JP2016225461A - 複数部材の摩擦摺動接合方法およびこの方法によって得られた接合体ならびに半導体素子 - Google Patents
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Abstract
Description
前記の複数の部材のうちの、第一の部材が、表面にAl電極を有しかつ裏面に金属薄膜層を有する半導体からなり、
第二の部材が、前記の第一の部材を実装させる基板であり、
第三の部材が、前記の第一の部材と前記の一対の摩擦摺動治具のうちの片方の摩擦摺動治具との間に配置された軟質金属部材であり、
第四の部材が、前記の第一の部材と第二の部材との間に配置された軟質金属材料であり、さらに、
前記の重ね合わせ物を摩擦摺動に付した後の段階における、前記の第三の部材の前記の往復的な微摺動の方向に沿った方向の外形寸法が、前記の第一の部材の同方向における外形寸法よりも大きくないこと、を特徴とする。
そして、本発明の実施形態による半導体素子は、上記の接合体を含んでなるものである。
以下、本発明の実施形態による複数部材の摩擦摺動接合方法を、必要に応じて、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明による複数部材の摩擦摺動接合方法の好ましい一具体例を示すものである。この図1に示される複数部材の摩擦摺動接合方法は、金属表面を有する複数の部材(即ち、第一の部材10、第二の部材20、第三の部材30、第四の部材40)の重ね合わせ物Aを、この重ね合わせ物Aの重ね合わせ面に対して垂直方向に押圧を印加しつつ、重ね合わせ面に対して平行方向に往復的な微摺動を繰り返す一対の摩擦摺動治具(B1およびB2)の間に挟んで摩擦摺動に付すことによって、前記の複数の部材(即ち、第一の部材10、第二の部材20、第三の部材30、第四の部材40)を互いに接合する方法である。
第二の部材20が、前記の第一の部材10を実装させる基板であり、
第三の部材30が、前記の第一の部材10と前記の一対の摩擦摺動治具(B1、B2)のうちの片方の摩擦摺動治具(B1)との間に配置された軟質金属部材であり、
第四の部材が、前記の第一の部材と第二の部材との間に配置された軟質金属材料であり、さらに、
前記の重ね合わせ物Aを摩擦摺動に付した後の段階における、前記の第三の部材30の前記の往復的な微摺動αの方向に沿った方向の外形寸法nが、前記の第一の部材10の同方向(即ち、往復的な微摺動αの方向)における外形寸法mよりも大きくないこと、を特徴とする。
)の凹凸(B11)によって、第一の部材10の表面に設けられたAl電極11に傷が付いたり、場合によりAl電極11を貫通したり、さらには半導体13に局部的に過大な圧力を加えたりすることが予想されるが、本発明による摩擦摺動接合方法においては、この第三の部材30が、摩擦摺動治具(B1)の表面に存在する凹凸(B11)形状を吸収する層として機能することから、摩擦摺動に際して半導体13が損傷することが有効に防止されている。
本発明の実施形態による接合体は、上述した複数部材の摩擦摺動接合方法によって得られた接合体である。
第一の部材10が、表面にAl電極11を有しかつ裏面に金属薄膜層12を有する半導体13からなり、
第二の部材20が、第一の部材10を実装させる金属基板24(金属フレーム)であり、
第三の部材30が、摩擦摺動接合時に、前記の第一の部材10と前記の一対の摩擦摺動治具(B1、B2)(図示せず)のうちの片方の摩擦摺動治具(B1)との間に配置された軟質金属部材であり、
第四の部材が、前記の第一の部材と第二の部材との間に配置された軟質金属材料であり、さらに、
前記の第三の部材30が第一の部材10の表面のAl電極11と接続された電気回路の一部分として機能しうるようになっている、半導体素子である。
第一の部材10が、表面にAl電極11を有しかつ裏面に金属薄膜層12を有する半導体13からなり、
