JP2016184574A - ヒューズ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】構造が簡単であり、小型化できるヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗体１１０と前記抵抗体１１０の一端に連結されて温度ヒューズ１２５がインサートされたヒュージングリードワイヤ１２０と前記抵抗体１１０の他側に連結されるリードワイヤ１３０とを含み、前記ヒュージングリードワイヤ１２０は、前記抵抗体１１０に接合される第１のワイヤ部１２１と基板に接続される第２のワイヤ部１２３と一端は前記第１のワイヤ部１２１に接合されて他端は前記第２のワイヤ部１２３に接合される前記温度ヒューズ１２５とから成り、前記温度ヒューズ１２５は、前記第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３と当接して直接接合され、加熱時に溶断されるチューブ状の可溶部と、前記可溶部の中心に挿入されるフラックス部と、を含んで構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、ヒューズ抵抗器及びその製造方法に関し、より詳細には、電子製品の電気回路に設置され、突入電流、内部温度上昇、持続的な過電流などによって発生する機器の故障を防止するために設置されるものであって、温度ヒューズがリードワイヤに一体にインサートされた構造からなるので、構造が簡単であり、小型化することができ、製造工程を簡素化できるヒューズ抵抗器及びその製造方法に関する。

一般に、ＬＣＤ ＴＶ、ＰＤＰ ＴＶなどの大型電子製品の電気回路には、電源をオンにするときに発生する突入電流、内部温度上昇、持続的な過電流などによって発生する機器の故障を防止するために、電気回路の電源入力端にヒューズ抵抗器（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｆｕｓｅ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）などの保護素子を設けることによって電源回路を保護している。

このようなヒューズ抵抗器は、まず、抵抗体及び温度ヒューズを備えており、抵抗体と温度ヒューズは、リード線を介して互いに直列に連結される。

また、ヒューズ抵抗器は、溶断体の溶断時に発生する破片によって他の電子部品が影響を受けないように抵抗体及び温度ヒューズをケースにパッケージングするようになり、ケースの内部には充填材が充填される。

ここで、前記充填材としては、耐熱性、伝導性、硬化性などを考慮して珪石（ＳｉＯ２）を含むスラリー形態の充填材が使用され、前記ケースとしては、通常、一般抵抗のケースとして用いられているセラミック材質のケースが使用されている。

また、前記リード線の端部は、ケースの外部に引き出されるように延長され、従来のヒューズ抵抗器は、前記リード線の端部を印刷回路基板に半田付けし、抵抗体及び温度ヒューズが立設された状態になるように印刷回路基板に設置される。

したがって、このように設けられたヒューズ抵抗器は、突入電流が流入する場合は、抵抗体を用いてこれを所定電流に制限するようになり、過電流が流入する場合は、抵抗体の発熱によって発生した熱を前記充填材を介して温度ヒューズに伝導させ、温度ヒューズの内部に設けられている固体相の鉛又は高分子ペレットからなる溶断体が溶断されるように回路を短絡させることによって、家電製品の電気回路を保護するようになる。

図８ａ及び図８ｂは、従来のヒューズ抵抗器を示す図であって、これを参照すると、特許文献１には、抵抗体１０と、前記抵抗体１０の発熱作用によって回路を短絡させるように設けられた温度ヒューズ２０と、前記抵抗体１０と温度ヒューズ２０を直列に連結するリード線３１、３２、３３、３４と、リード線３２、３４の端部が外部に引き出された状態で前記抵抗体１０及び温度ヒューズ２０を内部に収容するために一面が開放され、一側壁面に前記リード線を引き出すための引き出し溝４１を備えるように設けられたケース４０と、抵抗体１０及び温度ヒューズ２０が内部に挿入されるように前記ケース４０の内部に充填され、珪石を含むように設けられた充填材とを備えるヒューズ抵抗器が開示されている。

但し、前記特許文献１においては、温度ヒューズが抵抗体などの構造物の形態からなるので、小型化することが難しく、抵抗体１０と温度ヒューズ２０にそれぞれ一対のリード線３１と３２、３３と３４を連結した後、抵抗体１０のリード線３１と温度ヒューズ２０のリード線３３とを再び連結しなければならないので、製造工程が複雑になるという問題がある。

