JP2016128921A - レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】優れたマスクエラーファクターで、欠陥数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ１）式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位又は式（ａ１−２）で表される構造単位とを有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となり、式（ａａ）で表される構造単位を有さず、ヒドロキシアダマンタン基を含む構造単位を有する樹脂、並びに（Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。

【選択図】なし

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法
に関する。

近年、半導体の微細加工技術として、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）等
の短波長光を露光源とする光リソグラフィ技術が活発に検討されている。このような光リ
ソグラフィ技術に用いられるレジスト組成物としては、例えば、式（ｕ−Ａ）で表される
構造単位及び式（ｕ−Ｂ）で表される構造単位からなる樹脂と、式（ｕ−Ｂ）で表される
構造単位、式（ｕ−Ｃ）で表される構造単位及び式（ｕ−Ｄ）で表される構造単位からな
る樹脂と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物が記載されている（特許文献１
）。

特開２０１０−１９７４１３号公報

従来から知られる上記レジスト組成物から製造されるレジストパターンは、マスクエラ
ーファクター（ＭＥＦ）が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕（Ａ１）式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位
及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種とを有す
る樹脂
（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶
となり、式（ａａ）で表される構造単位を有しない樹脂及び
（Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。
［式（ａａ）中、
Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１
）で表される基を表す。
（式（ａ−１）中、
ｓは０又は１の整数を表す。
Ｘ¹⁰及びＸ^1１は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又
はオキシカルボニル基を表す。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂
肪族炭化水素基を表す。
＊はＯ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^aa2との結合手である。）
Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。］
［式（ａ１−１）中、
Ｌ^a1は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は１〜７の整数を表す
。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
式（ａ１−２）中、
Ｌ^a2は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は前記と同義である。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a7は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ２は０又は１の整数を表す。］
〔２〕前記式（ａａ）のＡ^aa1が、炭素数１〜６のアルカンジイル基である〔１〕記載
のレジスト組成物。
〔３〕前記式（ａａ）のＡ^aa1が、エチレン基である〔１〕又は〔２〕記載のレジスト
組成物。
〔４〕式（ａａ）で表される構造単位が、式（Ｉ）で表される構造単位である〔１〕〜
〔３〕のいずれか記載のレジスト組成物。
［式（Ｉ）中、
Ｒ^aa１及びＡ^aa１は、上記と同じ意味を表す。
Ａ¹⁵は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基表す
。
Ｘ¹²は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す
。
Ａ¹⁶は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１５の１価の脂肪族炭化水素基を表
す。
ただし、Ａ¹⁵又はＡ¹⁶はフッ素原子を有し、Ａ¹⁵及びＡ¹⁶の炭素数の合計は１６以下で
ある。］
〔５〕式（Ｉ）のＡ¹³が、炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基である〔４〕
記載のレジスト組成物。
〔６〕式（Ｉ）のＸ¹²が、＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は、Ａ¹³との結合手を表す。）である〔
４〕又は〔５〕記載のレジスト組成物。
〔７〕式（Ｉ）のＡ¹⁴が、シクロヘキシル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基であ
る〔４〕〜〔６〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔８〕前記（Ａ２）が、前記式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で
表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する樹脂である、前記〔１
〕〜〔７〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔９〕前記（Ａ１）及び前記（Ａ２）がともに、式（ａ１−１）で表される構造単位及
び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれるもののうち、同一の構造単
位を有する〔８〕記載のレジスト組成物。
〔１０〕前記（Ａ１）及び前記（Ａ２）がともに、式（ａ１−１）で表される構造単位
のうち、同一の構造単位を有する〔８〕又は〔９〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔１１〕前記（Ｂ）が、式（Ｂ１）で表される酸発生剤である〔１〕〜〔１０〕のいず
れか記載のレジスト組成物。
［式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル
基を表す。
Ｌ^b1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基を表し、
該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わって
いてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族
炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換
わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
〔１２〕前記式（Ｂ１）のＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭
化水素基である〔１１〕記載のレジスト組成物。
〔１３〕さらに、溶剤を含有する〔１〕〜〔１２〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔１４〕（１）〔１〕〜〔１３〕のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する
工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明のレジスト組成物によれば、優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジス
トパターンを製造することができる。また、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も
少ない。

本明細書に示す種々の化合物などにおいて共通する基を定義する。この定義において、
「Ｃ」に付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示す。
「炭化水素基」とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。脂肪族炭化水素
基は、鎖式及び環式を包含し、さらに、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさっ
た脂肪族炭化水素基を含む。

鎖式の脂肪族炭化水素基のうち１価のものは、典型的にはアルキル基が挙げられる。ア
ルキル基としては、メチル基（Ｃ_１）、エチル基（Ｃ_２）、プロピル基（Ｃ_３）、ブチル
基（Ｃ_４）、ペンチル基（Ｃ_５）、ヘキシル基（Ｃ_６）、ヘプチル基（Ｃ_７）、オクチル
基（Ｃ_８）、デシル基（Ｃ₁₀）、ドデシル基（Ｃ₁₂）、ヘキサデシル基（Ｃ₁₄）、ペンタ
デシル基（Ｃ₁₅）、ヘキシルデシル基（Ｃ₁₆）、ヘプタデシル基（Ｃ₁₇）及びオクタデシ
ル基（Ｃ₁₈）などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素
基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素−炭素二重結合を含ん
でいてもよいが、このような炭素−炭素二重結合などを有さない、飽和の鎖式炭化水素基
、特に飽和のアルキル基が好ましい。
２価の鎖式炭化水素基は、ここに示したアルキル基から水素原子を１個取り去ったアル
カンジイル基が該当する。

環式の脂肪族炭化水素基（以下、場合により「脂環式炭化水素基」という）のうち１価
のものは、典型的には、脂環式炭化水素から水素原子１個を取り去った基である。脂環式
炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよいが、飽和の
脂環式炭化水素基が好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでも
よい。
単環式の脂環式炭化水素は、典型的にはシクロアルカンであり、以下の式（ＫＡ−１）
で表されるシクロプロパン（Ｃ_３）、式（ＫＡ−２）で表されるシクロブタン（Ｃ_４）、
式（ＫＡ−３）で表されるシクロペンタン（Ｃ_５）、式（ＫＡ−４）で表されるシクロヘ
キサン（Ｃ_６）、式（ＫＡ−５）で表されるシクロヘプタン（Ｃ_７）、式（ＫＡ−６）で
表されるシクロオクタン（Ｃ₈）及び式（ＫＡ−７）で表されるシクロドデカン（Ｃ₁₂）
などが挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素は、例えば、以下の式（ＫＡ−８）で示されるビシクロ〔２．
２．１〕ヘプタン（以下「ノルボルナン」ということがある。）（Ｃ_７）、式（ＫＡ−９
）で示されるアダマンタン（Ｃ₁₀）及び式（ＫＡ−１０）〜式（ＫＡ−２２）で示される
脂環式炭化水素などが挙げられる。
２価の脂環式炭化水素基は、式（ＫＡ−１）〜式（ＫＡ−２２）の脂環式炭化水素から
水素原子を２個取り去った基が該当する。

芳香族炭化水素基は１価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基である。具
体的には、フェニル基（Ｃ_６）、ナフチル基（Ｃ₁₀）、アントリル基（Ｃ₁₄）、ビフェニ
ル基（Ｃ₁₂）、フェナントリル基（Ｃ₁₄）及びフルオレニル基（Ｃ₁₃）などが挙げられる
。

脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。置換基としては、ハロゲン原子、アル
コキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる
。
アルコキシ基としては、メトキシ基（Ｃ_１）、エトキシ基（Ｃ_２）、プロポキシ基（Ｃ
_３）、ブトキシ基（Ｃ_４）、ペンチルオキシ基（Ｃ_５）、ヘキシルオキシ基（Ｃ_６）、ヘ
プチルオキシ基（Ｃ₇）、オクチルオキシ基（Ｃ₈）、デシルオキシ基（Ｃ₁₀）及びドデシ
ルオキシ基（Ｃ₁₂）などが挙げられる。これらアルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよ
い。
アシル基としては、アセチル基（Ｃ_２）、プロピオニル基（Ｃ_３）、ブチリル基（Ｃ_４
）、バレイル基（Ｃ_５）、ヘキサノイル基（Ｃ_６）、ヘプタノイル基（Ｃ₇）、オクタノ
イル基（Ｃ₈）、デカノイル基（Ｃ₁₀）及びドデカノイル基（Ｃ₁₂）などのアルキル基と
カルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基（Ｃ₇）などのようにアリール基とカルボ
ニル基とが結合したものが挙げられる。これらアシル基のうち、アルキル基とカルボニル
基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。
アリール基としては、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じ
であり、アリールオキシ基としては、アリール基と酸素原子とが結合したものである。
アラルキル基としては、ベンジル基（Ｃ₇）、フェネチル基（Ｃ₈）、フェニルプロピル
基（Ｃ₉）、ナフチルメチル基（Ｃ₁₁）及びナフチルエチル基（Ｃ₁₂）などが挙げられる
。
芳香族炭化水素基は置換基を有することがある。置換基としては、ハロゲン原子、アル
コキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。これら置換基は、
上述した置換基と同様のものが挙げられる。

また、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝
Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「
（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及び
メタクリレートの少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種
」を意味する。

＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という）及び酸発生剤（以下「
酸発生剤（Ｂ）」という）を含有する。
樹脂（Ａ）は、樹脂（Ａ１）と、樹脂（Ａ２）とを含む。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに溶剤及び／又は塩基性化合物を含有している
ことが好ましい。

＜樹脂（Ａ１）＞
樹脂（Ａ１）は、式（ａａ）で表される構造単位（以下、場合により「構造単位（ａａ
）」という。）と、式（ａ１−１）で表される構造単位（以下、場合により「構造単位（
ａ１−１）」という。）及び式（ａ１−２）で表される構造単位（以下、場合により「構
造単位（ａ１−２）」という。）からなる群より選ばれる少なくとも１種とを有する。

＜構造単位（ａａ）＞
構造単位（ａａ）は、以下の式（ａａ）で表される。
［式（ａａ）中、
Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１
）で表される基を表す。
（式（ａ−１）中、
ｓは０又は１の整数を表す。
Ｘ¹⁰及びＸ^1１は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又
はオキシカルボニル基を表す。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂
肪族炭化水素基を表す。
＊はＯ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^aa2との結合手である。）
Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。］

Ａ^aa1のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジ
イル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−
ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘキサン−１，
５−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２
−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メ
チルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカ
ンジイル基が挙げられる。
アルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキ
シ基などが挙げられる。

Ａ^aa1の基（ａ−１）は、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基又はオキシカルボニル基等の酸素原子を含む部分構造を含む。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパ
ン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−
メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチ
ルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアル
コキシ基などが挙げられる。

酸素原子を有する基（ａ−１）としては、
などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

カルボニル基を有する基（ａ−１）としては、
などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

カルボニルオキシ基を有する基（ａ−１）としては、
などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

オキシカルボニル基を有する基（ａ−１）としては、
などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

Ｒ^aa2の脂肪族炭化水素基は、部分的に炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、
飽和の脂肪族炭化水素基（飽和炭化水素基）が好ましい。好ましい脂肪族炭化水素基とし
ては、直鎖状又は分岐状のアルキル基及び脂環式炭化水素基が挙げられる。

アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基及びオクチル基などが挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基
としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジ
メチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル
基が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボ
ルニル基及びメチルノルボルニル基並びに下記に示す基などが挙げられる。
また、これらアルキル基及び脂環式炭化水素を任意に組み合わせた基であってもよい。

Ｒ^aa2の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、最大２個程度、酸素原子又はカル
ボニル基に置き換わっていてもよく、このような脂肪族炭化水素基としては、後述する式
（ａ−ｇ２）で表される基などが挙げられる。

Ｒ^aa2の脂肪族炭化水素基は、置換基を有する脂肪族炭化水素基が好ましい。
置換基としては、ハロゲン原子又は式（ａ−ｇ３）で表される基が好ましい。
（式（ａ−ｇ３）中、
Ｘ^１２は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表
す。
Ａ¹⁴は、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）を有していてもよい炭素数１〜１５
の１価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒ^aa２の脂肪族炭化水素基が有する式（ａ−ｇ３）で表される基の数は１であることが
好ましい。

Ｒ^aa2は、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくは、フッ素原子）を有する脂肪族
炭化水素基又は以下の式（ａ−ｇ２）で表される基である。
（式（ａ−ｇ２）中、
Ａ¹³は、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）を有していてもよい炭素数１〜１５
の２価の脂肪族炭化水素基表す。
Ｘ¹²は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す
。
Ａ¹⁴は、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）を有していてもよい炭素数１〜１５
の１価の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ¹³又はＡ¹⁴はハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）
を有し、Ａ¹³及びＡ¹⁴の炭素数の合計は１６以下である。）

Ｒ^aa2のハロゲン原子を有する脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有
する飽和脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、水素原子の全部がフッ素原子に置換
された脂肪族炭化水素基（例えば、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロシクロアルキ
ル基）である。また、好ましくは、フッ素原子を有する飽和鎖式脂肪族炭化水素基であり
、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい。

ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有する鎖式脂肪族炭化水素基としては、ジフ
ルオロメチル基、トリオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロ
エチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２
−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペ
ルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフル
オロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１
，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オ
クタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−
２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，
２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１
，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフル
オロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル
基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−
デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフ
ルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフル
オロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、
トリヨードメチル基などが挙げられる。

