JP2016184768A - Wiring board manufacturing method - Google Patents
Wiring board manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016184768A JP2016184768A JP2016145021A JP2016145021A JP2016184768A JP 2016184768 A JP2016184768 A JP 2016184768A JP 2016145021 A JP2016145021 A JP 2016145021A JP 2016145021 A JP2016145021 A JP 2016145021A JP 2016184768 A JP2016184768 A JP 2016184768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- insulating layer
- conductor
- wiring
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
本発明は、半導体素子を搭載するための配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board for mounting a semiconductor element.
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように、小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されている。これに伴い、電子機器に搭載される半導体装置も小型・高密度化が要求さている。そのため、半導体装置を構成する配線基板にも小型化・薄型化・多端子化が求められてきている。それを実現するために配線基板における信号配線等の配線の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線の多層化により配線基板の高密度配線化が図られている。 Generally, current electronic devices are required to be small, thin, lightweight, high performance, high function, high quality, and high reliability, as represented by mobile communication devices. Along with this, semiconductor devices mounted on electronic devices are also required to be small and high density. Therefore, miniaturization / thinning / multi-terminals are also demanded for wiring boards constituting semiconductor devices. In order to realize this, the wiring board such as the signal wiring in the wiring board is narrowed and the interval between the wirings is narrowed, and further, the wiring board has a high density by increasing the number of wirings.
このような高密度配線が可能な配線基板として、ビルドアップ法を採用して製作された多層配線基板が知られている。ビルドアップ法は、まず、図4(a)に示すように、ガラスクロスやアラミド不布織等の補強材に熱硬化性樹脂を含浸させて複合化したコア用の絶縁層11上に銅箔や銅めっき層から成るコア用の配線導体12を形成する。次に、図4(b)に示すように、その上にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るビルドアップ用の絶縁層13を積層するとともに絶縁層13にビアホール14を形成する。次に、図4(c)に示すように、その上にビルドアップ用の配線導体15を例えばセミアディティブ法により形成する。さらに図4(d)に示すように、必要に応じてその上にビルドアップ用の絶縁層13とビルドアップ用の配線導体層15を交互に積層していく方法である。 As a wiring board capable of such high-density wiring, a multilayer wiring board manufactured by adopting a build-up method is known. In the build-up method, first, as shown in FIG. 4 (a), a copper foil is formed on the insulating layer 11 for the core, which is made by impregnating a reinforcing material such as glass cloth or aramid nonwoven fabric with a thermosetting resin. The core wiring conductor 12 made of copper or a copper plating layer is formed. Next, as shown in FIG. 4B, a build-up insulating layer 13 made of a thermosetting resin such as an epoxy resin is laminated thereon and a via hole 14 is formed in the insulating layer 13. Next, as shown in FIG. 4C, a buildup wiring conductor 15 is formed thereon by, for example, a semi-additive method. Further, as shown in FIG. 4 (d), a build-up insulating layer 13 and a build-up wiring conductor layer 15 are alternately laminated thereon as necessary.
なお、セミアディティブ法は、まず、図5(a)に示すように、絶縁層13の表面に例えば無電解銅めっき法により0.1〜1μm程度の下地金属膜15aを形成する。次に、図5(b)に示すように、下地金属膜15a上にビルドアップ用の配線導体15のパターンに対応する開口部16aを有するめっきレジスト層16を形成する。次に、図5(c)に示すように、開口部16a内の下地金属膜15a上に例えば電解銅めっき法により主導体層15bを形成する。そして最後に、図5(d)に示すように、めっきレジスト層16を除去するとともに主導体層15bから露出する下地金属膜15aをエッチング除去することにより下地金属膜15aおよび主導体層15bから成る配線導体15を形成する方法である。 In the semi-additive method, first, as shown in FIG. 5A, a base metal film 15a of about 0.1 to 1 μm is formed on the surface of the insulating layer 13 by, for example, an electroless copper plating method. Next, as shown in FIG. 5B, a plating resist layer 16 having openings 16a corresponding to the pattern of the build-up wiring conductor 15 is formed on the base metal film 15a. Next, as shown in FIG. 5C, the main conductor layer 15b is formed on the base metal film 15a in the opening 16a by, for example, electrolytic copper plating. Finally, as shown in FIG. 5 (d), the plating resist layer 16 is removed and the base metal film 15a exposed from the main conductor layer 15b is removed by etching to form the base metal film 15a and the main conductor layer 15b. This is a method of forming the wiring conductor 15.
