JP2017020886A - 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 - Google Patents

物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 Download PDF

Info

Publication number
JP2017020886A
JP2017020886A JP2015138475A JP2015138475A JP2017020886A JP 2017020886 A JP2017020886 A JP 2017020886A JP 2015138475 A JP2015138475 A JP 2015138475A JP 2015138475 A JP2015138475 A JP 2015138475A JP 2017020886 A JP2017020886 A JP 2017020886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fixed
physical quantity
electrode finger
quantity sensor
movable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015138475A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6575187B2 (ja
Inventor
翔太 木暮
Shota Kogure
翔太 木暮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2015138475A priority Critical patent/JP6575187B2/ja
Priority to US15/195,009 priority patent/US10132826B2/en
Priority to CN201610514759.0A priority patent/CN106338620B/zh
Publication of JP2017020886A publication Critical patent/JP2017020886A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6575187B2 publication Critical patent/JP6575187B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067Mechanical properties
    • B81B3/0072For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03Static structures
    • B81B2203/0307Anchors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/051Translation according to an axis parallel to the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/03Bonding two components
    • B81C2203/031Anodic bondings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0808Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
    • G01P2015/0811Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0814Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

【課題】物理量の検知精度に優れる物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体を提供する。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2に接合された素子片4と、を有する。また、素子片4は、ベース基板2に固定されている固定部481、491と、固定部481に支持された第1固定電極指483と、固定部491に支持された第2固定電極指493と、固定部481、491の間に位置し、ベース基板2に固定された固定部41と、固定部41に対して変位可能な可動部42と、固定部41と可動部42とを連結する弾性部43と、可動部42に支持され、第1固定電極指483と対向して配置されている第1可動電極指423と、可動部42に支持され、第2固定電極指493と対向して配置されている第2可動電極指424と、を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体に関するものである。
特許文献1には、基板と、基板に接合された表面実装構造と、を有する物理量センサーが開示されている。また、表面実装構造は、左側に位置する2つの固定電極指用のアンカー接合域および1つの可動電極指用のアンカー接合域と、右側に位置する2つの固定電極指用のアンカー接合域および1つの可動電極指用のアンカー接合域と、を有しており、さらに、これら左右に分かれたアンカー接合域の間に可動部(センターバー)が配置されている。
このような構成では、可動部が邪魔をして全てのアンカー接合域を近接して配置することができない。したがって、例えば、熱膨張による基板の反りの影響を大きく受けて、加速度の検知精度が低下するという問題がある。
特開2010−71911号公報
本発明の目的は、物理量の検知精度に優れる物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本適用例の物理量センサーは、基板と、
前記基板に配置されている素子片と、を有し、
前記素子片は、
前記基板に固定されている第1固定部と、
前記基板に固定されている第2固定部と、
前記第1固定部に支持され、前記第1固定部に対して前記第2固定部と反対側に位置している第1固定電極指と、
前記第2固定部に支持され、前記第2固定部に対して前記第1固定部と反対側に位置している第2固定電極指と、
前記第1固定部および前記第2固定部の間に位置し、前記基板に固定されている第3固定部と、
前記第3固定部に対して変位可能な可動部と、
前記第3固定部に前記可動部を変位可能に連結し、少なくとも一部が前記第1固定電極指と前記第2固定電極指との間に位置する弾性部と、
前記可動部に支持され、前記第1固定電極指と対向して配置されている第1可動電極指と、
前記可動部に支持され、前記第2固定電極指と対向して配置されている第2可動電極指と、を有することを特徴とする。
これにより、第1固定部、第2固定部および第3固定部を互いに近接して配置することが可能となり、熱膨張による基板の反りの影響を受け難くなるため、物理量の検知精度に優れる物理量センサーとなる。
[適用例2]
本適用例の物理量センサーでは、前記第1固定部、前記第2固定部および前記第3固定部は、前記可動部の振動方向に沿って配置されていることが好ましい。
これにより、可動部に回転モーメントが作用することを低減することができる。
[適用例3]
本適用例の物理量センサーでは、前記可動部は、枠状をなしており、
前記可動部の内側に、前記第1固定部、前記第2固定部および前記第3固定部が配置されていることが好ましい。
これにより、物理量センサーの小型化を図ることができる。
[適用例4]
本適用例の物理量センサーでは、前記可動部は、前記第1固定電極指と対向配置されている第1対向部と、前記第2固定電極指と対向配置されている第2対向部と、を有していることが好ましい。
これにより、第1対向部を第1可動電極指として利用でき、第2対向部を第2可動電極指として利用することができる。
[適用例5]
本適用例の物理量センサーでは、前記第1対向部は、前記第1可動電極指よりも幅が大きく、
前記第2対向部は、前記第2可動電極指よりも幅が大きいことが好ましい。
これにより、可動部の機械的強度が向上する。
[適用例6]
本適用例の物理量センサーでは、前記可動部は、前記弾性部と前記第1固定電極指との間に位置する第1部分と、前記弾性部と前記第2固定電極指との間に位置する第2部分と、を有していることが好ましい。
これにより、可動部の外形を大きくすることなく、可動部の質量を大きくすることができる。
[適用例7]
本適用例の物理量センサー装置は、上記適用例の物理量センサーと、
前記物理量センサーと電気的に接続されている電子部品と、を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い物理量センサー装置が得られる。
[適用例8]
本適用例の電子機器は、上記適用例の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
[適用例9]
本適用例の移動体は、上記適用例の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
本発明の第1実施形態に係る物理量センサーの平面図である。 図1中のA−A線断面図である。 素子片とベース基板の接合状態を示す断面図である。 素子片を示す部分拡大平面図である。 素子片が有する弾性部を示す部分拡大平面図である。 素子片とベース基板の接合状態を示す断面図である。 ベース基板が有する凹部内の配線を示す平面図である。 本発明の第2実施形態に係る物理量センサー装置を示す断面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。 本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る物理量センサーの平面図である。図2は、図1中のA−A線断面図である。図3は、素子片とベース基板の接合状態を示す断面図である。図4は、素子片を示す部分拡大平面図である。図5は、素子片が有する弾性部を示す部分拡大平面図である。図6は、素子片とベース基板の接合状態を示す断面図である。図7は、ベース基板が有する凹部内の配線を示す平面図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図1中の紙面手前側(図2中の上側)を「上」、紙面奥側(図2中の下側)を「下」とも言う。また、各図には、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸およびZ軸が図示されている。また、以下では、X軸に平行な方向を「X軸方向」、Y軸に平行な方向を「Y軸方向」、Z軸に平行な方向を「Z軸方向」とも言う。また、X軸とY軸とを含む面を「XY面」とも言う。
図1および図2に示す物理量センサー1は、X軸方向(面内方向)の加速度を測定するための加速度センサーとして利用可能である。このような物理量センサー1は、ベース基板(基板)2と、蓋体3と、これらによって形成された内部空間Sに配置された素子片4と、を有している。このような物理量センサー1は、X軸方向の加速度が加わると、素子片4内に形成された静電容量C1、C2が変化するようになっており、この静電容量C1、C2の変化に基づいて、加わった加速度を検知するように構成されている。
