CN105392919B - 片材涂布方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种涂布多个片材的方法。迫使流体通过多个片材中的间隙。流体具有大体的活塞流剖面并且流体在自限性沉积工艺中将涂层沉积在多个片材的至少一个表面上。

Description

片材涂布方法
背景技术
薄玻璃膜可通过若干技术中的一种制造。最常见的方法是使用其中熔融玻璃流过两个表面、交汇成线并且被拉制成片材的熔合拉制塔，或使用其中将玻璃板加热并且拉制成片材的再拉制工艺。这些工艺中的任一个可产生具有100微米或更小的厚度的薄玻璃。
包括玻璃膜的膜的许多应用可能需要薄膜涂层。这些涂层通常使用基于真空的物理气相沉积(包括化学气相沉积、溅射和蒸发涂布)施加。真空工艺可通过间歇工艺(诸如其中片材均包含在真空室中)或空气-真空-空气工艺(其中供给和收卷辊在大气压下)实现。
虽然常用这些涂布方法，但是它们还是昂贵的。存在卷处理通常在经济上不可行的若干涂布方法。这些包括化学气相沉积(CVD)、低压CVD、以及原子层沉积(ALD)。这些工艺通常用于其中整个板可一次涂布的基于片材的工艺中。
除了上述的基于真空的气相沉积涂布方法，也可使用被称为层-层(LBL)自组装的基于环境、液体的涂布方法在膜和玻璃上提供涂层。LBL涂布是与ALD类似的自限性沉积工艺；然而，它是在环境温度和压力下，通常由水性溶液或分散体进行的。传统上，LBL涂布以间歇模式，使用自动浸渍或喷涂机在相对小区域的基底上进行。通过浸没涂布以连续的卷-到-卷方式进行的LBL涂布在美国专利申请2004/0157047(Mehrabi等人)中已有所描述，并且通过喷雾涂布进行的LBL涂布在美国专利8,234,998(Krogman等人)中已有所描述。然而，使用这些技术以一遍涂布多个层(例如，50至100层)要求涂布线有大的占有面积。
在本领域中需要一种以低成本和高吞吐量提供高性能涂层的涂布片材的方法。
发明内容
根据本公开的一种涂布片材的方法包括以下步骤：提供多个片材，在片材之间具有间隙；以及迫使流体通过间隙。流体具有大体的活塞流剖面并且流体在自限性沉积工艺中将涂层沉积在多个片材的至少一个表面上。
根据本公开的一种制品包括：板架；设置在板架中的多个带涂层的板，在带涂层的板之间具有间隙；以及邻近多个带涂层的板的输入边缘设置的歧管。歧管包括流体分配系统。
附图说明
附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，它们连同具体实施方式阐明本发明的优点和原理。在这些附图中，
图1是间歇式流动反应器的剖切透视图；
图2是间歇式流动反应器的剖切平面图；
图3是ALD反应器的剖切平面图；
图4是ALD反应器的剖切透视图；
图5是ALD反应器的剖视图，示出氮气质量分数等值线；
图6是ALD反应器的剖视图，示出压差等值线；
图7是反应器的剖切透视图；
图8是图7的反应器的剖视图，示出压力等值线；
图9是图7的反应器的剖视图，以扩大标度示出压力等值线；
图10是图7的反应器的一半的平面图，示出速度等值线；
图11是图7的反应器的剖视图，示出0.19秒的物理进展时间处的氮气质量分数等值线，其中扩大标度为0至0.1；
图12是图7的反应器的一半的平面图，示出0.87秒的物理进展时间处的氮气质量分数等值线，其中扩大标度为0至0.2；
图13是图7的反应器的剖视图，示出0.87秒的物理进展时间处的氮气质量分数等值线，其中标度为0至1；
图14是示出1/4波反射器设计的图；
图15A和15B是示出由图14的反应器产生的光谱的曲线图；
图16是示出使用亚光学层的皱褶反射器的模拟物的图；
图17A-17B是示出由图16的反射器产生的光谱、和边带抑制的曲线图。
图18是反射器的反射百分比对波长的设计目标的曲线图；
图19是具有玻璃板叠层的反应器的图片；
图20是图19的反应器的图片，其中反应器被拆卸，大部分玻璃板被移除；
图21是歧管和板叠层的一部分的示意性剖视图；
图22A是包括板叠层的容器的透视图；并且
图22B是图22A的容器的一部分的剖视图。
具体实施方式