このような配線基板における配線導体12および配線導体15は、図6に示すように、電源導体Pと信号配線Sとに分かれている。なお、電源導体Pには接地電位に接続されるものや、接地電位とは異なる電源電位に接続されるものが存在する。このうち電源導体Pは、配線基板に実装される半導体素子に電源電位や接地電位を供給するために機能する。これらの電源導体Pは、絶縁層11上や絶縁層13上の広い領域を占めるベタ状パターンから構成されている。また、信号配線Sは、電気信号を伝播させるために機能する。信号配線Sは、絶縁層13上を延在する細い帯状パターンから構成されている。なお、同一絶縁層13上における信号配線Sの周囲には電源導体Pが信号配線Sを所定の間隔をあけて取り囲むように配置されている。また、信号配線Sが形成された絶縁層13の上下の絶縁層11や絶縁層13上には信号配線Sと対向するように電源導体Pが配置されている。これにより信号配線Sは、電磁的にシールドされるとともに所定の特性インピーダンスが付与されることになる。 The wiring conductor 12 and the wiring conductor 15 in such a wiring board are divided into a power supply conductor P and a signal wiring S as shown in FIG. Note that there are power supply conductors P that are connected to a ground potential and those that are connected to a power supply potential different from the ground potential. Among these, the power supply conductor P functions to supply a power supply potential and a ground potential to a semiconductor element mounted on the wiring board. These power supply conductors P are composed of a solid pattern that occupies a wide area on the insulating layer 11 or the insulating layer 13. Further, the signal wiring S functions to propagate an electrical signal. The signal wiring S is composed of a thin strip pattern extending on the insulating layer 13. A power supply conductor P is disposed around the signal wiring S on the same insulating layer 13 so as to surround the signal wiring S with a predetermined interval. A power supply conductor P is disposed on the upper and lower insulating layers 11 and the insulating layer 13 of the insulating layer 13 on which the signal wiring S is formed so as to face the signal wiring S. As a result, the signal wiring S is electromagnetically shielded and given a predetermined characteristic impedance.
なお、ビルドアップ用の絶縁層13を挟んで上下に位置するビルドアップ用の配線導体15同士およびビルドアップ用の配線導体15とコア用の配線導体12とは、その絶縁層13に設けられたビアホール14に充填されたビア導体17により接続されている。このようなビア導体17は、ビルドアップ用の絶縁層13上にビルドアップ用の配線導体15を形成する際にその配線導体15と一体的に同時に形成される。また、このビア導体17には、直径が80〜150μmの円形のビアランド18が付設されている。そして、信号用のビアランド18とその周囲を取り囲む電源導体Pとの間、および電源用のビアランド18とこれらを取り囲む他の電源導体Pとの間には、幅が30〜100μm程度のクリアランスCが形成されている。 The buildup wiring conductors 15 positioned above and below the buildup insulating layer 13 and the buildup wiring conductor 15 and the core wiring conductor 12 are provided in the insulating layer 13. The via holes 14 are connected by via conductors 17 filled therein. The via conductor 17 is formed integrally with the wiring conductor 15 at the same time when the wiring conductor 15 for buildup is formed on the insulating layer 13 for buildup. The via conductor 17 is provided with a circular via land 18 having a diameter of 80 to 150 μm. A clearance C having a width of about 30 to 100 μm is formed between the signal via land 18 and the power supply conductor P surrounding the periphery thereof and between the power supply via land 18 and the other power supply conductor P surrounding them. Is formed.
