JP2016529397A - シートのコーティング方法 - Google Patents

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Abstract

複数のシートにコーティングする方法が開示される。流体が複数のシートの間隙に押し通される。流体は実質的に栓流のプロファイルを有し、また流体は自己限定性の蒸着プロセスにおいて複数のシートの少なくとも1つの表面上に被膜を蒸着させる。

Description

本発明はシートのコーティング方法に関する。
薄いガラス膜は、いくつかの技術のうちのいずれかによって製造され得る。最も一般的な方法は、溶融ガラスが2つの表面を流れ、1本の線にわたって合流し、シートへと延伸される溶解延伸タワーを用いるか、あるいは、ガラス板が加熱され、シートへと延伸される再延伸プロセスを用いるものである。これらのプロセスのいずれによっても、100マイクロメートル以下の厚さを持つ薄いガラスが生産され得る。
ガラス膜を含めて、膜の多数の用途で、薄膜コーティングが必要となり得る。これらのコーティングは一般に、真空に基づいた物理蒸着(化学蒸着、スパッタリング、及び蒸発コーティングを含む)を用いて実施される。真空プロセスは、シートがすべて真空室内に収容されるようなバッチプロセスか、あるいは供給ロール及び巻取ロールが大気圧にある大気−真空−大気プロセスのいずれかによって達成され得る。
これらのコーティング方法は一般的に用いられているが、これらは費用のかかるものでもある。ロール加工が一般的に経済的に適さないコーティング方法もいくつかある。それらには、化学蒸着法(CVD)、減圧CVD、及び原子層蒸着法(ALD)が挙げられる。これらのプロセスは通常、プレート全体が一度にコーティングされ得る、シートに基づくプロセスにおいて用いられる。
上述した真空に基づく蒸着コーティング方法は別にして、自己組織化交互吸着(LBL)法呼ばれる、周囲における液体に基づくコーティング方法がまた、膜及びガラス上にコーティングを設けるために用いられ得る。LBLコーティングは、ALDと類似した自己制限堆積プロセスであるが、周囲温度及び周囲圧力にて、通常は水溶液又はディスパージョンから実施される。伝統的に、LBLコーティングは、比較的面積の小さい基板上で自動のディップコーター又はスプレーコーターを使用してバッチモードで行われてきた。浸漬コーティングによる連続的なロールツーロール形式でのLBLコーティングが米国特許出願第2004/0157047号(メハラビ(Mehrabi)ら)に記述されており、またスプレーコーティングによるLBLコーティングが米国特許第8,234,998号(クログマン(Krogman)ら)に記述されている。App.No. 2004/0157047(Mehrabi et al.)and LBL coating via spray coating has been described in US Pat.No.8,234,998(Krogman et al.).しかしながら、これらの技術を用いて1回の通過で複数の層(例えば50層〜100層)をコーティングするには、コーティングラインに大きな設置面積が必要となる。
当該技術分野では、低コストでかつ高スループットで高性能なコーティングを設ける、シートにコーティングする方法が必要とされている。
本開示と整合する、シートにコーティングする方法は、複数のシートに前記シートの間に間隙を設ける工程と、それらの間隙に流体を押し通す工程とを含む。流体は実質的に栓流のプロファイルを有し、また流体は自己制限堆積プロセスにおいて複数のシートの少なくとも1つの表面上に被膜を堆積させる。
本開示と整合する物品は、プレートラックと、コーティング済みプレートの間に間隙を持たせてプレートラックに配置された複数のコーティング済みプレートと、複数のコーティング済みプレートの入口縁部に隣接して配置されたマニホールドとを有する。マニホールドは流体分配システムを有する。
添付図面は本明細書の一部に組み込まれ、これを構成するものであって、その説明と共に本明細書の利点及び原則を説明する。図中、
バッチ流通反応器の切開斜視図である。 バッチ流通反応器の切開平面図である。 ALD反応器の切開平面図である。 ALD反応器の切開斜視図である。 窒素の質量分率の等高線を示す、ALD反応器の横断面図である。 等差圧線を示す、ALD反応器の横断面図である。 反応器の切開斜視図である。 圧力の等高線を示す、図7の反応器の横断面図である。 圧力の等高線を拡張スケールで示す、図7の反応器の横断面図である。 速度の等高線を示す、図7の反応器の半部の平面図である。 0.19秒の物理的発生時間における窒素の質量分率の等高線を0〜0.1の拡張スケールで示す、図7の反応器の横断面図である。 0.87秒の物理的発生時間における窒素の質量分率の等高線を0〜0.2の拡張スケールで示す、図7の反応器の半部の平面図である。 0.87秒の物理的発生時間における窒素の質量分率の等高線を0〜1の拡張スケールで示す、図7の反応器の横断面図である。 1/4波長の反射材設計を示す図である。 図14の反射材によって発生したスペクトルを示すプロットである。 図14の反射材によって発生したスペクトルを示すプロットである。 副光学層を使用したルゲート反射器の近似形を示す図である。 図16の反射材によって発生したスペクトル、及び側波帯の抑制を示すプロットである。 図16の反射材によって発生したスペクトル、及び側波帯の抑制を示すプロットである。 反射材の波長に対する反射率パーセントの設計目標のプロットである。 はガラスプレートの積層体を備えた反応器の写真である。 ガラスプレートの大部分を取り外して反応器が分解された、図19の反応器の写真である。 マニホールド及びプレートの積層体の一部分の概略的横断面図である。 プレートの積層体を含んだ容器の斜視図である。 図22Aの容器の一部分の横断面図である。
可撓性となるよう十分に薄いガラスは、溶融ガラスが2つの表面を流れ、1本の線にわたって合流し、シートへと延伸される溶解延伸タワーを用いるか、あるいはガラス板が加熱され、シートへと延伸される再延伸プロセスを用いるなど、いくつかの技術によって作製され得る。本明細書は、高歩留りによる低コストで、フィルム又はシートに対して低損傷で、かつ高スループットで、この形態のガラスを高性能被膜でコーティングする方法を提示するものである。高スループットは、このプロセスが低容積の反応器を必要とし、かつ反応原料を効率的に使用する結果である。これらの利点はいずれも、本明細書によって提示される、実質的に栓流のコーティングプロセスの結果である。
栓流は、第1の流体組成物から第2の流体組成物への急激な遷移を有するものとして特徴付けられる。例えば、シートの配列が、パージ流体でパージされる反応性流体で充填されていてもよく、また栓流の場合、反応性流体とパージ流体との間に鮮明な境界が存在することになる。本明細書の範囲から逸脱することなく、界面が積層体を通じて移動するので、拡散が存在することがある。本明細書で用いられるとき、「実質的に栓流のプロファイル」とは、第1の流体と第2の流体との間に、鮮明なあるいは拡散によって拡幅された境界が存在する流れを指す。
本開示の方法は、自己制限堆積プロセスを利用するものである。用いられ得る好適な自己制限堆積プロセスには、原子層蒸着法(ALD)と自己組織化交互吸着(LBL)法とを含めた液体に基づくコーティングプロセスを挙げることができる。
これらのコーティング方法は、高分子材料を含めた無機及び有機被膜をガラスシートなどのシートに施すために用いられ得る。被膜は、保護的、装飾的であってもよく、かつ/又は光学的若しくは電気的機能を有してもよい。例示的な被膜には、金属及び透明導電性酸化物(TCO)を含めて、反射防止体、二色性反射体、広帯域鏡、及び導電性被膜が挙げられる。これらのシートは、ポリマー、ガラス、金属、セラミック、又はそれらの組合わせを含み得る。
図1は、複数のプレート13を備えたALD反応器1を示している。比較的大きな入口容積9がプレート13の入口縁部16の前方にあり、プレート13は流れを顕著には抑制しない。反応器1は、上方部分5と下方部分7とによって画定されるチャンバの中に流れ込むガス入口3を有し、入口容積9によってガスは、低流動抵抗の経路11へ、プレート13の積層体を通じて分散する。ガスは出口15を通じて反応器から排出される。
図1に示す反応器内部のガス流は、Solidworks Flowシミュレーション(Solidworksは米国マサチューセッツ州ウォルサム(Waltham)のダッソー・システムズ(Dassault Systems)から入手可能である)を用いてシミュレーションしたものである。出口の圧力は1トール(133パスカル)に固定し、入口のガス流は0.000409m/sの窒素に固定した。ガス及び反応器の温度は共に250℃に設定し、反応器は最初に空気で充満させた。板は0.2mm厚であり、0.3mmの間隙で離間させた。板は150×100mmであり、ガスフローは長軸に沿うものであった。
図2は、結果として得られる速度ベクトル220及び等値線230を示している。等値線230は一定の窒素組成を示しており、各矢印の長さは速度に比例している。図2にはまた、上方部分205、低流動抵抗の経路211、及びプレートラック240が示されている。これは、流れの大部分がプレートの積層体を迂回することを示している。流れの迂回が広範囲であること又は間隙が大きいことにより、あるいはそれらの両方により、反応器を設計する柔軟性が改善され得ると共に、被膜の均一性が向上し得るが、サイクル時間及び反応原料消費が著しく増大し得る。この設計におけるプレートの端から端の圧力の比は約1.015:1である。いくつかの実施形態において、プレートの入口縁部にかかる流体の圧力とプレートの出口縁部にかかる流体の圧力との比は、少なくとも1.01又は1.05又は1.1又は1.2である。
図3は、改善された反応器301を示しており、入口容積は最小化され、迂回は相当に低減されている。この場合、プレート313の積層体全体にわたって、はるかに高い速度320が存在し、またプレートに到達する前の入口ガスの混合が低減されるが、板全体にわたって広範な速度が存在する。この速度範囲は結果として、均一性を悪化させるかあるいはサイクル時間を延長することになる。圧力の等圧線232が図3に示されている。等圧線332aは約1.2トール(160パスカル)の圧力を示し、等圧線332bは約1.1トール(147パスカル)の圧力を示している。入口から出口への圧力比は、1.41:1である。反応器301は、上方部分305と入口マニホールド335とを有している。