足够薄以为柔性的玻璃可通过若干技术制造，诸如使用其中熔融玻璃流过两个表面、交汇成线并且被拉制成片材的熔合拉制塔，或使用其中将玻璃板加热并且拉制成片材的再拉制工艺。本说明书提供在低成本、高收率、对膜或片材低损伤、以及高吞吐量下使用高性能涂层涂布这种形式的玻璃的方法。高吞吐量是需要低容积反应器和有效使用反应物的工艺的结果。这些优点均是本说明书提供的大体的活塞流涂布工艺的结果。
活塞流的特征在于从第一流体组合物到第二流体组合物具有急剧转变。例如，一系列片材可填充有反应性流体，该片材用吹扫流体吹扫，在活塞流的情况下，反应性流体和吹扫流体之间将存在鲜明的分界。在不脱离本说明书的范围的情况下，随着界面移动通过叠层，可能存在扩散。如本文所用，“大体的活塞流剖面”是指其中第一流体和第二流体之间存在鲜明的或因扩散而加宽的分界的流动。
本公开的方法使用了自限性沉积工艺。可使用的合适的自限性工艺包括原子层沉积(ALD)和基于液体的涂布工艺(包括层-层(LBL)自组装工艺)。
可使用涂布方法将无机和有机涂层，包括聚合物材料，施加至片材，诸如玻璃片材。涂层可为保护性的、装饰性的、和/或具有光学或电气功能。示例性的涂层包括防反射器、二向色反射器、宽带反射镜、以及包括金属和透明导电氧化物(TCO)的导电涂层。片材可包含聚合物、玻璃、金属、陶瓷、或它们的组合。
图1示出具有多个板13的ALD反应器1。板13的输入边缘16的前面存在相对较大的入口体积9，并且板13不显著约束流动。反应器1具有气 体入口3，该气体入口3给料于由顶部部分5和底部部分7限定的腔室，其中入口体积9将气体分配到低流动阻力路径11并且通过板13的叠层。气体通过出口15从反应器排出。
使用Solidworks Flow模拟(Solidworks购自美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的达索系统公司(Dassault Systems,Waltham,MA,USA))来模拟图1所示的反应器内部的气体流动。将出口的压力固定为1托，并且将入口的气体流固定为0.000409m3/s的氮气。气体和反应器温度均设定为250℃，并且反应器初始填充有空气。板的厚度为0.2mm并且间隔有0.3mm的间隙。板为150×100mm，其中气体沿长轴流动。
图2示出了所得的速度矢量220和等值线230。等值线230指示恒定的氮气组成并且每个箭头的长度与速度成比例。图2中还示出顶部部分205、低流动阻力路径211和板架240。这示出了大部分流动绕过板的叠层。大面积的流动旁路或大的间隙或两者均可改善设计反应器的灵活性，并且可增加涂层的均匀性，但是可显著地增加循环时间和反应物消耗。在此设计中板两端压力的比率为约1.015:1。在一些实施例中，板的输入边缘上的流体压力与板的输出边缘上的流体压力的比率为至少1.01或1.05或1.1或1.2。
图3示出改进的反应器301，其中入口体积最小化并且旁路大幅减少。在这种情况下，在板313的叠层上存在高得多的速度320并且在到达板之前入口气体的混合减少，但是板上仍存在大范围的速度。速度的这种范围将导致更差的均匀性或更长的循环时间。压力等压线332在图3中指示出。等压线332a指示约1.2托的压力并且等压线332b指示约1.1托的压力。从入口到出口的压力的比率为1.41:1。反应器301包括顶部部分305和入口歧管335。
图4示出反应器401，其中气体有效地在板或片材的叠层的输入面上分配。通过将片材前面的用于气体流的空间445的宽度从0mm增加至3mm，分配得到改善。在这种情况下，输入端和输出端之间的压力比率为1.34:1。在一些实施例中，片材前面的用于气体流的空间具有在1mm至5mm范围内的宽度。速度矢量420和压力等压线432在图4中指示出。等压线432a指示约1.25托的压力并且等压线432b指示约1.15托的压力。
图5示出了在高压降反应器501的吹扫操作中氮气的质量分数。输入端为2×10- 7kg/s，其中开始流动0.68秒后，具有1托的出口压力，并且将入 口初始设定为约1托压力。反应器501包括多个片材513，片材513具有输入边缘516和输出边缘517以及在片材513之间的间隙519。等值线561指示约0.9的恒定氮气质量分数，而等值线563指示约0.2的氮气质量分数。等值线561左边的区域具有高的氮气质量分数，氮气的质量分数在过渡区域573中下降，并且氮气的质量分数在区域573右边的反应器部分中是低的。最终入口压力和压差在图6中示出。等压线661指示大约1.1托的压力，而等压线663指示大约1托的压力。从入口到出口的压力比率为1.129:1，并且板两端的压差为约1.06:1。
基底或片材优选地密集堆积以提供足够的压降。在一些实施例中，片材之间的间隙为约6mm或更小、或约3mm或更小或约2mm或更小。在一些实施例中，片材之间的间隙在约2mm至约6mm的范围内。片材之间的间隙可以是均一的或可以是渐缩的，或可使用其他布置方式。优选地，反应物主要通过间隙流动，并且间隙对流动提供有效阻力。反应器可被设计使得被迫使通过反应器的反应物流体的至少10％穿过片材之间的间隙。在一些实施例中，被迫使通过反应器的反应物流体的至少50％或至少80％穿过间隙。
图7示出修改的反应器701。重复先前实例的条件，仅移除入口和出口插入件，并且邻近板713的叠层增加扩散区域770。在图7中，在板夹持器740的右后方可见扩散区域770。板713的叠层包括输出边缘717。修改的反应器701还包括顶部部分705、入口703、出口715、以及板架740。图8示出反应器701的不同区域的压力。等压线861和863表示大约1托的压力，其中等压线861处于比等压线863更高的压力下。从入口到出口的总压降为2.6毫托。图9示出与图8相同的条件，但是其中压力范围扩大到在1至1.001托的范围内。输入区域966中的压力高于输出区域967中的压力。入口903处出现最大压力并且出口915处出现最小压力。板的叠层两端的压降为约0.25毫托。图10示出反应器701的1/2的速度剖面的顶视图，其中板架740在图中是可见的。通过反射对称得出反应器701的另一1/2的速度剖面。速度在区域1061和1062中为约0.2m/s的最大值，在区域1064和1065中下降至约0.15m/s，在区域1067中下降至约0.08m/s并且在板的叠层的区域1068中小于约0.05m/s。图11为反应器701的侧视图，示出氮气质量分数，其中标度扩大至0至0.1的范围。等值线1163指示约0.09的氮气 质量分数，而区域1167具有大约零的氮气质量分数。进展的物理时间为0.19秒。图12是反应器701的顶视图，示出0.87秒时的氮气质量分数，其中标度为0至0.2。氮气质量分数在区域1261中为约0.15并且在区域1266中为约0.08。图12示出反应器701的1/2的质量分数剖面的顶视图，其中板架740在图中是可见的。通过反射对称得出反应器的另一1/2的质量分数剖面。图13是反应器701的侧视图，示出0.87秒时的质量分数，其中标度为0至1。区域1366具有约0.5的氮气质量分数，而区域1367具有大约零的氮气质量分数。
ALD工艺的优点在于它使得由更复杂的结构制造光学薄层不再昂贵。这可用于产生更高性能的反射器和防反射器。例如，图14示出标准1/4波反射器设计，其中层为MgF2和二氧化钛。图14示出具有低折射率层1410和高折射率层1420的12个柱子，它们待堆叠在一起以形成具有总共24个层的低折射率和高折射率层的交替叠层，其中层1412为最外侧的层并且层1424与片材相邻。换句话讲，图14的标记指示低折射率层1412沉积在高折射率层1422上，该高折射率层1422沉积在低折射率层1414上，这种模式一直持续到高折射率层1424沉积在片材上。当使用更复杂的层结构时，图14的标记是便利的。低折射率层1410具有1.35的折射率并且高折射率层1420具有2.10的折射率。低折射率层和高折射率层中的每一个具有1/4λ(550nm)相位厚度。
图14的叠层产生图15A和15B中示出的光谱。图15A中的光谱包括空气界面反射，而图15B中的光谱使用嵌入具有1.725的折射率的介质中的层测定以消除表面反射。这未消除边带反射1540a和1540b。图15A示出在垂直入射角1510a处的反射率和在20度入射角1520a处的反射率。相似地，图15B示出在垂直入射角1510b处的反射率和在20度入射角1520b处的反射率。
图16示出更复杂的层结构，其中选择ALD层模拟皱褶反射器，其设计来减少边带反射。类似于图14的标记，图16的标记指示低折射率层1612沉积在高折射率层1622上，该高折射率层1622沉积在图16的第一柱中所示的下一层上，继续至低折射率层1623，该低折射率层1623沉积在第二柱的第一层(即低折射率层1614)上。这种模式一直持续到高折射率层1624沉积于片材上。低折射率层1610具有1.35的折射率并且高折射率层 1620具有2.10的折射率。低折射率层和高折射率层中的每一个具有1/160λ(550nm)相位厚度。图16所示的27个柱子的每一个中存在80个层。