さらに、電源導体Pのベタパターンには、絶縁層13の樹脂が硬化する際に発生するガスを逃すために格子状に配列された方形の開口部Aが設けられている。このような格子状に配列された開口部Aは、配線基板を平面視した時に、電源導体Pのうち、信号配線Sと対向しない領域の全面にわたって略均一に配列されている。開口部Aは一辺が100〜300μm程度の正方形であり、300〜1000μmのピッチで格子状に配列されている。 Further, the solid pattern of the power supply conductor P is provided with rectangular openings A arranged in a lattice pattern so as to escape the gas generated when the resin of the insulating layer 13 is cured. The openings A arranged in such a grid are arranged substantially uniformly over the entire surface of the power supply conductor P not facing the signal wiring S when the wiring board is viewed in plan. The openings A are squares having a side of about 100 to 300 μm, and are arranged in a lattice pattern at a pitch of 300 to 1000 μm.
しかしながら、従来の配線基板では、これを平面視した時に、開口部Aが信号配線Sと対向しないように配置されているものの、上層のクリアランスCに対してはその形成位置が特に考慮されていなかった。そのため、開口部Aによっては、上層のクリアランスCと重なる位置に形成されることがあった。 However, in the conventional wiring board, the opening A is arranged so as not to face the signal wiring S when viewed in plan, but the formation position is not particularly taken into consideration for the clearance C of the upper layer. It was. Therefore, depending on the opening A, it may be formed at a position overlapping the clearance C of the upper layer.
ところで、開口部Aを有する配線導体12や配線導体15上にビルドアップ用の絶縁層13を形成する場合、図7(a)に示すように、絶縁層13は、配線導体12や配線導体15の凹凸に追従して開口部Aに対応する部位が若干凹んだ状態となる。そのため、この開口部Aに追従して凹んだ位置に上層のクリアランスCを形成しようとすると、図7(b)に示すように、めっきレジスト層16が開口部Aに対応する位置で下地金属膜15aに十分に密着せずに浮いた状態となることがある。このようにめっきレジスト層16が浮いた状態になると、図7(c)に示すように、開口部16a内の下地金属膜15a上に主導体層15bを形成する際に、主導体層15bの一部がめっきレジスト層16と下地金属膜15aとの隙間に入り込んで形成される。その結果、図7(d)に示すように、クリアランスCの部分に主導体層15bが残ってしまい、これが信号配線Sと電源導体Pとの間または異なる電源導体P同士の間に電気的な短絡を引き起こしてしまう。 By the way, when the insulating layer 13 for buildup is formed on the wiring conductor 12 or the wiring conductor 15 having the opening A, the insulating layer 13 is formed of the wiring conductor 12 or the wiring conductor 15 as shown in FIG. The part corresponding to the opening A follows a slightly concave and convex shape. Therefore, if an upper layer clearance C is formed at a position recessed following the opening A, the underlying metal film is formed at a position where the plating resist layer 16 corresponds to the opening A as shown in FIG. It may be in a floating state without sufficiently adhering to 15a. When the plating resist layer 16 is in a floating state in this manner, as shown in FIG. 7C, when the main conductor layer 15b is formed on the base metal film 15a in the opening 16a, the main conductor layer 15b A part thereof is formed so as to enter the gap between the plating resist layer 16 and the base metal film 15a. As a result, as shown in FIG. 7D, the main conductor layer 15b remains in the clearance C, which is electrically connected between the signal wiring S and the power supply conductor P or between different power supply conductors P. It will cause a short circuit.
本発明の課題は、クリアランス部において信号配線と電源導体との間、または異なる電源導体同士の間が電気的に短絡することのない配線基板を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a wiring board that does not cause an electrical short circuit between a signal wiring and a power supply conductor or between different power supply conductors in a clearance portion.
本発明の配線基板の製造方法は、下層の絶縁層上に、一辺の長さが100〜300μmである方形のガス抜き用の開口部が300〜1000μmの配列ピッチで格子状に複数形成された下層の電源導体を形成する工程と、前記下層の絶縁層上に前記下層の電源導体を覆うように上層の絶縁層を積層する工程と、該上層の絶縁層上に直径が80〜150μmの円形のビアランドおよび該ビアランドの周囲を幅が30〜100μmのクリアランスを介して取り囲むように配置された上層の電源導体をセミアディティブ法により形成する工程と、を行う配線基板の製造方法であって、前記開口部と前記クリアランスとを、互いに上下に対向することがないように配置することを特徴とするものである。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a plurality of rectangular gas vent openings having a side length of 100 to 300 μm are formed in a lattice pattern at an arrangement pitch of 300 to 1000 μm on a lower insulating layer. Forming a lower power conductor, laminating an upper insulating layer on the lower insulating layer so as to cover the lower power conductor, and a circular shape having a diameter of 80 to 150 μm on the upper insulating layer And a step of forming, by a semi-additive method, an upper layer power supply conductor disposed so as to surround the via land with a clearance of 30 to 100 μm in width. The opening and the clearance are arranged so as not to face each other vertically.
