JP2016501830A

JP2016501830A - エレクトロルミネッセント素子での使用のためのＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌを含有する芳香族アザビシクロ錯体化合物

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Publication number: JP2016501830A
Application number: JP2015536006A
Authority: JP
Inventors: ベーゼマン、ラルス; クライ、マティアス; マイヤー、ヘルマン・オーグスト
Original assignee: メルクパテントゲーエムベーハー
Priority date: 2012-10-13
Filing date: 2013-09-13
Publication date: 2016-01-21
Also published as: CN104736544A; EP2906567A1; US20150280147A1; WO2014067598A8; WO2014067598A1; DE102012020167A1; KR20150067367A

Abstract

本発明は、金属錯体、および前記金属錯体を含む電子素子、特に、ＯＬＥＤ等の有機エレクトロルミネッセント素子に関する。次の式（１）の化合物がクレームされる：Ｍ（Ｌ）n（Ｌ’）m、一般式（１）の化合物は、式（２）の副構造Ｍ（Ｌ）nを含有し、Ｌが一価アニオン性配位子である。式（２）。可変部分は以下のとおり定義される：Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｚｎ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎであり、ＡはＭと共存配位する共存配位基であり、１種以上の置換基Ｒにより置換されることができ、その他の可変部分は請求項のとおり定義される。【化１】

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセント素子においてエミッタとして使用するのに適した金属錯体とこれら金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセント素子に関する。

有機半導体が機能的材料として用いられる有機エレクトロルミネッセント素子（ＯＬＥＤ）の構造は、たとえば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１およびＷＯ９８／２７１３６に記載されている。ここで用いられる発光材料は、蛍光ではなく燐光を呈するか（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）、または一重項捕獲（熱活性化遅延蛍光）を呈する（たとえば、、ＷＯ２０１０／００６６８１）有機金属錯体であることが多い。量子力学的な理由により、このタイプの化合物をエミッタとして使用して、エネルギーおよび電力効率を最大４倍増大することが可能である。一般に、ＯＬＥＤでは、特に効率、駆動電圧および寿命に関して依然として改善が求められている。このことは、特に相対的に短い波長領域において、すなわち緑色および特に青色を発光するＯＬＥＤにあてはまる。

従来技術によれば、燐光ＯＬＥＤにおけるエミッタとして、特にイリジウムおよび白金錯体が用いられている。しかしながら、特に、青色発光に対して、これらの錯体の改善が依然として求められている。さらに、イリジウムおよび白金錯体は稀少金属であり、このことは、資源保存用に、より広範な金属系の金属錯体を用いることが可能なこと、およびＩｒとＰｔの使用を回避することができること、それでも高い効率を達成することができることが望ましい。

ＷＯ２００６／０６１１８２は、金属と共に六員環キレートを形成するオルトメタライズ化配位子を含有するイリジウムおよび白金錯体を開示している。銅、銀、金、ルテニウムまたは主属元素は開示されていない。

Ｘは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＣＲまたはＮであり、
Ｙは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＣＲもしくはＮであり、または、正確に一個の基Ｙは、−ＣＲ＝ＣＲ−もしくは−ＣＲ＝Ｎ−であって、その結果、ヘテロ芳香族六員環系を形成し、
Ｚは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｎ、ＯまたはＳであり、ただし、基Ｙが−ＣＲ＝ＣＲ−もしくは−ＣＲ＝Ｎ−であるならば、Ｚは、Ｎであり、
Ａは、Ｍに配位し、１つ以上の置換基Ｒにより置換されてよい配位基であり、
Ｒは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ¹）₂、Ｐ（Ｒ¹）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＯＨ、ＣＯＯＨ、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ¹）₂、Ｓｉ（Ｒ¹）₃、Ｂ（ＯＲ¹）₂、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹）₂、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｓ（＝Ｏ）₂Ｒ¹、ＯＳＯ₂Ｒ¹、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜２０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分枝あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ₂基は、Ｒ¹Ｃ＝ＣＲ¹、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ¹）₂、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ¹、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ¹により置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮにより置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）であり；ここで２つの隣接するラジカルＲは、互いに単環式もしくは多環式の脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ¹は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ²）₂、Ｐ（Ｒ²）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、Ｓｉ（Ｒ²）₃、Ｂ（ＯＲ²）₂、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ²、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ²）₂、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ²、Ｓ（＝Ｏ）₂Ｒ²、ＯＳＯ₂Ｒ²、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜２０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分枝あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ₂基は、Ｒ²Ｃ＝ＣＲ²、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ²）₂、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ²、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ²により置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮにより置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）であり；ここで２つ以上の隣接するラジカルＲ²は、互いに単環式もしくは多環式の脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ²は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／もしくはヘテロ芳香族炭化水素ラジカル（さらにこれらにおいて、１つ以上のＨ原子は、Ｆにより置きかえられていてもよい）であり；ここで２つ以上の置換基Ｒ²は、互いに単環式もしくは多環式の脂肪族環系を形成していてもよく；
Ｌ’は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、任意の所望の共存配位子であるか、またはＬ’がＶを介してＬに結合する場合は配位基であり；
ｎは、１、２または３であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
ここで、配位子Ｌ上の１つまたは２つの置換基ＲまたはＲ¹は、金属Ｍに追加的に結合してよく、したがって三座または四座配位子を形成し、
さらに、配位子Ｌは、１つまたは２つの架橋単位Ｖを介して配位子Ｌ’に連結していてもよく、したがって直線状三座または四座配位子を形成する。

上記のとおり、Ｌは、一価アニオン性配位子である。しかしながら、本発明にしたがうと、これは、式（２）に描かれた配位子の構造に関連するだけであり、すなわち、配位単位Ａまたは配位原子Ｚの何れかは、負に帯電している。置換基Ｒおよび/もしくはＲ¹がＭに追加的に配位するならば、これらは負に帯電してもよく、その結果全体としてたとえば、多価アニオン性配位子を生じる。Ｌ’が基Ｖを介してＬに結合する配位基であるならば、同じことが当てはまる。これは、負に帯電してもよく、その結果全体として多価アニオン性配位子を生じる。

ここで、添え字ｎおよびｍは、金属Ｍ上の配位数全体が、この金属に通常の配位数に相当するように選ばれる。本発明の金属に対して、これは通常、２，３、４または６の配位数である。金属配位化合物は、金属および金属の酸化状態に応じて、異なる配位数を有し、すなわち異なる数の配位子を結合することが一般に知られている。様々な酸化状態における金属または金属イオンの好ましい配位数は、有機金属化学または配位化学分野の当業者の一般的な専門知識に属するので、金属およびその酸化状態に応じて、ならびに配位子Ｌの正確な構造に応じて、適切な数の配位子を使用し、したがって添え字ｎおよびｍを適切に選択することは、当業者には容易である。

式（２）の構造中の円は、通常どおり有機化学における芳香族またはヘテロ芳香族系を示す。単純化のために二個の円が描かれているが、これは単純なヘテロ芳香族系であることを意味する。

アリール基は、本発明の意味では、６〜４０個のＣ原子を含有し、ヘテロアリール基は、本発明の意味では、２〜４０個のＣ原子と少なくとも１つのヘテロ原子を含有し、ただしＣ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選ばれる。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、簡単な芳香族環、すなわちベンゼン、または簡単なヘテロ芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基、たとえば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等のいずれかの意味で使用される。

芳香族環系は、本発明の意味では、環系中に６〜６０個のＣ原子を含有する。ヘテロ芳香族環系は、本発明の意味では、環系中に１〜６０個のＣ原子と少なくとも１つのヘテロ原子を含有し、ただしＣ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選ばれる。芳香族またはヘテロ芳香族環系は、本発明の意味では、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含有するとは限らない系であって、それに代え加えて、その系の複数のアリールまたはヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくは１０％未満の、Ｈ以外の原子）、たとえば、Ｃ、ＮもしくはＯ原子またはカルボニル基などによってさらに中断されていてもよい系の意味で使用されることを意図する。したがって、たとえば、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系は、２つ以上のアリール基が、たとえば、直鎖状もしくは環式のアルキル基によってまたはシリル基によって中断されている系と同様に、本発明の意味ではやはり芳香族環系であると解釈されることを意図する。さらに、２つ以上のアリールまたはヘテロアリール基が互いに直接結合している系、たとえば、ビフェニルまたはテルフェニルなども同様に、芳香族またはヘテロ芳香族環系であると解釈されることを意図する。

環式アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基は、本発明の意味では、単環式、二環式または多環式基の意味で使用される。

本発明の目的では、さらに個々のＨ原子またはＣＨ₂基が、前述の基により置換されていてもよいＣ₁−〜Ｃ₄₀−アルキル基は、たとえば、ラジカルであるメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、１−メチルシクロペンチル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチルの意味で使用される。アルケニル基は、たとえば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルの意味で使用される。アルキニル基は、たとえば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルの意味で使用される。Ｃ₁〜Ｃ₄₀−アルコキシ基は、たとえば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシまたは２−メチルブトキシの意味で使用される。

各場合において、前述のラジカルＲにより置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に連結していてもよい、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系は、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−モノベンゾインデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから得られる基の意味で使用される。

非荷電である、すなわち電気的に中性であることを特徴とする式（１）の化合物が好ましい。このことは、錯化金属原子Ｍの電荷を相殺するように配位子ＬおよびＬ’の電荷を選ぶことによって、簡単な方式で達成される。前述のとおり、配位子Ｌは、本発明にしたがうと一価アニオン性である。

好ましい一態様では、Ｍは、Ｃｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ａｕ（Ｉ）、Ｒｕ（ＩＩ）、Ｚｎ（ＩＩ）、Ａｌ（ＩＩＩ）、Ｇａ（ＩＩＩ）およびＩｎ（ＩＩＩ）、特に、好ましくは、Ｃｕ（Ｉ）またはＺｎ（ＩＩ）、非常に特に、好ましくは、Ｃｕ（Ｉ）より成る群から選ばれる。ここで、Ｃｕ（Ｉ）の配位数は、通常２または４、Ａｇ（Ｉ）の配位数は、通常２、３または４、Ａｕ（Ｉ）の配位数は、通常２、Ｒｕ（ＩＩ）の配位数は、通常６、Ｚｎ（ＩＩ）の配位数は、通常４または６、Ａｌ（ＩＩＩ）、Ｇａ（ＩＩＩ）およびＩｎ（ＩＩＩ）の配位数は、通常６である。

本発明の一態様では、Ｍは、三配位金属であり、添え字ｎ＝１である。この場合、ｍ＝１は、さらなる一座配位配位子Ｌ’も、Ｍに配位している。

本発明のさらなる態様では、Ｍは、四配位金属であり、添え字ｎは１または２である。添え字ｎ＝１である場合、１つの二座または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’も、金属Ｍに配位している。添え字ｎ＝２である場合、添え字ｍ＝０である。

本発明のさらに好ましい一態様では、Ｍは、六配位金属であり、添え字ｎは、１、２または３を表す。添え字ｎ＝１である場合、２つの二座または４つの単座、または１つの二座および２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは、２つの二座配位子Ｌ’も、金属Ｍに配位している。添え字ｎ＝２である場合、１つの二座または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’も、金属Ｍに配位している。添え字ｎ＝３である場合、添え字ｍ＝０である。

Ｌ’が独立した配位子ではなく、基Ｖを介してＬに結合する配位基であるならば、対応する状況が当てはまる。

本発明の好ましい一態様では、最大１つの基Ｘは、Ｎであり、その他の基ＸはＣＲである。特に、好ましくは、全ての基ＸはＣＲである。

本発明のさらに好ましい一態様では、最大１つの基Ｙは、Ｎである。特に、好ましくは、両方の基Ｙの何れかがＣＲであるか、または１つの基Ｙは、ＣＲであり、その他の基Ｙは、−ＣＲ＝ＣＲ−である。

特に、好ましくは、合計で、最大１つの基ＸまたはＹは、Ｎであるか、全ての基Ｘと１つの基ＹはＣＲであり、その他の基Ｙは、同時に−ＣＲ＝Ｎ−である。非常に、特に、好ましくは、全ての基Ｘと１つの基ＹはＣＲであり、その他の基Ｙは、同時にＣＲまたは−−ＣＲ＝ＣＲ−である。

したがって、前記式（２）の好ましい部分は、次の式（３）〜（６）の部分であり、

式中、使用される記号と添え字は、上記意味を有する。

ここで、式（３）の配位子は、負に帯電した窒素原子を介して配位し、式（４）、（５）および（６）においては、中性の酸素または硫黄または窒素原子を介して配位する。対応して、式（３）の部分は、Ｍに配位する中性基であり、式（４）、（５）および（６）の部分中のＡは、Ｍに配位する負に帯電した基である。

Ｒが互いに環を形成するならば、構造は、以下の式（３ａ）、（４ａ）、（５ａ）、（６ａ）と（６ｂ）での例により示されるとおりに生じてよく、

式中、使用される記号と添え字は、上記意味を有する。

式（３ａ）〜（６ｂ）の前述の構造は、例により環形成を表しただけである。隣接するラジカルＲの他の環形成は、たとえば、脂肪族環形成と共に、全く同様に可能である。

Ａは、好ましくは、５〜１４個の芳香族環原子を有するヘテロアリール基であり、これらは、ヘテロ原子を介してＭに配位し、１つ以上のラジカルＲにより置換されていてもよい、ヘテロアリール基は、特に、好ましくは、５〜１０個の芳香族環原子、非常に、特に、好ましくは、５〜６個の芳香族環原子を有し、各場合に、１つ以上のラジカルＲにより置換されていてもよい。

Ｍに配位する好ましい基Ａは、次の式（７）〜式（４１）の構造から選ばれ、各場合に＃によって示される位置は配位子Ｌの残部への結合を示し、基がＭに配位する位置は＊により示され、

式中、ＸとＲは、前述と同じ意味を有し、さらに、
Ｄは、Ｏ^-、Ｓ^-、ＮＲ^-、ＰＲ^-、ＮＲ₂、ＰＲ₂、ＣＯＯ^-、ＳＯ₃ ^-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ、−ＣＲ（＝ＮＲ）または−Ｎ（＝ＣＲ₂）である。

好ましくは、各基中の最大３個の記号Ｘは、Ｎであり、特に、好ましくは、各基中の最大２個の記号Ｘは、Ｎであり、非常に、特に、好ましくは、各基中の最大１個の記号Ｘは、Ｎである。特別に好ましくは、全ての記号ＸはＣＲである。

さらに好ましい配位基Ａは、カルベン、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ホスフィンスルフィド、アミンまたはイミンである。

適切なカルベン配位子の総説は、文献（F. E. Hahn, M. C. Jahnke, Angew. Chem. 2008, 120, 3166-3216）により明らかにされている。特に、適切なカルベンは、次の式（４２）〜（４４）の構造であり、

式中、使用される記号は、上記と同じ意味を有する。

適切なホスフィン、ホスフィンオキシドおよびホスフィンスルフィドは、次の式（４５）〜（５５）の構造であり、

式中、使用される記号は、上記と同じ意味を有し、Ｑは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、１〜８個のＣ原子を有する直鎖アルキレン基、２〜８個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基または３〜８個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキレン基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ₂基は、Ｒ¹Ｃ＝ＣＲ¹、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ¹）₂、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ¹、Ｏ、Ｓ、ＢＲ¹またはＣＯＮＲ¹により置きかえられていてもよく）、または５〜２０個の芳香族環原子を有する二価の芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜２０個の芳香族環原子を有する二価のアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜２０個の芳香族環原子を有する二価のアラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）または上記基の２つの組み合わせから選ばれる二価の基である。

好ましい基Ｑは、オルト結合アリーレンもしくはヘテロアリーレン基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）であり、たとえば、１，２−フェニレン、１，２−ピロール等であり、２，２’−結合ビアリールもしくはビヘテロアリール基、たとえば、２，２’−ビフェニル、縮合アリーレンもしくはヘテロアリーレン基、たとえば、１，７−インドールまたは１〜３個のＣ原子を有するアルキレン基（ここで、ＣＨ₂基は、Ｒ¹Ｃ＝ＣＲ¹、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ¹、ＯまたはＳにより置きかえられていてもよい）である。これらの基は、それぞれ、互いに１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい。

適切な、アミンおよびイミンは、次の式（５６）および（５７）の構造であり、

式中、使用される記号は、上記と同じ意味を有する。

前述のとおり、配位子Ｌは、全体として負に帯電している。したがって、Ｄが中性基である場合は、式（３）の構造中の配位基Ａが、前述の式（７）、（８）、（１０）〜（１８）、（２１）〜（４０）〜（４９）、（５３）、（５４）、（５６）または（５７）の基であれば、好ましい。Ｄがアニオン性基である場合は、式（４）、（５）および（６）の前述の構造中の配位基Ａが、前述の式（９）、（１９）、（２０）、（４１）、（５０）〜（５２）または（５５）の基であれば、さらに、好ましい。

本発明の好ましい一態様では、置換基Ｒは、好ましくは出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ¹）₂、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ¹）₃、Ｂ（ＯＲ¹）₂、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ¹、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または２〜１０個のＣ原子を有するアルケニル基、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上のＨ原子は、ＤまたはＦにより置きかえられていてもよい）、または５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）よりなる群から選択され；ここで２つの隣接するラジカルＲは、互いに単環式あるいは多環式の脂肪族環系を形成していてもよい。これらのラジカルＲは、特に好ましくは出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ¹）₂、１〜６個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル基（ここで、１つ以上のＨ原子は、ＤまたはＦにより置きかえられていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）よりなる群から選択され；ここで２つの隣接するラジカルＲは、互いに単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよい。

さらに、１または２つの置換基ＲまたはＲ¹が、金属Ｍに同様に配位または結合する基を表すことが可能である。好ましい配位基Ｒは、アリールもしくはヘテロアリール基、たとえば、フェニルもしくはピリジル、アリールもしくはアルキルシアニド、アリールもしくはアルキルイソシアニド、アミンもしくはアミド、アルコールもしくはアルコラート、チオアルコールもしくはチオアルコラート、ホスフィン、ホスファイト、カルボニル官能基、カルボキシラート、カルバミド、またはアリール−もしくはアルキルアセチリドである。

ここで、次式（５８）〜（６１）の部分ＭＬが、たとえば、入手可能である。

式中、記号および添え字は、前述と同じ意味を有する。

式（５８）〜（６１）は、単なる例として、置換基Ｒが金属にさらに配位することができる方法を示している。金属に配位する他の基Ｒは、たとえば、他のヘテロアリール基のみならず、ホスフィン、アミン等も、さらなる発明性を発揮することなく、完全に同様に入手可能でもある。配位基Ｒも同様に基Ａに結合してよい。

前述のとおり、配位子Ｌをさらなる配位子ＬまたはＬ’に連結する架橋単位Ｖが、配位子が全体として三座または四座性を有するように、ラジカルＲの１つの代わりに存在していてもよい。このタイプの２つの架橋単位Ｖが存在していてもよい。これは、大環状の配位子の形成をもたらす。これらの場合、Ｌ’は、別の配位子ではなく、配位性基であり、ここで、適切な配位基は、前述の式（７）〜（５７）の基である。

多座配位子を含有する好ましい構造は、次式（６２）〜（６７）の金属錯体であり、

式中、使用された記号および添え字が、上記意味を有し、Ｖが、単結合、または３族、４族、５族および／もしくは６族の典型元素（ＩＵＰＡＣによる１３族、１４族、１５族または１６族）に由来する１〜８０個の原子を含有する架橋単位、または３〜６員の単素環もしくは複素環を表し、前記部分配位子Ｌが、互いに共有結合によって結合しており、またはＬが、共有結合によってＬ’に結合している。ここで、架橋単位Ｖは、非対称構造を有していてもよく、すなわちＶとＬおよびＬ’の連結は、同一である必要はない。架橋単位Ｖは、中性であるか、帯電している。Ｖは、好ましくは中性である。Ｖの電荷は、好ましくは、全体的に中性の錯体が形成されるように選ばれる。配位子には、部分ＭＬ_nについて前述の好ましいものが適用され、ｎは、好ましくは、２である。

基Ｖの仕事は、本質的に２つのＬを互いに架橋させるか、またはＬをＬ’に架橋させることによって、錯体の化学的安定性および熱安定性を増大することなので、基Ｖの正確な構造および化学組成は、錯体の電気特性に対して著しく高い効果を及ぼさない。

適切なＶは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＢＲ¹、Ｂ（Ｒ¹）₂ ^-、Ｃ（Ｒ¹）₂、（Ｃ＝Ｏ）、Ｓｉ（Ｒ¹）₂、ＮＲ¹、ＰＲ¹、Ｐ（Ｒ¹）₂ ⁺、（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ²）、Ｏ、Ｓまたは式（６８）〜（７７）の単位より成る群から選ばれ、

式中、破線の結合は、各場合において、部分配位子ＬまたはＬ’との結合を示しており、Ｗは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｃ（Ｒ¹）₂、ＢＲ¹、Ｓｉ（Ｒ¹）₂、ＮＲ¹、ＰＲ¹、（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ¹）、Ｏ、Ｓ、１，２−ビニレンより成る群から選ばれ、各場合に、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよく、Ｙ¹は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｃ（Ｒ²）₂、Ｎ（Ｒ²）、ＯまたはＳであり、使用されるその他の記号はそれぞれ前述の意味を有する。

好ましい配位子Ｌ’は、別の配位子であって、Ｖを介してＬに結合する配位基ではない場合、式（１）に生じるとおり、以下に説明される。

配位子Ｌ’は、好ましくは中性または一価アニオン性配位子、特に好ましくは中性配位子である。配位子Ｌ’は、単座または二座であり得るが、好ましくは二座であり、すなわち、好ましくは２つの配位部位を有する。前述のとおり、配位子Ｌ’は、架橋基Ｖを介してＬに結合することもできる。

好ましい中性の単座配位子Ｌ’は、一酸化炭素、一酸化窒素、アルキルシアニド、たとえば、アセトニトリルなど、アリールシアニド、たとえば、ベンゾニトリルなど、アルキルイソシアニド、たとえば、メチルイソニトリルなど、アリールイソシアニド、たとえば、ベンゾイソニトリルなど、アミン、たとえば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリンなど、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンまたはアルキルアリールホスフィン、たとえば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルホスフィンなど、ホスファイト、たとえば、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイトなど、アルシン、たとえば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシンなど、スチビン、たとえば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビンなど、窒素含有複素環、たとえば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、カルベンなど、特にＡｒｄｕｅｎｇｏカルベン、エーテル、チオエーテルおよびＯ−もしくはＳ−含有複素環、たとえば、フラン、ベンゾフラン、チオフェンもしくはベンゾチオフェンからなる群から選ばれる。

好ましい一価アニオン性の単座配位子Ｌ’は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-およびＩ^-、アルキルアセチリド、たとえば、メチル−Ｃ≡Ｃ^-、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ^-など、アリールアセチリド、たとえば、フェニル−Ｃ≡Ｃ^-など、シアニド、シアナート、イソシアナート、チオシアナート、イソチオシアナート、脂肪族または芳香族アルコラート、たとえば、メタノラート、エタノラート、プロパノラート、イソプロパノラート、ｔｅｒｔ−ブチラート、フェノラートなど、脂肪族または芳香族チオアルコラート、たとえば、メタンチオラート、エタンチオラート、プロパンチオラート、イソプロパンチオラート、ｔｅｒｔ−チオブチラート、チオフェノラートなど、アミド、たとえば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリドなど、カルボキシラート、たとえば、アセタート、トリフルオロアセタート、プロピオナート、ベンゾアートなど、アリール基、たとえば、フェニル、ナフチルなど、ならびにアニオン性の窒素含有複素環、たとえば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドから選ばれる。これらの基におけるアルキル基は、好ましくはＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、特に好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₀−アルキル基、特に非常に好ましくはＣ₁〜Ｃ₄−アルキル基である。アリール基はまた、ヘテロアリール基の意味で使用される。これらの基は、先に定義のとおりである。

好ましい中性の、または一価アニオン性の二座または多座配位子Ｌ’は、ジアミン、たとえば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジアミノシクロヘキサン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサンなど、イミン、たとえば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（イソプロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジンなど、ジイミン、たとえば、１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソプロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタンなど、２つの窒素原子を含有する複素環、たとえば、２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリンなど、ジホスフィン、たとえば、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパンなど、１，３−ジケトン、たとえば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタンなどから得られる１，３−ジケトナート、３−ケトエステル、たとえば、エチルアセトアセタートなどから得られる３−ケトナート、アミノカルボン酸、たとえば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸などから得られるカルボキシラート、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニン、サリチルイミン、たとえば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミンなどから得られるサリチルイミナート、ジアルコール、たとえば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコールなどから得られるジアルコラート、およびジチオール、たとえば、１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオールなどから得られるジチオラートから選ばれる。

配位子Ｌ’は、特に、好ましくは、中性二座配位子、特に、ジホスフィンである。

先に示されている好ましい態様は、所望に応じて互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい一態様では、先に示されている好ましい態様も同時に適用される。

本発明の金属錯体の例は、次表に示される構造である。

本発明の金属錯体は、原理的に種々のプロセスで調製することができる。しかしながら、以下のプロセスが、特に適していることが判明した。

したがって、本発明はさらに、随意に脱プロトン化形態の遊離配位子Ｌおよび随意にさらなる配位子Ｌ’と、適切な金属塩または金属錯体との反応による、式（１）の化合物を調製する方法に関する。配位子の脱プロトン化反応は、その場で、たとえば、塩基性アニオンを有する金属塩を用いて実施することができるか、または対応するアニオンが、脱プロトン化による金属との反応の前に配位子からすでに調製されるかの何れかである。

配位子の脱プロトン化がその場で実施されるならば、その脱プロトン化後に、好ましくは、より求核性の少ない特性を有する塩基性配位子を有する金属錯体の使用がなされる。適切な銅出発材料は、たとえば、メシチル銅、種々の銅アミド、銅ホスフィド、銅アルコキシド、酢酸銅、Ｃｕ₂Ｏ等である。適切な銀出発材料は、たとえば、メシチル銀、種々の銀アミド、銀ホスフィド、銀アルコキシド、Ａｇ₂Ｏ等である。適切な金出発材料は、たとえば、メシチル金、種々の金アミド、金ホスフィド、金アルコキシド等である。適切な亜鉛出発材料は、たとえば、ジメチル亜鉛、種々の亜鉛アミド、亜鉛ホスフィド、亜鉛アルコキシド等である。適切なアルミニウム出発材料は、たとえば、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、種々のアルミニウムアルコキシド等である。

配位子の脱プロトン化が金属との反応前に実施されるならば、その脱プロトン化後に、好ましくは、より求核性の少ない特性を有し、特に、好ましくは、プロトン化形態で揮発性化合物である塩基性アニオンを有するアルカリ金属塩の使用がなされる。これは、対応する配位子のアルカリ金属塩をもたらし、次いで金属塩（たとえば、［Ｃｕ（ＭｅＣＮ）₄］［ＢＦ₄］)）と反応し、金属錯体を得る。脱プロトン化のための適切な塩は、たとえば、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムピペリジド、ビス（トリメチルシリル）アミド（たとえば、Ｋ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂）等である。

ここで合成は、たとえば、熱的に、光化学的に、かつ／またはマイクロ波放射線によって活性化することもできる。合成は、同様に、オートクレーブ中で実行することができる。

これらの方法を行った後、任意にたとえば、再結晶または昇華などの精製を行うことにより、本発明による式（１）の化合物を、高純度で、好ましくは９９％超で（¹Ｈ−ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣの手段によって測定される）得ることができる。

本発明による化合物は、適切な置換によって、たとえば、相対的に長いアルキル基（約４〜２０個のＣ原子）、特に分枝アルキル基、または任意に置換されているアリール基、たとえば、キシリル、メシチル、または分枝テルフェニルもしくはクアテルフェニル基によって可溶性にすることもできる。次に、このタイプの化合物は、室温において、溶液から錯体を処理することができるのに十分な濃度で、たとえば、トルエンまたはキシレンなどの一般的な有機溶媒に溶けることができる。これらの可溶性化合物は、たとえば、印刷法による溶液からの処理に、特に適している。

液相からの、たとえば、スピンコーティングによるまたは印刷プロセスによる本発明の化合物の加工のためには、本発明の化合物の調合物を必要とする。これらの調合物は、たとえば、溶液、分散液もしくはエマルジョンであり得る。この目的のためには、二以上の溶媒の混合物を使用することが好ましいかもしれない。適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、o-、m-もしくはp-キシレン、メチルベンゾエート、メシチレン、テトラリン、ベラトール、ＴＨＦ、メチル-ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に、3-フェノキシトルエン、(-)-フェンコンヌ、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン、1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、1-メチルナフタレン、2-メチルベンゾチアゾール、2-フェノキシエタノール、2-ピロリジノン、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、アセトフェノン、α-テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾエート、インダン、メチルベンゾエート、ＮＭＰ、p-シメン、フェネトール、1,4-ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ−テル、トリプロピレングリコールジメチルエ−テル、テトラエチレングリコールジメチルエ−テル、2-イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタンもしくはこれら溶媒の混合物である。

したがって、本発明は、さらに、本発明の化合物と少なくともさらなる化合物を含む調合物に関する。さらなる化合物は、たとえば、溶媒、特に、前述の溶媒の一つまたはこれらの溶媒の混合物である。しかしながら、さらなる化合物は、電子素子で同様に用いられるさらなる有機もしくは無機化合物、たとえば、マトリックス材料であってもよい。適切なマトリックス材料は、有機エレクトロルミッセンス素子と関連して、以下に示される。このさらなる化合物は、ポリマー状であってもよい。

前述の式（１）の錯体または先に示した好ましい態様は、電子素子における活性成分として使用することができる。電子素子は、アノード、カソードと少なくとも１つの層を含む素子の意味で使用され、この層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明による電子素子は、アノード、カソードと前述の式（１）の少なくとも１種の化合物を含む少なくとも１つの層を含む。ここで好ましい電子素子は、少なくとも１つの層に前述の式（１）の少なくとも１種の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセント素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選ばれる。有機エレクトロルミネッセント素子が特に好ましい。活性成分は、一般に、アノードとカソードの間に導入された有機または無機材料、たとえば、電荷注入、電荷輸送または電荷阻止材料であるが、特に発光材料およびマトリックス材料である。本発明による化合物は、有機エレクトロルミネッセント素子における発光材料として特に良好な特性を呈している。したがって、有機エレクトロルミネッセント素子は、本発明の好ましい一態様である。

有機エレクトロルミネッセント素子は、カソード、アノードおよび少なくとも１つの発光層を含む。有機エレクトロルミネッセント素子は、これらの層とは別に、さらなる層、たとえば、各場合において、１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、励起子阻止層、電子阻止層、電荷発生層および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合点を含んでいてもよい。たとえば、励起子阻止機能を有し、かつ／またはエレクトロルミネッセント素子における電荷平衡を制御する中間層も同様に、２つの発光層の間に導入されていてもよい。しかし、これらの層のそれぞれは、必ずしも存在していなくてもよいことに留意されたい。

ここで有機エレクトロルミネッセント素子は、１つの発光層または複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは好ましくは、全体で複数の発光極大３８０ｎｍ〜７５０ｎｍを有しており、その結果、全体的に白色発光が生じ、すなわち蛍光または燐光を発することができる様々な発光化合物が、発光層において使用される。三層が、青色、緑色および橙色もしくは赤色発光を呈する三層系（基本構造については、たとえば、ＷＯ２００５／０１１０１３参照）、または３つを超える発光層を有する系が、特に好ましい。この素子は、１つ以上の層が蛍光を発し、１つ以上の他の層が燐光を発する混成系であってもよい。

本発明の好ましい一態様では、有機エレクトロルミネッセント素子は、１つ以上の発光層における発光化合物として、式（１）の化合物または先に示した好ましい態様を含む。

式（１）の化合物は、発光層において発光化合物として用いられる場合、好ましくは１種以上のマトリックス材料と組み合わせて用いられる。式（１）の化合物およびマトリックス材料を含む混合物は、エミッタおよびマトリックス材料を含む全体としての混合物に対して、１〜９９体積％、好ましくは２〜９０体積％、特に好ましくは３〜４０体積％、特に５〜１５体積％の式（１）の化合物を含む。それに応じて、混合物は、エミッタおよびマトリックス材料を含む全体としての混合物に対して、９９．９〜１体積％、好ましくは９９〜１０体積％、特に好ましくは９７〜６０体積％、特に９５〜８５体積％のマトリックス材料を含む。

用いられるマトリックス材料は、一般に、従来技術にしたがってこの目的で公知のあらゆる材料であり得る。マトリックス材料の三重項準位は、好ましくは、エミッタの三重項準位よりも高い。これは、本発明の発光メカニズムにかかわりなく、すなわち、化合物が燐光、蛍光または遅延蛍光であるかどうかにかかわりなく、適用される。

本発明による化合物に適したマトリックス材料は、たとえば、ＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７もしくはＷＯ２０１０／００６６８０による、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾイルビフェニル）、ＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１もしくはＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されているｍ−ＣＢＰもしくはカルバゾール誘導体、たとえば、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６によるインドロカルバゾール誘導体、たとえば、ＷＯ２０１０／１３６１０９もしくはＷＯ２０１１／０００４５５によるインデノカルバゾール誘導体、たとえば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０によるアザカルバゾール、たとえば、ＷＯ２００７／１３７７２５による双極性マトリックス材料、たとえば、ＷＯ２００５／１１１１７２によるシラン、たとえば、ＷＯ２００６／１１７０５２によるアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえば、ＷＯ２０１０／０５４７２９によるジアザシロール誘導体、たとえば、ＷＯ２０１０／０５４７３０によるジアザホスホール誘導体、たとえば、ＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６によるトリアジン誘導体、たとえば、ＥＰ６５２２７３もしくはＷＯ２００９／０６２５７８による亜鉛錯体、たとえば、ＷＯ２００９／１４８０１５によるジベンゾフラン誘導体、またはたとえば、ＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７もしくはＷＯ２０１１／０８８８７７による架橋カルバゾール誘導体である。