第二の部材20が、第一の部材10を実装させる基板(具体的には、第一の部材10の実装する表面側に金属層21を有し、かつ反対の裏面側面にも金属層22を有する絶縁基板23からなる基板)であり、
第三の部材30が、摩擦摺動接合時に、前記の第一の部材10と前記の一対の摩擦摺動治具(B1、B2)(図示せず)のうちの片方の摩擦摺動治具(B1)との間に配置された軟質金属部材であり、
第四の部材が、前記の第一の部材と第二の部材との間に配置された軟質金属材料であり、さらに、
前記の第三の部材30が第一の部材10の表面のAl電極11と接続された電気回路の一部分として機能しうるようになっている、半導体素子である。
図1に、本発明の摩擦摺動接合プロセスにおける被接合材および摩擦摺動治具の配置を示す。
摩擦摺動治具の凹凸の高さは80μmである。摩擦摺動治具加圧面の外形寸法は5×5mmであるが、そのうち凹凸が形成されている部分の外形寸法は4×4mmである。
実施例1で用いた凹凸吸収金属箔を使用しない図2の構成で接合を実施し、同様の評価を行った。
断面観察の結果、接合体の半導体部分に摩擦摺動治具の加圧方向に割れが発生している様子が観察された。摩擦摺動治具の凹凸の突起部の直下に見られていることから、治具突起との接触部で応力集中が発生したことによる割れであることが判明した。
実施例2で用いた摩擦摺動治具の凹凸形成部および凹凸吸収金属箔の外形寸法を6mm×6mmとして半導体外形寸法より大きくした図3の構成で接合を実施し、同様の評価を行った。
断面観察の結果、凹凸吸収箔に半導体全体が食い込んでしまっており、半導体側面の凹凸吸収層への食い込み部と食い込んでいない部分との境界部から、クラックが発生し、半導体がせん断破壊していることが明らかとなった。凹凸吸収箔が側面から半導体にせん断力を加えて破壊に至らしめるメカニズムであることが明白となった。
実施例1で用いた軟質金属箔を使用しない図4の構成で接合を実施し、同様の評価を行った。断面観察の結果、半導体側面から、クラックが発生し、半導体がせん断破壊していることが明らかとなった。半導体表面のAl電極層のみでは、摩擦摺動時のせん断力が十分緩和できないことが原因である。
実施例1で用いた軟質金属箔を10μmの厚さとした構成で接合を実施し、同様の評価を行った。断面観察の結果、接合体の半導体部および絶縁セラミックス部分には割れが発生していないことが明らかとなった。接合部を超音波探傷法で調べた結果、絶縁基板の金属回路と半導体裏面金属層とは99%の接合面積率で接合されていることが判明した。しかしながら、接合体を−40℃と200℃の間の熱サイクルを1000回印加した後超音波探傷法で再び接合面の状態を調べた結果、剥離が全接合面積の50%以上発生していることがわかった。
実施例1の接合構成において、半導体裏面にCuの薄膜層を設け、このCu薄膜層を形成した半導体および絶縁基板のCu回路基板を沸点直下に保持したギ酸に浸漬して、表面の酸化膜除去を行うとともにギ酸金属塩錯体の保護膜を形成して再酸化を防止したものを使用した。接合部の超音波探傷により、接合面積率は100%であることがわかった。接合体の表面を事前にギ酸処理で清浄化した状態で摩擦摺動接合を行うと、摩擦エネルギーによってギ酸金属塩錯体保護膜が分解して清浄面が露出し、酸化による非接合部を残すことなく完全に接合することができる。処理に使用するギ酸の代わりに酢酸を用いても同様の効果が得られる。また、浸漬する代わりに蒸気に曝す方法でも同様の効果が得られる。
摩擦摺動は半導体側、絶縁基板側のいずれか一方もしくは両側から印加しても本発明の効果は得られるが、両側から印加した方が、より低い摩擦摺動エネルギーにて効果が得られる。
