JP2016519897A5

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Publication number: JP2016519897A5
Application number: JP2016506835A
Authority: JP
Filing date: 2014-03-21
Publication date: 2017-04-27
Anticipated expiration: 2034-03-21

Claims

表面弾性波デバイス（２０、３０）の製造方法であって、
（ａ）圧電構造（２００、３００）を設ける工程と、
（ｂ）誘電体構造（２６０、３６０）を設ける工程と、
を含み、工程（ｂ）が、前記誘電体構造を金属被覆する（Ｓ２２、Ｓ３２）工程（ｂ１）
を含み、
（ｃ）前記金属被覆された誘電体構造（２３１、３３１）を前記圧電構造に結合する（Ｓ２４、Ｓ３４）工程をさらに含むことを特徴とする方法。
前記工程（ｂ１）は、インターディジタル電極構造（６１１）を形成するように行われる請求項１に記載の方法。
前記インターディジタル電極構造（６１１）は、１００ｎｍ未満の間隔を有し、また前記誘電体構造（２６０）は、１００Ｖより高い降伏電圧を可能にするのに適した比誘電率を示す請求項２に記載の方法。
前記工程（ｂ１）（Ｓ２２）は金属の析出により行われ、前記工程（ｂ）は、前記金属
の析出の前に、形成温度で誘電体層（２２０）を形成する工程を含み、前記形成温度は、
前記誘電体層（２２０）または前記圧電構造（２００）のうちのいずれかに析出された金属の拡散温度より大きく、特に、前記形成温度が、３５０℃よりも大きく、好ましくは、８５０℃よりも大きく、より好ましくは、１２００℃よりも大きい請求項１乃至３のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記析出される金属は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗの群の中から選択される請求項４に記載の方法。
前記誘電体構造（２６０）は、Ｓ１Ｏ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＤＬ
Ｃ、またはアルミナの材料群の中から選択された物質から作られる誘電体層（２２０）を含む請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記誘電体構造（２６０）は、誘電体層（２２０）を含み、該誘電体層は、８００℃より高い、優先的には、１０５０℃より高い温度で形成された熱成長シリコン酸化物である請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記誘電体構造（２６０）は、高誘電率の誘電体材料から、優先的には、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウムから作られる誘電体層（２２０）を含む請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記工程（ｂ１）（Ｓ２２）は、
前記誘電体構造（２６０、５６０１）の表面にキャビティを局所的にエッチングする（Ｓ２１）工程と、
前記キャビティに金属を析出させる工程とを含む請求項１乃至８のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記工程（ｂ１）（Ｓ３２）は、前記キャビティに前記金属の析出を行う前に、かつ前記誘電体構造（３６０）の表面にキャビティを局所的にエッチングした（Ｓ３１）後に、不動態化層を形成する工程（Ｓ３９）をさらに含む請求項９に記載の方法。
前記工程（ｂ１）は、前記キャビティの中に析出された前記金属と、前記誘電体構造の非エッチング部分との間で同一高さの表面をもたらす工程（ｂ２）（Ｓ４３１、Ｓ４３２）をさらに含み、前記工程（ｂ２）は、好ましくは、前記誘電体構造、または前記析出された金属のうちのいずれかの突出部分を研磨する、および／または、エッチングすることにより行われる請求項９または１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記工程（ｂ１）は、前記析出された金属の突出部分、または前記誘電体構造の突出部分のうちのいずれかに、同一高さになるように水平化層（４５１１、４５１２、４５１３）をもたらす工程（Ｓ４５１、Ｓ４５２、Ｓ４５３）をさらに含むことを請求項９または１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
前記誘電体構造（５６０１、５６０２）は、
ドナー基板（５５０１、５５０２）と、
前記ドナー基板上に形成された誘電体層（５２０１、５２０２）と、
を含み、
前記方法が、工程（ｂ１）を実施した後、前記誘電体層を前記圧電構造上に転写する工程（ｃ１）をさらに含む請求項１乃至１２のうちのいずれか一項に記載の方法。
工程（ｂ）は、工程（ｃ）の前に、前記ドナー基板（５５０１、５５０２）、または前
記誘電体層（５２０２）のうちのいずれかに脆弱なゾーンを形成する工程（Ｓ５６、Ｓ５６１、Ｓ５６２、Ｓ５６３）を含み、
前記工程（ｃ１）が、工程（ｃ）の後に、前記脆弱なゾーンにおいて前記誘電体層を前記ドナー基板から分離する工程を含む請求項１３に記載の方法。
前記工程（ｃ１）は、工程（ｃ）の後に、前記ドナー基板を研磨する、および／またはエッチングすることを含む請求項１３または１４に記載の方法。
工程（ｃ）の後に、前記金属被覆された誘電体構造の少なくとも一部を開放しておく工程（Ｓ６１）をさらに含む請求項１乃至１５のうちのいずれか一項に記載の方法。
圧電構造（２００、３００、６００）と、前記圧電構造上に金属被覆部分（２１０、３１０、６１０）を有する誘電体層（２２０、３２０）とを含む表面弾性波デバイス（２０、３０、６０）において、
前記誘電体層が、前記誘電体層または前記圧電構造のうちのいずれかに対する前記金属の拡散温度より高い形成温度を有することを特徴とする表面弾性波デバイス（２０、３０、６０）。
前記誘電体層（２２０、３００）は、５０Ｖより高い、優先的には、１００Ｖより高い降伏電圧を可能にするのに適した比誘電率を示す請求項１７に記載の表面弾性波デバイス。