図4は、プレートの積層体又はシートの入口面全体にわたってガスが効率的に分配される反応器401を示している。シートの前方のガス流の空間445を0mmの幅から3mmの幅に増大させることによって分配が改善されている。この場合、入口と出口との圧力比は1.34:1である。いくつかの実施形態において、シートの前方のガス流の空間は、1mm〜5mmの範囲の幅を有する。速度ベクトル420及び圧力の等圧線432が図4に示されている。等圧線432aは約1.25トール(167パスカル)の圧力を示し、等圧線432bは約1.15トール(153パスカル)の圧力を示している。
図5は、高い圧力降下反応器501のパージ操作における窒素の質量分率を示している。投入は、流れの開始から0.68秒後、1トール(133パスカル)の出口圧力で2×10−7kg/sであり、入口は最初、約1トール(133パスカル)の圧力に設定される。反応器501は複数のシート513を有し、シート513は、入口縁部516及び出口縁部517と、シート513の間に間隙519とを備えている。等高線561は約0.9の窒素の一定の質量分率を示しているが、等高線563は約0.2の窒素の質量分率を示している。等高線561の左側の領域は、高度な窒素の質量分率を有し、窒素の質量分率は遷移領域573において降下し、また窒素の質量分率は、反応器のうちの領域573の右側の部分において低くなっている。最終的な入口圧力及び差圧が図6に示されている。等圧線661は約1.1トール(147パスカル)の圧力を示し、等圧線663は約1トール(133パスカル)の圧力を示している。入口から出口への圧力の比は1.129:1であり、プレートの両端の差圧は約1.06:1である。
基板又はシートは好ましくは、十分な圧力降下がもたらされるように緊密にパックされる。いくつかの実施形態において、シートの間の間隙は約6mm以下、又は約3mm以下、又は約2mm以下である。いくつかの実施形態において、シートの間の間隙は、約2mm〜約6mmの範囲内にある。シートの間の間隙は均一であっても、勾配付きであってもよく、あるいは他の構成が用いられてもよい。好ましくは、反応体は主にそれらの間隙を通じて流れ、間隙は実効抵抗を流れにもたらす。反応器は、反応器に押し通される反応体流体の少なくとも10%がシートの間の間隙を通過するように設計され得る。いくつかの実施形態において、反応器に押し通される反応体流体の少なくとも50%又は少なくとも80%が間隙を通過する。
図7は改良された反応器701を示している。先の例の条件を再現し、入口及び出口インサートのみを取り除き、拡散領域770をプレート713の積層体に隣接させて追加した。図7において、拡散領域770はプレートホルダー740の右後方から視認可能である。プレート713の積層体は出口縁部717を有している。改良された反応器701はまた、上方部分705と、入口703と、出口715と、プレートラック740とを有している。図8は、反応器701の種々の領域の圧力を示している。等圧線861及び863は、約1トール(133パスカル)の圧力を表し、等圧線861は等圧線863よりも高い圧力にある。入口から出口への全圧力降下は2.6ミリトール(0.35パスカル)である。図9は、図8と同じ条件を示しているが、圧力範囲は1トールから1.001トール(133パスカル〜133.5パスカル)に拡張されている。入口領域966における圧力は、出口領域967における圧力よりも高くなっている。最高圧力は入口903で発生し、最低圧力は出口915で発生している。プレートの積層体の両端間の圧力降下は約0.25ミリトール(0.0033パスカル)である。図10は、反応器701の半分の上面速度プロファイルを示しており、プレートラック740がこの図で視認可能である。反応器701の他の半分の速度プロファイルは、鏡映対称によって与えられる。速度はプレートの積層体の領域1061及び1062において約0.2m/sの最高となり、領域1064及び1065において約0.15m/sに低下し、領域1067において約0.08m/sに低下し、領域1068において約0.05m/s未満となる。図11は、スケールを0〜0.1に拡張して窒素質量分率を示す、反応器701の側面図である。等高線1163は約0.09の窒素質量分率を示しているが、領域1167は約ゼロの窒素質量分率を有している。物理的発生時間は0.19秒である。図12は、0〜0.2のスケールで0.87秒における窒素の質量分率を示す、反応器701の上面図である。窒素の質量分率は領域1261において約0.15であり、領域1266において約0.08である。図12は、反応器701の半分の上面質量分率プロファイルを示しており、プレートラック740がこの図で視認可能である。反応器の他の半分の質量分率プロファイルは、鏡映対称によって与えられる。図13は、0〜1のスケールで0.87秒における窒素の質量分率を示す、反応器701の側面図である。領域1366は約0.5の窒素の質量分率を示しているが、領域1367は約ゼロの窒素の質量分率を有している。