以下、ベース基板2、蓋体3および素子片4について順に説明する。
[ベース基板]
ベース基板2は、その上面に開口する凹部21を有している。この凹部21は、素子片4とベース基板2との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、ベース基板2は、図3に示すように、凹部21の底面から突出し、素子片4との接合面を有する突起291、292、293を有している。また、ベース基板2は、その上面に開口し、凹部21に接続された凹部211、212、213を有している。凹部211には配線711および端子712が形成され、凹部212には配線721および端子722が形成され、凹部213には配線731および端子732が形成されている。また、各端子712、722、732は、蓋体3から露出するように配置されており、外部(例えば後述するICチップ102)との電気的な接続が可能となっている。
このようなベース基板2は、アルカリ金属イオン(可動イオン)を含むガラス材料(例えば、パイレックスガラス(登録商標)のような硼珪酸ガラス)から形成されている。これにより、シリコン基板から形成されている素子片4をベース基板2に対して陽極接合により強固に接合することができる。ただし、ベース基板2の構成材料としては、ガラス材料に限定されず、例えば、高抵抗なシリコン材料を用いることができる。この場合、素子片4との接合は、例えば、樹脂系接着剤、ガラスペースト、金属膜等を介して行うことができる。
[素子片]
素子片4は、ベース基板2に接合されている。この素子片4は、ベース基板2に対して変位可能な部分を有する第1構造体4Aと、ベース基板2に対して位置が固定されている第2構造体4Bと、を有している。このような素子片4は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン基板から形成されている。具体的には、例えば、ベース基板2の上面に予め不純物がドープされたシリコン基板を陽極接合によって接合し、次に、必要に応じてシリコン基板をCMP(Chemical Mechanical Polishing)等によって薄肉化し、次に、シリコン基板をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで、素子片4を形成することができる。ただし、素子片4の構成材料としては、シリコンに限定されず、その他の半導体等を用いることができる。
まず、第1構造体4Aについて説明する。第1構造体4Aは、ベース基板2に固定された固定部(第3固定部)41と、可動部42と、固定部41と可動部42とを連結する弾性部43と、を備えている。
固定部41は、図3に示すように、ベース基板2の突起291の上面に接合・固定されている。また、固定部41は、導電性バンプB1を介して配線711と電気的に接続されている。そして、この固定部41の周囲を囲むようにして、可動部42が設けられている。可動部42は、図1に示すように、固定部41の周囲を囲む枠状の基部421と、基部421から延出した複数の可動電極指422と、を有している。
基部421は、開口4211を有する枠状をなしている。そして、この開口4211内へ突出するようにして可動電極指422が設けられている。可動電極指422は、基部421の中心Gに対して一方側(+X軸側)に位置する複数の第1可動電極指423と、他方側(−X軸側)に位置する複数の第2可動電極指424と、を有している。そして、第1可動電極指423は、Y軸方向に2列になってX軸方向に並んで配置され、第2可動電極指424は、Y軸方向に2列になってX軸方向に並んで配置されている。
また、基部421は、開口4211内へ突出する第1可動電極指423よりも+X軸側(固定部41と反対側)に位置し、第1可動電極指423と対向配置された第1対向部4216と、第2可動電極指424よりも−X軸側(固定部41と反対側)に位置し、第2可動電極指424と対向配置された第2対向部4217と、を有している。そして、第1対向部4216は、第1可動電極指423を兼ねており、第2対向部4217は、第2可動電極指424を兼ねている。このように、基部421の一部が可動電極指422を兼ねることで、第1構造体4Aの小型化を図ることができる。また、後述するように、第2構造体4Bとの間に形成される静電容量C1を大きくすることができる。
特に、本実施形態では、図4に示すように、第1対向部4216の幅(X軸方向の長さ)W1は、他の第1可動電極指423の幅(X軸方向の長さ)W2よりも大きくなっている。このように、W1>W2の関係を満足することで、基部421の機械的強度を高めることができ、基部421の撓みや反りを低減することができる。なお、第2対向部4217の幅と、他の第2可動電極指424の幅についても、これと同様の関係を満足している。このような関係を満足することで、基部421の機械的強度を高めることができ、基部421の撓みや反りを低減することができる
このような可動部42は、弾性部43を介して固定部41に連結されている。弾性部43は、基部421と固定部41との間に位置し、可動部42と固定部41とを連結する第1弾性部431、第2弾性部432、第3弾性部433および第4弾性部434を有している。これら第1〜第4弾性部431〜434は、それぞれ、弾性を有し、X軸方向に弾性変形可能となっている。そのため、可動部42は、第1〜第4弾性部431〜434をそれぞれ弾性変形させながら、固定部41に対してX軸方向に変位することができる。
