JP2016541085A - ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにアクセスするための技術 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 複数のサブアレイの第1のグループ及び複数のサブアレイの第2のグループを含むダイナミックランダムアクセスメモリバンク(DRAMバンク)と、
前記DRAMバンクにアクセスするための複数のコマンドに関連付けられる複数の列アドレスを受信し、どの複数のサブアレイのグループが前記複数の列アドレスに基づいてアクセスされるべきかを決定するグループデコーダと、
前記複数のサブアレイの第1のグループに結合される第1の列アドレスデコーダと、
前記複数のサブアレイの第2のグループに結合される第2の列アドレスデコーダと
を備え、
前記第1の列アドレスデコーダは、前記第1のグループに割り当てられる第1の列アドレスを有し、前記グループデコーダにより受信される第1のコマンドに応答し、かつ、所与の列アドレスストローブ(CAS)に応答して前記DRAMバンクの第1のページをオープンにすることを可能とし、
前記第2の列アドレスデコーダは、前記第2のグループに割り当てられ第2の列アドレスを有し、前記グループデコーダにより受信される第2のコマンドに応答し、かつ、前記所与のCASに応答して前記DRAMバンクの第2のページをオープンにすることを可能とする、装置。 - 複数のマスタデータライン(複数のMDQ)の第1及び第2の部分が前記複数のサブアレイの第1及び第2のグループにそれぞれ割り当てられるように構成される前記複数のMDQを含む前記DRAMバンクを備え、前記第1及び第2の部分は、前記所与のCASの間に、オープンにされた前記第1及び第2のページへの入出力アクセスを可能とする、請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2の列アドレスデコーダに前記第1及び第2のコマンドに関連付けられる情報を転送し、前記所与のCASの間に、オープンにされた前記第1及び第2のページへの読み取り又は書き込みアクセスを提供するコマンドコントローラを備える、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記第1のコマンドは、読み取りコマンドであり、前記第2のコマンドは、書き込みコマンドである、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記DRAMバンクは、DDR3 DRAM又はDDR4 DRAMを含むダブルデータレート(DDR)DRAMを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 三次元(3D)チップ積層に含まれるDRAMダイ上に配置される前記DRAMバンクを備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- ダイナミックランダムアクセスメモリバンク(DRAMバンク)にアクセスするべく、前記DRAMバンクにて、第1及び第2のコマンドを受信する段階と、
前記第1のコマンドに応答して、複数のサブアレイの第1のグループにて前記DRAMバンクの第1のページをオープンにする段階と、
前記第2のコマンドに応答して複数のサブアレイの第2のグループにて前記DRAMバンクの第2のページをオープンにする段階と、
同じ列アドレスストローブ(CAS)の間に、オープンにされた前記第1及び第2のページへの入出力アクセスを有効にする段階と
を備える方法。 - 前記複数のサブアレイの第1のグループに割り当てられる前記第1のコマンドに示される第1の列アドレスに基づいて、前記第1のコマンドに応答して前記第1のページをオープンにすることを決定する段階と、
前記複数のサブアレイの第2のグループに割り当てられる前記第2のコマンドに示される第2の列アドレスに基づいて、前記第2のコマンドに応答して前記第2のページをオープンにすることを決定する段階と
を備える、請求項7に記載の方法。 - 複数のマスタデータライン(複数のMDQ)の第1及び第2の部分が前記複数のサブアレイの第1及び第2のグループにそれぞれ割り当てられるように構成される前記複数のMDQを含む前記DRAMバンクを備え、前記第1及び第2の部分は、所与の前記CASの間に、オープンにされた前記第1及び第2のページへの入出力アクセスを可能とする、請求項8に記載の方法。
- 前記第1のコマンドは、読み取りコマンドであり、前記第2のコマンドは書き込みコマンドである、請求項9に記載の方法。
- 少なくとも2つのサブアレイを有するダイナミックランダムアクセスメモリアレイ(DRAMアレイ)と、
前記少なくとも2つのサブアレイのうちの第1のサブアレイのための所与の列選択ライン(COLSL)に結合される第1のラッチと、
前記少なくとも2つのサブアレイのうち、前記第1のサブアレイのための第1のマスタデータライン(第1のMDQ)及び第2のサブアレイのための第2のMDQに結合される第1のマルチプレクサ(第1のMUX)と
を備え、
各サブアレイは、複数の前記サブアレイのそれぞれから前記所与のCOLSLのための入出力(IO)を可能とするMDQを有し、
前記第1のラッチは、前記所与のCOLSLの列アドレスの受信に応答して少なくとも1つの列アドレスストローブについて、前記第1のサブアレイから前記所与のCOLSLについて、第1のIOビットを遅延させ、
前記第1のMUXは、前記所与のCOLSLのための前記列アドレスの受信後に、少なくとも2つの列アドレスストローブについて、前記所与のCOLSLの第2のIOビットを遅延させることを可能とし、前記第1のMUXは、前記第1のMDQを介してルーティングされる前記第1のIOビットが、第1の列アドレスストローブに応答して前記第1のMUXを通過し、及び、前記第2のMDQを介してルーティングされる前記第2のIOビットが、第2の列アドレスストローブに応答して前記第1のMUXを通過するように各列アドレスストローブにより制御される、装置。 - 前記第1のMUXの前記出力に結合され、直列化された方式で、前記第1及び第2の列アドレスストローブにおいて、前記DRAMアレイを含むDRAMダイの外部に前記第1及び第2のIOビットをルーティングする第1のIOワイヤを備える、請求項11に記載の装置。
- 三次元チップ積層(3Dチップ積層)に含まれる前記DRAMダイを備え、前記第1のIOワイヤは、前記DRAMダイ内の第1のスルーシリコンビア(TSV)を通じて前記3Dチップ積層内の別のチップにルーティングされる、請求項12に記載の装置。
- 各列アドレスストローブにより制御される前記第1のラッチを備える、請求項11から13のいずれか一項に記載の装置。
- 前記DRAMアレイは、複数のサブアレイの第1及び第2のグループを有するDRAMバンクを備え、前記第1及び第2のサブアレイは、前記第1のグループに含まれ、第3及び第4のサブアレイは、前記第2のグループに含まれる、請求項11から14のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第3のサブアレイのための前記所与のCOLSLに結合される第2のラッチと、
前記第3のサブアレイのための第3のMDQ及び前記第4のサブアレイのための第4のMDQに結合される第2のMUXと
を備え、
前記第2のラッチは、前記所与のCOLSLのための前記列アドレスの受信に応じて、少なくとも1つの列アドレスストローブについて、前記第3のサブアレイから前記所与のCOLSLのための第3のIOビットを遅延させ、
前記第2のMUXは、前記所与のCOLSLのための前記列アドレスの受信後に少なくとも2つの列アドレスストローブについて、前記所与のCOLSLのための第4のIOビットを遅延させることを可能とし、前記第2のMUXは、前記第3のMDQを介してルーティングされる前記第3のIOビットが前記第1の列アドレスストローブに応答して前記第2のMUXを通過し、かつ、前記第4のMDQを介してルーティングされる前記第4のIOビットが、前記第2の列アドレスストローブに応答して前記第2のMUXを通過するように、各列アドレスストローブにより制御される、請求項15に記載の装置。 - 前記第1のMUXの前記出力に結合され、直列化された方式で前記第1及び第2の列アドレスストローブ内において、前記DRAMアレイを含むDRAMダイの外部に前記第1及び第2のIOビットをルーティングする第1のIOワイヤと、
前記第2のMUXの前記出力に結合され、前記直列化された方式で前記第1及び第2の列アドレスストローブ内において、前記DRAMアレイを含む前記DRAMダイの外部に前記第3及び第4のIOビットをルーティングする第2のIOワイヤと
を備える、請求項16に記載の装置。 - 三次元チップ積層(3Dチップ積層)に含まれる前記DRAMダイを備え、前記第1のIOワイヤは、前記DRAMダイ内の第1のスルーシリコンビア(TSV)を通じて前記3Dチップ積層内の別のチップにルーティングされ、前記第2のIOワイヤは、その他のチップへ前記DRAMダイ内の第2のTSVを通じて前記第3及び第4のIOビットをルーティングする、請求項17に記載の装置。
- 前記DRAMバンクにアクセスするための複数のコマンドを受信し、どの複数のサブアレイのグループが受信した複数のコマンドに示される複数の列アドレスに基づいてアクセスされるべきかを決定するグループデコーダと、
前記複数のサブアレイの第1のグループに結合される第1の列アドレスデコーダであって、前記第1のグループに割り当てられる第1の列アドレスを有し、前記所与の列アドレスストローブに応答する前記グループデコーダにより受信される第1のコマンドに応答して前記DRAMバンクの第1のページをオープンにすることを可能する、第1の列アドレスデコーダと、
複数のサブアレイの前記第2のグループに結合される第2の列アドレスデコーダであって、前記第2のグループに割り当てられる第2の列アドレスを有し、前記所与の列アドレスストローブに応答する前記グループデコーダにより受信される第2のコマンドに応答して前記DRAMバンクの第2のページをオープンにすることを可能とする第2の列アドレスデコーダと、
前記所与の列アドレスストローブの間に、オープンにされた前記第1及び第2のページへの読み取り又は書き込みアクセスを提供するべく、前記第1及び第2のコマンドに関連付けられる情報を前記第1及び第2の列アドレスデコーダに転送するコマンドコントローラと
備える、請求項15から18のいずれか一項に記載の装置。 - ダイナミックランダムアクセスメモリバンク(DRAMバンク)にて、列アドレスを受信して、前記DRAMバンクのための2又はそれより多くのサブアレイから各マスタデータライン(MDQ)を介して、複数の入出力ビット(複数のIOビット)をルーティングさせる所与の列選択ライン(COLSL)を通じてページをアクティブにする段階と、
前記列アドレスの受信に続けて、少なくとも1つの列アドレスストローブについて、前記2又はそれより多くのサブアレイの第1のサブアレイから前記所与のCOLSLのための第1のIOビットを遅延させる段階と、
前記2又はそれより多くのサブアレイのうちの前記第1のサブアレイのための第1のMDQを介してルーティングされる前記第1のIOビットと、第2のサブアレイのための第2のMDQを介してルーティングされる第2のIOビットとを、前記第1及び第2のIOビットが、直列化された方式で連続的な列アドレスストローブ内で第1のIOワイヤを介してルーティングされるように、多重化する段階と
備える方法。 - DRAMダイ上に配置される前記DRAMバンクを備え、前記第1のIOワイヤは、前記DRAMダイに結合されるデータバスに前記第1及び第2のIOビットをルーティングする、請求項20に記載の方法。
- 三次元チップ積層(3Dチップ積層)に含まれるDRAMダイ上に配置される前記DRAMバンクを備え、前記第1のIOワイヤは、前記3Dチップ積層に含まれる別のチップに前記DRAMダイ内の第1のスルーシリコンビア(TSV)を通じて前記第1及び第2のIOビットをルーティングする、請求項20又は21に記載の方法。
- 複数のサブアレイの第1及び第2のグループを有する前記DRAMバンクを備え、前記第1及び第2のサブアレイは、前記第1のグループに含まれ、第3及び第4のサブアレイは、前記第2のグループに含まれる、請求項20から22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記列アドレスの受信に続けて、少なくとも1つの列アドレスストローブについて、前記第3のサブアレイから前記所与のCOLSLのための第3のIOビットを遅延させる段階と、
前記第3のサブアレイのための第3のMDQを介してルーティングされる前記第3のIOビットと、前記第4のサブアレイのための第4のMDQを介してルーティングされる第4のIOビットとを、前記第3及び第4のIOビットが前記直列化された方式で前記連続的な列アドレスストローブ内において、第2のIOワイヤを介してルーティングされるように、多重化する段階と
を備える、請求項23に記載の方法。 - 三次元チップ積層(3Dチップ積層)に含まれるDRAMダイ上に配置される前記DRAMバンクを備え、前記第1のIOワイヤは、前記DRAMダイ内の第1のスルーシリコンビア(TSV)を通じて前記3Dチップ積層に含まれる別のチップに前記第1及び第2のIOビットをルーティングし、前記第2のIOワイヤは、前記DRAMダイ内の第2のTSVを通じてその他のチップに前記第3及び第4のIOビットをルーティングする、請求項24に記載の方法。
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