ALDプロセスの利点は、光学的に薄い層をより複雑な構造で作ることが不経済でなくなることである。このことは、より高性能な反射材及び反射防止材を作製するのに有用である。例えば、図14は、層をMgF及びチタニアとした、標準的な1/4波長の反射材設計を示している。図14は、低屈折率層と高屈折率層の交互積層体を形成するように互いに積層される低屈折率層1410と高屈折率層1420の12の列を示しており、この交互積層体は合計で24の層を有し、層1412は最外層であり、層1424はシートに隣接する。換言すれば、図14の表記は、低屈折率層1412が、低屈折率層1414上に蒸着される高屈折率層1422上に蒸着され、このパターンが、シート上に高屈折率層1424が蒸着されるまで続くことを示している。図14の表記は、より複雑な層構造が用いられるときに便利である。低屈折率層1410は1.35の屈折率を有し、高屈折率層1420は2.10の屈折率を有する。低屈折率層及び高屈折率層の各々は、1/4λ(550nm)の相厚さを有している。
図14の積層体は、図15A及び15Bに示すスペクトルを発生させる。図15Aのスペクトルは空気界面の反射を含んでいるが、図15Bのスペクトルは、表面反射を排除するために、1.725の屈折率を有する媒体に埋め込んで測定した。これは、側波帯反射1540a及び1540bを排除していない。図15Aは、垂直入射1510aにおける反射率、及び20度の入射1520aにおける反射率を示している。同様に、図15Bは、垂直入射1510bにおける反射率、及び20度の入射1520bにおける反射率を示している。
図16は、側波帯反射を低減するように設計されたルゲート反射器+を近似するようにALD層が選定された、より複雑な層構造を示している。図16の表記は、図14の表記と類似したものであるが、低屈折率層1612が、図16の第1の列に示された次の層上に蒸着される高屈折率層1622上に蒸着され、低屈折率層1614である第2の列の第1の層上に蒸着される低屈折率層1623に続くことを示している。このパターンは、高屈折率層1624がシート上に蒸着されるまで続く。低屈折率層1610は1.35の屈折率を有し、高屈折率層1620は2.10の屈折率を有する。低屈折率層及び高屈折率層の各々は、1/160λ(550nm)の相厚さを有している。図16に示す27の列の各々に80の層が存在する。
図16の積層体は、図17A及び17Bに示すスペクトルを発生させる。図17Aのスペクトルは空気界面の反射を含んでいるが、図17Bのスペクトルは、表面反射を排除するために、1.725の屈折率を有する媒体に埋め込んで測定した。これによって側波帯反射1740aが著しく低減し、結果として側波帯反射1740bが小さくなる。図17Aは、垂直入射1710aにおける反射率、及び20度の入射1720aにおける反射率を示している。同様に、図17Bは、垂直入射1710bにおける反射率、及び20度の入射1720bにおける反射率を示している。実際には、空気界面の反射を低減又は排除するために、反射防止被膜が層構造に張り付けられ得る。図17Bは、反射防止被膜が側波帯反射を著しく低減するかあるいは実質的に排除する上で有効であることを示している。
本説明のいくつかの実施形態において、フルオロシラン若しくは有機金属物質又はそれらの組合わせが、基板、例えばサファイアシートの上に蒸着される。本説明の反応器は、蒸着時間を十分に長くする一方で、依然として高スループットを有し、それによってそのような被膜を施すことを可能にする。いくつかの実施形態において、サファイアシートが反応器内に置かれる。例えば、フルオロシラン又は有機金属物質の結果として得られる、後に蒸着される材料の付着力を改善するために、シラン蒸気が用いられてシリカがサファイアシートの上に蒸着されてもよい。これは例えば、気化したシランを含有する不活性キャリアガスを反応器に通し、続いて窒素などの不活性ガスでパージすることによってなされ得る。次いで、気化したフルオロシラン又は有機金属物質を含有するキャリアガスが反応器に通されて、片面又は両面を有機金属又はフルオロシランでコーティングされたサファイアシートが得られる。後の工程は、既にコーティングされているフルオロシラン又は有機金属物質と反応する物質を含有する不活性キャリアガスを反応器に通すことを伴い得る。
いくつかの実施形態において、第1の流体がシートの間の第1の組みの間隙に押し通され、第1の流体とは異なる第2の流体が、第1の組みの間隙とは異なる、シートの間の第2の組みの間隙に押し通される。いくつかの実施形態において、第1の流体は、少なくとも1枚のシートの第1の主表面上に第1の被膜を蒸着させ、第2の流体は、少なくとも1枚のシートの第2の主表面上に第2の被膜を蒸着させる。これは、図21に示すようなマニホールド2180を使用して実行され得る。マニホールド2180は第1の入り口部2182を有し、第1の入り口部2182は、第1の組みのチャネル2183を通じて複数のシート2113の第1の組みの間隙2119へと第1の流体を方向付ける。マニホールド2180はまた第2の入り口部2184を有し、第2の入り口部2184は、第2の組みのチャネル2186を通じて複数のシート2113の第2の組みの間隙2119へと第2の流体を方向付ける。マニホールド2180は、チャネル2183及び2186によって設けられる流体分配システムを有している。