本発明の配線基板の製造方法によると、下層の電源導体に形成された開口部と、上層のビアランドおよび上層の電源導体間に形成されたクリアランスとは、互いに上下に重ならない位置に配置することから、上層の絶縁層上にセミアディティブ法により上層のビアランドおよび電源導体を形成する際に、クリアランスを形成する部位の上層の絶縁層が凹むことがなく、それにより信号配線と電源導体との間または異なる電源導体同士の間が電気的に短絡することのない配線基板を提供することができる。 According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the opening formed in the lower power conductor and the clearance formed between the upper via land and the upper power conductor are arranged so as not to overlap each other. Therefore, when forming the upper via land and the power conductor on the upper insulating layer by the semi-additive method, the upper insulating layer where the clearance is to be formed is not recessed, so that there is no gap between the signal wiring and the power conductor. Alternatively, it is possible to provide a wiring board in which different power supply conductors are not electrically short-circuited.
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明する。本例により製造される配線基板は、図1に示すように、コア用の絶縁層1と、ビルドアップ用の絶縁層2とを備えている。そして、その上面中央部に半導体素子Sが搭載される。また、その下面は外部電気回路基板に接続するための接続面となっている。なお、この例では、1層のコア用の絶縁層1の上下にそれぞれ2層ずつのビルドアップ用の絶縁層2が積層された例を示している。コア用の絶縁層1は、2層以上が積層されたものであってもよい。また絶縁層1の上下面に積層されるビルドアップ用の絶縁層2もそれぞれ1層ずつや3層以上ずつであってもよい。 Next, an example of an embodiment in the method for manufacturing a wiring board of the present invention will be described. As shown in FIG. 1, the wiring board manufactured according to this example includes a core insulating layer 1 and a buildup insulating layer 2. And the semiconductor element S is mounted in the center part of the upper surface. The lower surface serves as a connection surface for connection to an external electric circuit board. In this example, two layers of build-up insulating layers 2 are stacked on the upper and lower sides of one core insulating layer 1. The core insulating layer 1 may be a laminate of two or more layers. Further, the build-up insulating layers 2 laminated on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1 may be one layer or three layers or more.
コア用の絶縁層1には、その上面から下面にかけて貫通する複数のスルーホール3が形成されている。コア用の絶縁層1の上下面およびスルーホール3の内壁にはコア用の配線導体4が被着形成されている。絶縁層1の上下面に被着された配線導体4同士はスルーホール3を介して電気的に接続している。 The core insulating layer 1 is formed with a plurality of through holes 3 penetrating from the upper surface to the lower surface. A core wiring conductor 4 is formed on the upper and lower surfaces of the core insulating layer 1 and the inner wall of the through hole 3. The wiring conductors 4 deposited on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1 are electrically connected through the through hole 3.
コア用の絶縁層1は、例えばガラス繊維束を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂系の絶縁材料から成る。コア用の絶縁層1の厚みは0.3〜1.5mm程度である。スルーホール3の直径は0.1〜0.3mm程度である。なお、スルーホール3の内部は図示しない孔埋め樹脂により充填されている。 The core insulating layer 1 is made of, for example, a resin-based insulating material in which a glass fabric in which glass fiber bundles are woven vertically and horizontally is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The thickness of the core insulating layer 1 is about 0.3 to 1.5 mm. The diameter of the through hole 3 is about 0.1 to 0.3 mm. The inside of the through hole 3 is filled with a hole filling resin (not shown).
