JP2016536373A - 電子素子製造用基板を製造する方法、樹脂組成物、電子素子製造用基板、および電子装置を製造する方法 - Google Patents

Abstract

優れたスイッチング特性を有する薄膜トランジスタを備える電子装置を製造するために用いることができる樹脂組成物および基板が提供される。本発明の樹脂組成物は、芳香族ポリアミドと、芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有するものであり、このものを用いて形成される層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下となる。また、かかる基板を用いた電子装置の製造方法および電子装置が提供される。【選択図】図３

Description

本発明は、樹脂組成物、基板、および電子装置を製造する方法に関する。

有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置や液晶表示装置のような表示装置（電子装置）において用いられる基板は、透明性を有することが要求される。そのため、表示装置において用いられる基板として、透明樹脂フィルムを用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。

基板として用いられる透明樹脂フィルムは、通常、フレキシブル性（可撓性）を有している。そのため、まず、透明樹脂フィルムが、平板状をなす基材の第１の面上に形成（成膜）され、その後、透明樹脂フィルム上に表示装置が備えるべき各部を形成する。最終的に、基材から透明樹脂フィルムを剥離することにより、透明樹脂フィルムと各部とを備える表示装置を製造することができる。

このような表示装置の製造方法において、基材からの透明樹脂フィルムの剥離は、透明樹脂フィルムが形成されている基材の第１の面の反対側の第２の面側から、レーザー光のような光を照射することにより実施される。このような光の照射によって、基材と透明樹脂フィルムとの界面において、基材からの透明樹脂フィルムの剥離が生じる。

ところで、近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する表示装置が用いられている。この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、表示装置内の表示素子のスイッチングを実行するスイッチング素子として機能する。

薄膜トランジスタは、チャネル領域に、例えば、酸化物半導体層を備えている。上述のような表示装置の製造方法を、薄膜トランジスタを備える表示装置を製造するために適用すると、薄膜トランジスタの酸化物半導体層が光に晒されてしまう。特に、上述の製造方法において用いられる光が短波長の光であると、これに起因して、酸化物半導体層に含まれる酸化物半導体材料が変質・劣化するため、表示装置のスイッチング特性に悪影響をおよぼすという問題が生じる。

国際公開第２００４／０３９８６３号

本発明の目的は、優れたスイッチング特性を有する薄膜トランジスタを備える電子装置を製造するために用いることができる樹脂組成物および基板、並びに、かかる基板を用いた電子装置を製造する方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１４）に記載の本発明により達成される。

（１）芳香族ポリアミドと、前記芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有する樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物は、このものを用いて形成される層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下となるものであることを特徴とする樹脂組成物。

（２）本発明に係る上述の樹脂組成物において、前記芳香族ポリアミドは、ナフタレン構造を含むことが好ましい。

（３）また、本発明に係る上述の樹脂組成物において、前記芳香族ポリアミドは、カルボキシル基を含むことが好ましい。

（４）また、本発明に係る上述の樹脂組成物において、前記芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドであることが好ましい。

（５）また、本発明に係る上述の樹脂組成物において、前記芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位とを有することが好ましい。

（ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、

［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表される。

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）

（６）また、本発明に係る上述の樹脂組成物において、前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、封止されていることが好ましい。

（７）また、本発明に係る上述の樹脂組成物において、当該樹脂組成物は、さらに、無機フィラーを含有することが好ましい。

（８）電子素子を形成するために用いられる基板であって、
第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、
前記基材の前記第１の面側に設けられ、その上に前記電子素子を形成する電子素子形成層とを備え、
前記電子素子形成層は芳香族ポリアミドを含有し、前記電子素子形成層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下であることを特徴とする基板。

（９）本発明に係る上述の基板において、前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。

（１０）また、本発明に係る上述の基板において、前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍであることが好ましい。

（１１）第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、前記基材の前記第１の面側に設けられ、その上に電子素子を形成するために用いられ、芳香族ポリアミドを含有し、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下である電子素子形成層とを備える基板を用意する工程と、
前記電子素子形成層の前記基材と反対側の面に、前記電子素子を形成する工程と、
前記電子素子を覆うように被覆層を形成する工程と、
前記基材と前記電子素子形成層との界面において前記基材から前記電子素子形成層を剥離させるために、光を前記電子素子形成層に照射する工程と、
前記電子素子、前記被覆層、および前記電子素子形成層を含む電子装置を、前記基材から分離する工程とを有することを特徴とする電子装置を製造する方法。

（１２）本発明に係る上述の方法において、前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。

（１３）また、本発明に係る上述の方法において、前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍであることが好ましい。

（１４）また、本発明に係る上述の方法において、前記芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位とを有することが好ましい。

（ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、

［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表される。

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）

本発明によれば、芳香族ポリアミドと、この芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有する樹脂組成物を用いて、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下となる層を形成することができる。かかる樹脂組成物を用いて形成される層は、電子装置が備える電子素子形成層として用いられる。電子素子形成層は、基材に接触するようにして、基材の第１の面（表面）上に設けられている。さらに、電子素子形成層が設けられた基材の第１の面の反対側の第２の面側からレーザー光のような短波長の光を照射することにより、基材の第１の面から電子素子形成層を剥離することができる。本発明の樹脂組成物により形成された層を、電子素子形成層として用いることにより、電子素子形成層の基材と接触している面の側から照射される光が、電子素子形成層の照射された側の面から反対側の面まで透過することを確実に抑制または防止することができる。そのため、かかる光が、電子装置が備える薄膜トランジスタに照射されるのに起因して、電子装置のスイッチング特性に悪影響がおよぼされるのを確実に防止することができる。

本発明の電子装置を製造する方法を、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法として適用することにより製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電子装置を製造する方法を適用して製造されたセンサ素子の実施形態を示す断面図である。 図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置または図２に示すセンサ素子を製造する方法（本発明の電子装置を製造する方法）を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の樹脂組成物、基板、および電子装置を製造する方法について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。

まず、本発明の樹脂組成物、基板、および電子装置を製造する方法について説明するのに先立って、本発明の電子装置を製造する方法を適用して製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）およびセンサ素子について説明する。すなわち、最初に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびセンサ素子が、本発明の電子装置の例として説明される。

＜有機ＥＬ表示装置＞
最初に、本発明の電子装置を製造する方法を適用して製造された有機エレクトロルミネッセンス装置について説明する。図１は、本発明の電子装置を製造する方法を、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法として適用することにより製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａと、画素毎に対応してそれぞれ設けられた複数の発光素子Ｃと、発光素子Ｃをそれぞれ駆動するための複数の薄膜トランジスタＢとを有している。以下、図１を参照し、有機ＥＬ表示装置１を説明する。

なお、本実施形態において、有機ＥＬ表示装置１は、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルである。ボトムエミッション構造のディスプレイパネルにおいて、発光素子Ｃから発せられた光は、図１の下側へ向かって樹脂フィルムＡを透過し、有機表示デバイス１の下側から取り出される。

樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａ上には、有機ＥＬ表示装置１が備える複数の発光素子Ｃに対応するように複数の薄膜トランジスタＢが設けられている。また、これらの薄膜トランジスタＢのそれぞれを覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層３０１が、樹脂フィルムＡ上に形成されている。

各薄膜トランジスタＢは、樹脂フィルムＡ上に形成されたゲート電極２００と、ゲート電極２００を覆うように設けられたゲート絶縁層２０１と、ゲート絶縁層２０１上に設けられたソース電極２０２およびドレイン電極２０４と、ソース電極２０２とドレイン電極２０４との間のチャネル領域に形成され、酸化物半導体材料からなる半導体層２０３とを有している。

