JP2016195111A - プロセス・ガスおよび冷却された表面を使用した荷電粒子ビーム処理 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 166
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 125
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 239
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 9
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001888 ion beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910015275 MoF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002389 environmental scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
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- H01J2237/2003—Environmental cells
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2444—Electron Multiplier
- H01J2237/24445—Electron Multiplier using avalanche in a gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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Abstract
Description
加工物の表面にプロセス・ガスを供給することと、
加工物の表面に向かって荷電粒子ビームを導くことと、
冷却された表面を処理室内に供給することと
を含み、冷却された表面の温度が、処理室から汚染物を除去するのには十分だが、プロセス・ガスを凝縮させるのには不十分な低温である
方法を提供する。
荷電粒子の源と、
荷電粒子を集束させる集束カラムと、
試料をガス環境中に閉じ込める処理室と、
処理室にプロセス・ガスを供給するガス源と、
処理室と集束カラムの間にあって、集束カラム内の圧力を処理室内の圧力よりも低く維持する少なくとも1つの圧力制限開口と、
処理室内のクライオトラップ表面を冷却する冷却器と
を備え、冷却されたクライオトラップ表面が、処理室環境から汚染物を凝縮させて、汚染物が試料の表面に吸着することを防ぐ
装置を提供する。
ガス源と処理室の間のガス管路と、
ガス管路内に配置された第2のクライオトラップ表面と
をさらに備える。
荷電粒子の源と、
荷電粒子を集束させる集束カラムと、
試料をガス環境中に閉じ込める処理室と、
加工物に向かってプロセス・ガスを導くガス源と、
処理室内のクライオトラップ表面を冷却する冷却器と、
荷電粒子ビーム装置を制御する制御装置と
を備え、制御装置が、加工物に向かってプロセス・ガスを導き、同時にクライオトラップを冷却するように構成されており、冷却されたクライオトラップ表面が、処理室環境から汚染物を凝縮させて、汚染物が試料の表面に吸着することを防ぐ
装置を提供する。
112 ガス管路コールド・トラップ
114 冷却器
116 試料室コールド・トラップ
118 冷却器
126 試料
128 真空室
130 荷電粒子カラム
146 試料ステージ
160 制御装置
162 メモリ
164 表示装置
Claims (32)
- 加工物を処理室内で荷電粒子ビーム処理する方法であって、
前記加工物の表面にプロセス・ガスを供給することと、
前記加工物の表面に向かって荷電粒子ビームを導くことと、
冷却された表面を前記処理室内に供給することと
を含み、前記冷却された表面の温度が、前記処理室から汚染物を除去するのには十分だが、前記プロセス・ガスを凝縮させるのには不十分な低温である
方法。 - 冷却された表面を前記処理室内に供給することが、前記プロセス・ガスの凝縮温度よりも摂氏30度未満だけ高い温度を有する表面を供給することを含む、請求項1に記載の方法。
- 冷却された表面を前記処理室内に供給することが、前記試料から熱的に分離された冷却された表面を供給することを含む、請求項1または2に記載の方法。
- プロセス・ガスを供給することが、前記荷電粒子ビームの存在下で前記加工物をエッチングしないプロセス・ガスを供給することを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- プロセス・ガスを供給することが、前記荷電粒子ビームの存在下で前記加工物の表面と反応しないが、ガス・カスケード増幅画像化において使用するのに十分な程度にイオン化可能である画像化ガスを供給することを含む、請求項4に記載の方法。
- プロセス・ガスを供給することが、付着前駆体ガスを供給することを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- プロセス・ガスを供給することが、エッチング前駆体ガスを供給することを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プロセス・ガスが、O2、N2O、H2、NH3、Cl2、HCl、NF3、Ar、He、Ne、Kr、XeまたはN2を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記冷却された表面の温度が−55℃よりも低い、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 冷却された表面を前記処理室内に供給することが、前記冷却された表面と熱接触した液体窒素の流れを制御することによって、前記冷却された表面の温度を制御することを含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加工物の表面にプロセス・ガスを供給することが、前記加工物の表面にプロセス・ガスの噴流を導くことを含み、前記処理室内のバックグラウンド圧力が10−7パスカルから10−2パスカルの間である、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加工物の表面に向かって荷電粒子ビームを導くことが、荷電粒子ビーム光学カラムを通して荷電粒子ビームを導くことを含み、前記加工物の表面にプロセス・ガスを供給することが、前記加工物を、10−1パスカルから104パスカルの間の圧力に維持された処理室内に保持することを含み、前記室が、前記処理室から前記荷電粒子ビーム光学カラムへのガス流を限定する圧力制限開口を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加工物の表面にプロセス・ガスを供給することが、10−1パスカルから104パスカルの間の圧力に維持された環境セルを備える処理室内に前記加工物を保持することを含み、前記環境セルが、荷電粒子ビーム・システムの試料室内に配置され、圧力制限開口によって前記試料室から分離された、請求項1から10および12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加工物の表面にプロセス・ガスを供給することが、ガス管路を通してガス源からプロセス・ガスを供給することを含み、前記方法が、前記ガス管路内に第2の冷却された表面を供給することをさらに含み、前記第2の冷却された表面が、前記ガス管路から汚染物を除去するのには十分だが、前記プロセス・ガスを凝縮させるのには不十分な低温である、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の冷却された表面の温度が−200℃から5℃の間である、請求項14に記載の方法。
