JP2016177279A - 液晶表示装置及び液晶表示システム - Google Patents

Abstract

【課題】表示動作の異常を検出可能な液晶表示装置及び液晶表示システムを提供する。【解決手段】液晶表示装置は、表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素と、表示領域において行方向に並ぶ各画素に接続され、走査信号が供給される走査線と、表示領域において列方向に並ぶ各画素に接続され、画素信号が供給される信号線と、各画素に共通に接続され、共通電圧が印加される共通電極と、共通電圧に重畳される、画素信号に同期した過渡的な電位変動成分を検出する検出回路と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、液晶表示装置及び液晶表示システムに関する。

近年、カーナビゲーション等の車載用の表示装置としては、液晶パネルを用いた液晶表示装置が広く用いられている。車両には、エンジンやブレーキ等の車両の各種構成部品を制御する電子制御ユニットが複数搭載され、例えば、特許文献１に記載されたように、各電子制御ユニットが故障や誤動作を自己故障診断して出力する構成が一般的となっている。

特開２０１３−２８２３８号公報

車載用の表示装置に対しても、故障や誤動作等の異常診断を行う機能の搭載が要求されている。液晶表示装置においては、液晶表示装置を構成する各構成部毎に自己診断を行う構成が考えられるが、具体的に表示装置の異常として視認される異常、つまり、表示装置における表示動作の異常を検出する機能が望まれている。

本発明は、表示動作の異常を検出可能な液晶表示装置及び液晶表示システムを提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る液晶表示装置は、表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素と、表示領域において行方向に並ぶ各画素に接続され、走査信号が供給される走査線と、表示領域において列方向に並ぶ各画素に接続され、画素信号が供給される信号線と、各画素に共通に接続され、共通電圧が印加される共通電極と、共通電圧に重畳される、画素信号に同期した過渡的な電位変動成分を検出する検出回路と、を備える。

また、本発明の一態様に係る液晶表示システムは、上述した液晶表示装置と、検出回路により電位変動成分が検出された場合に、液晶表示装置の表示動作が異常であるものとして所定の異常時処理を行う制御装置と、を備える。

図１は、実施形態１に係る液晶表示システムの概略構成の一例を示す図である。 図２は、実施形態１に係る液晶表示装置のブロック構成の一例を示す図である。 図３は、実施形態１に係る液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成の一例を示す図である。 図４は、実施形態１に係る液晶表示装置の正常動作時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。 図５は、実施形態１に係る液晶表示装置の動作異常発生時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。 図６は、実施形態１に係る液晶表示システムにおける具体的な処理フローの一例を示す図である。 図７は、実施形態２に係る液晶表示装置の比較例における正常動作時のタイミングチャートの一例を示す図である。 図８は、実施形態２に係る液晶表示装置の正常動作時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。 図９は、実施形態３に係る液晶表示システムの概略構成の一例を示す図である。 図１０は、実施形態３に係る液晶表示装置のブロック構成の一例を示す図である。 図１１は、実施形態３に係る液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成の一例を示す図である。 図１２は、実施形態３に係る液晶表示装置の正常動作時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。 図１３は、実施形態４に係る液晶表示装置のタイミングチャートの一例を示す図である。 図１４は、実施形態４に係る液晶表示システムにおける処理フローの一例を示す図である。 図１５は、実施形態５に係る液晶表示装置のタイミングチャートの一例を示す図である。 図１６は、実施形態５に係る液晶表示システムにおける処理フローの一例を示す図である。 図１７は、実施形態６に係る液晶表示システムの概略構成の一例を示す図である。 図１８は、実施形態６に係る液晶表示装置のブロック構成の一例を示す図である。

以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る液晶表示システムの概略構成の一例を示す図である。本実施形態に係る液晶表示システム１００は、液晶表示装置１と、制御装置２とを含み構成される。

液晶表示装置１は、ガラス基板１１上に、表示領域２１と、ドライバＩＣ３とを備え、ドライバＩＣ３と制御装置２との間が、例えばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等で構成される中継基板１２を介して接続され、液晶表示システム１００を構成している。

制御装置２は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びメモリ等の記憶装置を含み構成され、これらハードウェア資源を用いてプログラムを実行することにより、液晶表示装置１における各種機能を実現することができる。制御装置２は、プログラムの実行結果に応じて、液晶表示装置１に表示させる画像をドライバＩＣ３が画像入力階調の情報として扱えるように制御する。制御装置２は、液晶表示装置１の表示動作が正常であるか否かを判定する表示動作判定を行うと共に、液晶表示装置１の表示動作が正常でない、すなわち、液晶表示装置１の表示動作が異常である場合に、所定の処理を行う機能を有している。

図２は、実施形態１に係る液晶表示装置のブロック構成の一例を示す図である。本実施形態に係る液晶表示装置１は、表示領域２１と、ゲートドライバ２２及びソースドライバ２３と、これらゲートドライバ２２及びソースドライバ２３と制御装置２との間のインターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備える表示制御回路４と、電圧生成回路５と、動作検出回路（検出回路）６とを備えている。ここでは、ゲートドライバ２２、ソースドライバ２３、表示制御回路４、電圧生成回路５、及び動作検出回路６は、図１に示すドライバＩＣ３に含まれるものとするが、これに限るものではない。

表示領域２１は、複数の画素ＰｉｘがＭ行×Ｎ列に配置されたマトリクス（行列状）構成を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるＮ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交あるいは交差する方向に配列されるＭ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ＭとＮとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。

各画素Ｐｉｘは、ＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを有して構成される。また、各画素Ｐｉｘは、液晶素子ＬＣと並列に容量性素子Ｃｓｔが形成される。

表示領域２１は、画素ＰｉｘのＭ行Ｎ列の配列に対して、各行毎に走査線が配線され、各列毎に信号線が配線されている。各走査線には、ゲートドライバ２２からそれぞれ走査信号Ｖｓｃａｎ（１，２，・・・，Ｍ）が供給される。各信号線には、ソースドライバ２３からそれぞれ画素信号Ｖｐｉｘ（１，２，・・・，Ｎ）が供給される。走査信号Ｖｓｃａｎ（１，２，・・・，Ｍ）は、各画素Ｐｉｘを構成するＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに供給される。画素信号Ｖｐｉｘ（１，２，・・・，Ｎ）は、各画素Ｐｉｘを構成するＴＦＴ素子Ｔｒのソースに供給される。

各画素ＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのドレインには、液晶素子ＬＣ及び容量性素子Ｃｓｔの一端が接続されている。各画素Ｐｉｘの液晶素子ＬＣ及び容量性素子Ｃｓｔの他端は、表示領域２１の全領域に亘り形成された共通電極ＣＯＭに接続されている。本実施形態において、共通電極ＣＯＭは、表示領域２１の全画素Ｐｉｘに共通に設けられた透明電極であり、この共通電極ＣＯＭに設けられた共通電圧印加位置Ａに、電圧生成回路５から一定の共通電圧ＶｃｏｍＤＣが印加される。すなわち、本実施形態における液晶表示装置１は、いわゆるコモンＤＣ方式の液晶表示デバイスである。

なお、図２に示す例では、共通電極ＣＯＭが表示領域２１の全画素Ｐｉｘに共通に設けられた例を示したが、各列毎、あるいは複数列毎に分割して複数の共通電極ＣＯＭが設けられた構成であってもよい。また、容量性素子Ｃｓｔの他端は共通電極ＣＯＭ以外の所定の電位を供給する配線に接続されてもよい。

また、液晶表示装置１は、フレーム毎に共通電極ＣＯＭに印加する電圧を反転させる、いわゆるコモン反転方式の液晶表示デバイスであってもよい。

動作検出回路６には、画素信号Ｖｐｉｘの変動に応じた共通電極ＣＯＭの電位の変動を検出するため、画素信号Ｖｐｉｘの変動に同期したクロック信号ＣＬＫが表示制御回路４から入力される。尚、動作検出回路６には、共通電極ＣＯＭの電位の変動の読み込み漏れを防止するために、内部信号の遅延時間やばらつきを考慮したクロック信号ＣＬＫが入力される。すなわち、クロック信号ＣＬＫは、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを読み込むためのクロックエッジ（例えば立ち上がりエッジ）が画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動エッジ（立ち上がりエッジあるいは立下りエッジ）よりも微小時間遅れて入力される。動作検出回路６には、電圧生成回路５からは共通電極ＣＯＭに印加される共通電圧ＶｃｏｍＤＣが入力され、共通電極ＣＯＭの共通電圧印加位置Ａから離れた共通電圧検出位置Ｂから検出した共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが入力されている。ここで共通電極ＣＯＭの共通電圧印加位置Ａには、電圧生成回路５から所定の電圧が供給されているが、共通電極ＣＯＭは所定のインピーダンスを有するため画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動により共通電圧検出位置Ｂの電位も変動する。また、動作検出回路６は、動作検出回路６の出力結果を出力するか否かを選択する動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅが制御装置２から入力される。さらに、動作検出回路６は、後述する電位変動検出部６１における閾値Ｔｈを設定するための閾値設定信号ＴｈＬＥＶを入力する構成としてもよい。

図３は、実施形態１に係る液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成の一例を示す図である。

動作検出回路６は、電位変動検出部６１と、動作状態信号生成部６２とを備えている。

電位変動検出部６１は、一例として、コンパレータ回路および閾値を設定するための抵抗を有し、共通電極ＣＯＭの電圧が供給されるＶｃｏｍＤＣ端子の電圧及び各抵抗値により閾値が決まる構成としている。電位変動検出部６１は、制御装置２内部のレジスタ設定により閾値設定信号ＴｈＬＥＶの値が設定可能とされ、閾値設定信号ＴｈＬＥＶにより可変抵抗の抵抗値を設定することにより電位変動検出部６１の閾値Ｔｈを適宜設定することが可能となる。電位変動検出部６１は、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから閾値Ｔｈを超える電位変動成分を抽出し、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを出力する。なお、図２及び図３に示す例では、閾値設定信号ＴｈＬＥＶは制御装置２から入力される構成としているが表示制御回路４から入力される構成としてもよい。

動作状態信号生成部６２は、電位変動検出部６１から出力された電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを加工し、液晶表示装置１の動作状態を示す動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮを生成して制御装置２に出力する機能を有している。

図３に示す例では、動作状態信号生成部６２は、レベル変換部（ＬＳ）６２１、論理演算部６２２、ＡＮＤ演算部６２３、及びレベル変換部（ＬＳ）６２４を備えている。

レベル変換部６２１は、電位変動検出部６１の出力である電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの電圧レベルを後段の論理演算部６２２のデジタル信号で扱える電圧レベルに変換して出力する機能ブロックである。

論理演算部６２２は、電位変動検出部６１により検出された電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込むための回路を有する。論理演算部６２２に入力されるクロック信号ＣＬＫは、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴに同期した信号とすることで、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込むことができる。更に、共通電極ＣＯＭの電位の変動の読み込み漏れを防止するために、内部信号の遅延時間やばらつきを考慮したクロック信号ＣＬＫが入力される。すなわち、クロック信号ＣＬＫは、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを読み込むためのクロックエッジ（例えば立ち上がりエッジ）が画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動エッジ（立ち上がりエッジあるいは立下りエッジ）及び電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴよりも微小時間遅れて入力される。なお、クロック信号ＣＬＫの立下がりエッジで電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを読み込むようにしてもよい。論理演算部６２２は、例えばフリップフロップとされる。論理演算部６２２は、後述するように、一例として、共通電圧Ｖｃｏｍの電位変動成分を、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号に変換する機能ブロックである。

ＡＮＤ演算部６２３は、制御装置２から入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅに基づき、制御装置２に動作検出回路６の出力結果を出力するか否かを選択するため機能ブロックである。

レベル変換部６２４は、ＡＮＤ演算部６２３の出力を後段の制御装置２で扱える電圧レベルに変換し、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして出力する機能ブロックである。

図４は、実施形態１に係る液晶表示装置の正常動作時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。図４（ａ）は、ソースドライバ２３から各信号線に供給される画素信号Ｖｐｉｘの波形を示している。図４（ｂ）は、共通電極ＣＯＭの共通電圧検出位置Ｂから検出される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの波形を示している。図４（ｃ）は、電位変動検出部６１から出力される電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの波形を示している。図４（ｄ）は、表示制御回路４から出力されるクロック信号ＣＬＫの波形を示している。図４（ｅ）は、動作検出回路６から出力される動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの波形を示している。図４（ｆ）は、制御装置２から入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅを示している。図４（ｇ）は、制御装置２から入力される閾値設定信号ＴｈＬＥＶを示している。ここではクロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジで電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込んでいるが、クロック信号ＣＬＫの立下りエッジで電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込む構成としてもよい。

図５は、実施形態１に係る液晶表示装置の動作異常発生時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。図５（ａ）は、ソースドライバ２３から各信号線に供給される画素信号Ｖｐｉｘの波形を示している。図５（ｂ）は、共通電極ＣＯＭの共通電圧検出位置Ｂから検出される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの波形を示している。図５（ｃ）は、電位変動検出部６１から出力される電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの波形を示している。図５（ｄ）は、表示制御回路４から出力されるクロック信号ＣＬＫの波形を示している。図５（ｅ）は、動作検出回路６から出力される動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの波形を示している。図５（ｆ）は、制御装置２から入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅを示している。図５（ｇ）は、制御装置２から入力される閾値設定信号ＴｈＬＥＶを示している。なお、図４（ｇ）及び図５（ｇ）に示す閾値設定信号ＴｈＬＥＶは、所定の電圧値を閾値設定信号ＴｈＬＥＶとして入力し、アナログ電圧により可変抵抗値を変更させる構成でもよく、デジタル値の信号により可変抵抗値を変更する構成にしてもよい。なお、可変抵抗の一例として、複数の抵抗を直列接続した抵抗ラダーの各抵抗の両端をトランジスタ等のスイッチで短絡あるいは開放することにより抵抗値を可変するものでもよいし、複数の抵抗を並列接続し各抵抗の端部を複数の抵抗の端部と接続あるいは解放することにより抵抗値を可変する構成等を用いてもよい。また、アナログ電圧により可変抵抗値を変更する一例として、可変抵抗は、複数の閾値により入力されたアナログ電圧を識別し、その識別結果に応じて可変抵抗の各トランジスタのオンオフの制御を行うことにより抵抗値を可変させるようにしてもよい。また、デジタル信号により可変抵抗値を変更する一例として、入力されたデジタル信号に応じて可変抵抗の各トランジスタをオンオフ制御するようにしてもよい。この場合、デジタル信号は、パラレル信号として入力され、各信号により各トランジスタをオンオフ制御させてもよいし、シリアル信号として入力し、シリアル−パラレル変換して各トランジスタをオンオフ制御させてもよい。

図２に示す実施形態１に係る液晶表示装置１において、画素信号Ｖｐｉｘが供給される信号線と共通電極ＣＯＭとの間には寄生容量が生じる。また、上述したように、各画素Ｐｉｘには、液晶素子ＬＣと並列に容量性素子Ｃｓｔが形成される。

実施形態１に係る液晶表示装置１の表示動作が正常である場合、上述した信号線と共通電極ＣＯＭとの間に生じる寄生容量、及び、走査信号Ｖｓｃａｎにより選択された画素Ｐｉｘに形成される容量性素子Ｃｓｔを介して、共通電極ＣＯＭに画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がり及び立ち下がりに同期して、図４（ｂ）に示すような過渡的な電位変動成分が共通電圧ＶｃｏｍＤＣに重畳する。

一方、例えば、実施形態１に係る液晶表示装置１の表示動作に異常が発生し、正常な表示が行われていない状態では、図５（ａ）に示すように、画素Ｐｉｘに供給すべき画素信号Ｖｐｉｘが出力されていないことが考えられる。この場合、図５（ｂ）に示すように、共通電極ＣＯＭに図４（ｂ）に示すような過渡的な電位変動成分が共通電圧ＶｃｏｍＤＣに重畳しない。

本実施形態では、共通電極ＣＯＭから入力された共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを監視し、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジ（あるいは立下がりエッジ）に同期した過渡的な電位変動成分を検出する。これにより、実施形態１に係る液晶表示装置１の表示動作が正常であるか否かを判定することができる。

また、本実施形態では、共通電極ＣＯＭから入力された共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから画素信号Ｖｐｉｘに同期した電位変動成分を検出した場合には、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮを、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号（ここでは、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号）として出力し（図４（ｅ））、共通電極ＣＯＭから入力された共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから画素信号Ｖｐｉｘに同期した変動成分を検出していない場合には、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮを、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号（ここでは、ＬｏｗレベルあるいはＨｉｇｈレベルで固定した信号）として出力する（図５（ｅ））。これにより、後段の制御装置２は、動作検出回路６から出力される動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮを監視し、液晶表示装置１の表示動作が正常であるか否かを判定する表示動作判定を行う。制御装置２は、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号を検知した場合には、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものと判定し、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号を検知した場合には、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものと判定して、所定の処理（以下、「異常時処理」ともいう）を行う。

異常時処理としては、例えば、液晶表示装置１の再起動を行う、液晶表示装置１の動作を強制終了する、複数回異常検知された場合に、以降の液晶表示装置１の起動を許可しない等の処理が考えられる。この異常時処理の手法により本発明が限定されるものではない。

また、画素信号Ｖｐｉｘの波高値は、表示領域２１に表示される画像の階調により変化する。画素信号Ｖｐｉｘの波高値が変化すれば、共通電極ＣＯＭにおける電圧変動レベルも変化する。上述した例では、画素信号Ｖｐｉｘの波高値が所定範囲以内であるものとして、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮとの比較に用いる閾値Ｔｈがレジスタ設定されている例を示したが、画素信号Ｖｐｉｘの波高値の変化に応じたＴｈＬＥＶ信号を制御装置２から入力して、閾値Ｔｈをダイナミック（動的）に変化させる構成とするのがより好ましい。

なお、共通電圧ＶｃｏｍＤＣに重畳する画素信号Ｖｐｉｘに同期した共通電極ＣＯＭの電位変動成分は、共通電極ＣＯＭ上において電圧生成回路５から共通電圧ＶｃｏｍＤＣが入力される位置（共通電圧印加位置Ａ）からの距離がより離れた位置で大きくなる。このため、図２に示す例において、共通電極ＣＯＭ上において共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを検出する位置（共通電圧検出位置Ｂ）は、電圧生成回路５から共通電圧ＶｃｏｍＤＣが入力される位置（共通電圧印加位置Ａ）からの距離がより離れた位置であるのが望ましい。

また、図４（ｅ）に示す例では、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの一例として、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる、すなわち、表示制御回路４から１水平周期（１Ｈ）で入力されるクロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる例を記載したが、これに限るものではないことは言うまでもない。また、共通電極ＣＯＭの電位変動成分の有無を検出するものであれば、上述した例に限るものではない。

次に、図２乃至図６を参照して、実施形態１に係る液晶表示システム１００における具体的な処理フローについて説明する。図６は、実施形態１に係る液晶表示システムにおける具体的な処理フローの一例を示す図である。

液晶表示装置１が動作を開始すると、動作検出回路６には、制御装置２から動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅ（Ｈｉｇｈレベル信号）及び閾値設定信号ＴｈＬＥＶが入力される。閾値設定信号ＴｈＬＥＶが入力されることで、電位変動検出部６１に閾値Ｔｈがレジスタ設定される。動作検出回路６は、共通電極ＣＯＭから入力される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮと閾値Ｔｈとの比較処理を行い、動作検出処理を開始する（ステップＳ１）。また、制御装置２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの監視を開始する（ステップＳ２）。

共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが閾値Ｔｈを超えると（図４（ｂ）のｔ２乃至ｔ５の期間、ｔ７乃至ｔ１０の期間、及びｔ２’乃至ｔ５’の期間）、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが閾値Ｔｈを超えた位置で電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する（図４（ｃ）のｔ２乃至ｔ４の期間、ｔ７乃至ｔ９の期間、及びｔ２’乃至ｔ４’の期間）。共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが閾値Ｔｈを超えていないと、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴがＬｏｗレベルのままで遷移する（図５（ｃ））。

動作状態信号生成部６２は、表示制御回路４から入力された、画素信号Ｖｐｉｘよりも微小時間Δｔ遅れて立ち上がるクロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて（図４（ｄ）のｔ３，ｔ８，ｔ３’、図５（ｄ）のｔ３，ｔ８，ｔ３’）、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルであるか否かを判定する。これにより、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したか否かを判定する（ステップＳ３）。

クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出した場合（ステップＳ３；Ｙｅｓ）、動作状態信号生成部６２は、動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅ（Ｈｉｇｈレベル信号）に基づき、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号（ここでは、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号）を出力する（ステップＳ４）。

制御装置２は、ステップＳ４において出力された第１信号を検知すると（ステップＳ５）、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものとして、ステップＳ３の処理に戻る。

クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＬｏｗレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していない場合（ステップＳ３；Ｎｏ）、動作状態信号生成部６２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号（ここでは、Ｌｏｗレベルに固定した信号）を出力する（ステップＳ６）。

制御装置２は、ステップＳ６において出力された第２信号を検知すると（ステップＳ７）、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして、所定の異常時処理を行い（ステップＳ８）、本フローの処理を終了する。

以上の処理手順が実行されることにより、実施形態１に係る液晶表示装置１における表示動作の異常を検出可能となる。

なお、図４からも明らかであるように、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりに伴いプラス側に変動する共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの電位変動成分（プラス側変動成分）と、画素信号Ｖｐｉｘの立下がりに伴いマイナス側に変動する共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの電位変動成分（マイナス側変動成分）とが存在する。本実施形態では、制御装置２から入力される閾値設定信号ＴｈＬＥＶとして、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮのプラス側変動成分を検出するための値を設定し、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから閾値Ｔｈを超える電位変動成分、すなわち、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから閾値Ｔｈを上回る電位変動成分を抽出する例について説明したが、制御装置２から入力される閾値設定信号ＴｈＬＥＶとして、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮのマイナス側変動成分を検出するための値を設定し、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから閾値Ｔｈを下回る電位変動成分を抽出する構成であってもよいことは言うまでもない。

以上説明したように、実施形態１に係る液晶表示装置１によれば、動作検出回路６を具備し、動作検出回路６は、信号線と共通電極ＣＯＭとの間に形成される寄生容量と走査信号Ｖｓｃａｎにより選択された各画素Ｐｉｘに形成される容量性素子Ｃｓｔとを介して、共通電圧ＶｃｏｍＤＣに重畳される、画素信号Ｖｐｉｘに同期した過渡的な電位変動成分を検出する。これにより、液晶表示装置１の表示動作が正常であるか否かを判定することができる。

また、実施形態１に係る液晶表示システム１００によれば、制御装置２を具備し、制御装置２は、共通電圧ＶｃｏｍＤＣに重畳された電位変動成分が検出された場合に、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして所定の異常時処理を行う。これにより、液晶表示装置１の表示動作が異常であるときに適切な異常時処理を実施することができる。

本実施形態により、表示動作の異常を検出可能な液晶表示装置１及び液晶表示システム１００を提供することができる。

（実施形態２）
図７は、実施形態２に係る液晶表示装置の比較例における正常動作時のタイミングチャートの一例を示す図である。なお、実施形態２に係る液晶表示システムの概略構成、液晶表示装置のブロック構成、及び液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成については、上述した実施形態１と同様であるので、ここでの重複する説明は省略する。

図７（ａ）は、ソースドライバ２３から各信号線に供給される画素信号Ｖｐｉｘの波形を示している。図７（ｂ）は、共通電極ＣＯＭの共通電圧検出位置Ｂから検出される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの波形を示している。図７（ｃ）は、電位変動検出部６１から出力される電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの波形を示している。図７（ｄ）は、表示制御回路４から出力されるクロック信号ＣＬＫの波形を示している。図７（ｅ）は、動作検出回路６から出力される動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの波形を示している。図７（ｆ）は、制御装置２から入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅを示している。図７（ｇ）は、制御装置２から入力される閾値設定信号ＴｈＬＥＶを示している。

図８は、実施形態２に係る液晶表示装置の正常動作時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。図８（ａ）は、ソースドライバ２３から各信号線に供給される画素信号Ｖｐｉｘの波形を示している。図８（ｂ）は、共通電極ＣＯＭの共通電圧検出位置Ｂから検出される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの波形を示している。図８（ｃ）は、電位変動検出部６１から出力される電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの波形を示している。図８（ｄ）は、表示制御回路４から出力されるクロック信号ＣＬＫの波形を示している。図８（ｅ）は、動作検出回路６から出力される動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの波形を示している。図８（ｆ）は、制御装置２から入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅを示している。図８（ｇ）は、制御装置２から入力される閾値設定信号ＴｈＬＥＶを示している。なお、図７及び図８に示す例では、実施形態１と同様に、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジで電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの信号を取り込んでいるが、クロック信号ＣＬＫの立下りエッジで電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの信号を取り込む構成としてもよい。

図７及び図８に示すように、１水平周期（１Ｈ）毎に画素信号Ｖｐｉｘの波高値が大きく変化すると、図７に示すように、制御装置２内部のレジスタ設定により閾値設定信号ＴｈＬＥＶの値が一定の電圧値に設定され、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮとの比較に用いる閾値Ｔｈが一定値で変化しない構成では、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのパルス幅が変動することとなる。電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのパルス幅が小さくなると、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが閾値Ｔｈを超えない場合や、図７に示すように、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジ（図７（ｄ）のｔ３’）よりも電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの立ち下がりエッジ（図７（ｃ）のｔ４’）が早くなる場合がある。すなわち、画素信号Ｖｐｉｘよりも遅れて立ち上がるクロック信号ＣＬＫの立ち上がりまでの微小時間Δｔよりも電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのパルス幅が小さくなる。このとき、動作状態信号生成部６２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号を出力する。つまり、液晶表示装置１の表示動作が正常である場合でも、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして誤検出する場合がある。

このため、本実施形態では、画素信号Ｖｐｉｘの波高値の変化（図８（ａ））に応じた閾値設定信号ＴｈＬＥＶを制御装置２から入力して（図８（ｇ））、閾値Ｔｈをダイナミック（動的）に変化させる（図８（ｂ））。具体的には、図８に示すように、例えば、画素信号Ｖｐｉｘの波高値ａに対し、ｔ１において閾値設定信号ＴｈＬＥＶをＴｈＬＥＶａとすることで、閾値ＴｈをＴｈａとする。また、画素信号Ｖｐｉｘの波高値ｂに対し、ｔ６において閾値設定信号ＴｈＬＥＶをＴｈＬＥＶｂとすることで、閾値ＴｈをＴｈｂとする。また、画素信号Ｖｐｉｘの波高値ｃに対し、ｔ１’において閾値設定信号ＴｈＬＥＶをＴｈＬＥＶｃとすることで、閾値ＴｈをＴｈｃとする。これにより、画素信号Ｖｐｉｘの波高値のａからｂへの変化に応じて、閾値設定信号ＴｈＬＥＶをＴｈＬＥＶａからＴｈＬＥＶｂへと変化させ、閾値ＴｈをＴｈａからＴｈｂへと変化させる。また、画素信号Ｖｐｉｘの波高値のｂからｃへの変化に応じて、閾値設定信号ＴｈＬＥＶをＴｈＬＥＶｂからＴｈＬＥＶｃへと変化させ、閾値ＴｈをＴｈｂからＴｈｃへと変化させる。このようにすれば、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの検出精度を向上させることができ、画素信号Ｖｐｉｘの波高値の変化による電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのパルス幅の変動を抑制することができる（図８（ｃ））。これにより、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジ（図８（ｄ）のｔ３’）よりも電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴの立ち下がりエッジ（図８（ｃ）のｔ４’）が早くなることを防ぐことができる。すなわち、画素信号Ｖｐｉｘよりも遅れて立ち上がるクロック信号ＣＬＫの立ち上がりまでの微小時間Δｔよりも電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのパルス幅が小さくなることを防ぐことができる。このとき、動作状態信号生成部６２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号を出力する。つまり、液晶表示装置１の表示動作が正常である場合に、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして誤検出することを防ぐことができる。

以上説明したように、実施形態２に係る液晶表示装置１によれば、画素信号Ｖｐｉｘの波高値の変化に応じた閾値設定信号ＴｈＬＥＶを制御装置２から入力して、閾値Ｔｈをダイナミック（動的）に変化させる。これにより、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの検出精度を向上させることができる。また、実施形態２に係る液晶表示システム１００において、液晶表示装置１の表示動作が正常である場合に、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして誤検出することを防ぐことができる。

（実施形態３）
図９は、実施形態３に係る液晶表示システムの概略構成の一例を示す図である。図１０は、実施形態３に係る液晶表示装置のブロック構成の一例を示す図である。図１１は、実施形態３に係る液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成の一例を示す図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態１，２では、共通電極ＣＯＭから入力された共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを監視し、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジに同期した過渡的な電位変動成分を検出する例を示したが、本実施形態では、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジ及び立下がりエッジの双方に同期した過渡的な電位変動成分を検出する例について説明する。

図９に示すように、液晶表示装置１ａは、実施形態１に係る液晶表示装置１と同様に、ガラス基板１１上に、表示領域２１と、ドライバＩＣ３とを備え、ドライバＩＣ３と制御装置２ａとの間が、例えばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等で構成される中継基板１２を介して接続され、液晶表示システム１００ａを構成している。

図１０に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置１ａは、表示領域２１と、ゲートドライバ２２及びソースドライバ２３と、表示制御回路４ａと、電圧生成回路５と、動作検出回路（検出回路）６ａとを備えている。図１０に示す例において、制御装置２ａは、第１閾値設定信号ＴｈＬＥＶ１及び第２閾値設定信号ＴｈＬＥＶ２の２つの閾値設定信号を動作検出回路６ａに対して出力する。

本実施形態３において、動作検出回路６ａには、画素信号Ｖｐｉｘの変動に応じた共通電極ＣＯＭの電位の変動を検出するため、図１０に示すように、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジ及び立下がりエッジに同期したクロック信号ＣＬＫａが表示制御回路４ａから入力される。尚、動作検出回路６ａには、共通電極ＣＯＭの電位の変動の読み込み漏れを防止するために、内部信号の遅延時間やばらつきを考慮したクロック信号ＣＬＫａが入力される。すなわち、クロック信号ＣＬＫａは、第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１を読み込むためのクロックエッジ（例えば立ち上がりエッジ）が画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動エッジ（立ち上がりエッジ）よりも微小時間遅れて入力され、第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を読み込むためのクロックエッジ（例えば立下がりエッジ）が画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動エッジ（立下りエッジ）よりも微小時間遅れて入力される。

図１１に示すように、動作検出回路６ａは、第１電位変動検出部６１ａと、第２電位変動検出部６１ｂと、動作状態信号生成部６２ａとを備えている。

第１電位変動検出部６１ａ及び第２電位変動検出部６１ｂは、一例として、コンパレータ回路および閾値を設定するための抵抗を有し、共通電極ＣＯＭの電圧が供給されるＶｃｏｍＤＣ端子の電圧及び各抵抗値により閾値が決まる構成としている。第１電位変動検出部６１ａは、制御装置２ａ内部のレジスタ設定により第１閾値設定信号ＴｈＬＥＶ１の値が設定可能とされ、第１閾値設定信号ＴｈＬＥＶ１により可変抵抗の抵抗値を設定することにより第１電位変動検出部６１ａの第１閾値Ｔｈ１を適宜設定することが可能となる。また、第２電位変動検出部６１ｂは、制御装置２ａ内部のレジスタ設定により第２閾値設定信号ＴｈＬＥＶ２の値が設定可能とされ、第２閾値設定信号ＴｈＬＥＶ２により可変抵抗の抵抗値を設定することにより第２電位変動検出部６１ｂの第２閾値Ｔｈ２を適宜設定することが可能となる。第１電位変動検出部６１ａは、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから第１閾値Ｔｈ１を上回る電位変動成分を抽出し、第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１を出力する。また、第２電位変動検出部６１ｂは、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから第２閾値Ｔｈ２を下回る電位変動成分を抽出し、第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を出力する。なお、図１０及び図１１に示す例では、第１閾値設定信号ＴｈＬＥＶ１及び第２閾値設定信号ＴｈＬＥＶ２は制御装置２ａから入力される構成としているが表示制御回路４ａから入力される構成としてもよい。

動作状態信号生成部６２ａは、第１電位変動検出部６１ａから出力された第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１及び第２電位変動検出部６１ｂから出力された第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を加工し、液晶表示装置１ａの動作状態を示す動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮを生成して制御装置２ａに出力する機能を有している。

図１１に示す例では、動作状態信号生成部６２ａは、レベル変換部６２１ａ，６２１ｂ、論理演算部６２２ａ，６２２ｂ、ＡＮＤ演算部６２３ａ、及びレベル変換部６２４を備えている。

レベル変換部６２１ａは、第１電位変動検出部６１ａの出力である第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１の電圧レベルを後段の論理演算部６２２ａのデジタル信号で扱える電圧レベルに変換して出力する機能ブロックである。また、レベル変換部６２１ｂは、第２電位変動検出部６１ｂの出力である第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２の電圧レベルを後段の論理演算部６２２ｂのデジタル信号で扱える電圧レベルに変換して出力する機能ブロックである。

論理演算部６２２ａは、第１電位変動検出部６１ａにより検出された第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１を取り込むための回路を有する。また、論理演算部６２２ｂは、第２電位変動検出部６１ｂにより検出された第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を取り込むための回路を有する。論理演算部６２２ａ，６２２ｂに入力されるクロック信号ＣＬＫａは、第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１及び第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２に同期した信号とすることで、第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１及び第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を取り込むことができる。更に、共通電極ＣＯＭの電位の変動の読み込み漏れを防止するために、内部信号の遅延時間やばらつきを考慮したクロック信号ＣＬＫａが入力される。すなわち、クロック信号ＣＬＫａは、第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１を読み込むためのクロックエッジ（例えば立ち上がりエッジ）が画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動エッジ（立ち上がりエッジ）及び第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１よりも微小時間遅れて入力され、第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を読み込むためのクロックエッジ（例えば立下がりエッジ）が画素信号Ｖｐｉｘの電圧変動エッジ（立下りエッジ）及び第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２よりも微小時間遅れて入力される。なお、クロック信号ＣＬＫａの立下がりエッジで第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１を読み込むようにしてもよいし、立ち上がりエッジで第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を読み込むようにしてもよい。論理演算部６２２ａ，６２２ｂは、例えばフリップフロップとされる。論理演算部６２２ａ，６２２ｂは、後述するように、一例として、共通電圧Ｖｃｏｍの電位変動成分を、１水平周期（１Ｈ）内でＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号に変換する機能ブロックである。

ＡＮＤ演算部６２３ａは、制御装置２ａから入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅに基づき、制御装置２ａに動作検出回路６ａの出力結果を出力するか否かを選択するため機能ブロックである。

レベル変換部６２４は、ＡＮＤ演算部６２３ａの出力を後段の制御装置２ａで扱える電圧レベルに変換し、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして出力する機能ブロックである。

図１２は、実施形態３に係る液晶表示装置の正常動作時におけるタイミングチャートの一例を示す図である。図１２（ａ）は、ソースドライバ２３から各信号線に供給される画素信号Ｖｐｉｘの波形を示している。図１２（ｂ）は、共通電極ＣＯＭの共通電圧検出位置Ｂから検出される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの波形を示している。図１２（ｃ１）は、第１電位変動検出部６１ａから出力される第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１の波形を示している。図１２（ｃ２）は、第２電位変動検出部６１ｂから出力される第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２の波形を示している。図１２（ｄ）は、表示制御回路４ａから出力されるクロック信号ＣＬＫａの波形を示している。図１２（ｅ）は、動作検出回路６ａから出力される動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの波形を示している。図１２（ｆ）は、制御装置２ａから入力される動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅを示している。図１２（ｇ１）は、制御装置２ａから入力される第１閾値設定信号ＴｈＬＥＶ１を示している。図１２（ｇ２）は、制御装置２ａから入力される第２閾値設定信号ＴｈＬＥＶ２を示している。ここではクロック信号ＣＬＫａの立ち上がりエッジで第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１を取り込んでいるが、立下りエッジで取り込む構成としてもよい。また、クロック信号ＣＬＫａの立下がりエッジで第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２を取り込んでいるが、立ち上がりエッジで取り込む構成としてもよい。

このように、本実施形態では、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりに伴いプラス側に変動する共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの電位変動成分（プラス側変動成分）と、画素信号Ｖｐｉｘの立下がりに伴いマイナス側に変動する共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの電位変動成分（マイナス側変動成分）との双方を検出する構成としている。このため、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジあるいは立ち下がりエッジの一方に同期した過渡的な電位変動成分を検出する場合よりも、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの検出精度を向上させることができる。

次に、図１０乃至図１２を参照して、実施形態３に係る液晶表示装置の表示動作が正常である場合の動作について説明する。

図１２（ｂ）のｔ２乃至ｔ５の期間において共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが第１閾値Ｔｈ１を上回ると、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが第１閾値Ｔｈ１を超えた位置で第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１がＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する（図１２（ｃ１）のｔ２乃至ｔ４の期間）。

画素信号Ｖｐｉｘよりも微小時間Δｔ１遅れて立ち上がるクロック信号ＣＬＫａの立ち上がりエッジにおいて（図１２（ｄ）のｔ３）、第１電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ１のレベルがＨｉｇｈレベルであれば、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮがＨｉｇｈレベルとなる。

続いて、図１２（ｂ）のｔ６乃至ｔ９の期間において共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが第２閾値Ｔｈ２を下回ると、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが第２閾値Ｔｈ２を下回った位置で第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに変化する（図１２（ｃ２）のｔ６乃至ｔ８の期間）。

画素信号Ｖｐｉｘよりも微小時間Δｔ２遅れて立下がるクロック信号ＣＬＫａの立下がりエッジにおいて（図１２（ｄ）のｔ７）、第２電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴ２のレベルがＬｏｗレベルであれば、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮがＬｏｗレベルとなる。

以降、１水平周期（１Ｈ）毎に上記動作を繰り返すことによって、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号（ここでは、クロック信号ＣＬＫａの立ち上がりエッジでＨｉｇｈレベルとなり、クロック信号ＣＬＫａの立下がりエッジでＬｏｗレベルとなる信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）内でＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号）が出力される。なお、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、実施形態１と同様の信号（ここでは、Ｌｏｗレベルに固定した信号）となる。

上述したように、本実施形態では、共通電極ＣＯＭから入力された共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを監視し、画素信号Ｖｐｉｘに同期した過渡的な電位変動成分を検出する際、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジの双方に同期した過渡的な電位変動成分、すなわち、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから第１閾値Ｔｈ１を上回る電位変動成分と、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮから第２閾値Ｔｈ２を下回る電位変動成分との双方を検出する。これにより、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジあるいは立ち下がりエッジの一方に同期した過渡的な電位変動成分を検出する場合よりも、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの検出精度を向上させることができる。

以上説明したように、実施形態３に係る液晶表示装置１ａによれば、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりに伴いプラス側に変動する共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの電位変動成分（プラス側変動成分）と、画素信号Ｖｐｉｘの立下がりに伴いマイナス側に変動する共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの電位変動成分（マイナス側変動成分）との双方を検出する構成としている。これにより、画素信号Ｖｐｉｘの立ち上がりエッジあるいは立ち下がりエッジの一方に同期した過渡的な電位変動成分を検出する場合よりも、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの検出精度を向上させることができる。

（実施形態４）
図１３は、実施形態４に係る液晶表示装置のタイミングチャートの一例を示す図である。なお、実施形態４に係る液晶表示システムの概略構成、液晶表示装置のブロック構成、及び液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成については、上述した実施形態１と同様であるので、ここでの重複する説明は省略する。

共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが閾値Ｔｈを超えると、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する。共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮが閾値Ｔｈを超えていないと、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴがＬｏｗレベルのままで遷移する。

動作状態信号生成部６２は、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出した場合、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号を出力する。本実施形態において、この第１信号は、実施形態１と同様に、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号である。

一方、動作状態信号生成部６２は、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＬｏｗレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していない場合、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号を出力する。この第２信号は、実施形態１において説明したように、ここでは、ＬｏｗレベルあるいはＨｉｇｈに固定した信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルあるいはＨｉｇｈから変化しない信号である。

本実施形態では、１水平周期（１Ｈ）毎に液晶表示装置１の表示動作判定を行うものとし、制御装置２により第２信号が連続して検出された回数（以下、「異常連続検出回数」という）Ｐに所定回数Ｘ（Ｘは、例えば１以上の自然数、Ｘ≧１）の閾値を設けている。図１３に示す例では、制御装置２により第２信号が検出されたｎ水平周期（ｎＨ）における異常連続検出回数Ｐはｎとなる（Ｐ＝ｎ）。

本実施形態に係る液晶表示システム１００において、制御装置２は、異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ以上となった場合に（Ｐ≧Ｘ）、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして判定する。換言すれば、制御装置２は、異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ未満である場合には（Ｐ＜Ｘ）、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものと判定する。これにより、液晶表示装置１の表示動作が正常であるにも関わらず、例えば、ノイズ等の外乱要因に起因して、単発的あるいは短期的に共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを検出できなかった場合や、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込めなかった場合に、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして誤検出することを防ぐことができる。

なお、本実施形態における所定回数Ｘ等を含む、液晶表示装置１の表示動作の異常を検出する際に用いるパラメータ値は、予め制御装置２にレジスタ設定されていてもよいし、液晶表示システム１００における環境要因（例えば、液晶表示システム１００を構成する部品の温度特性）に応じてダイナミック（動的）に変更される構成であってもよい。

次に、図２、図３、図１３、及び図１４を参照して、実施形態４に係る液晶表示システム１００における具体的な処理フローについて説明する。図１４は、実施形態４に係る液晶表示システムにおける処理フローの一例を示す図である。なお、本実施形態における処理フローは、１水平周期（１Ｈ）毎に実施するものとする。

液晶表示装置１が動作を開始すると、動作検出回路６には、制御装置２から動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅ（Ｈｉｇｈレベル信号）及び閾値設定信号ＴｈＬＥＶが入力される。閾値設定信号ＴｈＬＥＶが入力されることで、電位変動検出部６１に閾値Ｔｈがレジスタ設定される。動作検出回路６は、共通電極ＣＯＭから入力される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮと閾値Ｔｈとの比較処理を行い、動作検出処理を開始する（ステップＳ１）。また、制御装置２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの監視を開始する（ステップＳ２）。

動作状態信号生成部６２は、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルであるか否かを判定する。これにより、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したか否かを判定する（ステップＳ３）。

クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出した場合（ステップＳ３；Ｙｅｓ）、動作状態信号生成部６２は、動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅ（Ｈｉｇｈレベル信号）に基づき、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号（ここでは、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号）を出力する（ステップＳ４）。

制御装置２は、ステップＳ４において出力された第１信号を検知すると（ステップＳ５）、制御装置２は、異常連続検出回数Ｐをリセット（Ｐ＝０）し、（ステップＳ９）、ステップＳ３の処理に戻る。

クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＬｏｗレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していない場合（ステップＳ３；Ｎｏ）、動作状態信号生成部６２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号（ここでは、Ｌｏｗレベルに固定した信号）を出力する（ステップＳ６）。

制御装置２は、ステップＳ５において出力された第２信号を検知すると（ステップＳ７）、異常連続検出回数Ｐをカウントアップ（Ｐ＝Ｐ＋１）し（ステップＳ１０）、異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ以上（Ｐ≧Ｘ）であるか否かを判定する（ステップＳ１１）。

異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ未満（Ｐ＜Ｘ）である場合には（ステップＳ１１；Ｎｏ）、ステップＳ３の処理に戻る。

異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ以上（Ｐ≧Ｘ）となると（ステップＳ１１；Ｙｅｓ）、制御装置２は、液晶表示装置１に表示動作の異常が発生したものとして、所定の異常時処理を行い（ステップＳ８）、本フローの処理を終了する。

すなわち、本実施形態では、第２信号を連続して検出した異常連続検出回数ＰがＸ以上（Ｐ≧Ｘ）となる前に、共通電極ＣＯＭの電位変動成分が検出され（ステップＳ３；Ｙｅｓ）、動作状態信号生成部６２から第１信号が出力されると（ステップＳ４）、制御装置２は、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものとして、異常時処理（ステップＳ８）に移行しない。

これにより、液晶表示装置１の表示動作が正常であるにも関わらず、例えば、ノイズ等の外乱要因に起因して、単発的あるいは短期的に共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを検出できなかった場合や、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込めなかった場合に、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして誤検出することを防ぐことができる。

また、本実施形態では、液晶表示装置１に表示動作の異常が発生したものとして、所定の異常時処理を行った後、再度液晶表示装置１が動作を開始して動作検出回路６が動作検出処理を開始し（ステップＳ１）、制御装置２により第１信号が検知されると（ステップＳ５）、異常連続検出回数Ｐがリセット（Ｐ＝０）される（ステップＳ９）。一方、再度液晶表示装置１が動作を開始して動作検出回路６が動作検出処理を開始した直後に、制御装置２により第２信号が検知されると（ステップＳ７）、異常連続検出回数Ｐがカウントアップ（Ｐ＝Ｐ＋１）される（ステップＳ１０）。これにより、ステップＳ１１において異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ以上（Ｐ≧Ｘ）であると判定され、直ちに異常時処理が実施される（ステップＳ８）。

以上説明したように、実施形態４に係る液晶表示装置システム１００によれば、制御装置２は、第２信号を連続して検出した異常連続検出回数Ｐに所定回数Ｘの閾値を設け、異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ以上となった場合に（Ｐ≧Ｘ）、液晶表示装置１に表示動作の異常が発生したものとして判定する。換言すれば、制御装置２は、異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ未満である場合には（Ｐ＜Ｘ）、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものと判定する。これにより、液晶表示装置１の表示動作が正常であるにも関わらず、例えば、ノイズ等の外乱要因に起因して、単発的あるいは短期的に共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮを検出できなかった場合や、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴを取り込めなかった場合に、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして誤検出することを防ぐことができる。

（実施形態５）
図１５は、実施形態５に係る液晶表示装置のタイミングチャートの一例を示す図である。なお、実施形態５に係る液晶表示システムの概略構成、液晶表示装置のブロック構成、及び液晶表示装置における動作検出回路のブロック構成については、上述した実施形態１と同様であるので、ここでの重複する説明は省略する。

実施形態４では、制御装置２により第２信号が連続して検出された異常連続検出回数Ｐに所定回数Ｘ（Ｘは１以上の自然数、Ｘ≧１）の閾値を設け、異常連続検出回数Ｐが所定回数Ｘ以上となった場合に（Ｐ≧Ｘ）、液晶表示装置１に表示動作の異常が発生したものとして判定する例について説明したが、本実施形態では、制御装置２により第２信号が検出された累積回数（以下、「異常累積検出回数」という）Ｑに第１所定回数Ｙ（Ｙは、例えば２以上の自然数、Ｙ≧２）の閾値を設けている。図１５に示す例では、制御装置２により第２信号が検出されたｎ_１Ｈ及びｎ_２Ｈにおける累積回数Ｑは、ｎ_１＋ｎ_２となる（Ｑ＝ｎ_１＋ｎ_２）。

また、本実施形態では、制御装置２により第１信号が連続して検出された正常連続検出回数Ｒに第２所定回数Ｚ（Ｚは、例えば２以上の自然数、Ｚ≧２）の閾値を設けている。図１５に示す例では、制御装置２により第１信号が検出されたｎ_３Ｈにおける正常連続検出回数Ｒはｎ_３となる（Ｒ＝ｎ_３）。

本実施形態に係る液晶表示システム１００において、制御装置２は、異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ以上となった場合に（Ｑ≧Ｙ）、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものと判定する。換言すれば、制御装置２は、異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ未満であり（Ｑ＜Ｙ）、正常連続検出回数Ｒが第２所定回数Ｚ以上となった場合に（Ｒ≧Ｚ）、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものと判定する。これにより、異常累積検出回数Ｑの第１所定回数Ｙの値、及び、正常連続検出回数Ｒの第２所定回数Ｚの値をシステムに応じて適切に設定することで、より高精度に液晶表示装置１の表示動作の異常を検出することができる。

なお、本実施形態における第１所定回数Ｙ、第２所定回数Ｚ等を含む、液晶表示装置１の表示動作の異常を検出する際に用いるパラメータ値は、予め制御装置２にレジスタ設定されていてもよいし、液晶表示システム１００における環境要因（例えば、液晶表示システム１００を構成する部品の温度特性）に応じてダイナミック（動的）に変更される構成であってもよい。

次に、図２、図３、図１５、及び図１６を参照して、実施形態４に係る液晶表示システム１００における具体的な処理フローについて説明する。図１６は、実施形態５に係る液晶表示システムにおける処理フローの一例を示す図である。なお、本実施形態における処理フローは、１水平周期（１Ｈ）毎に実施するものとする。

液晶表示装置１が動作を開始すると、動作検出回路６には、制御装置２から動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅ（Ｈｉｇｈレベル信号）及び閾値設定信号ＴｈＬＥＶが入力される。閾値設定信号ＴｈＬＥＶが入力されることで、電位変動検出部６１に閾値Ｔｈがレジスタ設定される。動作検出回路６は、共通電極ＣＯＭから入力される共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮと閾値Ｔｈとの比較処理を行い、動作検出処理を開始する（ステップＳ１）。また、制御装置２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮの監視を開始する（ステップＳ２）。

動作状態信号生成部６２は、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて、電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルであるか否かを判定する。これにより、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したか否かを判定する（ステップＳ３）。

クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＨｉｇｈレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出した場合（ステップＳ３；Ｙｅｓ）、動作状態信号生成部６２は、動作検出可否信号ＤｅｔＥｎａｂｌｅ（Ｈｉｇｈレベル信号）に基づき、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出したことを示す第１信号（ここでは、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジでＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号、すなわち、１水平周期（１Ｈ）毎にＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルとが切り替わる信号）を出力する（ステップＳ４）。

制御装置２は、ステップＳ４において出力された第１信号を検知すると（ステップＳ５）、正常連続検出回数Ｒをカウントアップ（Ｒ＝Ｒ＋１）し（ステップＳ１２）、正常連続検出回数Ｒが第２所定回数Ｚ以上（Ｒ≧Ｚ）であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。

正常連続検出回数Ｒが第２所定回数Ｚ未満（Ｒ＜Ｚ）である場合には（ステップＳ１３；Ｎｏ）、ステップＳ３の処理に戻る。

正常連続検出回数Ｒが第２所定回数Ｚ以上（Ｒ≧Ｚ）となると（ステップＳ１３；Ｙｅｓ）、制御装置２は、異常累積検出回数Ｑ及び正常連続検出回数Ｒをリセット（Ｑ＝０，Ｒ＝０）し、（ステップＳ１４）、ステップＳ３の処理に戻る。

クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジにおいて電位変動成分検出信号ＶｃｏｍＤＥＴのレベルがＬｏｗレベルである、すなわち、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していない場合（ステップＳ３；Ｎｏ）、動作状態信号生成部６２は、動作状態検出信号ＶｃｏｍＭＯＮとして、共通電極ＣＯＭの電位変動成分を検出していないことを示す第２信号（ここでは、Ｌｏｗレベルに固定した信号）を出力する（ステップＳ６）。

制御装置２は、ステップＳ６において出力された第２信号を検知すると（ステップＳ７）、異常累積検出回数Ｑをカウントアップ（Ｑ＝Ｑ＋１）すると共に、正常連続検出回数Ｒをリセット（Ｒ＝０）し（ステップＳ１５）、異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ以上（Ｑ≧Ｙ）であるか否かを判定する（ステップＳ１６）。

異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ未満（Ｑ＜Ｙ）である場合には（ステップＳ１６；Ｎｏ）、ステップＳ３の処理に戻る。

異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ以上（Ｑ≧Ｙ）となると（ステップＳ１６；Ｙｅｓ）、制御装置２は、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものとして、所定の異常時処理を行い（ステップＳ８）、本フローの処理を終了する。

すなわち、本実施形態では、第２信号を検出した累積回数である異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ（Ｙは２以上の自然数、Ｙ≧２）となる前に、共通電極ＣＯＭの電位変動成分が検出され（ステップＳ３；Ｙｅｓ）、第１信号を連続して検出した正常連続検出回数Ｒが第２所定回数Ｚ（Ｚ≧２）以上（Ｒ≧Ｚ）となると（ステップＳ１３；Ｙｅｓ）、制御装置２は、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものとして、異常時処理（ステップＳ８）に移行しない。

これにより、異常累積検出回数Ｑの第１所定回数Ｙの値、及び、正常連続検出回数Ｒの第２所定回数Ｚの値をシステムに応じて適切に設定することで、実施形態４よりもより高精度に液晶表示装置１の表示動作の異常を検出することができる。

また、本実施形態では、液晶表示装置１に表示動作の異常が発生したものとして、所定の異常時処理を行った後、再度液晶表示装置１が動作を開始して動作検出回路６が動作検出処理を開始し（ステップＳ１）、制御装置２により第１信号が検知されると（ステップＳ５）、異常累積検出回数Ｑ及び正常連続検出回数Ｒがリセット（Ｑ＝０，Ｒ＝０）される（ステップＳ１４）。一方、再度液晶表示装置１が動作を開始して動作検出回路６が動作検出処理を開始した直後に、制御装置２により第２信号が検知されると（ステップＳ７）、異常累積検出回数Ｑがカウントアップ（Ｑ＝Ｑ＋１）され、正常連続検出回数Ｒがリセット（Ｒ＝０）される（ステップＳ１５）。これにより、ステップＳ１６において異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ以上（Ｑ≧Ｙ）であると判定され、直ちに異常時処理が実施される（ステップＳ８）。

以上説明したように、実施形態５に係る液晶表示装置システム１００によれば、制御装置２により第２信号が検出された累積回数である異常累積検出回数Ｑに第１所定回数Ｙの閾値を設け、異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ以上となった場合に（Ｑ≧Ｙ）、液晶表示装置１の表示動作が異常であるものと判定する。また、制御装置２により第１信号が連続して検出された正常連続検出回数Ｒに第２所定回数Ｚの閾値を設け、異常累積検出回数Ｑが第１所定回数Ｙ未満であり（Ｑ＜Ｙ）、正常連続検出回数Ｒが第２所定回数Ｚ以上となった場合に（Ｒ≧Ｚ）、液晶表示装置１の表示動作が正常であるものと判定する。これにより、異常累積検出回数Ｑの第１所定回数Ｙの値、及び、正常連続検出回数Ｒの第２所定回数Ｚの値をシステムに応じて適切に設定することで、より高精度に液晶表示装置１の表示動作の異常を検出することができる。

（実施形態６）
図１７は、実施形態６に係る液晶表示システムの概略構成の一例を示す図である。図１８は、実施形態６に係る液晶表示装置のブロック構成の一例を示す図である。なお、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

本実施形態では、実施形態４における所定回数Ｘ等、あるいは、実施形態５における第１所定回数Ｙ及び第２所定回数Ｚ等を含む、液晶表示装置１ｂの表示動作の異常を検出する際に用いるパラメータ値を、液晶表示装置１ｂにおける環境要因に応じてダイナミック（動的）に設定する例について説明する。

図１７に示すように、液晶表示装置１ｂは、実施形態１に係る液晶表示装置１と同様に、ガラス基板１１上に、表示領域２１と、ドライバＩＣ３とを備え、ドライバＩＣ３と制御装置２ｂとの間が、例えばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等で構成される中継基板１２を介して接続され、液晶表示システム１００ｂを構成している。

また、本実施形態では、ガラス基板１１上に温度センサ１３を設け、この温度センサ１３により検出された温度に応じて、液晶表示装置１ｂの表示動作の異常を検出する際に用いるパラメータ値をダイナミック（動的）に設定する。すなわち、本実施形態では、液晶表示装置１ｂを構成する部品の温度特性を考慮して、液晶表示装置１ｂの表示動作の異常を検出することができる。なお、図１７に示す例では、温度センサ１３をガラス基板１１上に設けた例を示したが、温度センサ１３の配置はこれに限らず、温度変化に依存して影響を受け易い部品に近接配置してもよいし、ガラス基板１１上に限らず、液晶表示装置１ｂにおいて温度変化の大きい所定位置に設けるのが好ましい。特に、共通電圧検出信号ＶｃｏｍＩＮの検出に用いる閾値設定信号ＴｈＬＥＶ、閾値Ｔｈ、クロック信号ＣＬＫ等の各信号のレベルやタイミングが温度特性によって変動すると、検出精度に影響する場合がある。従って、例えば、表示制御回路４や動作検出回路６を含むドライバＩＣ３に近接配置する構成であるのがより好ましい。

図１８に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置１ｂは、表示領域２１と、ゲートドライバ２２及びソースドライバ２３と、表示制御回路４と、電圧生成回路５と、動作検出回路（検出回路）６と、温度センサ１３とを備えている。なお、図１７及び図１８に示す例では、閾値設定信号ＴｈＬＥＶは制御装置２ｂから入力される構成としているが表示制御回路４から入力される構成としてもよい。

本実施形態において、温度センサ１３から出力される温度検知信号ＤｅｔＴｅｍｐは、制御装置２ｂに入力される。制御装置２ｂは、温度検知信号ＤｅｔＴｅｍｐに応じて、液晶表示装置１ｂの表示動作の異常を検出する際に用いるパラメータ値をダイナミック（動的）に設定する。これにより、温度センサ１３を設けた液晶表示装置１ｂの所定位置における温度変化に応じた適切なパラメータ設定が可能となり、温度変化への依存性が低いシステムを構築することができる。

なお、実施形態５における第１所定回数Ｙ、第２所定回数Ｚのように、液晶表示装置１ｂの表示動作の異常を検出する際に用いるパラメータを複数有する構成では、温度変化への依存性が大きい何れか一方のパラメータ値のみ温度検知信号ＤｅｔＴｅｍｐに応じて設定される構成であってもよいし、双方のパラメータ値を温度検知信号ＤｅｔＴｅｍｐに応じて設定される構成であってもよいことは言うまでもない。

以上説明したように、実施形態６に係る液晶表示装置システム１００ｂによれば、液晶表示装置１ｂにおける所定位置の温度を検出する温度センサ１３を設け、温度センサ１３から出力される温度検知信号ＤｅｔＴｅｍｐに応じて、液晶表示装置１ｂの表示動作の異常を検出する際に用いる各パラメータ値をダイナミック（動的）に設定する。これにより、温度センサ１３を設けた液晶表示装置１ｂの所定位置における温度変化に応じた適切なパラメータ設定が可能となり、温度変化への依存性が低いシステムを構築することができる。

以上、実施形態について説明したが、上述した内容により本発明が限定されるものではない。また、上述した本発明の構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、上述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換及び変更を行うことができる。

１，１ａ，１ｂ 液晶表示装置
２，２ａ，２ｂ 制御装置
３ ドライバＩＣ
４，４ａ 表示制御回路
５ 電圧生成回路
６，６ａ 動作検出回路（検出回路）
１１ ガラス基板
１２ 中継基板
１３ 温度センサ
２１ 表示領域
２２ ゲートドライバ
２３ ソースドライバ
６１ 電位変動検出部
６１ａ 第１電位変動検出部
６１ｂ 第２電位変動検出部
６２，６２ａ 動作状態信号生成部
１００，１００ａ，１００ｂ 液晶表示システム
６２１，６２１ａ，６２１ｂ，６２４ レベル変換部
６２２，６２２ａ，６２２ｂ 論理演算部
６２３，６２３ａ ＡＮＤ演算部

Claims (13)

1. 表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素と、
   前記表示領域において行方向に並ぶ前記各画素に接続され、走査信号が供給される走査線と、
   前記表示領域において列方向に並ぶ前記各画素に接続され、画素信号が供給される信号線と、
   前記各画素に共通に接続され、共通電圧が印加される共通電極と、
   前記共通電圧に重畳される、前記画素信号に同期した過渡的な電位変動成分を検出する検出回路と、
   を備える、
   液晶表示装置。
2. 前記検出回路は、前記電位変動成分を検出するための閾値が設定されており、前記共通電極から前記共通電圧を検出し、当該検出した共通電圧と前記閾値とを比較することにより、前記電位変動成分を検出する、
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記閾値は、前記画素信号の立ち上がりに伴いプラス側に変動する前記電位変動成分を検出する第１閾値と、前記画素信号の立下がりに伴いマイナス側に変動する前記電位変動成分を検出する第２閾値とで構成される、
   請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記閾値は、前記画素信号の波高値に応じた所定値に設定されている、
   請求項２又は請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記閾値は、予め前記検出回路にレジスタ設定されている、
   請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記閾値は、前記画素信号の波高値に応じた値に動的に設定される、
   請求項２又は請求項３に記載の液晶表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置と、
   前記検出回路により前記電位変動成分が検出された場合に、前記液晶表示装置の表示動作が異常であるものとして所定の異常時処理を行う制御装置と、
   を備える、
   液晶表示システム。
8. 請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置と、
   水平周期毎に、前記検出回路により前記電位変動成分が検出されたか否かを検知し、前記電位変動成分が連続して検出された回数が所定回数となった場合に、前記液晶表示装置の表示動作が異常であるものとして判定し、所定の異常時処理を行う制御装置と、
   を備える、
   液晶表示システム。
9. 前記液晶表示装置における所定位置の温度を検出する温度センサを備え、
   前記制御装置は、前記温度センサにより検出される温度に基づき、前記所定回数を動的に設定する、
   請求項８に記載の液晶表示システム。
10. 請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置と、
    水平周期毎に、前記検出回路により前記電位変動成分が検出されたか否かを検知し、前記電位変動成分が検出された累積回数が第１所定回数となった場合に、前記液晶表示装置の表示動作が異常であるものとして判定し、所定の異常時処理を行う制御装置と、
    を備える、
    液晶表示システム。
11. 前記液晶表示装置における所定位置の温度を検出する温度センサを備え、
    前記制御装置は、前記温度センサにより検出される温度に基づき、前記第１所定回数を動的に設定する、
    請求項１０に記載の液晶表示システム。
12. 前記制御装置は、
    前記検出回路により前記電位変動成分が連続して検出されなかった回数が第２所定回数となった場合に、前記液晶表示装置の表示動作が正常であるものとして判定する、
    請求項１０に記載の液晶表示システム。
13. 前記液晶表示装置における所定位置の温度を検出する温度センサを備え、
    前記制御装置は、前記温度センサにより検出される温度に基づき、前記第１所定回数及び前記第２所定回数の少なくとも一方を動的に設定する、
    請求項１２に記載の液晶表示システム。

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