图16的叠层产生图17A和17B中示出的光谱。图17A中的光谱包括空气界面反射，而图17B中的光谱使用嵌入具有1.725的折射率的介质中的层测定以消除表面反射。这显著减少导致小边带反射1740b的边带反射1740a。图17A示出在垂直入射角1710a处的反射率和在20度入射角1720a处的反射率。相似地，图17B示出在垂直入射角1710b处的反射率和在20度入射角1720b处的反射率。在实施过程中，可将防反射涂层施加至层结构，以便减少或消除空气界面反射。图17B指示防反射涂层在显著减少或基本消除边带反射中是有效的。
在本说明书的一些实施例中，将氟硅烷或有机金属材料或它们的组合沉积到基底例如蓝宝石片材上。本说明书的反应器允许足够长的沉积时间，而仍具有高吞吐量，从而允许施加此类涂层。在一些实施例中，将蓝宝石片材置于反应器中。例如，可使用硅烷蒸气将二氧化硅沉积到蓝宝石片材上，以改善由氟硅烷或有机金属材料产生的随后沉积的材料的粘附性。这可例如通过以下来完成：使包含气化硅烷的惰性载气通过反应器，然后使用惰性气体诸如氮气吹扫。然后可使包含气化氟硅烷或有机金属材料的载气通过反应器，以提供一侧或两侧涂布有有机金属或氟硅烷的蓝宝石片材。后续步骤可涉及使包含与先前涂布的氟硅烷或有机金属材料反应的材料的惰性载气通过反应器。
在一些实施例中，第一流体被迫使通过片材之间的第一组间隙，并且不同于第一流体的第二流体被迫使通过不同于第一组间隙的片材之间的第二组间隙。在一些实施例中，第一流体将第一涂层沉积在至少一个片材的第一主表面上并且第二流体将第二涂层沉积在至少一个片材的第二主表面上。这可使用歧管2180进行，如图21所示。歧管2180包括第一输入端2182，该第一输入端2182引导第一流体通过第一组通道2183至多个片材2113中的第一组间隙2119a。歧管2180还包括第二输入开口2184，该第二输入开口2184引导第二流体通过第二组通道2186至多个片材2113中的第二组间隙2119b。歧管2180包括由通道2183和2186提供的流体分配系统。第一流体将第一涂层沉积在多个片材2113中的至少一个片材的第一侧上。例如，在图21所示的构型中，片材2113a的上表面涂布有第一涂层并 且片材2113b的下表面涂布有第二涂层。第一涂层和第二涂层可具有基本上相同的成分。第二流体将第三涂层沉积在多个片材2113中的至少一个片材的第二侧上。例如，在图21所示的构型中，片材2113a的下表面涂布有第三涂层并且片材2113b的上表面涂布有第四涂层。第三涂层和第四涂层可具有基本上相同的成分，并且第三涂层和第四涂层可具有基本上不同于第一涂层和第二涂层的成分的成分。
在一些情况下，希望涂布多个薄且脆的片材或板。在一些实施例中，反应器被设计使得包含板的叠层的支撑结构可从反应器移除并且用作装运容器。这可允许在无需将板从支撑结构移除并且再次包装以用于装运的情况下装运带涂层的板的叠层。在接收人已移除带涂层的板后，可将支撑结构返回给发货人。在本说明书的一些方面，支撑结构可被提供，包括板架、设置在板架中的多个带涂层的板、以及包括流体分配系统的歧管。图22A示出适用于涂布、存储、以及装运片材或板的容器2230。容器2230包括侧支撑结构2232a和2232b。侧结构具有允许一系列基底板2242填充容器的切口2234。切口2234形成用于保持和约束板2242的板架。图22A示出大约一半装满板的容器2230。在正常使用中，容器2230将通常填充有板2242。图22B示出容器2230的一部分的细节图，其中切口2234约束板2042并且提供用于反应物流的空间2236。
实例
实例1
将图4所示的反应器安装到具有穹顶封盖(Dome Lid)的Savannah 200原子层沉积装置中。将大约20个15.9×11.4cm的0.2mm厚的光学级硼硅酸盐玻璃板装载到反应器中(玻璃板部件编号260454，加利福尼亚州雷丁的特德佩拉公司(Ted Pella Inc,Redding CA))。将由INUSA臭氧生成器提供的臭氧的浓度设定为17％。
基流/吹扫流为20sccm的N2。所使用的温度分布在以下表1中列出。TDMAT是四(二甲氨基)钛。
表1
所使用的TiO2循环在以下表2中指明。
表2
时间(秒)
TDMAT 0.25
吹扫 8
臭氧 0.015
吹扫 3
臭氧 0.015
吹扫 10
所使用的Al2O3循环在以下表3中指明。TMA是三甲基铝。
表3
时间(秒)
TMA 0.025
吹扫 6
水 0.025
吹扫 6
每个前体的循环次数在以下表4中指明。
表4
设计目标在图18中示出，该图18示出了给出当仅片材的前侧被涂布时，从片材的前面入射的光的反射百分比的曲线1810，并且示出了给出当片材的两侧均被涂布时的反射百分比的曲线1812。其中片材保持在适当位置的反应器的图片在图19中示出。图20是被拆卸的图19的反应器的图片，其中大部分玻璃板被移除。
反应器的输入侧(左)显示出氧化铝或二氧化钛或两者的CVD的迹象，这可能是由于不充分的吹扫造成的。存在接近设计目标的涂层的延伸段和接着的耗尽反应物的透明区域。
实例2：玻璃上多层光学涂层的层-层(LBL)沉积
可使用的涂料溶液包括：
1)聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)(带正电的聚合物，可作为20重量％的水溶液购自宾夕法尼亚州沃灵顿的PolySciences公司(PolySciences,Inc.,Warrington,PA))，具有240K的分子量，在水中0.1重量％，使用硝酸将pH调节到pH 3。
2)二氧化硅(SiO2)纳米粒子(可作为15重量％的水性悬浮液以商品名“Nalco2326”购自伊利诺伊州内珀维尔的纳尔科公司(Nalco Company,Naperville,IL))，具有5nm的平均直径，浓度为在水中0.1重量％，使用硝酸将pH调节到pH 3。SiO2为带负电的，pH 3。
3)锐钛矿二氧化钛(TiO2)纳米粒子(可作为15重量％水性悬浮液购自美国纳米材料研究公司(U.S.Research Nanomaterials))，具有5-15nm的平均直径，浓度为在水中0.1重量％，使用硝酸将pH调节 到pH 2，并且添加NaCl至0.1M的浓度。TiO2为带正电的，pH 2。
4)聚(4-苯乙烯磺酸钠)(PSS)(带负电的聚合物，可购自密苏里州圣路易斯的西格玛奥德里奇公司(Sigma-Aldrich,(St.Louis,MO))，具有70K的分子量，在水中0.1重量％，使用硝酸将pH调节到pH 2。
将硼硅酸盐玻璃板装载到反应器中，如实例1中所述。
一般来讲，上述涂料溶液以保持均一活塞流的速度交替地泵送通过反应器。需要中间冲洗步骤以去除多余的材料并且保留涂布工艺的自限性质。每个沉积步骤逆转基底上的离子电荷，从而允许相反电荷的物质(高分子电解质或金属氧化物纳米粒子)的后续沉积。
首先，将高折射率光学叠层沉积到反应器中的玻璃基底上。将TiO2纳米粒子悬浮液泵送通过反应器。大致上，单层TiO2纳米粒子沉积在玻璃的表面上，从而将表面电荷从负的逆转为正的。接着，将去离子水的吹扫溶液泵送通过以去除多余的TiO2。接着，将PSS溶液泵送通过反应器，其大致上吸收单层PSS聚合物并且将表面电荷从正的逆转为负的。接着，将去离子水的吹扫溶液泵送通过以去除多余的PSS。将此循环重复五次以沉积五个“双层”，标示为(TiO2/PSS)5。涂层将具有大约50nm的厚度和在633nm下大约1.84的折射率。
接着，将低折射率光学叠层沉积在高折射率叠层的顶部上。将PDADMAC溶液泵送通过反应器。大致上，单层PDAC聚合物沉积在玻璃的表面上，从而将表面电荷从负的逆转为正的。接着，将去离子水的吹扫溶液泵送通过以去除多余的PDADMAC。接着，将SiO2溶液泵送通过反应器，其大致上吸收单层SiO2纳米粒子并且将表面电荷从正的逆转为负的。接着，将去离子水的吹扫溶液泵送通过以去除多余的SiO2。将此循环重复三次以沉积三个“双层”，标示为(PDADMAC/SiO2)3。涂层将具有大约50nm的厚度和在633nm处大约1.33的折射率。
沉积上述高和低折射率叠层的多个成对层将产生峰值反射中心在紫外线范围内的多层光学涂层。
结构化片材可包括简单或复杂曲面至复杂的三维形状。3D形状或曲面可彼此嵌套。例如，片材可具有一系列半球状中空穹顶，并且具有这些穹 顶的片材可嵌套在一起以产生一系列紧凑的片材，从而允许主要地活塞流涂布。
