JP2016123016A - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】凹部2cを有する支持基板2と、圧電基板4と、IDT電極5と、音響反射層8とを備え、凹部2cが、支持基板2と、圧電基板4の第1の主面4aとで囲まれた空洞9を形成し、IDT電極5が空洞9に臨むように配置されており、音響反射層8が、複数の音響インピーダンス層を有し、上記複数の音響インピーダンス層が、低音響インピーダンス層8a,8c,8e,8gと、高音響インピーダンス層8b,8d,8fとを有しており、上記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数が圧電基板4と逆の極性であり、又は同じ極性でありかつ周波数温度係数の絶対値が小さい、弾性波装置1。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的断面図である。また、図1(b)は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。
弾性波装置1の製造方法は、特に限定されないが、一例を図2〜図4を参照して説明する。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。弾性波装置21においては、補強基板3、支持基板2、圧電基板4及び音響反射層8を覆うようにパッケージング材18が設けられている。
弾性波装置21の製造方法については、第1の実施形態の弾性波装置1に、パッケージング材18が設けられている点を除いては、弾性波装置1の製造方法(図2(a)〜図4(b))と同様である。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。第3の実施形態は、第2の実施形態の変形例である。第2の実施形態との違いは、2層目配線10a,10b,電極ランド6,7が明記されていないことである。これは、弾性波装置31が外部と接続するための配線はどのような形態でもよく、必ずしも、第2の実施形態に限らないからである。例えば、パッケージング材18を音響反射層8の主面8A上に直接積層した後に、外部と接続するための配線を形成してもよい。その他の点については第2の実施形態と同様である。
弾性波装置31の製造方法については、2層目配線10a,10b,電極ランド6,7に関する部分を除き、第2の実施形態の弾性波装置21と同様である(図2(a)〜図4(b))。
2…支持基板
2a…上面
2b…下面
2c…凹部
2A…平坦化用膜
3…補強基板
4…圧電基板
4a,4b…第1,第2の主面
4A…圧電板
5…IDT電極
6,7…電極ランド
8…音響反射層
8a,8c,8e,8g…低音響インピーダンス層
8b,8d,8f…高音響インピーダンス層
8A…主面
9…空洞
10a,10b…2層目配線
11,12…第1の貫通孔
13,14…第2の貫通孔
15,16…反射器
17…犠牲層
18…パッケージング材
Claims (6)
- 上面に凹部が設けられている支持基板と、
第1の主面と、該第1の主面と対向している第2の主面とを有し、前記第1の主面側が前記支持基板上に配置されている、圧電基板と、
前記第1の主面上に設けられた、IDT電極と、
前記第2の主面上に設けられた、音響反射層とを備え、
前記凹部が、前記支持基板と前記第1の主面とで囲まれた空洞を形成し、前記IDT電極が、前記空洞に臨むように配置されており、
前記音響反射層が、複数の音響インピーダンス層を有し、
前記複数の音響インピーダンス層が、少なくとも1層の低音響インピーダンス層と、該低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い、少なくとも1層の高音響インピーダンス層とを有しており、
前記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数が、前記圧電基板の周波数温度係数と逆の極性であり、又は、
前記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数が、前記圧電基板の周波数温度係数と同じ極性であり、かつ、前記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数の絶対値が、前記圧電基板の周波数温度係数の絶対値より小さい、弾性波装置。 - 前記弾性波装置は、さらに、パッケージング材を備えており、
前記音響反射層が、対向し合う一対の主面を有しており、
前記パッケージング材が、前記音響反射層の前記圧電基板側とは反対側の前記主面上に、直接、設けられている、請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記パッケージング材が、樹脂により構成されている、請求項2に記載の弾性波装置。
- 前記低音響インピーダンス層のうち少なくとも1層が、前記高音響インピーダンス層のうち少なくとも1層より、前記圧電基板側に設けられている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記複数の音響インピーダンス層の各層の厚みが、それぞれ、前記圧電基板の厚みの1/3〜3倍である、請求項1〜4のいずれに記載の弾性波装置。
- 圧電基板の第1の主面上にIDT電極を設ける工程と、
前記IDT電極を覆うように、前記第1の主面上に犠牲層を設ける工程と、
前記犠牲層を覆うように、上面に凹部を有する支持基板を形成する工程と、
前記圧電基板における前記第1の主面と対向する第2の主面上に、音響反射層を積層する工程と、
前記圧電基板及び前記音響反射層に、前記音響反射層の圧電基板側とは反対側の主面から前記犠牲層に至る貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を利用して、エッチングにより前記犠牲層を除去し、前記犠牲層が設けられている部分を空洞とする工程とを備え、
前記音響反射層が、複数の音響インピーダンス層を有し、
前記複数の音響インピーダンス層が、少なくとも1層の低音響インピーダンス層と、該低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い、少なくとも1層の高音響インピーダンス層とを有しており、
前記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数が、前記圧電基板の周波数温度係数と逆の極性であり、又は、
前記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数が、前記圧電基板の周波数温度係数と同じ極性であり、かつ、前記複数の音響インピーダンス層のうち少なくとも1層の周波数温度係数の絶対値が、前記圧電基板の周波数温度係数の絶対値より小さい、
ことを特徴とする、弾性波装置の製造方法。
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