第1の流体は、複数のシート2113のうちの少なくとも1枚のシートの第1の面に第1の被膜を蒸着させる。例えば、図21に示す構成において、シート2113aの上側表面は第1の被膜でコーティングされ、シート2113bの下側表面は第2の被膜でコーティングされる。第1及び第2の被膜は、実質的に同じ組成を有していてもよい。第2の流体は、複数のシート2113のうちの少なくとも1枚のシートの第2の面に第3の被膜を蒸着させる。例えば、図21に示す構成において、シート2113aの下側表面は第3の被膜でコーティングされ、シート2113bの上側表面は第4の被膜でコーティングされる。第3及び第4の被膜は実質的に同じ組成を有してもよく、第3及び第4の被膜は、第1及び第2の被膜の組成と実質的に異なる組成を有してもよい。
場合によっては、薄くかつ脆い複数のシート又はプレートにコーティングすることが望まれる。いくつかの実施形態において、反応器は、プレートの積層体を収容する支持構造が反応器から取り外され、輸送容器として使用され得るように設計される。これにより、プレートを支持構造から取り外し、それらを輸送用に再パッケージする必要なく、コーティング済みプレートの積層体を輸送することができる。支持構造は、受領者がコーティング済みプレートを取り出した後に出荷者に返却され得る。本説明のいくつかの態様において、プレートラックと、そのプレートラック内に配設された複数のコーティング済みプレートと、流体分配システムを有するマニホールドとを有する支持構造が設けられる。図22Aは、コーティング、保管、及びシート又はプレートの輸送に適した容器2230を示している。容器2230は、側方支持構造2232a及び2232bを有している。側方構造は、基板プレート2242の配列を容器に詰め込むことを可能にする切込み2234を有している。切込み2234は、プレート2242を保持及び拘束するためのプレートラックを形成している。図22Aは、約半分をプレートで満たされた容器2230を示している。通常の使用の際、容器2230は一般に、プレート2242を詰め込まれる。図22Bは、容器2230の一部分の詳細な図面を示しており、切込み2234はプレート2042を拘束し、反応体流れのための空間2236を設けている。
実施例1
図4に示す反応器を、ドーム型の蓋を備えたSavannah 200 Atomic Layer Deposition Unitに据え付けた。約20枚の15.9×11.4cm、0.2mm厚の光学グレードのホウケイ酸ガラスプレートを反応器に装填した(ガラスプレート部品番号260454(カリフォルニア州レディング(Redding)のテッドペラ社(Ted Pella Inc)))。17%の濃度に設定したINUSA Ozone Generatorによってオゾンを供給した。
基底/パージ流量は20sccmのNであった。用いた温度プロファイルが下の表1に記されている。TDMATとはテトラキス(ジメチルアミノ)チタンである。
用いたTiOサイクルが下の表2に記されている。
用いたAlサイクルが下の表3に記されている。TMAとはトリメチルアルミニウムである。
前駆体ごとのサイクル数を以下の表4に示す。
設計目標が図18に示されているが、図18は、シートの前側のみがコーティングされているときのシートの前方から入射する光の反射パーセントを与える曲線1810を示しており、また、シートの両側がコーティングされているときの反射パーセントを与える曲線1812を示している。シートを定位置に備えた反応器の写真が図19に示されている。図20は、ガラス板の大部分を取り外して反応器が分解された、図19の反応器の写真である。
反応器の流入側(左)は、おそらくはパージが不十分であることによる、アルミナ若しくはチタンのいずれか又はそれら両方のCVDの証拠を示している。設計目標に近い被膜の拡大区間があり、次いで反応体が枯渇した透明領域が存在した。
実施例2:ガラスへの多層光学被膜の交互積層(LBL)堆積
用いられ得るコーティング溶液には、以下のものが挙げられる。
1)pHを硝酸でpH 3に調節した水にて0.1重量%で分子量240Kを持つ、塩化ポリジアリルジメチルアンモニウム(PDADMAC)(ペンシルバニア州ウォーリントン(Warrington)のポリサイエンス社(PolySciences, Inc.)から20重量%の水溶液として入手可能なプラスに帯電したポリマー)。
2)pHを硝酸でpH 3に調節した水にて0.1重量%の濃度で5nmの平均径を持つ、シリカ(SiO)ナノ粒子(イリノイ州ネーパービル(Naperville)のナルコ社(Nalco Company)から「Nalco 2326」の商品名で水性懸濁液として入手可能)。SiOはpH 3でマイナスに帯電する。
3)pHを硝酸でpH 2に調節し、NaClを加えて0.1Mの濃度にした水にて0.1重量%の濃度で5nm〜15nmの平均径を持つアナターゼチタン(TiO)ナノ粒子(U.S.リサーチナノマテリアルズ(U.S. Research Nanomaterials)15重量%の水性懸濁液として入手可能)。TiOはpH 2でプラスに帯電する。