- ガス・カスケード増幅を使用して前記加工物の画像を形成することをさらに含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加工物の表面にプロセス・ガスを供給することが、電子と反応すると分解して、前記加工物の表面に材料を付着させるか、または前記加工物の表面から材料をエッチングする分子からなるガスを供給することを含む、請求項1から3および5から16のいずれか一項に記載の方法。
- 試料を処理する荷電粒子ビーム装置であって、
荷電粒子の源と、
前記荷電粒子を集束させる集束カラムと、
試料をガス環境中に閉じ込める処理室と、
前記処理室にプロセス・ガスを供給するガス源と、
前記処理室と前記集束カラムの間にあって、前記集束カラム内の圧力を前記処理室内の圧力よりも低く維持する少なくとも1つの圧力制限開口と、
前記処理室内のクライオトラップ表面を冷却する冷却器と
を備え、冷却された前記クライオトラップ表面が、前記処理室の環境から汚染物を凝縮させて、前記汚染物が前記試料の表面に吸着することを防ぐ
装置。 - 試料真空室を含み、前記処理室が、前記試料室内に配置された環境セルを備え、前記環境セルと前記試料室の間に少なくとも1つの圧力制限開口が配置された、請求項18に記載の装置。
- 前記集束カラムから真空分離可能な試料真空室を含み、前記処理室が前記試料室を備える、請求項18に記載の装置。
- 前記試料室が、シンチレータ光電子増倍管検出器を含む、請求項20に記載の装置。
- 前記試料室が固体検出器を含む、請求項20または21に記載の装置。
- 前記試料室が、電子後方散乱回折パターンを発生させるために使用される検出器を含む、請求項20から22のいずれか一項に記載の装置。
- 前記試料室がX線検出器を含む、請求項20から23のいずれか一項に記載の装置。
- 前記試料室が、ガス・カスケード増幅検出器を含む環境制御型走査電子顕微鏡試料真空室である、請求項20から24のいずれか一項に記載の装置。
- 前記冷却器が液体窒素の源を備える、請求項18から25のいずれか一項に記載の装置。
- 前記冷却器が熱電気式冷却器を備える、請求項18から25のいずれかに一項記載の装置。
- 前記ガス源が、荷電粒子ビームの存在下で炭素をエッチングしない画像化ガスの源を備える、請求項18から27のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ガス源が、O2、N2O、H2、NH3、Cl2、HCI、NF3、Ar、He、Ne、Kr、XeまたはN2の源を備える、請求項18から28のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ガス源と前記処理室の間のガス管路と、
前記ガス管路内に配置された第2のクライオトラップ表面と
をさらに備える、請求項18から29のいずれか一項に記載の装置。 - 前記第2のクライオトラップ表面を冷却する第2の冷却器をさらに備える、請求項30に記載の装置。
- 試料を処理する荷電粒子ビーム装置であって、
荷電粒子の源と、
前記荷電粒子を集束させる集束カラムと、
試料をガス環境中に閉じ込める処理室と、
前記加工物に向かってプロセス・ガスを導くガス源と、
前記処理室内のクライオトラップ表面を冷却する冷却器と、
前記荷電粒子ビーム装置を制御する制御装置と
を備え、前記制御装置が、前記加工物に向かってプロセス・ガスを導き、同時に前記クライオトラップを冷却するように構成されており、冷却された前記クライオトラップ表面が、前記処理室環境から汚染物を凝縮させて、前記汚染物が前記試料の表面に吸着することを防ぐ
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/674,558 US9799490B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Charged particle beam processing using process gas and cooled surface |
US14/674,558 | 2015-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016195111A true JP2016195111A (ja) | 2016-11-17 |
JP6765832B2 JP6765832B2 (ja) | 2020-10-07 |
Family
ID=55637264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016062904A Active JP6765832B2 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-26 | プロセス・ガスおよび冷却された表面を使用した荷電粒子ビーム処理 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9799490B2 (ja) |
EP (1) | EP3076421A1 (ja) |
JP (1) | JP6765832B2 (ja) |
CN (1) | CN106024563B (ja) |
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Families Citing this family (8)
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US10176983B1 (en) | 2017-10-11 | 2019-01-08 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Charged particle induced deposition of boron containing material |
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-
2016
- 2016-03-26 JP JP2016062904A patent/JP6765832B2/ja active Active
- 2016-03-29 EP EP16162513.2A patent/EP3076421A1/en not_active Withdrawn
- 2016-03-30 CN CN201610189965.9A patent/CN106024563B/zh active Active
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JP6765832B2 (ja) | 2020-10-07 |
EP3076421A1 (en) | 2016-10-05 |
CN106024563A (zh) | 2016-10-12 |
US20160293380A1 (en) | 2016-10-06 |
US9799490B2 (en) | 2017-10-24 |
CN106024563B (zh) | 2020-05-05 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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