なかでも、好ましくはトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプ
ロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、
ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基であり、より好ましくは、炭素数が
１〜６のペルフルオロアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数１〜３のペルフルオ
ロアルキル基である。

Ａ¹³の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組み合
わせられた２価の脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不
飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ¹³のハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素
原子を有していてもよい飽和の脂肪族炭化水素基である。
鎖式のハロゲン原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基
、ジフルオロメチレン基、エチレン基、ペルフルオロエチレン基、プロパンジイル基、ペ
ルフルオロプロパンジイル基、ブタンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基、ペンタン
ジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基などが挙げられる。

環式のハロゲン原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基としては、好ましくは
フッ素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基である。環式の脂肪族炭化水素基
は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロヘ
キサンジイル基、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基などが挙げられる。多環式の２価
の脂肪族炭化水素基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフル
オロアダマンタンジイル基などが挙げられる。

Ａ^１４の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組み
合わせられた脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和
結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^１４のハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ
素原子を有していてもよい飽和の脂肪族炭化水素基である。
鎖式のハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、トリフルオロメチ
ル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオ
ロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピ
ル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチ
ル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフル
オロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、
オクチル基及びペルフルオロオクチル基などが挙げられる。

環式のハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素
原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基である。環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及
び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキシル基、ペ
ルフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ア
ダマンチル基、ノルボルニル基、ペルフルオロアダマンチル基などが挙げられる。

式（ａａ）におけるＲ^aa2が式（ａ−ｇ３）で表される基を有している場合、式（ａａ
）で表される構造単位として、式（Ｉ）で表される構造単位（以下「構造単位（Ｉ）」と
いう場合がある）が好ましい。
［式（Ｉ）中、
Ｒ^aa１及びＡ^aa１は、上記と同じ意味を表す。
Ａ¹⁵は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基表す
。
Ｘ¹²は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す
。
Ａ¹⁶は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１５の１価の脂肪族炭化水素基を表
す。
ただし、Ａ¹⁵又はＡ¹⁶はフッ素原子を有し、Ａ¹⁵及びＡ¹⁶の炭素数の合計は１６以下で
ある。］

式（Ｉ）において、Ａ^１５のフッ素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基及
びＡ^１６のフッ素原子を有していてもよい１価の脂肪族炭化水素基は、Ａ^１３及びＡ^１４
におけるそれらの例示と同様のものが挙げられる。

式（Ｉ）において、好ましい＊−Ａ¹⁵−Ｘ¹²−Ａ¹⁶で表される部分構造（＊はカルボニ
ル基との結合手）としては、以下の構造が挙げられる。

特に、式（ａａ）及び式（Ｉ）におけるＡ^aa1としては、炭素数１〜６のアルカンジイ
ル基が好ましく、炭素数１〜３のアルカンジイル基がより好ましく、エチレン基がさらに
好ましい。
また、式（ａ−ｇ２）におけるＡ¹³の脂肪族炭化水素基は、炭素数１〜６が好ましく、
２〜３がより好ましく、なかでも、鎖式の脂肪族炭化水素基が好ましい。特に、式（ａ−
ｇ２）のＡ¹³及び式（Ｉ）のＡ^１５は、フッ素原子を有するアルカンジイル基であること
が好ましく、炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基がより好ましい。
式（ａ−ｇ２）におけるＡ^１４の脂肪族炭化水素基は、炭素数６〜１２が好ましく、６
〜１０がより好ましい。なかでも、式（ａ−ｇ２）のＡ^１４及び式（Ｉ）のＡ^１６は、炭
素数６〜１２の脂環式炭化水素基が好ましく、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びア
ダマンチル基がより好ましい。
Ａ¹³及びＡ¹⁴はともにハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）を有することもあるが
、Ａ¹³がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるか、Ａ¹⁴がハロゲン原子（好ましく
は、フッ素原子）を有する脂肪族炭化水素基であることが好ましく、Ａ¹³がハロゲン原子
（好ましくはフッ素原子）を有する脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。同様に
、Ａ¹⁵及びＡ¹⁶はともにフッ素原子を有することもあるが、Ａ¹⁵がフッ素原子を有する脂
肪族炭化水素基であるか、Ａ¹⁶がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であることが好ま
しく、Ａ¹⁶がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。
Ｘ¹²は、＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は、Ａ¹³又はＡ¹⁵との結合手）が好ましい。

構造単位（ａａ）及び構造単位（Ｉ）としては、以下のものが挙げられる。

上記の構造単位において、Ｒ^aa１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単
位も、構造単位（ａａ）又は構造単位（Ｉ）の具体例として挙げることができる。

構造単位（ａａ）は、式（ａａ’）で表される化合物（以下「化合物（ａａ’）」とい
う場合がある）から誘導される。
（式（ａａ’）中の符号はいずれも、前記と同義である。）

化合物（ａａ’）は、以下の（１）〜（３）の方法等によって製造することができる。
（１）化合物（ａａ’）は、例えば、式（ａａｓ−１）で表される化合物と、式（ａａ
ｓ−２）で表される化合物とを、溶媒中、塩基性触媒の存在下で反応させることにより製
造することができる。
溶媒としては、テトラヒドロフランなどが挙げられる。また、塩基性触媒としては、ピ
リジンなどが挙げられる。
式（ａａｓ−１）で表される化合物としては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが
挙げられ、市販品を利用することができる。また、例えば、（メタ）アクリル酸又はその
誘導体（例えば、（メタ）アクリル酸クロリドなど）と、適当なジオール（ＨＯ−Ａ^aa１
−ＯＨ）とを縮合する公知の方法によって得られたものを利用することができる。
式（ａａｓ−２）で表される化合物としては、Ｒ^２の種類に応じて、対応するカルボン
酸を無水物へと変換して用いることができる。市販品としては、ヘプタフルオロ酪酸無水
物などがある。

（２）また、化合物（ａａ’）は、例えば、式（ａａｓ−３）で表される化合物と、式
（ａａｓ−４）で表される化合物とを、溶媒の存在下又は非存在下で反応させることによ
り製造することができる。
式（ａａｓ−３）で表される化合物は、（メタ）アクリル酸クロリドであり、これは市
場から容易に入手できる。式（ａａｓ−３）で表される化合物の塩素原子を、臭素原子又
はヨウ素原子に置き換えたものを利用してもよい。このような化合物は、例えば、（メタ
）アクリル酸と、適当な臭素化剤又はヨウ素化剤とを反応させることで得ることができる
。
式（ａａｓ−４）で表される化合物は、Ｒ^aa2の種類に応じたカルボン酸（Ｒ^aa2−ＣＯ
ＯＨ）又はその誘導体（例えば、Ｒ^aa2−ＣＯＣｌなど）と、適当なジオール（ＨＯ−Ａ^a
a1−ＯＨ）とを縮合することによって得ることができる。
式（ａａｓ−３）で表される化合物と、式（ａａｓ−４）で表される化合物との反応の
際には適当な脱酸剤（例えば、炭酸ナトリウムなど）を共存させることもできる。
溶媒としては、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、トルエンなどが挙げら
れる。

（３）化合物（ａａ’）は、式（ａａｓ−１）で表される化合物と、式（ａａｓ−５）
で表されるカルボン酸とを、溶媒の存在下で反応させることにより製造することができる
。
溶媒としては、テトラヒドロフラン及びトルエンなどが用いられる。
また、反応の際には、公知のエステル化触媒（例えば、酸触媒やカルボジイミド触媒な
ど）を共存させてもよい。
式（ａａｓ−５）で表されるカルボン酸は、Ｒ^aa2の種類に応じて公知の方法により製
造することができる。

特に、構造単位（Ｉ）は、式（Ｉ’）で表される化合物（以下、「化合物（Ｉ’）」と
いう場合がある）から誘導される。
［式（Ｉ’）中、Ｒ^aa1、Ａ^aa1、Ａ¹⁵、Ｘ¹²及びＡ¹⁶は、上記と同じ意味を表す。］

式（Ｉ’）で表される化合物は、例えば、式（Ｉｓ−１）で表される化合物と、式（Ｉ
ｓ−２）で表されるカルボン酸とを反応させることにより得ることができる。
この反応は通常、溶媒の存在下で行われる。溶媒としては、テトラヒドロフラン及びト
ルエンなどが用いられる。反応の際には、公知のエステル化触媒（例えば、酸触媒やカル
ボジイミド触媒など）を共存させてもよい。

式（Ｉｓ−１）で表される化合物としては、市販品を用いてもよいし、公知の方法で製
造して用いてもよい。ここでいう公知の方法とは、例えば、（メタ）アクリル酸又はその
誘導体（例えば、（メタ）アクリル酸クロリドなど）と、適当なジオール（ＨＯ−Ａ^aa１
−ＯＨ）とを縮合する方法が挙げられる。市販品としては、ヒドロキシエチルメタクリレ
ートなどが挙げられる。
式（Ｉｓ−２）で表されるカルボン酸は、公知の方法により製造することができる。例
えば、以下のいずれかの化合物を用いればよい。

＜構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）＞
構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）は、以下の式（ａ１−１）及び式（ａ
１−２）で表される。
［式（ａ１−１）中、
Ｌ^a1は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は１〜７の整数を表す
。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
式（ａ１−２）中、
Ｌ^a2は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は前記と同義である。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a7は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、酸素原子又はｋ１が１〜４の整数である−Ｏ−（ＣＨ₂
）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表される基あり、より好ましくは酸素原子又は、−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ
−Ｏ−であり、一層好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基は、Ｒ^aa2の脂肪族炭化水素基と同様ものが例示され
る。なかでも、Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８のアルキル
基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数８以下のアルキ
ル基又は炭素数８以下の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素数６以下のアル
キル基又は炭素数６以下の脂環式炭化水素基である。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は、好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−１）としては、以下の構造単位が挙げられる。

上記の構造単位において、Ｒ^a4に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位
も、構造単位（ａ１−１）の具体例として挙げることができる。

なかでも、式（ａ１−１−１）、式（ａ１−１−２）、式（ａ１−１−３）、これらの
構造単位のＲ^a4に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（
ａ１−１−１）、式（ａ１−１−２）及び式（ａ１−１−３）のいずれかで表される構造
単位（ａ１−１）がより好ましく、式（ａ１−１−１）及び式（ａ１−１−２）のいずれ
かで表される構造単位（ａ１−１）がさらに好ましい。
これら好ましい構造単位（ａ１−１）を有する樹脂（Ａ）は、樹脂（Ａ）を製造する際
に、２−メチルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレート、２−エチルアダマンタン
−２−イル（メタ）アクリレート又は２−イソプロピルアダマンタン−２−イル（メタ）
アクリレートなどを製造用原料（モノマー）として用いればよい。

構造単位（ａ１−２）としては、以下の構造単位が挙げられる。

上記の構造単位において、Ｒ^a5に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位
も、構造単位（ａ１−２）の具体例として挙げることができる。

なかでも、式（ａ１−２−１）、式（ａ１−２−２）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１
−２−５）又はＲ^a5に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位がより好まし
く、式（ａ１−２−４）及び式（ａ１−２−５）のいずれかで表される構造単位又はＲ^a5
に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位がさらに好ましい。
このような構造単位（ａ１−２）を有する樹脂（Ａ）を製造するためには、１−メチル
シクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレートなどをモノマーとして用いればよい。

樹脂（Ａ１）において、構造単位（ａａ）と、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ
１−２）からなる群より選ばれる構造単位とは、各々一種ずつ有していてもよいし、一方
が複数種であり、他方が一種であってもよいし、構造単位（ａａ）、構造単位（ａ１−１
）及び構造単位（ａ１−２）がいずれも複数種であってもよい。これらのうち、樹脂（Ａ
１）を容易に製造できる点では、構造単位（ａａ）と、構造単位（ａ１−１）及び構造単
位（ａ１−２）からなる群より選ばれる構造単位とは、各々一種ずつ有しているものが好
ましい。構造単位（ａａ）と、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）からなる
群より選ばれる構造単位との組み合わせとしては例えば、以下の表１に示されるものなど
が挙げられる。なお、表１では、式（ａａ−１）で表される構造単位（ａａ）などを、そ
の式番号に応じて、「（ａａ−１）」などと表記し、式（ａ１−１−１）で表される構造
単位（ａ１−１）、式（ａ１−２−１）で表される構造単位（ａ１−２）などを、その式
番号に応じて、「（ａ１−１−１）」、「（ａ１−２−１）」などと表記する。また、例
えば「（ａａ−６）／（ａａ−４）」の表記は、構造単位（ａａ）として、式（ａａ−６
）で表される構造単位と、式（ａａ−４）で表される構造単位とをともに有することを意
味する。

構造単位（ａａ）（又は構造単位（Ｉ））の含有量は、樹脂（Ａ１）の全構造単位（１
００モル％）に対して、好ましくは３０〜９５モル％であり、より好ましくは４０〜９０
モル％である。
構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の合計含有量は、樹脂（Ａ１）の全構
造単位に対して、好ましくは５〜７０モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％で
ある。
樹脂（Ａ１）において、構造単位（ａａ）（又は構造単位（Ｉ））と、構造単位（ａ１
−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）との含有モル比は、好ましくは１：９９〜９９：
１であり、３：９７〜９７：３がより好ましく、５０：５０〜９５：５がさらに好ましい
。