コア用の配線導体4は、銅箔や銅めっき層から成る。配線導体4の厚みは5〜50μm程度である。絶縁層1上下面の配線導体4は、絶縁層1の上下全面に厚みが3〜20μm程度の銅箔を張り付けておくとともに、この銅箔上に必要に応じて銅めっき層を被着させた後、周知のサブトラクティブ法を用いて所定のパターンにエッチングすることによって形成される。また、スルーホール3内の配線導体4は、スルーホール3内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。 The core wiring conductor 4 is made of a copper foil or a copper plating layer. The thickness of the wiring conductor 4 is about 5 to 50 μm. The wiring conductor 4 on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1 has a copper foil having a thickness of about 3 to 20 μm attached to the entire upper and lower surfaces of the insulating layer 1, and a copper plating layer is deposited on the copper foil as necessary. After that, it is formed by etching into a predetermined pattern using a known subtractive method. The wiring conductor 4 in the through hole 3 is formed by depositing a copper plating film having a thickness of about 3 to 50 μm on the inner surface of the through hole 3 by an electroless plating method and an electrolytic plating method.
ビルドアップ用の絶縁層2には、複数のビアホール5が形成されている。絶縁層2の表面にはビルドアップ用の配線導体6が被着されている。またビアホール5の内部はビア導体7で充填されている。 A plurality of via holes 5 are formed in the build-up insulating layer 2. A build-up wiring conductor 6 is attached to the surface of the insulating layer 2. The via hole 5 is filled with a via conductor 7.
ビルドアップ用の絶縁層2は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化珪素粉末等の無機絶縁物フィラーを30〜70質量%程度分散させた絶縁材料から成る。絶縁層2の厚みは、それぞれ20〜60μm程度である。ビアホール5の直径は30〜100μm程度である。絶縁層2は、厚みが20〜60μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂から成る絶縁フィルムを絶縁板1の上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工によりビアホール5を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層2を順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層2の表面およびビアホール5内に被着された配線導体6およびビア導体7は、各絶縁層2を形成する毎に絶縁層2の表面およびビアホール5内に5〜50μm程度の厚みの銅めっき膜を公知のセミアディティブ法により所定のパターンに被着させることによって形成される。 The build-up insulating layer 2 is made of an insulating material in which an inorganic insulating filler such as silicon oxide powder is dispersed in an amount of about 30 to 70% by mass in a thermosetting resin such as an epoxy resin. Each of the insulating layers 2 has a thickness of about 20 to 60 μm. The diameter of the via hole 5 is about 30 to 100 μm. The insulating layer 2 has an insulating film made of an uncured thermosetting resin having a thickness of about 20 to 60 μm attached to the upper and lower surfaces of the insulating plate 1 and thermally cured, and the via hole 5 is drilled by laser processing. Further, it is formed by sequentially stacking the next insulating layers 2 thereon in the same manner. The wiring conductor 6 and the via conductor 7 deposited on the surface of each insulating layer 2 and the via hole 5 are about 5 to 50 μm in the surface of the insulating layer 2 and the via hole 5 every time each insulating layer 2 is formed. It is formed by depositing a copper plating film having a thickness in a predetermined pattern by a known semi-additive method.
さらに、最表層の絶縁層2および配線導体6の表面にはソルダーレジスト層8が被着されている。ソルダーレジスト層8は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等のフィラーを含有させて成る。ソルダーレジスト層8の厚みは10〜50μm程度である。ソルダーレジスト8は、感光性を有する未硬化の樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して配線導体6を有する最表層の絶縁層2の上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なった後、熱硬化させることによって形成される。 Further, a solder resist layer 8 is deposited on the surfaces of the outermost insulating layer 2 and the wiring conductor 6. The solder resist layer 8 is formed, for example, by adding a filler such as silica or talc to a thermosetting resin such as an acrylic-modified epoxy resin. The thickness of the solder resist layer 8 is about 10 to 50 μm. The solder resist 8 is a non-cured resin paste having photosensitivity, applied to the outermost insulating layer 2 having the wiring conductor 6 by using a roll coater method or a screen printing method, and dried. The film is formed by heat curing after exposure and development.