なお、酸化物半導体材料としては、例えば、非金属元素として、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）のうち少なくとも酸素（Ｏ）を含み、半金属元素として、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、およびポロニウム（Ｐｏ）のうち少なくとも１つを含み、さらに、金属元素として、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、カドニウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、テルビウム（Ｔｂ）、およびビスマス（Ｂｉ）のうち少なくとも１つを含むものが挙げられる。なお、非金属元素は、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）とを含む混合物であることが好ましい。さらに、酸化物半導体材料は、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および窒素（Ｎ）を主材料として含むことが好ましい。

このような酸化物半導体材料の具体例としては、金属原料（Ｉｎ_２Ｏ_３，ＳｎＯ_２）と絶縁体原料（Ｓｉ_３Ｎ_４）とを組み合わせたものが挙げられる。

また、平坦化層３０１上には、各薄膜トランジスタＢに対応して、発光素子（有機ＥＬ素子）Ｃが設けられている。

本実施形態において、各発光素子Ｃは、陽極３０２および陰極３０６と、陽極３０２および陰極３０６の間に陽極３０２側からこの順で積層された、正孔輸送層３０３と、発光層３０４と、電子輸送層３０５とを備える。

また、各発光素子Ｃの陽極３０２は、導電部３００を介して、対応する薄膜トランジスタＢのドレイン電極２０４に電気的に接続されている。

かかる構成を有する発光素子Ｃを複数備える有機ＥＬ表示装置１において、薄膜トランジスタＢを用いることにより、各発光素子Ｃの発光輝度を制御することができる。すなわち、各発光素子Ｃへ印加する電圧を制御することにより、各発光素子Ｃの発光輝度を制御することができる。各発光素子Ｃの発光輝度を制御することにより、有機ＥＬ表示装置１がフルカラー表示を実行することが可能となる。また、各発光素子Ｃを同期して同時に発光させることにより、有機ＥＬ表示装置１が単色表示を実行することが可能となる。

さらに、本実施形態では、各発光素子Ｃ上には、これらを覆うように封止基板４００が形成されている。これにより、発光素子Ｃの気密性が確保され、酸素や水分が発光素子Ｃに浸入することを防止することができる。

＜センサ素子＞
次に、本発明の電子装置を製造する方法を適用して製造されたセンサ素子について説明する。図２は、本発明の電子装置を製造する方法を適用して製造されたセンサ素子の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」という。

本発明のセンサ素子は、例えば、インプットデバイスに使用可能なセンサ素子である。本発明の１つまたは複数の実施形態において、本発明のセンサ素子は、本発明の樹脂組成物を用いて形成された樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａを備えるセンサ素子である。また、本発明の１つまたは複数の実施形態において、本発明のセンサ素子は、基材５００上の樹脂フィルムＡ上に形成されるセンサ素子である。さらに、本発明の１つまたは複数の実施形態において、本発明のセンサ素子は、基材５００から剥離可能なセンサ素子である。

本発明のセンサ素子の例として、撮像を行うための光学センサ素子、電磁波を検出するための電磁センサ素子、Ｘ線等の放射線を検出するための放射線センサ素子、磁場を検出するための磁気センサ素子、静電容量の変化を検出するための静電容量センサ素子、圧力の変化を検出するための圧力センサ素子、タッチセンサ素子、圧電センサ等が挙げられる。

また、本発明のセンサ素子を用いたインプットデバイスの例として、放射線（Ｘ線）センサ素子を用いた放射線（Ｘ線）撮像装置、光学センサ素子を用いた可視光の撮像装置、磁気センサ素子を用いた磁気センサ装置、タッチセンサ素子または圧力センサ素子を用いたタッチパネル、光学センサ素子を用いた指紋認証装置、圧電センサ素子を用いた発光装置等が挙げられる。また、本発明のセンサ素子を用いたインプットデバイスは、ディスプレイ機能などのアウトプットデバイスとしての機能を有していてもよい。

以下、本発明のセンサ素子の１例として、フォトダイオードを備えた光学センサ素子を説明する。

図２に示すセンサ素子１０は、本発明の樹脂組成物を用いて形成された樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａと、樹脂フィルムＡ上に設けられた複数の画素回路１１とを有している。

センサ素子１０において、画素回路１１は、フォトダイオード（光電変換素子）１１Ａと、フォトダイオード１１Ａに対する駆動素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１Ｂとを備えている。樹脂フィルムＡを透過した光を各フォトダイオード１１Ａによって検出することにより、センサ素子１０は、光学センサ素子として機能することができる。

ゲート絶縁膜２１は、樹脂フィルムＡ上に設けられており、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜および窒化シリコン膜（ＳｉＮ）のうちの１種よりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜により構成されている。第１層間絶縁膜１２Ａは、ゲート絶縁膜２１上に設けられており、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等からなる。この第１層間絶縁膜１２Ａは、後述する薄膜トランジスタ１１Ｂ上を覆う保護膜（パッシベーション膜）としても機能するようになっている。

フォトダイオード１１Ａは、樹脂フィルムＡの選択的な領域に、ゲート絶縁膜２１および第１層間絶縁膜１２Ａを介して設けられている。フォトダイオード１１Ａは、第１層間絶縁膜１２Ａ上に形成された下部電極２４と、ｎ型半導体層２５Ｎと、ｉ型半導体層２５Ｉと、ｐ型半導体層２５Ｐと、上部電極２６と、配線層２７とを有している。また、下部電極２４と、ｎ型半導体層２５Ｎと、ｉ型半導体層２５Ｉと、ｐ型半導体層２５Ｐと、上部電極２６と、配線層２７は、第１層間絶縁膜１２Ａ側からこの順で積層されている。

上部電極２６は、例えば光電変換の際の基準電位（バイアス電位）を、ｎ型半導体層２５Ｎと、ｉ型半導体層２５Ｉと、ｐ型半導体層２５Ｐとから構成される光電変換層へ供給するための電極であり、基準電位供給用の電源配線である配線層２７に接続されている。この上部電極２６は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により構成されている。

薄膜トランジスタ１１Ｂは、例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）から構成される。薄膜トランジスタ１１Ｂは、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜２１と、半導体層２２と、ソース電極２３Ｓと、ドレイン電極２３Ｄとを備えている。

ゲート電極２０は、例えば、チタン（Ｔｉ）、Ａｌ、Ｍｏ、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）等から構成されており、樹脂フィルムＡ上に形成されている。ゲート絶縁膜２１は、ゲート電極２０上に形成されている。半導体層２２は、チャネル領域を有し、ゲート絶縁膜２１上に形成されている。ソース電極２３Ｓおよびドレイン電極２３Ｄは、この半導体層２２上に形成されている。本実施形態では、ドレイン電極２３Ｄはフォトダイオード１１Ａの下部電極２４に接続され、ソース電極２３Ｓはセンサ素子１０の中継電極２８に接続されている。

さらに、本実施形態のセンサ素子１０では、このようなフォトダイオード１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１Ｂの上層に、第２層間絶縁膜１２Ｂ、第１平坦化膜１３Ａ、保護膜１４、および第２平坦化膜１３Ｂがこの順に積層されている。この第１平坦化膜１３Ａには、フォトダイオード１１Ａが形成されている領域付近に対応して、開口部３が形成されている。

かかる構成のセンサ素子１０において、外部からセンサ素子１０に入射した光は、樹脂フィルムＡを透過し、フォトダイオード１１Ａに到達する。これにより、外部からセンサ素子１０に入射した光を検出することができる。

（有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０の製造方法）
以上のような構成の有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０は、本発明の樹脂組成物を用いて、例えば、次のようにして製造される。すなわち、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０は、本発明の電子装置を製造する方法を適用することにより、製造することができる。

図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置または図２に示すセンサ素子を製造する方法（本発明の電子装置を製造する方法）を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」という。

最初に、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造する方法を説明する。
［１］まず、前述の基板（本発明の基板）を用意する。該基板（本発明の基板）は、第１の面と、この第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材５００と、樹脂フィルムＡとを備える。樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａは、基材５００の第１の面側に設けられる。

［１−Ａ］まず、前記第１の面および第２面を備え、光透過性を有する基材５００を用意する。

基材５００の構成材料としては、例えば、ガラス、金属、シリコーン、樹脂等が挙げられる。これら材料は、単独で用いられてもよいし、適宜組み合わせて用いられてもよい。

［１−Ｂ］次いで、樹脂フィルムＡを、この基材５００の第１の面（一方の面）上に形成する。これにより、基材５００と、樹脂フィルムＡとを備える基板（図３中に示す積層複合材料）が得られる。

この樹脂フィルムＡの形成に、本発明の樹脂組成物が用いられる。本発明の樹脂組成物は、芳香族ポリアミドと、この芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有している。かかる樹脂組成物を用いることで、芳香族ポリアミドを含有し、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下である樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａが形成される。

また、樹脂フィルムＡを形成する方法としては、例えば、図３（Ａ）に示すように、ダイコート法を用いて基材５００の第１の面上に、前記樹脂組成物（ワニス）を塗布した後、この樹脂組成物を乾燥・加熱させる方法が挙げられる（図３（Ｂ）参照。）。

なお、樹脂組成物を基材５００の第１の面上に塗布（流涎）する方法は、上述のダイコート法に限定されない。インクジェット法、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法のような各種液相成膜法を、塗布（流涎）方法として用いることができる。

また、上述のように、本発明の樹脂組成物は、芳香族ポリアミドと、この芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有している。かかる樹脂組成物を用いることで、芳香族ポリアミドを含有し、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下である樹脂フィルムＡを形成することができる。この本発明の樹脂組成物については、後に詳述する。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、反り変形の抑制および／または寸法安定性向上の観点から、溶剤の沸点の約＋４０℃〜約＋１００℃の温度、より好ましくは、溶剤の沸点の約＋６０℃〜約＋８０℃の温度、さらに好ましくは、溶剤の沸点の約＋７０℃の温度下で、樹脂フィルムＡに対して熱処理が施される。また、本発明の１つまたは複数の実施形態において、反り変形の抑制および／または寸法安定性向上の観点から、本工程［１−Ｂ］における熱処理の温度は、約２００〜２５０℃である。また、本発明の１つまたは複数の実施形態において、反り変形の抑制および／または寸法安定性向上の観点から、本工程［１−Ｂ］における加熱時間（期間）は、約１分より長く、約３０分より短い。

また、樹脂フィルムＡが基材５００上に形成される本工程［１−Ｂ］は、樹脂組成物を乾燥・加熱した後に、樹脂フィルムＡを硬化させる硬化処理工程を含んでもよい。樹脂フィルムＡの硬化処理の温度は、加熱装置の能力に依存するが、２２０〜４２０℃であることが好ましく、２８０〜４００℃であることがより好ましく、３３０〜３７０℃であることがより好ましく、３４０℃以上、または、３４０〜３７０℃であることがさらに好ましい。また、樹脂フィルムＡの硬化処理の時間は、５〜３００分、または、３０〜２４０分であることが好ましい。

［２］次に、得られた基板が備える樹脂フィルムＡ上に、形成すべき画素毎に対応するように、薄膜トランジスタＢをそれぞれ形成し、その後、これら薄膜トランジスタＢを覆うように平坦化層３０１を形成する。

［２−Ａ］まず、樹脂フィルムＡ上に、薄膜トランジスタＢを形成する。

［２−Ａａ］最初に、樹脂フィルムＡ上に、導電膜を形成する。その後、導電膜に対しパターニング処理を施すことにより、ゲート電極２００を形成する。

樹脂フィルムＡ上への導電膜の形成は、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン等の金属材料を、スパッタ法等により、樹脂フィルムＡ上に塗布（供給）することにより実行することができる。

［２−Ａｂ］次いで、ゲート電極２００を覆うように、樹脂フィルムＡ上にゲート絶縁層２０１を形成する。

このゲート絶縁層２０１は、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスおよび窒素ガスなどを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法等を用いることで形成される。このようなプラズマＣＶＤ法を用いることにより、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主材料として構成されるゲート絶縁層２０１を形成することができる。

［２−Ａｃ］次いで、ゲート絶縁層２０１上に、導電膜を再度形成する。その後、このゲート絶縁層２０１上の導電膜に対しパターニング処理を施すことにより、ソース電極２０２およびドレイン電極２０４を形成する。

ゲート絶縁層２０１上への導電膜の形成は、前記工程［２−Ａａ］で説明したのと同様の方法を用いて実行することができる。

［２−Ａｄ］次いで、ソース電極２０２とドレイン電極２０４との間に位置するチャネル領域に半導体層２０３を形成する。

この半導体層２０３は、前述した酸化物半導体材料に含まれる半金属元素および／または金属元素を含有する金属ターゲットを用いた酸素（および窒素）含有雰囲気下におけるスパッタ法により形成することができる。

［２−Ｂ］次に、薄膜トランジスタＢを覆うように、樹脂フィルムＡ上に平坦化層３０１を形成するとともに、陽極３０２と、ドレイン電極２０４とを電気的に接続する導電部３００を形成する。

［２−Ｂａ］まず、樹脂フィルムＡ、および、この樹脂フィルムＡ上に形成された薄膜トランジスタＢを覆うように、平坦化層３０１を形成する。

［２−Ｂｂ］次いで、コンタクトホールを形成し、その後、コンタクトホール内に導電部３００を形成する。

［３］次に、平坦化層３０１上に、各薄膜トランジスタＢにそれぞれ対応するように、発光素子（電子素子）Ｃを形成する。

［３−Ａ］まず、平坦化層３０１上に、各導電部３００に対応するように、陽極（個別電極）３０２を形成する。

［３−Ｂ］次いで、陽極３０２を覆うように、正孔輸送層３０３を形成する。

［３−Ｃ］次いで、正孔輸送層３０３を覆うように、発光層３０４を形成する。

［３−Ｄ］次いで、発光層３０４を覆うように、電子輸送層３０５を形成する。

［３−Ｅ］次いで、電子輸送層３０５を覆うように、陰極３０６を形成する。

なお、上記工程［３−Ａ］〜［３−Ｅ］で形成する各層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法や、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法等の液相成膜法を用いて形成することができる。

［４］次に、封止基板４００を用意し、この封止基板（被覆層）４００により各発光素子Ｃの陰極３０６を覆うことにより、各発光素子Ｃを封止基板４００で封止する。すなわち、発光素子Ｃを覆うように、封止基板４００が形成される。

なお、このような封止基板４００による封止は、陰極３０６と封止基板４００との間に接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させることにより実行することができる。