構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）は、後述するように酸不安定基を有す
る。そのため、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対する構造単位（ａ１−１）及び構造単位（
ａ１−２）の合計含有量が多いと、樹脂（Ａ１）は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であ
り、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるという特性を有するものとなる。従って
、樹脂（Ａ１）と、後述する樹脂（Ａ２）とを組み合わせることにより、優れたマスクエ
ラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造することができるレジスト組成物が
得られる。

樹脂（Ａ１）は、構造単位（ａａ）（又は構造単位（Ｉ））、構造単位（ａ１−１）及
び構造単位（ａ１−２）以外の構造単位を有していてもよい。そのような構造単位として
は、後述する酸不安定構造単位及び酸安定構造単位、ならびに当該分野で公知のモノマー
から誘導される構造単位が挙げられる。この場合、樹脂（Ａ１）における構造単位（ａａ
）（又は構造単位（Ｉ））と、構造単位（ａ１−１）と、構造単位（ａ１−２）との合計
含有量は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、好ましくは５〜１００モル％であり、よ
り好ましくは１０〜１００モル％である。
このような含有量で、構造単位（ａａ）（又は構造単位（Ｉ））と、構造単位（ａ１−
１）及び／又は構造単位（ａ１−２）とを有する樹脂（Ａ１）は、樹脂（Ａ１）製造時に
用いる全モノマーの総モル量に対する化合物（ａａ’）（又は化合物（Ｉ’））及び構造
単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を誘導する化合物のそれぞれの使用モ
ル量を調節することで製造できる。

＜樹脂（Ａ２）＞
樹脂（Ａ２）は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶
液に可溶となる特性を有し、式（ａａ）で表される構造単位を有しない樹脂である。
特に、樹脂（Ａ２）と酸発生剤との相乗効果とにより、レジスト組成物から、基板との
密着性が良好なレジストパターンを形成することができる。
樹脂（Ａ２）は、上記特性を発揮するために、分子内に１以上の酸不安定基を有する。
以下、酸不安定基を有する構造単位を「構造単位（ａ１）」という。ここで「酸不安定基
」とは、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されている親水性基を意味し、こ
のような親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられる。なかでも、カ
ルボキシ基がより好ましい。

＜酸不安定基＞
親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が、有機
残基に置き換わり、カルボキシ基の−Ｏ−と結合する有機残基の原子が第三級炭素原子で
ある基（すなわち第三アルコールのエステル）が挙げられる。このような酸不安定基のう
ち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式（１）で表されるもの（以下、場合により
「酸不安定基（１）」という。）である。
式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基を表す
か、Ｒ^a1及びＲ^a2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の環を
形成してもよい。Ｒ^a1及びＲ^a2が結合して形成される環及び脂肪族炭化水素基に含まれる
メチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。＊は結
合手を表す。

Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂肪族炭化水素基は、アルキル基又は脂環式炭化水素基である。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキ
シル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの単環式
炭化水素基、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボル
ニル基、下記のような基等の多環式炭化水素基が挙げられる。

−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）基において、Ｒ^a1及びＲ^a2が結合して形成する環とは、
下記の環が挙げられる。
このような環の炭素数は、好ましくは３〜１２の範囲である。

式（１）で表される酸に不安定な基としては、例えば、
１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基で
ある基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、
２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及
び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び
１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中
、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）などが挙げられる
。

一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、ヒドロキシ基の水素原子が
、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げ
られる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式（２）で
表されるもの（以下、場合により「酸不安定基（２）」という。）である。
式（２）中、Ｒ^b1〜Ｒ^b2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素
基を表し、Ｒ^b3は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^b2及びＲ^b3は結合して、それ
らが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成してもよい。
該炭化水素基及び環がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又
はカルボニル基に置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。

Ｒ^b1〜Ｒ^b3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい
。
Ｒ^b2及びＲ^b3が結合して形成する環は、上述したＲ^a1及びＲ^a2が互いに結合して形成す
る環の１つの炭素原子が１つの酸素原子と置き換わったものが挙げられる。
Ｒ^b1及びＲ^b2のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

酸不安定基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。

構造単位（ａ１）は、酸不安定基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーから誘導さ
れるものが好ましく、酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーから誘導されるも
のがさらに好ましい。
構造単位（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基（１）及び／又は酸不安定基（２）を有
するものであり、より好ましくは酸不安定基（１）を有する。

酸不安定基（１）を有する構造単位（ａ１）の中でも、酸不安定基（１）が、炭素数５
〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが好ましい。このような立体的に嵩高い基の構造
単位（ａ１）を有する樹脂（Ａ）を使用することにより、レジスト組成物の解像度を向上
させることができる。

酸不安定基（１）を有する構造単位（ａ１）は、式（ａ１−１）で表される構造単位及
び式（ａ１−２）で表される構造単位が好ましい。

なかでも、構造単位（ａ１−１）としては、式（ａ１−１−１）、式（ａ１−１−２）
及び式（ａ１−１−３）のいずれかで表される構造単位並びにこれらの構造単位のＲ^a4に
相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（ａ１−１−１）、
式（ａ１−１−２）及び式（ａ１−１−３）のいずれかで表される構造単位がより好まし
く、式（ａ１−１−１）及び式（ａ１−１−２）のいずれかで表される構造単位がさらに
好ましい。

また、構造単位（ａ１−２）としては、式（ａ１−２−１）、式（ａ１−２−２）、式
（ａ１−２−４）及び式（ａ１−２−５）のいずれかで表される構造単位（ａ１−２）並
びにＲ^a5に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（ａ１−
２−４）及び式（ａ１−２−５）のいずれかで表される構造単位ならびにこれら構造単位
のＲ^a5に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位がより好ましい。

構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を有する樹脂（Ａ２）を製造す
る場合、樹脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に対して、構造単位（ａ１−１）及
び／又は構造単位（ａ１−２）の合計含有量は、通常１０〜９５モル％であり、好ましく
は１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。
構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）の合計含有量を、このような範
囲にするためには、樹脂（Ａ２）を製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単
位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーの使用量を調整すれ
ばよい。

なお、樹脂（Ａ２）は、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）以外の構造単
位（ａ１）を有していてもよい。ただし、より優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）
のレジストパターンを得るために、樹脂（Ａ２）は、構造単位（ａ１−１）及び構造単位
（ａ１−２）のうち、いずれかを有していることが好ましく、樹脂（Ａ２）と組み合わせ
て用いる樹脂（Ａ１）と同一の構造単位（ａ１）を有することがさらに好ましい。ここで
、樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）とが同一の構造単位（ａ１）を有するとは、例えば、樹脂
（Ａ１）が式（ａ１−１−２）で表される構造単位（ａ１−１）を有しているとき、樹脂
（Ａ２）も式（ａ１−１−２）で表される構造単位（ａ１−１）を有していることをいう
。
なかでも、樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）がともに、式（ａ１−１−１）、式（ａ１−
１−２）、式（ａ１−１−３）、式（ａ１−１−２１）、式（ａ１−１−２２）、式（ａ
１−２−２）、及び式（ａ１−２−５）のいずれかで表される構造単位を有すること好ま
しく、式（ａ１−１−２）、式（ａ１−１−３）、及び式（ａ１−２−５）のいずれかで
表される構造単位を有することがより好ましい。

酸不安定基（１）を有する構造単位（ａ１）として、式（ａ１−３）で表されるノルボ
ルネン環を有するモノマー（以下、場合により「モノマー（ａ１−３）」という）に由来
する構造単位を用いることができる。
式（ａ１−３）中、
Ｒ^a9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜３のアルキル基、カル
ボキシル基、シアノ基又は−ＣＯＯＲ^a13（Ｒ^a13は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基
を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよ
く、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わ
っていてもよい。）を表す。
Ｒ^a10〜Ｒ^a12は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^a1
0及びＲ^a11が結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数３〜２０の環を
形成する。この脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基などに置換されて
いてもよく、この脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基
に置き換わっていてもよい。

Ｒ^a9のヒドロキシ基を有するアルキル基は、例えば、ヒドロキシメチル基及び２−ヒド
ロキシエチル基などが挙げられる。
Ｒ^a10〜Ｒ^a12の脂肪族炭化水素基は、鎖式炭化水素基（例えば、アルキル基）及び脂環
式炭化水素基のいずれでもよい。
Ｒ^a10及びＲ^a11が結合して形成される環は、脂肪族炭化水素環が好ましく、具体的には
、シクロへキサン環及びアダマンタン環がより好ましい。

モノマー（ａ１−３）としては、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチ
ル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸シクロヘサン−１−イル−１−メチルエチル、５
−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−シクロヘキサン−１イル、５−ノルボルネ
ン−２−カルボン酸２−メチル−アダマンタン−２−イル、５−ノルボルネン−２−カル
ボン酸２−エチル−アダマンタン−２−イル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（
４−メチル−シクロヘキサン−４−イル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−
カルボン酸１−（４−ヒドロキシ−シクロヘキサン−４−イル）−１−メチルエチル、５
−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソ−シクロヘキサン−４−
イル）エチル及び５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（アダマンタン−１−イル）−
１−メチルエチルなどが挙げられる。

モノマー（ａ１−３）を用いて樹脂（Ａ２）を製造した場合、この樹脂（Ａ２）にはモ
ノマー（ａ１−３）に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれる。このように立体的
に嵩高い構造単位を有する樹脂（Ａ２）をレジスト組成物に用いることにより、より良好
な解像度でレジストパターンを製造することができる。また、モノマー（ａ１−３）を用
いることにより、樹脂（Ａ２）の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、樹脂（
Ａ）を含有するレジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得
られ易いという傾向がある。

樹脂（Ａ２）が、モノマー（ａ１−３）に由来する構造単位を有する場合、上述のよう
に、良好な解像度で及び／又はドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ
易いという点から、その含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に対して
、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％が
さらに好ましい。

酸不安定基（２）を有する構造単位（ａ１）としては、式（ａ１−４）で表されるモノ
マー（以下、場合により「モノマー（ａ１−４）」という）に由来する構造単位を用いる
ことができる。
式（ａ１−４）中、
Ｒ^a32は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基（ハロアルキル基）
、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｒ^a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
アルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイル
基又はメタクリロイル基を表す。
ｌａは０〜４の整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^a33は同一又は相異な
る。
Ｒ^a34及びＲ^a35は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す
。
Ｘ^a2は、単結合又は炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に
含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素
数２〜４のアシル基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基に置換されていてもよく、該脂肪
族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル
基又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−で示される基に置き換わっていてもよい。Ｒ^ｃは、水素原子又は炭
素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｙ^a3は、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、
炭素数２〜４のアシル基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基に置換されていてもよい。

Ｒ^a32のハロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチ
ル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、
ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチ
ル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨー
ドメチル基などが挙げられる。
Ｒ^a32及びＲ^a33のアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル
基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ^a33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ
基が特に好ましい。
Ｒ^a34及びＲ^a35の炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水
素基のいずれであってもよい。なかでも、鎖式炭化水素基としては、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチ
ル基及び２−エチルヘキシル基が好ましく、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１
−イル）アルカン−１−イル基及びイソボルニル基が好ましく、芳香族炭化水素基として
は、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基
、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフ
ェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基及び２−メチ
ル−６−エチルフェニルが好ましい。

Ｘ^a2の脂肪族炭化水素基は、鎖式炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
Ｙ^a3は、好ましくは炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭
化水素基である。
Ｘ^a2及びＹ^a3の置換基としては、好ましくは、ヒドロキシ基である。

モノマー（ａ１−４）としては、以下のモノマーが挙げられる。

上記モノマーにおいて、Ｒ^a32に相当する水素原子がメチル基に置き換わったモノマー
も、モノマー（ａ１−４）の具体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ２）がモノマー（ａ１−４）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は
、樹脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に対して、１０〜９５モル％が好ましく、
１５〜９０モル％より好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

酸不安定基（２）を有するモノマーとして、例えば、式（ａ１−５）で表されるモノマ
ー（以下、「モノマー（ａ１−５）」という。）に由来する構造単位も用いることができ
る。
式（ａ１−５）中、
Ｒ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のア
ルキル基を表す。
Ｌ^１〜Ｌ^３は、酸素原子又は硫黄原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表され
る基を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基（−ＣＯ−）との結
合手である。
Ｚ^１は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基に含
まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ｓ１及びｓ１’は、それぞれ独立して、０〜４の整数を表す。

式（ａ１−５）においては、Ｒ³¹は、水素原子及びメチル基が好ましい。
Ｌ^１は、酸素原子が好ましい。
Ｌ^２及びＬ^３は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
Ｚ^１は、単結合又は−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。

モノマー（ａ１−５）としては、以下のモノマーが挙げられる。

上記モノマーにおいて、Ｒ³¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わったモノマーも
、モノマー（ａ１−５）の具体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ２）がモノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は
、樹脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に対して、１０〜９５モル％が好ましく、
１５〜９０モル％より好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

酸不安定基（１）と炭素−炭素二重結合とを分子内に有する構造単位（ａ１）として、
以下のモノマーに由来する構造単位を用いることができる。

樹脂（Ａ２）がこれらのモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹
脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５
〜９０モル％より好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

＜酸安定構造単位＞
樹脂（Ａ２）は、酸不安定構造単位（ａ１）の他に、酸不安定基を有さない構造単位（
以下、場合により「酸安定構造単位」という。）を有していることが好ましい。
なお、樹脂（Ａ１）は、構造単位（ａａ）と、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単
位（ａ１−２）と以外に、酸安定構造単位を有していてもよい。酸安定構造単位は、酸安
定基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある。）を用いて共重合
することにより、樹脂（Ａ）に導入することができる。

酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロ
キシ基を有する酸安定構造単位（以下、場合により「酸安定構造単位（ａ２）」という。
）及び／又はラクトン環を有する酸安定構造単位（以下、場合により「酸安定構造単位（
ａ３）」という。）を有する樹脂（Ａ２）を用いることにより、レジストの解像度及びレ
ジストパターンの基板への密着性を向上させることができる。

＜酸安定構造単位（ａ２）＞
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ光など
の高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位（ａ２）とし
て、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定
モノマーを由来とする構造単位を使用する。特に、短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（
１９３ｎｍ）などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位（ａ２）として
、好ましくは、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノ
マーに由来する構造単位を使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーに由来する構
造単位（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

＜酸安定構造単位（ａ２−０）＞
酸安定構造単位（ａ２）は、以下の式（ａ２−０）で表されるもの（以下、「酸安定構
造単位（ａ２−０）」という場合がある。）が挙げられる。
式（ａ２−０）中、
Ｒ^a30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロ
ゲン原子を表す。
Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
アルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイル
基又はメタクリロイル基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は同一又は
相異なる。

Ｒ^a30のハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基及びハロゲン原子は、
式（ａ１−４）のＲ^a32で例示したものと同じである。これらのうち、Ｒ^a30は、炭素数１
〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好
ましい。
Ｒ^a31のアルコキシ基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基
又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｒ^a31のアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１又は２
のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
ｍａは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。

酸安定構造単位（ａ２−０）を誘導するモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げ
られる。
上記のモノマーにおいて、ベンゼン環に結合しているメチル基、エチル基等を、Ｒ^a31
として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマー（ａ２−０）の具体
例として挙げることができる。

酸安定モノマー（ａ２−０）を用いて樹脂（Ａ）を製造する場合、酸安定モノマー（ａ
２−０）にあるフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されているモノマーを用いるこ
ともできる。保護基としては、例えば、酸又は塩基で脱離する保護基などが好ましい。酸
又は塩基で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸又は塩基との接
触により、脱保護することができる。ただし、樹脂（Ａ）は、酸不安定基を含む構造単位
（ａ１）を有しているので、保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基を脱保護する
際には、構造単位（ａ１）の酸不安定基を著しく損なわないよう塩基との接触により、脱
保護することが好ましい。保護基としては例えば、アセチル基、ベンゾイル基等が好まし
い。塩基としては、例えば、４−ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げら
れる。

なかでも、酸安定モノマー（ａ２−０）としては、４−ヒドロキシスチレン又は４−ヒ
ドロキシ−α−メチルスチレンが好ましい。

樹脂（Ａ２）が、酸安定構造単位（ａ２−０）を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ
２）の全構造単位（１００モル％）に対して、通常５〜９５モル％であり、１０〜８０モ
ル％が好ましく、１５〜８０モル％がより好ましい。
樹脂（Ａ１）が、酸安定構造単位（ａ２−０）を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ
１）の全構造単位（１００モル％）に対して、通常、０〜９０モル％であり、１０〜８０
モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましい。

＜酸安定構造単位（ａ２−１）＞
酸安定構造単位（ａ２−１）としては、以下の式（ａ２−１）（以下、「酸安定構造単
位（ａ２−１）」という。）で表される構造単位が挙げられる。
式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−（ｋ２は１〜７の整数を表す
。）を表し、＊はカルボニル基（−ＣＯ−）との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

Ｌ^a3は、好ましくは、酸素原子又は、ｋ２が１〜４の整数である−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−
ＣＯ−Ｏ−で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−
Ｏ−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

酸安定構造単位（ａ２−１）としては、例えば、以下のものが挙げられる。

上記の構造単位において、Ｒ^a14に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単
位も、構造単位（ａ２−１）の具体例として挙げることができる。

なかでも式（ａ２−１−１）、式（ａ２−１−２）、式（ａ２−１−１３）及び式（ａ
２−１−１５）のいずれかで表される酸安定構造単位並びにこれらの酸安定構造単位（ａ
２−１）のＲ^a14に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式
（ａ２−１−１）、式（ａ２−１−２）、式（ａ２−１−１３）及び式（ａ２−１−１５
）のいずれかで表される酸安定構造単位がさらに好ましい。
これらの酸安定構造単位（ａ２−１）を有する樹脂（Ａ）は、３−ヒドロキシアダマン
タン−１−イル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イル（
メタ）アクリレート又は（メタ）アクリル酸１−（３，５−ジヒドロキシアダマンタン−
１−イルオキシカルボニル）メチルなどを、樹脂（Ａ）製造用のモノマーとして用いれば
よい。

樹脂（Ａ２）が、酸安定構造単位（ａ２−１）を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ
２）の全構造単位（１００モル％）に対して、通常３〜４０モル％であり、５〜３５モル
％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
樹脂（Ａ１）が、酸安定構造単位（ａ２−１）を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ
１）の全構造単位（１００モル％）に対して、通常、１〜９０モル％であり、１０〜８０
モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましい。

＜酸安定構造単位（ａ３）＞
酸安定構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ
−ブチロラクトン環及びδ−バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクト
ン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及び
γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。

酸安定構造単位（ａ３）は好ましくは、以下の式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式
（ａ３−３）で表されるものであり、これらのうち１種のみを有していてもよく、２種以
上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式（ａ３−１）で示されるものを
「酸安定構造単位（ａ３−１）」といい、式（ａ３−２）で示されるものを「酸安定構造
単位（ａ３−２）」といい、式（ａ３−３）で示されるものを「酸安定構造単位（ａ３−
３）」という。
［式（ａ３−１）中、
Ｌ^a4は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す
。）を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a21は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｐ１が２以上の場合、複数のＲ^a21は
同一又は相異なる。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^a5は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す
。）を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
ｑ１は、０〜３の整数を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｑ１
が２以上の場合、複数のＲ^a22は、同一又は相異なる。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^a6は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す
。）を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
ｒ１は、０〜３の整数を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｒ１
が２以上の場合、複数のＲ^a23は、同一又は相異なる。］

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、好ましく
は、ｋ３が１〜４の整数である＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−で表される基又は酸素
原子、より好ましくは、＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−又は酸素原子であり、さらに好まし
くは酸素原子である。
Ｒ^a18〜Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基
である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１であ
る。

γ−ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位（ａ３−１）としては、例えば、以下の
ものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位（ａ３−２
）としては、例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定構造単位（ａ３−
３）は例えば、以下のものが挙げられる。

上記の構造単位において、Ｒ^a18〜Ｒ^a20相当するメチル基が水素原子に置き換わった構
造単位も、各々酸安定構造単位（ａ３−１）、酸安定構造単位（ａ３−２）及び酸安定構
造単位（ａ３−３）の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラク
トン環が有する置換基（Ｒ^a21〜Ｒ^a23）としてメチル基を有するものも例示したが、この
メチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位（ａ３）の具体例として
挙げられる。

酸安定構造単位（ａ３）の中でも、α−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクト
ン、β−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイロキ
シ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイロキシ−α−メチ
ル−γ−ブチロラクトン、β−（メタ）アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラク
トン、（メタ）アクリル酸（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］
ノナン−２−イル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロ−２−オキソ−３−フリル及び（メ
タ）アクリル酸２−（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン
−２−イルオキシ）−２−オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位（ａ３）が好
ましい。

樹脂（Ａ２）が、酸安定構造単位（ａ３−１）、酸安定構造単位（ａ３−２）及び酸安
定構造単位（ａ３−３）からなる群より選ばれる酸安定構造単位（ａ３）を有する場合、
その合計含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に対して、通常、５〜７
０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％
である。また、酸安定構造単位（ａ３−１）、酸安定構造単位（ａ３−２）及び酸安定構
造単位（ａ３−３）それぞれの含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位（１００モル％）に
対して、５〜６０モル％の範囲が好ましく、１０〜５５モル％の範囲がより好ましく、２
０〜５０モル％の範囲がさらに好ましく、２０〜４５モル％の範囲が一層好ましい。
樹脂（Ａ１）が、酸安定構造単位（ａ３−１）、酸安定構造単位（ａ３−２）及び酸安
定構造単位（ａ３−３）からなる群より選ばれる酸安定構造単位（ａ３）を有する場合、
その合計含有量は、樹脂（Ａ１）の全構造単位（１００モル％）に対して、通常、１〜９
０モル％であり、好ましくは１０〜８０モル％であり、より好ましくは２０〜７０モル％
である。

＜酸安定モノマー（ａ４）＞
樹脂（Ａ）は、上述の構造単位以外の酸安定モノマー（以下「酸安定モノマー（ａ４）
」という場合がある。）に由来する構造単位を有していてもよい。

酸安定モノマー（ａ４）としては、以下の式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸、
式（ａ４−２）で表される無水イタコン酸及び式（ａ４−３）で表されるノルボルネン環
を有する酸安定モノマー（以下、「酸安定モノマー（ａ４−３）」という場合がある。）
などを挙げることができる。
［式（ａ４−３）中、
Ｒ^a25及びＲ^a26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素
数１〜３のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は基−ＣＯＯＲ^a27〔Ｒ^a27は炭素数１
〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原
子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し−ＣＯＯＲ^a27が酸不安定基となる
ものは除く（すなわち、Ｒ^a27は、３級炭素原子が−Ｏ−と結合するものを含まない）〕
を表すか、或いはＲ^a25及びＲ^a26が結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−を形成する。］

Ｒ^a25及びＲ^a26のヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基などが好ましい。
Ｒ^a27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基及び炭素数４〜１
８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数４〜
１２の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソ
ラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基などがさらに好ましい。

酸安定モノマー（ａ４−３）としては、例えば、２−ノルボルネン、２−ヒドロキシ−
５−ノルボルネン、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボ
ン酸メチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、５−ノル
ボルネン−２−メタノール及び５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物などが挙
げられる。

樹脂（Ａ２）が、式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式（
ａ４−２）で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマー（ａ４−３）に由
来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂
（Ａ２）の全構造単位に対して、通常２〜４０モル％であり、好ましくは３〜３０モル％
であり、より好ましくは５〜２０モル％である。
樹脂（Ａ１）が、式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式（
ａ４−２）で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマー（ａ４−３）に由
来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位を有する場合、その合計含有量は、好ま
しくは、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜２０モル％である。

酸安定モノマー（ａ４）としては、例えば、式（ａ４−４）で表されるスルトン環を有
するもの（以下、「酸安定モノマー（ａ４−４）」という場合がある。）が挙げられる。
［式（ａ４−４）中、
Ｌ^a7は、酸素原子又は^＊−Ｔ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を（ｋ２は１〜７の整数を表
す。Ｔは酸素原子又はＮＨである。）表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a28は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｗ¹⁰は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。］

スルトン環基に含まれるスルトン環は、脂環式炭化水素に含まれるメチレン基のうち、
隣り合うメチレン基の一方が酸素原子、他方がスルホニル基に置き換わったものであり、
下記に示すものなどが挙げられる。スルトン環基の代表例は、下記スルトン環にある水素
原子の１つが、結合手に置き換わったものであり、式（ａ４−４）においてはＬ^a7との結
合手が該当する。
置換基を有していてもよいスルトン環基とは、上述の結合手に置き換わった水素原子以
外の水素原子がさらに置換基（水素原子以外の１価の基）に置換されたものであり、この
置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
フッ化アルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基
、炭素数１〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜７のアシル基及び炭素数１〜８の
アシルオキシ基などが挙げられる。

酸安定モノマー（ａ４−４）の具体例を示す。

上記のモノマーにおいて、Ｒ^a28に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単
位も、構造単位（ａ４−４）の具体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ２）が、酸安定モノマー（ａ４−４）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常２〜４０モル％であり、好ましくは
３〜３５モル％であり、より好ましくは５〜３０モル％である。
樹脂（Ａ１）が、酸安定モノマー（ａ４−４）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、好ましくは、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜３０モル％である。

酸安定モノマー（ａ４）として、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマ
ー〔以下、「酸安定モノマー（ａ４−５）」という場合がある。〕も用いることができる
。

このような酸安定モノマー（ａ４−５）の中でも、単環式又は多環式の脂肪族環を有す
る（メタ）アクリル酸５−（３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシ−２−［トリフ
ルオロメチル］プロピル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル、（メタ）アクリル
酸６−（３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシ−２−［トリフルオロメチル］プロ
ピル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル、（メタ）アクリル酸４，４−ビス（ト
リフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］ノニルが好ましい
。

樹脂（Ａ２）が、酸安定モノマー（ａ４−５）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常１〜２０モル％であり、好ましくは
２〜１５モル％であり、より好ましくは３〜１０モル％である。
樹脂（Ａ１）が、酸安定モノマー（ａ４−５）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、好ましくは、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜４０モル％である。

樹脂（Ａ）の製造には、以下の示す式（３）で表される基を有する酸安定モノマー（ａ
４）に由来する構造単位を含有することもできる。
［式（３）中、Ｒ¹⁰は、炭素数１〜６のフッ化アルキル基を表す。＊は結合手を表す。］

Ｒ¹⁰のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，
１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチ
ル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２
，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフ
ルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、
１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブ
チル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチ
ル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−
（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロ
ペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカ
フルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペン
タフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基
、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２
，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチル
メチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。

Ｒ¹⁰のフッ化アルキル基は、炭素数１〜４が好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフ
ルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特
に好ましい。

