JP2016127248A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線部とビア導体との接続部位の断面積を確保し、接続部位における信号の伝送ロスを低減することができる多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１０は、複数の樹脂絶縁層２１〜２４と複数の導体層２５とビア導体５３とを備える。導体層２５は線状に延びる配線部２８を有する。ビア導体５３は、上層側の樹脂絶縁層２２，２３，２４に設けられ、表面２６上に配置された導体層２５（配線部２８や接続端子４１）と裏面２７上に配置された配線部２８とに接続される。ビア導体５３は、配線部２８の幅方向に沿った寸法よりも配線部２８の長手方向に沿った寸法のほうが大きい細長の断面形状を有し、ビア導体５３と配線部２８との接続部位の断面積は、配線部２８の幅方向に沿った配線部２８の断面積の最小値よりも大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の表面及び裏面上に配置された複数の導体層と、樹脂絶縁層を貫通するビア孔内に設けられ、樹脂絶縁層の表面及び裏面の導体層に接続されるビア導体とを備えた多層配線基板に関するものである。

多層配線基板は、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とが交互に積層され一体化されている（特許文献１，２参照）。多層配線基板において、樹脂絶縁層の表面及び裏面上に形成される導体層には、等幅で線状に延びるように配線部が形成されている。また、樹脂絶縁層の表面側の配線部と裏面側の配線部とは、樹脂絶縁層内に形成されたビア導体を介して接続されている。具体的には、特許文献１では、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて直径が５０μｍの貫通孔（ビア孔）を開け、その貫通孔内にビア導体が形成されている。そして、３０μｍの線幅を有する配線部にビア導体が接続されている。

従来の多層配線基板では、配線部にビア導体を確実に接続するために、配線部とビア導体とが、配線部よりも幅広となる接続用パッド部を介して接続されるのが一般的である。

特開２００３−８２２３号公報 特開２０１１−１２９７２９号公報 特開平１１−２６１２２６号公報

ところで、多層配線基板における配線部の高密度化を図る場合、配線部の線幅や配線部同士の間隔を狭くする必要がある。また、ビア導体の直径（ビア径）も小さくする必要がある。このようなことから、配線部とビア導体との接続のために接続用パッド部を設けずに、幅が狭い配線部にビア導体を直接接続して多層配線基板を製造する手法を検討している。因みに、特許文献２には、ビア径が配線部の幅よりも小さい円形状のビア導体を配線部に接続する構造が開示されている。また、特許文献３には、セラミック多層配線基板において、ビア径が配線部の幅と等しい円形状のビア導体を配線部に接続する構造が開示されている。

ところが、配線部１００の幅Ｗ１を１０μｍ以下とする場合、図１５に示されるように、ビア導体１０１の断面積Ｓ１が配線部１００の断面積Ｓ２よりも小さくなってしまう。なお、図１５においては、配線部１００とビア導体１０１との接続部位を示し、説明の便宜上、樹脂絶縁層の図示を省略している。具体的には、多層配線基板において、２つの樹脂絶縁層間に形成される配線部１００は、幅Ｗ１に対して１．０倍から１．５倍程度の厚みを有する。また、配線部１００に円形状のビア導体１０１を直接接続する場合、ビア導体１０１の直径は、配線部１００の幅Ｗ１以下の寸法となる。この場合、ビア導体１０１の断面積Ｓ１が配線部１００の断面積Ｓ２よりも小さくなるため、配線部１００とビア導体１０１との接続部位で電気抵抗が大きくなり、信号の伝送ロスが発生してしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線部とビア導体との接続部位の断面積を確保し、配線部とビア導体との接続部位における信号の伝送ロスを低減することができる多層配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、表面及び裏面を有する少なくとも１層の樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の表面及び裏面上に配置された複数の導体層と、前記裏面上に配置された前記導体層が有する線状に延びる配線部と、前記樹脂絶縁層を貫通するビア孔内に設けられ、前記表面上に配置された前記導体層と前記配線部とに接続されたビア導体とを備えた多層配線基板であって、前記ビア導体は、前記配線部の幅方向に沿った寸法よりも前記配線部の長手方向に沿った寸法のほうが大きい細長の断面形状を有し、前記ビア導体と前記配線部との接続部位の断面積は、前記配線部の幅方向に沿った当該配線部の断面積の最小値よりも大きいことを特徴とする多層配線基板がある。

従って、手段１に記載の発明によると、樹脂絶縁層の裏面上に配置された配線部に接続されるビア導体は、従来のような円形状の断面形状ではなく、配線部の幅方向に沿った寸法よりも配線部の長手方向に沿った寸法のほうが大きい細長の断面形状となっている。このため、ビア導体と配線部との接続面積を十分に確保することができる。具体的には、ビア導体と配線部との接続部位の断面積は、配線部の幅方向に沿った配線部の断面積の最小値よりも大きい。このようにすると、従来のようにビア導体と配線部との接続部位にて電気抵抗が増して配線基板の電気特性が悪化するといった問題を回避することができる。

なお、本発明において、ビア導体と配線部との接続部位の断面積とは、樹脂絶縁層の表面に沿った方向の断面における面積であって、等幅に延びる配線部の表面をビア導体との接続部位まで延長し、その延長した配線部の表面とビア導体とが交わる部分の断面積のことを意味するものとする。

ビア導体の断面形状は、配線部の延びる方向（長手方向）に沿った細長の断面形状であれば特に限定されるものではない。具体的には、ビア導体の断面形状は、例えば、楕円形状または角部が曲線状をなす長方形状であってもよい。また、楕円形状には、オーバル形状やトラック形状を含むものとする。このように、細長の断面形状を有するビア導体を形成すると、ビア導体と配線部との接続面積を十分に確保することができる。また、楕円形状や角部が曲線状をなす長方形状のビア導体には、鋭角の角部が存在しないため、角部に応力が集中して樹脂絶縁層にクラックが発生するといった問題を回避することができる。

配線部は、１μｍ以上５０μｍ以下の幅を有するとともに、幅に対して０．９倍以上の厚みを有していてもよい。また、配線部は、幅が１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、その幅に対して０．９倍以上２．０倍以下の厚みを有することがより好ましい。このように、配線部を細く形成する場合でも配線部の厚みを増すことで配線部の断面積を確保することができ、配線部の電気抵抗を低く抑えることができる。

ビア導体は、表面側から裏面側にいくに従って縮径するとともに裏面側に断面積が最小となる最小部位を有し、最小部位における配線部の幅方向に沿った寸法は、配線部の幅よりも小さくてもよい。この場合、ビア導体を配線部に接続するために隣接する配線部同士の間隔を広げる必要がないため、配線部の高密度化を図ることができる。

配線部は、銅または銅合金からなり、ビア導体は、ビア孔内に銅めっきまたは銅合金めっきを充填することで形成されていることが好ましい。このようにすると、配線部とビア導体とが同じ金属材料である銅を含むため、微細なビア導体を形成する場合であっても配線部にビア導体を確実に接続することができる。またこの場合、銅めっきまたは銅合金めっきによって、微細なビア導体及び配線部を同時に形成することができるため、多層配線基板における配線部の高密度化を図ることができる。

ビア孔は、波長が３２０ｎｍ以下であるレーザを用いて形成されている。具体的には、例えば、エキシマレーザを用いてビア孔が形成されることが好ましい。エキシマレーザを用いると、１０μｍ以下の比較的細い幅を有するビア孔を樹脂絶縁層に確実に形成することが可能となる。

樹脂絶縁層は導体層を介して複数積層されていてもよい。複数の樹脂絶縁層のうちの最上層となる樹脂絶縁層の表面には、半導体素子を搭載するための接続端子が設けられ、下層側から上層側にいくに従って樹脂絶縁層に形成されるビア導体の断面積が小さくなっていてもよい。なおここで、ビア導体の断面積とは、樹脂絶縁層の表面に沿った方向の断面における面積を意味する。このようにすると、多層配線基板において、上層側ほど配線部の微細化を図ることができ、半導体素子を確実に搭載することができる。

複数の樹脂絶縁層のうちの下層側の樹脂絶縁層には、細長の断面形状を有するビア導体よりも断面積が大きく、断面形状が円形状のビア導体が形成されていてもよい。つまり、多層配線基板において、配線部の高密度化が図られる上層側の部分のみ細長形状のビア導体を形成し、下層側は従来と同様に円形状のビア導体を形成する。このようにすると、多層配線基板の製造コストの増加を低く抑えることができる。

上述した本発明の多層配線基板では、配線部においてビア導体との接続部位には、配線部よりも幅広となる接続用パッド部が形成されておらず、等幅で線状に延びる配線部にビア導体が直接接続されている。このように、接続用パッド部を形成しない場合、配線部間のスペースを確保できるため、配線部の高密度化を図ることができる。なお、配線部同士の間隔は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

樹脂絶縁層を構成する樹脂材料は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。

本実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。 配線部とビア導体との接続部位を示す斜視図。 配線部とビア導体との接続部位を示す上面図。 接続用パッド部とビア導体との接続部位を示す上面図。 コア基板における貫通孔の形成工程を示す説明図。 スルーホール導体及び導体層の形成工程を示す説明図。 樹脂絶縁層の形成工程を示す説明図。 ビア孔の形成工程を示す説明図。 めっきレジスト膜の形成工程を示す説明図。 ビア導体及び配線部の形成工程を示す説明図。 ビルドアップ工程を示す説明図。 断面積が異なるビア導体が形成された別の実施の形態の多層配線基板を示す断面図。 角部が曲線状をなす長方形状の断面形状を有する別の実施の形態のビア導体を示す説明図。 団子形状の断面形状を有する別の実施の形態のビア導体を示す説明図。 従来の配線部とビア導体との接続部位を示す斜視図。

以下、本発明を多層配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０は、コア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層２０と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３０とからなる。

コア基板１１は、例えば補強材としてのガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる樹脂絶縁材（ガラスエポキシ材）にて構成されている。コア基板１１における複数個所には厚さ方向に貫通する貫通孔１５が形成されており、貫通孔１５内にはスルーホール導体１６が形成されている。スルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続している。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層１７が形成されており、各導体層１７は、接続用パッド部１８を含み、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。

コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層２０は、熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）を主体とした複数の樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４と、銅からなる複数の導体層２５とを交互に積層したビルドアップ構造を有している。第１ビルドアップ層２０における複数の樹脂絶縁層２１〜２４は、それぞれ表面２６及び裏面２７を有し互いに重ね合わせて配置されている。上層側の樹脂絶縁層２２〜２４の裏面２７側に配置される導体層２５は、等幅で線状に延びる配線部２８（図２及び図３等参照）を有している。配線部２８は、図示しない半導体素子を制御するための信号伝達用の配線である。本実施の形態において、配線部２８の幅Ｗ１は１０μｍ程度であり、配線部２８の厚みＴ１は１０μｍ程度である。つまり、配線部２８は、幅Ｗ１に対して１．０倍程度の厚みＴ１を有している。また、隣接する配線部２８同士の間隔は、１０μｍ程度である。さらに、樹脂絶縁層２２の裏面側に配置される導体層２５は、配線部２８に加えてその配線部２８よりも幅広となる接続用パッド部２９（図４参照）を有している。

最上層となる樹脂絶縁層２４上における複数箇所には、半導体素子を搭載するための接続端子４１がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層２４の表面２６は、ソルダーレジスト層４２によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層４２の所定箇所には、接続端子４１を露出させる開口部４３が形成されている。そして、開口部４３から露出した接続端子４１は、図示しない半導体素子の接続端子に電気的に接続される。

また、各樹脂絶縁層２１〜２４内にはビア孔５１，５２及びビア導体５３，５４がそれぞれ形成されている。ビア孔５１，５２は各樹脂絶縁層２１〜２４を貫通する貫通孔である。ビア孔５１，５２内には、銅からなるビア導体５３，５４が設けられている。

図１及び図２に示されるように、各ビア導体５３，５４の頂部５６は、各樹脂絶縁層２１〜２４の表面２６側（図１では上面側）に配置された導体層２５（接続端子４１、配線部２８、接続用パッド部２９）に接続されている。各ビア導体５３，５４の底部５７は、各樹脂絶縁層２１〜２４の裏面２７側（図１では下面側）に配置された導体層２５（配線部２８、接続用パッド部１８，２９）に接続されている。ビア導体５３，５４は、樹脂絶縁層２１〜２４の表面２６側（頂部５６側）から裏面２７側（底部５７側）にいくに従って縮径するとともに裏面２７側となる底部５７に断面積が最小となる最小部位５９を有している。なお、図２では、説明の便宜上、樹脂絶縁層を省略して示している。

本実施の形態では、第１ビルドアップ層２０における上層側の３層の樹脂絶縁層２２，２３，２４に形成されるビア孔５１及びビア導体５３は、配線部２８の幅方向に沿った寸法Ｄ１よりも配線部２８の長手方向に沿った寸法Ｄ２のほうが大きい細長の断面形状を有する（図３参照）。具体的には、ビア孔５１及びビア導体５３の断面形状は楕円形状である。図２に示されるように、ビア導体５３の底部５７と配線部２８との接続部位の断面積Ｓ１は、配線部２８の幅方向に沿った当該配線部２８の断面積Ｓ２の最小値（配線部２８における最も細い部分の断面積）よりも大きい。なお、本実施の形態では、配線部２８は等幅で形成されている。このため、配線部２８の任意の切断面における断面積Ｓ２が最小値となる。従って、配線部２８の断面積Ｓ２よりも接続部位の断面積Ｓ１が大きくなるように（断面積Ｓ１＞断面積Ｓ２となるように）ビア導体５３が形成されている。また、ビア導体５３の底部５７と配線部２８との接続部位には、配線部２８よりも幅広となる接続用パッド部２９が形成されておらず、配線部２８に直接接続されている。

本実施の形態では、ビア導体５３の裏面２７側（底部５７）の最小部位５９における配線部２８の幅方向に沿った寸法Ｄ１０は、配線部２８の幅Ｗ１よりも小さい。具体的には、最小部位５９における幅方向に沿った寸法Ｄ１０は、８μｍ程度である。また、ビア導体５３の表面２６側（頂部５６）の幅方向に沿った寸法Ｄ１１は、配線部２８の幅Ｗ１とほぼ等しく１０μｍ程度である。

第１ビルドアップ層２０における下層側の樹脂絶縁層２１に形成されるビア孔５２及びビア導体５４は、従来と同様に断面形状が円形状である（図４参照）。円形状のビア導体５４は、直径が例えば５０μｍ程度であり、上層側の樹脂絶縁層２２〜２４に形成される細長のビア導体５３よりも断面積が大きくなっている。そして、ビア導体５４の頂部５６は、樹脂絶縁層２１の表面２６側に形成された幅広の接続用パッド部２９に接続され、ビア導体５４の底部５７は、樹脂絶縁層２１の裏面２７側（コア基板１１のコア主面１２側）に形成された導体層１７の接続用パッド部１８に接続されている。

コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３０は、熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）を主体とした複数の樹脂絶縁層３１，３２，３３，３４と、複数の導体層２５とを交互に積層したビルドアップ構造を有している。第２ビルドアップ層３０における複数の樹脂絶縁層３１〜３４は、それぞれ表面２６及び裏面２７を有し互いに重ね合わせて配置されている。各樹脂絶縁層３１〜３４内には断面形状が円形状のビア孔５２及びビア導体５４がそれぞれ形成されている。ビア導体５４の頂部５６は、各樹脂絶縁層３１〜３４の表面２６側（図１では下面側）に配置される導体層２５に接続されている。ビア導体５４の底部５７は、各樹脂絶縁層３１〜３４の裏面２７側（図１では上面側）に配置される導体層１７，２５に接続されている。第２ビルドアップ層３０に形成される各ビア導体５４も、表面２６側（頂部５６側）から裏面２７側（底部５７側）にいくに従って縮径している。

最下層の樹脂絶縁層３４の表面２６上における複数箇所には、外部接続端子４５がアレイ状に形成されている。また、樹脂絶縁層３４の表面２６は、ソルダーレジスト層４６によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層４６の所定箇所には、外部接続端子４５を露出させる開口部４７が形成されている。開口部４７から露出した外部接続端子４５は、図示しないはんだバンプを介してマザーボード（外部基板）に電気的に接続される。

次に、本実施の形態の多層配線基板１０の製造方法について述べる。

まず、ガラスエポキシからなる基材６１の両面に銅箔６２が貼付された銅張積層板６０を準備する（図５参照）。そして、ドリル機等を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板６０の表裏面を貫通する貫通孔１５を所定位置にあらかじめ形成しておく（図５参照）。その後、銅張積層板６０の貫通孔１５の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔１５内にスルーホール導体１６を形成する。次に、銅張積層板６０の銅箔６２とその銅箔６２上に形成された銅めっき層とを、例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。この結果、図６に示されるように、スルーホール導体１６及び導体層１７（接続用パッド部１８）が形成されたコア基板１１を得る。

そして、ビルドアップ工程を行うことで、コア基板１１のコア主面１２の上に第１ビルドアップ層２０を形成するとともに、コア基板１１のコア裏面１３の上にも第２ビルドアップ層３０を形成する。

詳しくは、図７に示されるように、コア基板１１において各導体層１７が形成されたコア主面１２及びコア裏面１３の上に、熱硬化性絶縁材であるシート状の樹脂絶縁層２１，３１を配置し、樹脂絶縁層２１，３１を貼り付ける。その後、炭酸ガスレーザ（ＣＯ_２レーザ）を用いてレーザ孔加工を施すことによって、樹脂絶縁層２１，３１の所定の位置に断面形状が円形状のビア孔５２を形成する（図８参照）。ここでは、レーザ光の入射側となる樹脂絶縁層２１，３１の表面２６側から裏面２７側にいくに従って縮径するようビア孔５２が形成される。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア孔５２内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ_２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。

デスミア処理の後、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２１の表面２６及び樹脂絶縁層３１の表面２６やビア孔５２の内面を覆う全面めっき層（図示略）を形成する。そして、各樹脂絶縁層２１，３１にめっきレジスト膜形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。この結果、図９に示されるように、ビア孔５２や導体層２５の形成位置に開口部６５を有する所定パターンのめっきレジスト膜６６を各樹脂絶縁層２１，３１の表面２６に形成する。

その後、めっきレジスト膜６６を形成した状態で選択的に電解銅めっきを行って、ビア孔５２内にビア導体５４を形成するとともに、各開口部６５内に導体層２５を形成する。そして、めっきレジスト膜６６を各樹脂絶縁層２１，３１の表面２６から剥離した後、エッチングを行い、全面めっき層（図示略）を除去する。この結果、図１０に示されるように、樹脂絶縁層２１，３１の表面２６上に導体層２５（配線部２８や接続用パッド部２９）を形成する。

他の樹脂絶縁層２２〜２４，３２〜３４及び導体層２５についても、上述した樹脂絶縁層２１，３１及び導体層２５と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１，３１上に積層していく。但し、第１ビルドアップ層２０における上層側の３層の樹脂絶縁層２２〜２４においてビア孔５１を形成する際には、微細加工が必要となる。このため、炭酸ガスレーザではなく、エキシマレーザを使用してレーザ孔加工を施す。ここでは、炭酸ガスレーザよりも短い波長（例えば、１９３ｎｍ）のレーザ光をマスクを介して照射することにより、配線部２８の長手方向に沿った細長い楕円形状のビア孔５１を樹脂絶縁層２２〜２４に形成する。そして、デスミア工程を行った後、同様に無電解銅めっき、電解銅めっきを行うことにより、楕円形状のビア導体５３を形成するとともに、各ビア導体５３に繋がる配線部２８を形成する。

上述したビルドアップ工程を行うことにより、樹脂絶縁層２４上には、複数の接続端子４１が形成され、樹脂絶縁層３４上には、複数の外部接続端子４５が形成される（図１１参照）。次に、樹脂絶縁層２４，３４上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層４２，４６を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層４２，４６に開口部４３，４７をパターニングする。以上の工程を経ることで図１に示す多層配線基板１０を製造する。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施の形態の多層配線基板１０において、上層側の各樹脂絶縁層２２〜２４に形成されるビア導体５３は、配線部２８の幅方向に沿った寸法Ｄ１よりも配線部２８の長手方向に沿った寸法Ｄ２のほうが大きい細長の断面形状となっている。このため、ビア導体５３と配線部２８との接続面積を十分に確保することができる。具体的には、本実施の形態において、ビア導体５３と配線部２８との接続部位の断面積Ｓ１は、配線部２８の幅方向に沿った配線部２８の断面積Ｓ２の最小値よりも大きい。このため、従来のようにビア導体５３と配線部２８との接続部位にて電気抵抗が増して多層配線基板１０の電気特性が悪化するといった問題を回避することができる。この結果、多層配線基板１０の信頼性が向上し、製品歩留まりが向上する。

（２）本実施の形態の多層配線基板１０では、ビア導体５３の断面形状は楕円形状であり、長方形状のような角部が存在しない。このため、角部に応力が集中して樹脂絶縁層２２〜２４にクラックが発生するといった問題を回避することができる。

（３）本実施の形態の多層配線基板１０では、配線部２８は、１０μｍ程度の幅Ｗ１を有するとともに、幅Ｗ１に対して１．０倍以上の厚みＴ１を有している。このように、配線部２８を細く形成する場合でも配線部２８を厚くすることで配線部２８の断面積Ｓ２を確保することができ、配線部２８の電気抵抗を低く抑えることができる。またこの場合、従来のように断面形状が円形状のビア導体１０１（図１５参照）で接続すると、配線部１００の断面積Ｓ２よりもビア導体１０１と配線部１００との接続部位の断面積Ｓ１が小さくなり、配線部１００とビア導体１０１との接続不足が生じてしまう。これに対して、本実施の形態のように、断面形状が楕円形状のビア導体５３を形成する場合には、ビア導体５３と配線部２８との接続部位の断面積Ｓ１が大きくなるため、配線部２８との接続不足を回避することができる。

（４）本実施の形態の多層配線基板１０では、配線部２８とビア導体５３とが銅めっきにより形成されている。この場合、微細なビア導体５３及び配線部２８を同時に形成することができる。また、配線部２８とビア導体５３とが同じ金属材料（銅めっき層）によって形成されるため、本実施の形態のように微細なビア導体５３を形成する場合であっても配線部２８にビア導体５３を確実に接続することができる。このため、多層配線基板１０における配線部２８の高密度化を図ることができる。

（５）本実施の形態の多層配線基板１０では、ビア孔５１は、波長が３２０ｎｍ以下であるエキシマレーザを用いて形成されている。このように、エキシマレーザを用いると、１０μｍ以下の比較的細い幅を有するビア孔５１を確実に形成することが可能となる。

（６）本実施の形態の多層配線基板１０では、上層側の樹脂絶縁層２２〜２４において、楕円形状のビア導体５３と配線部２８との接続部位に配線部２８よりも幅広となる接続用パッド部２９が形成されておらず、等幅で線状に延びる配線部２８にビア導体５３が直接接続されている。このように、接続用パッド部２９を形成しない場合、配線部２８間のスペースを確保できるため、配線部２８の高密度化を図ることができる。

（７）本実施の形態の多層配線基板１０では、複数の樹脂絶縁層２１〜２４，３１〜３４のうちの下層側の樹脂絶縁層２１，３１〜３４には、断面形状が楕円形状のビア導体５３よりも断面積が大きく、断面形状が円形状のビア導体５４が形成されている。つまり、多層配線基板１０において、配線部２８同士の間隔が狭く高密度化が図られる上層側の部分のみ楕円形状のビア導体５３を形成し、下層側は従来と同様に円形状のビア導体５４を形成している。エキシマレーザによる微細な加工は、装置コストやランニングコストがかかる。このため、必要な部分のみ楕円形状のビア孔５１及びビア導体５３を形成することにより、多層配線基板１０の製造コストの増加を抑えることができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施の形態では、エキシマレーザを用いてビア孔５１を形成していたが、これに限定されるものではなく、露光・現像によってビア孔５１を形成してもよい。具体的には、例えば樹脂絶縁層２２となるポジ型の感光性絶縁材をコーティングした後、ステッパー（投影露光装置）を用いて露光・現像を行うことによって、樹脂絶縁層２２に楕円形状のビア孔５１を形成する。その後、Ｔｉ−Ｃｕスパッタを行うことで樹脂絶縁層２２の表面２６やビア孔５１の内面を覆う全面スパッタ層を形成する。そして、上記実施の形態と同様に、めっきレジスト膜６６を形成した後、電解銅めっきを行って、ビア孔５１内にビア導体５３を形成するとともに配線部２８を形成する。このようにしても、上記実施の形態と同様に楕円形状のビア孔５１及びビア導体５３を樹脂絶縁層２２に形成することができ、配線部２８とビア導体５３との接続不足を回避することができる。

・上記実施の形態における多層配線基板１０では、第１ビルドアップ層２０における上層側の３層分の各樹脂絶縁層２２〜２４において、楕円形状のビア孔５１及びビア導体５３を形成するものであったが、第２ビルドアップ層３０の上層側において、楕円形状のビア孔５１及びビア導体５３を形成してもよい。また、多層配線基板１０を構成する全ての樹脂絶縁層２１〜２４，３１〜３４において、楕円形状のビア孔５１及びビア導体５３を形成してもよい。

・上記実施の形態における多層配線基板１０において、上層側の各樹脂絶縁層２２〜２４に形成される各ビア孔５１及び各ビア導体５３は、全て同じサイズであったが、これに限定されるものではない。図１２に示される多層配線基板１０Ａのように、下層側から上層側にいくに従って各樹脂絶縁層２２〜２４に形成されるビア孔５１ａ，５１ｂ，５１ｃ及びビア導体５３ａ，５３ｂ，５３ｃの断面積が小さくなっていてもよい。なおこの場合、各ビア導体５３ａ，５３ｂ，５３ｃが接続される各配線部２８は、同じ幅で形成してもよいし、下層側から上層側にいくに従って配線部２８の幅を狭くしてもよい。配線部２８を同じ幅で形成する場合、下層側から上層側にいくに従って、配線部２８の長手方向に沿った各ビア導体５３ａ，５３ｂ，５３ｃの寸法を短くして断面積を小さくする。また、下層側から上層側にいくに従って、配線部２８の幅を狭くする場合、配線部２８の幅に合わせてサイズを縮小した相似形状の各ビア導体５３ａ，５３ｂ，５３ｃを形成してそれらの断面積を小さくしてもよい。このようにすると、多層配線基板１０Ａにおいて、接続端子４１が設けられている上層側ほど配線部２８の微細化を図ることができる。さらに、上層側に向けてビア導体５３ａ〜５３ｃを徐々に小さくすることで、配線部２８とビア導体５３ａ〜５３ｃとの接続部位における信号の伝達ロスを低く抑えることが可能となり、多層配線基板１０Ａの電気特性を良好に維持することができる。

・上記実施の形態において、ビア導体５３の断面形状は、楕円形状であったが、これに限定されるものではない。ビア導体５３の断面形状は、配線部２８の幅方向に沿った寸法Ｄ１よりも配線部２８の長手方向に沿った寸法Ｄ２のほうが大きい細長の形状であればよい。具体的には、例えば、図１３に示されるように、角部が曲線状をなす角丸の長方形状のビア導体５３ｄや、図１４に示されるように、複数（図１４では２つ）の円形状の一部を重ね合わせた形状（団子形状）のビア導体５３ｅを形成してもよい。このようなビア導体５３ｄ，５３ｅによって配線部２８に接続する場合でも、接続部位の断面積を確保できるため、配線部２８との接続不足を回避することができる。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）手段１において、前記配線部の幅は、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする多層配線基板。

（２）手段１において、前記配線部同士の間隔は、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする多層配線基板。

（３）手段１において、前記配線部は、前記幅に対して０．９倍以上２．０倍以下の厚みを有することを特徴とする多層配線基板。

（４）手段１において、前記配線部は、銅または銅合金からなり、前記ビア導体は、前記ビア孔内に銅めっきまたは銅合金めっきを充填することで形成されていることを特徴とする多層配線基板。

（５）手段１において、前記ビア孔は、波長が３２０ｎｍ以下であるレーザを用いて形成されていることを特徴とする多層配線基板。

（６）手段１において、前記複数の樹脂絶縁層のうちの最上層となる前記樹脂絶縁層の表面には、半導体素子を搭載するための接続端子が設けられ、下層側から上層側にいくに従って前記樹脂絶縁層に形成される前記ビア導体の断面積が小さくなっていることを特徴とする多層配線基板。

（７）手段１において、前記複数の樹脂絶縁層のうちの下層側の前記樹脂絶縁層には、前記細長の断面形状を有する前記ビア導体よりも断面積が大きく、断面形状が円形状のビア導体が形成されていることを特徴とする多層配線基板。

（８）手段１において、前記配線部において前記ビア導体との接続部位には、前記配線部よりも幅広となる接続用パッド部が形成されていないことを特徴とする多層配線基板。

（９）手段１において、前記配線部は、信号伝達用の配線であることを特徴とする多層配線基板。

１０，１０Ａ…多層配線基板
２１〜２４，３１〜３４…樹脂絶縁層
２５…導体層
２６…樹脂絶縁層の表面
２７…樹脂絶縁層の裏面
２８…配線部
５１，５１ａ〜５１ｃ…ビア孔
５３,５３ａ〜５３ｅ…ビア導体
５９…最小部位
Ｄ１，Ｄ１０…幅方向に沿った寸法
Ｄ２…長手方向に沿った寸法
Ｔ１…厚み
Ｗ１…幅

Claims (4)

1. 表面及び裏面を有する少なくとも１層の樹脂絶縁層と、
   前記樹脂絶縁層の表面及び裏面上に配置された複数の導体層と、
   前記裏面上に配置された前記導体層が有する線状に延びる配線部と、
   前記樹脂絶縁層を貫通するビア孔内に設けられ、前記表面上に配置された前記導体層と前記配線部とに接続されたビア導体と
   を備えた多層配線基板であって、
   前記ビア導体は、前記配線部の幅方向に沿った寸法よりも前記配線部の長手方向に沿った寸法のほうが大きい細長の断面形状を有し、
   前記ビア導体と前記配線部との接続部位の断面積は、前記配線部の幅方向に沿った当該配線部の断面積の最小値よりも大きい
   ことを特徴とする多層配線基板。
2. 前記ビア導体の断面形状は、楕円形状または角部が曲線状をなす長方形状であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 前記配線部は、１μｍ以上５０μｍ以下の幅を有するとともに、前記幅に対して０．９倍以上の厚みを有することを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
4. 前記ビア導体は、前記表面側から前記裏面側にいくに従って縮径するとともに前記裏面側に断面積が最小となる最小部位を有し、
   前記最小部位における前記配線部の幅方向に沿った寸法は、前記配線部の幅よりも小さい
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。

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