虽然本文已经示出和描述了一些具体实施例，但本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明范围的前提下，可以用多种替代具体实施来代替所示出和描述的具体实施例。本申请旨在涵盖本文讨论的具体实施例的任何调整或变型。

Claims (19)

1.一种涂布片材的方法，包括以下步骤：
提供多个片材，在所述片材之间具有间隙，所述片材具有输入边缘和输出边缘；以及
迫使流体通过所述间隙，
其中通过所述间隙的流体流具有大体的活塞流剖面，并且所述流体在自限性沉积工艺中将涂层沉积在所述多个片材的至少一个表面上，
其中所述输入边缘上所述流体的输入压力与所述输出边缘上所述流体的输出压力的比率为至少1.01。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述流体为气体。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述流体为液体或液体和气体的组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述比率为至少1.05。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述比率为至少1.1。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述自限性沉积工艺包括原子层沉积。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述自限性沉积工艺包括层-层自组装。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隙在2mm至6mm的范围内。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述多个片材放置在反应器中并迫使流体通过所述反应器的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述反应器提供位于所述片材前面的用于气体流的空间，并且所述空间具有在1mm至5mm的范围内的宽度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述流体将涂层沉积在每个片材的第一表面上和每个片材的第二表面上。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述片材为玻璃片材。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述片材包括蓝宝石。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层包含有机金属材料或氟硅烷或它们的组合。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层包含无机和有机材料。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层还包含氟硅烷。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述迫使流体通过所述间隙的步骤包括迫使第一流体通过第一组间隙和迫使不同于所述第一流体的第二流体通过不同于所述第一组间隙的第二组间隙。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一流体将第一涂层沉积在至少一个片材的第一主表面上，并且所述第二流体将第二涂层沉积在所述至少一个片材的第二主表面上。
19.一种制品，包括：
板架；
设置在所述板架中的多个带涂层的板，在所述带涂层的板之间具有间隙，所述多个带涂层的板具有输入边缘；和
邻近所述输入边缘设置的歧管，所述歧管包括流体分配系统，
其中位于所述带涂层的板之间的所述间隙包括第一组间隙和不同于所述第一组间隙的第二组间隙，并且其中所述流体分配系统包括用于将流体分配到所述第一组间隙的第一组通道和用于将流体分配到所述第二组间隙的不同于所述第一组通道的第二组通道。
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