式（３）で表される基を有する酸安定モノマー（ａ４）としては、以下の酸安定モノマ
ー［以下「酸安定モノマー（ａ４−６）」という場合がある。］が挙げられる。
上記のモノマーにおいて、部分構造Ｍ’を部分構造Ａ’に置き換えたものも、酸安定モ
ノマー（ａ４−６）の具体例として挙げることができる。

また、酸安定モノマー（ａ４−６）としては、以下のものも挙げることができる。

樹脂（Ａ２）が、酸安定モノマー（ａ４−６）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常５〜９０モル％であり、好ましくは
１０〜８０モル％であり、より好ましくは２０〜７０モル％である。
樹脂（Ａ１）が、酸安定モノマー（ａ４−６）に由来する構造単位を有する場合、好ま
しくは、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、２０〜７０モル％の範囲である。

樹脂（Ａ）は、以下に示す式（４）で表される基を有する酸安定モノマー（ａ４）に由
来する構造単位を含有することができる。
［式（４）中、
Ｒ¹¹は置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ¹²は、置換基を有してもよい炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、
ヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ａ^３は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｍ10−ＳＯ_２−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｍ10−ＣＯ−Ｏ
−＊を表し、−（ＣＨ_２）_ｍ10−に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又は
スルホニル基に置き換わっていてもよく、該−（ＣＨ_２）_ｍ10−に含まれる水素原子は、
フッ素原子に置き換わっていてもよい。
ｍ１０は、１〜１２の整数を表す。］

Ｒ¹¹における炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、上述したものが挙げられる
。この芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル
基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基
及びｔｅｒｔ−ブチルフェニル基などである。
Ｒ¹¹としては、以下の基が挙げられる。なお、＊は炭素原子との結合手である。

Ｒ¹²における炭素数１〜１２の炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及び
芳香族炭化水素基のいずれでもよい。
脂肪族炭化水素基としては、典型的にはアルキル基であり、その具体例は炭素数が１〜
１２の範囲において、すでに例示したものを含む。脂環式炭化水素基としては、炭素数が
１２以下の範囲において、すでに例示したものを含む。
なお、Ｒ¹²が脂肪族炭化水素基である場合、該脂肪族炭化水素基はヘテロ原子を含んで
いてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子など
である〔連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい〕。
このようなヘテロ原子を含むＲ¹²としては、以下の基が挙げられる。

Ｒ¹²が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、Ｒ¹¹の場合と同じである。

Ａ^３としては、下記に示す基が挙げられる。

式（４）で表される基を含む酸安定モノマー（ａ４）として、例えば、式（ａ４−７）
で表されるもの［以下、場合により「酸安定モノマー（ａ４−７）」という。］が挙げら
れる。
［式（ａ４−７）中、
Ｒ¹³は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＡ^３は、前記と同義である。］

酸安定モノマー（ａ４−７）としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記のモノマーにおいて、部分構造Ｍ’を部分構造Ａ’に置き換えたものも、酸安定モ
ノマー（ａ４−７）の具体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ２）が、酸安定モノマー（ａ４−７）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常５〜９０モル％であり、好ましくは
１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜７０モル％である。
樹脂（Ａ１）が、酸安定モノマー（ａ４−７）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、好ましくは、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、２０〜７０モル％である。

酸安定モノマー（ａ４）としては、以下の式（ａ４−８）で示されるモノマー［以下、
場合により、「酸安定モノマー（ａ４−８）」という。］も挙げることができる。
［式（ａ４−８）中、
環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の脂肪族炭化水素環を表す。
Ａ^４は、単結合又は炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に
含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、Ａ^４の
うち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。
Ｒ¹⁴は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のハロ
アルキル基を表す。
Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のハロ
アルキル基を表す。］

環Ｗ^２は、単環式又は多環式の炭素数３〜３６の脂肪族炭化水素環であり、その炭素数
は５〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。すなわち、式（ａ４−８）において
で示される部分構造は、式（ＫＡ−１）〜式（ＫＡ−２２）の脂環式炭化水素に含まれる
水素原子の１個がＡ^４との結合手に、脂環式炭化水素の環に含まれる炭素原子の１つに結
合している２つの水素原子が、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ¹⁵及び−Ｏ−ＣＯ−Ｒ¹⁶との結合手に置き
換わったものを挙げることができる。
環Ｗ^２の脂肪族炭化水素環は、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及
びノルボルネン環が特に好ましい。

Ａ^４の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１７以下の範囲において、すでに例示したアルカ
ンジイル基及び２価の脂環式炭化水素基を挙げることができ、炭素数が１７以下の範囲で
あれば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であっ
てもよい。Ａ^４の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
例えば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基とし
ては、以下の式（Ｘ^ｘ−Ａ）、式（Ｘ^ｘ−Ｂ）及び式（Ｘ^ｘ−Ｃ）で表される基などが挙
げられる。
式中、
Ｘ^Ｘ１及びＸ^Ｘ２は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１
〜６のアルカンジイル基を表し、Ｘ^Ｘ１及びＸ^Ｘ２がともに単結合であることはなく、式
（Ｘ^ｘ−Ａ）、式（Ｘ^ｘ−Ｂ）及び式（Ｘ^ｘ−Ｃ）で表される基の総炭素数は１７以下で
ある。

Ａ^４の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わ
った基としては、例えば、式（ａａ）の基（ａ−１）で例示したものが挙げられる。
なかでも、Ａ^４は、単結合又は＊−（ＣＨ_２）_ｓ１−ＣＯ−Ｏ−（＊は−Ｏ−との結合
手を表し、ｓ１は１〜６の整数を表す。）で表される基が好ましく、単結合又は＊−ＣＨ
_２−ＣＯ−Ｏ−（＊は−Ｏ−との結合手を表す。）で表される基がより好ましい。

Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁶のアルキル基としては、炭素数が１〜６の範囲において、その具体例は、す
でに例示したものを含む。ハロアルキル基としては、フッ素原子を有するアルキル基が特
に好ましい。Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶のハロアルキル基としては、好ましくは、トリフルオロメチル
基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などであ
り、より好ましくは、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプ
ロピル基である。
Ｒ¹⁴は、水素原子又はメチル基が好ましい。

酸安定モノマー（ａ４−８）としては、以下に示すものが挙げられる。以下の式におい
て、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁶及びＡ^４は、前記と同義である。
これらの中でも、
で示される酸安定モノマー（ａ４−８）がより好ましい。

酸安定モノマー（ａ４−８）として、より具体的には、以下で表されるものが挙げられ
る。
上記のモノマーにおいて、Ｒ¹⁴に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位
も、構造単位（ａ４−８）の具体例として挙げることができる。

好ましい酸安定モノマー（ａ４−８）は、例えば、式（ａ４−８−ａ）で表される化合
物と、式（ａ４−８−ｂ）で表される化合物とを反応させることにより製造することがで
きる。
式（ａ４−８−ａ）で表される化合物は、例えば、特開２００２−２２６４３６号公報
に記載されている１−メタクリロイルオキシ−４−オキソアダマンタンなどが挙げられる
。
式（ａ４−８−ｂ）で表される化合物としては、例えば、ペンタフルオロプロピオン酸
無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。
この反応は、用いる式（ａ４−８−ｂ）で表される化合物の沸点温度付近で加温するこ
とにより、実施することが好ましい。
［式（ａ４−８−ａ）及び式（ａ４−８−ｂ）中の符号はいずれも、前記と同義である。
］

樹脂（Ａ２）が、酸安定モノマー（ａ４−８）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常５〜９０モル％であり、好ましくは
１０〜８０モル％であり、より好ましくは２０〜７０モル％である。
樹脂（Ａ１）が、酸安定モノマー（ａ４−８）に由来する構造単位を有する場合、その
含有量は、好ましくは、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、２０〜７０モル％である。

＜樹脂の製造方法＞
樹脂（Ａ１）は、化合物（ａａ’）と、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ
１−２）を誘導するモノマーとを重合すること、あるいは、化合物（ａａ’）と、構造単
位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーと、他の構造単位を
誘導するモノマーとを重合することによって得ることができる。
樹脂（Ａ１）に含まれる他の構造単位を誘導するモノマーとしては、好ましくは、酸安
定モノマー（ａ４）、さらに好ましくは、酸安定モノマー（ａ４−６）及び／又は酸安定
モノマー（ａ４−７）が挙げられる。

樹脂（Ａ２）は、構造単位（ａ１）を誘導するモノマーを重合させたもの、さらに好ま
しくは構造単位（ａ１）を誘導するモノマーと酸安定構造単位を誘導するモノマーとを共
重合させたものであり、より好ましくは、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ
１−２）を誘導するモノマーと、酸安定構造単位（ａ２）及び／又は酸安定構造単位（ａ
３）を誘導するモノマーとを共重合させたものである。
構造単位（ａ１）としては、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）のうち、
少なくとも１種を有することが好ましく、構造単位（ａ１−１）を有することがさらに好
ましい。
酸安定構造単位（ａ２）としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位（ａ２
−１）を用いることが好ましい。
酸安定構造単位（ａ３）としては、γ−ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位（ａ
３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位
（ａ３−２）の少なくとも１種を有することが好ましい。

樹脂（Ａ１）が酸安定構造単位を有する場合には、酸安定構造単位の含有量は、構造単
位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）からなる群から選ばれる構造単位並びに構造単
位（ａａ）の合計含有量を考慮して適宜定めることができる。樹脂（Ａ１）が酸安定構造
単位を有する場合、樹脂（Ａ１）を含有するレジスト組成物によって、レジストパターン
の製造において、レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は
塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなる傾向がある。
なお、Ａ^aa1がエチレン基である構造単位（ａａ）を樹脂（Ａ１）が有する場合には、こ
の構造単位（ａａ）は酸安定構造単位に含めて、酸安定構造単位の含有量を定める。

樹脂（Ａ２）が酸安定構造単位を有する場合、樹脂（Ａ２）の構造単位（ａ１）の含有
量を基準にして、酸安定性構造単位の含有量を定めるとよい。構造単位（ａ１）の含有量
と酸安定性構造単位の含有量との比は、〔構造単位（ａ１）〕／〔酸安定構造単位〕で表
して、好ましくは１０〜８０モル％／９０〜２０モル％であり、より好ましくは２０〜６
０モル％／８０〜４０モル％である。
構造単位（ａ１）がアダマンタン環を有する構造単位、特に構造単位（ａ１−１）を含
む場合、樹脂（Ａ２）が有する構造単位（ａ１）の総量（１００モル％）に対して、構造
単位（ａ１−１）の割合を１５モル％以上とすることが好ましい。このようにすると、樹
脂（Ａ２）を含有する本発明のレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエ
ッチング耐性がより良好になる傾向がある。

樹脂（Ａ）において、樹脂（Ａ１）の含有量は、樹脂（Ａ２）の含有量１０質量部に対
して、０．０１〜１００質量部が好ましく、０．１〜５０質量部がより好ましい。
さらに、樹脂（Ａ１）が酸安定構造単位を有さない場合、樹脂（Ａ１）の含有量は、樹
脂（Ａ２）１０質量部に対して、０．０１〜２質量部が好ましく、０．１〜１質量部がよ
り好ましい。

樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）は、上述したモノマーを公知の重合法（例えばラジカル
重合法）に供することにより重合（共重合）させればよい。
樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、好ましくは５，０００以上が、より好ましくは６，
０００以上、さらに好ましくは７，０００以上、とりわけ好ましくは８，０００以上、特
に好ましくは１０，０００以上である。また、好ましくは８０，０００以下、より好まし
くは６０，０００以下、さらに好ましくは５０，０００以下である。
樹脂（Ａ２）の重量平均分子量は、２，５００以上５０，０００以下であると好ましく
、３，０００以上３０，０００以下がより好ましく、３，０００以上１５，０００以下が
さらに好ましく、３，５００以上１０，０００以下がとりわけ好ましい。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリス
チレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の
実施例に記載する。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物
においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、
スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オ
キシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スル
ホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン４−スルホネート）、スルホン類（例えばジス
ルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤は
、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スル
ホニウム塩及びヨードニウム塩など）が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、ス
ルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどが挙げ
られる。

酸発生剤（Ｂ）としては、例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２
４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４
５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７
７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州
特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。
また、酸発生剤（Ｂ）は、公知の方法によって製造したものを利用することができる。

本発明のレジスト組成物に含有される酸発生剤（Ｂ）は、以下の式（Ｂ１）で表される
酸発生剤（以下、場合により「酸発生剤（Ｂ１）」という。）が好ましい。なお、以下の
説明において、この酸発生剤（Ｂ１）のうち、正電荷を有するＺ^＋は「有機カチオン」と
いい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」とい
う。
式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル
基を表す。
Ｌ^b1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わって
いてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族
炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換
わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。

Ｑ¹及びＱ²のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペル
フルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオ
ロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフ
ルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式（Ｂ１）では、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又
はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

Ｌ^b1の２価の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジ
イル基、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を
組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，
２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１
，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−
１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ド
デカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１
４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基
、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−
ジイル基及びプロパン−２，２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（特に、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基等）の側鎖を有したもの、例えば、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチ
ルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１
，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサ
ン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基
である単環式の脂環式炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−
１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の脂環式炭化水素基等が
挙げられる。

Ｌ^b1の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換
わったものとしては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）が挙げられる。
なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（Ｂ１）に合わせて記載してお
り、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）−と結合し、右側で−Ｙと結合する。以下の式（ｂ１−１）
〜式（ｂ１−６）の具体例も同様である。
式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化
水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化
水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。
Ｌ^b4は、炭素数１〜１３の２価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂
肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しＬ^b3及びＬ^b4の合計炭素数の上限は１３である。
Ｌ^b5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂
肪族飽和炭化水素基が好ましい。
Ｌ^b6及びＬ^b7は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基を表し、
これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しＬ^b6及びＬ^b7の合計
炭素数の上限は１６である。
Ｌ^b8は、炭素数１〜１４の２価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂
肪族飽和炭化水素基が好ましい。
Ｌ^b9及びＬ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１１の２価の脂肪族炭化水素基を表し
、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しＬ^b9及びＬ^b10の
合計炭素数の上限は１２である。

Ｌ^b1は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれかで表される基であり、
より好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基であり、さらに
好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）で表される基である。なかでも、Ｌ^b1とし
ては、式（ｂ１−１）で表される２価の基が好ましく、Ｌ^b2が単結合又はメチレン基であ
る式（ｂ１−１）で表される２価の基がより好ましい。

式（ｂ１−１）で表される２価の基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される２価の基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される２価の基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｌ^b1の脂肪族炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基
、炭素数２〜４のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。

Ｙの脂肪族炭化水素基としては、アルキル基及び脂環式炭化水素が挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−メチルエチル基（イソプロピ
ル基）、１，１−ジメチルエチル基（ｔｅｒｔ−ブチル基）、２，２−ジメチルエチル基
、プロピル基、１−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピ
ル基、ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−
プロピルブチル基、ペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘキシル基、１，４−ジメチル
ヘキシル基、ヘプチル基、１−メチルヘプチル基、オクチル基、メチルオクチル基、メチ
ルノニル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等
の直鎖又は分岐のアルキル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、以下の式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）で表される基等が挙げら
れる。
なかでも、Ｙは、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基が
好ましく、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基がより好ましい。

Ｙの脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニ
ル基に置き換わった基としては、例えば、上述したアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−が酸
素原子又はカルボニル基に置き換わった基、環状エーテル基（脂環式炭化水素基に含まれ
るメチレン基の１つ又は２つが酸素原子に置き換わった基）、環状ケトン基（脂環式炭化
水素基に含まれるメチレン基の１つ又は２つがカルボニル基に置き換わった基）、スルト
ン環基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う２つのメチレン基が、そ
れぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基）及びラクトン環基（脂環式炭化水
素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う２つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及び
カルボニル基に置き換わった基）などが挙げられる。
具体的には、以下の式（Ｙ１２）〜式（Ｙ２６）で表される基等が挙げられる。

Ｙの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（
Ｙ１５）、式（Ｙ１６）及び式（Ｙ１９）のいずれか、より好ましくは、式（Ｙ１１）、
式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）及び式（Ｙ１９）のいずれか、さらに好ましくは、式（Ｙ１
１)及び式(Ｙ１４)のいずれかで表される脂環式炭化水素基である。

Ｙにおける脂肪族炭化水素基の置換基は、例えば、ハロゲン原子（但し、フッ素原子を
除く）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水
素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又
は−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1で表される基（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６の炭化
水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）などが挙げられる。Ｙの置換基である芳
香族炭化水素基及びアラルキル基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ
基をさらに有していてもよい。

ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基
、ｎ−ヘキトキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメ
ニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチ
ルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル、ナフチ
ルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。

Ｙとしては、例えば以下のものが挙げられる。

なお、Ｙがアルキル基であり、かつＬ^ｂ１が炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基
である場合、Ｙと結合する該２価の脂肪族炭化水素基のメチレン基は、酸素原子又はカル
ボニル基で置き換わっていることが好ましい。この場合、Ｙのアルキル基を構成するメチ
レン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わらない。

Ｙは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり
、より好ましくは置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはア
ダマンチル基、オキソアダマンチル基及びヒドロキシアダマンチル基である。

式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式（ｂ１
−１−１）〜式（ｂ１−１−９）で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては
、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Ｒ^ｂ２及びＲ^ｂ３は、それぞれ独立に炭
素数１〜４のアルキル基（好ましくは、メチル基）を表す。
式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開２０
１０−２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

さらに、好ましくは、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であり、Ｙが式（Ｙ１)又は
式(Ｙ２)で表される脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンである。
Ｙが無置換の脂肪族炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−
ｓ−０）〜式（ｂ１−ｓ−９）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下
の式（ｂ１−ｓ−１０）〜式（ｂ１−ｓ−１８）のいずれかで表されるものが挙げられる
。

Ｙが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−ｓ−１９）〜
式（ｂ１−ｓ−２９）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式
（ｂ１−ｓ−３０）〜式（ｂ１−ｓ−３５）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙが、前記ラクトン環基又は前記スルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、以
下の式（ｂ１−ｓ−３６）〜式（ｂ１−ｓ−４１）のいずれかで表されるものが挙げられ
る。

酸発生剤（Ｂ１）中の有機カチオン（Ｚ⁺）は有機オニウムカチオン、例えば、有機ス
ルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベン
ゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは有機
スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオン、より好ましくは有機スルホニウム
カチオンである。有機スルホニウムカチオンは、好ましくは、以下の式（ｂ２−１）式（
ｂ２−４）のいずれかで表される有機カチオンである。有機ヨードニウムカチオンは、好
ましくは式（ｂ２−２）で表される有機カチオンである。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^b4、Ｒ^b5及びＲ^b6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の炭化水素基を表す。該炭化
水素基は、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基及び炭素数
６〜１８の芳香族炭化水素基が好ましく、前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数１〜
１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂
環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基を有
していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１
８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基
を有していてもよい。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭
素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数３〜１８
の脂環式炭化水素基を表すか、Ｒ^b9とＲ^b10は、それらが結合する硫黄原子とともに互い
に結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成する。該環に含まれる
メチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素
基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b12は、炭素数１〜１８の炭化水素基を表す。該炭化水素基において、芳香族炭化水
素基は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８
の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよ
い。
Ｒ^b11とＲ^b12は、それらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに３員環〜１２員環（好まし
くは３員環〜７員環）を形成していてもく。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫
黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。

Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭
素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上であるとき、複数のＲ^b13は同一又は相異なり、ｐ２が２以上であるとき
、複数のＲ^b14は同一又は相異なり、ｓ２が２以上であるとき、複数のＲ^b15は同一又は相
異なり、ｔ２が２以上であるとき、複数のＲ^b18は同一又は相異なる。

アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基
及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化
水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル
基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアル
キル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマ
ンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。＊
は結合手を表す。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメ
ニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチ
ルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基
及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ
る。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げら
れる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニル
オキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボ
ニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカ
ルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

好ましいアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル
基及び２−エチルヘキシル基であり、特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b１２のアルキル基は、好ましくは
炭素数１〜１２である。
好ましい脂環式炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基
、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキルアダマンタン−
２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキル基及びイソボルニル基など
である。特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好
ましくは炭素数４〜１２である。
好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニ
ル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシ
フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基などが好ましい。
芳香族炭化水素基にアルキル基が置換したものは、典型的にはアラルキル基であり、例
えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基
、ナフチルエチル基等が挙げられる。

Ｒ^b9とＲ^b10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−
１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オ
キサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12とが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに形成する環としては、例えば、オキ
ソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマ
ンタン環などが挙げられる。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）で表される有機カチオンとしては、特開２０１０−２
０４６４６号公報に記載されたものが挙げられる。
カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくは、カチオン（ｂ２
−１）であり、より好ましくは、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンであり、特に好
ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ
２＝０）、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２
＝０、ｘ２＝１であり、Ｒ^b21がメチル基である。）又はトリトリルスルホニウムカチオ
ン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝１であり、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21がい
ずれもメチル基である。）である。
式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原
子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキ
シ基を表す。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。
ｖ２が２以上のとき、複数のＲ^b19は同一又は相異なり、ｗ２が２以上のとき、複数の
Ｒ^b20は同一又は相異なり、ｘ２が２以上のとき、複数のＲ^b21は同一又は相異なる。

Ｒ^b19〜Ｒ^b21のアルキル基は、好ましくは炭素数が１〜１２である。
脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数が４〜１８である。
なかでも、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子（
より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１
〜１２のアルコキシ基である

好適な有機カチオンであるカチオン（ｂ２−１−１）の具体例を示す。

また、有機カチオンとしては、式（ｂ２−３）で表される有機カチオンのうち、以下の
有機カチオンも好適なものとして挙げることができる。

酸発生剤（Ｂ１）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上
述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができる。これらスルホン酸アニオ
ン及び有機カチオンの組み合わせを表２に示す。

酸発生剤（Ｂ１）としては、さらに好ましくは、以下の式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−１
７）のいずれかで表されるものである。中でも、トリフェニルスルホニウムカチオン又は
トリトリルスルホニウムカチオンを含む式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−６
）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）〜式（Ｂ１−１４）のいずれかで表されるものが
より好ましい。

酸発生剤（Ｂ）は、上述したように、酸発生剤（Ｂ１）とは異なる酸発生剤を含んでい
てもよく、この場合は、酸発生剤（Ｂ）の総量における酸発生剤（Ｂ１）の含有割合は、
７０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。ただし、本発明のレジスト
組成物における酸発生剤（Ｂ）は、実質的に酸発生剤（Ｂ１）のみであることがさらに好
ましい。

＜塩基性化合物（以下、場合により「塩基性化合物（Ｃ）」という。）＞
塩基性化合物（Ｃ）は、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤（Ｂ
）から発生する酸を捕捉する特性を有する化合物である。
塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及
びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げ
られる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げら
れる。塩基性化合物（Ｃ）として、好ましくは、式（Ｃ１）で表される化合物〜式（Ｃ８
）で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げ
られる。
［式（Ｃ１）中、
Ｒ^c1、Ｒ^c2及びＲ^c3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素
数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキ
ル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数
１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子
は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式
炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

［式（Ｃ１−１）中、
Ｒ^c2及びＲ^c3は、前記と同義である。
Ｒ^c4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の
脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c4は、同一又は相異なる。
］

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、
Ｒ^c5、Ｒ^c6、Ｒ^c7及びＲ^c8は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜
６のアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c9は、同一又は相異なる。
］
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセ
チル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメ
チルプロピオニル基等が挙げられる。

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、
Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13及びＲ^c16は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c14、Ｒ^c15及びＲ^c17は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｏ３及びｐ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｏ３が２以上であるとき、複数
のＲ^c1４は同一又は相異なり、ｐ３が２以上であるとき、複数のＲ^c15は、同一又は相異
なる。
Ｌ^c1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又は
これらを組合せた２価の基を表す。］

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、
Ｒ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｑ３が２以上であるとき
、複数のＲ^c18は同一又は相異なり、ｒ３が２以上であるとき、複数のＲ^c1９は同一又は
相異なり、ｓ３が２以上であるとき、複数のＲ^c20は同一又は相異なる。
Ｌ^c2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、
−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、ア
ニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニ
リン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルア
ミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン
、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニ
ルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン
、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、
トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メ
チルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチ
ルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシル
アミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エ
チルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシ
ルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチ
ル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン
、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’
−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン及び４，４’−ジアミノ−３，３’−
ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、
これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、２，６−ジイソプロピルアニリ
ン特に好ましい。

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報
に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリンなどが挙げら
れる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾールなどが
挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン、４−メチルピリジンなどが挙げられ
る。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−
ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリ
ジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ
）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジ
ピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン及び
ビピリジンなどが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシル
アンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメ
チルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙
げられる。

＜溶剤（Ｄ）＞
本発明のレジスト組成物には、溶剤（Ｄ）が含むことが好ましい。溶剤（Ｄ）は、用い
る樹脂（Ａ１）などの種類及びその量、酸発生剤（Ｂ）の種類及びその量などに応じ、さ
らに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本発明のレジスト組成物を塗布
する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。

好適な溶剤（Ｄ）の例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセ
テート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテ
ルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；
乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類；アセトン
、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類；γ−
ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤（Ｄ）は、１種のみを
含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

＜その他の成分＞
本発明のレジスト組成物は、上述の成分以外の構成成分を、必要に応じて含有していて
もよい。この構成成分を「成分（Ｆ）」という。成分（Ｆ）としては、当該技術分野で広
く用いられている添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料な
どが挙げられる。

＜レジスト組成物の調製＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）〔樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）の組み合わせ
〕、酸発生剤（Ｂ）、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物（Ｃ）、溶剤（Ｄ）及
び成分（Ｆ）を混合することによって調製することができる。混合順は任意であり、特に
限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、樹脂などの種
類、樹脂等の溶剤（Ｄ）に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。
混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができ
る。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．０１〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過する
ことが好ましい。

レジスト組成物に対する樹脂（Ａ）の含有量は、本発明のレジスト組成物の固形分の総
質量に対して、８０質量％以上９９質量％以下が好ましい。「固形分」とは、本発明のレ
ジスト組成物から溶剤（Ｄ）を除いた成分の合計を意味する。溶剤（Ｄ）の含有量が９０
質量％である場合、本発明のレジスト組成物総質量に対する固形分の含有量は１０質量％
に該当する。

本発明のレジスト組成物における酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）の総質量１０
０質量部に対して、好ましくは１質量部以上であり、より好ましくは３質量部以上であり
、好ましくは３０質量部以下であり、より好ましくは２５質量部以下である。

本発明のレジスト組成物に塩基性化合物（Ｃ）を用いる場合、その含有量は、本発明の
レジスト組成物の固形分の総質量に対して、０．０１〜１質量％程度が好ましい。

本発明のレジスト組成物に溶剤（Ｄ）を用いる場合、その含有量は、樹脂（Ａ１）及び
樹脂（Ａ２）の種類などに応じて適宜調節できる。溶剤（Ｄ）の含有量は、本発明のレジ
スト組成物総質量に対して、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９２質量％以上
であり、さらに好ましくは９４質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下であり、よ
り好ましくは９９．９質量％以下である。
レジスト組成物がこのような含有量で溶剤（Ｄ）を含有することにより、後述するレジ
ストパターンの製造方法において、厚み３０〜３００ｎｍ程度の薄い組成物層を形成する
ことができる。

樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）、溶剤（Ｄ）及び塩基性化合物（Ｃ）の各々の含有量は、
レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能であり、レジスト組成物を調
製後には、本発明のレジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグ
ラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。

なお、成分（Ｆ）を本発明のレジスト組成物に用いる場合には、当該成分（Ｆ）の種類
に応じて、適切な含有量を調節することもできる。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジス
ト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。塗布装置の
条件（塗布条件）を種々調節することで、塗布膜の膜厚が調整可能であり、適切な予備実
験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる
。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶ
ことができる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成し
てもよい。反射防止膜は、市販の有機反射防止膜用組成物を用いて形成することができる
。

乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて（いわゆるプリベーク）行なう
か、減圧装置を用いて行うか、あるいは、これらを組み合わせて用いて行なう。これによ
って、レジスト組成物から溶剤が蒸発して除去され、組成物層が形成される。この場合の
温度は、例えば、５０〜２００℃程度が例示される。また、圧力は、１〜１．０×１０^５
Ｐａ程度が例示される。

得られた組成物層を、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であって
もよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。
露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（
波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射する
もの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫
外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることがで
きる。また、露光機は、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するものであってもよい。
マスクを介して露光することにより、組成物層には露光された部分（露光部）及び露光
されていない部分（未露光部）が生じる。露光部の組成物層では、組成物層に含まれる酸
発生剤が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂（Ａ
）にある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂（Ａ）
はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていな
いため、樹脂（Ａ）はアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。このように、
露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が
著しく相違することとなる。

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキス
ポジャーベーク）する。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜
１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光
部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことに
より、当該基板上にレジストパターンが製造される。アルカリ現像液は、この分野で用い
られる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）
の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい
。

＜用途＞
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエ
キシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵ
Ｖ露光用のレジスト組成物として好適である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す
「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
樹脂の組成比（樹脂製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂に対する共重
合比）は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを
用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出し
た。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

合成例１〔式（Ｍ−Ｅ）で表される化合物の合成〕
式（Ｅ−２）で表される化合物１０．００部、テトラヒドロフラン４０．００部及びピ
リジン７．２９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持し
たまま、得られた混合物に、式（Ｅ−１）で表される化合物３３．０８部を、１時間かけ
て添加し、さらに、２３℃程度まで温度を上げ、同温度で３時間攪拌した。得られた反応
物に、酢酸エチル３６１．５１部及び５％塩酸水溶液２０．１９部を加え、２３℃で３０
分間攪拌した。攪拌・静置し、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液８１．４２部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置した。その後、こ
れを分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水９０．３
８部を仕込み２３℃で３０分間攪拌、静置し、分液することにより有機層を水洗した。こ
のような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、式（Ｍ−Ｅ）で表され
る化合物２３．４０部を得た。
質量スペクトル：３２６．０（分子ピーク）

合成例２〔式（Ｍ−Ｆ）で表される化合物の合成〕
式（Ｆ−２）で表される化合物８８．００部、メチルイソブチルケトン６１６．００部
及びピリジン６０．９８部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度
を保持したまま、得られた混合物に、式（Ｆ−１）で表される化合物１９９．１７部を、
１時間かけて添加し。これをさらに１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した
。得られた反応物に、ｎ−へプタン１４４６．２２部及び２％塩酸水溶液７０３．４１部
を加え、２３℃で３０分間攪拌した。攪拌・静置し、分液することにより回収された有機
層に、２％塩酸水溶液３３７．６４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。これを静置
した後、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水３６
１．５６部を仕込み２３℃で３０分間攪拌した。これを静置した後、分液することにより
有機層を水洗した。続いて、回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液４４３．９
２部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置し、分液することにより有機層を回収した
。このような洗浄操作を２回繰り返した。回収された有機層に、イオン交換水３６１．５
６部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置した。その後、分液することにより有機層
を回収した。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、式（Ｍ
−Ｆ）で表される化合物１６３．６５部を得た。
質量スペクトル：２７６．０（分子イオンピーク）

合成例３〔式（Ｍ−Ｇ）で表される化合物の合成〕
式（Ｇ−２）で表される化合物８０．００部、メチルイソブチルケトン５６０．００部
及びピリジン５８．３５部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度
を保持したまま、得られた混合物に、式（Ｇ−１）で表される化合物１３５．５７部を、
１時間かけて添加した。これをさらに１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌し
た。得られた反応物に、酢酸エチル２０８４．７９部、５％塩酸水溶液３２３．１０部及
びイオン交換水５２１．２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。攪拌・静置し、分液
することにより回収された有機層に、イオン交換水５２１．２０部を仕込み、２３℃で３
０分間攪拌した。これを静置した後、分液することにより有機層を水洗した。回収された
有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液２６７．６３部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し
、静置し、分液することにより有機層を回収した。このような洗浄操作を２回繰り返した
。回収された有機層に、イオン交換水５２１．２０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し
た。これを静置した後、分液することにより有機層を回収した。このような水洗操作を４
回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、式（Ｍ−Ｇ）で表される化合物１３０．４０
部を得た。
質量スペクトル：２２６．１（分子イオンピーク）

合成例４：〔式（Ｍ−Ｍ）で表される化合物の合成〕
式（Ｍ−２）で表される化合物９．６０部、テトラヒドロフラン３８．４０部及びピリ
ジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持した
まま、得られた混合物に、式（Ｍ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間かけて
添加した。これをさらに１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた
式（Ｍ−３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ｍ−４）で表される化合物（１
−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及
び式（Ｍ−５）で表される化合物８．２０部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られ
た反応溶液に、酢酸エチル２７１．９５部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３
℃で３０分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液６３．６４部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することによ
り有機層を洗浄した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン
交換水６７．９９部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層
を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮し、得られた
濃縮物に、酢酸エチル１０７．７１部を添加し完全に溶解するまで攪拌した。その後、ｎ
−ヘプタン６４６．２６部を滴下した。滴下終了後、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過する
ことにより、式（Ｍ−Ｍ）で表される化合物１５．１１部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４８６．２（分子イオンピーク）

合成例５：〔式（Ｍ−Ｎ）で表される化合物の合成〕
式（Ｎ−２）で表される化合物６．３２部、テトラヒドロフラン３０．００部及びピリ
ジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持した
まま、得られた混合物に、式（Ｎ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間かけて
添加し、さらに１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた式（Ｎ−
３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ｎ−４）で表される化合物（１−（３−
ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及び式（Ｎ
−５）で表される化合物８．２０部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応溶
液に、酢酸エチル２７０部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３℃で３０分間攪
拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
６５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。
このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水６５部を仕込み
２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗
操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取（カ
ラム分取条件 固定相：メルク社製シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：ｎ−ヘ
プタン／酢酸エチル）することにより、式（Ｍ−Ｎ）で表される化合物９．９０部を得た
。
ＭＳ（質量分析）：４３４．１（分子イオンピーク）

合成例６：〔式（Ｍ−Ｏ）で表される化合物の合成〕
式（Ｏ−２）で表される化合物７．０８部、テトラヒドロフラン３０．００部及びピリ
ジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持した
まま、得られた混合物に、式（Ｏ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間かけて
添加し、さらに、１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた式（Ｏ
−３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ｏ−４）で表される化合物（１−（３
−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及び式（
Ｏ−５）で表される化合物８．２０部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応
溶液に、酢酸エチル２７０部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３℃で３０分間
攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液６５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した
。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水６５部を仕込
み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水
洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取（
カラム分取条件 固定相：メルク社製シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：ｎ−
ヘプタン／酢酸エチル）することにより、式（Ｍ−Ｏ）で表される化合物１０．２４部を
得た。
ＭＳ（質量分析）：４４６．１（分子イオンピーク）

合成例７：〔式（Ｍ−Ｐ）で表される化合物の合成〕
式（Ｐ−２）で表される化合物６．３２部、テトラヒドロフラン３０．００部及びピリ
ジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合した後、０℃まで冷却した。同温度を保持
したまま、得られた混合物に、式（Ｐ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間か
けて添加し、更に、１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた式（
Ｐ−３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ｐ−４）で表される化合物（１−（
３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及び式
（Ｐ−５）で表される化合物１１．７４部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られた
反応溶液に、酢酸エチル３００部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３℃で３０
分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液６５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄
した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水１００部
を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このよ
うな水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム
分取（カラム分取条件 固定相：メルク社製シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒
：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル）することにより、式（Ｍ−Ｐ）で表される化合物１６．８
９部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４９０．２（分子イオンピーク）

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを、その式番号に応じて、「モノマー（Ｍ−Ａ）」〜「モノマ
ー（Ｍ−Ｐ）」という。

合成例８〔樹脂Ａ１−１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｅ）及びモノマー（Ｍ−Ｈ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｈ））が５６：４４となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．９ｍｏｌ％及び２．７ｍｏｌ％添加し、７２℃で約５時間加熱した。得
られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、
重量平均分子量１．４×１０^４の樹脂Ａ１−１（共重合体）を収率７２％で得た。この樹
脂Ａ１−１は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（
ｕ−Ｅ）〔モノマー（Ｍ−Ｅ）に由来する構造単位を、その式番号の末尾記号に応じて、
「構造単位（ｕ−Ｅ）」という。以下、同様。〕：構造単位（ｕ−Ｈ）＝６４．８：３５
．２であった。

合成例９〔樹脂Ａ１−２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｆ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｆ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が４７：５３となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．９ｍｏｌ％及び２．７ｍｏｌ％添加し、これらを７２℃で約５時間加熱
した。得られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂を
ろ過し、重量平均分子量１．４×１０^４の樹脂Ａ１−２（共重合体）を収率６８％で得た
。この樹脂Ａ１−２は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構
造単位（ｕ−Ｆ）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝６０．１：３９．９であった。

合成例１０〔樹脂Ａ１−３の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｅ）、モノマー（Ｍ−Ｇ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を
用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｇ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が
３１：１６：５３となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加え
て溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２
，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．９ｍｏｌ％及び２．
７ｍｏｌ％添加し、これらを７２℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量の
ｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．４×１０
^４の樹脂Ａ１−３（共重合体）を収率６８％で得た。この樹脂Ａ１−３は、以下の構造単
位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｅ）：構造単位（ｕ−Ｆ
）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝３９．９：２０．３：３９．８であった。

合成例１１〔樹脂Ａ１−４の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｆ）及びモノマー（Ｍ−Ｂ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｆ）：モノマー（Ｍ−Ｂ））が６５：３５となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．９ｍｏｌ％及び２．７ｍｏｌ％添加し、これらを７２℃で約５時間加熱
した。得られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂を
ろ過し、重量平均分子量１．５×１０^４の樹脂Ａ１−４（共重合体）を収率８２％で得た
。この樹脂Ａ１−４は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構
造単位（ｕ−Ｆ）：構造単位（ｕ−Ｂ）＝６５．３：３４．７であった。

合成例１２：〔樹脂Ａ１−５の合成〕
モノマーとして、モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｆ）、モノマー（Ｍ−Ｍ）及びモノ
マー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｆ）：モノマー（Ｍ−Ｍ）：モノマ
ー（Ｍ−Ｉ））が５０：６：４４となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジ
オキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及
びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍ
ｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混
合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。
得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒
に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分
子量１．８×１０^４の樹脂Ａ１−５（共重合体）を収率６２％で得た。この樹脂Ａ１−５
は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｆ）：
構造単位（ｕ−Ｍ）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝４７．９：２１．３：３０．８であった。

合成例１３：〔樹脂Ａ１−６の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｎ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｎ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が５６：４４となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱
した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、
この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメ
タノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を
２回行い、重量平均分子量１．７×１０^４の樹脂Ａ１−６（共重合体）を収率６０％で得
た。この樹脂Ａ１−６は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、
構造単位（ｕ−Ｎ）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝６９．５：３０．５であった。

合成例１４：〔樹脂Ａ１−７の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｏ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｏ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が５６：４４となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱
した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、
この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメ
タノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を
２回行い、重量平均分子量１．８×１０^４の樹脂Ａ１−７（共重合体）を収率５８％で得
た。この樹脂Ａ１−７は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、
構造単位（ｕ−O）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝６９．３：３０．７であった。

合成例１５：〔樹脂Ａ１−８の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｐ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｐ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が５６：４４となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱
した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、
この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメ
タノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を
２回行い、重量平均分子量１．９×１０^４の樹脂Ａ１−Ｐ（共重合体）を収率６２％で得
た。この樹脂Ａ１−８は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、
構造単位（ｕ−Ｐ）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝６９．９：３０．１であった。

合成例１６〔樹脂Ａ１−９の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｅ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が５５：４５となるように混合し、全モノマー
量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して、３．５ｍｏ
ｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／イ
オン交換水＝９／１の混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分
子量８．５×１０^３の樹脂Ａ１−９（共重合体）を収率６４％で得た。この樹脂Ａ１−９
は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｅ）：
構造単位（ｕ−Ｉ）＝６２．８：３７．２であった。

合成例１７〔樹脂Ａ１−１０の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｅ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が７０：３０となるように混合し、全モノマー
量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して、３．５ｍｏ
ｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／イ
オン交換水＝９／１の混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分
子量９．３×１０^３の樹脂Ａ１−１０（共重合体）を収率７６％で得た。この樹脂Ａ１−
１０は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｅ
）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝７５．２：２４．８であった。

合成例１８〔樹脂Ａ１−１１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｅ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が４０：６０となるように混合し、全モノマー
量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して、３．０ｍｏ
ｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／イ
オン交換水＝９／１の混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分
子量７．９×１０^３の樹脂Ａ１−１１（共重合体）を収率５７％で得た。この樹脂Ａ１−
１１は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｅ
）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝５０．２：４９．８であった。

合成例１９〔樹脂Ａ１−１２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｅ）及びモノマー（Ｍ−Ｉ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｉ））が５５：４５となるように混合し、全モノマー
量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して、１．５ｍｏ
ｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／イ
オン交換水＝９／１の混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分
子量１．９×１０^４の樹脂Ａ１−１２（共重合体）を収率４６％で得た。この樹脂Ａ１−
１２は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｅ
）：構造単位（ｕ−Ｉ）＝６２．８：３７．２であった。

合成例２０〔樹脂Ａ２−１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｉ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｌ）、モ
ノマー（Ｍ−Ｋ）及びモノマー（Ｍ−Ｃ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｉ）：モ
ノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｌ）：モノマー（Ｍ−Ｋ）：モノマー（Ｍ−Ｃ））が
５０：５：４：３３：８となるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のジオキサン
を加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．８ｍｏｌ％及
び５．４ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、
大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた
樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで
樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量４．
７×１０^３の樹脂Ａ２−１（共重合体）を収率７１％で得た。この樹脂Ａ２−１は、以下
の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｉ）：構造単位
（ｕ−Ｊ）：構造単位（ｕ−Ｌ）：構造単位（ｕ−Ｋ）：構造単位（ｕ−Ｃ）＝４０．６
：５．１：４．８：３９．７：９．８であった。

合成例２１〔樹脂Ａ２−２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｈ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）、モ
ノマー（Ｍ−Ｋ）及びモノマー（Ｍ−Ｃ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｈ）：モ
ノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｋ）：モノマー（Ｍ−Ｃ））が
４５：５：９：３３：８となるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のジオキサン
を加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、２．０ｍｏｌ％及
び６．０ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、
大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた
樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで
樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量４．
２×１０^３の樹脂Ａ２−２（共重合体）を収率８０％で得た。この樹脂Ａ２−２は、以下
の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｈ）：構造単位
（ｕ−Ｊ）：構造単位（ｕ−Ｄ）：構造単位（ｕ−Ｋ）：構造単位（ｕ−Ｃ）＝３５．２
：５．４：９．８：３９．８：９．８であった。

合成例２２〔樹脂Ａ２−３の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｂ）、モノマー（Ｍ−Ｃ）及びモノマー（Ｍ−Ｄ）を
用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｂ）：モノマー（Ｍ−Ｃ）：モノマー（Ｍ−Ｄ））が
３５：４５：２０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加え
て溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２
，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．０ｍｏｌ％及び３．
０ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量の
メタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を
再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を
沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．０×１
０^３の樹脂Ａ２−３（共重合体）を収率７５％で得た。この樹脂Ａ２−３は、以下の構造
単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｂ）：構造単位（ｕ−
Ｃ）：構造単位（ｕ−Ｄ）＝３４．７：４５．４：１９．９。

合成例２３：〔樹脂Ａ２−４の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｉ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）、モ
ノマー（Ｍ−Ｃ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｉ）：モ
ノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｃ）：モノマー（Ｍ−Ｋ））が
、３０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物
に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混
合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．０
０ｍｏｌ％となるように添加した。これを７３℃で約５時間加熱することにより重合した
。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝
４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、ジオキサンに
溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂を
ろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が８．１
×１０^３である共重合体を収率６５％で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有する
ものであり、これを樹脂Ａ２−４とする。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｉ）：
構造単位（ｕ−Ｊ）：構造単位（ｕ−Ｄ）：構造単位（ｕ−Ｃ）：構造単位（ｕ−Ｋ）＝
２１．４：１３．３：６．７：２３．４：３５．２であった。

合成例２４：〔樹脂Ａ２−５の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｈ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）、モ
ノマー（Ｍ−Ｃ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｈ）：モ
ノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｃ）：モノマー（Ｍ−Ｋ））が
、３０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物
に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混
合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．０
０ｍｏｌ％となるように添加した。これを７３℃で約５時間加熱することにより重合した
。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝
４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、ジオキサンに
溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂を
ろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が７．８
×１０^３である共重合体を収率６８％で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有する
ものであり、これを樹脂Ａ２−５とする。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｈ）：
構造単位（ｕ−Ｊ）：構造単位（ｕ−Ｄ）：構造単位（ｕ−Ｃ）：構造単位（ｕ−Ｋ）＝
２４．６：１３．３：６．５：２２．４：３３．２であった。

合成例２５：〔樹脂Ａ２−６の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｈ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）及びモノマー（Ｍ−Ｃ）を
用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｈ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｃ）））
が、５０：２５：２５となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、１
．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチ
ロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数
に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを８０℃で約８時
間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合
溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・
回収した。再度、得られた樹脂を、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混
合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を３回行うこ
とにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約９．２×１０^３である共重合体を収率６０％
で得た。この共重合体は、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、
これを樹脂Ａ２−６とする。各構造単位のモル比は、構造単位（ｕ−Ｈ）：構造単位（ｕ
−Ｄ）：構造単位（ｕ−Ｃ）＝４２．６：２８．７：２８．７であった。

合成例２６〔樹脂Ａ２−０の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ａ）及びモノマー（Ｍ−Ｂ）を用い、そのモル比（モ
ノマー（Ｍ−Ａ）：モノマー（Ｍ−Ｂ））が８０：２０となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス
イソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に
対して各々、０．５ｍｏｌ％及び１．５ｍｏｌ％添加し、これらを７０℃で約５時間加熱
した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、
この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶
解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈
殿操作を２回行い、重量平均分子量２．８×１０^４の樹脂Ａ２−０（共重合体）を収率７
０％で得た。この樹脂Ａ８は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比
は、構造単位（ｕ−Ａ）：構造単位（ｕ−Ｂ）＝８０．２：１９．８であった。

＜レジスト組成物の調製＞
合成例８〜合成例２６で得られた樹脂；
以下に示す酸発生剤Ｂ１〜Ｂ３；
以下に示す塩基性化合物Ｃ１；
の各々を表３に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素
樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
Ｂ１：特開２０１０−１５２３４１号の実施例に従って合成
Ｂ２：ＷＯ２００８／９９８６９号の実施例及び特開２０１０−２６４７８号の実施例
に従って合成
Ｂ３：特開２００５−２２１７２１号の実施例に従って合成

＜塩基性化合物（Ｃ）：クエンチャー＞
Ｃ１：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製）

＜溶剤（Ｄ）＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
２−ヘプタノン ２０．０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜レジスト組成物の液浸露光評価＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗
布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防
止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（
プリベーク）後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布
したシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表３の「ＰＢ」欄に記載された
温度で６０秒間プリベークし、レジスト組成物層を形成した。レジスト組成物層が形成さ
れたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；Ａ
ＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホー
ルパターン（ホールピッチ１００ｎｍ／ホール径７０ｎｍ）を形成するためのマスクを用
いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した
。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表３の「ＰＥＢ」欄に記載さ
れた温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを
、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行
い、レジストパターンを得た。

得られたレジストパターンにおいて、ホール径７０ｎｍのマスクで形成されたレジスト
パターンのホール径が５５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜マスクエラーファクター（ＭＥＦ）評価＞
実効感度において、ホール径がそれぞれ７２ｎｍ、７１ｎｍ、７０ｎｍ、６９ｎｍ、６
８ｎｍ（ピッチはともに１００ｎｍ）のマスクを用いてレジストパターンを形成した。マ
スクホール径を横軸に、形成された各レジストパターンのホール径を縦軸にプロットし、
該プロットから求めた回帰直線の傾きをＭＥＦとして算出した。ここでマスクホール径と
は、基板に転写された際のホール径を意味する。その結果を表４に示す。

＜欠陥評価＞
１２インチのシリコン製ウェハ（基板）に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が０．１
５μｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、ダイレクトホットプレート上に
て、表３のＰＢ欄に示す温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）し、ウェハ上に組成物層を形
成した。
このようにして組成物層を形成したウェハに、現像機［ＡＣＴ−１２；東京エレクトロ
ン（株）製］を用いて、６０秒間、水リンスを行った。
その後、欠陥検査装置［ＫＬＡ−２３６０；ＫＬＡテンコール製］を用いて、ウェハ上
の欠陥数を測定した。その結果を表４に示す。

実施例１〜実施例２２のレジスト組成物では、優れたマスクエラーファクターのレジス
トパターンを製造することができた。一方、比較例１、２のレジスト組成物では、得られ
るレジストパターンのマスクエラーファクターは不良であった。また、実施例１〜実施例
２２のレジスト組成物を用いて得られるレジストパターンは欠陥の発生数も、比較例１、
２のレジスト組成物に比して少なく、良好であった。

本発明のレジスト組成物は、半導体の微細加工に利用できる。

Claims (14)

1. （Ａ１）式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種とを有する樹脂、
   （Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となり、式（ａａ）で表される構造単位を有さず、ヒドロキシアダマンタン基を含む構造単位を有する樹脂、並びに
   （Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。
   ［式（ａａ）中、
   Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１）で表される基を表す。
   （式（ａ−１）中、
   ｓは０又は１の整数を表す。
   Ｘ¹⁰及びＸ^1１は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
   Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
   ＊は−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^aa2との結合手である。）
   Ｒ^aa2は、フッ素原子を有する炭素数２〜１８の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−ｇ２）で表される基を表す。
   （式（ａ−ｇ２）中、
   Ａ¹³は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基表す。
   Ｘ¹²は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
   Ａ¹⁴は、フッ素原子を有していてもよい炭素数２〜１５の１価の脂肪族炭化水素基を表す。
   ただし、Ａ¹³又はＡ¹⁴はフッ素原子を有し、Ａ¹³及びＡ¹⁴の炭素数の合計は１６以下である。）］
   ［式（ａ１−１）中、
   Ｌ^a1は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
   Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a6は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｍ１は０〜１４の整数を表す。
   式（ａ１−２）中、
   Ｌ^a2は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は前記と同義である。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
   Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a7は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｎ１は０〜１０の整数を表す。
   ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
2. 前記式（ａａ）のＡ^aa1が、炭素数１〜６のアルカンジイル基である請求項１記載のレジスト組成物。
3. 前記式（ａａ）のＡ^aa1が、エチレン基である請求項１記載のレジスト組成物。
4. 式（ａａ）で表される構造単位が、式（Ｉ）で表される構造単位である請求項１〜３のいずれか記載のレジスト組成物。
   ［式（Ｉ）中、
   Ｒ^aa１及びＡ^aa１は、上記と同じ意味を表す。
   Ａ¹⁵は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１５の２価の脂肪族炭化水素基表す。
   Ｘ¹²は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
   Ａ¹⁶は、フッ素原子を有していてもよい炭素数２〜１５の１価の脂肪族炭化水素基を表す。
   ただし、Ａ¹⁵又はＡ¹⁶はフッ素原子を有し、Ａ¹⁵及びＡ¹⁶の炭素数の合計は１６以下である。］
5. 前記式（Ｉ）のＡ¹⁵が、炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基である請求項４記載のレジスト組成物。
6. 前記式（Ｉ）のＸ¹²が、＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は、Ａ¹³との結合手を表す。）である請求項４又は５記載のレジスト組成物。
7. 前記式（Ｉ）のＡ¹⁶が、シクロヘキシル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基である請求項４〜６のいずれか記載のレジスト組成物。
8. 前記（Ａ２）が、前記式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する樹脂である請求項１〜７のいずれか記載のレジスト組成物。
9. 前記（Ａ１）及び前記（Ａ２）がともに、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれるもののうち、同一の構造単位を有する請求項８記載のレジスト組成物。
10. 前記（Ａ１）及び前記（Ａ２）がともに、式（ａ１−１）で表される構造単位のうち、同一の構造単位を有する請求項８又は９記載のレジスト組成物。
11. 前記（Ｂ）が、式（Ｂ１）で表される酸発生剤である請求項１〜１０のいずれか記載のレジスト組成物。
    ［式（Ｂ１）中、
    Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
    Ｌ^b1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
    Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
    Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
12. 前記式（Ｂ１）のＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である請求項１１記載のレジスト組成物。
13. さらに、溶剤を含有する請求項１〜１２のいずれか記載のレジスト組成物。
14. （１）請求項１〜１３のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
    （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
    （３）組成物層を露光する工程、
    （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
    （５）加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。