JP2016128892A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016128892A
JP2016128892A JP2015003636A JP2015003636A JP2016128892A JP 2016128892 A JP2016128892 A JP 2016128892A JP 2015003636 A JP2015003636 A JP 2015003636A JP 2015003636 A JP2015003636 A JP 2015003636A JP 2016128892 A JP2016128892 A JP 2016128892A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
microlens array
scanning
substrate
shift
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015003636A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6447148B2 (ja
Inventor
水村　通伸
Michinobu Mizumura
通伸 水村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Priority to JP2015003636A priority Critical patent/JP6447148B2/ja
Priority to KR1020177016801A priority patent/KR20170102238A/ko
Priority to PCT/JP2016/050221 priority patent/WO2016111309A1/ja
Priority to CN201680005296.3A priority patent/CN107111252B/zh
Priority to US15/542,281 priority patent/US20180003952A1/en
Priority to TW105100408A priority patent/TW201635043A/zh
Publication of JP2016128892A publication Critical patent/JP2016128892A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6447148B2 publication Critical patent/JP6447148B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10—Scanning systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10—Scanning systems
    • G02B26/101—Scanning systems with both horizontal and vertical deflecting means, e.g. raster or XY scanners
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】マイクロレンズアレイを一方向に走査しながら、マスクのマスクパターンを基板上に投影露光する投影露光装置において、マイクロレンズに欠陥や不良が存在する場合にも顕著な露光ムラが生じない投影露光装置を提供する。【解決手段】投影露光装置１は、基板Ｗの一端から他端に向けた走査方向Ｓｃに沿ってマイクロレンズアレイ２を移動させる走査露光部１０と、走査露光部１０によるマイクロレンズアレイ２の移動中に、マイクロレンズアレイ２を走査方向Ｓｃと交差するシフト方向に移動させるマイクロレンズアレイシフト部とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、マイクロレンズアレイを用いた投影露光装置に関するものである。
従来、マスクパターンを基板に投影露光する露光装置として、マスクと基板の間にマイクロレンズアレイを介在させたものが知られている（下記特許文献１参照）。この従来技術は、図１に示すように、基板Ｗを支持する基板ステージＪ１と基板Ｗに露光されるパターンが形成されたマスクＭを備え、設定間隔に配置された基板ＷとマスクＭとの間に、マイクロレンズを２次元的に配置したマイクロレンズアレイＭＬＡが配置されている。この従来技術によると、マスクＭの上方から露光光Ｌが照射され、マスクＭのパターン（開口）を通過した光がマイクロレンズアレイＭＬＡによって基板Ｗ上に投影され、マスクＭに形成されたパターンが基板表面に転写される。ここで、大面積の基板Ｗ上を露光するには、マイクロレンズアレイＭＬＡと図示省略した露光光源が固定配置され、一体にしたマスクＭと基板Ｗに対して紙面に垂直な走査方向ＳｃにマイクロレンズアレイＭＬＡを相対的に移動させることにより、露光光Ｌが基板Ｗ上を走査露光する。
特開２０１２−２１６７２８号公報
このような投影露光装置においては、マイクロレンズアレイに欠陥や不良が存在すると、その欠陥や不良によって露光量が部分的に低下する現象が生じるので、マイクロレンズアレイを一方向に走査しながら露光を行うと、露光量が部分的に低下した領域が走査方向に沿ってすじ状に形成され、顕著な露光ムラになってしまう問題がある。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、マイクロレンズアレイを一方向に走査しながら、マスクのマスクパターンを基板上に投影露光する投影露光装置において、マイクロレンズに欠陥や不良が存在する場合にも顕著な露光ムラが生じないようにすること、が本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明による投影露光装置は、以下の構成を具備するものである。
露光光をマイクロレンズアレイを介して基板上に投影する投影露光装置であって、前記基板の一端から他端に向けた走査方向に沿って前記マイクロレンズアレイを移動させる走査露光部と、前記走査露光部による前記マイクロレンズアレイの移動中に、前記マイクロレンズアレイを前記走査方向と交差するシフト方向に移動させるマイクロレンズアレイシフト部とを備えることを特徴とする投影露光装置。
このような特徴を有する本発明の投影露光装置は、マイクロレンズアレイを走査方向と交差する方向にシフトしながら投影露光するので、マイクロレンズアレイに欠陥や不良が存在する場合にも顕著な露光ムラが生じること無く基板全面を投影露光することができる。
