JP2016171117A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】窒化物半導体基板の表面にAl2O3膜を形成してゲート絶縁膜とする場合でも、閾値電圧が安定し、ゲート絶縁膜を通過する電流密度が低く、ゲート絶縁膜の寿命が長い半導体装置の量産を可能とする。
【解決手段】窒化物半導体基板2の表面にオゾン酸化を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜の下層8aを形成する。その後に酸素プラズマ法を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜の上層8bを形成する。
【選択図】図1
【解決手段】窒化物半導体基板2の表面にオゾン酸化を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜の下層8aを形成する。その後に酸素プラズマ法を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜の上層8bを形成する。
【選択図】図1
Description
本明細書では、窒化物半導体基板の表面にゲート絶縁膜が形成されている半導体装置を開示する。
窒化物半導体基板の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する技術が知られている。本明細書では、窒化物半導体基板とゲート絶縁膜とゲート電極の積層構造をMOSという。
ゲート絶縁膜にAl2O3を用いる技術が知られている。窒化物半導体基板の表面にAl2O3膜を形成するために、Al源にTMA(トリメチルアルミニウム)を用いる原子層堆積法を利用する技術が知られており、製膜時の酸化方法に、下記の三種が知られている。
a)水蒸気酸化
b)酸素プラズマ酸化
c)オゾン酸化
a)水蒸気酸化
b)酸素プラズマ酸化
c)オゾン酸化
上記の酸化方法のいずれによっても、得られたMOSの特性には課題が残る。例えば、水蒸気酸化法でAl2O3膜を形成するとAl2O3膜の密度が低く、MOSの耐圧が低下する。酸素プラズマ酸化でAl2O3膜を形成すると、MOSの閾値電圧が理論値から大きくずれてしまう。オゾン酸化でAl2O3膜を形成すると、MOSのリーク電流が大きくなってしまう。
特許文献1では、窒化物半導体基板の表面に水蒸気酸化法でAl2O3膜を形成し、その表面に酸素プラズマ法でAl2O3膜を形成する。あるいは、窒化物半導体基板の表面に水蒸気酸化法でAl2O3膜を形成し、その表面にオゾン酸化法でAl2O3膜を形成する。
実験の結果、窒化物半導体基板の表面に水蒸気酸化法でAl2O3膜を形成すると、閾値電圧が理論値から大きく外れてしまうことが判明した。水蒸気酸化法で形成したAl2O3膜の表面に酸素プラズマ法またはオゾン酸化法でAl2O3膜を形成しても、その問題は解決されない。従来の技術では、特性の安定したMOSを量産することが難しい。
本明細書では、窒化物半導体を利用して特性の安定したMOSを量産することを可能とする技術を開示する。
本明細書では、窒化物半導体を利用して特性の安定したMOSを量産することを可能とする技術を開示する。
本明細書では、特性の安定したMOSの量産を可能とする構造を開示する。そのMOSは、窒化物半導体基板と、その窒化物半導体基板の表面に形成されたゲート絶縁膜を備えている。ゲート絶縁膜は、窒化物半導体基板の表面に接する下層と、その下層の表面に接する上層を備えており、その下層がオゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3であり、その上層が酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3であることを特徴とする。
実験によって、窒化物半導体基板の表面にオゾン酸化を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜を形成すると、閾値電圧が理論値に一致するものを量産できることが判明した。ただし、Al2O3膜を流れる電流の大きさが理論値からずれ、Al2O3膜を流れる電流の大きさが安定したMOSを量産するのに適していないことが判明した。
本明細書に開示する技術では、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3を上層に利用することで上記の問題に対処する。酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜を形成すると、Al2O3膜を流れる電流の大きさが理論値によく一致する。Al2O3膜を流れる電流の大きさが安定したMOSを量産することが可能となる。
本明細書に開示する技術では、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3を上層に利用することで上記の問題に対処する。酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によってAl2O3膜を形成すると、Al2O3膜を流れる電流の大きさが理論値によく一致する。Al2O3膜を流れる電流の大きさが安定したMOSを量産することが可能となる。
本明細書に記載の技術によると、閾値電圧とゲート絶縁膜を流れる電流の値が安定したMOSの量産が可能となる。
以下、本明細書で開示する技術の特徴を整理する。なお、以下に記す事項は、各々単独で技術的な有用性を有している。
(特徴1)GaN層の表面にAl2O3膜が形成されている。
(特徴2)AlGaNまたはInAlGaNであって、GaNより広いバッドギャップを持つ窒化物半導体の表面にAl2O3膜が形成されている。
(特徴3)窒化物半導体基板の表面にリセスが形成されており、そのリセスの内外に亘ってAl2O3膜が延びている。
(特徴1)GaN層の表面にAl2O3膜が形成されている。
(特徴2)AlGaNまたはInAlGaNであって、GaNより広いバッドギャップを持つ窒化物半導体の表面にAl2O3膜が形成されている。
(特徴3)窒化物半導体基板の表面にリセスが形成されており、そのリセスの内外に亘ってAl2O3膜が延びている。
図1は、実施例1のMOSの断面図を示している。参照番号2はサファイア基板、4はi型のGaN層、6はi型のAlGaN層、8はAl2O3膜、10はソース電極、12はゲート電極、14はドレイン電極を示している。AlGaN層6のバンドギャップは、GaN層4のバンドギャップより広く、GaN層4のうちのAlGaN層6との界面近傍に2次元電子ガスが広がっている。その2次元電子ガスによって、ソース電極10とドレイン電極14の間の抵抗は低い。ゲート電極12に負の電圧を印加すると、Al2O3膜8を介してゲート電極12に向い合っている範囲の2次元電子ガスが消失し、ソース電極10とドレイン電極14の間が高抵抗となる。図1は、ノーマリオンのHEMTであることがわかる。Al2O3膜8は、ゲート電極12とAlGaN層6の間を絶縁するゲート絶縁膜として機能する。
ゲート絶縁膜(Al2O3膜)8は、AlGaN層6の表面に接する下層8aと、下層8aの表面に接する上層8bを備えている。下層8aは、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3膜であり、上層8bは、酸素を含むガスのプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3膜である。
図2は、ゲート絶縁膜8にAl2O3膜を使用した場合の特性を測定した半導体装置を示す。(a)は平面図であり、(b)は断面図である。図2の半導体装置は、特性測定用のものであり、半導体基板の表面に形成されているほぼ円形のゲート絶縁膜8を一巡する範囲に、表面電極20が形成されている。参照番号2はサファイア基板であり、参照番号4aはn型のGaNであり、参照番号12はゲート電極である。
図3は、図2の半導体装置を利用して計測した結果を示し、横軸はゲート電極12に印加した電位を示し、縦軸はゲート電極12の下の容量を示している。容量は、規格化しており、最大値を1.0としている。破線は、理論的に計算される関係を示し、実線が計測結果を示している。
図3の(1)は、AlGaN層6の表面に、水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜のみが存在する場合を示す。破線と実線が大きくずれており、実際の特性が理論値から大きくずれている。また、2本の実線が認められる。一方の実線はゲート電圧を上昇させていくときの特性を示し、他方はゲート電圧を下降させていくときの特性を示す。上昇時の特性と下降時の特性が異なってしまう。ゲート電極の電位とゲート電極の下の容量の関係が理論値からずれるほど、図1に示したMOS構造の閾値電圧が理論値からずれることがわかっている。水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって図1のゲート絶縁膜8を形成すると、閾値電圧が理論値から大きくずれてしまう。図1に示す半導体装置では、ゲート絶縁膜下層8aが水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜でないために、上記のズレが生じない。
図3は、図2の半導体装置を利用して計測した結果を示し、横軸はゲート電極12に印加した電位を示し、縦軸はゲート電極12の下の容量を示している。容量は、規格化しており、最大値を1.0としている。破線は、理論的に計算される関係を示し、実線が計測結果を示している。
図3の(1)は、AlGaN層6の表面に、水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜のみが存在する場合を示す。破線と実線が大きくずれており、実際の特性が理論値から大きくずれている。また、2本の実線が認められる。一方の実線はゲート電圧を上昇させていくときの特性を示し、他方はゲート電圧を下降させていくときの特性を示す。上昇時の特性と下降時の特性が異なってしまう。ゲート電極の電位とゲート電極の下の容量の関係が理論値からずれるほど、図1に示したMOS構造の閾値電圧が理論値からずれることがわかっている。水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって図1のゲート絶縁膜8を形成すると、閾値電圧が理論値から大きくずれてしまう。図1に示す半導体装置では、ゲート絶縁膜下層8aが水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜でないために、上記のズレが生じない。
図3の(3)は、AlGaN層6の表面に酸素プラズマを用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜のみが存在する場合を示す。破線と実線がずれており、実際の特性が理論値からずれている。図1に示す半導体装置では、ゲート絶縁膜下層8aが酸素プラズマを用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜でないために、上記のズレが生じない。
図3の(2)は、AlGaN層6の表面にオゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜が存在する場合を示す。破線と実線がよく重なっており、実際の特性が理論値によく一致する。ゲート電極の電位とゲート電極の下の容量の関係が理論値に近いほど、図1に示したMOS構造の閾値電圧が理論値に近いことがわかっている。図1に示す半導体装置では、ゲート絶縁膜下層8aがオゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成されているために、実際の閾値電圧が理論値によく一致する。図1の構造は、閾値電圧が安定した半導体装置の量産を可能とすることがわかる。
図4の横軸はAl2O3膜に印加する電界強度を示し、縦軸はAl2O3膜を流れる電流密度を示す。Al2O3膜はすぐれた絶縁体ではあるが、微小電流が流れる。グラフ22は、理論式から計算される関係を示す。
グラフ24は、水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜の測定結果を示す。理論式から計算される関係から大きくずれている。また絶縁破壊点24aでの電界も低く、電流密度も低い。
グラフ26は、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜の測定結果を示す。理論式から計算される関係からずれている。また絶縁破壊点26bでの電界強度は後記する絶縁破壊点28aの電界より高いものの、絶縁破壊点26bでの電流密度は絶縁破壊点28aの電流密度より低い。
グラフ28は、酸素プラズマ法を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜の測定結果を示す。一般的に使用される3MV/cm程度の電界の範囲では、理論式から計算される関係によく一致する。グラフ28とグラフ26を比較すると明らかに、3MV/cm程度の電界の範囲では、グラフ28が理論値22に最も近い。もっとも安定した電流特性が得られることがわかる。また、絶縁破壊点28aの電流密度は絶縁破壊点26bの電流密度より高い。一般に、絶縁破壊時の電流密度が高いほど絶縁膜の寿命が長い。
グラフ24は、水蒸気酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜の測定結果を示す。理論式から計算される関係から大きくずれている。また絶縁破壊点24aでの電界も低く、電流密度も低い。
グラフ26は、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜の測定結果を示す。理論式から計算される関係からずれている。また絶縁破壊点26bでの電界強度は後記する絶縁破壊点28aの電界より高いものの、絶縁破壊点26bでの電流密度は絶縁破壊点28aの電流密度より低い。
グラフ28は、酸素プラズマ法を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜の測定結果を示す。一般的に使用される3MV/cm程度の電界の範囲では、理論式から計算される関係によく一致する。グラフ28とグラフ26を比較すると明らかに、3MV/cm程度の電界の範囲では、グラフ28が理論値22に最も近い。もっとも安定した電流特性が得られることがわかる。また、絶縁破壊点28aの電流密度は絶縁破壊点26bの電流密度より高い。一般に、絶縁破壊時の電流密度が高いほど絶縁膜の寿命が長い。
図1の構造では、ゲート絶縁膜の上層8bに、酸素プラズマ法を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3膜を用いるので、特性の安定した装置を量産できることがわかる。またゲート絶縁膜の寿命が長い装置を得ることができることがわかる。
図1では、電子走行層にGaN層4を用い、電子供給層にAlGaN層6を用いる。AlGaNに代えて、InAlGaNであってGaNより広いバッドギャップを持つ窒化物半導体を電子供給層としてもよい。
図1では、電子走行層にGaN層4を用い、電子供給層にAlGaN層6を用いる。AlGaNに代えて、InAlGaNであってGaNより広いバッドギャップを持つ窒化物半導体を電子供給層としてもよい。
(第2実施例)
図5は、実施例2の半導体装置の断面図を示す。実施例1との相違点のみを説明する。図5の場合、電子走行層となるGaN層4と、電子供給層となるAlGaN層6と、キャップ層となるGaN層16の積層構造を利用する。ゲート絶縁膜8をGaN層16の表面に形成する場合も、第1実施例の場合と同様に、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3を下層8aに用い、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3を上層8bに用いることで、特性が安定した装置の量産が可能となる。
図5は、実施例2の半導体装置の断面図を示す。実施例1との相違点のみを説明する。図5の場合、電子走行層となるGaN層4と、電子供給層となるAlGaN層6と、キャップ層となるGaN層16の積層構造を利用する。ゲート絶縁膜8をGaN層16の表面に形成する場合も、第1実施例の場合と同様に、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3を下層8aに用い、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3を上層8bに用いることで、特性が安定した装置の量産が可能となる。
(第3実施例)
図6に示すように、GaN層4の表面に形成されているAlGaN層6の一部にリセスが形成され、そのリセスの内外に亘ってゲート絶縁膜が延びている構造に、本技術を適用することができる。この場合も、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3を下層8aに用い、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3を上層8bに用いることで、特性が安定した装置の量産が可能となる。なお、図5ではリセスにおいてAlGaN層6が除去されてGaN層4が露出しているが、AlGaN層6の表面側だけを除去してリセスとしてもよい。すなわち、リセスの底面にAlGaN層6が露出している構造にも本技術を適用することができる。
図6に示すように、GaN層4の表面に形成されているAlGaN層6の一部にリセスが形成され、そのリセスの内外に亘ってゲート絶縁膜が延びている構造に、本技術を適用することができる。この場合も、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3を下層8aに用い、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3を上層8bに用いることで、特性が安定した装置の量産が可能となる。なお、図5ではリセスにおいてAlGaN層6が除去されてGaN層4が露出しているが、AlGaN層6の表面側だけを除去してリセスとしてもよい。すなわち、リセスの底面にAlGaN層6が露出している構造にも本技術を適用することができる。
図6に示すように、リセスの形成範囲外では、AlGaN層6の表面が絶縁膜18で被覆されていることがある。絶縁膜18には、SiO2などが利用される。窒化物半導体基板の表面の一部にSiO2等の絶縁膜が形成されている半導体装置に本技術を適用することができる。ゲート電極12がゲート絶縁膜8を介して窒化物半導体基板に対向している範囲において、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成したAl2O3下層8aと酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3上層8bによってゲート絶縁膜が形成されていると、特性が安定した装置の量産が可能となる。
(ゲート絶縁膜の製造方法)
ゲート絶縁膜を形成する窒化物半導体基板の表面が完成したら、Al2O3膜の形成工程を実施するための前工程を実施する。
(1)最初に窒化物半導体基板をSPM(Sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture)液で洗浄する。
(2)次に窒化物半導体基板をAPM(Ammonium acid-hydrogen peroxide mixture)液で洗浄する。
(3)次に窒化物半導体基板をHPM(Hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture)液で洗浄する。
(4)次に窒化物半導体基板をHF(Fluoric acid)を含む洗浄液を用いて表面処理する。
次にオゾン酸化を用いた原子層堆積法を実施する。アルミニウム源にトリメチルアルミニウム(TMA)を使用する。製膜温度は100〜600℃とする。中でも200〜500℃が好ましい。下層8aの厚みは2〜50nmとする。
次に酸素プラズマ酸化法を用いた原子層堆積法を実施する。アルミニウム源にトリメチルアルミニウム(TMA)を使用する。製膜温度は100〜600℃とする。中でも200〜500℃が好ましい。下層8bの厚みは10〜200nmとする。
その後に熱処理する。熱処理温度は、500〜900℃とする。中でも600〜800℃が好ましい。
ゲート絶縁膜を形成する窒化物半導体基板の表面が完成したら、Al2O3膜の形成工程を実施するための前工程を実施する。
(1)最初に窒化物半導体基板をSPM(Sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture)液で洗浄する。
(2)次に窒化物半導体基板をAPM(Ammonium acid-hydrogen peroxide mixture)液で洗浄する。
(3)次に窒化物半導体基板をHPM(Hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture)液で洗浄する。
(4)次に窒化物半導体基板をHF(Fluoric acid)を含む洗浄液を用いて表面処理する。
次にオゾン酸化を用いた原子層堆積法を実施する。アルミニウム源にトリメチルアルミニウム(TMA)を使用する。製膜温度は100〜600℃とする。中でも200〜500℃が好ましい。下層8aの厚みは2〜50nmとする。
次に酸素プラズマ酸化法を用いた原子層堆積法を実施する。アルミニウム源にトリメチルアルミニウム(TMA)を使用する。製膜温度は100〜600℃とする。中でも200〜500℃が好ましい。下層8bの厚みは10〜200nmとする。
その後に熱処理する。熱処理温度は、500〜900℃とする。中でも600〜800℃が好ましい。
上記に先立って、窒化物半導体基板に、イオン注入工程、その活性化工程、アイソレーション形成工程、メタル形成工程、ゲートリセス形成工程、フィールド酸化膜堆積工程、ポリシリコン形成工程等を実施しておくことができる。
また上記の実施後に、コンタクトホール形成工程、電極形成工程、メタル形成工程、パッシベーション膜形成工程、裏面電極形成工程等を実施してもよい。
また上記では、上層8bの表面にゲート電極12が形成されているが、上層8bの表面にさらに絶縁膜を積層し、その表面にゲート電極を形成してもよい。ゲート絶縁膜が3層以上を備えていてもよい。
また上記の実施後に、コンタクトホール形成工程、電極形成工程、メタル形成工程、パッシベーション膜形成工程、裏面電極形成工程等を実施してもよい。
また上記では、上層8bの表面にゲート電極12が形成されているが、上層8bの表面にさらに絶縁膜を積層し、その表面にゲート電極を形成してもよい。ゲート絶縁膜が3層以上を備えていてもよい。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
2:基板
4:GaN層
6:AlGaN層
8a:下層
8b:上層
8:ゲート絶縁膜、Al2O3膜
10:ソース電極
12:ゲート電極
14:ドレイン電極
16:GaN層
18:絶縁膜
4:GaN層
6:AlGaN層
8a:下層
8b:上層
8:ゲート絶縁膜、Al2O3膜
10:ソース電極
12:ゲート電極
14:ドレイン電極
16:GaN層
18:絶縁膜
Claims (1)
- 窒化物半導体基板と、その窒化物半導体基板の表面に形成されたゲート絶縁膜を備えており、
前記ゲート絶縁膜が、前記窒化物半導体基板の表面に接する下層と、その下層の表面に接する上層を備えており、
前記下層が、オゾン酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3で形成されており、
前記上層が、酸素のプラズマ酸化を用いた原子層堆積法によって形成されたAl2O3で形成されていることを特徴とする半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2022159307A (ja) * | 2017-10-26 | 2022-10-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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WO2014010405A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | 株式会社村田製作所 | トランジスタおよびトランジスタの製造方法 |
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