上記のような工程［１］〜［４］を経ることで、樹脂フィルムＡと、薄膜トランジスタＢと、発光素子Ｃと、封止基板４００とを備える有機ＥＬ表示装置１が基材５００上に形成される（図３（Ｃ）参照。）。

［５］次に、基材５００側から、樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａに、光を照射する。

これにより、基材５００と樹脂フィルムＡとの界面において、基材５００の第１の面から樹脂フィルムＡが剥離する。

その結果、有機ＥＬ表示装置（電子装置）１が基材５００から分離される（図３（Ｄ）参照。）。

樹脂フィルムＡに照射される光としては、この樹脂フィルムＡへの光の照射により、基材５００と樹脂フィルムＡとの界面で、基材５００の第１の面から樹脂フィルムＡを剥離させ得るものであれば特に限定されないが、レーザー光であるのが好ましい。レーザー光を用いることにより、基材５００と樹脂フィルムＡとの界面において、基材５００から樹脂フィルムＡをより確実に剥離させることができる。

また、レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーおよびＹＶＯ_４レーザー等が挙げられる。

上記のような工程［１］〜［５］を経ることで、基材５００から分離（剥離）された有機ＥＬ表示装置１を得ることができる。

次に、図３に示すセンサ素子を製造する方法を説明する。
［１］まず、上述の図１に示す有機ＥＬ表示装置１を製造する方法と同様に、基材５００と、基材５００上に形成された樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａとを備える基板（本発明の基板）を用意する。基材５００上に樹脂フィルムＡを形成する工程は、上述の有機ＥＬ表示装置１を製造する方法と同様であるので、ここでは説明を省略する（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。

［２］次に、得られた基板が備える樹脂フィルムＡ上に、上述のセンサ素子１０を形成する。樹脂フィルムＡ上にセンサ素子１０を形成する方法は、特に限定されない。樹脂フィルムＡ上へのセンサ素子１０の形成は、従来の方法を所望のセンサ素子を製造するために適宜選択および変更した方法によって実行することができる。

上記のような工程［１］〜［２］を経ることで、樹脂フィルムＡと、複数の画素回路１１とを備えるセンサ素子１０が基材５００上に形成される（図３（Ｃ）参照。）。

［３］次に、基材５００側から、樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａに、光を照射することによって、センサ素子（電子装置）１０を基材５００から剥離する（図３（Ｄ）参照）。センサ素子１０を基材５００から剥離する方法は、上述の有機ＥＬ表示装置１を基材５００から剥離する方法と同様であるので、ここでは説明を省略する。

以上のような工程［１］〜［３］を経ることで、基材５００から剥離されたセンサ素子１０を得ることができる。

ここで、樹脂フィルムＡが短波長から長波長の光透過性を有していると仮定した場合、基材５００の第１の面側から樹脂フィルムＡに照射された光は、この樹脂フィルムＡを透過し、有機ＥＬ表示装置１が備える薄膜トランジスタＢおよび発光素子Ｃにまで到達する。この際、照射した光に短波長の光が含まれていると、薄膜トランジスタＢが備える半導体層２０３が含有している酸化物半導体材料が短波長の光に晒されることに起因して変質・劣化し、その結果、有機ＥＬ表示装置１のスイッチング特性に悪影響をおよぼすという問題が生じる。

同様に、基板５００の第１の面側から樹脂フィルムＡに照射された光は、この樹脂フィルムＡを透過し、センサ素子１０が備えるフォトダイオード１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１Ｂにまで到達する。この際、照射した光に短波長の光が含まれていると、フォトダイード１１Ａが備える半導体層２５Ｎ、２５Ｉ、２５Ｐが含有している酸化物半導体材料および薄膜トランジスタ１１Ｂが備える半導体層２２が含有している酸化物半導体材料が短波長の光に晒されることに起因して変質・劣化し、その結果、センサ素子１０のスイッチング特性に悪影響をおよぼすという問題が生じる。

かかる問題点を解消することを目的に、本発明では、樹脂フィルムＡは、芳香族ポリアミドを含有しており、さらに、樹脂フィルムＡの波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下となっている。これにより、基材５００の第１の面側から樹脂フィルムＡに照射された光（特に、短波長の光）が、樹脂フィルムＡを透過することを確実に抑制または防止することができる。そのため、かかる光の透過に起因して、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０のスイッチング特性に悪影響がおよぼされるのを確実に防止することができる。

以上のような構成の樹脂フィルムＡは、前述の通り、芳香族ポリアミドと、この芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有する本発明の樹脂組成物を用いて形成することができる。以下、この本発明の樹脂組成物の構成材料について詳述する。

［芳香族ポリアミド］
芳香族ポリアミドは、樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａを形成するための樹脂組成物の主材料として用いられる。樹脂フィルムＡの波長３５５ｎｍの全光線透過率を１０％以下とするために、芳香族ポリアミドが樹脂組成物中に含まれる。

また、芳香族ポリアミドを樹脂組成物中に含ませることにより、樹脂フィルムＡへの光の照射による、基材５００と樹脂フィルムＡとの界面における、基材５００からの樹脂フィルムＡの剥離を効率よく実施することができる。

上記の通り、このような芳香族ポリアミドは、樹脂フィルムＡの波長３５５ｎｍの全光線透過率を１０％以下とし得るものであれば、特に限定されないが、例えば、芳香族ポリアミドは、ナフタレン構造を含む主骨格を有することが好ましい。芳香族ポリアミドを樹脂フィルムＡの主材料として用いることにより、形成される樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

また、芳香族ポリアミドは、その主骨格に連結する、カルボキシル基を含んでいることが好ましい。主骨格に連結するカルボキシル基を含む芳香族ポリアミドを用いることにより、形成される樹脂フィルムＡの耐溶剤性を向上させることができ、樹脂フィルムＡ上に、薄膜トランジスタＢおよび発光素子Ｃを形成する際に用いる液状材料の選択の幅が広がる。

さらに、芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドであることが好ましい。すなわち、芳香族ポリアミドは、芳香族骨格のみから構成されることが好ましい。全芳香族ポリアミドを用いることにより、形成される樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内により確実に設定することができる。なお、全芳香族ポリアミドとは、その主骨格に含まれるアミド結合同士が直鎖状または環状をなす脂肪族化合物で連結されることなく、全て芳香族化合物（芳香族環）で連結されているものを言う。

以上の点を考慮すると、芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位および下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位を有する芳香族ポリアミドであることが好ましい。

（ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、

［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表され、

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）

また、本発明の１つまたは複数の実施形態において、上記一般式（Ｉ）および（ＩＩ）は、芳香族ポリアミドが極性溶剤または１つ以上の極性溶剤を含む混合溶剤に対して可溶性を有するよう選択される。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９０．０〜９９．９９ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（ＩＩ）のｙは１０．０〜０．０１ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９０．１〜９９．９ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（ＩＩ）のｙは９．９〜０．１ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９０．０〜９９．０ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（ＩＩ）のｙは１０．０〜１．０ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９２．０〜９８．０ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（ＩＩ）のｙは８．０〜２．０ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）および（ＩＩ）で表される複数の繰り返し単位中のＡｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。

また、芳香族ポリアミドは、その数平均分子量（Ｍｎ）が、６．０×１０^４以上であることが好ましく、６．５×１０^４以上であることがより好ましく、７．０×１０^４以上であることがより好ましく、７．５×１０^４以上であることがより好ましく、８．０×１０^４以上であることがさらに好ましい。また、数平均分子量が、１．０×１０^６以下であることが好ましく、８．０×１０^５以下であることがより好ましく、６．０×１０^５以下であることがより好ましく、４．０×１０^５以下であることがさらに好ましい。上述の条件を満足する芳香族ポリアミドを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできる。さらに、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

なお、本明細書中において、ポリアミドの数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（Gel Permeation Chromatography）にて測定され、具体的には、下記実施例において用いられる方法によって測定される。

さらに、芳香族ポリアミドの分子量分布（＝Ｍｗ／Ｍｎ）は、５．０以下であることが好ましく、４．０以下であることがより好ましく、３．０以下であることがより好ましく、２．８以下であることがより好ましく、２．６以下であることがより好ましく、２．４以下であることがさらに好ましい。また、芳香族ポリアミドの分子量分布は、２．０以上であることが好ましい。上述の条件を満足する芳香族ポリアミドを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできるとともに、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

また、芳香族ポリアミドは、芳香族ポリアミドを合成した後に再沈殿の工程を経ることで得られたものであることが好ましい。再沈殿の工程を経て得られた芳香族ポリアミドを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできるとともに、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ポリアミドの末端−ＣＯＯＨ基および末端−ＮＨ_２基のいずれかまたは双方は末端封止されている。この末端封止は、ポリアミドフィルム（すなわち、樹脂フィルムＡ）の耐熱性向上の観点から好ましい。ポリアミドの末端は、各末端が−ＮＨ_２である場合、ベンゾイルクロライドを用いた反応によって末端封止することができ、各末端が−ＣＯＯＨである場合、アニリンを用いた反応によって末端封止することができる。しかしながら、末端封止の方法はこれに限定されない。

［無機フィラー］
また、樹脂組成物は、芳香族ポリアミドに加えて、無機フィラーを含むことが好ましい。無機フィラーを含む樹脂組成物を用いることにより、樹脂フィルムＡの熱線膨張率を低減させることができる。

この無機フィラーは、特に限定されないが、粒子または繊維であるものが用いられる。

また、無機フィラーの材質は、無機物であれば特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、酸化チタン等の金属酸化物、マイカ等の鉱物、ガラス、またはこれらの混合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合せて用いることができる。なお、ガラスの種類としては、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、低誘電率ガラス、高誘電率ガラス等が挙げられる。

無機フィラーが繊維である場合、前記繊維の平均繊維径は１〜１０００ｎｍであることが好ましい。上述のような平均繊維径を有する無機フィラーを含む樹脂組成物を用いることによって、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできるとともに、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

ここで、前記繊維は、複数の単繊維から構成されるものであってもよい。この複数の単繊維は、引き揃えられることなく、かつ相互間にマトリックス樹脂の液状前駆体が入り込むように十分に離隔している。この場合、平均繊維径は複数の単繊維の平均径となる。また、前記繊維は、複数本の単繊維が束状に集合して１本の糸条を構成しているものであってもよく、この場合、平均繊維径は１本の糸条の径の平均値として定義される。平均繊維径は、具体的には実施例の方法で測定される。また、フィルムの透明性向上の観点から、前記繊維の平均繊維径は小さいほど好ましく、また、樹脂組成物（ポリアミド溶液）に含まれるポリアミド樹脂の屈折率と無機フィラーの屈折率とが近いほど好ましい。例えば、繊維に使用する材質とポリアミドの５８９ｎｍにおける屈折率の差が０．０１以下の場合は、繊維径に関わらず透明性の高いフィルムを形成することが可能となる。また、平均繊維径の測定方法としては、例えば電子顕微鏡による観察等が挙げられる。

また、無機フィラーが粒子である場合、前記粒子の平均粒子径は１〜１０００ｎｍであることが好ましい。上述のような平均粒子径を有する粒子の形態の無機フィラーを含む樹脂組成物を用いることによって、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできるとともに、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

ここで、前記粒子の平均粒子径は、平均投影円相当直径をいい、具体的には実施例において測定される。

前記粒子の形状は、特に限定されないが、例えば、球状もしくは真球状、ロッド状、平板状、またはこれらの結合形状が挙げられる。このような形状を有する無機フィラーを用いることにより、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

また、前記粒子の平均粒子径は小さいほど好ましく、さらに、樹脂組成物（ポリアミド溶液）に含まれるポリアミド樹脂の屈折率と無機フィラーの屈折率とが近いほど好ましい。これにより、樹脂フィルムＡの透明性のさらなる向上を図ることができる。例えば、粒子に使用する材質とポリアミドの５８９ｎｍにおける屈折率の差が０．０１以下の場合は、粒子径に関わらず透明性の高い樹脂フィルムＡを形成することが可能となる。また、平均粒子径の測定方法としては、例えば粒度分布計による測定等が挙げられる。

また、樹脂組成物（ポリアミド溶液）における固形分中の無機フィラーの割合としては、特に限定されないが、１体積％〜５０体積％であることが好ましく、２体積％〜４０体積％であることがより好ましく、３体積％〜３０体積％であることがさらに好ましい。さらに、樹脂組成物（ポリアミド溶液）における固形分中の芳香族ポリアミドの割合は、特に限定されないが、５０体積％〜９９体積％であることが好ましく、６０〜９８体積％であることがより好ましく、７０〜９７体積％であることがさらに好ましい。

なお、本明細書中において、「固形分」とは、樹脂組成物中の溶剤以外の成分をいう。固形分の体積換算、無機フィラーの体積換算、および／またはポリアミドの体積換算は、ポリアミド溶液を調製する際の成分の投入量から算出できる。または、ポリアミド溶液から溶剤を除去することでも算出できる。

［その他の成分］
さらに、樹脂組成物には、必要に応じて、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能が損なわれない程度、および、樹脂フィルムＡの全光線透過率が前記範囲内に設定される程度において、酸化防止剤、紫外線吸収剤、染料、顔料、他の無機フィラー等の充填剤等を含んでいてもよい。

［固形分の含有量］
さらに、樹脂組成物中における固形分の比は、１体積％以上であることが好ましく、２体積％以上であることがより好ましく、３体積％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物中における固形分の比は、４０体積％以下であることが好ましく、３０体積％以下であることがより好ましく、２０体積％以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物中における固形分の比を上述の範囲内に設定することにより、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできるとともに、樹脂フィルムＡの全光線透過率を前記範囲内に確実に設定することができる。

［溶剤］
溶剤（溶媒）は、芳香族ポリアミドを溶解し得るものが選択され、樹脂組成物を含むワニス（液状材料）を得るために用いられる。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ポリアミドの溶剤に対する可溶性向上の観点から、溶剤は極性溶剤または１つ以上の極性溶剤を含む混合溶剤であることが好ましい。本発明の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ポリアミドの溶剤に対する可溶性向上および樹脂フィルムＡと基材５００との間の密着性向上の観点から、溶剤は、クレゾール；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトミド（ＤＭＡｃ）；Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；１，３−ジメチル−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）；ブチルセロソルブ（ＢＣＳ）；γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）；もしくはクレゾール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ブチルセロソルブ（ＢＣＳ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）の少なくとも１つを含む混合溶剤；これらの組み合わせ；またはこれらの極性溶剤を少なくとも１つ含む混合溶剤であることが好ましい。

［樹脂組成物の製造方法］
以上のような樹脂組成物は、例えば、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を含む製造方法を用いて製造することができる。

なお、以下では、樹脂組成物中に無機フィラーが含まれる場合について説明する。

ただし、本発明の樹脂組成物は、下記の製造方法で製造されたものに限定されるものではない。

工程（ａ）は、少なくとも１つの芳香族ジアミンを溶剤に溶解させることにより、混合物を得るために実行される。工程（ｂ）は、混合物内において、少なくとも１つの芳香族ジアミンを少なくとも１つの芳香族ジカルボン酸ジクロライドと反応させることにより、遊離塩酸とポリアミド溶液を得るために実行される。工程（ｃ）は、捕獲試薬による反応によって、混合物中から、遊離塩酸を除去するために実行される。工程（ｄ）は、無機フィラーを混合物中に添加するために実行される。

本発明のポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ジカルボン酸ジクロライドとしては、例えば、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。

ここで、ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択される。

以上のような芳香族ジカルボン酸ジクロライドとしては、具体的には、下記のものが挙げられる。

２，６−ナフタロイルジクロライド（2,6-naphthaloyl dichloride）（ＮＤＣ）

４，４’− ビフェニルジカルボニルジクロライド（4,4’-biphenyldicarbonyl dichloride）(ＢＰＤＣ)

本発明のポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ジアミンは、例えば、下記一般式（ＩＸ）から（ＸＩＩ）で表される化合物が挙げられる。

ここで、ｐ＝４、ｍ＝１または２、ｔ＝１〜３、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、各Ｒ_６は互いに異なっていてもよく、各Ｒ_７は互いに異なっていてもよく、各Ｒ_８は互いに異なっていてもよく、各Ｒ_９は互いに異なっていてもよく、各Ｒ_１０は互いに異なっていてもよく、各Ｒ_１１は互いに異なっていてもよく、Ｇ_２およびＧ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。

以上のような芳香族ジアミンとしては、具体的には、下記のものが挙げられる。

４,４’−ジアミノ−２,２’−ビストリフルオロメチルベンジジン（4, 4’-diamino-2, 2’-bistrifluoromethylbenzidine）（ＰＦＭＢ）

９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（9, 9-bis(4-aminophenyl)fluorine）（ＦＤＡ）

９，９−ビス（３−フルオロ−４−アミノフェニル）フルオレン（9,9-bis(3-fluoro-4-aminophenyl)fluorine）（ＦＦＤＡ）

４，４’−ジアミノジフェン酸（4, 4’-diaminodiphenic acid）（ＤＡＤＰ）

３，５−ジアミノベンゾイン酸（3, 5-diaminobenzoic acid）（ＤＡＢ）

４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメトキシベンジジン（4,4’-diamino-2,2’-bistrifluoromethoxyl benzidine）（ＰＦＭＯＢ）

４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメチルジフェニルエーテル（4,4’-diamino-2,2’-bistrifluoromethyl diphenyl ether）（６ＦＯＤＡ）

ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェニルオキシル）ベンゼン（bis(4-amino-2-trifluoromethyl phenyloxyl)benzene）（６ＦＯＱＤＡ）

ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェニルオキシル）ビフェニル（bis(4-amino-2-trifluoromethyl phenyloxyl)biphenyl）（６ＦＯＢＤＡ）

４，４’−ジアミノジフェニルスルホン（4,4’-diaminodiphenyl sulfone）（ＤＤＳ）

なお、ジアミノジフェニルスルホンは、上記式のような４，４’−ジアミノジフェニルスルホン（4,4’-diaminodiphenyl sulfone）であってもよいし、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（3,3’-diaminodiphenyl sulfone）または２，２’−ジアミノジフェニルスルホン（2,2’-diaminodiphenyl sulfone）であってもよい。

本発明のポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、ポリアミドは、溶剤中の縮合重合を介して精製される。ここで、反応中に発生した塩酸は、酸化プロピレン（ＰｒＯ）のような捕獲試薬によって捕獲される。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、本方法内でのポリアミド溶液使用のため、塩酸と捕獲試薬との反応から揮発性生成物が産出される。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、本方法内でのポリアミド溶液使用の観点から、捕獲試薬は、酸化プロピレンである。本発明の１つまたは複数の実施形態において、捕獲試薬は、工程（ｃ）の前またはその最中に添加される。工程（ｃ）の前またはその最中に捕獲試薬を添加することにより、工程（ｃ）後の混合物内での凝縮の発生や粘性度を低減させることができ、これにより、ポリアミド溶液の生産性を向上させることができる。捕獲試薬が酸化プロピレンのような有機試薬である場合、これら効果が特に顕著になる。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、樹脂フィルムＡの耐熱性向上の観点から、本方法は、さらに、ポリアミドの末端−ＣＯＯＨ基および末端−ＮＨ_２基の一方または双方を末端封止する工程を含む。ポリアミドの末端は、各末端が−ＮＨ_２である場合、ベンゾイルクロライドを用いた反応によって末端封止することができ、各末端が−ＣＯＯＨである場合、アニリンを用いた反応によって末端封止することができる。しかしながら、末端封止の方法はこれに限定されない。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、本方法でのポリアミド溶液使用の観点から、ポリアミドは、最初に、無機フィラーを添加する前の溶剤内での再沈殿および再溶解によって、ポリアミド溶液から分離される。

再沈殿は通常の方法で行うことができる。本発明の１つまたは複数の実施形態において、再沈殿は、例えば、ポリアミドをメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等への添加により沈殿させ、ポリアミドを洗浄し、溶剤に再溶解するにより実行される。

ポリアミド溶液の製造用の溶剤としては、前述のものが使用できる。

本発明の１つまたは複数の実施形態において、本方法でのポリアミド溶液使用の観点から、溶液が無機塩を含まないようポリアミド溶液が製造される。

以上のような工程を経ることにより樹脂組成物を製造することができる。

また、上述のような工程を経て得られた樹脂組成物を用いて形成される樹脂フィルムＡは、芳香族ポリアミドを含有する。そのため、樹脂フィルムＡの波長３５５ｎｍの全光線透過率は、好ましくは、１０％以下に設定される。より具体的には、樹脂フィルムＡの波長３５５ｎｍの全光線透過率は、５％以下であるのがより好ましく、３％以下であることがより好ましく、２％以下であることがより好ましく、１％であることがさらに好ましい。樹脂フィルムＡの波長３５５ｎｍの全光線透過率を前記範囲内に設定することにより、光（特に、短波長の光）が樹脂フィルムＡを透過し、半導体層２０３に到達することを確実に抑制または防止することができる。

さらに、樹脂フィルムＡの波長４００ｎｍの全光線透過率は、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上、さらに好ましくは９０％以上に設定される。樹脂フィルムＡの波長４００ｎｍの全光線透過率を前記範囲内に設定することにより、長波長の光が樹脂フィルムＡを確実に透過できるようにすることができる。

また、樹脂フィルムＡの厚み方向の波長４００ｎｍのリタデーション（Ｒｔｈ）は、２００．０ｎｍ以下であることが好ましく、１９０．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１８０．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１７５．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１７３．０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、樹脂フィルム（ポリアミドフィルム）ＡのＲｔｈは、位相差測定装置を用いて算出することができる。

また、樹脂フィルムＡは、その熱膨張係数（ＣＴＥ）が１００．０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、６０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、４０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがさらに好ましい。なお、樹脂フィルムＡのＣＴＥは、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いて算出することができる。

ＲｔｈおよびＣＴＥをそれぞれ前記範囲内にとすることにより、基材５００と樹脂フィルムＡとを備える基板において、反りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、かかる基板を用いて得られる、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０の歩留まりを向上させることができる。

なお、樹脂フィルムＡを無機フィラーが含まれる構成とする場合、樹脂フィルムＡ中の無機フィラーの含有量は、樹脂フィルムＡの体積に対して１体積％〜５０体積％であることが好ましく、２体積％〜４０体積％であることがより好ましく、３体積％〜３０体積％であることがさらに好ましい。上述のような量の無機フィラーを樹脂フィルムＡに添加することによって、樹脂フィルムＡのＲｔｈおよびＣＴＥの大きさをそれぞれ前記範囲内に容易に設定することができる。なお、樹脂フィルムＡの体積換算、および／または無機フィラーの体積換算は、樹脂組成物を調製する際の成分の投入量から算出でき、あるいは、樹脂フィルムＡの体積を測定することで得ることができる。

また、樹脂フィルムＡの平均厚さは、特に限定されないが、例えば、５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。さらに、樹脂フィルムＡの平均厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがより好ましく、３μｍ以上であることがさらに好ましい。上述のような平均厚さを有する樹脂フィルムＡを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１またはセンサ素子１０における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに発揮させることが確実にできるとともに、樹脂フィルムＡにおけるクラック発生を確実に抑制または防止することができる。

以上、本発明の樹脂組成物、基板、および電子装置を製造する方法を実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、本発明の樹脂組成物および基板において、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。

また、本発明の電子装置を製造する方法において、任意の目的で、１以上の工程を追加することができる。

さらに、前記実施形態では、本発明の電子装置を製造する方法を、有機ＥＬ表示装置１およびフォトダイオードを備えるセンサ素子１０の製造に適用したが、本発明の電子装置を製造する方法は、これに限定されない。例えば、本発明の電子装置を製造する方法は、液晶表示装置のようなその他の表示装置の製造に適用できる他、電子素子としてセンサ素子を備えるインプットデバイスの製造、電子素子としてディスプレイ用素子を備える表示装置の製造、電子素子として光学素子を備える光学装置の製造、電子素子として光電変換素子を備える太陽電池の製造等の各種電子装置の製造に適用することができる。また、電子素子としては、薄膜トランジスタおよびフォトダイオードに限らず、有機ＥＬ素子のような発光素子、光電変換素子、圧電素子等が挙げられる。

実施例
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。

１．樹脂組成物の調製および樹脂フィルムの形成
［実施例１］
［樹脂組成物の調製］
＜１＞溶液を得るため、機械式攪拌機と、窒素注入口および排出口を備える２５０ｍｌ三首丸底フラスコに、ＰＦＭＢ（３．０４２ｇ、０．００９５ｍｏｌ）、ＤＡＢ（０．０７６１ｇ、０．０００５ｍｏｌ）、およびＤＭＡｃ（３０ｍｌ）を加えた。

＜２＞ＰＦＭＢおよびＤＡＢが完全に溶解した後、ＰｒＯ（１．４ｇ、０．０２４ｍｏｌ）を溶液に添加した。その後、溶液を０℃まで冷却した。

＜３＞撹拌中に、ＩＰＣ（Isophthaloyl dichloride:１．９０９ｇ、０．００９０ｍｏｌ）およびＮＤＣ（０．２５３ｇ、０．００１ｍｏｌ）を溶液に添加し、その後、フラスコ壁をＤＭＡｃ（１．５ｍｌ）で洗浄した。

＜４＞２時間後、ベンゾイルクロライド（０．０３２ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を溶液に添加し、さらに２時間撹拌した。

［樹脂フィルム（ポリアミドフィルム）の形成］
調製した樹脂組成物を用いて、ガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

すなわち、まず、樹脂組成物を平坦なガラス基板（１０ｃｍ×１０ｃｍ、Corning Inc., U.S.A.社製、「EAGLE XG」）上にスピンコート法により塗布した。

次に、樹脂組成物を、６０℃で３０分以上乾燥し、フィルムを得た。その後、温度を６０℃から３５０℃に加熱し、真空または不活性雰囲気下で３０分間３５０℃を維持し、フィルムを硬化処理することで、ガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは１０．２μｍであった。

［実施例２］
前記工程＜３＞に用いるジクロライド成分として、ＩＰＣとＮＤＣとの組み合わせに代えて、ＩＰＣ（１．６９７ｇ、０．００８００ｍｏｌ）と、ＴＰＣ（Terephthaloyl dichloride：０．２１２ｇ、０．００１００ｍｏｌ）と、ＮＤＣ（０．２５３ｇ、０．００１００ｍｏｌ）との組み合わせとしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した後、この樹脂組成物を用いてガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは約１０．０μｍであった。

［実施例３］
前記工程＜３＞に用いるジクロライド成分として、ＩＰＣとＮＤＣとの組み合わせに代えて、ＩＰＣ（１．４８５ｇ、０．００７００ｍｏｌ）と、ＴＰＣ（０．２１２ｇ、０．００１００ｍｏｌ）と、ＮＤＣ（０．５０６ｇ、０．００２００ｍｏｌ）との組み合わせとしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した後、この樹脂組成物を用いてガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは約１０．６μｍであった。

［実施例４］
前記工程＜３＞に用いるジクロライド成分として、ＩＰＣとＮＤＣとの組み合わせを、ＩＰＣ（１．６９７ｇ、０．００８００ｍｏｌ）と、ＮＤＣ（０．５０６ｇ、０．００２００ｍｏｌ）との組み合わせとしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した後、この樹脂組成物を用いてガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは約１０．１μｍであった。

［実施例５］
前記工程＜３＞に用いるジクロライド成分として、ＩＰＣとＮＤＣとの組み合わせを、ＩＰＣ（０．６３６ｇ、０．００３００ｍｏｌ）と、ＮＤＣ（１．７７２ｇ、０．００７００ｍｏｌ）との組み合わせとしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した後、この樹脂組成物を用いてガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは約１０．５μｍであった。

［実施例６］
前記工程＜３＞に用いるジクロライド成分として、ＩＰＣとＮＤＣとの組み合わせに代えて、ＮＤＣ（２．５３１ｇ、０．００１００ｍｏｌ）を単独で用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した後、この樹脂組成物を用いてガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは約１０．３μｍであった。

［比較例］
前記工程＜３＞に用いるジクロライド成分として、ＩＰＣとＮＤＣとの組み合わせに代えて、ＩＰＣ（１．９０９ｇ、０．００９００ｍｏｌ）とＴＰＣ（０．２１２ｇ、０．００１００ｍｏｌ）との組み合わせとしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した後、この樹脂組成物を用いてガラス基板上に樹脂フィルムを形成した。

なお、得られた樹脂フィルムの厚みは約１０．０μｍであった。

２．評価
各実施例および比較例の樹脂組成物から得られた樹脂フィルムを、以下の方法で評価した。

［全光線透過率（波長３５５ｎｍ、４００ｎｍ）］
樹脂フィルムの波長３５５ｎｍ、４００ｎｍの全光線透過率を、分光光度計（Ｎ−６７０、ＪＡＳＣＯ製）を用いて測定した。

以上のようにして得られた各実施例および比較例の樹脂組成物から得られた樹脂フィルムにおける厚さ、全光線透過率および評価結果を、それぞれ、下記の表１に示す。

表１

表１に示したように、各実施例において得られた樹脂フィルムでは、その波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下、かつ波長４００nmの全光線透過率が７０％以上であるとの優れた結果が得られた。

これに対して、比較例における樹脂フィルムではこれらを満足する十分な結果を得ることができなかった。

本発明は、電子素子製造用基板を製造する方法、樹脂組成物、電子素子製造用基板、および電子装置を製造する方法に関する。

本発明の目的は、優れたスイッチング特性を有する薄膜トランジスタを含む電子素子形成層を得るための電子素子製造用基板を製造する方法、優れたスイッチング特性を有する薄膜トランジスタを備える電子装置を製造するために用いることができる樹脂組成物および電子素子製造用基板、並びに、かかる電子素子製造用基板を用いた電子装置を製造する方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１５）に記載の本発明により達成される。

（１）第１の面と該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材を用意する工程と、
芳香族ポリアミドと前記芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有する樹脂組成物を、前記第１の面側に塗布する工程と、
塗布した前記樹脂組成物を２８０〜４００℃で加熱することにより、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下である電子素子形成層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子素子製造用基板を製造する方法。

（２）本発明に係る上述の電子素子製造用基板を製造する方法において、前記芳香族ポリアミドは、ナフタレン構造を含むことが好ましい。

（３）また、本発明に係る上述の電子素子製造用基板を製造する方法において、前記芳香族ポリアミドは、カルボキシル基を含むことが好ましい。

（４）また、本発明に係る上述の電子素子製造用基板を製造する方法において、前記芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドであることが好ましい。

（５）また、本発明に係る上述の電子素子製造用基板を製造する方法において、前記芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位とを有することが好ましい。

（ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、

［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表される。

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）

（６）また、本発明に係る上述の電子素子製造用基板を製造する方法において、前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、封止されていることが好ましい。

（７）また、本発明に係る上述の電子素子製造用基板を製造する方法において、前記樹脂組成物は、さらに、無機フィラーを含有することが好ましい。
（８）芳香族ポリアミドと、前記芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有する樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物は、このものを用いて形成される層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下となるものであることを特徴とする樹脂組成物。

（９）電子素子を形成するために用いられる基板であって、
第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、
前記基材の前記第１の面側に設けられ、その上に前記電子素子を形成する電子素子形成層と、
を備え、
前記電子素子形成層は芳香族ポリアミドを含有し、前記電子素子形成層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下であることを特徴とする電子素子製造用基板。

（１０）本発明に係る上述の電子素子製造用基板において、前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。

（１１）また、本発明に係る上述の電子素子製造用基板において、前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍであることが好ましい。

（１２）第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、前記基材の前記第１の面側に設けられ、その上に電子素子を形成するために用いられ、芳香族ポリアミドを含有し、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下である電子素子形成層と、を備える基板を用意する工程と、
前記電子素子形成層の前記基材と反対側の面に、前記電子素子を形成する工程と、
前記電子素子を覆うように被覆層を形成する工程と、
前記基材と前記電子素子形成層との界面において前記基材から前記電子素子形成層を剥離させるために、光を前記電子素子形成層に照射する工程と、
前記電子素子、前記被覆層、および前記電子素子形成層を含む電子装置を、前記基材から分離する工程と、
を有することを特徴とする電子装置を製造する方法。

（１３）本発明に係る上述の電子装置を製造する方法において、前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。

（１４）また、本発明に係る上述の電子装置を製造する方法において、前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍであることが好ましい。

（１５）また、本発明に係る上述の電子装置を製造する方法において、前記芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位とを有することが好ましい。

（ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、

［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表される。

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）

以下、本発明の電子素子製造用基板を製造する方法、樹脂組成物、電子素子製造用基板、および電子装置を製造する方法について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。

まず、本発明の電子素子製造用基板を製造する方法、樹脂組成物、電子素子製造用基板、および電子装置を製造する方法について説明するのに先立って、本発明の電子装置を製造する方法を適用して製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）およびセンサ素子について説明する。すなわち、最初に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびセンサ素子が、本発明の電子装置の例として説明される。

最初に、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造する方法を説明する。
［１］まず、前述の基板（本発明の電子素子製造用基板）を用意する。該基板（本発明の電子素子製造用基板）は、第１の面と、この第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材５００と、樹脂フィルムＡとを備える。樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａは、基材５００の第１の面側に設けられる。

次に、図３に示すセンサ素子を製造する方法を説明する。
［１］まず、上述の図１に示す有機ＥＬ表示装置１を製造する方法と同様に、基材５００と、基材５００上に形成された樹脂フィルム（電子素子形成層）Ａとを備える基板（本発明の電子素子製造用基板）を用意する。基材５００上に樹脂フィルムＡを形成する工程は、上述の有機ＥＬ表示装置１を製造する方法と同様であるので、ここでは説明を省略する（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。

以上、本発明の電子素子製造用基板を製造する方法、樹脂組成物、電子素子製造用基板、および電子装置を製造する方法を実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、本発明の樹脂組成物および電子素子製造用基板において、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。

Claims (14)

1. 芳香族ポリアミドと、前記芳香族ポリアミドを溶解する溶剤とを含有する樹脂組成物であって、
   当該樹脂組成物は、このものを用いて形成される層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下となるものであることを特徴とする樹脂組成物。
2. 前記芳香族ポリアミドは、ナフタレン構造を含む請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 前記芳香族ポリアミドは、カルボキシル基を含む請求項１に記載の樹脂組成物。
4. 前記芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドである請求項１に記載の樹脂組成物。
5. 前記芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位とを有する請求項１に記載の樹脂組成物。
   

   

   （ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、
   

   

   ［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
   Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、
   

   

   ［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
   Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表される。
   

   

   ［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）
6. 前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、封止されている請求項１に記載の樹脂組成物。
7. 当該樹脂組成物は、さらに、無機フィラーを含有する請求項１に記載の樹脂組成物。
8. 電子素子を形成するために用いられる基板であって、
   第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、
   前記基材の前記第１の面側に設けられ、その上に前記電子素子を形成する電子素子形成層とを備え、
   前記電子素子形成層は芳香族ポリアミドを含有し、前記電子素子形成層の波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下であることを特徴とする基板。
9. 前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項８に記載の基板。
10. 前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍである請求項８に記載の基板。
11. 第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、前記基材の前記第１の面側に設けられ、その上に電子素子を形成するために用いられ、芳香族ポリアミドを含有し、波長３５５ｎｍの全光線透過率が１０％以下である電子素子形成層とを備える基板を用意する工程と、
    前記電子素子形成層の前記基材と反対側の面に、前記電子素子を形成する工程と、
    前記電子素子を覆うように被覆層を形成する工程と、
    前記基材と前記電子素子形成層との界面において前記基材から前記電子素子形成層を剥離させるために、光を前記電子素子形成層に照射する工程と、
    前記電子素子、前記被覆層、および前記電子素子形成層を含む電子装置を、前記基材から分離する工程とを有することを特徴とする電子装置を製造する方法。
12. 前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１１に記載の方法。
13. 前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍである請求項１１に記載の方法。
14. 前記芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）で表される第１の繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）で表される第２の繰り返し単位とを有する請求項１１に記載の方法。
    

    

    （ただし、ｘは、前記第１の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｙは、前記第２の繰り返し単位のｍｏｌ％を示し、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）で表され、
    

    

    ［ｑ＝３、Ｒ_２、Ｒ_３、は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択される。］、
    Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、
    

    

    ［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］、
    Ａｒ_３は、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表される。
    

    

    ［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン基等のアリール基または置換アリール基である。］）

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