JP2016129267A - ダイオード、それを使用する回路、および製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、参照によりその全体が本明細書に明示的に組み込まれる、WORLEY他の名義で2009年3月13日に出願された米国特許出願第12/403,418号の一部継続出願である。
12 接地レール
14 被保護回路
16 信号ピン
18 ESD保護回路
20 正のESDサージダイオード
22 負のESDサージダイオード
24 ノード
70 トランシーバ
72 受信機フロントエンド
74 無線周波数(RF)送信機
76 アンテナ
78 スイッチ
80 ASICまたはプロセッサ
82 低雑音増幅器(LNA)
84 保護回路
86 RFサブシステム
88 アナログデジタル(A/D)変換器
90 変調器
92 電力増幅器回路
93 ゲートダイオード(またはSTIダイオード)
94 ゲートダイオード(またはSTIダイオード)
96 ボンディングパッド
98 過渡クランプ
100 Vdd
102 Vss
104 Nチャネル電界効果トランジスタ(NFET)
106 ソース変性インダクタ
108 Nチャネル電界効果トランジスタ(NFET)
110 RC過渡状態検出器
112 インバータ
200 ワイヤレス通信システム
220 遠隔ユニット
225A ICデバイス
225B ICデバイス
225C ICデバイス
230 遠隔ユニット
240 基地局
250 遠隔ユニット
280 順方向リンク信号
290 逆方向リンク信号
300 ゲートダイオード
301 ゲートダイオード
310 P+インプラント
312 カソード
314 シリサイド
316 ゲート、ゲート電極
318 絶縁層
320A スペーサ領域
320B スペーサ領域
322 LDDインプラント
324 ポケットインプラント
326 P−型LDDインプラント
328 N型ハローインプラント
332 Pウェル
334 P基板
340 ベース半導体基板
402 カソード端子
404 アノード端子
406 ゲート端子
600 STIダイオード
601 ゲートダイオード301またはSTIダイオード
610 P+インプラント
612 N+インプラント
614 シリサイド
624 ポケットインプラント
632 Pウェル
634 基板P Sub
650 厚い誘電体絶縁領域
Claims (23)
- 基板と、
第1のドーパントでドープされ、前記基板内に位置し、面積接合キャパシタンスを低減するためにポケットインプラントを持たない、第1のドープ領域と、
前記基板内で、前記第1のドーパントと反対の極性を有する第2のドーパントでドープされた第2のドープ領域と、
前記第1のドープ領域上に形成された第1のシリサイド部分と、
前記第2のドープ領域上に形成された第2のシリサイド部分と
を備える、ダイオード。 - ゲートをさらに備え、ゲートダイオードである、請求項1に記載のダイオード。
- 前記第1および前記第2のドープ領域に隣接するシャロートレンチアイソレーション層をさらに備え、シャロートレンチアイソレーション(STI)ダイオードである、請求項1に記載のダイオード。
- 前記基板内に位置し、インプラントブロックで画定されたウェルインプラントをさらに備え、前記第1および前記第2のドープ領域が前記ウェルインプラント内に位置する、請求項1に記載のダイオード。
- モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項1に記載のダイオード。
- ダイオードを製造する方法であって、
アクティブマスクによって画定されるシャロートレンチアイソレーション領域を形成するステップと、
前記ダイオード内の面積接合キャパシタンスを低減するために、ポケットインプラントをポケットインプラントマスクでブロックするステップと、
前記シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第1のインプラントマスクで画定される第1のドープ領域をインプラントするステップと、
前記シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第2のインプラントマスクで画定される第2のドープ領域をインプラントするステップと、
前記第1のドープ領域上に第1のシリサイド部分を堆積させるステップと、
前記第2のドープ領域上に第2のシリサイド部分を堆積させるステップと
を含む、方法。 - 前記ダイオードがゲートダイオードである、請求項6に記載の方法。
- 前記ダイオードがシャロートレンチアイソレーションダイオードである、請求項6に記載の方法。
- 低ドープドレイン(LDD)インプラントを前記ポケットインプラントマスクでブロックするステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- シャロートレンチアイソレーション領域を形成する前に、ウェルインプラントを形成するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに前記ダイオードを組み込むステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- ダイオードを製造するための装置であって、
基板内にドープ領域を形成するための手段と、
前記ダイオード内の面積接合キャパシタンスを低減するために、ポケットインプラントをブロックするための手段と
を備える、装置。 - 前記基板内にウェルインプラントを形成するための手段をさらに備える、請求項12に記載の装置。
- 前記ダイオードのためのゲートを形成するための手段をさらに備え、前記ダイオードがゲートダイオードである、請求項12に記載の装置。
- 前記ダイオードがシャロートレンチアイソレーション(STI)ダイオードである、請求項12に記載の装置。
- 前記ダイオードが、モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項12に記載の装置。
- 複数のダイオードであって、各ダイオードが、
基板と、
第1のドーパントでドープされ、前記基板内に位置し、面積接合キャパシタンスを低減するためにポケットインプラントを持たない、第1のドープ領域と、
前記基板内で、前記第1のドーパントと反対の極性を有する第2のドーパントでドープされた第2のドープ領域と、
前記第1のドープ領域上に形成された第1のシリサイド部分と、
前記第2のドープ領域上に形成された第2のシリサイド部分とを備える、複数のダイオードと、
前記ダイオードに結合された入力接点と、
前記ダイオードを介して前記入力接点に結合された被保護構成要素と
を備える、静電放電(ESD)保護集積回路。 - 前記ダイオードが、ゲートダイオードであり、ゲートをさらに備える、請求項17に記載のESD保護集積回路。
- 前記ダイオードが、前記第1および前記第2のドープ領域に隣接するシャロートレンチアイソレーション層をさらに備え、前記ダイオードがシャロートレンチアイソレーション(STI)ダイオードである、請求項17に記載のESD保護集積回路。
- 前記ダイオードが、前記基板内に位置しておりインプラントブロックで画定されたウェルインプラントをさらに備え、前記第1および前記第2のドープ領域が前記ウェルインプラント内に位置する、請求項17に記載のESD保護集積回路。
- モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項17に記載のESD保護集積回路。
- ダイオードを製造する方法であって、
アクティブマスクによって画定されるシャロートレンチアイソレーション領域を形成するステップと、
前記ダイオード内の面積接合キャパシタンスを低減するために、ポケットインプラントをポケットインプラントマスクでブロックするステップと、
前記シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第1のインプラントマスクで画定される第1のドープ領域をインプラントするステップと、
前記シャロートレンチアイソレーション領域を形成した後、第2のインプラントマスクで画定される第2のドープ領域をインプラントするステップと、
前記第1のドープ領域上に第1のシリサイド部分を堆積させるステップと、
前記第2のドープ領域上に第2のシリサイド部分を堆積させるステップと
を含む、方法。 - モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに前記ダイオードを組み込むステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
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