4)pHを硝酸でpH 2に調節した水にて0.1重量%で分子量70Kを持つ、ポリ(4−スチレンスルホン酸ナトリウム)(PSS)(シグマアルドリッチ社(ミズーリ州セントルイス(St. Louis)から入手可能な、マイナスに帯電したポリマー)。
ホウケイ酸ガラスプレートを実施例1で説明したように反応器の中に装填する。
一般に、上記のコーティング溶液は、均一な栓流を維持する速度で交互に反応器を通じて圧送される。過剰な材料を除去し、コーティングプロセスの自己限定性を保つために、中間の置換パージ工程が必要である。各堆積工程は、基板上のイオン電荷を逆転させて、続いて反対に帯電した化学種(高分子電解質又は金属酸化ナノ粒子)を堆積することを可能にする。
まず、高屈折率の光学積層体が反応器内でガラス基板の上に堆積される。TiOナノ粒子の懸濁液が、反応器を通じて圧送される。大雑把に言えば、TiOナノ粒子の単分子膜がガラスの表面上に堆積し、表面電荷をマイナスからプラスへと逆転させる。次に、脱イオン水のパージ溶液が圧送されて、過剰なTiOを除去する。次に、PSS溶液が反応器を通じて圧送されるが、このPSS溶液は、大雑把に言えばPSSポリマーの単分子膜を吸収し、表面電荷をプラスからマイナスに逆転させるものである。次に、脱イオン水のパージ溶液が圧送されて、過剰なPSSを除去する。このサイクルが5回、反復されて、(TiO/PSS)で示される5枚の「二重層」が堆積される。この皮膜は約50nmの厚さ、633nmで約1.84の屈折率を有することになる。
次に、低屈折率の光学積層体が高屈折率の積層体の上に堆積される。PDADMAC溶液が反応器を通じて圧送される。大雑把に言えば、PDACポリマーの単分子膜がガラスの表面上に堆積し、表面電荷をマイナスからプラスへと逆転させる。次に、脱イオン水のパージ溶液が圧送されて、過剰なPDADMACを除去する。次に、SiO溶液が反応器を通じて圧送されるが、このSiO溶液は、大雑把に言えばSiOナノ粒子の単分子膜を吸収し、表面電荷をプラスからマイナスに逆転させるものである。次に、脱イオン水のパージ溶液が圧送されて、過剰なSiOを除去する。このサイクルが3回、反復されて、(PDADMAC/SiOで示される3枚の「二重層」が堆積される。この皮膜は約50nmの厚さ、633nmで約1.33の屈折率を有することになる。
上記の高屈折率及び低屈折率の積層体の複数の組みを堆積することにより、ピーク反射の中心を紫外線領域に持つ多層光学皮膜が作製されることになる。
この構造化シートは、単純又は複雑な曲線から複雑な3次元形状までを有し得る。3D形状又は曲線は互いに入れ子にされ得る。例えば、シートは半球状の中空ドームの配列を有してもよく、これらのドームを備えたシートは、シートの小さな配列を形成するように互いに入れ子にされてもよく、栓流優位のコーティングが可能となる。
以上、本明細書において特定の実施形態について例示及び説明してきたが、当業者であれば、本開示の範囲から逸脱することなく、様々な代替的実施形態を、例示及び説明した特定の実施形態に対して使用できる点を認識するであろう。本出願は、本明細書で論じた特定の実施形態の如何なる改作又は変型をも包含することを意図したものである。

Claims (23)

  1. シートをコーティングする方法であって、
    複数のシートに前記シートの間に間隙を設ける工程であって、
    前記シートは入口縁部と出口縁部とを有する、工程と、
    流体を前記間隙に押し通す工程とを含み、
    前記間隙を通した前記流体流れは、実質的に栓流のプロファイルを有し、
    かつ前記流体は、自己制限堆積プロセスにおいて前記複数のシートの少なくとも1つの表面上に被膜を堆積させる、方法。
  2. 前記流体は気体である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記流体は液体又は液体と気体との組合わせである、請求項1に記載の方法。
  4. 前記入口縁部にかかる前記流体の入口圧力と前記出口縁部にかかる前記流体の出口圧力との比が少なくとも1.01である、請求項1に記載の方法。
  5. 前記比は少なくとも1.05である、請求項4に記載の方法。
  6. 前記比は少なくとも1.1である、請求項5に記載の方法。
  7. 前記比は少なくとも1.2である、請求項6に記載の方法。
  8. 前記自己制限堆積プロセスは原子層堆積を含む、請求項1に記載の方法。
  9. 前記自己制限堆積プロセスは交互吸着自己組織化を含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記間隙は2mm〜6mmの範囲内にある、請求項1に記載の方法。
  11. 前記複数のシートを反応器内に置き、流体を前記反応器内に押し通す工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記反応器内に押し通される前記流体の少なくとも50%が前記シートの間の前記間隙を通過する、請求項11に記載の方法。
  13. 前記反応器内に押し通される前記流体の少なくとも80%が前記シートの間の前記間隙を通過する、請求項12に記載の方法。
  14. 前記反応器は、前記シートの前方にガス流のための空間を設け、前記空間は1mm〜5mmの範囲の幅を有する、請求項11に記載の方法。
  15. 前記流体は、各シートの第1の表面上に、また各シートの第2の表面上に被膜を堆積させる、請求項1に記載の方法。
  16. 前記シートは、ポリマー、ガラス、金属、セラミック、又はそれらの組合わせを含む、請求項1に記載の方法。
  17. 前記シートはガラスシートである、請求項16に記載の方法。
  18. 前記シートはサファイアを含む、請求項1に記載の方法。
  19. 前記被膜は、有機金属材料若しくはフルオロシラン又はそれらの組合わせを含む、請求項1に記載の方法。
  20. 前記間隙に流体を押し通す工程は、第1の組みの間隙に第1の流体を押し通し、前記第1の組みの間隙とは異なる第2の組みの間隙に前記第1の流体とは異なる第2の流体を押し通すことを含む、請求項1に記載の方法。
  21. 前記第1の流体は、少なくとも1枚のシートの第1の主表面上に第1の被膜を堆積させ、前記第2の流体は、前記少なくとも1枚のシートの第2の主表面上に前記第2の被膜を堆積させる、請求項20に記載の方法。
  22. 物品であって、
    プレートラックと、
    コーティング済みプレートの間に間隙を持たせて前記プレートラックに配置された複数のコーティング済みプレートであって、入口縁部を有する、前記複数のコーティング済みプレートと、
    前記入口縁部に隣接して配置されたマニホールドであって、流体分配システムを有する、マニホールドと、を備える、物品。
  23. 前記コーティング済みプレートの間の間隙は、第1組の間隙と、前記第1組の間隙とは異なる第2組の間隙とを含み、前記流体分配システムは、前記第1組の間隙に流体を分配するための第1組のチャネルと、前記第2組の間隙に流体を分配するための、前記第1組のチャネルとは異なる第2組のチャネルとを有する、請求項22に記載の物品。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015187388A1 (en) 2014-06-02 2015-12-10 3M Innovative Properties Company Led with remote phosphor and shell reflector
CN212460103U (zh) 2017-10-18 2021-02-02 3M创新有限公司 光纤连接系统
CN212255779U (zh) 2017-10-18 2020-12-29 3M创新有限公司 光纤连接系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020108570A1 (en) * 2000-04-14 2002-08-15 Sven Lindfors Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US20060032442A1 (en) * 2004-07-15 2006-02-16 Kazuhide Hasebe Method and apparatus for forming silicon oxide film
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
JP2009246365A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd 原子層堆積(ald)法及び化学気相成長(cvd)法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積
US20100166955A1 (en) * 2008-11-01 2010-07-01 Cambridge Nanotech Inc. System and method for thin film deposition
US20120196050A1 (en) * 2009-07-30 2012-08-02 Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer Apparatus and method for atomic layer deposition

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3103186B2 (ja) * 1992-03-19 2000-10-23 富士通株式会社 原子層エピタキシー装置および原子層エピタキシー法
US20030049372A1 (en) 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US6812157B1 (en) * 1999-06-24 2004-11-02 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
JP3670628B2 (ja) 2002-06-20 2005-07-13 株式会社東芝 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法
US20040157047A1 (en) 2003-02-06 2004-08-12 Ali Mehrabi Continuous process for manufacturing electrostatically self-assembled coatings
US20050268848A1 (en) 2004-04-28 2005-12-08 Nanodynamics, Inc Atomic layer deposition apparatus and process
DE102004056170A1 (de) * 2004-08-06 2006-03-16 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung mit hohem Durchsatz
US7407892B2 (en) * 2005-05-11 2008-08-05 Micron Technology, Inc. Deposition methods
KR20080028963A (ko) * 2005-07-08 2008-04-02 에비자 테크놀로지, 인크. 실리콘 함유 필름의 증착 방법
TWI267994B (en) * 2005-08-24 2006-12-01 Advanced Semiconductor Eng Package structure and manufacturing process thereof
US8993055B2 (en) * 2005-10-27 2015-03-31 Asm International N.V. Enhanced thin film deposition
US7863198B2 (en) * 2006-05-18 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Method and device to vary growth rate of thin films over semiconductor structures
JP4228008B2 (ja) 2006-08-23 2009-02-25 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US8234998B2 (en) 2006-09-08 2012-08-07 Massachusetts Institute Of Technology Automated layer by layer spray technology
US8348390B2 (en) * 2011-05-18 2013-01-08 Xerox Corporation Enhancing superoleophobicity and reducing adhesion through multi-scale roughness by ALD/CVD technique in inkjet application
US20130129922A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Batch processing for electromechanical systems and equipment for same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020108570A1 (en) * 2000-04-14 2002-08-15 Sven Lindfors Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US20060032442A1 (en) * 2004-07-15 2006-02-16 Kazuhide Hasebe Method and apparatus for forming silicon oxide film
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
JP2009246365A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd 原子層堆積(ald)法及び化学気相成長(cvd)法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積
US20100166955A1 (en) * 2008-11-01 2010-07-01 Cambridge Nanotech Inc. System and method for thin film deposition
US20120196050A1 (en) * 2009-07-30 2012-08-02 Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer Apparatus and method for atomic layer deposition

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
社団法人 化学工学協会, 化学工学辞典, vol. 改訂3版, JPN6018030966, 20 March 1986 (1986-03-20), JP, pages p.293−294 *

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