ところで、本例により製造される配線基板における配線導体4および配線導体6は、図2に示すように、電源導体Pと信号配線Sとに分かれている。なお、電源導体Pには接地電位に接続されるものや、接地電位とは異なる電源電位に接続されるものが存在する。このうち電源導体Pは、配線基板に実装される半導体素子に電源電位や接地電位を供給するために機能する。これらの電源導体Pは、絶縁層1上や絶縁層2上の広い領域を占めるベタ状パターンから構成されている。また、信号配線Sは、電気信号を伝播させるために機能する。信号配線Sは、絶縁層2上を延在する細い帯状パターンから構成されている。なお、同一絶縁層2上における信号配線Sの周囲には電源導体Pが信号配線Sを所定の間隔をあけて取り囲むように配置されている。また、信号配線Sが形成された絶縁層2の上下の絶縁層1や絶縁層2上には信号配線Sと対向するように電源導体Pが配置されている。これにより信号配線Sは、電磁的にシールドされるとともに所定の特性インピーダンスが付与されることになる。 By the way, the wiring conductor 4 and the wiring conductor 6 in the wiring board manufactured by this example are divided into the power supply conductor P and the signal wiring S, as shown in FIG. Note that there are power supply conductors P that are connected to a ground potential and those that are connected to a power supply potential different from the ground potential. Among these, the power supply conductor P functions to supply a power supply potential and a ground potential to a semiconductor element mounted on the wiring board. These power supply conductors P are formed of a solid pattern that occupies a wide area on the insulating layer 1 or the insulating layer 2. Further, the signal wiring S functions to propagate an electrical signal. The signal wiring S is composed of a thin strip pattern extending on the insulating layer 2. A power supply conductor P is disposed around the signal wiring S on the same insulating layer 2 so as to surround the signal wiring S with a predetermined interval. A power supply conductor P is disposed on the upper and lower insulating layers 1 and 2 of the insulating layer 2 on which the signal wiring S is formed so as to face the signal wiring S. As a result, the signal wiring S is electromagnetically shielded and given a predetermined characteristic impedance.
なお、ビルドアップ用の絶縁層2を挟んで上下に位置するビルドアップ用の配線導体6同士およびビルドアップ用の配線導体6とコア用の配線導体4とは、その絶縁層2に設けられたビアホール5に充填されたビア導体7により接続されている。このようなビア導体7は、ビルドアップ用の絶縁層2上にビルドアップ用の配線導体6を形成する際にその配線導体6と一体的に同時に形成される。また、このビア導体7には、直径が80〜150μmの円形のビアランド9が付設されている。そして、信号用のビアランド9とその周囲を取り囲む電源導体Pとの間、および電源用のビアランド9とこれらを取り囲む他の電源導体Pとの間には、幅が30〜100μm程度のクリアランスCが形成されている。 The build-up wiring conductors 6 positioned above and below the build-up insulating layer 2 and the build-up wiring conductor 6 and the core wiring conductor 4 are provided on the insulating layer 2. The via holes 5 are connected by via conductors 7 filled therein. The via conductor 7 is formed integrally with the wiring conductor 6 when the build-up wiring conductor 6 is formed on the build-up insulating layer 2. The via conductor 7 is provided with a circular via land 9 having a diameter of 80 to 150 μm. A clearance C having a width of about 30 to 100 μm is formed between the signal via land 9 and the power supply conductor P surrounding the periphery thereof and between the power supply via land 9 and the other power supply conductor P surrounding them. Is formed.
さらに、電源導体Pのベタパターンには、絶縁層1や絶縁層2の樹脂が硬化する際に発生するガスを逃すために格子状に配列された方形の開口部Aが設けられている。このような格子状に配列された開口部Aは、配線基板を平面視した時に、電源導体Pのうち、信号配線Sと対向しない領域の全面にわたって略均一に配列されている。開口部Aは一辺が100〜300μm程度の正方形であり、300〜1000μmのピッチで格子状に配列されている。 Further, the solid pattern of the power supply conductor P is provided with rectangular openings A arranged in a lattice pattern so as to escape the gas generated when the resin of the insulating layer 1 or the insulating layer 2 is cured. The openings A arranged in such a grid are arranged substantially uniformly over the entire surface of the power supply conductor P not facing the signal wiring S when the wiring board is viewed in plan. The openings A are squares having a side of about 100 to 300 μm, and are arranged in a lattice pattern at a pitch of 300 to 1000 μm.
