JP2016190757A - ZnO−MgO系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1)MgをMgO換算で3〜50mol%含有し、残部がZnO及び不可避的不純物からなり、X線回折ピークにおいて、ZnO−MgO焼結体でのMgO相(200)のピーク強度をI1とし、焼結体中のMgとZnの比と同等の比となるZnO粉とMgO粉の混合粉(いずれもランダム方位を持つ)でのMgO相(200)のピーク強度をI2とした場合、0.01≦I1/I2≦1.00を満たすことを特徴とするZnO−MgO系焼結体。
2)MgO相の最大結晶粒径が5〜90μm以下であることを特徴とする上記1)記載のZnO−MgO系焼結体。
3)比抵抗が50kΩcm以上であることを特徴とする上記1)又は2)記載のZnO−MgO系焼結体。
4)相対密度が90%以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のZnO−MgO系焼結体。
5)上記1)〜4)のいずれか一に記載のZnO−MgO系焼結体から作製されるスパッタリングターゲット。
6)上記5)記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法で作製される薄膜であって、作製した薄膜の膜抵抗が103〜104Ωcmであることを特徴とするZnO−MgO系薄膜。
7)最大粒径5〜90μmのMgO粉と最大粒径5〜90μmのZnO粉とを、MgOが3〜50mol%、残部ZnOとなるように秤量した後、これらを乾式混合し、その後、この混合粉を、アルゴン雰囲気中、温度800〜1300℃、プレス圧力250〜350kgf/cm2、保持時間1〜3時間、焼結することを特徴とするZnO−MgO系焼結体の製造方法。
8)昇温温度1〜20℃/minで焼結することを上記7)記載のZnO−MgO系焼結体の製造方法。
相対密度(%)={(焼結体密度)/(理論密度)}×100
前記焼結体密度は、焼結体の寸法をノギスで測長し、その体積と測定重量から算出する。また、前記理論密度は、下記の通り、原料の単体密度それぞれに混合質量比を掛け、得られた値の総和とする。
理論密度=Σ{(ZnOの理論密度×混合質量比)+(MgOの理論密度×混合質量比)}
まず、最大粒径5〜90μmのMgO粉と最大粒径5〜90μmのZnO粉を用意し、所定の組成となるように調合する。このように、MgO粉の比較的粗い粉を用いることで、大気との反応による変質を防ぐことができ、さらにMgOの固溶を抑制することができる。次に、MgO粉とZnO粉を乾式にて均一に混合する。このとき、MgOの凝集体を残すように比較的緩やかに混合することが重要であり、これにより、MgOの固溶を抑制することができる。また、MgO粉は吸湿等により、Mg(OH)2やMgCO3を形成するため、湿式混合を避けることが好ましい。
ZnO粉、MgO粉を、焼結体組成がZnO:85mol%、MgO:15mol%となるように秤量した。MgO原料は、保管中に大気との反応を防止するため、また焼結中にZnOとの反応を防止するため、最大粒径が90μmのものを選定した。ZnO原料は、最大粒径が5μmのものを選定した。次に、これら原料粉末をスーパーミキサーにて、2000rpm、10分間保持して乾式混合した。混合後、アルゴン雰囲気中、昇温速度5℃/分、最終到達温度1300℃、プレス圧力300kgf/cm2にてホットプレスした。
原料であるMgO粉の最大粒径を50μmとした以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は41.25μmであり、相対密度は97%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.16であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。そのとき、スパッタレートは0.81Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmとなり、良好な結果が得られた。
原料であるMgO粉の最大粒径を8μmとした以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は6.00μmであり、相対密度は98%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.13であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。そのとき、スパッタレートは0.76Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmとなり、良好な結果が得られた。
ZnO粉、MgO粉を、焼結体組成がZnO:97mol%、MgO:3mol%となるように秤量した以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は88.50μmであり、相対密度は99%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.01であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。そのとき、スパッタレートは0.66Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmとなり、良好な結果が得られた。
ZnO粉、MgO粉を、焼結体組成がZnO:50mol%、MgO:50mol%となるように秤量した以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は90.25μmであり、相対密度は90%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.66であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは1.27Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmとなり、良好な結果が得られた。
焼結温度を1000℃に変更した以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は87.00μmであり、相対密度は96%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.95であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。そのとき、スパッタレートは1.78Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmとなり、良好な結果が得られた。