弾性部43について、詳細に説明すると、第1、第2弾性部431、432は、固定部41に対して−Y軸側に位置し、第3、第4弾性部433、434は、固定部41に対して+Y軸側に位置している。また、第1、第2弾性部431、332は、X軸方向に並んで配置されており、第3、第4弾性部433、434は、X軸方向に並んで配置されている。また、各弾性部431〜434は、それぞれ、Y軸方向に往復しながらX軸方向に蛇行した構成となっている。
特に、弾性部431〜434のうち第1弾性部431について代表して説明すれば、図5に示すように、第1弾性部431は、Y軸方向に延在する延在部4311と、隣り合う延在部4311同士を連結する連結部4312と、を有しており、隣り合う延在部4311の離間距離D1と、連結部(−Y軸側に位置する連結部)4312と基部421(開口4211の内周)との離間距離D2と、がほぼ等しくなっている。このように、離間距離D1、D2をほぼ等しくすることで、シリコン基板をエッチングして第1弾性部431を形成する際のオーバーエッチングが低減され、第1弾性部431を精度よく形成することができる。
なお、弾性部43の構成については、可動部42をX軸方向に変位可能に支持することができれば、上述した構成に限定されない。
次に、第2構造体4Bについて説明する。第2構造体4Bは、図1に示すように、可動部42の内側(開口4211内)に配置された第1固定電極部48および第2固定電極部49を有している。このように、第1、第2固定電極部48、49を可動部42の内側に配置することで、物理量センサー1の小型化を図る(特に、平面的な広がりを抑える)ことができる。
第1固定電極部48は、ベース基板2の突起292に接合・固定された固定部(第1固定部)481と、Y軸方向に並ぶ第1可動電極指423の間を通って固定部481から+X軸方向へ延出する支持梁部482と、支持梁部482からY軸方向両側へ延出する複数の第1固定電極指483と、を有している。
固定部481は、固定部41の+X軸側に位置し、固定部41と並んで配置されている。ここで、前述したように、支持梁部482および第1固定電極指483が固定部481に対して固定部41と反対側に位置しているため、固定部481を固定部41に対してより近接して配置することができる。
また、固定部481は、図6に示すように、導電性バンプB2を介して配線721と電気的に接続されている。なお、配線721は、ベース基板2の凹部21の底面において、支持梁部482と重なるように、対向して配置されている。これにより、例えば、可動部42と配線721との間に不要な静電容量が形成されるのを低減することができる。
また、各第1固定電極指483は、第1可動電極指423に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなして並んでおり、対向する第1可動電極指423との間に静電容量C1を形成している。特に、前述したように、可動部42が有する第1対向部4216が第1可動電極指423を兼ね、第1固定電極指483と対向して配置されているため、これらの間にも静電容量を形成することができる。そのため、第1可動電極指423と第1固定電極指483との間に形成される静電容量C1の総和をより大きくすることができる。
一方、第2固定電極部49は、ベース基板2の突起293に接合・固定された固定部(第2固定部)491と、Y軸方向に並ぶ第2可動電極指424の間を通って固定部491から−X軸方向へ延出する支持梁部492と、支持梁部492からY軸方向両側へ延出する複数の第2固定電極指(第2固定電極)493と、を有している。
固定部491は、固定部41の−X軸側に位置し、固定部41と並んで配置されている。ここで、前述したように、支持梁部492および第2固定電極指493が固定部491に対して固定部41と反対側に位置しているため、固定部491を固定部41に対してより近接して配置することができる。
また、固定部491は、図6に示すように、導電性バンプB3を介して配線731と電気的に接続されている。なお、配線731は、ベース基板2の凹部21の底面において、支持梁部492と重なるように、対向して配置されている。これにより、例えば、可動部42と配線731との間に不要な静電容量が形成されるのを低減することができる。
また、各第2固定電極指493は、第2可動電極指424に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなして並んでおり、対向する第2可動電極指424との間に静電容量C2を形成している。特に、前述したように、可動部42が有する第2対向部4217が第2可動電極指424を兼ね、第2固定電極指493と対向して配置されているため、これらの間にも静電容量を形成することができる。そのため、第2可動電極指424と第2固定電極指493との間に形成される静電容量C2の総和をより大きくすることができる。
ここで、図1に示すように、可動部42の基部421には、開口4211内に向けて突出し、第1、第3弾性部431、433と第1固定電極指483との間に位置する突出部(第1部分)4212、4213が設けられている。同様に、基部421には、開口4211内に向けて突出し、第2、第4弾性部432、434と第2固定電極指493との間に位置する突出部(第2部分)4214、4215が設けられている。このような突出部4212、4213、4214、4215を有することで、基部421の外形を大きくすることなく、基部421の質量を大きくすることができる。そのため、可動部42の錘効果をより高めることができ、可動部42が加速度の大きさに応じてより精度よく変位することになる。