大韓民国登録特許第１０―１０６００１３号

そこで、本発明は、前記のような問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、温度ヒューズがリードワイヤに一体にインサートされた構造からなることによって、構造が簡単であり、小型化できるヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、温度ヒューズとリードワイヤを一つのモジュールの形態に接合し、モールディング部をインサート射出することによって、組立工程を簡素化し、接続不良を最大限防止できるヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、抵抗体の表面にシリコーンコーティング層又は充填層を形成した状態でモールディング部又はケーシングに収容されることによって、非正常な電流によって抵抗体が爆発するとしても、その衝撃や騒音などを著しく減少できるヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供することにある。

このために、本発明に係るヒューズ抵抗器は、抵抗体と；前記抵抗体の一端に連結され、温度ヒューズがインサートされた構造からなるヒュージングリードワイヤと；前記抵抗体の他側に連結されるリードワイヤと；を含み、前記ヒュージングリードワイヤは、前記抵抗体に接合される第１のワイヤ部と、基板に接続される第２のワイヤ部と、一端は前記第１のワイヤ部に接合され、他端は前記第２のワイヤ部に接合される前記温度ヒューズとからなることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の抵抗体は、セラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、前記セラミックロード及び導線の表面にはシリコーンコーティング層が形成されることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、前記一対の端子の間に設けられた空間にシリコーンを充填し、前記端子と同一の厚さの充填層が形成されることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器は、抵抗体、ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを密封するモールディング部；をさらに含むことを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器は、抵抗体、ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを収容するケーシング；をさらに含み、前記ケーシングは管状からなり、内部には充填部材が充填されることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の温度ヒューズは、加熱時に溶断される可溶部と、前記可溶部の中心に挿入されるフラックス部とからなることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法は、第１のワイヤ部、温度ヒューズ及び第２のワイヤ部を接合することによってヒュージングリードワイヤを設ける段階と；抵抗体の一端には前記ヒュージングリードワイヤの第１のワイヤ部を接合し、他端にはリードワイヤを接合する段階と；前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤが接合された抵抗体をモールドに入れた後、前記モールドに樹脂を注入することによってモールディング部を形成する段階と；を含むことを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法は、第１のワイヤ部、温度ヒューズ及び第２のワイヤ部を接合することによってヒュージングリードワイヤを設ける段階と；抵抗体の一端には前記ヒュージングリードワイヤの第１のワイヤ部を接合し、他端にはリードワイヤを接合する段階と；管状のケーシングを設けて、その内部に前記抵抗体を挿入する段階と；前記ケーシングの内部に充填部材を充填する段階と；を含むことを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法において、ケーシングの一端には、前記ヒュージングリードワイヤ又はリードワイヤが挿入されるようにホールが設けられた側壁が形成され、他端は開放された管状からなることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法において、ケーシングは、両端が開放された管状からなり、前記ケーシングの内部に充填部材を充填する段階は、前記ケーシングの一端を密封部材で密封した後、前記ケーシングの内部に充填部材を充填し、前記ケーシングの他端を密封部材で密封して行われ、前記密封部材には、前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤが引き出されるように引き出しホールが設けられることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法において、温度ヒューズと第１及び第２のワイヤ部は、ソルダリング（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）、スポット溶接又は超音波溶接で接合されることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法において、温度ヒューズは、加熱時に溶断される可溶部と、前記可溶部の中心に挿入されるフラックス部とからなり、前記可溶部は、前記第１及び第２のワイヤ部とソルダリング、スポット溶接又は超音波溶接で接合されることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法において、温度ヒューズは、前記第１及び第２のワイヤ部と同一の直径からなることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法において、抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、前記セラミックロード及び導線の表面にシリコーンを塗布する段階；又は前記一対の端子の間に設けられた空間にシリコーンを充填し、前記端子と同一の厚さからなる充填層を形成する段階；をさらに含むことを特徴とする。

以上のような構成の本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、温度ヒューズがリードワイヤに一体にインサートされた構造からなるので、構造が簡単であり、小型化することができる。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、温度ヒューズとリードワイヤを一つのモジュールの形態に接合し、モールディング部をインサート射出するので、組立工程を簡素化し、接続不良を最大限防止することができる。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、抵抗体の表面にシリコーンコーティング層を形成した状態でモールディング部又はケーシングに収容されるので、非正常な電流によって抵抗体が爆発するとしても、その衝撃や騒音などを著しく減少させることができる。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、抵抗体の表面にシリコーンコーティング層又は充填層を形成することによって、防爆特性を向上させることができる。

本発明に係るヒューズ抵抗器の第１の実施例を示す斜視図である。 図１の断面図である。 本発明の抵抗体にコーティング層又は充填層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の抵抗体にコーティング層又は充填層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の抵抗体にコーティング層又は充填層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の温度ヒューズの構造を示す斜視図である。 本発明のヒュージングリードワイヤが形成される過程を示した図である。 本発明の抵抗体にリードワイヤが接合される状態を示した図である。 図４ａ及び図４ｂに対応するものであって、抵抗体に第１のワイヤ部を接合した状態で前記第１のワイヤ部に温度ヒューズを接合する状態を示す図である。 本発明に係るヒューズ抵抗器の第２の実施例を示す斜視図である。 本発明のケーシングに抵抗体が挿入される状態を示す図である。 本発明のケーシング内に充填部材を充填する状態を示す図である。 本発明に係るヒューズ抵抗器の第３の実施例を示す斜視図である。 従来のヒューズ抵抗器を示す図である。 従来のヒューズ抵抗器を示す図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。

本発明を説明するにおいて、関連する公知機能あるいは構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に不明瞭にし得ると判断される場合、それについての詳細な説明は省略する。また、後述する各用語は、本発明での機能を考慮して定義された用語であって、これは、使用者及び運用者の意図又は判例などによって変わり得るので、本明細書全般にわたった内容に基づいて定義されるべきであろう。

図１〜図３を参照すると、本発明の第１の実施例に係るヒューズ抵抗器１００は、電子製品の電気回路に採用されるように設けられたものであって、大きく分けて、抵抗体１１０、ヒュージングリードワイヤ１２０、リードワイヤ１３０及びモールディング部１４０を含む。

前記抵抗体１１０は、過電流の印加時に発熱し、前記ヒュージングリードワイヤ１２０に設置された温度ヒューズ１２５を溶断させるものであって、図２ｂを参照すると、セラミックロード１１１と、前記セラミックロード１１１の両端に設けられる端子１１７と、前記セラミックロード１１１上に巻かれた導線１１３とを含む巻線抵抗体であることを例示することができる。

そして、前記抵抗体１１０には、図２ｂに示したコーティング層１１５又は図２ｃ及び図２ｄに示した充填層１１５’、１１５”を形成することが好ましい。

前記コーティング層１１５は、導線を保護し、防爆特性を向上させる役割をするものであって、セラミックロード１１１及び導線１１３の表面にシリコーンを薄く塗布して構成することができる。

前記充填層１１５’、１１５”は、抵抗体１１０の防爆特性を極大化するためのものであって、一対の端子１１７の間に設けられた空間にシリコーンを充填し、少なくとも前記端子１１７と同一の厚さからなり、前記充填層１１５’、１１５”によって前記導線１１３が完全に密封される。

前記コーティング層１１５又は充填層１１５’、１１５”を形成することによって、非正常な電流の印加によって前記抵抗体が爆発する場合、その衝撃及び騒音の一部を一次的に吸収し、製品の防爆特性を向上させるようになる。

前記抵抗体１１０の端子１１７には、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が接合される。

前記ヒュージングリードワイヤ１２０は、前記抵抗体１１０に接合される第１のワイヤ部１２１と、前記モールディング部１４０から引き出されて基板に接続される第２のワイヤ部１２３と、一端は前記第１のワイヤ部１２１に接合され、他端は前記第２のワイヤ部１２３に接合される温度ヒューズ１２５とからなる。

前記第１のワイヤ部１２１が下側に折り曲げられ、前記第２のワイヤ部１２３がモールディング部１４０の下側に引き出されることもあるが、これは例示に過ぎないので、製品の特性に合わせて、第１のワイヤ部が折り曲げられず、前記第２のワイヤ部がモールディング部の一側に引き出されて折り曲げられる構造に設計することもできる。

前記温度ヒューズ１２５は、前記抵抗体１１０の発熱による溶断によって回路を短絡させ、回路上に設置された各素子を保護する役割をするものであって、前記抵抗体１１０と直列に接続される。

そして、前記温度ヒューズ１２５は、可溶部１２６と、前記可溶部１２６の中心に挿入されるフラックス部１２７とからなり得る。前記可溶部１２６は、スズ又はスズ合金であることを例示することができ、加熱時の溶断によって電気接続を遮断する。

前記フラックス部１２７は、溶融された可溶部１２６を凝集させる役割をするものであって、塩化物、フッ化物、樹脂などからなることを例示することができる。

図３及び図４ａを参照すると、前記温度ヒューズ１２５と第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３の溶接による接合時、金属素材の前記可溶部１２６の端部と前記第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３の端部とが当接した状態で溶接が行われるので、前記温度ヒューズ１２５と第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３は同一の直径からなることが好ましい。温度ヒューズ１２５が前記第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３の直径より大きい場合、前記フラックス部１２７は前記第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３の直径より小さく形成し、前記可溶部１２６が前記第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３に接するようにすべきである。

前記フラックス部の中心に可溶部が挿入される構造である場合、前記抵抗体で発熱してモールディング部を介して伝導される熱は、フラックス部を先に加熱した後で可溶部を加熱するので、溶断時間の遅延などのように溶断特性が低下し得る。そして、前記温度ヒューズの外郭に絶縁素材であるフラックス部が配置されるので、スポット溶接方式を通じた接合を行えなくなる。したがって、前記温度ヒューズ１２５は、可溶部１２６内にフラックス部１２７が挿入された構造であることが好ましい。

また、前記モールディング部１４０は、前記抵抗体１１０、前記抵抗体１１０に連結されたヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を物理的な衝撃から保護し、前記抵抗体１１０の溶断又は爆発時にその衝撃を吸収し、前記抵抗体１１０の熱を温度ヒューズ１２５に伝導させる役割をする。そして、前記モールディング部１４０は、前記抵抗体１１０、ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０の一部を密封し、シリコーン又はエポキシなどの合成樹脂素材であることを例示することができる。このとき、前記ヒュージングリードワイヤ１２０において、第１のワイヤ部１２１及び温度ヒューズ１２５は全てモールディング部１４０で密封され、第２のワイヤ部１２３の他端は密封されずにモールディング部１４０の下側に引き出される。

本発明のヒューズ抵抗器１００は、ヒュージングリードワイヤ１２０の第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３の間に温度ヒューズがインサートされるので、構造が簡単であり、小型化することができる。

以下では、添付の図面を参照してヒューズ抵抗器の製造方法を説明する。

まず、図２ｂ〜図２ｄを再び参照すると、抵抗体１１０は、セラミックロード１１１上に導線１１３が巻かれた巻線抵抗体であることを例示することができ、防爆特性を向上させるために前記セラミックロード１１１及び導線１１３の表面にシリコーンを塗布することによってコーティング層１１５を形成したり、一対の端子１１７の間に設けられた空間にシリコーンを充填し、少なくとも前記端子１１７と同一の厚さからなる充填層１１５’、１１５”を形成する。

次に、図４ａを参照すると、第１のワイヤ部１２１、温度ヒューズ１２５及び第２のワイヤ部１２３が接合されたヒュージングリードワイヤ１２０、及びリードワイヤ１３０を設ける。

このとき、温度ヒューズ１２５と第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３は、ソルダリング、スポット溶接又は超音波溶接方式で接合することを例示することができる。

そして、上述したように、前記温度ヒューズ１２５と第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３との接合時、前記可溶部１２６の端部と前記第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３の端部とが当接した状態で接合が行われるので、温度ヒューズ１２５と第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３は同一の直径であることが好ましい。

その次に、図４ｂを参照すると、抵抗体１１０の両端にヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を接合する。

その次に、図２ａを再び参照すると、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を折り曲げた後、抵抗体１１０をモールドに入れ、前記モールドに樹脂を注入して成形するインサート射出方式でモールディング部１４０を形成する。

このように、本発明では、前記ヒュージングリードワイヤ１２０は、第１及び第２のワイヤ部１２１、１２３及び温度ヒューズ１２５が一体となったモジュールの形態からなり、インサート射出によってモールディング部１４０を形成するので、製造工程を簡素化することができる。

但し、前記ヒュージングリードワイヤ１２０は、第１のワイヤ部１２１、温度ヒューズ１２５及び第２のワイヤ部１２３が全て接合された状態で抵抗体１１０に接合させるべきものではなく、図４ｃのように抵抗体１１０に第１のワイヤ部１２１を連結した後、温度ヒューズ１２５と第２のワイヤ部１２３の組立体を接合可能であることは当然である。

以下では、本発明の第２の実施例に係るヒューズ抵抗器を説明する。

図５を参照すると、本発明の第２の実施例に係るヒューズ抵抗器１００は、第１の実施例と同様に、抵抗体１１０、ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を含み、前記抵抗体１１０の両端には、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が接合される。そして、前記ヒュージングリードワイヤ１２０は、前記抵抗体１１０に接合される第１のワイヤ部１２１と、前記モールディング部１４０から引き出されて基板に接続される第２のワイヤ部１２３と、一端は前記第１のワイヤ部１２１に接合され、他端は前記第２のワイヤ部１２３に接合される温度ヒューズ１２５とからなる。

但し、本実施例は、第１の実施例のモールディング部１４０の代わりにケーシング１５０が使用されるという点で第１の実施例と異なる。

前記ケーシング１５０は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又はセラミック素材からなる管状であることを例示することができる。

そして、前記ケーシング１５０の内部には充填部材１６０が充填され、前記充填部材１６０は、珪石（ＳｉＯ₂）を含むセメントであるか、シリコーン、エポキシなどの樹脂であることを例示することができる。

図６ａ及び図６ｂを参照して本実施例のヒューズ抵抗器の製造過程を説明すると、抵抗体１１０の両端にヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を接合した後、これを管状のケーシング１５０内に挿入する。そして、前記ケーシング１５０内に充填部材１６０を入れて硬化させると、ヒューズ抵抗器１００の製造が完了する。

このとき、前記ケーシング１５０の一端には、前記ヒュージングリードワイヤ１２０又はリードワイヤ１３０が引き出されるホール１５２が形成された側壁１５１が設けられ、他端は完全に開放された構造からなることが好ましい。その理由は、前記ヒュージングリードワイヤ１２０又はリードワイヤ１３０が前記ホール１５２を介して引き出されて仮結合された状態でケーシング１５０の開放された他端を介して充填部材１６０を充填することによって、製造過程が容易になるためである。

以下では、本発明の第３の実施例に係るヒューズ抵抗器を説明する。

図７を参照すると、本実施例に係るヒューズ抵抗器１００は、第２の実施例と同様に、抵抗体１１０、ヒュージングリードワイヤ１２０、リードワイヤ１３０、ケーシング１５０及び充填部材１６０を含む。

但し、本実施例は、ケーシング１５０の両端に密封部材１５５、１５５ａが設置されるという点で第２の実施例と異なる。

前記密封部材１５５、１５５ａは、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が引き出されるように引き出しホール１５６が設けられるキャップ状であり、接着剤などでケーシング１５０に固定される。

本実施例のヒューズ抵抗器の製造過程を説明すると、まず、ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が接合された抵抗体１１０を設けた後、ケーシング１５０の内部に前記抵抗体１１０を挿入する。そして、前記引き出しホール１５６にヒュージングリードワイヤ１２０又はリードワイヤ１３０を嵌めた後、密封部材１５５を前記ケーシング１５０の一端に固定する。そして、前記ケーシング１５０の内部に充填部材１６０を充填し、他端にも他の密封部材１５５ａを固定すると、ヒューズ抵抗器の製造が完了する。

このように、本発明のヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、温度ヒューズをヒュージングリードワイヤに一体に形成することによって、構造が簡単であり、製造工程も簡素化することができ、モールディング部とケーシングを全て適用することができる。

一方、本発明の詳細な説明及び添付の図面では具体的な実施例に関して説明したが、本発明は、開示した実施例に限定されるものではなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者によって本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な置換、変形及び変更が可能である。よって、本発明の範囲は、上述した実施例に限定して定めてはならなく、後述する特許請求の範囲のみならず、この特許請求の範囲と均等なものなどを含むものと解釈すべきであろう。

１００ ヒューズ抵抗器
１１０ 抵抗体
１１１ セラミックロード
１１３ 導線
１１５ コーティング層
１１５’、１１５” 充填層
１１７ 端子
１２０ ヒュージングリードワイヤ
１２１ 第１のワイヤ部
１２３ 第２のワイヤ部
１２５ 温度ヒューズ
１２６ 可溶部
１２７ フラックス部
１３０ リードワイヤ
１４０ モールディング部
１５０ ケーシング
１５１ 側壁
１５２ ホール
１５５ 密封部材
１５６ 引き出しホール
１６０ 充填部材

Claims (7)

1. 抵抗体と；
   前記抵抗体の一端に連結され、温度ヒューズがインサートされた構造からなるヒュージングリードワイヤと；
   前記抵抗体の他側に連結されるリードワイヤと；を含み、
   前記ヒュージングリードワイヤは、
   前記抵抗体に接合される第１のワイヤ部と、基板に接続される第２のワイヤ部と、一端は前記第１のワイヤ部に接合され、他端は前記第２のワイヤ部に接合される前記温度ヒューズと、を含み、
   前記温度ヒューズは、前記第１及び第２のワイヤ部と当接して直接接合され、加熱時に溶断されるチューブ状の可溶部と、前記可溶部の中心に挿入されるフラックス部と、を含んで構成され、
   前記抵抗体、ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤをインサート射出方式を通じて一体に密封するモールディング部；をさらに含み、前記可溶部の酸化を防止し、ヒュージングリードワイヤの接合部位の機械的結合力を高め、外部衝撃から保護する、
   ことを特徴とするヒューズ抵抗器。
2. 前記抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、
   前記セラミックロード及び導線の表面にシリコーンを塗布することによってコーティング層が形成される、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
3. 前記抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、
   前記一対の端子の間に設けられた空間にシリコーンを充填し、前記端子と同一の厚さの充填層が形成される、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
4. 第１のワイヤ部、温度ヒューズ及び第２のワイヤ部を接合することによってヒュージングリードワイヤを設ける段階と；
   抵抗体の一端には前記ヒュージングリードワイヤの第１のワイヤ部を接合し、他端にはリードワイヤを接合する段階と；
   前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤが接合された抵抗体をモールドに入れた後、前記モールドに樹脂を注入することによってモールディング部を形成する段階と；を含み、
   前記温度ヒューズは、前記第１及び第２のワイヤ部と当接して直接接合され、加熱時に溶断されるチューブ状の可溶部と、前記可溶部の中心に挿入されるフラックス部と、を含んで構成され、
   前記モールディング部は、抵抗体、ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤをインサート射出方式を通じて一体に密封することによって前記可溶部の酸化を防止し、ヒュージングリードワイヤの接合部位の機械的結合力を高め、外部衝撃から保護する、
   ことを特徴とするヒューズ抵抗器の製造方法。
5. 前記可溶部は、前記第１及び第２のワイヤ部とソルダリング、スポット溶接及び超音波溶接のうちいずれか一つの方式で接合される、
   ことを特徴とする請求項４に記載のヒューズ抵抗器の製造方法。
6. 前記抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、
   前記セラミックロード及び導線の表面にシリコーンを塗布することによってコーティング層を形成する段階；をさらに含む、
   ことを特徴とする請求項４に記載のヒューズ抵抗器の製造方法。
7. 前記抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロード上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、
   前記一対の端子の間に設けられた空間にシリコーンを充填し、前記端子と少なくとも同一の厚さからなる充填層を形成する段階；をさらに含む、
   ことを特徴とする請求項４に記載のヒューズ抵抗器の製造方法。