従来技術の説明図である。 本発明の一実施形態に係る投影露光装置を側方視した説明図（（ａ）が走査露光開始時の状態を示し、（ｂ）が走査露光終了時の状態を示す）である。 本発明の一実施形態に係る投影露光装置を平面視した説明図（（ａ）が走査露光開始時の状態を示し、（ｂ）が走査露光終了時の状態を示す）である。 マイクロレンズアレイの形態例と露光ムラの解消方法を示した説明図である（（ａ）がマイクロレンズを走査方向のみに移動する走査露光の例、（ｂ）がマイクロレンズを走査方向とシフト方向に移動する走査露光の例）。 図４（ａ）と図４（ｂ）の走査露光の結果を示したグラフ（（ａ）がマイクロレンズを走査方向のみに移動する走査露光の例、（ｂ）がマイクロレンズを走査方向とシフト方向に移動する走査露光の例）である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図２及び図３は本発明の一実施形態に係る投影露光装置を示している。図２が側面視の説明図であり、図３が平面視の説明図であって、（ａ）が走査露光開始時の状態を示し、（ｂ）が走査露光終了時の状態を示している。図において、Ｘ軸方向が基板の幅方向、Ｙ軸方向が基板の長手方向、Ｚ軸方向が上下方向を示している。
投影露光装置１は、露光光Ｌをマイクロレンズアレイ２を介して基板Ｗ上に投影する装置であって、走査露光部１０とマイクロレンズアレイシフト部２０とを備えている。
より具体的には、投影露光装置１は、基板Ｗを支持する基板支持部３と所定の形状に開口されたマスクパターンを有するマスクＭを支持するマスク支持部４を備えており、基板支持部３に支持された基板Ｗとマスク支持部４に支持されたマスクＭの間にマイクロレンズアレイ２を配置して、露光光Ｌをマイクロレンズアレイ２を介して基板Ｗ上に照射することで走査投影露光を行うものである。
走査露光部１０は、前述したマイクロレンズアレイ２と光源１１を備えており、これらの位置関係を固定して走査方向Ｓｃ（図示Ｙ軸方向）に沿って移動させる。この走査露光部１０は、基板Ｗの一端から他端に向けた走査方向Ｓｃに沿ってマイクロレンズアレイ２を移動させるための走査ガイド１２を備えている。この走査ガイド１２は、基板Ｗの長手方向に沿って基板支持部３のＸ軸方向両側に設けられている。
走査露光部１０の光源１１から出射された露光光Ｌは、マスクＭの開口部を透過して、マイクロレンズアレイ２を介して基板Ｗ上に照射されるが、マイクロレンズアレイ２によって、マスクパターンの一部を透過する露光光Ｌが基板Ｗ上に結像される。結像光学系であるマイクロレンズアレイ２は、例えば、等倍の両側テレセントリックレンズであることが好ましい。走査露光部１０を走査方向Ｓｃに移動させて走査投影露光を行うことで、マスクＭのマスクパターンが基板Ｗの有効露光面上に転写される。
マイクロレンズアレイシフト部２０は、走査露光部１０による走査方向Ｓｃに向けたマイクロレンズアレイ２の移動中に、走査方向Ｓｃと交差するシフト方向Ｓｆにマイクロレンズアレイ２を移動させる。マイクロレンズアレイシフト部２０は、このようなマイクロレンズアレイ２の移動を行うために、シフトガイド２１を備えている。シフトガイド２１は、シフト方向Ｓｆ（図示Ｘ方向）に延設され、それ自身が走査ガイド１２に沿って走査方向Ｓｃに移動しながら、マイクロレンズアレイ２をシフト方向Ｓｆに移動させる。
マイクロレンズアレイシフト部２０によって移動自在に支持されるマイクロレンズアレイ２の長さ（図示Ｘ方向の長さ）は、基板Ｗの有効露光幅Ｘａより設定されたシフト量以上に長く構成されており、シフトガイド２１はそのマイクロレンズアレイ２をシフト方向Ｓｆに設定されたシフト量だけ移動させるために必要なＸ軸方向の長さを備えている。
このような構成を備える投影露光装置１は、図２及び図３の（ａ）に示した走査露光開始時から図２及び図３の（ｂ）に示した走査露光終了時の状態に至るまで、基板Ｗの一端から他端に向けて光源１１とマイクロレンズアレイ２を移動しながら、マスクパターンの投影露光を行う。
この投影露光装置１で用いられるマイクロレンズアレイ２は、図４に示すように、レンズ単体２Ｕ毎の有効露光領域以外は遮光膜で覆われており、有効露光領域には六角形状の視野絞り（六角視野絞り２Ｓ）が形成されている。そして、このマイクロレンズアレイ２のレンズ単体２Ｕは、図示のＸ軸方向にピッチ間隔ｐxで配列され、図示のＹ軸方向にピッチ間隔ｐyで配列されており、六角視野絞り２Ｓにおける三角形部分のＸ軸方向幅Ｓ１をオーバーラップさせるように３列を１組として、Ｘ−Ｙ軸方向に複数個配列されている。
このように３列１組に配列することで、六角視野絞り２Ｓにおける三角形部分のＸ軸方向幅Ｓ１での露光量と六角視野絞り２Ｓにおける矩形部分のＸ軸方向幅Ｓ２での露光量が均一になり、レンズ単体２Ｕ同士の繋ぎ目に露光ムラが生じない。レンズ単体２Ｕにおける六角視野絞り２Ｓの寸法例を示すと、ピッチ間隔ｐx＝ｐy＝１５０μｍ、三角形部分のＸ軸方向幅Ｓ１＝２０μｍ、矩形部分のＸ軸方向幅Ｓ２＝３０μｍ。
図４（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ２を走査方向Ｓｃにのみ移動させながら走査露光を行うと、レンズ単体２Ｕの一つ又は複数に欠陥部Ｄが存在する場合に、その欠陥部Ｄにおいて部分的に透過光量が低下するので、走査方向Ｓｃに沿って顕著なすじ状の露光ムラｍが形成される。これに対して、本発明の投影露光装置１は、図４（ｂ）に示すように、マイクロレンズアレイ２を走査方向Ｓｃに移動させるだけなく、シフト方向Ｓｆにも移動させて走査露光を行っているので、欠陥部Ｄを透過する光による露光領域がシフト方向Ｓｆに分散されることになり、顕著なすじ状の露光ムラｍの発生を回避することができる。
図５は、図４（ａ）と図４（ｂ）の走査露光の結果を示したグラフであり、Ｘ軸方向に沿った露光位置の露光量を示している。図４（ａ）に示したように、マイクロレンズアレイ２を走査方向Ｓｃにのみ移動させる走査露光では、図５（ａ）に示すように、欠陥部Ｄが存在しない露光位置では均一な露光量が得られるが、欠陥部Ｄが存在する露光位置には、幅ｍ１の露光量低下領域がすじ状に形成される。
これに対して、図４（ｂ）に示した例のように、マイクロレンズアレイ２を走査方向Ｓｃに移動させるだけなくシフト方向Ｓｆにも移動させて走査露光を行うと、図５（ｂ）に示すように、六角視野絞りの三角形部分のオーバーラップにズレが生じることになるので、露光位置全体の露光量に若干のばらつきが生じる。しかしながら、マイクロレンズアレイ２のシフト方向Ｓｆの移動によって露光量低下領域が均されることになり、顕著なすじ状の露光ムラが解消されることになる。
ここで、基板の有効露光領域全体を露光する場合におけるマイクロレンズアレイ２のシフト量は、前述した露光量低下領域の幅ｍ１によって適宜設定することができる。基本的には、露光量低下領域の幅ｍ１と同等のシフト量で効果的にすじ状の露光ムラを解消することができる。具体的な結果として、最大露光量と最小露光量との差が露光位置全体の平均露光量の２％以下になるように、シフト量を設定することが好ましい。
以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。また、上述の各実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの技術を流用して組み合わせることが可能である。
１：投影露光装置，２：マイクロレンズアレイ，
２Ｕ：レンズ単体，２Ｓ：六角視野絞り，
３：基板支持部，４：マスク支持部，
１０：走査露光部，１１：光源，１２：走査ガイド，
２０：マイクロレンズアレイシフト部，２１：シフトガイド，
Ｌ：露光光，Ｗ：基板，Ｍ：マスク，Ｓｃ：走査方向，Ｓｆ：シフト方向，
Ｘａ：有効露光幅，Ｄ：欠陥部，ｍ：露光ムラ，ｐx，ｐy：ピッチ間隔

Claims (4)

  1. 露光光をマイクロレンズアレイを介して基板上に投影する投影露光装置であって、
    前記基板の一端から他端に向けた走査方向に沿って前記マイクロレンズアレイを移動させる走査露光部と、
    前記走査露光部による前記マイクロレンズアレイの移動中に、前記マイクロレンズアレイを前記走査方向と交差するシフト方向に移動させるマイクロレンズアレイシフト部とを備えることを特徴とする投影露光装置。
  2. 前記走査露光部が前記基板の一端から他端まで前記マイクロレンズアレイを移動させる間に前記マイクロレンズアレイシフト部が前記マイクロレンズアレイを移動させるシフト量は、前記走査露光部のみで前記マイクロレンズアレイを移動させた場合に生じる露光量低下領域の幅に応じて設定されることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
  3. 前記走査方向に直交する露光位置全体の平均露光量に対して最大露光量と最小露光量との差が２％以下になるように、前記シフト量を設定することを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。
  4. 露光光をマイクロレンズアレイを介して基板上に投影する投影露光方法であって、
    前記基板の一端から他端に向けた走査方向に沿って前記マイクロレンズアレイを移動させながら走査露光を行う際に、前記マイクロレンズアレイを前記走査方向と交差する方向に移動させることを特徴とする投影露光方法。
JP2015003636A 2015-01-09 2015-01-09 投影露光装置 Expired - Fee Related JP6447148B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015003636A JP6447148B2 (ja) 2015-01-09 2015-01-09 投影露光装置
KR1020177016801A KR20170102238A (ko) 2015-01-09 2016-01-06 투영 노광 장치
PCT/JP2016/050221 WO2016111309A1 (ja) 2015-01-09 2016-01-06 投影露光装置
CN201680005296.3A CN107111252B (zh) 2015-01-09 2016-01-06 投影曝光装置
US15/542,281 US20180003952A1 (en) 2015-01-09 2016-01-06 Projection exposure device
TW105100408A TW201635043A (zh) 2015-01-09 2016-01-07 投影曝光裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015003636A JP6447148B2 (ja) 2015-01-09 2015-01-09 投影露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016128892A true JP2016128892A (ja) 2016-07-14
JP6447148B2 JP6447148B2 (ja) 2019-01-09

Family

ID=56355995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015003636A Expired - Fee Related JP6447148B2 (ja) 2015-01-09 2015-01-09 投影露光装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180003952A1 (ja)
JP (1) JP6447148B2 (ja)
KR (1) KR20170102238A (ja)
CN (1) CN107111252B (ja)
TW (1) TW201635043A (ja)
WO (1) WO2016111309A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09244254A (ja) * 1996-03-13 1997-09-19 Nikon Corp 液晶用露光装置
JP2008176257A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Denki Univ 投影露光装置および投影露光方法
JP2013229536A (ja) * 2011-06-02 2013-11-07 Nsk Technology Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP2014222746A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及び露光方法
WO2015001736A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および照明ユニット

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7756660B2 (en) * 2004-12-28 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4858439B2 (ja) * 2005-01-25 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
US9645502B2 (en) * 2011-04-08 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
CN103858208B (zh) * 2011-08-10 2016-08-24 株式会社V技术 曝光装置用的对准装置以及对准标记
JP6342842B2 (ja) * 2015-04-30 2018-06-13 オリンパス株式会社 走査型顕微鏡システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09244254A (ja) * 1996-03-13 1997-09-19 Nikon Corp 液晶用露光装置
JP2008176257A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Denki Univ 投影露光装置および投影露光方法
JP2013229536A (ja) * 2011-06-02 2013-11-07 Nsk Technology Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP2014222746A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及び露光方法
WO2015001736A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および照明ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
CN107111252A (zh) 2017-08-29
US20180003952A1 (en) 2018-01-04
KR20170102238A (ko) 2017-09-08
TW201635043A (zh) 2016-10-01
JP6447148B2 (ja) 2019-01-09
WO2016111309A1 (ja) 2016-07-14
CN107111252B (zh) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012049433A (ja) 露光装置
JP5697188B2 (ja) 露光装置および露光方法
KR102478399B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법
US11460777B2 (en) Method and device for exposure of photosensitive layer
JP6447148B2 (ja) 投影露光装置
JP2010161246A (ja) 伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5825470B2 (ja) 露光装置及び遮光板
US20120189032A1 (en) Illuminating apparatus, pattern inspection apparatus, and method of forming illuminating light
JP2015517733A5 (ja)
US8767179B2 (en) Imaging methods in scanning photolithography and a scanning photolithography device used in printing an image of a reticle onto a photosensitive substrate
EP4286947A1 (en) Exposure apparatus
JP2019028084A (ja) 露光装置
JP2008003163A (ja) 描画方法およびそのコンピュータプログラム
WO2016157697A1 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2005221596A (ja) パターン描画装置
JP2022117106A (ja) 露光装置
JP5704535B2 (ja) マイクロレンズアレイを使用した露光装置
JP2016533513A5 (ja)
JP2005175264A (ja) パターン露光装置
JP6215009B2 (ja) 撮像装置及び撮像方法
JP2011194432A (ja) レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP5866912B2 (ja) パターンの描画条件導出方法及びパターン描画装置
TW202234475A (zh) 描繪裝置、描繪系統以及描繪方法
JP2015078864A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2021124548A (ja) パターン露光装置及びパターン露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180612

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181030

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6447148

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees