JP2016166402A - 銀ナノワイヤを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
NPF=NPA/TA
式中、TAは、所与の沈着した銀ナノワイヤ試料によって閉塞される基材の全表面積であり、NPAは、沈着した銀ナノワイヤ試料中に含まれる3未満のアスペクト比を有する銀ナノ粒子に起因する全閉塞表面積の部分である。
55,000ダルトンの重量平均分子量(MW)を有するポリビニルピロリドン(PVP)(52.2g、98%超、Sigma−Aldrich製)を、フラスコ中の1,958mLの脱イオン水中に溶解した。その後、D−グルコース(13.5g、99%超、Sigma−Aldrich製)を溶解するまで撹拌しながらフラスコの内容物に添加して、還元糖/PVP下位組み合わせ物を形成した。
塩化銅(II)(0.6137g、99%超、Mallinckrodt Chemicals製)を900mLの脱イオン水中に溶解して、ビーカー中に銅(II)イオン下位組み合わせ物を形成した。
塩化ナトリウム(0.2104g)を900mLの脱イオン水中に溶解して、ビーカー中にハロゲン化物イオン下位組み合わせ物を形成した。
硝酸銀(12.70g、99%超、Sigma−Aldrich製)を612mLの脱イオン水中に溶解して、フラスコ中に銀イオン下位組み合わせ物を形成した。
オーバーヘッドミキサー及び温度制御器を装備した8Lのステンレス製圧力反応器を使用した。実施例3に従って調製したハロゲン化物イオン下位組み合わせ物の一部(21.3mL)を、フラスコ中の実施例1に従って調製した還元糖/PVP下位組み合わせ物に添加した。その後、実施例2に従って調製した銅(II)イオン下位組み合わせ物の一部(21.3mL)をフラスコに添加した。その後、ハロゲン化物イオン下位組み合わせ物及び銅(II)イオン下位組み合わせ物の測定に使用したガラス器を脱イオン水(407mL)ですすいでフラスコに入れた。その後、フラスコの内容物を反応器に移した。その後、フラスコを脱イオン水(191mL)ですすいで反応器に入れた。反応器の内容物のpHが3.86であると観察された。ミキサーを200回転/分の撹拌速度で係合した。その後、反応器を閉鎖し、60psigを超える圧力まで窒素で4回パージして、各パージにつきその圧力で3分間保持した。最後のパージ後、16.8psigで反応器に窒素ブランケットが残った。その後、温度制御器を150℃に設定した。反応器の内容物が150℃に達した後、実施例4に従って調製した銀イオン下位組み合わせ物の20重量%を1分間にわたって反応器に添加した。その後、温度制御器の設定点を150℃で維持しながら、反応器の内容物を10分間撹拌した。その後の10分間にわたって、反応器の内容物の温度を130℃まで冷却した。その後、実施例4に従って調製した銀イオン下位組み合わせ物の残りの80重量%をその後10分間にわたって反応器の内容物に添加し、102mLの脱イオン水も添加した。その後、温度制御器の設定点を130℃で維持しながら、反応器の内容物を18時間撹拌した。その後、反応器の内容物をその後30分間にわたって室温まで冷却した。その後、反応器を通気して容器内のいかなる上昇圧力も逃がした。ミキサーを係脱した。その後、反応器の内容物を収集した。
三枚羽プロペラ式撹拌機、外部抵抗加熱マントルを有する温度制御装置、及び温度制御を容易にするための内部冷却管を装備した8リットルのステンレス製圧力反応器を使用した。実施例3に従って調製したハロゲン化物イオン下位組み合わせ物の一部(21.3mL)を、フラスコ中の実施例1に従って調製した還元糖/PVP下位組み合わせ物に添加した。その後、実施例2に従って調製した銅(II)イオン下位組み合わせ物の一部(21.3mL)をフラスコに添加した。その後、ハロゲン化物イオン下位組み合わせ物及び銅(II)イオン下位組み合わせ物の測定に使用したガラス器を脱イオン水(407mL)ですすいでフラスコに入れた。その後、フラスコの内容物のpHを硝酸(ACS試薬等級70%)で3.86の初期pHから2.29のpHに調整した。その後、フラスコの内容物を反応器に移した。その後、フラスコを脱イオン水(191mL)ですすいで反応器に入れた。ミキサーを200回転/分の撹拌速度で係合した。その後、反応器を閉鎖し、60psigを超える圧力まで窒素で4回パージして、各パージにつきその圧力で3分間保持した。最後のパージ後、16.8psigで反応器に窒素ブランケットが残った。その後、温度制御器を150℃に設定した。反応器の内容物が150℃に達した後、実施例4に従って調製した銀イオン下位組み合わせ物の20重量%を1分間にわたって反応器に添加し、作成混合物を形成した。その後、温度制御器の設定点を150℃で維持しながら、作成混合物を10分間撹拌した。その後の10分間にわたって、温度制御器の設定点を130℃に直線的に下降させた。その後、実施例4に従って調製した銀イオン下位組み合わせ物の残りの80重量%をその後10分間にわたって反応器に添加し、102mLの脱イオン水も添加して、成長混合物を形成した。その後、温度制御器の設定点を130℃で維持しながら成長混合物を18時間撹拌して、生成物混合物を形成した。その後、生成物混合物をその後30分間にわたって室温に冷却した。その後、反応器を通気して容器内のいかなる上昇圧力も逃がした。ミキサーを係脱した。その後、生成物混合物を収集した。
その後、比較実施例C1及び実施例5の生成物銀ナノワイヤを、FEI自動画像取得(AIA)プログラムを用いたFEI Nova NanoSEM電界放出銃走査電子顕微鏡(SEM)を用いて分析した。一滴の浄化分散液をUV/Visキュベットから採取し、シリカウエハコーティングSEMスタブ上にドロップ鋳造した後、真空下で乾燥させた。FEI Nova NanoSEM電界放出銃走査電子顕微鏡を用いて後方散乱電子画像を収集した。FEIの自動画像取得(AIA)プログラムを用いて、ステージを移動させ、焦点を合わせ、画像を収集した。各試料の18個の画像を6μmの水平フィールド幅で取得した。ImageJソフトウェアを用いた半自動画像分析は、アスペクト比3に基づいてオブジェクトをワイヤ対粒子に分類した。ワイヤ幅、ならびに画像内のワイヤの総面積を自動測定した。粒子を個別の大きさ及び画像内の粒子の総面積について表にした。ImageJソフトウェアを用いて、表1の銀ナノワイヤの直径も決定した。銀ナノワイヤの平均長さは、直径分析のために得たSEM画像に基づいて、20μmを超えると観察された。
NPF=NPA/TA
式中、TAは、所与の沈着した銀ナノワイヤ試料によって閉塞される基材の全表面積であり、NPAは、3未満のアスペクト比を有する銀ナノ粒子に起因する全閉塞表面積の部分である。
Claims (10)
- 高アスペクト比銀ナノワイヤを製造するためのプロセスであって、
容器を提供することと、
水を提供することと、
還元糖を提供することと、
ポリビニルピロリドン(PVP)を提供することと、
銅(II)イオン源を提供することと、
ハロゲン化物イオン源を提供することと、
銀イオン源を提供することと、
pH調整剤を提供することと、
前記水、前記還元糖、前記ポリビニルピロリドン(PVP)、前記銅(II)イオン源、前記ハロゲン化物イオン源、及び前記pH調整剤を前記容器に添加して、2.0〜4.0のpHを有する組み合わせ物を形成することと、
前記組み合わせ物を110〜160℃に加熱することと、
その後、前記銀イオン源を前記容器に添加して、成長混合物を形成することと、
その後、前記成長混合物を110〜160℃で2〜30時間の保持期間維持して、生成物混合物を提供することと、
前記生成物混合物から複数の高アスペクト比銀ナノワイヤを回収することと、を含み、
前記容器内の総グリコール濃度が、前記プロセス中、常に0.001重量%未満である、前記プロセス。 - 前記銀イオン源を第1の部分と第2の部分に分割することと、
前記組み合わせ物を140〜160℃に加熱することと、
その後、前記第1の部分を前記容器に添加して、作成混合物を形成することと、
その後、遅延期間中、前記作成混合物を110〜135℃に冷却することと、
前記遅延期間後に、前記第2の部分を前記容器に添加して、前記成長混合物を形成することと、をさらに含む、請求項1に記載の前記プロセス。 - 前記成長混合物が、前記保持期間中、110〜135℃で維持される、請求項2に記載の前記プロセス。
- 前記提供された還元糖がグルコースである、請求項3に記載の前記プロセス。
- 前記提供されたポリビニルピロリドン(PVP)が、40,000〜150,000ダルトンの重量平均分子量(MW)を有する、請求項3に記載の前記プロセス。
- 前記提供された銅(II)イオン源が塩化銅(II)である、請求項3に記載の前記プロセス。
- 前記提供されたハロゲン化物イオン源が塩化ナトリウムである、請求項3に記載の前記プロセス。
- 前記提供された銀イオン源が硝酸銀である、請求項3に記載の前記プロセス。
- 前記銀イオン源を第1の部分と第2の部分に分割することと、
前記組み合わせ物を140〜160℃に加熱することと、
その後、前記第1の部分を前記容器に添加して、作成混合物を形成することと、
その後、遅延期間中、前記作成混合物を110〜135℃に冷却することと、
遅延期間後に、前記第2の部分を前記容器に添加して、前記成長混合物を形成することと、
前記成長混合物を、保持期間中、110〜135℃で維持することと、をさらに含み、
前記提供された還元糖がグルコースであり、
前記提供されたポリビニルピロリドン(PVP)が40,000〜60,000ダルトンの重量平均分子量(MW)を有し、
前記提供された銅(II)イオン源が塩化銅(II)であり、
前記提供されたハロゲン化物イオン源が塩化ナトリウムであり、
前記提供された銀イオン源が硝酸銀である、請求項1に記載の前記プロセス。 - 前記銀イオン源を第1の部分と第2の部分に分割することであって、前記第1の部分が前記提供された銀イオン源の10〜30重量%である、分割することと、
前記組み合わせ物を145〜155℃に加熱することと、
その後、前記第1の部分を前記容器に添加して、作成混合物を形成することと、
その後、5〜15分間の遅延期間中、前記作成混合物を125〜135℃に冷却することと、
前記遅延期間後に、前記第2の部分を前記容器に添加して、前記成長混合物を形成することと、
前記保持期間中、前記成長混合物を125〜135℃で維持することであって、前記保持期間が16〜20時間である、維持することと、をさらに含み、
前記提供された還元糖がD−グルコースであり、
前記提供されたポリビニルピロリドン(PVP)が40,000〜60,000ダルトンの重量平均分子量(MW)を有し、
前記提供された銅(II)イオン源が塩化銅(II)であり、
前記提供されたハロゲン化物イオン源が塩化ナトリウムであり、
前記提供された銀イオン源が硝酸銀であり、
前記容器に添加されたポリビニルピロリドン(PVP)と銀イオンの重量比が6:1〜7:1であり、前記容器に添加されたハロゲン化物イオンと銅(II)の重量比が2.5:1〜3.5:1であり、回収された前記複数の高アスペクト比銀ナノワイヤが35〜50nmの平均直径及び20〜100μmの平均長さを有し、回収された前記複数の高アスペクト比銀ナノワイヤが500を超える平均アスペクト比を有する、請求項1に記載の前記プロセス。
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