好ましくは、混合物として複数の異なるマトリックス材料、特に少なくとも１種の電子伝導マトリックス材料および少なくとも１種の正孔伝導マトリックス材料を用いてもよい。本発明による金属錯体のための混合マトリックスとして好ましい組合せは、たとえば、、芳香族ケトン、トリアジン誘導体またはホスフィンオキシド誘導体とトリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体の使用である。同様に、たとえば、ＷＯ２０１０／１０８５７９に記載されているとおり、電荷輸送、すなわち、正孔もしくは電子輸送マトリックス材料、および電荷輸送に関与していない、または本質的に関与していない電気的に不活性なマトリックス材料の混合物を使用することが好ましい。

三重項エミッタをマトリックスと一緒にした混合物を用いることが、さらに好ましい。本発明の化合物のさらに好ましい使用形態は、発光層での発光化合物、特に、三重項エミッタのためのまたは本発明の他の化合物のためのマトリックス材料としてである。これは、特に、ＭがＺｎである場合に当てはまる。

本発明による化合物は、電子素子における他の機能において、たとえば、正孔注入もしくは正孔輸送層における正孔輸送材料として、電荷発生材料として、または電子阻止材料として用いることもできる。

カソードは、好ましくは、低仕事関数を有する金属、金属合金、または様々な金属、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）などを含む多層構造を含む。アルカリ金属またはアルカリ土類金属および銀を含む合金、たとえば、マグネシウムおよび銀を含む合金も適している。多層構造の場合、前記金属に加えて、相対的に高い仕事関数を有するさらなる金属、たとえば、Ａｇなどを使用してもよく、この場合、たとえば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇなどの金属の組合せが一般に使用される。好ましくは、金属カソードと有機半導体の間に、高い比誘電率を有する材料の薄い中間層を導入してもよい。この目的では、たとえば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物が適しているが、対応する酸化物またはカルボナート（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏ、ＢａＦ₂、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ₂ＣＯ₃等）も適している。有機アルカリ金属錯体、たとえば、Ｌｉｑ（キノリン酸リチウム）も同様に、この目的に適している。この層の層厚さは、好ましくは０．５〜５ｎｍである。

アノードは、好ましくは高い仕事関数を有する材料を含む。アノードは、好ましくは真空に対して４．５ｅＶ超の仕事関数を有する。この目的では、一方では高い酸化還元電位を有する金属、たとえば、Ａｇ、ＰｔまたはＡｕなどが適している。他方では、好ましくは金属／金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯ_x、Ａｌ／ＰｔＯ_x）であってもよい。いくつかの用途では、有機材料の照射（Ｏ−ＳＣ）または光のカップリングアウト（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）を容易にするために、電極の少なくとも１つは、透明または部分的に透明でなくてはならない。ここで好ましいアノード材料は、導電性の混合金属酸化物である。酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が、特に好ましい。さらに、ドープされた導電性有機材料、特にドープされた導電性ポリマー、たとえば、ＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体が好ましい。

従来技術にしたがって層に使用されるすべての材料は、一般に、さらなる層において使用することができ、当業者は、これらの材料のそれぞれを、電子素子において発明性もなく、本発明による材料と組み合わせることができよう。

このような素子の寿命は、水および／または空気の存在下では大幅に短縮するので、素子は、それに応じて構造化され（用途に応じて）、接点が提供され、最後に密封される。

１つ以上の層が、昇華法を用いることによってコーティングされ、その材料が、通常１０^-5ミリバール未満、好ましくは１０^-6ミリバール未満の初期圧力において真空昇華ユニットで蒸着されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子がさらに好ましい。初期圧力をさらにより低く、またはさらにより高く、たとえば、１０^-7ミリバール未満にすることも可能である。

同様に、１つ以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相堆積）法を用いることによって、またはキャリアガス昇華を利用して被覆され、その材料が１０^-5ミリバール〜１バールの圧力で適用されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子も好ましい。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）法であり、その材料は、ノズルを介して直接適用され、したがって構造化される（たとえば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。

１つ以上の層が、たとえば、スピンコーティングによって、または任意の所望の印刷法を用いて、たとえば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷もしくはノズル印刷などによって、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘導熱画像化、熱転写印刷）またはインクジェット印刷によって溶液から製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子がさらに好ましい。この目的では、可溶性化合物が必要であり、この化合物は、たとえば、適切な置換を介して得られる。

有機エレクトロルミネッセント素子は、１つ以上の層を溶液から適用し、気相堆積によって１つ以上の他の層を適用することによって、混成系として製造してもよい。したがってたとえば、式（１）の化合物およびマトリックス材料を含む発光層を溶液から適用し、真空気相堆積によって正孔阻止層および／または電子輸送層を最上部に適用することが可能である。

これらの方法は、一般に当業者に公知であり、式（１）の化合物または先に示した好ましい態様を含む有機エレクトロルミネッセント素子に問題なく、当業者によって適用され得る。

本発明による電子素子、特に有機エレクトロルミネッセント素子は、以下の驚くべき利点によって従来技術とは区別される。

１．式（１）の化合物を発光材料として含む有機エレクトロルミネッセント素子は、非常に良好な寿命を有する。

２．式（１）の化合物を発光材料として含む有機エレクトロルミネッセント素子は、非常に良好な効率を有する。

３．本発明の金属錯体は、また、青色領域でルミネッセンスする有機エレクトロルミッセンス素子をもたらす。特に、良好な効率と寿命を持つ青色ルミネッセンスを従来技術では多大な困難性を伴って達成することができるだけであった。

４．本発明の錯体は、また、特に、銅により、達成することができ、稀少金属イリジウムおよび白金を省くことができる。

先に列挙したこれらの利点には、他の電気的特性の障害が伴わない。

本発明を、以下の例によってより詳細に説明するが、それにより本発明が制限されるものではない。当業者は、発明性を用いずに本説明に基づいてさらなる電子素子を製造することができ、したがって特許請求の範囲の全般にわたって本発明を実施することができよう。

例：
以下の合成を、特に断らなければ、保護ガス雰囲気下で、無水溶媒中で行う。金属錯体をさらに、遮光して処理する。溶媒および試薬をたとえば、Ｓｉｇｍａ−ＡＬＤＲＩＣＨまたはＡＢＣＲから購入することができる。

パート１：配位子の合成
例１：配位子７−ＢＴｐＩｎの合成

４４６．５ｍｇのベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イルボロン酸（２．５１ミリモル）と、５５４．２ｍｇの７−ヨードインドール（２．２８ミリモル）と、２０．９ｍｇの［Ｐｄ2（ｄｂａ）3］（０．０２３ミリモル）と、１５．３ｍｇのＰＣｙ3（０．０５５ミリモル）とを７０ｍｌのオートクレーブへ量り取り、不活性ガスで覆い、２０ｍｌのジオキサンを添加し、３．０５ｍｌの１．２７ＭのＫ3ＰＯ4溶液を滴下する。オートクレーブを密封し、内容物を１００℃で２４時間、撹拌する。反応混合物を３０ｍｌのジクロロメタンに取込み、Ｈ2Ｏで３ｘ洗浄し、次いで水相を３０ｍｌのジクロロメタンでその度毎に３ｘ抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で脱水させ、濾過し、真空中で濃縮させる。生成物をシリカゲルカラムを用いて単離させる（ジクロロメタン：ヘキサン３：７、Ｒｆ＝０．２５）。収率８４％。

１ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．７３−８．９２（ｍ，１Ｈ），７．９２−７．９６（ｍ，１Ｈ），７．８７−７．９０（ｍ，１Ｈ），７．７２−７．７５（ｍ，１Ｈ），７．６１（ｓ，１Ｈ），７．４９−７．５３（ｍ，１Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．３９−７．４４（ｍ，１Ｈ），７．２９−７．３１（ｍ，１Ｈ），７．２３−７．２８（ｍ，１Ｈ），６．６８−６．７１（ｍ，１Ｈ）。

13ＣＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４２．０９，１４１．０７，１３９．８６，１３３．７９，１２９．３８，１２５．４９，１２５．２８，１２４．９６，１２４．０６，１２２．７６，１２２．７２，１２１．７７，１２１．４９，１２０．７２，１１８．８３，１０３．７２．
例２：配位子７−ＦｕＩｎの合成

２９７．７ｍｇの２−（フラン−２−イル）−６−メチル−１，３，６，２−ジオキサザボロラン−４，８−ジオン（１．３３ミリモル）と、３２４．１ｍｇの７−ヨードインドール（１．３３ミリモル）と、１５ｍｇのＰｄ（ＯＡＣ）2（０．０６６ミリモル）と、５４．７ｍｇのＳＰｈｏｓ（０．１３３ミリモル）とを３０ｍｌのガラス容器に量り取り、不活性ガスで覆い、１６．５ｍｌのジオキサンを添加し、３．５ｍｌの３ＭのＫ3ＰＯ4溶液を滴下する。オートクレーブを密封し、内容物を１００℃で２時間、激しく撹拌する。反応混合物を３０ｍｌのジクロロメタンに取込み、Ｈ2Ｏで２ｘと、濃ＮａＣｌ溶液で１ｘ洗浄し、次いで水相を３０ｍｌのジクロロメタンでその度毎に３ｘ抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で脱水させ、濾過し、真空中で濃縮させる。生成物をシリカゲルカラムを用いて単離させる（ジクロロメタン：ヘキサン３：７、Ｒf＝０．３１）。収率６４％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ９．４０（ｂｓ，Ｗ1/2＝２７．８７Ｈｚ，１Ｈ），７．６５（ｄ，3ＪHH＝１．７９Ｈｚ，１Ｈ），７．６２（ｄ，3ＪHH＝７．８６Ｈｚ，１Ｈ），７．４９（ｄｄ，3ＪHH＝７．４５Ｈｚ，3ＪHH＝０．８８Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｔ，3ＪHH＝２．８０Ｈｚ，１Ｈ），７．１７（ｔ，3ＪHH＝７．５９Ｈｚ，１Ｈ），６．８３（ｄ，3ＪHH＝３．４４Ｈｚ，１Ｈ），６．６０−６．６３（ｍ，２Ｈ）。

13ＣＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５４．７７，１４２．１４，１３１．９７，１２９．６９，１２５．４０，１２０．８９，１２０．３４，１１８．２７，１１５．０８，１１２．２３，１０５．６１，１０２．９３。

例３：配位子７−ＰｙＩｎの合成

３５１．０ｍｇの６−メチル−２−（ピリジン−２−イル）−１，３，６，２−ジオキサザボロカン−４，８−ジオン（１．５ミリモル）と、２４３．０ｍｇの７−ヨードインドール（１ミリモル）と、１３．７ｍｇの［Ｐｄ2（ｄｂａ）3］（０．０１５ミリモル）と、１６．８ｍｇのＰＣｙ3（０．０６ミリモル）と、９０．８ｍｇのＣｕ（ＯＡｃ）2と、６９１ｍｇのＫ2ＣＯ3とを７０ｍｌのオートクレーブに量り取り、不活性ガスで覆い、４０ｍｌのＮ，Ｎ−ジメチルメタンアミドと１０ｍｌのイソプロパノールとを添加する。オートクレーブを密封し、内容物を１００℃で２４時間、撹拌する。反応混合物を３０ｍｌのジクロロメタンに取込み、Ｈ2Ｏで３ｘ洗浄し、次いで水相を３０ｍｌのジクロロメタンでその度毎に３ｘ抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で脱水させ、濾過し、真空中で濃縮させる。生成物をシリカゲルカラムを用いて単離させる（ジクロロメタン：ヘキサン４：６、Ｒf＝０．５６）。収率７６％。

例４：配位子７−ＴｐＩｎの合成

８０４ｍｇの２−チエニルボロン酸（５．７１ミリモル）と、１．３８８ｇの７−ヨードインドール（６．２８ミリモル）と、５２ｍｇの［Ｐｄ2（ｄｂａ）3］（０．０５７ミリモル）と、３９ｍｇのＰＣｙ3（０．１４ミリモル）とを、７０ｍｌのオートクレーブに量り取り、不活性ガスで覆い、５０ｍｌのジオキサンと８ｍｌの１．２７ＭのＫ3ＰＯ4溶液とを添加する。オートクレーブを密封し、内容物を１００℃で２４時間、撹拌する。反応混合物を３０ｍｌのジクロロメタンに取込み、Ｈ2Ｏで３ｘ洗浄し、次いで水相を３０ｍｌのジクロロメタンでその度毎に３ｘ抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で脱水させ、濾過し、真空中で濃縮させる。生成物をシリカゲルカラムを用いて単離させる（ジクロロメタン：ヘキサン２：８、Ｒf＝０．１７）。収率８２％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．６１−８．８０（ｍ，１Ｈ），７．６７−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．４５（ｍ，３Ｈ），７．２７−７．２９（ｍ，１Ｈ），７．２３−７．２５（ｍ，１Ｈ），７．２０−７．２３（ｍ，１Ｈ），６．６７−６．６９（ｍ，１Ｈ）。

13ＣＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４１．７９，１３３．６５，１２９．２６，１２８．５６，１２５．４１，１２５．３４，１２５．０１，１２２．１９，１２１．０６，１２０．６９，１１８．９３，１０３．６５。

例５：配位子８−ＰｙＱ（８−（１Ｈ−ピロール−２−イル）キノリン）の合成

工程ａ）１．０６ｇのＮ−Ｂｏｃ−６−メチル−２−（１Ｈ−ピロール−２−イル）−１，３，６，２−ジオキサザボロカン−４，８−ジオン（３．２８ミリモル）と、５６８ｍｇの８−ブロモキノリン（２．７３ミリモル）と、３１ｍｇのＰｄ（ＯＡＣ）2（０．１４ミリモル）と、１１２ｍｇのＳＰｈｏｓ（０．２８ミリモル）とを、２０ｍｌのマイクロ波ガラス容器に量り取り、不活性ガスで覆い、１７ｍｌのジオキサンを添加し、５ｍｌの３ＭのＫ3ＰＯ4溶液を滴下する。容器を密封し、内容物を６０℃で２１時間、マイクロ波中で撹拌する。反応混合物を３０ｍｌのジクロロメタンに取込み、Ｈ2Ｏで２ｘ洗浄し、水相を３０ｍｌのジクロロメタンでその度毎に、３ｘ抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で脱水させ、濾過し、真空中で濃縮させる。生成物（Ｎ−Ｂｏｃ−８−ＰｙＱ）をシリカゲルカラムを用いて単離させる（アセトン：ヘキサン３：７、Ｒf＝０．８５）。

工程ｂ）工程ａ）で得られたＮ−Ｂｏｃ−８−ＰｙＱを、保護ガス雰囲気下で３０ｍｌの圧力容器中で、８ｍｌのＴＨＦ中に溶解させ、１２ｍｌのＮａＯＭｅ溶液（メタノール中０．５７Ｍ）をその後、添加する。容器を圧密方法で密封し、１５０℃で３時間、マイクロ波中で撹拌する。この時間中に、圧力を１８バールまで連続的に増加する。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、６０ｍｌのＨ2Ｏを添加し、次いで３０ｍｌのジメチルエーテルでその度毎に３ｘ抽出し、ＭｇＳＯ4で脱水させ、真空中で濃縮させる。生成物をシリカゲルカラムを用いて単離させる（アセトン：ヘキサン３：７、Ｒf＝０．９１）。収率７３％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ１２．４１−１２．８３（ｍ，１Ｈ），８．９１−８．９５（ｍ，１Ｈ），８．２０−８．２３（ｍ，１Ｈ），８．１１−８．１５（ｍ，１Ｈ），７．６２−７．６５（ｍ，１Ｈ），７．５３−７．５７（ｍ，１Ｈ），７．４３−７．４７（ｍ，１Ｈ），６．９９−７．０２（ｍ，１Ｈ），６．８７−６．９１（ｍ，１Ｈ），６．２９−６．３３（ｍ，１Ｈ）。

13ＣＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４９．３２，１４５．０８，１３７．６８，１３１．９７，１２９．８０，１２９．５５，１２７．３６，１２５．６１，１２５．４４，１２１．４９，１１９．５３，１０９．４５，１０７．５７。

例６：配位子７−ＢＴｐＣａ（１−（ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール）の合成

１．５９ｇの２−ベンゾチエニルホウ酸（８．９４ミリモル）と、２ｇの１−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（８．１３ミリモル）と、７４．０ｍｇの［Ｐｄ2（ｄｂａ）3］（０．０８ミリモル）と、５４．０ｍｇのＰＣｙ3（０．２０ミリモル）とを、２５０ｍｌの圧力容器に量り取り、不活性ガスで覆い、７５ｍｌのジオキサンと１１ｍｌの１．２７ＭのＫ3ＰＯ4溶液とを滴下する。容器を密封し、内容物を１４０℃で２４時間、撹拌する。反応混合物を３０ｍｌのＤＣＭに取込み、Ｈ2Ｏで３ｘ洗浄し、次いで水相を３０ｍｌのＤＣＭでその度毎に３ｘ抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で脱水させ、濾過し、真空中で濃縮させる。生成物をシリカゲルカラムを用いて単離させる（ジクロロメタン：ヘキサン３：７、Ｒf＝０．４３）。収率７６％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．７９（ｂｓ，１Ｈ），８．１３（ｍ，２Ｈ），７．９４（ｍ，１Ｈ），７．９０（ｍ，１Ｈ），７．６６−７．７１（ｍ，２Ｈ），７．５４（ｍ，１Ｈ），７．３８−７．５０（ｍ，３Ｈ），７．３４（ｍ，１Ｈ），７．２９（ｍ，１Ｈ）。

13ＣＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４１．７８，１４１．１１，１４０．２１，１４０．０１，１３７．５６，１２６．８６，１２６．４６，１２５．３６，１２５．０９，１２４．７２，１２４．１５，１２３．８５，１２２．７９，１２１．９３，１２１．０８，１２0．９７，１２０．４８，１２０．４１，１１８．３７，１１１．５６。

パート２：錯体の合成
例７：［Ｃｕ（７−ＴｐＩｎ）（キサントホス）］の合成

３５．０ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の３８．２ｍｇ（０．１９ミリモル）の７−ＴｐＩｎと１１０．９ｍｇ（０．１９ミリモル）のキサントホスとに添加する。黄色／橙色の溶液と、黄色の固形分を形成する。固形分を濾過し、溶液を真空中で乾燥させ、ジクロロメタン中で溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。橙色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い白色に発光し、溶液は強い青色に発光する。収率：９２％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ７．６０−７．６３（ｍ，２Ｈ），７．５６−７．５９（ｍ，１Ｈ），７．２３−７．２８（ｍ，２Ｈ），７．１５−７．２０（ｍ，２Ｈ），６．９５−７．１５（ｍ，２０Ｈ），６．８４−６．８９（ｍ，２Ｈ），６．４３−６．５０（ｍ，３Ｈ），６．３５−６．３７（ｍ，１Ｈ），６．１６−６．１９（ｍ，１Ｈ），１．７３（ｓ，６Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５５．４６，１４４．５８，１４３．５３，１３８．３２，１３４．４８，１３４．１６，１３３．６４，１３１．７６，１３０．１８，１２９．８３，１２８．８２，１２８．６１，１２６．９９，１２５．１６，１２３．３３，１２２．０７，１２１．６０，１２０．８５，１２０．２４，１１７．４２，１１６．０１，１００．２４，３６．４８，２８．４７，２８．３９。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１５．１９。

[Ｃｕ（７−ＴｐＩｎ）（キサントホス）]の溶液のルミネサンススペクトルは、４５８ｎｍにおいて発光最大値を有し、固形分のスペクトルは、４７５ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは４５７ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例８：［Ｃｕ（７−ＢＴｐＩｎ）（ｄｐｐｂ）］の合成

２４．９ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の３４．０ｍｇ（０．１４ミリモル）の７−ＢＴｐＩｎと６０．９ｍｇ（０．１４ミリモル）のｄｐｐｂとに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、真空中で乾燥させ、ジクロロメタン中で溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い黄色に発光する。収率：６１％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ７．６１−７．６６（ｍ，２Ｈ），７．４８−７．５１（ｍ，４Ｈ），７．４６−７．４７（ｍ，１Ｈ），７．４５−７．４６（ｍ，１Ｈ），７．３８−７．３９（ｍ，１Ｈ），７．２１−７．２３（ｍ，１Ｈ），７．０８−７．２０（ｍ，２０Ｈ），６．８６−６．９０（ｍ，１Ｈ），６．８０−６．８４（ｍ，１Ｈ)，６．５６−６．５７（ｍ，１Ｈ），６．２３−６．２６（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４２．６６，１４２．３４，１４１．５３，１３９．６８，１３５．１１，１３４．６５，１３３．５１，１３２．０９，１３１．２０，１３０．１４，１２９．１９，１２５．６９，１２４．３８，１２４．０８，１２３．７８，１２２．４２，１２１．９０，１２１．１７，１２０．５９，１２０．２３，１１７．９６，１１６．１６，１００．６８．
31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−９．３８。

固形分のルミネサンススペクトルは、５０１ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５２６ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例９：［Ｃｕ（７−ＢＴｐＩｎ）（ＰＰｈ3）2］の合成

２６．５ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の３６．２ｍｇ（０．１５ミリモル）の７−ＢＴｐＩｎと７６．２ｍｇ（０．２９ミリモル）のＰＰｈ3とに添加する。黄色の溶液を形成する。これをヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い青色に発光し、溶液は同じように強い青色に発光する。収率：８１％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ７．６５−７．６７（ｍ，１Ｈ），７．５８−７．６１（ｍ，１Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，８Ｈ），７．１８（ｍ，１Ｈ），７．１５−７．１８（ｍ，１Ｈ），７．０９−７．１４（ｍ，１３Ｈ），６．９６−７．０３（ｍ，１２Ｈ），６．８６−６．９３（ｍ，２Ｈ），６．５２−６．５３（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４４．０２，１４３．７９，１４１．５２，１３８．９６，１３８．４０，１３４．０９，１３３．６７，１３２．３７，１３０．１８，１２９．０５，１２５．５１，１２４．１３，１２３．７９，１２２．９６，１２１．０６，１２０．３７，１２０．１８，１１８．２１，１１６．３９，１００．８９。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１．９８。

固形分のルミネサンススペクトルは、４８３ｎｍにおいて発光最大値を有し、ジクロロメタン中の溶液のスペクトルは、４７６ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、４７８ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１０：［Ｃｕ（７−ＢＴｐＩｎ）（キサントホス）］の合成

２７．７ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の３７．８ｍｇ（０．１５ミリモル）の７−ＢＴｐＩｎと８７．７ｍｇ（０．１５ミリモル）のキサントホスとに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い青色に発光し、溶液は同じように強い青色に発光する。収率：８５％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ７．６０−７．６３（ｍ，1Ｈ），７．５４−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４０−７．４４（ｍ，１Ｈ），７．１７−７．２６（ｍ，５Ｈ），７．１０−７．１２（ｍ，１Ｈ），６．９８−７．０９（ｍ，１２Ｈ），６．８７−６．９６（ｍ，１０Ｈ），６．７７−６．８０（ｍ，１Ｈ），６．４２−６．４７（ｍ，２Ｈ），６．３２−６．３３（ｍ，１Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．５９（ｓ，３Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５５．２７，１４４．２４，１４３．６３，１４１．３５，１３８．６５，１３３．９０，１３２．９１，１３２．３９，１３２．０３，１３１．５１，１２９．９０，１２９．５３，１２８．７９，１２８．７５，１２７．０９，１２５．１９，１２５．１３，１２３．９８，１２３．７３，１２２．５４，１２１．６５，１２０．９８，１２０．４１，１１７．９７，１１６．０５，１００．２４，３６．４２，２９．９５，２６．８６。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１５．６７。

固形分のルミネサンススペクトルは、４８７ｎｍにおいて発光最大値を有し、ジクロロメタン中の溶液のスペクトルは、４８０ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、４６４ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１１：［Ｃｕ（７−ＰｙＩｎ）（ｄｐｐｂ）］の合成

４５．６ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の４８．５ｍｇ（０．２５ミリモル）の７−ＰｙＩｎと１１１．５ｍｇ（０．２５ミリモル）のｄｐｐｂとに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、ヘキサンの層で被覆する。橙赤色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い橙色に発光する。収率：７１％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．０９−８．１２（ｍ，１Ｈ），７．７１−７．７３（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．５９（ｍ，７Ｈ），７．３８−７．４０（ｍ，１Ｈ），７．１７−７．３５（ｍ，２０Ｈ），６．９０−６．９４（ｍ，１Ｈ），６．５９−６．６１（ｍ，１Ｈ），６．３８−６．４３（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５９．８８，１５２．０１，１４３．６４，１４３．３２，１４３．１１，１４３．００，１４０．４７，１３８．５４，１３６．９８，１３５．２３，１３３．６１，１３０．９２，１２９．０６，１２２．８４，１２２．６２，１２２．０４，１１９．７８，１１９．０７，１１５．８６，９９．８１。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１１．８１。

固形分のルミネサンススペクトルは、５３２ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５２４ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１２：［Ｃｕ（７−ＰｙＩｎ）（ＰＰｈ3）2］の合成

３７．９ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の４０．３ｍｇ（０．２１ミリモル）の７−ＰｙＩｎと１０８．８ｍｇ（０．４２ミリモル）のＰＰｈ3とに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、真空中で乾燥させ、ジクロロメタン中に溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。橙色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い橙色に発光する。収率：７７％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．２０−８．２３（ｍ，１Ｈ），８．１３−８．１６（ｍ，１Ｈ），７．７６−７．７９（ｍ，１Ｈ），７．６５−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．５６−７．５９（ｍ，１Ｈ），７．２３−７．３８（ｍ，３１Ｈ），６．９９．７．０３（ｍ，１Ｈ），６．７４−６．７９（ｍ，１Ｈ），６．５３−６．５４（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５９．８５，１５１．８１，１４２．９０，１４０．２８，１３７．５４，１３５．３３，１３４．１９，１３３．３９，１２９．９２，１２９．０６，１２３．８１，１２２．６３，１２１．９０，１２０．４１，１１９．６０，１１６．２５，１００．３０。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１．６７。

固形分のルミネサンススペクトルは、５６５ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１３：［Ｃｕ（７−ＰｙＩｎ）（キサントホス）］の合成

１６．７ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのＴＨＦとを、グローブボックス中の１７．８ｍｇ（０．０９ミリモル）の７−ＰｙＩｎと５３．０ｍｇ（０．０９ミリモル）のキサントホスとに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、真空中で濃縮させ、ジクロロメタン中に溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。橙色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い橙色に発光し、溶液は同じように、強い橙色に発光する。収率：７９％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．０６−８．１０（ｍ，１Ｈ），８．０２−８．０６（ｍ，１Ｈ），７．６５−７．６８（ｍ，１Ｈ），７．６０−７．６３（ｍ，２Ｈ），７．５５−７．５９（ｍ，１Ｈ），７．４３−７．４６（ｍ，１Ｈ），７．１８−７．２３（ｍ，２Ｈ），６．９６−７．１７（ｍ，２０Ｈ），６．９２−６．９６（ｍ，１Ｈ），６．６９−６．７１（ｍ，１Ｈ），６．５６−６．５９（ｍ，１Ｈ），６．４３−６．４７（ｍ，２Ｈ），６．２１−６．２３（ｍ，１Ｈ），１．７７（ｓ，６Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１６０．６２，１５５．８７，１５０．７０，１３９．４６，１３７．１５，１３４．４３，１３４．１５，１３３．８１，１３１．４１，１２９．６９，１２９．４５，１２８．７０，１２６．４３，１２４．９８，１２３．９６，１２３．００，１２２．９０，１２２．８２，１２２．２４，１２０．１０，１１９．０９，１１５．６４，９９．１２，３６．７０，２８．３３，２８．０５。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１６．０４。

固形分のルミネサンススペクトルは、５８２ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１４：［Ｃｕ（７−ＴｐＩｎ）（ｄｐｐｂ）］の合成

４２．５ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の４６．３ｍｇ（０．２３ミリモル）の７−ＴｐＩｎと１０３．７ｍｇ（０．２３ミリモル）のｄｐｐｂとに添加する。黄色の溶液を形成する。これを真空中で乾燥させ、ジクロロメタン中に溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い黄色に発光する。収率：６８％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ７．５３−７．５６（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．５３（ｍ，１Ｈ），７．４５−７．４６（ｍ，１Ｈ），７．２５−７．２９（ｍ，１０Ｈ），７．１５−７．２２（ｍ，９Ｈ），７．０４−７．１０（ｍ，５Ｈ），６．７５−６．８４（ｍ，３Ｈ），６．５３−６．５４（ｍ，１Ｈ），６．１６−６１８（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４２．２７，１３９．１４，１３５．０６，１３３．７２，１３２．０９，１３１．３１，１３０．６９，１３０．２７，１２９．４８，１２９．１９，１２７．７７，１２５．６６，１２３．８９，１２３．２０，１２２．２８，１２０．３６，１１７．３５，１１６．１０，１００．６２。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−９．１２。

固形分のルミネサンススペクトルは、５０４ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５２８ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１５：［Ｃｕ（７−ＴｐＩｎ）（ＰＰｈ3）2］の合成

４２．５ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の４６．３ｍｇ（０．２３ミリモル）の７−ＴｐＩｎと１２１．９ｍｇ（０．４６ミリモル）のＰＰｈ3とに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、真空中で乾燥させ、ジクロロメタン中に溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い青色に発光し、溶液は同じように、強い青色に発光する。収率：８８％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ７．５９−７．６２（ｍ，１Ｈ），７．３１−７．３８（ｍ，７Ｈ），７．１７−７．２２（ｍ，１２Ｈ），７．０８−７．１４（ｍ，１４Ｈ），６．８４−６．９０（ｍ，２Ｈ），６．５９−６．６１（ｍ，１Ｈ），６．５１−６．５２（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４４．４０，１４３．４２，１３８．７０，１３４．１７，１３３．９７，１３２．２４，１３０．１９，１２９．１８，１２９．０７，１２３．７１，１２２．７０，１２０．５０，１２０．３６，１１７．６５，１１６．３３，１００．８８。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１．９２。

固形分のルミネサンススペクトルは、４６９ｎｍにおいて発光最大値を有し、ジクロロメタン中の溶液中の発光スペクトルは、４６８ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、４５７ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１６：［Ｃｕ（８−ＰｙＱ）（ＰＰｈ3）2］の合成

３８．４ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の４０．８ｍｇ（０．２１ミリモル）の８−ＰｙＱと１１０．２ｍｇ（０．４２ミリモル）のＰＰｈ3とに添加する。赤色の溶液を形成する。これを濾過し、溶媒をゆっくりと蒸発させておく。赤色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い赤色に発光し、溶液は同じように、強い赤色に発光する。収率：７８％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．３７−８．３９（ｍ，１Ｈ），８．２６−８．２９（ｍ，１Ｈ），８．１４−８．１７（ｍ，１Ｈ），７．５０−７．５５（ｍ，１Ｈ），７．４５−７．４８（ｍ，１Ｈ），７．３０−７．３９（ｍ，３０Ｈ），７．０３−７．０７（ｍ，１Ｈ），６．９６−６．９７（ｍ，１Ｈ），６．９１−６．９３（ｍ，１Ｈ），６．２３−６．２５（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５２．６４，１４３．０６，１３９．６５，１３７．１３，１３５．５９，１３５．３０，１３４．２６，１３３．６７，１３１．１７，１２９．９８，１２９．１６，１２８．０７，１２７．９０，１２３．３０，１２０．２７，１０９．５５，１０９．４５。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−０．７９。

固形分のルミネサンススペクトルは、６４５ｎｍにおいて発光最大値を有し、ジクロロメタン中の溶液中のスペクトルは、６１７ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５８２ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１７：：［Ｃｕ（８−ＰｙＱ）（キサントホス）］の合成

３５．６ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の３７．８ｍｇ（０．２０ミリモル）の８−ＰｙＱと１１２．６ｍｇ（０．２０ミリモル）のキサントホスとに添加する。赤色の溶液を形成する。これを濾過し、溶媒をゆっくりと蒸発させておく。赤色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い赤色に発光し、溶液は同じように、強い赤色に発光する。収率：７４％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．１６−８．２０（ｍ，２Ｈ），７．９１−７．９４（ｍ，１Ｈ），７．５８−７．６１（ｍ，２Ｈ），７．４８−７．５２（ｍ，１Ｈ），７．３４−７．３７（ｍ，１Ｈ），７．１０−７．２２（ｍ，８Ｈ），７．０６−７．０８（ｍ，２Ｈ），６．９６−７．０５（ｍ，１２Ｈ），６．８１−６．８２（ｍ，１Ｈ），６．６７−６．７１（ｍ，１Ｈ），６．４０−６．４５（ｍ，２Ｈ），６．３２−６．３３（ｍ，１Ｈ），５．９９−６．０１（ｍ，１Ｈ）１．７９（ｓ，３Ｈ），１．７３（ｓ，３Ｈ)。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５５．８２，１５０．３４，１３８．２０，１３４．２０，１３３．８４，１３３．０３，１３２．７６，１３２．６６，１３１．７０，１３１．４２，１２９．６８，１２９．４８，１２８．６９，１２８．５４，１２８．４１，１２７．９７，１２７．６４，１２６．４７，１２５．０２，１２２．６１，１１９．７０，１０９．３７，１０８．８９，３６．６９，３０．２７，２７．８２。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１５．５０。

固形分のルミネサンススペクトルは、５５７および６０６ｎｍにおいて発光最大値を有し、トルエン中の溶液中のスペクトルは、６０３ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５６８および６１８ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１８：［Ｃｕ（８−ＰｙＱ）（ｄｐｐｂ）］の合成

３２．６ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の３４．６ｍｇ（０．１８ミリモル）の８−ＰｙＱと７９．５ｍｇ（０．１８ミリモル）のｄｐｐｂとに添加する。暗赤色の溶液を形成する。これを濾過し、ｎ−ヘキサンの層で被覆する。赤色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い赤色に発光する。溶液は同じように強い赤色に発光する。収率：７０％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．２４（ｍ，１Ｈ），７．９２（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，４Ｈ），７．４４（ｍ，１Ｈ），７．３８（ｍ，１Ｈ），７．３６（ｍ，１Ｈ），７．２８−７．３１（ｍ，４Ｈ），７．２１−７．２６（ｍ，１４Ｈ），７．１２（ｍ，１Ｈ），７．０７（ｍ，１Ｈ），６．９４−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．４７（ｍ，１Ｈ），６．３１（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５２．１５，１４３．４２，１４３．３７，１３８．２４，１３７．４８，１３５．３０，１３４．９０，１３３．５５，１３３．０７，１３１．０１，１３０．７０，１２９．８０，１２９．５４，１２９．１０，１２７．６５，１２７．０５，１２２．８５，１１９．６０，１０９．３１，１０９．１９。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−９．４３（ｓ）。

トルエン溶液のルミネサンススペクトルは、６１８ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５８０ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例１９：［Ｃｕ（７−ＢＴｐＣａ）（ＰＰｈ3）2］の合成

６１．０ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の１００．０ｍｇ（０．３３ミリモル）の７−ＢＴｐＣａと１７５．２ｍｇ（０．６７ミリモル）のＰＰｈ3とに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い緑色に発光し、溶液は同じように、強い緑色に発光する。収率：８５％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．１６（ｍ，１Ｈ），８．０８−８．１１（ｍ，１Ｈ），７．６４（ｍ，１Ｈ），７．５０（ｍ，１Ｈ），７．２９−７．３４（ｍ，７Ｈ），７．２１−７．２４（ｍ，２Ｈ），７．１１（ｍ，１２Ｈ），７．００−７．０６（ｍ，１４Ｈ），６．９４（ｍ，２Ｈ），６．７６（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１４８．５２，１４３．７２，１４１．５５，１３８．４６，１３４．１８，１３３．７２，１３０．２２，１２９．０８，１２５．５８，１２５．４７，１２４．１８，１２４．１５，１２３．９０，１２３．８６，１２３．８０，１２３．２７，１２０．９７，１２０．８５，１２０．７３，１１９．８９，１１６．６１，１１５．７９，１１５．６６，１１５．２７。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１．８１（ｓ）。

固形分のルミネサンススペクトルは、５０６ｎｍにおいて発光最大値を有し、ジクロロメタン中の溶液中のスペクトルは、４９９ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５０４ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例２０：［Ｃｕ（７−ＢＴｐＣａ）（キサントホス）］の合成

６１．０ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の１００．０ｍｇ（０．３３ミリモル）の７−ＢＴｐＣａと１９３．０ｍｇ（０．３３ミリモル）のキサントホスとに添加する。黄色の懸濁液を形成する。これを濾過し、真空中で濃縮し、ＤＣＭ中に溶解させ、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い緑色に発光し、溶液は同じように、強い緑色に発光する。収率：８６％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ８．１３(ｍ，１Ｈ)，７．９９（ｍ，１Ｈ），７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４７（ｍ，１Ｈ），７．１４−７．３５（ｍ，８Ｈ），６．８１−７．０８（ｍ，２１Ｈ），６．６９−６．７５（ｍ，２Ｈ），６．５０（ｍ，２Ｈ），１．８７（ｓ，３Ｈ），１．５１（ｓ，３Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ１５５．１２，１４８．８０，１３４．４８，１３４．２７，１３３．８３，１３３．５６，１３２．３８，１３２．２０，１３１．６９，１３１．６５，１３０．１２，１２９．７０，１２８．８４，１２８．７３，１２７．３６，１２６．７０，１２５．４２，１２５．３１，１２５．２５，１２４．２６，１２３．９６，１２３．４６，１２３．３６，１２１．９９，１２０．８８，１１９．７９，１１９．６８，１１５．６４，１１５．００，１１４．７８，３５．９６，３２．１７，２６．１６。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ−１５．８６（ｓ）。

固形分のルミネサンススペクトルは、５０８ｎｍにおいて発光最大値を有し、ジクロロメタン中の溶液中のスペクトルは、５０１ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、４９５ｎｍにおいて発光最大値を有する。

例２１：［Ｃｕ（７−ＢＴｐＣａ）（ｄｐｐｂ）］の合成

６１．０ｍｇのメシチル−Ｃｕと３ｍｌのトルエンとを、グローブボックス中の１００．０ｍｇ（０．３３ミリモル）の７−ＢＴｐＣａと１４９．３ｍｇ（０．３３ミリモル）のｄｐｐｂとに添加する。黄色の溶液を形成する。これを濾過し、ヘキサンの層で被覆する。黄色の結晶を形成する。ＵＶ（３５６ｎｍ）下で、これらは強い緑色に発光し、溶液は同じように、強い緑色に発光する。収率：８３％。

1ＨＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，４００．１３ＭＨｚ）：δ ８．１７（ｍ，１Ｈ），８．１４（ｍ，１Ｈ），７．７０（ｍ，１Ｈ），７．６１（ｍ，１Ｈ），７．５４−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４４（ｓ，１Ｈ），７．２４−７．２８（ｍ，５Ｈ），７．１５（ｍ，１Ｈ），７．０４−７．１１（ｍ，１８Ｈ），６．９９（ｍ，１Ｈ），６．９４−６．９７（ｍ，２Ｈ），６．８０（ｍ，１Ｈ），６．０２（ｍ，１Ｈ）。

13Ｃ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１００．１３ＭＨｚ）：δ １４８．３４，１４３．０９，１４１．８７，１４１．４７，１３８．１９，１３３．８６，１３３．０５，１３１．３９，１３０．６８，１３０．１５，１２９．４７，１２９．１１，１２７．００，１２５．７３，１２５．３７，１２４．４２，１２３．９５，１２３．８５，１２３．７７，１２２．８３，１２１．０９，１２０．７３，１１９．９３，１１８．７０，１１７．０４，１１５．６７，１１４．９１。

31Ｐ｛1Ｈ｝ＮＭＲ（ＤＣＭ−ｄ2，１６１．９８ＭＨｚ）：δ −１０．０１（ｓ）。

固形分のルミネサンススペクトルは、５１４ｎｍにおいて発光最大値を有し、ポリスチレンマトリックス中のスペクトルは、５１８ｎｍにおいて発光最大値を有する。

ＯＬＥＤの製造
１）真空処理されたデバイス：
本発明によるＯＬＥＤおよび先行技術によるＯＬＥＤは、ＷＯ２００４／０５８９１１による一般的なプロセスにより製造されるが、ここに記載される状況（層の厚さの変化、使用する材料）に適合される。

種々のＯＬＥＤの結果を、以下の例に提示する。ガラス板は、構造化ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）と共に、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。ＯＬＥＤは、原則的に次の層構造を有する：基板／３％のＮＤＰ−９（Ｎｏｖａｌｅｄから市販されている）でドープされているＨＴＭからなる正孔輸送層１（ＨＴＬ１）、２０ｎｍ／正孔輸送層２（ＨＴＬ２）／電子阻止層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／随意に正孔阻止層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／随意に電子注入層（ＥＩＬ）、および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍ厚のアルミニウム層によって形成される。

最初に、真空処理されたＯＬＥＤについて記載する。この目的では、すべての材料は、真空チャンバ中で熱気相堆積によって適用される。ここで発光層は、常に、少なくとも１種のマトリックス材料（ホスト材料）、および１種以上のマトリックス材料と一定の体積割合で共蒸発によって予備混合された発光ドーパント（エミッター）からなる。ここでＭ３：Ｍ２：Ｅｘ．（５５％：３５％：１０％）などの表現は、材料Ｍ３が５５％の体積割合で層中に存在し、Ｍ２が３５％の割合で層中に存在し、Ｅｘ．によるＣｕエミッターが１０％の割合で層中に存在することを意味する。同じように、電子輸送層は、２つの材料の混合物からなってもよい。ＯＬＥＤの正確な構造を、表１に示す。ＯＬＥＤの製造のために使用した材料を、表４に示す。

ＯＬＥＤは、標準の方法によってその特性が決定される。この目的では、エレクトロルミネッセンススペクトル、外部量子効率（％で表示）および電圧（３００ｃｄ／ｍ^２においてＶで測定）は、電流／電圧／輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から測定される。

エミッター材料としての本発明による化合物の使用
本発明による化合物は、中でもＯＬＥＤ中の発光層において、エミッター材料として用いることができる。

２）溶液処理されたデバイス：
Ａ：可溶性機能的材料から
本発明によるイリジウム錯体は、溶液から処理することもでき、この場合、このプロセスが関与する限り、真空処理されたＯＬＥＤと比較して著しく単純であるにもかかわらず良好な特性を有するＯＬＥＤが得られる。このタイプの部品の製造は、既に何度も文献（たとえば、ＷＯ２００４／０３７８８７）に記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づく。構造は、基板／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（８０ｎｍ）／中間層（８０ｎｍ）／発光層（８０ｎｍ）／カソードからなる。この目的を達成するために、Ｔｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ製の基板（ソーダ石灰ガラス）を使用し、それにＩＴＯ構造（インジウム錫酸化物、透明な導電性アノード）を適用する。基板を、クリーンルーム中でＤＩ水および洗浄剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ１５ＰＦ）を用いて清浄にし、次いで、ＵＶ／オゾンプラズマ処置によって活性化する。ＰＥＤＯＴの８０ｎｍ層（ＰＥＤＯＴは、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ、Ｇｏｓｌａｒから水性分散液として供給されているポリチオフェン誘導体（ＢａｙｔｒｏｎＰＶＡＩ４０８３ｓｐ．）である）を、次いで、同様にクリーンルーム中でスピンコーティングによって緩衝層として適用する。必要なスピン速度は、希釈度および特定のスピンコーターの形状に応じる（典型的に８０ｎｍ：４５００ｒｐｍ）。層から残留水を除去するために、基板を、１８０℃でホットプレート上で１０分間加熱することによって乾燥させる。使用する中間層は、正孔注入として働き、この場合Ｍｅｒｃｋ製のＨＩＬ−０１２が使用される。あるいは、中間層は、１つ以上の層により置きかえられていてもよく、これらは、その後の溶液からのＥＭＬ蒸着の処理工程によって再び剥離しない条件を単に満たすだけのものである。発光層を生成するために、本発明によるエミッターを、トルエン中にマトリックス材料と共に溶解させる。ここでのように、デバイスの典型的な層厚８０ｎｍがスピンコーティングを用いて達成される場合、このような溶液の典型的な固形分は１６〜２５ｇ／ｌである。溶液処理されたデバイスは、（ポリスチレン）：Ｍ５：Ｍ６：Ｅｘ．（２５％：２５％：４０％：１０％）を含む発光層を含む。発光層を、不活性ガス雰囲気中、本発明の場合にはアルゴン中でスピンコーティングによって適用し、１３０℃で３０分間加熱することによって乾燥させる。最後にカソードを、バリウム（５ｎｍ）および次いでアルミニウム（１００ｎｍ）から蒸着によって適用する（Ａｌｄｒｉｃｈ製の高純度金属、特にバリウム９９．９９％（注文番号４７４７１１）；中でもＬｅｓｋｅｒ製の蒸着装置、典型的な蒸着圧力は５×１０-6ミリバールである）。随意に、最初に正孔阻止層、次いで電子輸送層、そしてその次にカソード（たとえば、ＡｌまたはＬｉＦ／Ａｌ）を、真空蒸着によって適用することができる。空気および大気の湿気からデバイスを保護するために、デバイスを最後に封止し、次いでその特性を決定する。所与のＯＬＥＤの例は、まだ最適化されていないが、得られたデータを表３にまとめる。

［Ｃｕ（７−ＴｐＩｎ）（キサントホス）］の結晶構造。［Ｃｕ（７−ＴｐＩｎ）（Ｌ‘）］の吸収およびルミネサンススペクトル。Ｌ’：Ｘ＝キサントホス、Ｐ＝（ＰＰｈ3）2、Ｄ＝ｄｐｐｂ。（ａ：ジクロロメタン中の溶液のスペクトル、ｂ：固形分のスペクトル、ｃ：ポリスチレンマトリックス中のスペクトル）。［Ｃｕ（７−ＢＴｐＩｎ）（ｄｐｐｂ）］の結晶構造。［Ｃｕ（７−ＢＴｐＩｎ）（Ｌ‘）］の吸収およびルミネサンススペクトル。Ｌ’：Ｘ＝キサントホス、Ｐ＝（ＰＰｈ3）2、Ｄ＝ｄｐｐｂ。（ａ：ジクロロメタン中の溶液のスペクトル、ｂ：固形分のスペクトル、ｃ：ポリスチレンマトリックス中のスペクトル）。［Ｃｕ（７−ＢＴｐＣａ）（ＰＰｈ3）2］の結晶構造。［Ｃｕ（７−ＢＴｐＣａ）（Ｌ’）］の吸収およびルミネサンススペクトル。Ｌ’：Ｘ＝キサントホス、Ｐ＝（ＰＰｈ3）2、Ｄ＝ｄｐｐｂ。（ａ：ジクロロメタン中の溶液のスペクトル、ｂ：固形分のスペクトル、ｃ：ポリスチレンマトリックス中のスペクトル）。［Ｃｕ（７−ＰｙＩｎ）（キサントホス）］の結晶構造。［Ｃｕ（７−ＰｙＩｎ）（Ｌ‘）］の吸収およびルミネサンススペクトル。Ｌ’：Ｘ＝キサントホス、Ｐ＝（ＰＰｈ3）2、Ｄ＝ｄｐｐｂ。（ａ：固形分のスペクトル、ｂ：ポリスチレンマトリックス中のスペクトル）。［Ｃｕ（８−ＰｙＱ）（ｄｐｐｂ）］の結晶構造。［Ｃｕ（８−ＰｙＱ）（Ｌ‘）］の吸収およびルミネサンススペクトル。Ｌ’：Ｘ＝キサントホス、Ｐ＝（ＰＰｈ3）2、Ｄ＝ｄｐｐｂ。（ａ：ジクロロメタン中の溶液のスペクトル、ｂ：固形分のスペクトル、ｃ：ポリスチレンマトリックス中のスペクトル）。

Claims

式（１）の化合物であって、
Ｍ（Ｌ）_n（Ｌ’）_m 式（１）
一般式（１）の化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）_nを含有し、Ｌが一価アニオン性配位子である化合物：

［式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｚｎ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎであり、
Ｘは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＣＲまたはＮであり、
Ｙは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＣＲもしくはＮであり、または、正確に一個の基Ｙは、−ＣＲ＝ＣＲ−もしくは−ＣＲ＝Ｎ−であって、その結果、ヘテロ芳香族六員環系を形成し、
Ｚは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｎ、ＯまたはＳであり、ただし、基Ｙが−ＣＲ＝ＣＲ−もしくは−ＣＲ＝Ｎ−であるならば、Ｚは、Ｎであり、
Ａは、Ｍに配位し、１つ以上の置換基Ｒにより置換されてよい配位基であり、
Ｒは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ¹）₂、Ｐ（Ｒ¹）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、ＯＨ、ＣＯＯＨ、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ¹）₂、Ｓｉ（Ｒ¹）₃、Ｂ（ＯＲ¹）₂、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹）₂、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｓ（＝Ｏ）₂Ｒ¹、ＯＳＯ₂Ｒ¹、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜２０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分枝あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ₂基は、Ｒ¹Ｃ＝ＣＲ¹、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ¹）₂、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ¹、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ¹により置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮにより置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）であり；ここで２つの隣接するラジカルＲは、互いに単環式もしくは多環式の脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ¹は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ²）₂、Ｐ（Ｒ²）₂、ＣＮ、ＮＯ₂、Ｓｉ（Ｒ²）₃、Ｂ（ＯＲ²）₂、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ²、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ²）₂、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ²、Ｓ（＝Ｏ）₂Ｒ²、ＯＳＯ₂Ｒ²、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜２０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分枝あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ₂基は、Ｒ²Ｃ＝ＣＲ²、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ²）₂、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ²、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ²により置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮにより置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）、または５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ²により置換されていてもよい）であり；ここで２つ以上の隣接するラジカルＲ²は、互いに単環式もしくは多環式の脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ²は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／もしくはヘテロ芳香族炭化水素ラジカル（さらにこれらにおいて、１つ以上のＨ原子は、Ｆにより置きかえられていてもよい）であり；ここで２つ以上の置換基Ｒ²は、互いに単環式もしくは多環式の脂肪族環系を形成していてもよく；
Ｌ’は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、任意の所望の共存配位子であるか、またはＬ’がＶを介してＬに結合する場合は配位基であり；
ｎは、１、２または３であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
ここで、配位子Ｌ上の１つまたは２つの置換基ＲまたはＲ¹は、金属Ｍに追加的に結合してよく、したがって三座または四座配位子を形成し、
さらに、配位子Ｌは、１つまたは２つの架橋単位Ｖを介して配位子Ｌ’に連結していてもよく、したがって直線状三座または四座配位子を形成する。
非荷電であることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
Ｍが、Ｃｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ａｕ（Ｉ）、Ｒｕ（ＩＩ）、Ｚｎ（ＩＩ）、Ａｌ（ＩＩＩ）、Ｇａ（ＩＩＩ）およびＩｎ（ＩＩＩ）、好ましくは、Ｃｕ（Ｉ）より成る群から選ばれることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
最大１つの基Ｘは、Ｎであり、その他の基ＸはＣＲであることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の化合物。
両方の基Ｙの何れかがＣＲであること、または１つのＹは、ＣＲであり、その他の基Ｙは、−ＲＣ＝ＣＲ−であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物。
前記式（２）の部分が、式（３）〜（６）の部分から選ばれることを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の化合物。

（式中、使用される記号と添え字は、請求項１に示される意味を有する。）
Ａは、５〜１４個の芳香族環原子を有する、好ましくは、５〜１０個の芳香族環原子を有するヘテロアリール基であり、これらは、ヘテロ原子を介してＭに配位し、１つ以上のラジカルＲにより置換されていてよいことを特徴とする、請求項１〜６の何れか一項に記載の化合物。
Ｍに配位する基Ａは、次の式（７）または式（５７）の構造から選ばれ、各場合に＃によって示される位置は配位子Ｌの残部への結合を示し、基がＭに配位する位置は＊により示されることを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載の化合物：

式中、ＸとＲは、請求項１に示されるのと同じ意味を有し、さらに、
Ｄは、Ｏ^-、Ｓ^-、ＮＲ^-、ＰＲ^-、ＮＲ₂、ＰＲ₂、ＣＯＯ^-、ＳＯ₃ ^-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ、−ＣＲ（＝ＮＲ）または−Ｎ（＝ＣＲ₂）であり；
Ｑは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、１〜８個のＣ原子を有する直鎖アルキレン基、２〜８個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基または３〜８個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキレン基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ₂基は、Ｒ¹Ｃ＝ＣＲ¹、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ¹）₂、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ¹、Ｏ、Ｓ、ＢＲ¹またはＣＯＮＲ¹により置きかえられていてもよく）、または５〜２０個の芳香族環原子を有する二価の芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜２０個の芳香族環原子を有する二価のアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）、または５〜２０個の芳香族環原子を有する二価のアラルキルもしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のラジカルＲ¹により置換されていてもよい）または上記基の２つの組み合わせから選ばれる。
式（６２）〜（６７）の構造から選ばれ、

式中、使用された記号は、前述の意味を有し、Ｖが、単結合、または３族、４族、５族および／もしくは６族の典型元素（ＩＵＰＡＣによる１３族、１４族、１５族または１６族）に由来する１〜８０個の原子を含有する架橋単位、または３〜６員の単素環もしくは複素環を表し、前記部分配位子Ｌが、互いに共有結合によって結合しており、またはＬが、共有結合によってＬ’に結合している、請求項１〜８の何れか一項に記載の化合物。
配位子Ｌ’が、一酸化炭素、一酸化窒素、アルキルシアニド、アリールシアニド、アルキルイソシアニド、アリールイソシアニド、アミン、ホスフィン、ホスファイト、アルシン、スチビン、窒素含有複素環、酸素含有複素環、硫黄含有複素環、エーテル、チオエーテル、カルベン、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-およびＩ^-、アルキルアセチリド、アリールアセチリド、シアニド、シアナート、イソシアナート、チオシアナート、イソチオシアナート、脂肪族または芳香族アルコラート、脂肪族または芳香族チオアルコラート、アミド、カルボキシラート、アニオン性窒素含有複素環、ジアミン、イミン、２つの窒素原子を含有する複素環、ジホスフィン、１，３−ジケトンから得られる１，３−ジケトナート、３−ケトエステルから得られる３−ケトナート、アミノカルボン酸から得られるカルボキシラート、サリチルイミンから得られるサリチルイミナート、ジアルコール由来のジアルコラート、ジチオール由来のジチオラートよりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項１〜９の何れか一項に記載の化合物。
随意に脱プロトン化形態の遊離配位子Ｌおよび随意にさらなる配位子Ｌ’と、金属塩または金属錯体との反応による、請求項１〜１０の何れか一項に記載の化合物の製造方法。
請求項１〜１０の何れか一項に記載の少なくとも１種の化合物および少なくとも１種の溶媒を含む、配合物。
請求項１〜１０の何れか一項に記載の化合物の電子素子での使用。
請求項１〜１０の何れか一項に記載の１種以上の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセント素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光素子、発光電気化学電池もしくは有機レーザーダイオードよりなる群から、好ましくは、選ばれる電子素子。
請求項１〜１０の何れか一項に記載の化合物が、１種以上の発光層で発光化合物としておよび/またはマトリックス材料として用いられることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセント素子である請求項１４記載の電子素子。