JP2016165085A - 分布型増幅器 - Google Patents
分布型増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016165085A JP2016165085A JP2015045237A JP2015045237A JP2016165085A JP 2016165085 A JP2016165085 A JP 2016165085A JP 2015045237 A JP2015045237 A JP 2015045237A JP 2015045237 A JP2015045237 A JP 2015045237A JP 2016165085 A JP2016165085 A JP 2016165085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- output
- input
- transmission line
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 173
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 39
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/18—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of distributed coupling, i.e. distributed amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
- H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/605—Distributed amplifiers
- H03F3/607—Distributed amplifiers using FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/04—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers
- H03F1/06—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers to raise the efficiency of amplifying modulated radio frequency waves; to raise the efficiency of amplifiers acting also as modulators
- H03F1/07—Doherty-type amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/27—A biasing circuit node being switched in an amplifier circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/315—Indexing scheme relating to amplifiers the loading circuit of an amplifying stage comprising a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/36—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising means for increasing the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/42—Indexing scheme relating to amplifiers the input to the amplifier being made by capacitive coupling means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/423—Amplifier output adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/48—Indexing scheme relating to amplifiers the output of the amplifier being coupled out by a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/519—Indexing scheme relating to amplifiers the bias or supply voltage or current of the drain side of a FET amplifier being controlled to be on or off by a switch
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/555—A voltage generating circuit being realised for biasing different circuit elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/75—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common source configuration MOSFET
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7227—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the supply circuit of the amplifier
Abstract
Description
入力側伝送線路、増幅回路、および出力側伝送線路を有する分布型増幅器が知られている。この分布型増幅器では、入力側伝送線路の途中に周期的に増幅段の入力端子を順次接続し、出力側伝送線路でも周期的に増幅段の出力端子を順次接続する。この分布型増幅器では、さらに、入力側伝送線路の入力端子に対して反対側を抵抗により終端し、出力側伝送線路の出力端子に対して反対側を抵抗により終端する。
入力側伝送線路は、入力端子INと基準電位源(0V)の間に、N個の長さLの単位線路G0gおよび終端抵抗GLgを直列に接続して形成される。N個の単位線路G0gに対応して、N個の増幅用トランジスタQ1〜QNが配置され、k(k:1以上N以下の整数)番目の増幅用トランジスタQkのゲートは、k番目の単位線路G0gの入力端子側のノードに、容量Cg,kを介して接続される。したがって、1番目の増幅用トランジスタQ1のゲートは、1番目の単位線路G0gの入力端子側のノード、すなわち入力端子INに接続される。各増幅用トランジスタQkの一方の端子は、基準電位源(0V)に接続され、他方の端子から増幅信号が出力される。隣接する増幅用トランジスタQ1〜QNの他方の端子間にN個の単位線路G0,kが接続される。N個の単位線路G0,kは、出力側伝送線路を形成し、N番目の単位線路G0,Nのノードが出力端子OUTに接続される。出力端子OUTは、出力負荷GLを介して電源(VDD)に接続される。出力端子OUTには、増幅器の次の素子(例えばアンテナなど)が接続される。
分布型増幅器は、入力側伝送線路と、増幅回路と、出力側伝送線路と、を有する。入力側伝送線路は、初段の単位伝送線路11−0と、同一線路長のN(N:2以上の整数)個の単位伝送線路11−1〜11−Nを直列に接続した入力側直列線路と、入力側終端抵抗12と、を有する。初段の単位伝送線路、入力側直列線路および入力側終端抵抗12は、入力端子INと基準電位源(0V)の間に直列に接続される。入力側直列線路の初段の単位伝送線路11−0は、分布型増幅器の動作に直接関係しないため、入力側直列線路に含めずに説明を行う。
入力側伝送線路の特性インピーダンスZoは、入力容量Cinと伝送線路が有するインダクタLにより式(3)で表され、通常Zoが50Ωとなるように設計する。
入力側直列線路における単位伝送線路15−1〜15−2N、増幅回路における増幅器(AV/2)16−1〜16−2N、および出力側直列線路における伝送線路17−1〜17−2Nの段数が、2倍の2Nである。また、増幅器(AV/2)16−1〜16−2Nのトランジスタサイズは、図2の増幅器(AV)13−1〜13−Nの半分であるが、段数が2倍のため、増幅回路全体のトランジスタサイズは同じであり、出力電力は式(1)と同じである。なお、単位伝送線路15−1〜15−2Nのインダクタは、式(3)を満たすように設定されており、単位伝送線路のインダクタは、L/2となる。各段のトランジスタサイズが半分となるため容量が半分のCin/2となり、段数が2Nとなるので、出力電力Poutおよび遮断周波数fcは、次の式(5)および(6)で表される。
第1実施形態の分布型増幅器は、入力側伝送線路、第1の増幅回路、第2の増幅回路、第1の出力側伝送線路、第2の出力側伝送線路および合成回路35と、を有する。入力側伝送線路は、初段伝送線路31−0と、同一線路長の2N個の単位伝送線路31−1〜31−2Nを直列に接続した入力側直列線路と、入力側終端抵抗32と、を有する。第1の増幅回路は、N段の増幅器(AV/2)33−1A〜33−NAを有し、k(k:1以上、N以下の整数)番目の増幅器33−kAの入力は、入力側直列線路の単位伝送線路31−(2k−1)の入力側ノードに接続される。第2の増幅回路は、N段の増幅器(AV/2)33−1B〜33−NBを有し、k番目の増幅器33−kBの入力は、入力側直列線路の単位伝送線路31−2kの入力側ノードに接続される。第1の出力側伝送線路は、N個の増幅器33−1A〜33−NAの出力間に接続され、単位伝送線路31−0〜31−2Nのそれぞれの2倍の線路長のN個の伝送線路34−1A〜34−NAを含む。N個の伝送線路34−1A〜34−NAは、第1の出力側直列線路を形成する。第2の出力側伝送線路は、N個の増幅器33−1B〜33−NBの出力間に接続され、単位伝送線路31−0〜31−2Nのそれぞれの2倍の線路長のN個の伝送線路34−1B〜34−NBを含む。N個の伝送線路34−1B〜34−NBは、第2の出力側直列線路を形成する。合成回路35は、第1の出力側直列線路の最終段の伝送線路34−NAと出力端子OUT間に直列に接続された位相調整線路36および第1合成線路37Aを有する。合成回路35は、さらに第2の出力側直列線路の最終段の伝送線路34−NBと出力端子OUT間に接続された第2合成線路37Bを有する。
一方、第2実施形態の分布型増幅器の遮断周波数は次の式(8)で表される。
第2実施形態の分布型増幅器は、入力側伝送線路、第1から第3の増幅回路、第1から第3の出力側伝送線路および合成回路35と、を有する。入力側伝送線路は、初段伝送線路41−0と、同一線路長の3N個の単位伝送線路41−1〜41−3Nを直列に接続した入力側直列線路と、入力側終端抵抗42と、を有する。第1の増幅回路は、N段の増幅器(AV/3)43−1A〜43−NAを有し、k(k:1以上、N以下の整数)番目の増幅器43−kAの入力は、入力側直列線路の単位伝送線路41−(3k−2)の入力側ノードに接続される。第2の増幅回路は、N段の増幅器(AV/2)43−1B〜43−NBを有し、k番目の増幅器43−kBの入力は、入力側直列線路の単位伝送線路41−(3k−1)の入力側ノードに接続される。第3の増幅回路は、N段の増幅器(AV/2)43−1c〜43−NCを有し、k番目の増幅器43−kCの入力は、入力側直列線路の単位伝送線路41−3kの入力側ノードに接続される。
一方、遮断周波数は次の式(10)で表される。
第3実施形態の分布型増幅器は、図6に示した第1実施形態の分布型増幅器と以下の事項が異なり、他の部分は同じである。図8において、図6と同じ部分には同じ参照符号を付して表す。第1の出力側直列線路の初段の伝送線路34−1Aの入力側、すなわちTr1Aの出力端子を、インダクタンス素子LAを介して第1制御端子38Aに接続する。同様に、第2の出力側直列線路の初段の伝送線路34−1Bの入力側、すなわちTr1Bの出力端子を、インダクタンス素子LBを介して第2制御端子38Bに接続する。さらに、第1の出力側直列線路の最終段の伝送線路34−3Aの出力側と合成回路35の間に、DCカット容量素子CAを、第2の出力側直列線路の最終段の伝送線路34−3Bの出力側と合成回路35の間に、DCカット容量素子CBを設ける。
12,32 入力側終端抵抗
13−1〜13−N 増幅器
33−1A〜33−NA,33−1B〜33−NB 増幅器
14−1〜14−N 出力側伝送線路
34−1A〜34−NA,34−1B〜34−NB 出力側伝送線路
35 合成回路
Claims (7)
- 入力側伝送線路と、
M(M:2以上の整数)組の増幅回路と、
前記M組の増幅回路に対応して設けられたM組の出力側伝送線路と、
前記M組の出力側伝送線路の出力を合成する合成回路と、を有し、
前記入力側伝送線路は、それぞれが同一線路長のM×N(N:2以上の整数)個の単位伝送線路を直列に接続した入力側直列線路と、入力側終端抵抗と、を有し、
前記M組の増幅回路は、それぞれN個の増幅器を有し、i(i:1以上、M以下の整数)番目の組の前記N個の増幅器は、((k−1)M+i)(k:1以上、N以下の整数)番目の前記入力側直列線路の入力ノードを入力とし、
前記出力側伝送線路は、前記N個の増幅器の出力間に直列に接続され、各段の増幅器の出力の位相が一致する線路長を有するN個の伝送線路を含む出力側直列線路を有することを特徴とする分布型増幅器。 - 前記出力側伝送線路の各伝送線路は、前記単位伝送線路の線路長のM倍の線路長を有する請求項1に記載の分布型増幅器。
- 前記合成回路は、前記M組の出力側直列線路の出力の位相を一致させる位相調整部を有する請求項1または2に記載の分布型増幅器。
- 前記出力側伝送線路の前記N個の伝送線路は、後段の線路幅が前段の線路幅より広い請求項1から3のいずれか1項に記載の分布型増幅器。
- 前記出力側伝送線路の前記N個の伝送線路は、後段の線路幅が前段の線路幅の2倍である請求項4に記載の分布型増幅器。
- 前記M組の増幅回路および前記M組の出力側伝送線路の組の少なくとも1つは、スイッチ回路により動作するか否かを切り換え可能である請求項1から5のいずれか1項に記載の分布型増幅器。
- 前記スイッチ回路は、
前記出力側伝送線路の初段の前記伝送線路に供給するバイアス電圧を切り替えるバイアス切替回路と、
前記出力側伝送線路の最終段の出力と、前記合成回路との間に設けられたDCカット用容量素子と、を有する請求項6に記載の分布型増幅器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015045237A JP6565231B2 (ja) | 2015-03-06 | 2015-03-06 | 分布型増幅器 |
EP16154839.1A EP3065293B1 (en) | 2015-03-06 | 2016-02-09 | Distributed amplifier |
US15/045,860 US9722541B2 (en) | 2015-03-06 | 2016-02-17 | Distributed amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015045237A JP6565231B2 (ja) | 2015-03-06 | 2015-03-06 | 分布型増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016165085A true JP2016165085A (ja) | 2016-09-08 |
JP6565231B2 JP6565231B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=55359415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015045237A Expired - Fee Related JP6565231B2 (ja) | 2015-03-06 | 2015-03-06 | 分布型増幅器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9722541B2 (ja) |
EP (1) | EP3065293B1 (ja) |
JP (1) | JP6565231B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020516192A (ja) * | 2017-04-06 | 2020-05-28 | テレフオンアクチーボラゲット エルエム エリクソン(パブル) | 広帯域電力増幅器装置 |
WO2021260927A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 日本電信電話株式会社 | 合波器 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107896094A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-04-10 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种分布式放大器电路及其实现方法 |
CN109831164A (zh) * | 2019-02-13 | 2019-05-31 | 清华大学 | 基于分布式输入输出结构的高回退效率功率放大器 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3593174A (en) * | 1969-06-05 | 1971-07-13 | Westinghouse Electric Corp | Solid state amplifier for microwave frequency signals |
JPS6181017A (ja) * | 1984-09-24 | 1986-04-24 | テクトロニツクス・インコーポレイテツド | 電力分割器及び電力結合器 |
JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
JPS63120506A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 分布型増幅器 |
JPH03117013A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Anritsu Corp | 分布型増幅器 |
JPH0878976A (ja) * | 1994-08-15 | 1996-03-22 | Texas Instr Inc <Ti> | 無効補償の電力トランジスタ回路 |
JPH09252228A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布増幅器 |
JP2003298370A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分布型増幅器 |
US20090309659A1 (en) * | 2004-11-23 | 2009-12-17 | Lender Jr Robert J | Solid-state ultra-wideband microwave power amplifier employing modular non-uniform distributed amplifier elements |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4754244A (en) * | 1986-10-31 | 1988-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Distributed balance frequency multiplier |
US4973918A (en) * | 1988-12-27 | 1990-11-27 | Raytheon Company | Distributed amplifying switch/r.f. signal splitter |
US5177381A (en) * | 1991-12-06 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Distributed logarithmic amplifier and method |
JP3183360B2 (ja) | 1992-06-25 | 2001-07-09 | 日本電信電話株式会社 | 電力増幅器 |
US5519358A (en) | 1994-08-15 | 1996-05-21 | Texas Instruments Incorporated | Reactively compensated power transistors |
US5469108A (en) * | 1994-08-15 | 1995-11-21 | Texas Instruments Incorporated | Reactively compensated power transistor circuits |
JPH08307159A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Sony Corp | 高周波増幅回路、送信装置、及び受信装置 |
FR2759508B1 (fr) * | 1997-02-11 | 1999-04-30 | France Telecom | Amplificateur distribue |
FR2833782B1 (fr) * | 2001-12-18 | 2004-02-27 | Thales Sa | Commutateur actif large bande a deux entrees et deux sorties a structure distribuee, et dispositif de controle de phase comportant un tel commutateur |
JP3905873B2 (ja) | 2003-09-10 | 2007-04-18 | アンリツ株式会社 | 分布型増幅器 |
JP2009094921A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
US8497738B2 (en) * | 2010-08-11 | 2013-07-30 | Yaohui Guo | Broadband power combining method and high power amplifier using same |
-
2015
- 2015-03-06 JP JP2015045237A patent/JP6565231B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-02-09 EP EP16154839.1A patent/EP3065293B1/en active Active
- 2016-02-17 US US15/045,860 patent/US9722541B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3593174A (en) * | 1969-06-05 | 1971-07-13 | Westinghouse Electric Corp | Solid state amplifier for microwave frequency signals |
JPS6181017A (ja) * | 1984-09-24 | 1986-04-24 | テクトロニツクス・インコーポレイテツド | 電力分割器及び電力結合器 |
JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
JPS63120506A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 分布型増幅器 |
JPH03117013A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Anritsu Corp | 分布型増幅器 |
JPH0878976A (ja) * | 1994-08-15 | 1996-03-22 | Texas Instr Inc <Ti> | 無効補償の電力トランジスタ回路 |
JPH09252228A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布増幅器 |
JP2003298370A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分布型増幅器 |
US20090309659A1 (en) * | 2004-11-23 | 2009-12-17 | Lender Jr Robert J | Solid-state ultra-wideband microwave power amplifier employing modular non-uniform distributed amplifier elements |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020516192A (ja) * | 2017-04-06 | 2020-05-28 | テレフオンアクチーボラゲット エルエム エリクソン(パブル) | 広帯域電力増幅器装置 |
US11652452B2 (en) | 2017-04-06 | 2023-05-16 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Wideband power amplifier arrangement |
WO2021260927A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 日本電信電話株式会社 | 合波器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3065293B1 (en) | 2021-03-31 |
US20160261237A1 (en) | 2016-09-08 |
US9722541B2 (en) | 2017-08-01 |
EP3065293A1 (en) | 2016-09-07 |
JP6565231B2 (ja) | 2019-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9917551B2 (en) | Doherty amplifiers with minimum phase output networks | |
US10574188B2 (en) | Mixed-signal power amplifier and transmission systems and methods | |
EP2806557B1 (en) | Doherty amplifier | |
JP6218120B2 (ja) | 電力増幅器 | |
US8368483B2 (en) | Multiband matching circuit and multiband power amplifier | |
JP5962462B2 (ja) | 増幅器および無線通信装置 | |
JP2012029239A (ja) | ドハティ増幅器 | |
WO2018119384A1 (en) | N-way star configuration power amplifier with peaking amplifier impedance inverters | |
JP6565231B2 (ja) | 分布型増幅器 | |
US10666207B1 (en) | Broadband harmonic matching network using low-pass type broadband matching | |
CN106664062B (zh) | 集成3路Doherty放大器 | |
JP2017501662A (ja) | Doherty電力増幅器、通信デバイス、およびシステム | |
CN108123690B (zh) | 多赫蒂放大器 | |
JP2018085635A (ja) | 電力増幅器 | |
WO2012076924A1 (en) | Rf amplifier circuit and electronic system comprising such a circuit | |
CN108141179B (zh) | 功率放大器 | |
JP5913442B2 (ja) | ドハティ増幅器 | |
JP2008236354A (ja) | 増幅器 | |
CN111446934A (zh) | 非对称Chireix合成架构及其设计方法 | |
Ziraksaz et al. | An enhanced ultra-wideband single phase hybrid supply envelope tracking modulator for modern wireless communications | |
US20190103842A1 (en) | Modified three-stage doherty amplifier | |
KR101073612B1 (ko) | 다단 증폭 회로 | |
Dang et al. | A 25-GHz 9-dB distributed amplifier in CMOS technology | |
Sugiura et al. | A 44.3% Peak PAE 25-GHz Stacked-FET Linear Power Amplifier IC With A Varactor-Based Novel Adaptive Load Circuit in 45 nm CMOS SOI | |
EP1337036A2 (en) | Distortion-correcting circuit, integrated circuit, and radio communication device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6565231 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |