JP2016194463A - 流量センサ - Google Patents
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Abstract
微細化されたLSIと複合化しても電力の低下を抑制し、高感度の流量センサを提供すること
【解決手段】
基板に薄肉部が形成され前記薄肉部に電流を流すことにより発熱する抵抗体と、前記発熱抵抗体よりも流体の流れ方向の上流側と下流側に熱電対が配置され、前記上流側熱電対と下流側熱電対の熱起電力の差を流量信号とした流量センサにおいて、前記熱電対は、ポリシリコンと金属の接点で構成され、前記発熱抵抗体は、前記ポリシリコンよりも抵抗率が低い構成からなる。
【選択図】 図1
Description
200a,200b・・・温度差センサ
300・・・加熱抵抗体
400・・・温度差センサ信号取り出し配線
500・・・増幅器
10・・・シリコン基板
20・・・シリコン酸化膜
21・・・CVD絶縁膜
22・・・CVD絶縁膜
23・・・CVD絶縁膜
30・・・ポリシリコン
35・・・チタンシリサイド
40・・・タングステン
50・・・アルミ
Claims (6)
- 基板に薄肉部が形成され前記薄肉部に電流を流すことにより発熱する抵抗体と、前記発熱抵抗体よりも流体の流れ方向の上流側と下流側に熱電対が配置され、前記上流側熱電対と下流側熱電対の熱起電力の差を流量信号とした流量センサにおいて、
前記熱電対は、ポリシリコンと金属の接点で構成され、
前記発熱抵抗体は、前記ポリシリコンよりも抵抗率が低いことを特徴とする流量センサ。 - 請求項1に記載の熱式流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体は、金属で形成したことを特徴とする流量センサ。 - 請求項1に記載の熱式流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体は、金属シリサイドで形成したことを特徴とする流量センサ。 - 請求項1に記載の熱式流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体は、チタン、チタンナイトライド、タングステン、タングステンナイトライド、ニッケル、モリブデン等の高融点金属で形成したことを特徴とする流量センサ。 - 請求項1に記載の熱式流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体は、チタンシリサイド、タングステンシリサイド、ニッケルシリサイド、モリブデンシリサイドのいずれかまたは、これらの組み合わせで形成したことを特徴とする熱式空気流量センサ。 - 請求項5に記載の熱式流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体は、前記熱電対を構成するポリシリコン層をシリサイド化して形成することを特徴とする流量センサ。
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