そして本発明の配線基板の製造方法においては、図3に示すように、これを平面視した時に、下層の開口部Aが信号配線Sと対向しないように配置するとともに、上層のクリアランスCとも対向しないように配置する。このように、開口部Aが上層のクリアランスCと対向しないように配置することから、上層の絶縁層2上にセミアディティブ法により上層のビアランド9および電源導体Pを形成する際に、クリアランスCを形成する部位の上層の絶縁層2が凹むことがない。それにより信号配線Sと電源導体Pとの間、または異なる電源導体P同士の間が電気的に短絡することのない配線基板を提供することができる。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, as shown in FIG. 3, the lower opening A is arranged so as not to oppose the signal wiring S when viewed in plan, and the upper clearance C is also opposed. Arrange so as not to. Thus, since the opening A is arranged so as not to face the clearance C of the upper layer, the clearance C is set when the upper via land 9 and the power supply conductor P are formed on the upper insulating layer 2 by the semi-additive method. The upper insulating layer 2 is not recessed. Thereby, it is possible to provide a wiring board in which the signal wiring S and the power supply conductor P or between the different power supply conductors P are not electrically short-circuited.
1,2 絶縁層
9 ビアランド
A ガス抜き用の開口部
C クリアランス
P 電源導体
1, 2 Insulating layer 9 Via land A Degassing opening C Clearance P Power supply conductor
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016145021A JP6247353B2 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Wiring board manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016145021A JP6247353B2 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Wiring board manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012289204A Division JP5992825B2 (en) | 2012-12-29 | 2012-12-29 | Wiring board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016184768A true JP2016184768A (en) | 2016-10-20 |
JP6247353B2 JP6247353B2 (en) | 2017-12-13 |
Family
ID=57241905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016145021A Active JP6247353B2 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Wiring board manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6247353B2 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224227A (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | Wiring board and semiconductor device employing it |
JP2003298195A (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board |
JP2004040032A (en) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board and method for manufacturing wiring board |
JP2005353835A (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board |
WO2009054201A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Nec Corporation | High frequency substrate and high frequency module using the same |
US20120234580A1 (en) * | 2009-11-27 | 2012-09-20 | Bae Systems Plc | Circuit board |
-
2016
- 2016-07-25 JP JP2016145021A patent/JP6247353B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224227A (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | Wiring board and semiconductor device employing it |
JP2003298195A (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board |
JP2004040032A (en) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board and method for manufacturing wiring board |
JP2005353835A (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board |
WO2009054201A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Nec Corporation | High frequency substrate and high frequency module using the same |
US20120234580A1 (en) * | 2009-11-27 | 2012-09-20 | Bae Systems Plc | Circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6247353B2 (en) | 2017-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015122545A (en) | Multilayer wiring board and manufacturing method of the same | |
US11812556B2 (en) | Printed circuit board and manufacturing method thereof | |
JP5908003B2 (en) | Printed circuit board and printed circuit board manufacturing method | |
JP2012054295A (en) | Wiring board and method of manufacturing the same | |
JP6374338B2 (en) | Wiring board | |
JP5473074B2 (en) | Wiring board | |
JP5992825B2 (en) | Wiring board | |
JP6247353B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
JP2012033786A (en) | Wiring board | |
JP2012033529A (en) | Wiring board | |
JP5289241B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
JP5370883B2 (en) | Wiring board | |
JP2016127134A (en) | Wiring board | |
JP2009290044A (en) | Wiring substrate | |
JP5835732B2 (en) | Wiring board | |
JP2012049160A (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
KR101108816B1 (en) | Multilayer printed circuit substrate and method of manufacturing the same | |
JP7133329B2 (en) | wiring board | |
JP2016207763A (en) | Component build-in wiring board and manufacturing method therefor | |
JP2023113419A (en) | printed wiring board | |
JP5565949B2 (en) | Wiring board | |
JP2013247307A (en) | Wiring board | |
JP2013172138A (en) | Wiring board | |
JP2018032653A (en) | Wiring board | |
JP2012119361A (en) | Wiring board |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171017 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6247353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |