JP2016162817A - 電気機械変換部材、電気機械変換部材の製造方法、液滴吐出ヘッド、および画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】共通電極の剥がれを抑制して、信頼性の高い電気機械変換部材を提供する。【解決手段】振動板上に下部電極１６１、圧電体１６２、上部電極１６３がこの順に形成され、下部電極１６１または上部電極１６３の一方を共通電極、他方を個別電極とした電気機械変換部材において、共通電極（下部電極１６１）の外側であって、該共通電極の隅部１６１ｃに対応する位置にガード部１６４が設けられている。【選択図】図１０
Description
本発明は、電気機械変換部材、電気機械変換部材の製造方法、液滴吐出ヘッド、および画像形成装置に関する。
一般に、プリンタ、ファクシミリ、複写機、プロッタ、或いはこれらの内の複数の機能を複合した画像形成装置としては、例えばインク等の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを備えたインクジェット記録装置がある。
液滴吐出ヘッドは、インクなどの液体の液滴を吐出するノズルと、このノズルに連通し液体を収容した液室（加圧液室、圧力室、加圧室、吐出室などとも称される。）と、圧電素子などの電気機械変換素子とを備えた構成が知られている。この液滴吐出ヘッドでは、圧電素子に電圧が印加されることにより圧電素子は液室の壁の一部を形成する振動板を変形させるように振動し、その振動板の変形により液室内の液体が加圧され、ノズルから液滴を吐出させることができる。
インクジェット記録装置の液滴記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの電気機械変換部材としての圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと２種類が実用化されている。
たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体にわたって成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。
たわみ振動モードの圧電アクチュエータに使用される圧電素子は、例えば、特許文献１、２に示すように、振動板上に形成される、共通電極である下部電極と、下部電極上に形成された圧電体層と、圧電体層上に形成された個別電極である上部電極と、で構成される。さらに、上部電極上には層間絶縁膜が形成されて下部電極と上部電極との絶縁が図られ、この層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して上部電極に電気的に接続される配線が設けられた構造となっている。また、下部電極を個別電極、上部電極を共通電極とする構造も知られている。
しかしながら、本願発明者の検討により、上記圧電アクチュエータの製造過程中に振動板から共通電極（以下、特に記載のないかぎり下部電極が共通電極である場合を例にする）の隅部が剥がれる場合があることが判明した。共通電極の剥がれが発生すると、共通電極が圧電アクチュエータ基板上の意図しない部分に付着することによるショート等が発生して、製品の信頼性が低下してしまう。
詳しくは、圧電アクチュエータをフォトリソエッチング等によりパターニングする際には、エッチングによる残渣、レジスト等を除去するためにレジスト剥離処理、アッシング処理等が行われる。
このときのレジスト剥離処理は、生産性向上のためにバッチ式で行うことが多く、図２３（Ａ）に示すように基盤カセット８１に基盤８０（ウエハ）を設置し、基盤８０の外側に設けられた剥離液吐出ノズル８２から剥離液８３を基盤８０に供給する。このとき、剥離液８３が基盤８０の全面にいきわたるように基盤カセット８１は回転軸８４を中心に回転して処理される。このレジスト剥離処理の後に、図２３（Ｂ）の部分拡大図に示すように共通電極８５の剥がれ８５ｐが発生し、歩留りを大きく下げるというものである。
このレジスト剥離処理での剥がれは、特に、基盤８０の外側に位置するパターンの大きい共通電極８５の隅部に発生する傾向がある。すなわち、剥離液８３は、共通電極８５の隅部（４隅）を形成する２方向から隅部にアタックするため、共通電極８５の隅部から共通電極８５とその下層との間に侵入しやすい。例えば、共通電極８５が下部電極の場合、下部電極が振動板から剥がれやすくなる。
そこで本発明は、共通電極の剥がれを抑制して、信頼性の高い電気機械変換部材を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明に係る電気機械変換部材は、振動板上に下部電極、圧電体、上部電極がこの順に形成され、前記下部電極または前記上部電極の一方を共通電極、他方を個別電極とした電気機械変換部材において、前記共通電極の外側であって、該共通電極の隅部に対応する位置にガード部が設けられているものである。
本発明によれば、共通電極の剥がれを抑制して、信頼性の高い電気機械変換部材を提供することができる。
以下、本発明に係る構成を図１から図２２に示す実施の形態に基づいて詳細に説明する。
（電気機械変換部材／液滴吐出ヘッドの構成）
図１は液滴吐出ヘッドの基本構成部分である液滴吐出部の概略構成を示す液室の配列方向の断面図であり、便宜上、１つの液室に対応する部分のみ示している。また、図２は、液滴吐出部の概略構成を示す液室の配列方向と直交する方向の断面図である。
図１は液滴吐出ヘッドの基本構成部分である液滴吐出部の概略構成を示す液室の配列方向の断面図であり、便宜上、１つの液室に対応する部分のみ示している。また、図２は、液滴吐出部の概略構成を示す液室の配列方向と直交する方向の断面図である。
図１に示すように、液滴吐出部１０は、インクなどの液体の液滴を吐出するノズル１１を有するノズル基板１２と、ノズル１１に連通し液体を収容した液室１３が形成された液室基板１４（以下、単に「基板」という）とを備えている。この基板１４は、ノズル１１と連通する液室１３の隔壁部、流体抵抗部３２、液室１３へのインク導入路３３などが形成されている。基板１４上には、液室１３の一壁面となる振動板１５を形成し、振動板１５上に下部電極１６１、圧電体（ＰＺＴ）１６２及び上部電極１６３からなる圧電素子１６が設けられている。また、圧電素子１６を覆うように第１の保護膜としての第１の絶縁保護膜１７、第２の絶縁保護膜１８、第３の絶縁保護膜１９及びサブフレーム２０が設けられている。
圧電素子１６は、振動板１５側で共通電極となる下部電極１６１と、電気機械変換膜としてのＰＺＴなどからなる圧電体１６２と、圧電体１６２の振動板１５側とは反対側で個別電極となる上部電極１６３とが積層されている。下部電極１６１は、第１の絶縁保護膜１７に形成されたコンタクトホール１７ａにより配線２１に接続されており、この配線２１を介して外部接続用の端子電極としての共通電極用のパッド電極に接続されている。また、上部電極１６３は、第２の絶縁保護膜１８に形成されたコンタクトホール１８ａにより配線２２に接続されており、この配線２２を介して外部接続用の端子電極としての個別電極用のパッド電極２３に接続されている。
サブフレーム２０は、下部電極１６１及び上部電極１６３に電気的に接続される共通電極用の配線２１、個別電極用の配線２２を含めて圧電素子１６の保護空間２０ａと、駆動ＩＣ２４の配置するための空間とを有している。また、共通液室から液室１３へのインク流路３５となる溝部を有している。このインク流路３５は、インク供給口３４を介して基板１４に形成されたインク導入路３３に連通している。
上記構成の液滴吐出部１０において、共通電極用のパッド電極と配線２１及び個別電極用のパッド電極２３と配線２２を介してそれぞれ圧電素子１６の下部電極１６１と上部電極１６３との間に所定の周波数及び振幅の駆動電圧が印加される。この駆動電圧が印加された圧電素子１６が、基板１４と圧電素子１６との間にある振動板１５を変形させるように振動し、その振動板１５の変形により液室１３内の液体が加圧され、ノズル１１から液滴を吐出させることができる。
次に、液滴吐出ヘッドを構成する構成要素である各部及び部材などの材料及び工法について、より具体的に説明する。
〔基板〕
基板１４としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、通常１００［μｍ］以上６００［μｍ］以下の範囲の厚みを持つことが好ましい。面方位としては、（１００）、（１１０）、（１１１）と３種あるが、半導体産業では一般的に（１００）、（１１１）が広く使用されており、本構成例においては、主に（１００）の面方位を持つ単結晶基板を主に使用した。また、図１に示すような液室（圧力室）１３を作製していく場合、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工していく。この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、（１００）面に比べて（１１１）面は約１／４００程度のエッチング速度となる。従って、面方位（１００）では約５４°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位（１１０）では深い溝をほることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができることが分かっている。本構成例としては（１１０）の面方位を持った単結晶基板を使用することも可能である。但し、この場合、マスク材であるＳｉＯ２もエッチングされてしまうため、この点も留意して利用することが好ましい。
基板１４としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、通常１００［μｍ］以上６００［μｍ］以下の範囲の厚みを持つことが好ましい。面方位としては、（１００）、（１１０）、（１１１）と３種あるが、半導体産業では一般的に（１００）、（１１１）が広く使用されており、本構成例においては、主に（１００）の面方位を持つ単結晶基板を主に使用した。また、図１に示すような液室（圧力室）１３を作製していく場合、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工していく。この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、（１００）面に比べて（１１１）面は約１／４００程度のエッチング速度となる。従って、面方位（１００）では約５４°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位（１１０）では深い溝をほることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができることが分かっている。本構成例としては（１１０）の面方位を持った単結晶基板を使用することも可能である。但し、この場合、マスク材であるＳｉＯ２もエッチングされてしまうため、この点も留意して利用することが好ましい。
〔振動板〕
図１に示すように電気機械変換素子としての圧電素子１６によって発生した力を受けて、その下地の振動板１５が変形して、液室（圧力室）１３のインクなどの液体の液滴を吐出させる。そのため、振動板１５としては所定の強度を有したものであることが好ましい。材料としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などを例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により作製したものが挙げられる。さらに図１に示すような共通電極（下部電極）１６１及び圧電体１６２の線膨張係数に近い材料を選択することが好ましい。特に、圧電体１６２としては、一般的に材料としてＰＺＴが使用される場合が多い。従って、振動板１５の材料は、ＰＺＴの線膨張係数８×１０−６（１／Ｋ）に近い５×１０−６（１／Ｋ）以上１０×１０−６（１／Ｋ）以下の範囲の線膨張係数を有した材料が好ましい。さらには７×１０−６（１／Ｋ）以上９×１０−６（１／Ｋ）以下の範囲の線膨張係数を有した材料がより好ましい。具体的な材料としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム及びそれらの化合物等が挙げられる。これらの材料を、例えばスパッタ法又はゾルゲル法を用いてスピンコーターにて作製することができる。膜厚としては０．１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲が好ましく、０．５［μｍ］以上３［μｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲より小さいと、図１に示すような液室（圧力室）１３の加工が難しくなる。また、上記範囲より大きいと振動板１５が変形しにくくなり、インク滴などの液滴の吐出が不安定になる。
図１に示すように電気機械変換素子としての圧電素子１６によって発生した力を受けて、その下地の振動板１５が変形して、液室（圧力室）１３のインクなどの液体の液滴を吐出させる。そのため、振動板１５としては所定の強度を有したものであることが好ましい。材料としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などを例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により作製したものが挙げられる。さらに図１に示すような共通電極（下部電極）１６１及び圧電体１６２の線膨張係数に近い材料を選択することが好ましい。特に、圧電体１６２としては、一般的に材料としてＰＺＴが使用される場合が多い。従って、振動板１５の材料は、ＰＺＴの線膨張係数８×１０−６（１／Ｋ）に近い５×１０−６（１／Ｋ）以上１０×１０−６（１／Ｋ）以下の範囲の線膨張係数を有した材料が好ましい。さらには７×１０−６（１／Ｋ）以上９×１０−６（１／Ｋ）以下の範囲の線膨張係数を有した材料がより好ましい。具体的な材料としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム及びそれらの化合物等が挙げられる。これらの材料を、例えばスパッタ法又はゾルゲル法を用いてスピンコーターにて作製することができる。膜厚としては０．１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲が好ましく、０．５［μｍ］以上３［μｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲より小さいと、図１に示すような液室（圧力室）１３の加工が難しくなる。また、上記範囲より大きいと振動板１５が変形しにくくなり、インク滴などの液滴の吐出が不安定になる。
〔下部電極（共通電極）〕
下部電極（共通電極）１６１としては、金属もしくは金属と酸化物からなっていることが好ましい。ここで、どちらの材料も振動板１５と下部電極１６１を構成する金属膜との間に密着層を入れて剥がれ等を抑制するように工夫している。以下に密着層含めて金属電極膜及び酸化物電極膜の詳細について記載する。
下部電極（共通電極）１６１としては、金属もしくは金属と酸化物からなっていることが好ましい。ここで、どちらの材料も振動板１５と下部電極１６１を構成する金属膜との間に密着層を入れて剥がれ等を抑制するように工夫している。以下に密着層含めて金属電極膜及び酸化物電極膜の詳細について記載する。
〔密着層〕
密着層は、例えば次のように形成する。Ｔｉをスパッタ成膜後、成膜したチタン膜をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置を用いて熱酸化して酸化チタン膜にする。熱酸化の条件は、例えば、６５０［℃］以上８００［℃］以下の範囲の温度、１［分］以上３０［分］以下の範囲の処理時間、及びＯ２雰囲気である。酸化チタン膜を作成するには反応性スパッタでもよいがチタン膜の高温による熱酸化法が望ましい。反応性スパッタによる作製では、シリコン基板を高温で加熱する必要があるため、特別なスパッタチャンバ構成を必要とする。さらに、一般の炉による酸化よりも、ＲＴＡ装置による酸化の方がチタン酸化膜の結晶性が良好になる。なぜなら、通常の加熱炉による酸化によれば、酸化しやすいチタン膜は、低温においてはいくつもの結晶構造を作るため、一旦、それを壊す必要が生じるためである。したがって、昇温速度の速いＲＴＡによる酸化の方が良好な結晶を形成するために有利になる。また、Ｔｉ以外の材料としては、Ｔａ、Ｉｒ、Ｒｕ等の材料を用いることもできる。密着層の膜厚としては、１０［ｎｍ］以上５０［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、１５［ｎｍ］以上３０［ｎｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲以下の場合においては、密着性に懸念がある。また、この範囲以上になってくると、下部電極の表面粗さが大きくなり圧電膜との密着性が低下し、圧電膜の結晶性に悪影響を及ぼしインク吐出に十分な変位が得られないような不具合が発生する。
密着層は、例えば次のように形成する。Ｔｉをスパッタ成膜後、成膜したチタン膜をＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置を用いて熱酸化して酸化チタン膜にする。熱酸化の条件は、例えば、６５０［℃］以上８００［℃］以下の範囲の温度、１［分］以上３０［分］以下の範囲の処理時間、及びＯ２雰囲気である。酸化チタン膜を作成するには反応性スパッタでもよいがチタン膜の高温による熱酸化法が望ましい。反応性スパッタによる作製では、シリコン基板を高温で加熱する必要があるため、特別なスパッタチャンバ構成を必要とする。さらに、一般の炉による酸化よりも、ＲＴＡ装置による酸化の方がチタン酸化膜の結晶性が良好になる。なぜなら、通常の加熱炉による酸化によれば、酸化しやすいチタン膜は、低温においてはいくつもの結晶構造を作るため、一旦、それを壊す必要が生じるためである。したがって、昇温速度の速いＲＴＡによる酸化の方が良好な結晶を形成するために有利になる。また、Ｔｉ以外の材料としては、Ｔａ、Ｉｒ、Ｒｕ等の材料を用いることもできる。密着層の膜厚としては、１０［ｎｍ］以上５０［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、１５［ｎｍ］以上３０［ｎｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲以下の場合においては、密着性に懸念がある。また、この範囲以上になってくると、下部電極の表面粗さが大きくなり圧電膜との密着性が低下し、圧電膜の結晶性に悪影響を及ぼしインク吐出に十分な変位が得られないような不具合が発生する。
〔金属電極膜〕
金属電極膜の金属材料としては、従来から高い耐熱性と低い反応性を有する白金が用いられているが、鉛に対しては十分なバリア性を持つとはいえない場合もあり、イリジウムや白金−ロジウムなどの白金族元素や、これらの合金膜も挙げられる。また、白金を使用する場合には下地（特にＳｉＯ２）との密着性が悪いために、前述の密着層を先に積層することが好ましい。作製方法としては、スパッタ法や真空蒸着等の真空成膜が一般的である。膜厚としては、８０［ｎｍ］以上２００［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、１００［ｎｍ］以上１５０［ｎｍ］以下の範囲がより好ましい。この範囲より薄い場合においては、下部電極１６１として十分な電流を供給することができなくなり、液滴の吐出をする際に不具合が発生する。さらに、この範囲より厚い場合においては、白金族元素の高価な材料を使用する場合においては、コストアップとなる。また、白金を材料とした場合においては、膜厚を厚くしていたったときに表面粗さが大きくなり、その上に作製する酸化物電極膜やＰＺＴの表面粗さや結晶配向性に影響を及ぼして、インク吐出に十分な変位が得られないような不具合が発生する。
