JP2016127183A - 光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換素子は、p型半導体層と、n型半導体層と、p型半導体層及びn型半導体層に挟まれ、量子ドットが障壁層によって囲まれた構造からなる超格子半導体層と、量子ドットの伝導帯側の中間バンドから障壁層の伝導帯への遷移であるサブバンド間遷移によって吸収される光の光路長を少なくとも増大させる光路長増大要素と、を備える。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
図1は、第1の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第1の実施形態における太陽電池100は、基板1と、ベース層2と、超格子半導体層6と、エミッタ層7と、窓層8と、コンタクト層9と、上部電極10と、下部電極11とを備える。具体的には、基板1の上にベース層2が形成されており、ベース層2の上に超格子半導体層6が形成されている。また、超格子半導体層6の上にエミッタ層7が形成されており、エミッタ層7の上に窓層8が形成されている。窓層8の上にはコンタクト層9を介して上部電極10が設けられている。上部電極10は、例えばグリッド電極である。基板1の下面(裏面)には下部電極11が設けられている。
図10は、第2の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第2の実施形態における太陽電池では、基板1のテクスチャ構造1bが四角錐台により形成されている。
図12は、第3の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第3の実施形態における太陽電池100では、太陽電池100の裏面ではなく、受光面にテクスチャ構造120aを設けている。
図13は、第4の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第4の実施形態における太陽電池100では、太陽電池100の裏面だけでなく受光面にもテクスチャ構造を設けている。すなわち、基板1の裏面にテクスチャ構造1aを形成するとともに、窓層8の上に形成した半導体層120にもテクスチャ構造120aを形成する。
図14は、第5の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第5の実施形態における太陽電池では、下部電極11が上部電極10と同じくグリッド電極である。下部電極11以外の構造は、第4の実施形態における太陽電池の構成と同じである。
図15は、第6の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第6の実施形態における太陽電池100では、基板1に設けられたテクスチャ構造1cのテクスチャの間隔dが均一ではない。具体的には、テクスチャの間隔d[μm]として、d1[μm]とd2[μm]の2種類の間隔を有するテクスチャ構造1cとなっている。
1.24/EQD≦d2≦1.24/EQD×3 …(1)
1.24/Eci≦d1≦1.24/Eci×3 …(2)
d1>d2 …(3)
第1〜第6の実施形態では、SK成長を用いた量子ドット太陽電池について説明した。しかしながら、量子ドット太陽電池は、コロイド量子ドット太陽電池であってもよい。
図18は、第8の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第8の実施形態における太陽電池100は、第5の実施形態における太陽電池の構成に加えて、波長変換粒子170をさらに備える。波長変換粒子170は、光を吸収して、サブバンド間遷移によって吸収される光を放出する機能を有する。
図20 は、第9の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第9の実施形態における太陽電池100では、ベース層2の上にバッファ層190を設け、ベース層2の両面のうち、バッファ層190と接する面にテクスチャ構造2aを設けている。超格子半導体層6は、バッファ層190の上に形成される。
図21は、第10の実施形態における太陽電池の構成を示す概略断面図である。第10の実施形態における太陽電池100では、基板1とベース層2の間にバッファ層200を設け、基板1の両面のうち、バッファ層200と接する面にテクスチャ構造1dを設けている。この構造においても、太陽光が基板1の上面に設けられたテクスチャ構造1dで反射されるので、より効率的に光閉じ込めが生じ、光吸収、特に長波長光の光吸収度合を向上させることができる。
第6の実施形態における太陽電池では、基板1に設けられたテクスチャ構造のテクスチャの間隔dが2種類であった。第11の実施形態における太陽電池では、基板1に設けられたテクスチャ構造のテクスチャの間隔dが3種類以上ある。
第12の実施形態における太陽電池では、サブバンド間遷移によって吸収される光を少なくとも増大させるための光路長増大要素として、超格子半導体層6で吸収できなかった光を反射させるための反射膜を設ける。
1a、1b、1c、1d、1e、120a テクスチャ構造
2 ベース層
3、3A 量子ドット
4 量子ドット層
5 障壁層
6 超格子半導体層
7 エミッタ層
100 太陽電池110 半導体層
220 反射膜
Claims (10)
- p型半導体層と、
n型半導体層と、
前記p型半導体層及び前記n型半導体層に挟まれ、量子ドットが障壁層によって囲まれた構造からなる超格子半導体層と、
前記量子ドットの伝導帯側の中間バンドから前記障壁層の伝導帯への遷移であるサブバンド間遷移によって吸収される光の光路長を少なくとも増大させる光路長増大要素と、
を備える光電変換素子。 - 前記光路長増大要素は、前記光電変換素子の受光面とは反対の裏面に形成されたテクスチャ構造である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記光路長増大要素は、前記光電変換素子の受光面に形成されたテクスチャ構造である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記テクスチャ構造のテクスチャの間隔dは、前記量子ドットの伝導帯の基底準位から前記障壁層の伝導帯の下端準位までのエネルギーをEciとすると、1.24/Eci≦d≦1.24/Eci×3の関係を有する、請求項2または3に記載の光電変換素子。
- 前記テクスチャ構造のテクスチャの間隔には第1の間隔と第2の間隔が含まれている、請求項2から4のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記第1の間隔をd1、前記第2の間隔をd2、前記量子ドットの伝導帯の基底準位から前記障壁層の伝導帯の下端準位までのエネルギーをEci、前記量子ドットの価電子帯の基底準位から前記量子ドットの伝導帯の基底準位までのエネルギーをEQDとすると、1.24/EQD≦d2≦1.24/EQD×3、1.24/Eci≦d1≦1.24/Eci×3、d1>d2の関係を有する、請求項5に記載の光電変換素子。
- 前記裏面に形成されたテクスチャ構造の凹凸の凹部に配置され、入射した光を吸収して、前記サブバンド間遷移によって吸収される光を少なくとも放出する波長変換粒子をさらに備える、請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記光路長増大要素は、前記p型半導体層及び前記n型半導体層のうち、受光面とは反対の裏面側に位置する層の光入射側の面に形成されたテクスチャ構造である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記p型半導体層、前記n型半導体層、及び前記超格子半導体層を形成するための基板をさらに備え、
前記光路長増大要素は、前記基板の光入射側の面に形成されたテクスチャ構造である、請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記光路長増大要素は、前記光電変換素子の受光面とは反対側の裏面に形成された反射膜であり、
前記反射膜は、前記量子ドットの伝導帯の基底準位から前記障壁層の伝導帯の下端準位までのエネルギーをEciとすると、1.24/Eci[μm]の波長の光を少なくとも反射する、請求項1に記載の光電変換素子。
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