前記屈曲ベースとの間のリード部を折り曲げ、前記屈曲ベースと前記補強ベースとの間のリード部を含む接続部を前記投光素子ベース及び前記受光素子ベースが延びる方向と平行に配置する工程と、
コネクタカバーから突出する前記接続端子を前記接続部と直交する方向に沿って延びるように配置し、前記接続端子を前記接続部に接続する工程と、
前記回路ベースと前記投光素子ベースと前記受光素子ベースとを覆うカバー部材を装着する工程と、
前記主要部、前記カバー部材、前記コネクタ及び前記コネクタカバーを金型内に挿入し、前記金型内に樹脂を射出してケースを形成する工程と、
を有することを特徴とする光電センサの製造方法。 - リードフレームを部分的にモールドし、前記リードフレームのリード部により接続され平面的に配置された回路ベースと投光素子ベースと受光素子ベースと屈曲ベースと補強ベースと端子ベースとを有する成形品を形成する工程と、
接続端子を有するコネクタをコネクタカバーに収容し、前記コネクタカバーの貫通孔から前記接続端子を突出させる工程と、
前記成形品のリード部材を折り曲げて前記投光素子ベースと前記受光素子ベースとを合い対向させる工程と、
前記回路ベースと前記屈曲ベースとの間のリード部と、前記屈曲ベースと前記補強ベースとの間のリード部と、前記補強ベースと前記端子ベースとの間のリード部とを折り曲げ、前記端子ベースの接続部を前記投光素子ベース及び前記受光素子ベースが延びる方向と平行に配置する工程と、
前記接続部と平行な方向に沿って接続端子を配置し、前記接続端子を前記接続部に接続する工程と、
前記回路ベースと前記投光素子ベースと前記受光素子ベースとを覆うカバー部材を装着する工程と、
前記成形品、前記カバー部材、前記コネクタ及び前記コネクタカバーを金型内に挿入し、前記金型内に樹脂を射出してケースを形成する工程と、
を有することを特徴とする光電センサの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015145769A JP6510346B2 (ja) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 光電センサ、光電センサの製造方法 |
CN201620372574.6U CN205724110U (zh) | 2015-07-23 | 2016-04-28 | 光电传感器 |
KR1020160059534A KR101844652B1 (ko) | 2015-07-23 | 2016-05-16 | 광전 센서 및 광전 센서의 제조 방법 |
TW105115111A TWI596794B (zh) | 2015-07-23 | 2016-05-17 | 光電傳感器、光電傳感器的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015145769A JP6510346B2 (ja) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 光電センサ、光電センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027811A true JP2017027811A (ja) | 2017-02-02 |
JP6510346B2 JP6510346B2 (ja) | 2019-05-08 |
Family
ID=57292556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015145769A Active JP6510346B2 (ja) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 光電センサ、光電センサの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6510346B2 (ja) |
KR (1) | KR101844652B1 (ja) |
CN (1) | CN205724110U (ja) |
TW (1) | TWI596794B (ja) |
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- 2016-04-28 CN CN201620372574.6U patent/CN205724110U/zh active Active
- 2016-05-16 KR KR1020160059534A patent/KR101844652B1/ko active IP Right Grant
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TWI596794B (zh) | 2017-08-21 |
TW201705512A (zh) | 2017-02-01 |
KR101844652B1 (ko) | 2018-04-02 |
CN205724110U (zh) | 2016-11-23 |
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