金属電極膜の金属材料としては、従来から高い耐熱性と低い反応性を有する白金が用いられているが、鉛に対しては十分なバリア性を持つとはいえない場合もあり、イリジウムや白金−ロジウムなどの白金族元素や、これらの合金膜も挙げられる。また、白金を使用する場合には下地（特にＳｉＯ２）との密着性が悪いために、前述の密着層を先に積層することが好ましい。作製方法としては、スパッタ法や真空蒸着等の真空成膜が一般的である。膜厚としては、８０［ｎｍ］以上２００［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、１００［ｎｍ］以上１５０［ｎｍ］以下の範囲がより好ましい。この範囲より薄い場合においては、下部電極１６１として十分な電流を供給することができなくなり、液滴の吐出をする際に不具合が発生する。さらに、この範囲より厚い場合においては、白金族元素の高価な材料を使用する場合においては、コストアップとなる。また、白金を材料とした場合においては、膜厚を厚くしていたったときに表面粗さが大きくなり、その上に作製する酸化物電極膜やＰＺＴの表面粗さや結晶配向性に影響を及ぼして、インク吐出に十分な変位が得られないような不具合が発生する。
〔酸化物電極膜〕
酸化物電極膜の材料としてはＳｒＲｕＯ３（以下、単にＳＲＯと称することもある）を用いることが好ましい。他に、Ｓｒｘ（Ａ）（１−ｘ）Ｒｕｙ（Ｂ）（１−ｙ）、Ａ＝Ｂａ、Ｃａ、Ｂ＝Ｃｏ、Ｎｉ、ｘ、ｙ＝０〜０．５で記述されるような材料についても挙げられる。成膜方法についてはスパッタ法により作製される。なお、スパッタ条件によってＳｒＲｕＯ３薄膜の膜質が変わるが、特に結晶配向性を重視し、第１電極のＰｔ（１１１）にならってＳｒＲｕＯ３膜についても（１１１）配向させるためには、成膜温度については５００［℃］以上での基板加熱を行い、成膜することが好ましい。
酸化物電極膜の材料としてはＳｒＲｕＯ３（以下、単にＳＲＯと称することもある）を用いることが好ましい。他に、Ｓｒｘ（Ａ）（１−ｘ）Ｒｕｙ（Ｂ）（１−ｙ）、Ａ＝Ｂａ、Ｃａ、Ｂ＝Ｃｏ、Ｎｉ、ｘ、ｙ＝０〜０．５で記述されるような材料についても挙げられる。成膜方法についてはスパッタ法により作製される。なお、スパッタ条件によってＳｒＲｕＯ３薄膜の膜質が変わるが、特に結晶配向性を重視し、第１電極のＰｔ（１１１）にならってＳｒＲｕＯ３膜についても（１１１）配向させるためには、成膜温度については５００［℃］以上での基板加熱を行い、成膜することが好ましい。
例えば、特許第３７８２４０１号公報に記載のＳＲＯ成膜条件について、室温成膜でその後、ＲＴＡ処理にて結晶化温度（６５０［℃］）で熱酸加する場合、ＳＲＯ膜としては、十分結晶化され、電極としての比抵抗としても十分な値が得られるが、膜の結晶配向性としては、（１１０）が優先配向しやすくなり、その上に成膜したＰＺＴについても（１１０）配向しやすくなる。
Ｐｔ（１１１）上に作製したＳＲＯ結晶性については、ＰｔとＳＲＯで格子定数が近いため、通常のθ−２θ測定では、ＳＲＯ（１１１）とＰｔ（１１１）の２θ位置が重なってしまい判別が難しい。Ｐｔについては消滅則の関係からＰｓｉ＝３５°傾けた２θが約３２°付近の位置には回折線が打ち消し合い、回折強度が見られない。そのため、Ｐｓｉ方向を約３５°傾けて、２θが約３２°付近のピーク強度で判断することでＳＲＯが(１１１)に優先配向しているかを確認することができる。
図３に、２θ＝３２°に固定し、Ｐｓｉを振ったときの測定結果の例を示す。Ｐｓｉ＝０°ではＳＲＯ（１１０）ではほとんど回折強度が見られず、Ｐｓｉ＝３５°付近において、回折強度が見られることから、本成膜条件にて作製したものについては、ＳＲＯが（１１１）配向していることが確認できる。また、上述の室温成膜＋ＲＴＡ処理により作製されたＳＲＯについては、Ｐｓｉ＝０°のときにＳＲＯ（１１０）の回折強度が見られる。
また、圧電アクチュエータとして連続動作したときに、駆動させた後の変位量が、初期変位に比べてどのくらい劣化したかを見積もったところ、ＰＺＴの配向性が非常に影響しており、（１１０）では変位劣化抑制において不十分である。さらにＳＲＯ膜の表面粗さを見たときに、成膜温度に影響し、室温から３００［℃］では表面粗さが非常に小さく２［ｎｍ］以下になる。粗さについてはＡＦＭにより測定される表面粗さ（平均粗さ)を指標としている。
表面粗さとしては、非常にフラットにはなっているが結晶性が十分でなく、その後成膜したＰＺＴの圧電アクチュエータとしての初期変位や連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られない。表面粗さとしては、４〜１５［ｎｍ］になっていることが好ましく、６〜１０［ｎｍ］がさらに好ましい。この範囲を超えると、その後成膜したＰＺＴの絶縁耐圧が非常に悪く、リークしやすくなる。したがって、上述に示すような、結晶性や表面粗さを得るためには、成膜温度としては５００〜７００［℃］、好ましくは５２０〜６００［℃］の範囲で成膜を実施している。
成膜後のＳｒとＲｕの組成比については、Ｓｒ／Ｒｕが０.８２以上１.２２以下であることが好ましい。この範囲から外れると比抵抗が大きくなり、電極として十分な導電性が得られなくなる。
さらに、ＳＲＯ膜の膜厚としては、４０〜１５０［ｎｍ］が好ましく、５０〜８０［んｍ］がさらに好ましい。この膜厚範囲よりも薄いと初期変位や連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られない場合があり、また、ＰＺＴのオーバーエッチングを抑制するためのストップエッチング層としての機能も得られにくくなる。この範囲を超えると、その後成膜したＰＺＴの絶縁耐圧が非常に悪く、リークしやすくなる。
また比抵抗としては、５×１０−３［Ω・ｃｍ］以下になっていることが好ましく、さらに１×１０−３［Ω・ｃｍ］以下になっていることがさらに好ましい。この範囲よりも大きくなると十分な電流を供給することができなくなり、インク吐出をする際に不具合が発生する。
〔圧電体（電気機械変換膜）〕
圧電体１６２の材料としては、ＰＺＴを主に使用した。ＰＺＴとはジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）とチタン酸（ＰｂＴｉＯ３）の固溶体で、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成はＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率が５３：４７の割合で、化学式で示すとＰｂ（Ｚｒ０．５３，Ｔｉ０．４７）Ｏ３、一般ＰＺＴ（５３／４７）と示される。ＰＺＴ以外の複合酸化物としてはチタン酸バリウムなどが挙げられ、この場合はバリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することも可能である。これら材料は一般式ＡＢＯ３で記述され、Ａ＝Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、 Ｂ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂを主成分とする複合酸化物が該当する。その具体的な記述として（Ｐｂ１−ｘ，Ｂａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ１−ｘ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、これはＡサイトのＰｂを一部ＢａやＳｒで置換した場合である。このような置換は２価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。
圧電体１６２の材料としては、ＰＺＴを主に使用した。ＰＺＴとはジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）とチタン酸（ＰｂＴｉＯ３）の固溶体で、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成はＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率が５３：４７の割合で、化学式で示すとＰｂ（Ｚｒ０．５３，Ｔｉ０．４７）Ｏ３、一般ＰＺＴ（５３／４７）と示される。ＰＺＴ以外の複合酸化物としてはチタン酸バリウムなどが挙げられ、この場合はバリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することも可能である。これら材料は一般式ＡＢＯ３で記述され、Ａ＝Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、 Ｂ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂを主成分とする複合酸化物が該当する。その具体的な記述として（Ｐｂ１−ｘ，Ｂａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ１−ｘ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、これはＡサイトのＰｂを一部ＢａやＳｒで置換した場合である。このような置換は２価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。
圧電体１６２の作製方法としては、スパッタ法もしくは、ゾルゲル法を用いてスピンコーターにて作製することができる。その場合は、パターニング化が必要となるので、フォトリソエッチング等により所望のパターンを得る。ＰＺＴをゾルゲル法により作製した場合、出発材料に酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得ることで、ＰＺＴ前駆体溶液が作製できる。金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加してもよい。
基板１４の全面に圧電体１６２の膜（ＰＺＴ膜）を得る場合、スピンコートなどの溶液塗布法により塗膜を形成し、溶媒乾燥、熱分解、結晶化の各々の熱処理を施すことで得られる。塗膜から結晶化膜への変態には体積収縮が伴うので、クラックフリーな膜を得るには一度の工程で１００［ｎｍ］以下の膜厚が得られるように前駆体濃度の調整が必要になる。
圧電体１６２の膜厚としては０．５［μｍ］以上５［μｍ］以下の範囲が好ましく、１［μｍ］以上２［μｍ］以下の範囲がより好ましい。この範囲より小さいと十分な変形（変位）を発生することができなくなり、この範囲より大きいと何層も積層させていくため、工程数が多くなりプロセス時間が長くなる。
また、圧電体１６２の比誘電率としては６００以上２０００以下の範囲になっていることが好ましく、さらに１２００以上１６００以下の範囲になっていることが好ましい。このとき、この範囲よりも小さいときには十分な変形（変位）特性が得られず、この範囲より大きくなると、分極処理が十分行われず、連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られないといった不具合が発生する。
〔上部電極（個別電極）〕
上部電極（個別電極）１６３は、下部電極材料層とは異なり、圧電体１６２の膜を形成する際のような高温のプロセスが後の工程で無く、圧電体１６２の膜との格子定数マッチングも必要とならないため材料選択幅が下部電極１６１に比較し広くなる。上部電極１６３においては、白金膜、イリジウムや金などの金属電極を用いることができる。また、酸化物電極層と金属電極の積層膜を利用することもできる。
上部電極（個別電極）１６３は、下部電極材料層とは異なり、圧電体１６２の膜を形成する際のような高温のプロセスが後の工程で無く、圧電体１６２の膜との格子定数マッチングも必要とならないため材料選択幅が下部電極１６１に比較し広くなる。上部電極１６３においては、白金膜、イリジウムや金などの金属電極を用いることができる。また、酸化物電極層と金属電極の積層膜を利用することもできる。
上部電極１６３としては、金属もしくは酸化物と金属からなっていることが好ましい。以下に酸化物電極膜及び金属電極膜の詳細について記載する。
〔酸化物電極膜〕
酸化物電極膜の材料としては、前述の下部電極（共通電極）１６１で使用した酸化物電極膜について記載したものと同様なものを挙げることができる。酸化物電極膜は、例えばスパッタ法等の成膜方法により作製することができる。酸化物電極膜の膜厚としては、２０［ｎｍ］以上８０［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、４０［ｎｍ］以上６０［ｎｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この膜厚範囲よりも薄いと初期変形（変位）や変形（変位）の劣化特性については十分な特性が得られない。また、この範囲を超えると、その後に成膜したＰＺＴ膜の絶縁耐圧が悪くなり、リークしやすくなる。
酸化物電極膜の材料としては、前述の下部電極（共通電極）１６１で使用した酸化物電極膜について記載したものと同様なものを挙げることができる。酸化物電極膜は、例えばスパッタ法等の成膜方法により作製することができる。酸化物電極膜の膜厚としては、２０［ｎｍ］以上８０［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、４０［ｎｍ］以上６０［ｎｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この膜厚範囲よりも薄いと初期変形（変位）や変形（変位）の劣化特性については十分な特性が得られない。また、この範囲を超えると、その後に成膜したＰＺＴ膜の絶縁耐圧が悪くなり、リークしやすくなる。
〔金属電極膜〕
金属電極膜の材料等については、前述の下部電極（共通電極）１６１で使用した金属電極膜について記載したものと同様なものを挙げることができる。金属電極膜の膜厚としては３０［ｎｍ］以上２００［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、５０［ｎｍ］以上１２０［ｎｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲より薄い場合においては、上部電極（個別電極）１６３として十分な電流を供給することができなくなり、液滴を吐出する際に不具合が発生する。また、上記範囲より厚いと、白金族元素の高価な材料を使用する場合にコストアップとなる。また、白金を材料とした場合に膜厚を厚くしていたったときに表面粗さが大きくなり、絶縁保護膜を介して配線などを作製する際に、膜剥がれ等のプロセス不具合が発生しやすくなる。
金属電極膜の材料等については、前述の下部電極（共通電極）１６１で使用した金属電極膜について記載したものと同様なものを挙げることができる。金属電極膜の膜厚としては３０［ｎｍ］以上２００［ｎｍ］以下の範囲が好ましく、５０［ｎｍ］以上１２０［ｎｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲より薄い場合においては、上部電極（個別電極）１６３として十分な電流を供給することができなくなり、液滴を吐出する際に不具合が発生する。また、上記範囲より厚いと、白金族元素の高価な材料を使用する場合にコストアップとなる。また、白金を材料とした場合に膜厚を厚くしていたったときに表面粗さが大きくなり、絶縁保護膜を介して配線などを作製する際に、膜剥がれ等のプロセス不具合が発生しやすくなる。
〔第１の絶縁保護膜〕
成膜・エッチングの工程による圧電素子へのダメージを防ぐとともに、大気中の水分が透過しづらい材料を選定する必要があるため、第１の絶縁保護膜１７の材料は緻密な無機材料とする必要がある。また、第１の絶縁保護膜１７として有機材料を用いる場合は、十分な保護性能を得るために膜厚を厚くする必要があるため、適さない。第１の絶縁保護膜１７を厚い膜とした場合、振動板１５の振動を著しく阻害してしまうため、吐出性能の低い液滴吐出ヘッドになってしまう。薄膜で高い保護性能を得るには、酸化物，窒化物，炭化膜を用いるのが好ましいが、第１の絶縁保護膜１７の下地となる電極材料、圧電体材料及び振動板材料と密着性が高い材料を選定する必要がある。また、第１の絶縁保護膜１７の成膜法も、圧電素子１６を損傷しない成膜方法を選定する必要がある。すなわち、反応性ガスをプラズマ化して基板上に堆積するプラズマＣＶＤ法やプラズマをターゲット材に衝突させて飛ばすことで成膜するスパッタリング法は好ましくない。第１の絶縁保護膜１７の好ましい成膜方法としては、蒸着法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：原子層堆積）法などが例示できるが、使用できる材料の選択肢が広いＡＬＤ法が好ましい。好ましい材料としては、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ３，ＴｉＯ２などのセラミクス材料に用いられる酸化膜が例として挙げられる。特にＡＬＤ法を用いることで、膜密度の非常に高い薄膜を作製し、プロセス中でのダメージを抑制することができる。
成膜・エッチングの工程による圧電素子へのダメージを防ぐとともに、大気中の水分が透過しづらい材料を選定する必要があるため、第１の絶縁保護膜１７の材料は緻密な無機材料とする必要がある。また、第１の絶縁保護膜１７として有機材料を用いる場合は、十分な保護性能を得るために膜厚を厚くする必要があるため、適さない。第１の絶縁保護膜１７を厚い膜とした場合、振動板１５の振動を著しく阻害してしまうため、吐出性能の低い液滴吐出ヘッドになってしまう。薄膜で高い保護性能を得るには、酸化物，窒化物，炭化膜を用いるのが好ましいが、第１の絶縁保護膜１７の下地となる電極材料、圧電体材料及び振動板材料と密着性が高い材料を選定する必要がある。また、第１の絶縁保護膜１７の成膜法も、圧電素子１６を損傷しない成膜方法を選定する必要がある。すなわち、反応性ガスをプラズマ化して基板上に堆積するプラズマＣＶＤ法やプラズマをターゲット材に衝突させて飛ばすことで成膜するスパッタリング法は好ましくない。第１の絶縁保護膜１７の好ましい成膜方法としては、蒸着法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：原子層堆積）法などが例示できるが、使用できる材料の選択肢が広いＡＬＤ法が好ましい。好ましい材料としては、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ３，ＴｉＯ２などのセラミクス材料に用いられる酸化膜が例として挙げられる。特にＡＬＤ法を用いることで、膜密度の非常に高い薄膜を作製し、プロセス中でのダメージを抑制することができる。
第１の絶縁保護膜１７の膜厚は、圧電素子１６の保護性能を確保できる十分な薄膜とする必要があると同時に、振動板１５の変形（変位）を阻害しないように可能な限り薄くする必要がある。第１の絶縁保護膜１７の膜厚は、２０［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲が好ましい。１００［ｎｍ］より厚い場合は、振動板１５の変形（変位）量が低下するため、吐出効率の低い液滴吐出ヘッドとなる。一方、２０［ｎｍ］より薄い場合は、圧電素子１６の保護層としての機能が不足してしまうため、圧電素子１６の性能が前述の通り低下してしまう。
〔第２の絶縁保護膜〕
第２の絶縁保護膜１８としては、任意の酸化物，窒化物，炭化物又はこれらの複合化合物を用いることができ、また、半導体デバイスで一般的に用いられるＳｉＯ２を用いることもできる。第２の絶縁保護膜１８の成膜は任意の手法を用いることができ、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法等が例示できる。電極形成部等のパターン形成部の段差被覆を考慮すると等方的に成膜できるＣＶＤ法を用いることが好ましい。第２の絶縁保護膜１８の膜厚は共通電極（下部電極）１６１と個別電極の配線２２との間に印加される電圧で絶縁破壊されない膜厚とする必要がある。すなわち第２の絶縁保護膜１８に印加される電界強度を、絶縁破壊しない範囲に設定する必要がある。さらに、第２の絶縁保護膜１８の下地の表面性やピンホール等を考慮すると、第２の絶縁保護膜１８の膜厚は２００［ｎｍ］以上必要であり、さらに好ましくは５００［ｎｍ］以上である。
第２の絶縁保護膜１８としては、任意の酸化物，窒化物，炭化物又はこれらの複合化合物を用いることができ、また、半導体デバイスで一般的に用いられるＳｉＯ２を用いることもできる。第２の絶縁保護膜１８の成膜は任意の手法を用いることができ、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法等が例示できる。電極形成部等のパターン形成部の段差被覆を考慮すると等方的に成膜できるＣＶＤ法を用いることが好ましい。第２の絶縁保護膜１８の膜厚は共通電極（下部電極）１６１と個別電極の配線２２との間に印加される電圧で絶縁破壊されない膜厚とする必要がある。すなわち第２の絶縁保護膜１８に印加される電界強度を、絶縁破壊しない範囲に設定する必要がある。さらに、第２の絶縁保護膜１８の下地の表面性やピンホール等を考慮すると、第２の絶縁保護膜１８の膜厚は２００［ｎｍ］以上必要であり、さらに好ましくは５００［ｎｍ］以上である。
〔配線、パッド電極〕
配線２１、２２及びパッド電極の材料は、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかから成る金属電極材料であることが好ましい。これらの電極の作製方法としては、スパッタ法、スピンコート法を用いて作製し、その後フォトリソエッチング等により所望のパターンを得る。膜厚としては、０．１［μｍ］以上２０［μｍ］以下の範囲が好ましく、０．２［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲より小さいと抵抗が大きくなり電極に十分な電流を流すことができなくなりヘッド吐出が不安定になる。一方、この範囲より大きいとプロセス時間が長くなる。また、下部電極１６１及び上部電極１６３に接続されるコンタクトホール部（例えば１０［μｍ］×１０［μｍ］）での接触抵抗としては、共通電極である下部電極１６１に対して１０［Ω］以下、個別電極である上部電極１６３に対して１［Ω］以下が好ましい。さらに好ましくは、下部電極１６１に対して５［Ω］以下、上部電極１６３に対して０．５［Ω］以下である。この範囲を超えると十分な電流を供給することができなくなり、液滴を吐出をする際に不具合が発生する。
配線２１、２２及びパッド電極の材料は、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかから成る金属電極材料であることが好ましい。これらの電極の作製方法としては、スパッタ法、スピンコート法を用いて作製し、その後フォトリソエッチング等により所望のパターンを得る。膜厚としては、０．１［μｍ］以上２０［μｍ］以下の範囲が好ましく、０．２［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲がさらに好ましい。この範囲より小さいと抵抗が大きくなり電極に十分な電流を流すことができなくなりヘッド吐出が不安定になる。一方、この範囲より大きいとプロセス時間が長くなる。また、下部電極１６１及び上部電極１６３に接続されるコンタクトホール部（例えば１０［μｍ］×１０［μｍ］）での接触抵抗としては、共通電極である下部電極１６１に対して１０［Ω］以下、個別電極である上部電極１６３に対して１［Ω］以下が好ましい。さらに好ましくは、下部電極１６１に対して５［Ω］以下、上部電極１６３に対して０．５［Ω］以下である。この範囲を超えると十分な電流を供給することができなくなり、液滴を吐出をする際に不具合が発生する。
〔第３の絶縁保護膜〕
第３の絶縁保護膜１９としての機能は、共通電極用の配線２１や個別電極用の配線２２の保護層としての機能を有するパッシベーション層である。図２に示したように、上部電極１６３の引き出し部と、下部電極１６１の引き出し部（コンタクトホール１８ａ）と、を除き、上部電極１６３及び下部電極１６１を被覆する。これにより、電極材料に安価なＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金材料を用いることができる。その結果、低コストかつ信頼性の高い液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）とすることができる。第３の絶縁保護膜１９の材料としては、任意の無機材料、有機材料を使用することができるが、透湿性の低い材料とする必要がある。無機材料としては、酸化物、窒化物、炭化物等が例示でき、有機材料としてはポリイミド、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等が例示できる。ただし、有機材料の場合には厚膜とすることが必要となるため、パターニングに適さない。そのため、薄膜で配線保護機能を発揮できる無機材料とすることが好ましい。特に、Ａｌ配線上にＳｉ３Ｎ４を用いることが、半導体デバイスで実績のある技術であるため好ましい。また、膜厚は２００［ｎｍ］以上とすることが好ましく、さらに好ましくは５００［ｎｍ］以上である。膜厚が薄い場合は十分なパッシベーション機能を発揮できないため、配線材料の腐食による断線が発生し、インクジェットの信頼性を低下させてしまう。
第３の絶縁保護膜１９としての機能は、共通電極用の配線２１や個別電極用の配線２２の保護層としての機能を有するパッシベーション層である。図２に示したように、上部電極１６３の引き出し部と、下部電極１６１の引き出し部（コンタクトホール１８ａ）と、を除き、上部電極１６３及び下部電極１６１を被覆する。これにより、電極材料に安価なＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金材料を用いることができる。その結果、低コストかつ信頼性の高い液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）とすることができる。第３の絶縁保護膜１９の材料としては、任意の無機材料、有機材料を使用することができるが、透湿性の低い材料とする必要がある。無機材料としては、酸化物、窒化物、炭化物等が例示でき、有機材料としてはポリイミド、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等が例示できる。ただし、有機材料の場合には厚膜とすることが必要となるため、パターニングに適さない。そのため、薄膜で配線保護機能を発揮できる無機材料とすることが好ましい。特に、Ａｌ配線上にＳｉ３Ｎ４を用いることが、半導体デバイスで実績のある技術であるため好ましい。また、膜厚は２００［ｎｍ］以上とすることが好ましく、さらに好ましくは５００［ｎｍ］以上である。膜厚が薄い場合は十分なパッシベーション機能を発揮できないため、配線材料の腐食による断線が発生し、インクジェットの信頼性を低下させてしまう。
また、圧電素子１６上とその周囲の振動板１５上に開口部をもつ構造が好ましい。これは、前述の第１の絶縁保護膜１７の液室１３に対応した領域を薄くしていることと同様の理由である。これにより、高効率かつ高信頼性の液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）とすることが可能になる。第１，第２の絶縁保護膜１７，１８で圧電素子１６が保護されているため、第３の絶縁保護膜１９の開口部の形成には、フォトリソグラフィー法とドライエッチングを用いることができる。なお、パッド電極の面積については、５０×５０［μｍ２］以上になっていることが好ましく、さらに１００×３００［μｍ２］以上になっていることが好ましい。
（液滴吐出ヘッドの製造プロセス）
次に、前提となる液滴吐出ヘッド１の製造方法例について説明する。図４は、液滴吐出ヘッド１の製造プロセスの一例を説明するためのフローチャートである。
次に、前提となる液滴吐出ヘッド１の製造方法例について説明する。図４は、液滴吐出ヘッド１の製造プロセスの一例を説明するためのフローチャートである。
まず、基板１４上に、振動板１５を形成する（ステップＳ１）。基板１４としては、例えば６２５［μｍ］厚のシリコンウェハが用いられる。この基板１４上に、振動板１５が、熱酸化膜や、例えばＣＶＤ法によって形成されるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜などの所望の構成にて形成されている。
次に、振動板１５上に圧電素子１６を形成する。詳しくは、圧電素子１６は、共通電極である下部電極の成膜（ステップＳ２）、圧電体１６２であるＰＺＴ膜の成膜（ステップＳ３）、個別電極である上部電極１６３の成膜（ステップＳ４）の順に行われる。
上記ステップＳ２の下部電極の成膜は、具体的には、まず、密着膜として、チタン膜（膜厚３０［ｎｍ］）をスパッタ装置にて成膜した後にＲＴＡを用いて７５０［℃］にて熱酸化した。
そして、引き続き金属膜として白金膜（膜厚１００［ｎｍ］）を成膜した。白金膜上に酸化チタン膜を形成する。白金膜上にチタン膜をスパッタ成膜で形成し、続いてＲＴＡを用いて６５０〜７５０［℃］、１〜５分、Ｏ２雰囲気でチタン膜を熱酸化させて、酸化チタン膜とさせる。チタン膜の膜厚は、３０〜７０オングストロームとするのが好ましい。
上記ステップＳ３では、ゾルゲル法によってＰＺＴ膜が所望の厚みに成膜される。
上記ステップＳ４の上部電極の成膜は、具体的には、酸化物膜としてＳｒＲｕＯ３膜(膜厚２０［ｎｍ］)を、金属膜としてＰｔ膜（膜厚１００［ｎｍ］）を、それぞれスパッタ成膜した。
その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した。その後、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合方式）エッチング装置（サムコ株式会社製）を用いてＰＺＴ膜、上部電極をエッチングにより個別化し、パターンを作製した（ステップＳ５）。これにより、上部電極１６３は個別電極として機能する。
次いで、同様の方法で、フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成し、エッチングにより下部電極のパターンを作製する（ステップＳ６）。下部電極１６１は、ＰＺＴ膜、上部電極のようには個別化されず、複数の圧電体１６２及び上部電極１６３に対して共通電極として機能するようパターニングする。
次に、第１の絶縁保護膜１７として、ＡＬＤ法によりＡｌ２Ｏ３膜を成膜した（ステップＳ７）。この第１の絶縁保護膜１７は、水素等のプロセスダメージから圧電素子１６を保護するバリア層として機能する。第１の絶縁保護膜１７（バリア層）としてＡＬＤ法により成膜したＡｌ２Ｏ３を用いることにより、透湿性の低い良質なバリア層を得ることができる。
また、バリア層として機能する第１の絶縁保護膜１７の膜厚は、３０［ｎｍ］以上、８０［ｎｍ］以下の範囲であることが好ましい。これにより、第１の絶縁保護膜１７がバリア層として十分なバリア性を有しつつ、圧電素子１６のアクチュエータとしての機能を維持することができる。
また、基板１４表面と第１の絶縁保護膜１７（バリア層）の側壁とのなす角度であるテーパ角は、基板１４表面と圧電素子１６の側壁面とのなすテーパ角よりも小さいことが望ましい。これにより、圧電素子１６の端部における応力の集中が緩和され、長寿命化を図ることができ、信頼性が向上する。
次に、第２の絶縁保護膜１８としてＳｉＯ２層間膜を成膜した（ステップＳ８）。このように層間膜であるＳｉＯ２を利用することで、新たな工程を加えることなく、第１の絶縁保護膜１７（バリア層）のうち圧電素子１６の側壁面を覆っている部分に更に第２の保護膜を形成することができる。従って、生産効率の低下や製造コストの上昇を防ぐことができる。また、後工程のフォトリソグラフィー・エッチング工程で、圧電素子１６の側壁面をレジストでマスクした状態でエッチング処理することにより、第１の絶縁保護膜１７（バリア層）のうち圧電素子１６の側壁面を覆っている部分にＳｉＯ２層間膜を残留させる。これにより、第１の絶縁保護膜１７（バリア層）のオーバーエッチングをより確実に防ぐことができる。
上記ＳｉＯ２層間膜の膜厚は、１０［ｎｍ］以上５００［ｎｍ］以下の範囲が好ましい。１０［ｎｍ］よりも薄いと十分なエッチング耐性を確保できない。一方、５００［ｎｍ］よりも厚いと圧電素子１６が変形し難くなり、アクチュエータとしての機能を維持できなくなるおそれがある。
その後、エッチングによりコンタクトホール１８ａを形成した（ステップＳ９）。そして、配線を形成するためにＡｌをスパッタにより成膜した（ステップＳ１０）。また、上記ステップＳ８で成膜したＡｌをエッチングしてパターニング形成した（ステップＳ１１）。
さらにその後、第３の絶縁保護膜１９としてＳｉＮパッシベーション層を成膜し、エッチング処理を行った（ステップＳ１２，１３）
最後に、振動板にインク供給口３４となる貫通孔をエッチングにより形成した（ステップＳ１４）。
このようにして形成された、振動板１５と、圧電素子１６と、各種電極とを含む複合積層基板は、アクチュエータ基板３０と呼ばれる電気機械変換部材である。なお、基板１４を含めて電気機械変換部材と呼ぶこともある。また、ここまで説明した電気機械変換部材の各層の材料や膜厚等の数値は、一例であってこれに限られるものではない。
（共通電極のパターニング）
以下、共通電極のパターニングに特徴を有する本実施形態に係る電気機械変換部材について説明する。
以下、共通電極のパターニングに特徴を有する本実施形態に係る電気機械変換部材について説明する。
上述したように、レジスト剥離処理において、共通電極の剥がれが発生してしまうことで、歩留りが低下する問題がある。この共通電極の隅部の剥がれは、剥離液が応力集中する隅部に直接吐出されることが原因と思われる。剥がれは面積の大きい共通電極のみに顕在化し、面積の小さいその他の電極では発生しない。
これに対し、本願発明者らは、図５に示すように、共通電極としての下部電極１６１の隅部をラウンド形状とする構成をすでに提案している。このような構成とすることで剥離液によるレジスト剥離処理において、剥離液はラウンド形状に沿った方向のみから下部電極１６１の隅部にアタックするため、隅部が角状の構成と比べて、剥離液が下部電極１６１の下面と振動板１５との間に侵入し難くなる。このため、下部電極１６１が振動板１５から剥がれ難くすることができ、その結果、信頼性の高いアクチュエータ基板３０とすることができる。
しかしながら、本願発明者らは、下部電極１６１の隅部をラウンド形状とすることでは、剥がれの発生を無くすことまではできず、更なる改善の余地があることを知見した。
そこで本実施形態に係る電気機械変換部材は、振動板（振動板１５）上に下部電極（下部電極１６１）、圧電体（圧電体１６２）、上部電極（上部電極１６３）がこの順に形成され、下部電極または上部電極の一方を共通電極、他方を個別電極とした電気機械変換部材（アクチュエータ基板３０）において、共通電極の外側であって、該共通電極の隅部（隅部１６１ｃ）に対応する位置にガード部（ガード部１６４）が設けられているものである。すなわち、共通電極の隅部に直接、剥離液が吐出されないように、ガード部を形成して、剥離液のアタックを防止して剥離を防止するものである（図１０等）。なお、括弧内は実施形態での符号、適用例を示す。
以下に本発明に係る電気機械変換部材の実施例および比較例について説明する。
＜実施例１＞
図６は、実施例１に係る圧電素子１６、アクチュエータ基板３０を有する液滴吐出部の概略構成を示す液室の配列方向の断面図である。また、図７は図６に示す液滴吐出部を複数配置した例を示す断面図である。
図６は、実施例１に係る圧電素子１６、アクチュエータ基板３０を有する液滴吐出部の概略構成を示す液室の配列方向の断面図である。また、図７は図６に示す液滴吐出部を複数配置した例を示す断面図である。
以下のように圧電素子１６を製造した。先ず、６インチシリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１［μｍ］）を形成し、下部電極１６１の密着膜として、チタン膜（膜厚３０［ｎｍ］）をスパッタ装置にて成膜した後に、ＲＴＡを用いて７５０［℃］にて熱酸化した。
そして、引き続き金属膜として白金膜（膜厚１００［ｎｍ］）、酸化物膜としてＳｒＲｕＯ３膜（膜厚６０［ｎｍ］）をスパッタ成膜した。
スパッタ成膜時の基板加熱温度については５５０［℃］にて成膜を実施した。次に、圧電体１６２としてＰｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１１４：５３：４７に調整された溶液を準備し、スピンコート法により膜を成膜した。
具体的な前駆体塗布液の合成については、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、ノルマルプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後に脱水した。また、熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐため、化学両論組成に対し鉛量を過剰にした。
イソプロポキシドチタン、ノルマルポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、上記酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでＰＺＴ前駆体溶液を合成した。
このＰＺＴ濃度は０．５［モル／ｌ］にした。この液を用いて、スピンコートにより成膜し、成膜後、１２０［℃］乾燥から５００［℃］熱分解を行った。３層目の熱分解処理後に、結晶化熱処理（温度７５０［℃］）をＲＴＡ（急速熱処理）にて行った。
このときＰＺＴの膜厚は２４０［ｎｍ］であった。この工程を計８回（２４層）実施し、約２［μｍ］のＰＺＴ膜厚を得た。
次に、上部電極１６３の酸化物膜として、ＳｒＲｕＯ３膜(膜厚４０［ｎｍ］)、金属膜としてＰｔ膜（膜厚１２５［ｎｍ］）をスパッタ成膜した。
その後、東京応化社製フォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ＩＣＰエッチング装置（サムコ株式会社製）を用いてＰｔ膜、酸化物膜をエッチング後、レジスト剥離装置（セミツール・ジャパン株式会社製）にてアミン系の剥離液を用いて、３０分レジスト剥離処理、およびアッシャー（キヤノン株式会社製）にて３分のアッシング処理を行い上部電極１６３をパターニングした。図８（Ａ）はパターニングされた上部電極１６３の上面図、図８（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
同様にフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、圧電体１６２をエッチングし、レジスト剥離処理、アッシング処理を行い圧電体１６２をパターニングした。図９（Ａ）はパターニングされた上部電極１６３、圧電体１６２の上面図、図９（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
次に、フォトリソグラフィーで下部電極１６１および下部電極１６１の４隅（隅部１６１ｃという）の外側の僅かに離れた位置、または一部が連続した位置に、下部電極１６１の隅部１６１ｃの形状に沿った面積の小さいＬ字型のガード部１６４のパターンを形成した後、図１０に示すように、レジスト剥離処理、アッシング処理を行い下部電極１６１およびガード部１６４をパターニングした。
ガード部１６４は、下部電極１６１と同時に形成され、下部電極１６１と同一の材質から形成されるガード電極である。これにより工程数を増加させることなく、ガード部１６４を形成することができる。
図１１（Ａ）は、実施例１のように下部電極１６１を共通電極、上部電極１６３を個別電極とした圧電素子１６の上面図、図１１（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ´断面図である。実施例１では、図６〜図１１に示したように、下部電極１６１を共通電極、上部電極１６３を個別電極にしているが、図１２、図１３、図１４に示すように、下部電極１６１を個別電極、上部電極１６３を共通電極とする形態としてもよい。この場合、ガード部１６４は、共通電極である上部電極１６３について形成される。
実施例１において作成した圧電素子１６において下部電極１６１（共通電極）の隅部１６１ｃの剥がれ数をカウントし、隅部剥がれ率（剥がれ数／母数［％］）を算出した。
ここでは、圧電素子１６は、図１５に示すように基盤５０（ウエハ）上に４つの圧電素子１６を１セットとして３２個形成し、各セットには４つの下部電極１６１（共通電極）を形成した。よって、１の基盤５０内の下部電極１６１(共通電極)の４つの隅部１６１ｃの母数は、３２×４×４＝５１２となる。
なお、液滴吐出ヘッド１は、基板１４を含めたアクチュエータ基板３０の製造後に、圧力室形成のための裏面からのエッチング除去、ノズル孔を有するノズル板を接合することで製造することができ、この工程の製造方法は特に限られるものではなく、公知のヘッド製造プロセスにて作製を行えばよい。
＜実施例２＞
以下の実施例の説明においては、実施例１と同様の点は説明を省略する。実施例２では、図１６に示すように、下部電極１６１の隅部１６１ｃをラウンド形状の隅部１６１ｒとしている。また、ガード部１６４についても、隅部１６１ｒに沿うようなラウンド形状としている。なお、下部電極１６１の隅部１６１ｃとガード部１６４のいずれか一方をラウンド形状とし、他方は実施例１と同様の形状としてもよい。
以下の実施例の説明においては、実施例１と同様の点は説明を省略する。実施例２では、図１６に示すように、下部電極１６１の隅部１６１ｃをラウンド形状の隅部１６１ｒとしている。また、ガード部１６４についても、隅部１６１ｒに沿うようなラウンド形状としている。なお、下部電極１６１の隅部１６１ｃとガード部１６４のいずれか一方をラウンド形状とし、他方は実施例１と同様の形状としてもよい。
実施例２において作成した圧電素子１６において下部電極１６１（共通電極）の隅部１６１ｒの剥がれ数をカウントし、隅部剥がれ率を算出した。
＜比較例１＞
比較例１では、図１７に示すようにガード部１６４を設けないこと以外は実施例１と同様の圧電素子１６を作成し、下部電極１６１の隅部１６１ｃの剥がれ数をカウントし、隅部剥がれ率を計算した。
比較例１では、図１７に示すようにガード部１６４を設けないこと以外は実施例１と同様の圧電素子１６を作成し、下部電極１６１の隅部１６１ｃの剥がれ数をカウントし、隅部剥がれ率を計算した。
＜比較例２＞
比較例１では、図１８に示すように下部電極１６１の隅部１６１ｃはラウンド形状の隅部１６１ｒとしたがガード部１６４を設けないものとし、ガード部１６４を設けないこと以外は実施例２と同様の圧電素子１６を作成し、下部電極１６１の隅部１６１ｃの剥がれ数をカウントし、隅部剥がれ率を計算した。
比較例１では、図１８に示すように下部電極１６１の隅部１６１ｃはラウンド形状の隅部１６１ｒとしたがガード部１６４を設けないものとし、ガード部１６４を設けないこと以外は実施例２と同様の圧電素子１６を作成し、下部電極１６１の隅部１６１ｃの剥がれ数をカウントし、隅部剥がれ率を計算した。
図１９は、実施例１，２および比較例１，２で算出した隅部剥がれ率［％］の一覧を示すグラフである。比較例１では隅部剥がれ率が最も多く４６.９［％］であった。これに対し、実施例１のＬ字型のガード部１６４を設けたもので３.１［％］と大幅に低減させることができることが確認できた。
また、比較例２では１.６［％］であった。これに対し、実施例２の下部電極１６１の隅部１６１ｒおよびガード部１６４をラウンド形状にしたものは１つも剥がれが発生していなかった（隅部剥がれ率０［％］）。
以上の結果から、ガード部を配置することでレジスト剥離時に発生する剥がれを大幅に抑制できることを確認できた。さらに、下部電極の隅部およびガード部をラウンド形状にすることで、レジスト剥離時に発生する剥がれをさらに抑制させることを確認できた。
また、実施例２にて作製した圧電素子１６を用いて、液体吐出ヘッド１を作製し液の吐出評価を行った。粘度を５［ｃｐ］に調整したインクを用いて、単純Ｐｕｓｈ波形により−１０〜３０［Ｖ］の印可電圧を加えたときの吐出状況を確認したところ、全てどのノズルからも吐出できていることを確認した。更に連続吐出耐久評価を行ったところ、１００億回の駆動後も問題なく吐出できることを確認した。
以上説明した本実施形態、実施例に係る電気機械変換部材によれば、ガード部を設けたことにより、共通電極の隅部への剥離液のアタックを防ぐことができ、レジスト剥離処理での共通電極の剥がれを抑制して、信頼性の高い電気機械変換部材を得ることができる。また、共通電極の隅部、および／またはガード部をラウンド形状とすることで、さらに好適に剥がれを抑制することができる。また、ガード部を共通電極と同時に形成することで、工程数を増やすことなく簡易に上記構成とすることが可能である。
なお、上記の実施形態および実施例では、共通電極のすべての隅部に対応するようにガード部を形成したが、必ずしもすべての隅部に対して設ける必要はないことは勿論である。
（インクカートリッジ）
次に、本実施形態に係る液滴吐出ヘッド１を備えたインクカートリッジについて説明する。
次に、本実施形態に係る液滴吐出ヘッド１を備えたインクカートリッジについて説明する。
図２０は液滴吐出ヘッド１を備えたインクカートリッジの構成例を示す斜視図である。インクカートリッジ９０は、ノズル１１等を有する上述の液滴吐出ヘッド１（インクジェットヘッド）と、液滴吐出ヘッド１に対してインクを供給するインクタンク９１とを一体化したものである。
液滴吐出ヘッド１とインクタンク９１とを一体とした場合、液滴吐出ヘッド１の低コスト化および信頼性向上は、ただちにインクカートリッジ９０の全体の低コスト化、信頼性向上につながる。よって、液滴吐出ヘッド１の低コスト化、高信頼性化、製造不良低減を図ることで、インクカートリッジ９０の歩留まり、信頼性を向上させて、ヘッド一体型のインクカートリッジ９０の低コスト化を図ることができる。
（画像形成装置）
次に、本実施形態に係る液滴吐出ヘッド１を備えた画像形成装置であるインクジェット記録装置について説明する。
次に、本実施形態に係る液滴吐出ヘッド１を備えた画像形成装置であるインクジェット記録装置について説明する。
図２１は液滴吐出ヘッドを搭載したインクジェット記録装置の構成例を示す斜視図であり、図２２は同記録装置の機構部の構成例を示す側面図である。
インクジェット記録装置１００は、装置本体の内部に印字機構部１０３等を収納し、装置本体の下方部には前方側から多数枚の記録紙１３０を積載可能な給紙カセット（或いは給紙トレイでもよい）１０４を抜き差し自在に装着されている。また、記録紙１３０を手差しで給紙するために開かれる手差しトレイ１０５を有している。給紙カセット１０４あるいは手差しトレイ１０５から給送される記録紙１３０を取り込み、印字機構部１０３によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ１０６に排紙する。
印字機構部１０３は、主走査方向に移動可能なキャリッジ１０１とキャリッジ１０１に搭載した液滴吐出ヘッド及び液滴吐出ヘッドに対してインクを供給するインクカートリッジ１０２等で構成される。また、印字機構部１０３は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド１０７と従ガイドロッド１０８とでキャリッジ１０１を主走査方向に摺動自在に保持する。このキャリッジ１０１にはイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出する液滴吐出ヘッドを複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。また、キャリッジ１０１には液滴吐出ヘッドに各色のインクを供給するための各インクカートリッジ１０２を交換可能に装着している。
インクカートリッジ１０２は上、方に大気と連通する大気口、下方には液滴吐出ヘッドへインクを供給する供給口が設けられている。インクカートリッジ１０２の内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力により液滴吐出ヘッドへ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、液滴吐出ヘッドとしては各色の液滴吐出ヘッドを用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個の液滴吐出ヘッドでもよい。
ここでキャリッジ１０１は後方側（用紙搬送方向下流側）を主ガイドロッド１０７に摺動自在に嵌装し、前方側（用紙搬送方向上流側）を従ガイドロッド１０８に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ１０１を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ１０９で回転駆動される駆動プーリ１１０と従動プーリ１１１との間にタイミングベルト１１２を張装し、このタイミングベルト１１２をキャリッジ１０１に固定している。これにより、主走査モータ１０９の正逆回転によりキャリッジ１０１が往復駆動される。
一方、給紙カセット１０４にセットした記録紙１３０を液滴吐出ヘッドの下方側に搬送するために、給紙カセット１０４から記録紙１３０を分離給装する給紙ローラ１１３及びフリクションパッド１１４と、記録紙１３０を案内するガイド部材１１５とを有する。また、給紙された記録紙１３０を反転させて搬送する搬送ローラ１１６と、この搬送ローラ１１６の周面に押し付けられる搬送コロ１１７及び搬送ローラ１１６からの記録紙１３０の送り出し角度を規定する先端コロ１１８とを有する。搬送ローラ１１６は副走査モータによってギヤ列を介して回転駆動される。
そして、キャリッジ１０１の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１１６から送り出された記録紙１３０を液滴吐出ヘッドの下方側で案内するため用紙ガイド部材である印写受け部材１１９を設けている。この印写受け部材１１９の用紙搬送方向下流側には、記録紙１３０を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１２０と拍車１２１とを設けている。さらに記録紙１３０を排紙トレイ１０６に送り出す排紙ローラ１２３と拍車１２４と、排紙経路を形成するガイド部材１２５，１２６とを配設している。
このインクジェット記録装置１００で記録時には、キャリッジ１０１を移動させながら画像信号に応じて液滴吐出ヘッドを駆動することにより、停止している記録紙１３０にインクを吐出して１行分を記録する。その後、記録紙１３０を所定量搬送した後、次の行の記録を行う。記録終了信号または記録紙１３０の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ記録紙１３０を排紙する。
また、キャリッジ１０１の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、液滴吐出ヘッドの吐出不良を回復するための回復装置１２７を配置している。回復装置１２７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段とを有している。キャリッジ１０１は印字待機中にはこの回復装置１２７側に移動されてキャッピング手段で液滴吐出ヘッドをキャッピングして吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段で液滴吐出ヘッド１の吐出口（ノズル）を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出す。このように、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。このように、本実施形態のインクジェット記録装置１００においては回復装置１２７を備えているので、液滴吐出ヘッドの吐出不良が回復されて、安定したインク滴吐出特性が得られ、画像品質を向上することができる。
なお、本実施形態では、インクジェット記録装置１００に液滴吐出ヘッドを使用した場合について説明したが、インク以外の液滴、例えば、パターニング用の液体レジストを吐出する装置に液滴吐出ヘッド１を適用してもよい。
以上、本実施形態のインクジェット記録装置（画像形成装置）１００では、本発明に係る液体吐出ヘッドを記録ヘッドとして備えるので、安定したインク滴吐出特性が得られて、高画質の画像を安定して形成することができる。
なお、インクジェット記録装置では、媒体を搬送しながら液滴吐出ヘッドによりインク滴を用紙に付着させて画像形成を行う。ここでの媒体は「用紙」ともいうが材質を限定するものではなく、被記録媒体、記録媒体、転写材、記録紙なども同義で使用する。また、画像形成装置は、紙、糸、繊維、布帛、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックス等の媒体に液滴を吐出して画像形成を行う装置を意味する。そして、画像形成とは、文字や図形等の意味を持つ画像を媒体に対して付与することだけでなく、パターン等の意味を持たない画像を媒体に付与する（単に液滴を吐出する）ことをも意味する。また、インクとは、所謂インクに限るものではなく、吐出されるときに液滴となるものであれば特に限定されるものではなく、例えばＤＮＡ試料、レジスト、パターン材料なども含まれる液体の総称として用いる。
また、画像形成装置には、特に限定しない限り、シリアル型画像形成装置及びライン型画像形成装置のいずれも含まれる。
尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施の例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。例えば、圧電アクチュエータを備えたマイクロポンプ、マイクロアクチュエータ、その他の光学デバイス、などにも適用可能である。
１ 液滴吐出ヘッド
１０ 液滴吐出部
１１ ノズル
１２ ノズル基板
１３ 液室
１４ 液室基板
１５ 振動板
１６ 圧電素子
１６１ 下部電極
１６１ｃ 隅部
１６１ｒ 隅部（ラウンド形状）
１６２ 圧電体
１６３ 上部電極
１６４ ガード部（ガード電極）
１７ 第１の絶縁保護膜
１７ａ コンタクトホール
１８ 第２の絶縁保護膜
１８ａ コンタクトホール
１９ 第３の絶縁保護膜
２０ サブフレーム
２０ａ 保護空間
２１，２２ 配線
２３ パッド電極
２４ 駆動ＩＣ
３０ アクチュエータ基板
３２ 流体抵抗部
３３ インク導入路
３４ インク供給口
３５ インク流路
５０ ウエハ
９０ インクカートリッジ
１００ インクジェット記録装置
１０ 液滴吐出部
１１ ノズル
１２ ノズル基板
１３ 液室
１４ 液室基板
１５ 振動板
１６ 圧電素子
１６１ 下部電極
１６１ｃ 隅部
１６１ｒ 隅部（ラウンド形状）
１６２ 圧電体
１６３ 上部電極
１６４ ガード部（ガード電極）
１７ 第１の絶縁保護膜
１７ａ コンタクトホール
１８ 第２の絶縁保護膜
１８ａ コンタクトホール
１９ 第３の絶縁保護膜
２０ サブフレーム
２０ａ 保護空間
２１，２２ 配線
２３ パッド電極
２４ 駆動ＩＣ
３０ アクチュエータ基板
３２ 流体抵抗部
３３ インク導入路
３４ インク供給口
３５ インク流路
５０ ウエハ
９０ インクカートリッジ
１００ インクジェット記録装置
Claims (8)
- 振動板上に下部電極、圧電体、上部電極がこの順に形成され、前記下部電極または前記上部電極の一方を共通電極、他方を個別電極とした電気機械変換部材において、
前記共通電極の外側であって、該共通電極の隅部に対応する位置にガード部が設けられていることを特徴とする電気機械変換部材。 - 前記ガード部は、前記共通電極と同一の材質からなることを特徴とする請求項１に記載の電気機械変換部材。
- 前記ガード部は、前記共通電極の隅部の形状に沿ったＬ字形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気機械変換部材。
- 前記ガード部は、前記共通電極の隅部の形状に沿ったラウンド形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気機械変換部材。
- 前記共通電極の隅部がラウンド形状を有することを特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載の電気機械変換部材。
- 振動板上に下部電極、圧電体、上部電極がこの順に形成され、前記下部電極または前記上部電極の一方を共通電極、他方を個別電極とした電気機械変換部材の製造方法において、
前記共通電極のパターン製造工程において、前記共通電極の外側であって、該共通電極の隅部に対応する位置にガード部を形成するようにしたことを特徴とする電気機械変換部材の製造方法。 - 液滴を吐出するノズルに連通する液室と、
前記液室内の液体を加圧可能にするよう前記液室を形成する基板と、
前記基板上に設けられる電気機械変換部材と、
を有する液滴吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換部材として、請求項１から５までのいずれかに記載の電気機械変換部材を用いたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。 - 液滴吐出ヘッドから液滴を吐出して画像を形成する画像形成装置において、
前記液滴吐出ヘッドとして、請求項７に記載の液滴吐出ヘッドを用いたことを特徴とする画像形成装置。
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| US11192364B2 (en) | 2019-03-19 | 2021-12-07 | Ricoh Company, Ltd. | Electro-mechanical transducer, liquid discharge head, liquid discharge device, and liquid discharge apparatus |
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