また、図7に示すように、ベース基板2の凹部21の底面の大部分には配線721、731と絶縁されたダミー電極Dが設けられており、このダミー電極Dは、配線711と電気的に接続されている。このような構成によれば、可動部42と同電位となるダミー電極Dで、凹部21の底面の大部分を覆うことができるため、例えば、素子片4となるシリコン基板とベース基板2とを陽極接合する時に発生する静電力を小さくすることができ、シリコン基板のベース基板2への貼り付き(所謂「スティッキング」)を効果的に抑制することができる。
−蓋体−
蓋体3は、図2に示すように、下面に開口する凹部31を有しており、この凹部31が凹部21とで内部空間Sを形成するように、ベース基板2に接合されている。このような蓋体3は、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体3とベース基板2とを陽極接合によって接合することができる。なお、蓋体3をベース基板2に接合しただけの状態では、ベース基板2に形成されている凹部211、212、213を介して内部空間Sの内外が連通されている。そのため、本実施形態では、TEOS(テトラエトキシシラン)を用いたCVD法等で形成されたSiO膜8によって凹部211、212、213を塞いで、内部空間Sを気密封止している。
以上のような構成の物理量センサー1は、次のようにして加速度を検出する。すなわち、X軸方向の加速度が物理量センサー1に加わると、その加速度の大きさに基づいて、可動部42が、弾性部43を弾性変形させながらX軸方向に変位する。このような変位に伴って、第1可動電極指423と第1固定電極指483との隙間および第2可動電極指424と第2固定電極指493との隙間がそれぞれ変化し、これに伴って、静電容量C1、C2がそれぞれ変化する。そのため、物理量センサー1は、これら静電容量C1、C2の変化(差動信号)に基づいて加速度を検出することができる。
このような物理量センサー1では、前述したように、固定部41、481、491を互いに近接して(なるべく近づけて)配置しているため、熱や外部応力によるベース基板2の反りによる影響を受け難くなる。そのため、例えば、環境温度によって、第1固定電極指483と第1可動電極指423とのギャップ(第2固定電極指493と第2可動電極指424とのギャップ)が変化したり、第1固定電極指483と第1可動電極指423との対向面積(第2固定電極指493と第2可動電極指424との対向面積)が変化したりするのを低減することができる。その結果、温度による静電容量C1、C2の変動を小さく抑えることができ(すなわち、優れた温度特性を発揮することができ)、加速度の検知精度が向上する。
また、本実施形態では、固定部41と固定部481との離間距離と、固定部41と固定部491との離間距離と、をほぼ等しく設計している。そのため、固定部41と固定部481との間に形成される静電容量と、固定部41と固定部491との間に形成される静電容量と、がほぼ等しくなり、全体的な静電容量のオフセットを小さく抑えることができる。
さらには、固定部41、481、491が可動部42の変位方向と同じX軸方向に並べて配置されているため、可動部42にZ軸まわりの回転モーメントが作用することを低減することができる。具体的には、例えば、固定部41と固定部481との離間距離と、固定部41と固定部491との離間距離と、にずれが生じ、それに応じて、固定部41と固定部481との間に形成される静電容量と、固定部41と固定部491との間に形成される静電容量とにもずれが生じた場合、本実施形態のように固定部41、481、491がX軸方向に並んでいれば、前記静電容量のずれに起因して発生する力がX軸方向に働くため、可動部42がX軸方向に駆動振動する際にZ軸まわりの回転モーメントが作用することがない。これに対して、例えば、固定部41、481、491がY軸方向に並んでいる場合には、前記静電容量のずれに起因して発生する力がY軸方向に働くため、可動部42がX軸方向に駆動振動する際にZ軸まわりの回転モーメントが作用することがある。このような理由から、固定部41、481、491をX軸方向に並べて配置することで、可動部42にZ軸まわりの回転モーメントが作用し難くなる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る物理量センサー装置について説明する。
図8は、本発明の第2実施形態に係る物理量センサー装置を示す断面図である。
図8に示す物理量センサー装置100は、基板101と、接着層103を介して基板101の上面に固定された物理量センサー1と、接着層104を介して物理量センサー1の上面に固定されたICチップ(電子部品)102と、を有している。そして、物理量センサー1およびICチップ102が基板101の下面を露出させた状態で、モールド材Mによってモールドされている。なお、接着層103、104としては、例えば、半田、銀ペースト、樹脂系接着剤(ダイアタッチ剤)等を用いることができる。また、モールド材Mとしては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。
また、基板101の上面には複数の端子101aが配置されており、下面には図示しない内部配線等を介して端子101aに接続された複数の実装端子101bが配置されている。このような基板101としては、特に限定されないが、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。
また、ICチップ102には、例えば、物理量センサー1を駆動する駆動回路や、差動信号から加速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。このようなICチップ102は、ボンディングワイヤー105を介して物理量センサー1の端子712、722、732と電気的に接続されており、ボンディングワイヤー106を介して基板101の端子101aに電気的に接続されている。
このような物理量センサー装置100は、物理量センサー1を備えているので、優れた信頼性を有している。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
図9は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、加速度センサー等として機能する物理量センサー1が内蔵されている。
図10は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機1200は、アンテナ(図示せず)、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200には、加速度センサー等として機能する物理量センサー1が内蔵されている。
図11は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
ディジタルスチールカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。そして、撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押すと、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。このようなディジタルスチールカメラ1300には、例えば、加速度センサーとして手振れ補正に用いられる物理量センサー1が内蔵されている。
このような電子機器は、物理量センサー1を備えているので、優れた信頼性を有している。
なお、本発明の電子機器は、図9のパーソナルコンピューター、図10の携帯電話機、図11のディジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンタ)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ等に適用することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る移動体について説明する。
図12は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
図12に示すように、自動車1500には物理量センサー1が内蔵されており、例えば、物理量センサー1によって車体1501の姿勢を検出することができる。物理量センサー1の検出信号は、車体姿勢制御装置1502に供給され、車体姿勢制御装置1502は、その信号に基づいて車体1501の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪1503のブレーキを制御したりすることができる。また、物理量センサー1は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、物理量センサーがX軸方向の加速度を検知する素子片を有する構成について説明したが、物理量センサーは、Y軸方向の加速度を検知する素子片を有していてもよい。この場合は、前述した実施形態の素子片の配置を、90度回転させればよい。
また、前述した実施形態では、物理量センサーが内部空間内に1つの素子片を有している構成について説明したが、内部空間内に配置されている素子片の数は、特に限定されない。例えば、X軸およびY軸の加速度を検出するために、前述した素子片を2つ配置してもよい。さらに、Z軸の加速度を検出する素子片を配置してもよい。これにより、複数軸の加速度を検出することのできる物理量センサーとなる。また、物理量センサーは、さらに、素子片として、角速度を検出することができるものを加えることで、加速度と角速度とを検出することのできる複合センサーとして利用することができる。
1…物理量センサー、2…ベース基板、21…凹部、211、212、213…凹部、291、292、293…突起、3…蓋体、31…凹部、4…素子片、4A…第1構造体、4B…第2構造体、41…固定部、42…可動部、421…基部、4211…開口、4212、4213、4214、4215…突出部、4216…第1対向部、4217…第2対向部、422…可動電極指、423…第1可動電極指、424…第2可動電極指、43…弾性部、431…第1弾性部、4311…延在部、4312…連結部、432…第2弾性部、433…第3弾性部、434…第4弾性部、48…第1固定電極部、481…固定部、482…支持梁部、483…第1固定電極指、49…第2固定電極部、491…固定部、492…支持梁部、493…第2固定電極指、711、721、731…配線、712、722、732…端子、8…SiO膜、100…物理量センサー装置、101…基板、101a…端子、101b…実装端子、102…ICチップ、103、104…接着層、105、106…ボンディングワイヤー、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…ディジタルスチールカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1500…自動車、1501…車体、1502…車体姿勢制御装置、1503…車輪、B1、B2、B3…導電性バンプ、D…ダミー電極、D1、D2…離間距離、G…中心、M…モールド材、S…内部空間

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板に配置されている素子片と、を有し、
    前記素子片は、
    前記基板に固定されている第1固定部と、
    前記基板に固定されている第2固定部と、
    前記第1固定部に支持され、前記第1固定部に対して前記第2固定部と反対側に位置している第1固定電極指と、
    前記第2固定部に支持され、前記第2固定部に対して前記第1固定部と反対側に位置している第2固定電極指と、
    前記第1固定部および前記第2固定部の間に位置し、前記基板に固定されている第3固定部と、
    前記第3固定部に対して変位可能な可動部と、
    前記第3固定部に前記可動部を変位可能に連結し、少なくとも一部が前記第1固定電極指と前記第2固定電極指との間に位置する弾性部と、
    前記可動部に支持され、前記第1固定電極指と対向して配置されている第1可動電極指と、
    前記可動部に支持され、前記第2固定電極指と対向して配置されている第2可動電極指と、を有することを特徴とする物理量センサー。
  2. 前記第1固定部、前記第2固定部および前記第3固定部は、前記可動部の振動方向に沿って配置されている請求項1に記載の物理量センサー。
  3. 前記可動部は、枠状をなしており、
    前記可動部の内側に、前記第1固定部、前記第2固定部および前記第3固定部が配置されている請求項2に記載の物理量センサー。
  4. 前記可動部は、前記第1固定電極指と対向配置されている第1対向部と、前記第2固定電極指と対向配置されている第2対向部と、を有している請求項3に記載の物理量センサー。
  5. 前記第1対向部は、前記第1可動電極指よりも幅が大きく、
    前記第2対向部は、前記第2可動電極指よりも幅が大きい請求項4に記載の物理量センサー。
  6. 前記可動部は、前記弾性部と前記第1固定電極指との間に位置する第1部分と、前記弾性部と前記第2固定電極指との間に位置する第2部分と、を有している請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサー。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーと、
    前記物理量センサーと電気的に接続されている電子部品と、を有することを特徴とする物理量センサー装置。
  8. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする電子機器。
  9. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする移動体。
JP2015138475A 2015-07-10 2015-07-10 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 Expired - Fee Related JP6575187B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015138475A JP6575187B2 (ja) 2015-07-10 2015-07-10 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体
US15/195,009 US10132826B2 (en) 2015-07-10 2016-06-28 Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and moving object
CN201610514759.0A CN106338620B (zh) 2015-07-10 2016-07-04 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015138475A JP6575187B2 (ja) 2015-07-10 2015-07-10 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017020886A true JP2017020886A (ja) 2017-01-26
JP6575187B2 JP6575187B2 (ja) 2019-09-18