焼結温度を1000℃に変更した以外は、実施例2と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は41.00μmであり、相対密度は97%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.81であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。そのとき、スパッタレートは1.49Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmとなり、良好な結果が得られた。
原料となるZnO粉とMgO粉を混合後、1400℃での仮焼した後、ボールミルでの湿式粉砕を行った以外は、実施例1と同様の条件にて焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は87.00μmであり、相対密度は96%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.00であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.46Å/秒、膜抵抗は1×103〜104Ωcmであった。
ホットプレスの温度を1400℃とした以外は、実施例1と同様の条件にて焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は88.75μmであり、相対密度は96%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.005であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.41Å/秒、膜抵抗は1×107〜108Ωcmであった。
原料であるMgO粉の最大粒径を5μmとした以外は、実施例1と同様の条件にて焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は4.00μmであり、相対密度は99%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.008であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.43Å/秒、膜抵抗は1×107〜108Ωcmであった。
原料であるMgO粉の最大粒径を100μmとした以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は95.75μmであり、相対密度は96%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.21であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.82Å/秒、膜抵抗は1×107〜108Ωcmであった。
ZnO粉、MgO粉を、焼結体組成がZnO:98mol%、MgO:2mol%となるように秤量した以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は88.50μmであり、相対密度は98%、抵抗率は45kΩcmであった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.007であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.57Å/秒、膜抵抗は1×101〜102Ωcmであった。
ZnO粉、MgO粉を、焼結体組成がZnO:49mol%、MgO:51mol%となるように秤量した以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は89.25μmであり、相対密度は90%、抵抗率は48kΩcmであった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.05であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.54Å/秒、膜抵抗は1×107〜108Ωcmであった。
ホットプレスでのプレス圧力を150kgf/cm2に変更した以外は、実施例1と同様の条件で焼結体を作製した。このようにして作製した焼結体を評価した結果、MgO相の最大結晶粒径は86.25μmであり、相対密度は85%、抵抗率は50kΩcm超であった。また、X線回折ピーク強度比I1/I2は0.23であった。また、残部の焼結体から作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施し、シリコン基板上に成膜した。このとき、スパッタレートは0.90Å/秒、膜抵抗は1×101〜104Ωcmと安定しなかった。
Claims (8)
- MgをMgO換算で3〜50mol%含有し、残部がZnO及び不可避的不純物からなり、X線回折ピークにおいて、ZnO−MgO焼結体でのMgO相(200)のピーク強度をI1とし、焼結体中のMgとZnの比と同等の比となるZnO粉とMgO粉の混合粉(いずれもランダム方位を持つ)でのMgO相(200)のピーク強度をI2とした場合、0.01≦I1/I2≦1.00を満たすことを特徴とするZnO−MgO系焼結体。
- MgO相の最大結晶粒径が5〜90μm以下であることを特徴とする請求項1記載のZnO−MgO系焼結体。
- 比抵抗が50kΩcm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のZnO−MgO系焼結体。
- 相対密度が90%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のZnO−MgO系焼結体。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のZnO−MgO系焼結体から作製されるスパッタリングターゲット。
- 請求項5記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法で作製される薄膜であって、作製した薄膜の膜抵抗が103〜104Ωcmであることを特徴とするZnO−MgO系薄膜。
- 最大粒径5〜90μmのMgO粉と最大粒径5〜90μmのZnO粉とを、MgOが3〜50mol%、残部ZnOとなるように秤量した後、これらを乾式混合し、その後、この混合粉を、アルゴン雰囲気中、温度800〜1300℃、プレス圧力250〜350kgf/cm2、保持時間1〜3時間で、焼結することを特徴とするZnO−MgO系焼結体の製造方法。
- 昇温温度1〜20℃/minで焼結することを請求項7記載のZnO−MgO系焼結体の製造方法。
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