JP2017017719A - 検出装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図1〜図5、図9を参照して説明する。以下では、第1実施形態のパルス発生回路について最初に説明し、その後に第1実施形態のパルス発生回路を含む回路装置と検出装置について説明する。
図1は本実施形態のパルス発生回路20の回路図である。パルス発生回路20は、定電流源32、キャパシター36、コンパレーター40を含む。
図2(A)〜図2(B)は、コンパレーターCMPの間欠動作における動作を説明する図である。コンパレーターを間欠動作させることは、消費電力を抑制することにつながる。図2(A)はコンパレーターCMPの構成を表している。信号VINNが入力される反転入力端子、信号VINPが入力される非反転入力端子、出力信号VOUTを出力する出力端子の他に、イネーブル信号ENを受け取るイネーブル端子を備えている。イネーブル信号ENが例えばLレベルのときには、コンパレーターは動作せず(オフ状態)、電源供給も不要なため電力を消費しない。
図3は本実施形態のパルス発生回路の波形図である。図3を参照して、出力パルス信号120のタイミングを容易かつ正確に調整できることを説明する。なお、図1と同じ信号には同じ符号を付しており説明は省略する。
ここで、検出装置の1つである回転検出装置について、図4(A)〜図4(B)を参照して説明する。図4(A)は回転検出装置が設置される流路の上面図であり、図4(B)はその部分断面図を表す。なお、図4(A)ではセンサーの1つである磁気センサーの図示は省略している。
図5は、本実施形態のパルス発生回路20を含む回路装置2と検出装置1を表す。なお、図1、図3と同じ構成要素については同じ番号、符号を付しており説明は省略する。本実施形態の検出装置1は、前記の回転検出装置であるとするが、これに限られるものではない。
本発明の第2実施形態について図6〜図8を参照して説明する。第2実施形態の回路装置では、間欠動作制御信号を複数生成して出力することで、検出装置1などに適用した場合に更に消費電力を抑えることが可能である。なお、間欠動作制御信号は3つ以上であってもよいが、本実施形態では2つであるとする。
本実施形態のパルス発生回路について図6を用いて説明する。図6は本実施形態のパルス発生回路20Aの回路図である。図1〜図5と同じ要素については同じ番号、符号を付しており説明を省略する。
図7は本実施形態のパルス発生回路の波形図である。なお、図1、図3、図6と同じ信号には同じ符号を付しており説明は省略する。
図8は、本実施形態のパルス発生回路20Aを含む回路装置2Aと検出装置1Aを表す。なお、図1、図3、図5〜図7と同じ要素については同じ番号、符号を付しており説明は省略する。本実施形態の検出装置1Aは、第1実施形態と同じく回転検出装置であるとするが、これに限られるものではない。
例えば、センサーのセトリングタイムが増幅回路72のセトリングタイムよりも短時間の場合について説明したが、逆にセンサーのセトリングタイムが増幅回路72のセトリングタイムよりも長時間の場合にはセンサーの間欠動作開始から所定時間経過後に増幅回路72の間欠動作を開始する構成をとることができる。
また、増幅回路72はオペアンプ、コンパレーター、アナログデジタル変換回路を用いてもよい。
例えば、トランスミッションゲート76、76A、76Bは電源供給スイッチとして間欠動作を制御するが、これらスイッチの機能を有するセンサーまたは増幅回路を用いてもよい。また、制御回路10、制御回路10A、回路装置2、または回路装置2AをMCUに含む構成としてもよい。
Claims (11)
- センサーからの信号が入力される増幅回路と、
前記センサー及び前記増幅回路を制御する制御回路と、を含み、
前記センサーの間欠動作及び前記増幅回路の間欠動作が、前記制御回路から出力される間欠動作制御信号により制御されることを特徴とする回路装置。 - 前記間欠動作制御信号は、
前記センサーの間欠動作の制御を行う第1間欠動作制御信号と、
前記増幅回路の間欠動作の制御を行う第2間欠動作制御信号と、を含み、
前記第1間欠動作制御信号がアクティブ状態となる期間は、前記第2間欠動作制御信号がアクティブ状態となる期間と異なることを特徴とする請求項1に記載の回路装置。 - 前記第1間欠動作制御信号は、前記第2間欠動作制御信号がアクティブ状態となってから所定の期間後にアクティブ状態となることを特徴とする請求項2に記載の回路装置。
- 更に、前記センサー及び前記増幅回路に対する電源供給のオンオフを切替え可能なスイッチを含み、
前記間欠動作制御信号は、前記スイッチに出力され、前記電源供給のオンオフの切替の制御に用いられることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の回路装置。 - 前記制御回路は、パルス発生回路を含み、
前記パルス発生回路は、
所定の電流値の電流を生成する定電流源と、
前記定電流源からの電流によって電荷が充電されるキャパシターと、
コンパレーターと、を含み、
前記コンパレーターは、前記キャパシターに充電された電荷に基づく電圧と所定の電圧値を有するリファレンス電圧とを比較した結果に基づいて、パルス信号を出力することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の回路装置。 - 前記パルス発生回路は、更に、プルアップ用トランジスターを含み、
前記プルアップ用トランジスターは、前記コンパレーターの出力端子を、高電位側の電源電位にプルアップすることを特徴とする請求項5に記載の回路装置。 - 前記パルス発生回路は、第1のイネーブル信号と、前記第1のイネーブル信号がアクティブ状態となった後所与の期間をおいてアクティブ状態になる第2のイネーブル信号と、を生成し、
前記第1のイネーブル信号及び前記第2のイネーブル信号は前記パルス発生回路において用いられ、
前記定電流源及び前記リファレンス電圧は、前記第1のイネーブル信号がアクティブ状態となることによりオン状態に設定され、
前記コンパレーターは、前記第2のイネーブル信号がアクティブ状態となることによりをオン状態に設定され、
前記プルアップ用トランジスターは、前記第2のイネーブル信号が非アクティブ状態のときにオン状態に設定されることを特徴とする請求項6に記載の回路装置。 - 前記パルス発生回路は、更に、放電用トランジスターを含み、
前記第1のイネーブル信号がアクティブ状態かつ前記第2のイネーブル信号が非アクティブ状態のときに、前記放電用トランジスターにより前記キャパシターに充電された電荷が放電されることを特徴とする請求項7に記載の回路装置。 - 前記制御回路は、前記パルス信号に基づいて、前記間欠動作制御信号を生成することを特徴とする請求項5に記載の回路装置。
- 回路装置を有する集積回路であって、
前記回路装置が、センサーからの信号が入力される増幅回路と、前記センサー及び前記増幅回路を制御する制御回路と、を含み、前記センサーの間欠動作及び前記増幅回路の間欠動作が、前記制御回路から出力される間欠動作制御信号により制御され、
前記間欠動作制御信号は、前記センサーの間欠動作の制御を行う第1間欠動作制御信号と、前記増幅回路の間欠動作の制御を行う第2間欠動作制御信号と、を含み、前記第1間欠動作制御信号がアクティブ状態となる期間は、前記第2間欠動作制御信号がアクティブ状態となる期間と異なること、を特徴とする集積回路。 - 回路装置と、
センサーと、
前記回路装置を制御するMCUと、を含み、
前記回路装置が、前記センサーからの信号が入力される増幅回路と、前記センサー及び前記増幅回路を制御する制御回路と、を含み、前記センサーの間欠動作及び前記増幅回路の間欠動作が、前記制御回路から出力される間欠動作制御信号により制御され、
前記間欠動作制御信号は、前記センサーの間欠動作の制御を行う第1間欠動作制御信号と、前記増幅回路の間欠動作の制御を行う第2間欠動作制御信号と、を含み、前記第1間欠動作制御信号がアクティブ状態となる期間は、前記第2間欠動作制御信号がアクティブ状態となる期間と異なること、を特徴とする検出装置。
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