以上詳述したように、本発明においては、まず加圧時に摩擦摺動治具の凹凸による破壊から半導体を保護するために、摩擦摺動治具と半導体との間に凹凸吸収金属箔を挿入している。この凹凸吸収金属箔と接する半導体の表面にはAl電極が配置されているが、凹凸吸収金属箔と摩擦摺動治具との接触部の外形寸法が半導体の外形寸法より大きくしてしまうと、凹凸吸収金属箔に半導体が食い込み、せん断力が半導体側面の表面近傍のみに集中してかかるため、半導体のせん断破壊が起こり易い。本発明では凹凸吸収金属箔と摩擦摺動治具との接触部の外形寸法を半導体の外形寸法より小さくすることで、このようなせん断破壊を避ける工夫を施し、隣接する摩擦摺動治具から受けるせん断力を半導体表面のAl電極によって吸収、緩和させている。
11 Al電極
12 金属薄膜層
13 半導体
20 第二の部材
21、22 金属層
23 絶縁基板
24 金属基板(金属フレーム)
25、26、27 配線
30 第三の部材
40 第四の部材
A 重ね合わせ物
B1、B2 摩擦摺動治具
60、61 半導体素子
Claims (11)
- 金属表面を有する複数の部材の重ね合わせ物を、この重ね合わせ物の重ね合わせ面に対して垂直方向に押圧を印加しつつ、重ね合わせ面に対して平行方向に往復的な微摺動を繰り返す一対の摩擦摺動治具の間に挟んで摩擦摺動に付すことによって、前記の複数の部材を互いに接合する方法であって、
前記の複数の部材のうちの、第一の部材が、表面にAl電極を有しかつ裏面に金属薄膜層を有する半導体からなり、
第二の部材が、前記の第一の部材を実装させる基板であり、
第三の部材が、前記の第一の部材と前記の一対の摩擦摺動治具のうちの片方の摩擦摺動治具との間に配置された軟質金属部材であり、
第四の部材が、前記の第一の部材と第二の部材との間に配置された軟質金属材料であり、さらに、
前記の重ね合わせ物を摩擦摺動に付した後の段階における、前記の第三の部材の前記の往復的な微摺動の方向に沿った方向の外形寸法が、前記の第一の部材の同方向における外形寸法よりも大きくないことを特徴とする、複数部材の摩擦摺動接合方法。 - 前記の重ね合わせ物を摩擦摺動に付す前の段階ならびに前記の重ね合わせ物を摩擦摺動に付した後の段階のいずれにおいても、前記の第三の部材の往復的な微摺動方向に沿った方向の外形寸法が、前記の第一の部材の同方向における外形寸法よりも大きくない、請求項1に記載の摩擦摺動接合方法。
- 前記の第四の部材が、Alを含む金属材料層からなる、請求項1または2に記載の複数部材の摩擦摺動接合方法。
- 前記の第三の部材が、前記の一対の摩擦摺動治具のうちの片方の摩擦摺動治具の表面に存在する凹凸を吸収する層として機能する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の複数部材の摩擦摺動接合方法。
- 前記の第三の部材が、Cuを含む金属材料層、あるいはCu層とAl層とを有するクラッド層である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の複数部材の摩擦摺動接合方法。
- 前記の半導体が、SiCである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の複数部材の摩擦摺動接合方法。
- 前記の金属表面を有する複数の部材のその金属表面の少なくとも一部分が、ギ酸または酢酸による表面処理に付されたものである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の複数部材の摩擦摺動接合方法。
- 前記の請求項1〜7のいずれか1項に記載の複数部材の摩擦摺動接合方法によって得られた接合体。
- 前記の第三の部材が、前記の第一の部材の表面のAl電極と接続された電気回路の一部分として機能しうる、請求項8に記載の接合体。
- 前記の第三の部材が、前記の第一の部材の表面のAl電極と、前記の第二の部材に存在するかあるいは存在しない配線ないし電気回路または電子素子とに接続された電気回路の一部分として機能しうる、請求項9に記載の接合体。
- 前記の請求項8〜10のいずれか1項に記載の接合体を含んでなる、半導体素子。
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