JP2016149366A - プラズマ処理負荷へのシステムレベルの電力送達 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、米国仮特許出願第61/429,472号(2011年1月4日出願)の利益を主張する。該出願第61/429,472号の詳細は、その全体が、あらゆる適切な目的のために参照により本明細書に引用される。
本発明は、プラズマ処理負荷に対する一貫した電力送達の維持に関する。より具体的には、発電機、整合ネットワーク、センサのシステムレベル統合と、それらの監視および制御に関する。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
電力送達システムであって、
電力をプラズマ負荷に提供するように構成されている発電機と、
前記発電機の出力を前記プラズマ負荷に対してインピーダンス整合させるように構成されている整合ネットワークと、
前記発電機の出力における電力の電圧、電流、位相、インピーダンス、および/または電力を測定するように構成され、対応する測定された電圧、電流、位相、インピーダンス、および/または電力を生成するように構成されている、第1のセンサと、
ローカルコントローラと
を備え、
前記ローカルコントローラは、
前記測定された電圧、電流、位相、インピーダンス、および/または電力を前記センサから受信することと、
ユーザ電力送達要件を受信することと、
前記測定された電圧、電流、位相、インピーダンス、および/または電力と、前記ユーザ電力送達要件とを分析することと、
前記発電機および/または整合ネットワークに、前記ユーザ電力送達要件を満たすために、1つ以上の動作パラメータを調節するように命令することと
を行うように構成されている、システム。
(項目2)
前記1つ以上の動作パラメータは、発電機周波数または整合ネットワークインピーダンスを含む、項目1に記載のシステム。
(項目3)
前記センサは、前記発電機の電力出力および前記発電機によって経験されるインピーダンスを測定するように構成されている、項目1に記載のシステム。
(項目4)
前記ローカルコントローラは、前記発電機内に配置されている、項目1に記載のシステム。
(項目5)
前記ローカルコントローラは、前記整合ネットワーク内に配置されている、項目1に記載のシステム。
(項目6)
前記ローカルコントローラと通信する第2のセンサをさらに備え、前記第2のセンサは、前記整合ネットワークと前記プラズマ負荷との間の電圧、電流、位相、インピーダンス、および/または電力、プラズマチャンバの非電気特性、または、前記プラズマ負荷の非電気特性を測定するように構成されている、項目1に記載のシステム。
(項目7)
前記ローカルコントローラは、前記発電機、前記整合ネットワーク、および前記第1のセンサを識別する、項目1に記載のシステム。
(項目8)
前記ローカルコントローラは、前記電力送達システムの構成要素とのユーザ相互作用のための単独導管であるように構成されている、項目1に記載のシステム。
(項目9)
発電機の電力出力の電気特性を監視して、前記電力出力の電気特性をローカルコントローラに提供することと、
前記電力出力の電気特性を分析することと、
前記分析に基づいて、命令を前記発電機および前記整合ネットワークに中継し、それによって、前記発電機および前記整合ネットワークの同時同調を可能にすることと
を含む、方法。
(項目10)
前記ローカルコントローラにおいて前記発電機の識別を受信することと、
前記ローカルコントローラにおいて整合ネットワークの識別を受信することと、
前記発電機および前記整合ネットワークの識別と、前記電力出力の電気特性とを分析することと、
前記動作パラメータおよび前記電気特性の前記分析に基づいて、命令を前記発電機および整合ネットワークに中継し、前記発電機および前記整合ネットワークの同時同調を可能にすることと
をさらに含む、項目9に記載の方法。
(項目11)
前記同時同調は、前記発電機の周波数および前記整合ネットワークのインピーダンスを同調させることを含む、項目10に記載の方法。
(項目12)
前記発電機および前記整合ネットワークの識別は、ブランド、モデル、または製造番号を含む、項目10に記載の方法。
(項目13)
前記発電機および前記整合ネットワークの識別は、動作特性を含む、項目10に記載の方法。
(項目14)
電力送達システムの電力制御システムであって、
発電機の電力出力および前記発電機によって経験されるインピーダンスを監視するように構成されている第1のセンサであって、前記発電機は、整合ネットワークを介して電力をプラズマ負荷に提供するように構成されている、第1のセンサと、
前記第1のセンサと通信するローカルコントローラと
を備え、
前記ローカルコントローラは、前記発電機および前記整合ネットワークの同調を管理するように構成され、前記同調は、前記発電機の電力出力および前記発電機によって経験されるインピーダンスの原因となる、電力制御システム。
(項目15)
前記ローカルコントローラは、前記発電機または前記整合ネットワークのプロセッサおよびメモリ上で動作するように構成されているソフトウェアまたはファームウェアである、項目14に記載の電力制御システム。
(項目16)
前記ローカルコントローラは、ソフトウェアまたはファームウェアを動作させるプロセッサであり、既存の電力送達システムへの追加のために構成されている、項目14に記載の電力制御システム。
(項目17)
前記ローカルコントローラは、前記第1のセンサの識別、前記発電機の識別、および前記整合ネットワークの識別を識別するように構成されている、項目14に記載の電力制御システム。
(項目18)
前記同調は、前記第1のセンサの識別、前記発電機の識別、および前記整合ネットワークの識別を考慮する、項目17に記載の電力制御システム。
(項目19)
プラズマ負荷に送達される、前記整合ネットワークの電力出力を特徴づけるように構成されている第2のセンサをさらに備えている、項目14に記載の電力制御システム。
(項目20)
前記第2のセンサは、プラズマチャンバの特性を監視するように構成され、前記プラズマは、前記電力送達システムから送達される電力によって維持される、項目18に記載の電力制御システム。
(項目21)
前記ローカルコントローラは、前記発電機の周波数および前記整合ネットワークのインピーダンスの同時同調を管理するように構成されている、項目14に記載の電力制御システム。
(項目22)
前記ローカルコントローラは、前記第1のセンサ、前記発電機、および前記整合ネットワークへのユーザ入力、およびそれらからの出力とインターフェースをとる、項目14に記載の電力制御システム。
(項目23)
前記ローカルコントローラは、外部コントローラと通信するように構成され、ユーザは、前記外部コントローラを介して前記電力送達システムとインターフェースをとる、項目22に記載の電力制御システム。
(項目24)
前記ローカルコントローラは、
ユーザ電力送達要件を受信することと、
前記ユーザ電力送達要件を達成するために、前記発電機および前記整合ネットワークのための命令を生成することと、
前記命令を前記発電機および前記整合ネットワークにパスすることと
を行うように構成されている、項目22に記載の電力制御システム。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021503167A (ja) * | 2017-11-15 | 2021-02-04 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法 |
JP2022545262A (ja) * | 2019-08-28 | 2022-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ安定性を改善するための同調方法 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104866553A (zh) * | 2007-12-31 | 2015-08-26 | 应用识别公司 | 利用脸部签名来标识和共享数字图像的方法、系统和计算机程序 |
WO2012094416A1 (en) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | System level power delivery to a plasma processing load |
KR101303040B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-03 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치 |
JP6113450B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2017-04-12 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス調整装置 |
JP6084417B2 (ja) | 2012-09-28 | 2017-02-22 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス調整装置 |
CN103730316B (zh) * | 2012-10-16 | 2016-04-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子处理方法及等离子处理装置 |
US8736377B2 (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-27 | Mks Instruments, Inc. | RF pulse edge shaping |
US9620334B2 (en) * | 2012-12-17 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match |
US9536713B2 (en) * | 2013-02-27 | 2017-01-03 | Advanced Energy Industries, Inc. | Reliable plasma ignition and reignition |
US10821542B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-11-03 | Mks Instruments, Inc. | Pulse synchronization by monitoring power in another frequency band |
US9854659B2 (en) * | 2014-10-16 | 2017-12-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Noise based frequency tuning and identification of plasma characteristics |
EP3091559A1 (en) | 2015-05-05 | 2016-11-09 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Plasma impedance matching unit, system for supplying rf power to a plasma load, and method of supplying rf power to a plasma load |
US9721758B2 (en) * | 2015-07-13 | 2017-08-01 | Mks Instruments, Inc. | Unified RF power delivery single input, multiple output control for continuous and pulse mode operation |
KR101777762B1 (ko) * | 2015-09-03 | 2017-09-12 | 에이피시스템 주식회사 | 고주파 전원 공급장치 및 이를 포함하는 기판 처리장치 |
US9577516B1 (en) | 2016-02-18 | 2017-02-21 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus for controlled overshoot in a RF generator |
JP6157036B1 (ja) * | 2016-07-08 | 2017-07-05 | 株式会社京三製作所 | 高周波電源装置、及び高周波電源装置の制御方法 |
JP2017073772A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-04-13 | 株式会社ダイヘン | 高周波整合システム |
JP2017073770A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-04-13 | 株式会社ダイヘン | 高周波整合システム |
JP6463786B2 (ja) * | 2017-01-25 | 2019-02-06 | 株式会社ダイヘン | 高周波整合システムのインピーダンス調整方法 |
US10879044B2 (en) * | 2017-04-07 | 2020-12-29 | Lam Research Corporation | Auxiliary circuit in RF matching network for frequency tuning assisted dual-level pulsing |
US11615943B2 (en) * | 2017-07-07 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source |
CN115662868A (zh) * | 2017-07-07 | 2023-01-31 | 先进能源工业公司 | 等离子体功率输送系统的周期间控制系统及其操作方法 |
US11651939B2 (en) * | 2017-07-07 | 2023-05-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Inter-period control system for plasma power delivery system and method of operating same |
TWI744566B (zh) | 2017-11-17 | 2021-11-01 | 新加坡商Aes全球公司 | 用於在空間域和時間域上控制基板上的電漿處理之系統和方法,及相關的電腦可讀取媒體 |
US11290080B2 (en) | 2017-11-29 | 2022-03-29 | COMET Technologies USA, Inc. | Retuning for impedance matching network control |
US10553400B2 (en) * | 2018-03-30 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for frequency generator and match network communication |
US10916409B2 (en) * | 2018-06-18 | 2021-02-09 | Lam Research Corporation | Active control of radial etch uniformity |
US11804362B2 (en) | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for modulated plasma systems |
KR20200126177A (ko) * | 2019-04-29 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | Rf 파워 모니터링 장치, 및 그 장치를 포함하는 pe 시스템 |
US11114279B2 (en) | 2019-06-28 | 2021-09-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Arc suppression device for plasma processing equipment |
US11527385B2 (en) | 2021-04-29 | 2022-12-13 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks |
US11107661B2 (en) | 2019-07-09 | 2021-08-31 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
US11596309B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
JP7315407B2 (ja) | 2019-08-06 | 2023-07-26 | オークマ株式会社 | 工作機械 |
US11521832B2 (en) | 2020-01-10 | 2022-12-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Uniformity control for radio frequency plasma processing systems |
US11670488B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-06-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Fast arc detecting match network |
US11887820B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-01-30 | COMET Technologies USA, Inc. | Sector shunts for plasma-based wafer processing systems |
US11830708B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-11-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves |
US11961711B2 (en) | 2020-01-20 | 2024-04-16 | COMET Technologies USA, Inc. | Radio frequency match network and generator |
US11605527B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-03-14 | COMET Technologies USA, Inc. | Pulsing control match network |
US11373844B2 (en) | 2020-09-28 | 2022-06-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for repetitive tuning of matching networks |
KR20220067554A (ko) * | 2020-11-16 | 2022-05-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 임피던스 정합 방법 |
US11961712B2 (en) | 2021-04-26 | 2024-04-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Combining the determination of single and mutual, preset preserving, impedance loads with advances in single and double sensor calibration techniques in the application of single and pairwise calibration of sensors |
US20220359161A1 (en) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | Applied Materials, Inc. | Rf impedance matching networks for substrate processing platform |
EP4105963A1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-12-21 | Impedans Ltd | A controller for a matching unit of a plasma processing system |
EP4105962A1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-12-21 | Impedans Ltd | A controller for a matching unit of a plasma processing system |
US11923175B2 (en) | 2021-07-28 | 2024-03-05 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks |
US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
WO2023167854A1 (en) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Retuning for impedance matching network control |
DE102022108642A1 (de) | 2022-04-08 | 2023-10-12 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Plasmazünderkennungsvorrichtung zum Anschluss an eine Impedanzanpassungsschaltung für ein Plasmaerzeugungssystem |
US11657980B1 (en) | 2022-05-09 | 2023-05-23 | COMET Technologies USA, Inc. | Dielectric fluid variable capacitor |
US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3251087B2 (ja) * | 1993-02-16 | 2002-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2929284B2 (ja) * | 1997-09-10 | 1999-08-03 | 株式会社アドテック | 高周波プラズマ処理装置のためのインピーダンス整合及び電力制御システム |
JP4088499B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2008-05-21 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合器の出力端特性解析方法、およびインピーダンス整合器、ならびにインピーダンス整合器の出力端特性解析システム |
US6703080B2 (en) * | 2002-05-20 | 2004-03-09 | Eni Technology, Inc. | Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability |
US20040016402A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Walther Steven R. | Methods and apparatus for monitoring plasma parameters in plasma doping systems |
WO2005057993A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Daihen Corporation | 高周波電力供給システム |
US7169256B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
JP4739793B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-08-03 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置 |
US20080179948A1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
WO2007053569A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
TWI425767B (zh) * | 2005-10-31 | 2014-02-01 | Mks Instr Inc | 無線電頻率電力傳送系統 |
JP2007336148A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Daihen Corp | 電気特性調整装置 |
JP2007313432A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nippon Kankyo Calcium Kenkyusho:Kk | 廃棄物処分場を覆う盛土部における設備 |
JP2008157906A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Adtec Plasma Technology Co Ltd | 出力インピーダンス検出方法およびこの方法を用いたインピーダンスのセンサー、高周波電源につながる負荷側の電力モニターならびに高周波電源の制御装置 |
JP2011525682A (ja) | 2008-05-14 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Rf電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置 |
US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
WO2012094416A1 (en) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | System level power delivery to a plasma processing load |
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2017
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021503167A (ja) * | 2017-11-15 | 2021-02-04 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法 |
JP7210579B2 (ja) | 2017-11-15 | 2023-01-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法 |
JP2022545262A (ja) * | 2019-08-28 | 2022-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ安定性を改善するための同調方法 |
JP7318114B2 (ja) | 2019-08-28 | 2023-07-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ安定性を改善するための同調方法 |
US11929236B2 (en) | 2019-08-28 | 2024-03-12 | Applied Materials, Inc. | Methods of tuning to improve plasma stability |
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