Family

ID=57731032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015138475A Expired - Fee Related JP6575187B2 (ja) 2015-07-10 2015-07-10 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10132826B2 (ja)
JP (1) JP6575187B2 (ja)
CN (1) CN106338620B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108663539A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 精工爱普生株式会社 物理量传感器、电子设备、便携式电子设备及移动体
CN109425756A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体
WO2019087457A1 (ja) 2017-10-31 2019-05-09 日本特殊陶業株式会社 流体加熱用のセラミックヒータ

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6150056B2 (ja) * 2013-07-24 2017-06-21 セイコーエプソン株式会社 機能素子、電子機器、および移動体
JP6897224B2 (ja) * 2017-03-27 2021-06-30 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP2019060675A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器、および移動体
JP2020101484A (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー、電子機器および移動体
JP7225817B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-21 セイコーエプソン株式会社 角速度センサー、慣性計測装置、電子機器および移動体
JP7090249B2 (ja) * 2019-06-06 2022-06-24 国立大学法人 東京大学 静電型デバイスを製造する製造方法
JP2022071486A (ja) * 2020-10-28 2022-05-16 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー及び慣性計測装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19639946B4 (de) 1996-09-27 2006-09-21 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement
CN2424450Y (zh) * 2000-06-02 2001-03-21 中国科学院上海冶金研究所 微机械梳状电容式加速度传感器
JP2002082127A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Mitsubishi Electric Corp 静電容量型加速度センサ、静電容量型角加速度センサおよび静電アクチュエータ
EP1626283B1 (en) 2004-08-13 2011-03-23 STMicroelectronics Srl Micro-electromechanical structure, in particular accelerometer, with improved insensitivity to thermomechanical stresses
EP2246706B1 (en) * 2008-02-07 2013-01-09 Alps Electric Co., Ltd. Physical quantity sensor
DE102008001863A1 (de) * 2008-05-19 2009-11-26 Robert Bosch Gmbh Beschleunigungssensor mit umgreifender seismischer Masse
US8056415B2 (en) * 2008-05-30 2011-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device with reduced sensitivity to package stress
JP5314979B2 (ja) 2008-09-22 2013-10-16 アルプス電気株式会社 Memsセンサ
US8207586B2 (en) * 2008-09-22 2012-06-26 Alps Electric Co., Ltd. Substrate bonded MEMS sensor
JP5237733B2 (ja) 2008-09-22 2013-07-17 アルプス電気株式会社 Memsセンサ
US8138007B2 (en) * 2009-08-26 2012-03-20 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS device with stress isolation and method of fabrication
DE102009045391A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
US9021880B2 (en) * 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
JP5750867B2 (ja) * 2010-11-04 2015-07-22 セイコーエプソン株式会社 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器
JP2013015478A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Seiko Epson Corp 物理量センサー及び電子機器
DE102011083487B4 (de) * 2011-09-27 2023-12-21 Robert Bosch Gmbh Beschleunigungssensor und Verfahren zum Betrieb eines Beschleunigungssensors
US9062972B2 (en) * 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
JP5962900B2 (ja) 2012-04-02 2016-08-03 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
JP5880877B2 (ja) * 2012-05-15 2016-03-09 株式会社デンソー センサ装置
JP5772873B2 (ja) * 2012-06-13 2015-09-02 株式会社デンソー 静電容量式物理量センサ
JP5900398B2 (ja) * 2013-03-27 2016-04-06 株式会社デンソー 加速度センサ

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108663539A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 精工爱普生株式会社 物理量传感器、电子设备、便携式电子设备及移动体
CN108663539B (zh) * 2017-03-27 2021-12-21 精工爱普生株式会社 物理量传感器、电子设备、便携式电子设备及移动体
CN109425756A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体
CN109425756B (zh) * 2017-08-25 2022-08-09 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体
WO2019087457A1 (ja) 2017-10-31 2019-05-09 日本特殊陶業株式会社 流体加熱用のセラミックヒータ
CN111279791A (zh) * 2017-10-31 2020-06-12 日本特殊陶业株式会社 流体加热用的陶瓷加热器
KR20200081378A (ko) 2017-10-31 2020-07-07 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 유체 가열용의 세라믹 히터
KR102382283B1 (ko) 2017-10-31 2022-04-01 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 유체 가열용의 세라믹 히터

Also Published As

Publication number Publication date
CN106338620A (zh) 2017-01-18
CN106338620B (zh) 2020-09-22
US20170010299A1 (en) 2017-01-12
JP6575187B2 (ja) 2019-09-18
US10132826B2 (en) 2018-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6575187B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体
JP6485260B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体
CN107010588B (zh) 物理量传感器以及物理量传感器的制造方法
JP6464613B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
US20170199217A1 (en) Electronic device, method for manufacturing electronic device, and physical-quantity sensor
JP6655281B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016048176A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2017125753A (ja) 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6642044B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2022116029A (ja) 角速度センサー、電子機器および移動体
US20170082653A1 (en) Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and mobile body
US9426892B2 (en) Module, electronic apparatus and moving object
JP6464608B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2015002314A (ja) 電子デバイス、電子機器、および移動体
JP2019060675A (ja) 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器、および移動体
JP6922325B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP2016169950A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016031358A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6330530B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体
JP6855853B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP2016017813A (ja) 物理量センサー装置、物理量センサー装置の製造方法、電子機器および移動体
JP2016018949A (ja) 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体
JP6451413B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016045190A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016169951A (ja) 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180703

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180905

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190723

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190805

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6575187

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees