JP2016119454A - Fluorescent material layer coated optical semiconductor element and manufacturing method of the same - Google Patents

Fluorescent material layer coated optical semiconductor element and manufacturing method of the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fluorescent material layer coated optical semiconductor element excellent in emission intensity and a manufacturing method of the same.SOLUTION: A fluorescent material layer encapsulated LED 1 includes: an LED 2; a fluorescent material layer 3, for coating the LED 2; and a transparent layer 4, for coating at least part of the fluorescent material layer 3.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法、詳しくは、蛍光体層被覆光半導体素子、および、それを製造するための方法に関する。   The present invention relates to a phosphor layer-coated optical semiconductor element and a method for manufacturing the same, and more particularly to a phosphor layer-coated optical semiconductor element and a method for manufacturing the same.

従来、下面が露出する光半導体素子と、光半導体素子の上面および側面を被覆する蛍光体層とを備える蛍光体層被覆光半導体素子が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   2. Description of the Related Art Conventionally, a phosphor layer-covered optical semiconductor element has been proposed that includes an optical semiconductor element whose lower surface is exposed and a phosphor layer that covers the upper surface and side surfaces of the optical semiconductor element (see, for example, Patent Document 1).

特開2012−39013号公報JP 2012-39013 A

しかるに、蛍光体層被覆光半導体素子には、優れた発光強度が求められる。しかし、特許文献1に記載の蛍光体層被覆光半導体素子は、上記した発光強度を満足することができないという不具合がある。   However, the phosphor layer-coated optical semiconductor element is required to have excellent emission intensity. However, the phosphor layer-coated optical semiconductor element described in Patent Document 1 has a problem that it cannot satisfy the above-described emission intensity.

本発明の目的は、発光強度に優れる蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a phosphor layer-coated optical semiconductor element having excellent emission intensity and a method for producing the same.

上記目的を達成するために、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子は、光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する蛍光体層と、前記蛍光体層の少なくとも一部を被覆する透明層とを備えることを特徴としている。   To achieve the above object, a phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention includes an optical semiconductor element, a phosphor layer that covers the optical semiconductor element, and a transparent layer that covers at least a part of the phosphor layer. It is characterized by comprising.

この蛍光体層被覆光半導体素子は、蛍光体層の少なくとも一部を被覆する透明層を備えるので、発光強度を向上させることができる。   Since this phosphor layer-covered optical semiconductor element includes a transparent layer that covers at least a part of the phosphor layer, the emission intensity can be improved.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子では、前記光半導体素子は、基板に接触することができる素子側接触可能面と、前記素子側接触可能面に対して一方側に距離xを隔てて対向配置される素子側対向面と、前記素子側接触可能面および前記素子側対向面に連結される素子側連結面とを有し、前記蛍光体層は、前記素子側対向面に対して前記一方側に距離yを隔てて対向配置される蛍光体側第1対向面と、前記素子側連結面に対して前記一方向に対する直交方向に距離αを隔てて対向配置される蛍光体側第2対向面とを有し、前記透明層は、前記蛍光体側第1対向面に対して前記一方側に距離zを隔てて対向配置される透明側対向面と、前記透明側対向面に連結され、前記一方向に投影したときに、前記素子側連結面に対して前記直交方向に間隔を隔てて配置される透明側連結面とを有し、
下記(1)〜(4)の全てを満足することが好適である。
In the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention, the optical semiconductor element has an element-side contactable surface that can contact the substrate and a distance x on one side with respect to the element-side contactable surface. An element-side facing surface disposed opposite to each other, an element-side contactable surface, and an element-side coupling surface coupled to the element-side facing surface, and the phosphor layer is disposed on the element-side facing surface. A phosphor-side first opposing surface arranged to face the one side with a distance y and a phosphor-side second opposing surface arranged to face the element-side connecting surface with a distance α in a direction orthogonal to the one direction. The transparent layer is connected to the transparent side facing surface, the transparent side facing surface disposed opposite to the phosphor side first facing surface at a distance z from the one side, and the transparent side facing surface, When projected in one direction, the direction perpendicular to the element-side coupling surface And a transparent side connecting surface disposed at intervals in the,
It is preferable that all of the following (1) to (4) are satisfied.

(1)前記距離yを前記距離xで除した値(y/x)が、1以上、5以下である。   (1) A value (y / x) obtained by dividing the distance y by the distance x is 1 or more and 5 or less.

(2)前記距離yと前記距離zとの和(y+z)が、0.25mm以上、2mm以下である。   (2) The sum (y + z) of the distance y and the distance z is not less than 0.25 mm and not more than 2 mm.

(3)前記距離αと、前記蛍光体側第2対向面と前記透明側連結面との距離βとの和(α+β)が、50μm以上、2000μm以下である。但し、前記距離βは、0以上である。   (3) The sum (α + β) of the distance α and the distance β between the phosphor-side second facing surface and the transparent connecting surface is 50 μm or more and 2000 μm or less. However, the distance β is 0 or more.

(4)前記距離yを前記距離αで除した値(y/α)が、1以上、2.5以下である。   (4) A value (y / α) obtained by dividing the distance y by the distance α is 1 or more and 2.5 or less.

この蛍光体層被覆光半導体素子は、上記(1)〜(4)の全てを満足するので、発光強度をより一層向上させながら、優れた色均一性を有し、かつ、色ムラを抑制することができる。   Since this phosphor layer-coated optical semiconductor element satisfies all of the above (1) to (4), it has excellent color uniformity and further suppresses color unevenness while further improving the light emission intensity. be able to.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子では、前記蛍光体層は、蛍光体と、第1の透明組成物とを含有し、前記第1の透明組成物の屈折率RIpが、1.45以上、1.60以下であることが好適である。   In the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention, the phosphor layer contains a phosphor and a first transparent composition, and the refractive index RIp of the first transparent composition is 1. It is preferable that it is 45 or more and 1.60 or less.

この蛍光体層被覆光半導体素子では、第1の透明組成物の屈折率RIpが、1.45以上、1.60以下であるので、発光強度を向上させることができる。   In this phosphor layer-coated optical semiconductor element, the refractive index RIp of the first transparent composition is 1.45 or more and 1.60 or less, so that the emission intensity can be improved.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子では、前記蛍光体層は、蛍光体と、第1の透明組成物とを含有し、前記透明層は、第2の透明組成物を含有し、前記第1の透明組成物の屈折率RIpから前記第2の透明組成物の屈折率RItを差し引いた値(RIp−RIt)が、−0.70以上、0.20以下であることが好適である。   In the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention, the phosphor layer contains a phosphor and a first transparent composition, and the transparent layer contains a second transparent composition, A value obtained by subtracting the refractive index RIt of the second transparent composition from the refractive index RIp of the first transparent composition (RIp−RIt) is preferably −0.70 or more and 0.20 or less. is there.

この蛍光体層被覆光半導体素子では、第1の透明組成物の屈折率RIpから第2の透明組成物の屈折率RItを差し引いた値(RIp−RIt)が、−0.70以上、0.20以下であるので、発光強度を向上させることができる。   In this phosphor layer-coated optical semiconductor element, a value (RIp−RIt) obtained by subtracting the refractive index RIt of the second transparent composition from the refractive index RIp of the first transparent composition is −0.70 or more, and 0. Since it is 20 or less, the emission intensity can be improved.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子では、前記RIp−前記RItが、0.05以上であることが好適である。   In the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention, it is preferable that the RIp−RIt is 0.05 or more.

この蛍光体層被覆光半導体素子では、RIp−RItが、0.05以上であるので、発光強度をより一層向上させることができる。   In this phosphor layer-coated optical semiconductor element, since RIp-RIt is 0.05 or more, the emission intensity can be further improved.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子では、前記蛍光体側第2対向面と前記透明側連結面とが前記一方向において面一に形成されていることが好適である。   In the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention, it is preferable that the phosphor-side second facing surface and the transparent-side coupling surface are formed flush with each other in the one direction.

蛍光体層被覆光半導体素子における蛍光体層と透明層とに、簡易な方法により、蛍光体側第2対向面と透明側連結面とをそれぞれ形成することができる。   The phosphor-side second opposing surface and the transparent-side connecting surface can be formed on the phosphor layer and the transparent layer in the phosphor layer-coated optical semiconductor element by a simple method.

本発明の蛍光体層被覆光半導体素子では、前記距離αが、50μmを超過することが好適である。   In the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention, it is preferable that the distance α exceeds 50 μm.

この蛍光体層被覆光半導体素子では、距離αが、50μmを超過するので、色均一性を向上させることができる。   In this phosphor layer-coated optical semiconductor element, the distance α exceeds 50 μm, so that the color uniformity can be improved.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法は、上記した蛍光体層被覆光半導体素子を製造するための方法であって、前記蛍光体層を前記透明層の表面に形成して、被覆シートを製造する工程と、前記被覆シートを、前記蛍光体層が複数の光半導体素子を被覆するように、配置する工程とを備えることを特徴としている。   The method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention is a method for manufacturing the above-described phosphor layer-covered optical semiconductor element, wherein the phosphor layer is formed on the surface of the transparent layer. And a step of manufacturing a covering sheet, and a step of arranging the covering sheet so that the phosphor layer covers a plurality of optical semiconductor elements.

この蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法によれば、被覆シートを用いて、発光強度に優れる蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。   According to this method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element, a phosphor layer-covered optical semiconductor element having excellent emission intensity can be easily manufactured using a cover sheet.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法は、前記被覆シートを、前記蛍光体層被覆光半導体素子が個片化されるように、切断する工程をさらに備えることが好適である。   Moreover, it is preferable that the manufacturing method of the phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention further includes a step of cutting the cover sheet so that the phosphor layer-covered optical semiconductor element is separated into pieces. .

この蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法によれば、所望の寸法を有する蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。   According to this method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element, a phosphor layer-covered optical semiconductor element having a desired dimension can be easily manufactured.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法は、上記した蛍光体層被覆光半導体素子を製造するための方法であって、シート状の蛍光体層を用意する蛍光体層用意工程と、前記シート状の蛍光体層を、前記光半導体素子を被覆するように、配置する蛍光体層配置工程と、前記蛍光体層配置工程の後に、前記透明層を、前記蛍光体層の少なくとも一部を被覆するように、配置する透明層配置工程とを備えることを特徴としている。   Moreover, the manufacturing method of the phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention is a method for manufacturing the above-described phosphor layer-covered optical semiconductor element, and a phosphor layer preparation step of preparing a sheet-like phosphor layer And, after the phosphor layer arranging step of arranging the sheet-like phosphor layer so as to cover the optical semiconductor element, and after the phosphor layer arranging step, the transparent layer is placed at least on the phosphor layer. And a transparent layer arranging step of arranging so as to cover a part.

この蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法は、シート状の蛍光体層を用意する蛍光体層用意工程と、シート状の蛍光体層を、光半導体素子を被覆するように、配置する蛍光体層配置工程とを備えるので、シート状の蛍光体層を用いて、発光強度に優れる蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。   The phosphor layer-covered optical semiconductor device includes a phosphor layer preparing step of preparing a sheet-like phosphor layer, and a phosphor in which the sheet-like phosphor layer is disposed so as to cover the optical semiconductor device. And a layer arrangement step, a phosphor layer-covered optical semiconductor element having excellent emission intensity can be easily produced using a sheet-like phosphor layer.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法において、前記蛍光体層配置工程では、前記シート状の蛍光体層を、複数の前記光半導体素子を埋設するように、配置し、前記蛍光体層配置工程の後であって、前記透明層配置工程の前に、前記蛍光体層を、複数の前記光半導体素子に対応して個片化するともに、前記光半導体素子に対して遠隔にある前記蛍光体層を除去する個片化/除去工程をさらに備えることが好適である。   In the method for producing a phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention, in the phosphor layer arranging step, the sheet-like phosphor layer is arranged so as to embed a plurality of the optical semiconductor elements, and After the phosphor layer arranging step and before the transparent layer arranging step, the phosphor layer is separated into pieces corresponding to the plurality of optical semiconductor elements, and remote from the optical semiconductor elements. It is preferable that the method further comprises a singulation / removal step for removing the phosphor layer.

この蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法によれば、個片化/除去工程において、蛍光体層配置工程の後であって、透明層配置工程の前に、蛍光体層を、複数の光半導体素子に対応して個片化する同時に、光半導体素子に対して遠隔にある蛍光体層を除去するので、少ない工数で、所望の寸法を有する蛍光体層被覆光半導体素子を製造することができる。   According to this method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element, in the singulation / removal step, the phosphor layer is placed in a plurality of light after the phosphor layer placement step and before the transparent layer placement step. Since the phosphor layer remote from the optical semiconductor element is removed at the same time as being separated into pieces corresponding to the semiconductor element, a phosphor layer-covered optical semiconductor element having a desired size can be manufactured with a small number of man-hours. it can.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法では、前記光半導体素子は、基板に接触することができる素子側接触可能面と、前記素子側接触可能面に対して一方側に距離xを隔てて対向配置される素子側対向面と、前記素子側接触可能面および前記素子側対向面に連結される素子側連結面とを有し、前記蛍光体層配置工程では、前記シート状の蛍光体層を、複数の前記光半導体素子の前記素子側連結面を被覆するように、配置し、前記個片化/除去工程では、前記素子側連結面を被覆する前記蛍光体層を残存させることが好適である。   In the method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention, the optical semiconductor element has an element-side contactable surface that can contact a substrate and a distance on one side with respect to the element-side contactable surface. an element-side facing surface opposed to each other across x, an element-side contactable surface, and an element-side connecting surface connected to the element-side facing surface, and in the phosphor layer arranging step, the sheet-like surface The phosphor layer is disposed so as to cover the element-side connection surfaces of the plurality of optical semiconductor elements, and in the individualization / removal step, the phosphor layer covering the element-side connection surfaces remains. Is preferable.

この蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法によれば、個片化/除去工程では、素子側連結面を被覆する蛍光体層を残存させるので、所望の寸法の蛍光体層を備える蛍光体層被覆光半導体素子を、簡便に製造することができる。   According to this method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element, in the singulation / removal step, the phosphor layer that covers the element-side connecting surface remains, so that the phosphor layer having a phosphor layer with a desired size is provided. The coated optical semiconductor element can be easily manufactured.

また、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法は、シート状の透明層を用意する透明層用意工程をさらに備え、前記透明層用意工程では、前記シート状の透明層を、前記蛍光体層の少なくとも一部を被覆するように、配置することが好適である。   The method for producing a phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention further includes a transparent layer preparation step of preparing a sheet-like transparent layer, and in the transparent layer preparation step, the sheet-like transparent layer is provided with the fluorescent layer. It is suitable to arrange so as to cover at least a part of the body layer.

この蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法によれば、シート状の透明層を用いるので、発光強度に優れる蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。   According to this method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element, since a sheet-like transparent layer is used, a phosphor layer-covered optical semiconductor element having excellent emission intensity can be easily manufactured.

本発明の蛍光体層被覆光半導体素子は、発光強度を向上させることができる。   The phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention can improve the emission intensity.

本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法は、発光強度に優れる蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。   The method for producing a phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention can easily produce a phosphor layer-coated optical semiconductor element having excellent emission intensity.

図1は、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の第1実施形態である蛍光体層封止LED(透明層の側面が、蛍光体層の側面と面一に形成される態様)の断面図を示す。FIG. 1 is a cross section of a phosphor layer-sealed LED (embodiment in which a side surface of a transparent layer is formed flush with a side surface of a phosphor layer), which is a first embodiment of a phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention. The figure is shown. 図2A〜図2Fは、図1に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法を示す工程図であって、図2Aは、封止シートを用意する工程、図2Bは、複数のLEDを用意する工程、図2Cは、封止シートによって複数のLEDを封止する工程、図2Dは、蛍光体層封止LEDに個片化する工程、図2Eは、蛍光体層封止LEDを得る工程、図2Fは、蛍光体層封止LEDを基板に実装する工程を示す。2A to 2F are process diagrams showing a method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 1 and a method for manufacturing an LED device using the phosphor layer-sealed LED, and FIG. Step of preparing a sheet, FIG. 2B is a step of preparing a plurality of LEDs, FIG. 2C is a step of sealing a plurality of LEDs with a sealing sheet, and FIG. 2D is an individualized phosphor layer-sealed LED. 2E shows a step of obtaining a phosphor layer-sealed LED, and FIG. 2F shows a step of mounting the phosphor layer-sealed LED on a substrate. 図3A〜図3Dは、図2A〜図2Fに示す蛍光体層封止LEDの製造方法およびLED装置の製造方法の変形例を示す工程図であって、図3Aは、LEDおよび第1ダムを用意する工程、図3Bは、第1ダムを配置する工程、図3Cは、蛍光体層を第1ダム内に形成する工程、図3Dは、第1ダムを引き上げ、次いで、第2ダムを用意する工程、図3Eは、第2ダムを配置する工程を示す。3A to 3D are process diagrams showing a modification of the phosphor layer-sealed LED manufacturing method and the LED device manufacturing method shown in FIGS. 2A to 2F, and FIG. 3A shows the LED and the first dam. Step of preparing, FIG. 3B is a step of arranging the first dam, FIG. 3C is a step of forming a phosphor layer in the first dam, and FIG. 3D is a step of raising the first dam and then preparing the second dam. FIG. 3E shows a step of arranging the second dam. 図4F〜図4Iは、図3Eに引き続き、図2A〜図2Eに示す蛍光体層封止LEDの製造方法およびLED装置の製造方法の変形例を示す工程図であって、図4Fは、透明層を第2ダム内に形成する工程、図4Gは、蛍光体層および透明層と、第2ダムとの界面に沿って、それらを切断する工程、図4Hは、蛍光体層封止LEDを得る工程、図4Iは、蛍光体層封止LEDを基板に実装する工程を示す。FIG. 4F to FIG. 4I are process diagrams showing modifications of the phosphor layer-sealed LED manufacturing method and the LED device manufacturing method shown in FIG. 2A to FIG. 2E, following FIG. 3E. 4G is a step of cutting the phosphor layer and the transparent layer along the interface between the second dam and FIG. 4H is a step of cutting the phosphor layer-sealed LED. FIG. 4I shows the step of mounting the phosphor layer-sealed LED on the substrate. 図5は、図1に示す蛍光体層封止LEDの変形例(蛍光体層の下面が、LEDの下面より上側に位置する態様)の断面図を示す。FIG. 5 shows a cross-sectional view of a modification of the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 1 (a mode in which the lower surface of the phosphor layer is located above the lower surface of the LED). 図6は、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の第2実施形態である蛍光体層封止LED(透明層の側面が、蛍光体層の側面に対して外側に形成される態様)の断面図を示す。FIG. 6 shows a phosphor layer-sealed LED (embodiment in which the side surface of the transparent layer is formed outside the side surface of the phosphor layer) which is the second embodiment of the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention. A cross-sectional view is shown. 図7A〜図7Fは、図6に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法を示す工程図であって、図7Aは、複数のLEDと、蛍光封止シートとを用意する工程、図7Bは、蛍光体層によって複数のLEDを封止する工程、図7Cは、剥離シートを蛍光体層から引き剥がす工程、図7Dは、蛍光体層封止LEDに個片化する工程、図7Eは、蛍光体層封止LEDを支持板から剥離する工程、図7Fは、蛍光体層封止LEDを得る工程を示す。7A to 7F are process diagrams showing a method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 6 and a method for manufacturing an LED device using the phosphor layer-sealed LED. FIG. 7A shows a plurality of steps. FIG. 7B is a step of sealing a plurality of LEDs with a phosphor layer, FIG. 7C is a step of peeling the release sheet from the phosphor layer, and FIG. 7E shows a step of separating the phosphor layer-sealed LED from the support plate, and FIG. 7F shows a step of obtaining the phosphor layer-sealed LED. 図8G〜図8Kは、図7Fに引き続き、図6に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法を示す工程図であって、図8Gは、複数の蛍光体層封止LEDを第2支持板に再配置するとともに、透明シートを用意する工程図8Hは、複数の蛍光体層封止LEDを透明層によって封止する工程、図8Iは、第2剥離シートを透明層から引き剥がす工程、図8Jは、蛍光体層封止LEDに個片化する工程、図8Kは、蛍光体層封止LEDを得る工程、図8Lは、蛍光体層封止LEDを基板に実装する工程を示す。FIG. 8G to FIG. 8K are process diagrams showing the manufacturing method of the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 6 and the manufacturing method of the LED device using the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 8G is a process of rearranging a plurality of phosphor layer-sealed LEDs on the second support plate and preparing a transparent sheet. FIG. 8H is a process of sealing a plurality of phosphor layer-sealed LEDs with a transparent layer. 8I is a step of peeling the second release sheet from the transparent layer, FIG. 8J is a step of separating the phosphor layer-sealed LED, FIG. 8K is a step of obtaining the phosphor layer-sealed LED, and FIG. The process of mounting fluorescent substance layer sealing LED on a board | substrate is shown. 図9は、図6に示す蛍光体層封止LEDの変形例(蛍光体層の下面および透明層の下面が、LEDから露出する露出面を備え、露出面は、LEDの下面より上側に位置する部分を有する態様)の断面図を示す。9 shows a modification of the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 6 (the lower surface of the phosphor layer and the lower surface of the transparent layer have an exposed surface exposed from the LED, and the exposed surface is located above the lower surface of the LED. FIG. 図10A〜図10Fは、図7に示す蛍光体層封止LEDを得る方法の変形例を示す工程図であって、図10Aは、複数のLEDと、蛍光封止シートとを用意する工程、図10Bは、蛍光体層によって複数のLEDを封止する工程、図10Cは、剥離シートを蛍光体層から引き剥がす工程、図10Dは、蛍光体層封止LEDに個片化する工程、図10Eは、蛍光体層封止LEDを得る工程を示す。10A to 10F are process diagrams showing a modification of the method for obtaining the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 7, and FIG. 10A is a process of preparing a plurality of LEDs and a fluorescent sealing sheet, FIG. 10B is a step of sealing a plurality of LEDs with a phosphor layer, FIG. 10C is a step of peeling off the release sheet from the phosphor layer, and FIG. 10D is a step of separating into individual phosphor layer-sealed LEDs. 10E shows the process of obtaining fluorescent substance layer sealing LED. 図11は、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子の第3実施形態である蛍光体層封止LED(透明層が、鍔部を有する態様)の断面図を示す。FIG. 11 shows a cross-sectional view of a phosphor layer-sealed LED (a mode in which the transparent layer has a collar portion) which is a third embodiment of the phosphor layer-coated optical semiconductor element of the present invention. 図12A〜図12Dは、図11に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法を示す工程図であって、図12Aは、複数のLEDと、蛍光封止シートとを用意する工程、図12Bは、蛍光体層によって複数のLEDを封止する工程、図12Cは、蛍光体層に凹部を形成する工程、図12Dは、透明シートを用意する工程を示す。12A to 12D are process diagrams showing a method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 11 and a method for manufacturing an LED device using the phosphor layer-sealed LED. FIG. 12A shows a plurality of steps. Step of preparing LED and fluorescent sealing sheet, FIG. 12B is a step of sealing a plurality of LEDs with a phosphor layer, FIG. 12C is a step of forming recesses in the phosphor layer, and FIG. 12D is a transparent sheet. The process of preparing is shown. 図13E〜図13Iは、図12Dに引き続き、図11に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法を示す工程図であって、図13Eは、透明層を蛍光体層の上面に配置し、次いで、第2剥離シートを透明層から引き剥がす工程、図13Fは、蛍光体層封止LEDに個片化する工程、図13Gは、蛍光体層封止LEDを得る工程、図13Hは、蛍光体層封止LEDを転写シートに転写する工程、図13Iは、蛍光体層封止LEDを基板に実装する工程を示す。FIG. 13E to FIG. 13I are process diagrams showing the manufacturing method of the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 11 and the manufacturing method of the LED device using the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 13E is a step of disposing a transparent layer on the upper surface of the phosphor layer, and then peeling the second release sheet from the transparent layer, FIG. 13F is a step of separating into individual phosphor layer-sealed LEDs, and FIG. Step of obtaining the phosphor layer-sealed LED, FIG. 13H shows a step of transferring the phosphor layer-sealed LED to the transfer sheet, and FIG. 13I shows a step of mounting the phosphor layer-sealed LED on the substrate. 図14A〜図14Dは、図11に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法の変形例を示す工程図であって、図14Aは、複数のLEDと、蛍光封止シートとを用意する工程、図14Bは、蛍光体層によって複数のLEDを封止する工程、図14Cは、剥離シートを蛍光体層から引き剥がす工程、図14Dは、透明シートを用意する工程を示す。14A to 14D are process diagrams showing a modification of the method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 11 and the method for manufacturing the LED device using the phosphor layer-sealed LED, and FIG. 14B is a step of preparing a plurality of LEDs and a phosphor encapsulating sheet, FIG. 14B is a step of encapsulating a plurality of LEDs with a phosphor layer, and FIG. 14C is a step of peeling off the release sheet from the phosphor layer. These show the process of preparing a transparent sheet. 図15E〜図15Hは、図14Dに引き続き、図11に示す蛍光体層封止LEDの製造方法、および、蛍光体層封止LEDを用いるLED装置の製造方法の変形例を示す工程図であって、図15Eは、透明層を蛍光体層の上面に配置し、次いで、第2剥離シートを透明層から引き剥がす工程、図15Fは、蛍光体層封止LEDに個片化する工程、図15Gは、蛍光体層封止LEDを得る工程、図15Hは、蛍光体層封止LEDを基板に実装する工程を示す。FIG. 15E to FIG. 15H are process diagrams showing a modification of the method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 11 and the method for manufacturing the LED device using the phosphor layer-sealed LED, following FIG. 14D. 15E shows a step of disposing the transparent layer on the upper surface of the phosphor layer and then peeling the second release sheet from the transparent layer. FIG. 15F shows a step of separating the phosphor layer-sealed LED into individual pieces. 15G shows a step of obtaining a phosphor layer-sealed LED, and FIG. 15H shows a step of mounting the phosphor layer-sealed LED on a substrate. 図16は、比較例1の蛍光体層封止LED(透明層がない態様)の断面図を示す。16 shows a cross-sectional view of the phosphor layer-sealed LED of Comparative Example 1 (embodiment without a transparent layer). 図17は、比較例2の蛍光体層封止LED(蛍光体層に鍔部が形成されるが、透明層がない態様)の断面図を示す。FIG. 17 shows a cross-sectional view of the phosphor layer-sealed LED of Comparative Example 2 (an embodiment in which a collar portion is formed in the phosphor layer but there is no transparent layer).

本発明の蛍光体層被覆光半導体素子は、光半導体素子と、光半導体素子を被覆する蛍光体層と、蛍光体層の少なくとも一部を被覆する透明層とを備える。   The phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention includes an optical semiconductor element, a phosphor layer that covers the optical semiconductor element, and a transparent layer that covers at least a part of the phosphor layer.

以下、第1実施形態〜第3実施形態によって、図1〜図15Hを参照して、本発明の蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法の一例を説明する。   Hereinafter, with reference to FIGS. 1 to 15H, an example of the phosphor layer-covered optical semiconductor element of the present invention and a method for manufacturing the same will be described according to the first to third embodiments.

<第1実施形態>
図1において、紙面上下方向は、上下方向(第1方向、厚み方向)であり、紙面上側が上側(第1方向一方側、厚み方向一方側)、紙面下側を下側(第1方向他方側、厚み方向他方側)である。紙面左右方向は、左右方向(第1方向に直交する第2方向)であり、紙面左側が左側(第2方向一方側)、紙面右側が右側(第2方向他方側)である。紙厚方向は、前後方向(第1方向および第2方向に直交する第3方向)であり、紙面手前側が前側(第3方向一方側)、紙面奥側が後側(第3方向他方側)である。
<First Embodiment>
In FIG. 1, the vertical direction of the paper is the vertical direction (first direction, thickness direction), the upper side of the paper is the upper side (one side in the first direction, the one side in the thickness direction), and the lower side of the paper is the lower side (the other in the first direction). Side, the other side in the thickness direction). The left and right direction on the paper surface is the left and right direction (second direction orthogonal to the first direction), the left side on the paper surface is the left side (second side in the second direction), and the right side on the paper surface is the right side (the other side in the second direction). The paper thickness direction is the front-rear direction (the third direction orthogonal to the first direction and the second direction), the front side of the paper is the front side (one side in the third direction), and the back side of the paper is the rear side (the other side in the third direction). is there.

[蛍光体層封止LED]
図1に示すように、蛍光体層被覆光半導体素子の一例としての蛍光体層封止LED1は、光半導体素子の一例としてのLED2と、LED2の上面および側面を被覆する蛍光体層3と、蛍光体層3の上面を被覆する透明層4とを備える。
[Phosphor layer sealed LED]
As shown in FIG. 1, a phosphor layer-sealed LED 1 as an example of a phosphor layer-covered optical semiconductor element includes an LED 2 as an example of an optical semiconductor element, a phosphor layer 3 that covers the upper surface and side surfaces of the LED 2, And a transparent layer 4 covering the upper surface of the phosphor layer 3.

[各部材の説明]
LED2は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する光半導体素子である。光半導体素子は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。LED2は、例えば、厚み(上下方向の最大長さ)が面方向長さ(具体的には、左右方向長さおよび前後方向長さ)より短い断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。LED2は、下面21と、上面22と、側面23とを有している。
[Description of each member]
The LED 2 is an optical semiconductor element that converts electrical energy into light energy. The optical semiconductor element does not include a rectifier such as a transistor having a technical field different from that of the optical semiconductor element. The LED 2 is formed, for example, in a substantially rectangular shape in cross-sectional view and a substantially rectangular shape in plan view in which the thickness (maximum length in the vertical direction) is shorter than the length in the surface direction (specifically, the length in the horizontal direction and the length in the front-rear direction). Has been. The LED 2 has a lower surface 21, an upper surface 22, and a side surface 23.

LED2の下面21は、基板50に接触することができる素子側接触可能面の一例である。LED2の下面21の一部は、バンプ(図示せず)によって形成され、基板50の上面に設けられる端子(図2において図示せず)と電気的に接続される。LED2の下面21は、蛍光体層封止LED1の最下面である。   The lower surface 21 of the LED 2 is an example of an element-side contactable surface that can contact the substrate 50. A part of the lower surface 21 of the LED 2 is formed by a bump (not shown) and is electrically connected to a terminal (not shown in FIG. 2) provided on the upper surface of the substrate 50. The lower surface 21 of the LED 2 is the lowermost surface of the phosphor layer-sealed LED 1.

LED2の上面22は、LED2の下面21に対して上側(一方側の一例)に距離xを隔てて対向配置される素子側対向面の一例である。なお、上記したLED2の上面22が下面21に対して上側に隔てられる距離xは、LED2の厚みxと同一である。   The upper surface 22 of the LED 2 is an example of an element-side facing surface that is disposed to face the lower surface 21 of the LED 2 on the upper side (an example of one side) with a distance x. Note that the distance x at which the upper surface 22 of the LED 2 is separated from the lower surface 21 is the same as the thickness x of the LED 2.

LED2の側面23、つまり、前面、後面、左面および右面は、下面21および上面22に連結される素子側連結面の一例である。   The side surfaces 23 of the LED 2, that is, the front surface, the rear surface, the left surface, and the right surface are examples of element-side connection surfaces that are connected to the lower surface 21 and the upper surface 22.

LED2の上面22および側面23は、発光層(図示せず)によって形成されている。   The upper surface 22 and the side surface 23 of the LED 2 are formed by a light emitting layer (not shown).

LED2としては、例えば、青色光を発光する青色LED(発光ダイオード素子)が挙げられる。   As LED2, blue LED (light emitting diode element) which light-emits blue light is mentioned, for example.

蛍光体層3は、LED2から発光される青色光の一部を黄色光する波長変換層である。蛍光体層3は、平面視において、LED2を包含する形状に形成されている。蛍光体層3は、LED2の上面22および側面23を被覆する一方、LED2の下面21を露出するように、配置される。つまり、蛍光体層3の下部の中央には、LED2を収容する収容部30が形成されている。収容部30は、蛍光体層3の下面32から、上側に向かって凹む凹部であり、LED2の外形形状に対応するように形成されている。つまり、蛍光体層3は、収容部30が形成された断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。蛍光体層3は、下面32と、上面31と、側面33と、収容部30内に形成される内面34とを有している。   The phosphor layer 3 is a wavelength conversion layer that yellow-lights part of the blue light emitted from the LED 2. The phosphor layer 3 is formed in a shape including the LED 2 in plan view. The phosphor layer 3 is disposed so as to cover the upper surface 22 and the side surface 23 of the LED 2 while exposing the lower surface 21 of the LED 2. That is, a housing portion 30 that houses the LED 2 is formed in the center of the lower portion of the phosphor layer 3. The accommodating portion 30 is a concave portion that is recessed upward from the lower surface 32 of the phosphor layer 3, and is formed to correspond to the outer shape of the LED 2. That is, the phosphor layer 3 is formed in a substantially rectangular shape in cross-section in which the accommodating portion 30 is formed and a substantially rectangular shape in plan view. The phosphor layer 3 has a lower surface 32, an upper surface 31, a side surface 33, and an inner surface 34 formed in the housing portion 30.

蛍光体層3の下面32は、蛍光体層3における最下面であって、かつ、基板50に接触することができる蛍光体側接触可能面である。   The lower surface 32 of the phosphor layer 3 is the lowermost surface of the phosphor layer 3 and is a phosphor-side contactable surface that can contact the substrate 50.

蛍光体層3の上面31は、LED2の上面22に対して上側(一方側の一例)に距離yを隔てて対向配置される蛍光体側第1対向面の一例である。また、蛍光体層3の上面31は、LED2の上面22に対して上側に距離yを隔てて対向配置される面でもある。なお、蛍光体層3において、上面31が蛍光体層3の下面32(すなわち、LED2の上面22)に対して上側に隔てられる距離yは、蛍光体層3においてLED2の上側に対向配置される部分の厚みyである。   The upper surface 31 of the phosphor layer 3 is an example of a phosphor-side first facing surface that is disposed to face the upper surface 22 of the LED 2 on the upper side (an example of one side) at a distance y. Further, the upper surface 31 of the phosphor layer 3 is also a surface that is opposed to the upper surface 22 of the LED 2 with a distance y therebetween. In the phosphor layer 3, the distance y at which the upper surface 31 is separated upward from the lower surface 32 of the phosphor layer 3 (that is, the upper surface 22 of the LED 2) is opposed to the upper side of the LED 2 in the phosphor layer 3. The thickness y of the portion.

蛍光体層3の側面33、つまり、前面、後面、左面および右面は、LED2の側面23に対して面方向(直交方向の一例)外側に距離αを隔てて対向配置される蛍光体側第2対向面の一例である。また、蛍光体層3の側面33は、側方に露出する露出面として形成される。なお、蛍光体層3の側面33がLED2の側面23に対して外側に隔てられる距離αは、蛍光体層3においてLED2の外側に対向配置される部分(側部35)の左右方向長さおよび前後方向長さ(最小長さ)αである。   The side surface 33 of the phosphor layer 3, that is, the front surface, the rear surface, the left surface, and the right surface are opposed to the side surface 23 of the LED 2 in the surface direction (an example of the orthogonal direction) and are opposed to each other with a distance α. It is an example of a surface. Further, the side surface 33 of the phosphor layer 3 is formed as an exposed surface exposed to the side. Note that the distance α at which the side surface 33 of the phosphor layer 3 is separated outward from the side surface 23 of the LED 2 is the length in the left-right direction of the portion (side portion 35) facing the outside of the LED 2 in the phosphor layer 3. The longitudinal length (minimum length) α.

蛍光体層3の収容部30の内面34は、LED2の上面22および側面23に接触している。   The inner surface 34 of the accommodating portion 30 of the phosphor layer 3 is in contact with the upper surface 22 and the side surface 23 of the LED 2.

蛍光体層3は、例えば、蛍光体樹脂組成物から形成されている。   The phosphor layer 3 is formed of, for example, a phosphor resin composition.

蛍光体樹脂組成物は、蛍光体と、透明樹脂組成物(第1の透明組成物の一例である第1の透明樹脂組成物)とを含有している。   The phosphor resin composition contains a phosphor and a transparent resin composition (a first transparent resin composition that is an example of a first transparent composition).

蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。   Examples of the phosphor include a yellow phosphor that can convert blue light into yellow light, and a red phosphor that can convert blue light into red light.

黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)SiO;Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、YAl12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、TbAl12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。 Examples of the yellow phosphor include silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 ; Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)), for example, Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce), Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium, aluminum, garnet): Ce) Examples thereof include oxynitride phosphors such as Ca-α-SiAlON.

赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN:Eu、CaSiN:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。 Examples of the red phosphor include nitride phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu and CaSiN 2 : Eu.

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。   Examples of the shape of the phosphor include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape. Preferably, spherical shape is mentioned from a fluid viewpoint.

蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下でもある。   The average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a sphere, the average particle diameter) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 1 μm or more, and for example, 200 μm or less, preferably 100 μm or less. But there is.

蛍光体の比重は、例えば、2.0を超え、また、例えば、9.0以下である。   The specific gravity of the phosphor exceeds, for example, 2.0 and is, for example, 9.0 or less.

蛍光体は、単独使用または併用することができる。   The phosphors can be used alone or in combination.

蛍光体の配合割合は、透明樹脂組成物100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、例えば、80質量部以下、好ましくは、50質量部以下である。また、蛍光体の配合割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。   The blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 80 parts by mass or less, preferably 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the transparent resin composition. It is below mass parts. The blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more, for example, 90% by mass or less, preferably 80% by mass with respect to the phosphor resin composition. It is below mass%.

透明樹脂組成物は、例えば、LED2を封止するための封止材として使用される透明性の樹脂組成物が挙げられる。具体的には、透明樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂組成物、熱可塑性樹脂組成物、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物が挙げられる。   As for a transparent resin composition, the transparent resin composition used as a sealing material for sealing LED2 is mentioned, for example. Specifically, examples of the transparent resin composition include a thermosetting resin composition and a thermoplastic resin composition, preferably a thermosetting resin composition.

熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、2段反応硬化性樹脂組成物、1段反応硬化性樹脂組成物が挙げられる。   Examples of the thermosetting resin composition include a two-stage reaction curable resin composition and a one-stage reaction curable resin composition.

2段反応硬化性樹脂組成物は、2つの反応機構を有しており、第1段の反応で、Aステージ状態からBステージ化(半硬化)し、次いで、第2段の反応で、Bステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる。つまり、2段反応硬化性樹脂組成物は、適度の加熱条件によりBステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物である。ただし、2段反応硬化性樹脂組成物は、強度の加熱によって、Aステージ状態から、Bステージ状態を維持することなく、一度にCステージ状態となることもできる。なお、Bステージ状態は、熱硬化性樹脂組成物が、液状であるAステージ状態と、完全硬化したCステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がCステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。   The two-stage reaction curable resin composition has two reaction mechanisms. In the first stage reaction, the A stage state is changed to B stage (semi-cured), and then in the second stage reaction, B C stage (complete curing) can be performed from the stage state. That is, the two-stage reaction curable resin composition is a thermosetting resin composition that can be in a B stage state under appropriate heating conditions. However, the two-stage reaction curable resin composition can be changed from the A-stage state to the C-stage state at a time without maintaining the B-stage state by intense heating. The B stage state is a state between the A stage state in which the thermosetting resin composition is in a liquid state and the C stage state in which the thermosetting resin composition is completely cured. It is a semi-solid or solid state whose modulus is smaller than the elastic modulus in the C-stage state.

1段反応硬化性樹脂組成物は、1つの反応機構を有しており、第1段の反応で、Aステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる。なお、1段反応硬化性樹脂組成物は、第1段の反応の途中で、その反応が停止して、Aステージ状態からBステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第1段の反応が再開されて、Bステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる熱硬化性樹脂組成物を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂組成物は、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物である。一方、1段反応硬化性樹脂組成物は、1段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Bステージ状態となることができず、一度に、Aステージ状態からCステージ化(完全硬化)する熱硬化性樹脂組成物を含む。   The one-stage reaction curable resin composition has one reaction mechanism, and can be C-staged (completely cured) from the A-stage state by the first-stage reaction. The first-stage reaction curable resin composition can be changed from the A-stage state to the B-stage state in the middle of the first-stage reaction. The thermosetting resin composition that can be C-staged (completely cured) from the B-stage state is included. That is, this thermosetting resin composition is a thermosetting resin composition that can be in a B-stage state. On the other hand, the first-stage reaction curable resin composition cannot be controlled to stop in the middle of the first-stage reaction, that is, cannot enter the B-stage state, and is changed from the A-stage state to the C-stage ( A thermosetting resin composition that completely cures).

透明樹脂組成物としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。透明樹脂組成物として、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。   Examples of the transparent resin composition include silicone resin, epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin. As a transparent resin composition, Preferably, a silicone resin and an epoxy resin are mentioned.

上記した透明樹脂組成物は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。   The above-mentioned transparent resin composition may be the same type or a plurality of types.

シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。   Examples of the silicone resin include silicone resin compositions such as an addition reaction curable silicone resin composition and a condensation / addition reaction curable silicone resin composition from the viewpoint of transparency, durability, heat resistance, and light resistance. . Silicone resins may be used alone or in combination.

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、1段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。   The addition reaction curable silicone resin composition is a one-stage reaction curable resin composition, and includes, for example, an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst.

アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に2個以上のアルケニル基および/またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式(1)で示される。   The alkenyl group-containing polysiloxane contains two or more alkenyl groups and / or cycloalkenyl groups in the molecule. The alkenyl group-containing polysiloxane is specifically represented by the following average composition formula (1).

平均組成式(1):
SiO(4−a−b)/2
(式中、Rは、炭素数2〜10のアルケニル基および/または炭素数3〜10のシクロアルケニル基を示す。Rは、非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基(ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。)を示す。aは、0.05以上、0.50以下であり、bは、0.80以上、1.80以下である。)
式(1)中、Rで示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数2〜10のアルケニル基が挙げられる。Rで示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数3〜10のシクロアルケニル基が挙げられる。
Average composition formula (1):
R 1 a R 2 b SiO (4-ab) / 2
(In the formula, R 1 represents an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms and / or a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms. R 2 represents an unsubstituted or substituted monovalent carbon atom having 1 to 10 carbon atoms. A hydrogen group (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group); a is from 0.05 to 0.50, and b is from 0.80 to 1.80.
In formula (1), examples of the alkenyl group represented by R 1 include alkenyl having 2 to 10 carbon atoms such as vinyl group, allyl group, propenyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, heptenyl group, and octenyl group. Groups. Examples of the cycloalkenyl group represented by R 1 include cycloalkenyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclohexenyl group and a norbornenyl group.

として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数2〜4のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。 R 1 is preferably an alkenyl group, more preferably an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms, and still more preferably a vinyl group.

で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。 The alkenyl groups represented by R 1 may be the same type or a plurality of types.

で示される1価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数1〜10の1価の炭化水素基である。 The monovalent hydrocarbon group represented by R 2 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms other than an alkenyl group and a cycloalkenyl group.

非置換の1価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数1〜10のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数3〜6のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数6〜10のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数7〜8のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および/またはフェニル基が挙げられる。   Examples of the unsubstituted monovalent hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and a pentyl group. , Heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group and other alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group. Examples include alkyl groups such as aryl groups having 6 to 10 carbon atoms such as phenyl, tolyl and naphthyl groups, and aralkyl groups having 7 to 8 carbon atoms such as benzyl and benzylethyl groups. Preferably, a C1-C3 alkyl group and a C6-C10 aryl group are mentioned, More preferably, a methyl group and / or a phenyl group are mentioned.

一方、置換の1価の炭化水素基は、上記した非置換の1価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。   On the other hand, examples of the substituted monovalent hydrocarbon group include those in which the hydrogen atom in the above-described unsubstituted monovalent hydrocarbon group is substituted with a substituent.

置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。   Examples of the substituent include a halogen atom such as a chlorine atom, for example, a glycidyl ether group.

置換の1価の炭化水素基としては、具体的には、3−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。   Specific examples of the substituted monovalent hydrocarbon group include a 3-chloropropyl group and a glycidoxypropyl group.

1価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。   The monovalent hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted, and is preferably unsubstituted.

で示される1価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および/またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。 The monovalent hydrocarbon groups represented by R 2 may be of the same type or a plurality of types. Preferably, a methyl group and / or a phenyl group are mentioned, More preferably, combined use of a methyl group and a phenyl group is mentioned.

aは、好ましくは、0.10以上、0.40以下である。   a is preferably 0.10 or more and 0.40 or less.

bは、好ましくは、1.5以上、1.75以下である。   b is preferably 1.5 or more and 1.75 or less.

アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、100以上、好ましくは、500以上であり、また、例えば、10000以下、好ましくは、5000以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。   The weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane is, for example, 100 or more, preferably 500 or more, and for example, 10,000 or less, preferably 5000 or less. The weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane is a conversion value based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.

アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。   The alkenyl group-containing polysiloxane is prepared by an appropriate method, and a commercially available product can also be used.

また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。   The alkenyl group-containing polysiloxanes may be of the same type or a plurality of types.

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に2個以上のヒドロシリル基(SiH基)を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式(2)で示される。   The hydrosilyl group-containing polysiloxane contains, for example, two or more hydrosilyl groups (SiH groups) in the molecule. Specifically, the hydrosilyl group-containing polysiloxane is represented by the following average composition formula (2).

平均組成式(2):
SiO(4−c−d)/2
(式中、Rは、非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基(ただし、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基を除く。)を示す。cは、0.30以上、1.0以下であり、dは、0.90以上、2.0以下である。)
式(2)中、Rで示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基は、式(1)のRで示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および/またはフェニル基が挙げられる。
Average composition formula (2):
H c R 3 d SiO (4 -c-d) / 2
(In the formula, R 3 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and / or a cycloalkenyl group). C is 0.30 or more. 1.0, and d is 0.90 or more and 2.0 or less.)
In formula (2), the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3 is an unsubstituted or substituted carbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2 in formula (1). The same thing as the monovalent hydrocarbon group of is illustrated. Preferably, an unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a methyl group. And / or a phenyl group.

cは、好ましくは、0.5以下である。   c is preferably 0.5 or less.

dは、好ましくは、1.3以上、1.7以下である。   d is preferably 1.3 or more and 1.7 or less.

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、100以上、好ましくは、500以上であり、また、例えば、10000以下、好ましくは、5000以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。   The weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is, for example, 100 or more, preferably 500 or more, and for example, 10,000 or less, preferably 5000 or less. The weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is a conversion value based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。   The hydrosilyl group-containing polysiloxane is prepared by an appropriate method, and a commercially available product can also be used.

また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。   Further, the hydrosilyl group-containing polysiloxane may be of the same type or a plurality of types.

上記した平均組成式(1)および平均組成式(2)中、RおよびRの少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、RおよびRの両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、RおよびRの少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。このフェニル系シリコーン樹脂組成物は、Bステージ状態となることができる1段反応硬化性樹脂組成物である。フェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、1.45以上、さらには、1.50以上である。 Average composition formula described above (1) and the average compositional formula (2), at least one of the hydrocarbon groups R 2 and R 3 preferably includes a phenyl group, more preferably, R 2 and R 3 Both hydrocarbons contain a phenyl group. When at least one of the hydrocarbon groups of R 2 and R 3 contains a phenyl group, the addition reaction curable silicone resin composition is a phenyl silicone resin composition. This phenyl silicone resin composition is a one-stage reaction curable resin composition that can be in a B-stage state. The refractive index of the phenyl silicone resin composition is, for example, 1.45 or more, and further 1.50 or more.

一方、RおよびRの両方の炭化水素がメチル基である場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、メチル系シリコーン樹脂組成物とされる。メチル系シリコーン樹脂組成物は、Bステージ状態となることができない1段反応硬化性樹脂組成物である。メチル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、1.50以下、さらには、1.45以下である。 On the other hand, when both R 2 and R 3 hydrocarbons are methyl groups, the addition reaction curable silicone resin composition is a methyl silicone resin composition. The methyl silicone resin composition is a one-stage reaction curable resin composition that cannot be in a B-stage state. The refractive index of the methyl silicone resin composition is, for example, 1.50 or less, and further 1.45 or less.

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物のなかでも、優れたガス透過率を得る観点から、好ましくは、メチル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。   Among the addition reaction curable silicone resin compositions, a methyl silicone resin composition is preferable from the viewpoint of obtaining excellent gas permeability.

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合(アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数/ヒドロシリル基のモル数)が、例えば、1/30以上、好ましくは、1/3以上、また、例えば、30/1以下、好ましくは、3/1以下となるように、調整される。   The blending ratio of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is the ratio of the number of moles of alkenyl groups and cycloalkenyl groups of the alkenyl group-containing polysiloxane to the number of moles of hydrosilyl groups of the hydrosilyl group-containing polysiloxane (number of moles of alkenyl groups and cycloalkenyl groups). / Number of moles of hydrosilyl group) is adjusted to be, for example, 1/30 or more, preferably 1/3 or more, and for example, 30/1 or less, preferably 3/1 or less.

ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応(ヒドロシリル付加)の反応速度を向上させる物質(付加触媒)であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。   The hydrosilylation catalyst is a substance (addition catalyst) that improves the reaction rate of the hydrosilylation reaction (hydrosilyl addition) between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane. If it exists, it will not specifically limit, For example, a metal catalyst is mentioned. Examples of the metal catalyst include platinum catalysts such as platinum black, platinum chloride, chloroplatinic acid, platinum-olefin complexes, platinum-carbonyl complexes, and platinum-acetyl acetate, for example, palladium catalysts such as rhodium catalyst.

ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量(具体的には、金属原子)として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、1.0ppm以上であり、また、例えば、10000ppm以下、好ましくは、1000ppm以下、より好ましくは、500ppm以下である。   The blending ratio of the hydrosilylation catalyst is, for example, 1.0 ppm or more on a mass basis with respect to the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group-containing polysiloxane as the metal amount of the metal catalyst (specifically, metal atom). Yes, for example, 10000 ppm or less, preferably 1000 ppm or less, and more preferably 500 ppm or less.

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。   The addition reaction curable silicone resin composition is prepared by blending an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst in the above proportions.

上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Aステージ(液体)状態として調製されて使用される。   The above addition reaction curable silicone resin composition is prepared and used in an A stage (liquid) state by blending an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst.

上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Aステージ状態からBステージ(半硬化)状態となることができる。その後、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Bステージ状態からCステージ(完全硬化)状態となることができる。   As described above, the phenyl silicone resin composition undergoes a hydrosilylation addition reaction between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane by heating under desired conditions. After that, the hydrosilylation addition reaction is once stopped. As a result, the A stage state can be changed to the B stage (semi-cured) state. Thereafter, the above-described hydrosilylation addition reaction is resumed and completed by heating under further desired conditions. As a result, the B stage state can be changed to the C stage (fully cured) state.

なお、フェニル系シリコーン樹脂組成物がBステージ(半硬化)状態にあるときには、固体状である。そして、このBステージ状態のフェニル系シリコーン樹脂組成物は、熱可塑性および熱硬化性を併有することができる。つまり、Bステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。   When the phenyl silicone resin composition is in the B stage (semi-cured) state, it is solid. The B-staged phenyl silicone resin composition can have both thermoplasticity and thermosetting properties. That is, the B-stage phenyl silicone resin composition is once cured by heating and then completely cured.

一方、上記したメチル系シリコーン樹脂組成物では、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、停止することなく、促進されて、完結する。これによって、Aステージ状態からCステージ(完全硬化)状態となることができる。メチル系シリコーン樹脂組成物には、市販品が用いられる。市販品として、例えば、ELASTOSILシリーズ(旭化成ワッカーシリコーン社製、具体的には、ELASTOSIL LR7665などのメチル系シリコーン樹脂組成物)、KERシリーズ(信越シリコーン社製)などが挙げられる。   On the other hand, in the above-described methyl silicone resin composition, a hydrosilylation addition reaction between an alkenyl group and / or cycloalkenyl group and a hydrosilyl group occurs and is promoted and completed without stopping. As a result, the A stage state can be changed to the C stage (fully cured) state. A commercial item is used for the methyl silicone resin composition. Examples of commercially available products include ELASTOSIL series (manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone Co., specifically, methyl silicone resin compositions such as ELASTOSIL LR7665), KER series (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), and the like.

縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、2段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開2010−265436号公報、特開2013−187227号公報などに記載される第1〜第8の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開2013−091705号公報、特開2013−001815号公報、特開2013−001814号公報、特開2013−001813号公報、特開2012−102167号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。   The condensation / addition reaction curable silicone resin composition is a two-stage reaction curable resin, and specifically described in, for example, JP 2010-265436 A, JP 2013-187227 A, and the like. 1 to 8 condensation / addition reaction curable silicone resin compositions, for example, JP2013-091705A, JP2013-001815A, JP2013-001814A, JP2013-001813A, Examples thereof include a cage-type octasilsesquioxane-containing silicone resin composition described in JP2012-102167A. The condensation / addition reaction curable silicone resin composition is solid and has both thermoplasticity and thermosetting properties.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂(例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ダイマー酸変性ビスフェノール型エポキシ樹脂など)、ノボラック型エポキシ樹脂(例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂など)、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂(例えば、ビスアリールフルオレン型エポキシ樹脂など)、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(例えば、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂など)などの芳香族系エポキシ樹脂、例えば、トリエポキシプロピルイソシアヌレート(トリグリシジルイソシアヌレート)、ヒダントインエポキシ樹脂などの含窒素環エポキシ樹脂、例えば、脂肪族系エポキシ樹脂、例えば、脂環式エポキシ樹脂(例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などのジシクロ環型エポキシ樹脂など)、例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、例えば、グリシジルアミン型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂として、例えば、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、ナジック酸、メチルナジック酸などのジカルボン酸のジグリシジルエステルなども挙げられる。さらに、エポキシ樹脂として、芳香環が水素化された脂環式構造を有する核水素化トリメリット酸、核水素化ピロメリット酸などのグリシジルエステルなども挙げられる。   Examples of the epoxy resin include bisphenol type epoxy resins (for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, dimer acid-modified bisphenol type epoxy resin, etc.), Novolak type epoxy resins (for example, phenol novolak type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins), naphthalene type epoxy resins, fluorene type epoxy resins (for example, bisarylfluorene type epoxy resins), triphenylmethane Type epoxy resins (for example, trishydroxyphenylmethane type epoxy resins) and the like, such as aromatic epoxy resins, for example, triepoxypropyl isocyanurate (tri Nitrogen-containing epoxy resins such as lysidyl isocyanurate) and hydantoin epoxy resins, for example, aliphatic epoxy resins such as alicyclic epoxy resins (for example, dicyclocyclic epoxy resins such as dicyclopentadiene type epoxy resins) For example, a glycidyl ether type epoxy resin, for example, a glycidyl amine type epoxy resin, etc. are mentioned. In addition, examples of the epoxy resin include diglycidyl esters of dicarboxylic acids such as phthalic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, nadic acid, and methylnadic acid. Furthermore, examples of the epoxy resin include glycidyl esters such as nuclear hydrogenated trimellitic acid and nuclear hydrogenated pyromellitic acid having an alicyclic structure in which an aromatic ring is hydrogenated.

エポキシ樹脂は、単独使用または併用することができる。   Epoxy resins can be used alone or in combination.

エポキシ樹脂は、液状、半固形状および固形状のいずれかの形態であってよい。エポキシ樹脂の平均エポキシ当量は、例えば、90〜1000である。エポキシ樹脂が固形状の場合には、取扱いの利便性の観点から、例えば、軟化点が50〜160℃である。   The epoxy resin may be in any form of liquid, semi-solid and solid. The average epoxy equivalent of an epoxy resin is 90-1000, for example. When the epoxy resin is solid, for example, the softening point is 50 to 160 ° C. from the viewpoint of convenience of handling.

エポキシ樹脂は、通常、硬化剤と併用される。硬化剤としては、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤などが挙げられる。   The epoxy resin is usually used in combination with a curing agent. Examples of the curing agent include an acid anhydride curing agent and an isocyanuric acid derivative curing agent.

酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられる。酸無水物系硬化剤は、単独使用または2種以上併用することができる。   Examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, glutaric anhydride. Examples include acid, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, and the like. The acid anhydride curing agents can be used alone or in combination of two or more.

イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、例えば、1,3,5−トリス(1−カルボキシメチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート、1,3−ビス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレートなどが挙げられる。イソシアヌル酸誘導体系硬化剤は、単独使用または2種以上併用することができる。   Examples of the isocyanuric acid derivative curing agent include 1,3,5-tris (1-carboxymethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris (2-carboxyethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris. (3-carboxypropyl) isocyanurate, 1,3-bis (2-carboxyethyl) isocyanurate and the like can be mentioned. Isocyanuric acid derivative-based curing agents can be used alone or in combination of two or more.

硬化剤は、単独使用または2種以上併用することができる。   The curing agents can be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂と硬化剤との配合割合は、例えば、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、硬化剤中におけるエポキシ基と反応可能な活性基(酸無水物基またはカルボキシル基)が0.5〜1.5当量となるよう設定し、好ましくは、0.7〜1.2当量となるよう設定する。   The blending ratio of the epoxy resin and the curing agent is such that, for example, 0.5 equivalent of an active group (an acid anhydride group or a carboxyl group) that can react with the epoxy group in the curing agent with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. It sets so that it may become -1.5 equivalent, Preferably, it sets so that it may become 0.7-1.2 equivalent.

また、透明樹脂組成物は、フィラーをさらに含有することができる。   Moreover, the transparent resin composition can further contain a filler.

フィラーとしては、無機粒子、有機粒子などの粒子が挙げられる。   Examples of the filler include particles such as inorganic particles and organic particles.

無機粒子としては、例えば、シリカ(SiO)、タルク(Mg(Si10)(HO))、アルミナ(Al)、酸化ホウ素(B)、酸化カルシウム(CaO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化バリウム(BaO)、酸化アンチモン(Sb)などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si)などの窒化物などの無機物粒子(無機物)が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、好ましくは、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子(具体的には、ガラス粒子など)が挙げられる。 Examples of the inorganic particles include silica (SiO 2 ), talc (Mg 3 (Si 4 O 10 ) (HO) 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), boron oxide (B 2 O 3 ), calcium oxide (CaO). ), Zinc oxide (ZnO), strontium oxide (SrO), magnesium oxide (MgO), zirconium oxide (ZrO 2 ), barium oxide (BaO), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), and other oxides such as aluminum nitride Examples thereof include inorganic particles (inorganic materials) such as nitrides such as (AlN) and silicon nitride (Si 3 N 4 ). Examples of the inorganic particles include composite inorganic particles prepared from the inorganic materials exemplified above, and preferably, composite inorganic oxide particles prepared from an oxide (specifically, glass particles). .

複合無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、アルミナ、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどを副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、40質量%を超え、好ましくは、50質量%以上であり、また、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部である。   The composite inorganic oxide particles include, for example, silica, or silica and boron oxide as main components, and alumina, calcium oxide, zinc oxide, strontium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, barium oxide, antimony oxide, and the like. Is contained as a minor component. The content ratio of the main component in the composite inorganic oxide particles is, for example, more than 40% by mass, preferably 50% by mass or more, and for example, 90% by mass or less, preferably with respect to the composite inorganic oxide particles. Is 80 mass% or less. The content ratio of the subcomponent is the remainder of the content ratio of the main component described above.

複合酸化物粒子は、上記した主成分および副成分を配合して、加熱して溶融させて、それらの溶融物を急冷し、その後、例えば、ボールミルなどによって粉砕し、その後、必要により、適宜の表面加工(具体的には、球体化など)を施して、得られる。   The composite oxide particles are blended with the main component and subcomponents described above, heated and melted, rapidly cooled, and then pulverized by, for example, a ball mill or the like. It is obtained by applying surface processing (specifically, spheroidization, etc.).

無機粒子は、単独使用または併用することができる。   The inorganic particles can be used alone or in combination.

有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。   Examples of organic materials for organic particles include acrylic resins, styrene resins, acrylic-styrene resins, silicone resins, polycarbonate resins, benzoguanamine resins, polyolefin resins, polyester resins, polyamide resins, and polyimide resins. Resin etc. are mentioned. These can be used alone or in combination.

このような有機材料のうち、光拡散性、入手性の観点から、好ましくは、シリコーン系樹脂が挙げられる。   Of these organic materials, a silicone resin is preferable from the viewpoint of light diffusibility and availability.

有機粒子は、単独使用または併用することができる。   The organic particles can be used alone or in combination.

フィラーは、単独使用または併用することができる。   The filler can be used alone or in combination.

フィラーの屈折率は、例えば、1.40以上であり、また、例えば、1.600以下である。   The refractive index of the filler is, for example, 1.40 or more and, for example, 1.600 or less.

フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。   The shape of the filler is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape. Preferably, spherical shape is mentioned from a fluid viewpoint.

フィラーの平均粒子径は、例えば、例えば、3μm以上、好ましくは、5μm以上であり、また、例えば、70μm以下、好ましくは、50μm以下である。   The average particle diameter of the filler is, for example, 3 μm or more, preferably 5 μm or more, and for example, 70 μm or less, preferably 50 μm or less.

フィラーの含有割合は、透明樹脂組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、3質量%以上であり、また、例えば、80質量%以下、好ましくは、75質量%以下である。   The content rate of a filler is 1 mass% or more with respect to a transparent resin composition, Preferably, it is 3 mass% or more, for example, is 80 mass% or less, Preferably, it is 75 mass% or less.

透明樹脂組成物(第1の透明組成物の一例)の屈折率RIpは、例えば、1.40以上、好ましくは、1.45以上であり、好ましくは、1.50以上であり、また、例えば、1.63以下、好ましくは、1.60以下、より好ましくは、1.57以下である。透明樹脂組成物の屈折率RIpが上記下限以上であれば、蛍光体層封止LED1の発光強度を向上させることができる。   The refractive index RIp of the transparent resin composition (an example of the first transparent composition) is, for example, 1.40 or more, preferably 1.45 or more, preferably 1.50 or more, 1.63 or less, preferably 1.60 or less, more preferably 1.57 or less. If the refractive index RIp of the transparent resin composition is not less than the above lower limit, the emission intensity of the phosphor layer-sealed LED 1 can be improved.

透明樹脂組成物の屈折率RIpは、アッベ屈折率計によって算出される。なお、透明樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含む場合に、硬化状態(完全硬化状態)の屈折率として算出される。なお、硬化前の透明樹脂組成物の屈折率は、硬化後の透明樹脂組成物の屈折率と実質的に同一である。   The refractive index RIp of the transparent resin composition is calculated by an Abbe refractometer. In addition, when a transparent resin composition contains a thermosetting resin, it calculates as a refractive index of a hardening state (completely hardening state). In addition, the refractive index of the transparent resin composition before hardening is substantially the same as the refractive index of the transparent resin composition after hardening.

なお、蛍光体樹脂組成物には、必要に応じて、シランカップリング剤、老化防止剤、変性剤、界面活性剤、染料、顔料(上記したフィラーを除く)、変色防止剤、紫外線吸収剤などの公知の添加物を適宜の割合で添加することができる。   In addition, the phosphor resin composition includes a silane coupling agent, an anti-aging agent, a modifier, a surfactant, a dye, a pigment (excluding the filler described above), a discoloration preventing agent, an ultraviolet absorber, and the like as necessary. These known additives can be added at an appropriate ratio.

図1に示すように、透明層4は、蛍光体層封止LED1における最上層である。具体的には、透明層4は、蛍光体層3の蛍光体側第1対向面31全面を被覆するように配置されている。透明層4の平面視形状は、蛍光体層3の蛍光体側第1対向面31の形状と同一に形成されている。つまり、透明層4は、断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。透明層4は、下面41と、上面42と、側面43とを有している。   As shown in FIG. 1, the transparent layer 4 is the uppermost layer in the phosphor layer-sealed LED 1. Specifically, the transparent layer 4 is disposed so as to cover the entire phosphor-side first facing surface 31 of the phosphor layer 3. The shape of the transparent layer 4 in plan view is the same as the shape of the phosphor-side first opposing surface 31 of the phosphor layer 3. That is, the transparent layer 4 is formed in a substantially rectangular shape in sectional view and a substantially rectangular shape in plan view. The transparent layer 4 has a lower surface 41, an upper surface 42, and side surfaces 43.

透明層4の下面41は、蛍光体側第1対向面31に接触する透明側接触面である。   The lower surface 41 of the transparent layer 4 is a transparent side contact surface that contacts the phosphor side first opposing surface 31.

透明層4の上面42は、蛍光体層3の上面31に対して上側(一方側の一例)に距離zを隔てて対向配置される透明側対向面の一例である。透明層4の上面42は、蛍光体層封止LED1の最上面である。透明層4の上面42が蛍光体層3の上面31に対して上側に隔てられる距離zは、透明層4の厚みzと同一である。   The upper surface 42 of the transparent layer 4 is an example of a transparent-side facing surface that is disposed to face the upper surface 31 (an example of one side) of the phosphor layer 3 with a distance z therebetween. The upper surface 42 of the transparent layer 4 is the uppermost surface of the phosphor layer-sealed LED 1. The distance z at which the upper surface 42 of the transparent layer 4 is separated upward from the upper surface 31 of the phosphor layer 3 is the same as the thickness z of the transparent layer 4.

透明層4の側面43は、透明層4の下面41および上面42に連結されている。透明層4の側面43は、上下方向(一方向の一例)に投影したときに、LED2の側面23に対して面方向(直交方向の一例)外側に間隔αを隔てて配置される透明側連結面の一例である。透明層4の側面43は、上下方向において、蛍光体層3の側面33と面一に形成されている。   The side surface 43 of the transparent layer 4 is connected to the lower surface 41 and the upper surface 42 of the transparent layer 4. When the side surface 43 of the transparent layer 4 is projected in the up and down direction (an example of one direction), the transparent side connection is arranged with a space α on the outer side in the surface direction (an example of the orthogonal direction) with respect to the side surface 23 of the LED 2. It is an example of a surface. The side surface 43 of the transparent layer 4 is formed flush with the side surface 33 of the phosphor layer 3 in the vertical direction.

透明層4は、例えば、透明樹脂組成物、無機物などの第2の透明組成物から形成されている。   The transparent layer 4 is formed from, for example, a second transparent composition such as a transparent resin composition or an inorganic material.

透明樹脂組成物としては、例えば、上記した透明樹脂組成物(蛍光体樹脂組成物に含有される透明樹脂組成物)が挙げられる。透明樹脂組成物に含まれる各成分およびそれらの配合割合は、透明樹脂組成物(蛍光体樹脂組成物に含有される透明樹脂組成物)に含まれる各成分およびそれらの配合割合と重複する範囲である。   Examples of the transparent resin composition include the above-described transparent resin composition (transparent resin composition contained in the phosphor resin composition). Each component included in the transparent resin composition and the blending ratio thereof are within a range overlapping with each component included in the transparent resin composition (transparent resin composition contained in the phosphor resin composition) and the blending ratio thereof. is there.

無機物としては、ガラスなどが挙げられる。ガラスとして、特に限定されず、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、フッ化物ガラスなどが挙げられる。また、ガラスとして、耐熱ガラス、具体的には、商品名として、テンパックスガラス、バイコールガラス、パイレックスガラスなどとして市販されているものも挙げられる。ガラスとして、好ましくは、無アルカリガラス、ソーダガラスが挙げられる。   Examples of the inorganic material include glass. The glass is not particularly limited, and examples thereof include alkali-free glass, soda glass, quartz glass, borosilicate glass, lead glass, and fluoride glass. Examples of the glass include heat-resistant glass, and specifically, commercially available products such as Tempax glass, Vycor glass, and Pyrex glass. As glass, Preferably, an alkali free glass and soda glass are mentioned.

第2の透明組成物の屈折率RItは、第1の透明樹脂組成物(蛍光体層3に含まれる透明樹脂組成物)の屈折率RIpから第2の透明組成物の屈折率RItを差し引いた値(RIp−RIt)が、例えば、−1.0以上、好ましくは、−0.7以上、より好ましくは、0以上、さらに好ましくは、0.05以上、とりわけ好ましくは、0.10以上となるように、また、例えば、0.20以下となるように、設定される。RIp−RItが上記下限以上であれば、より一層優れた発光強度を得ることができる。RIp−RItが上記上限以下であれば、透明層4と蛍光体層3との界面での光の反射を抑制することができる。   The refractive index RIt of the second transparent composition was obtained by subtracting the refractive index RIt of the second transparent composition from the refractive index RIp of the first transparent resin composition (transparent resin composition contained in the phosphor layer 3). The value (RIp−RIt) is, for example, −1.0 or more, preferably −0.7 or more, more preferably 0 or more, still more preferably 0.05 or more, and particularly preferably 0.10 or more. For example, it is set to be 0.20 or less. If RIp-RIt is equal to or greater than the above lower limit, much more excellent emission intensity can be obtained. If RIp-RIt is not more than the above upper limit, reflection of light at the interface between the transparent layer 4 and the phosphor layer 3 can be suppressed.

透明層4は、例えば、複層で形成されていてもよい。   The transparent layer 4 may be formed of a multilayer, for example.

[寸法]
LED2と蛍光体層3と透明層4との寸法は、用途および目的に応じて、適宜設定されている。
[Size]
The dimensions of the LED 2, the phosphor layer 3, and the transparent layer 4 are appropriately set according to the use and purpose.

距離x(LED2の厚みx)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下である。   The distance x (thickness x of the LED 2) is, for example, 10 μm or more, preferably 50 μm or more, and for example, 1000 μm or less, preferably 500 μm or less.

LED2の左右方向長さγおよび前後方向長さ(図1において図示されず)は、LED2の面方向における最小長さであって、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上であり、また、例えば、5000μm以下、好ましくは、2000μm以下である。   The length 2 in the left-right direction and the length in the front-rear direction (not shown in FIG. 1) of the LED 2 are minimum lengths in the surface direction of the LED 2 and are, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.2 μm or more. For example, it is 5000 micrometers or less, Preferably, it is 2000 micrometers or less.

距離y(蛍光体層3において、LED2の上側に対向配置される部分の厚みy)は、例えば、50μm以上、好ましくは、150μm以上である。また、距離yは、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下、より好ましくは、350μm未満、さらに好ましくは、300μm以下、とりわけ好ましくは、200μm以下、さらには、150μm以下、さらには、100μm以下である。距離yが上記した上限を下回れば、蛍光体層3のガス透過率を高めて、LED装置60に蛍光体層封止LED1を備えたときに、蛍光体層3に黒こげが発生することを抑制して、蛍光体層封止LED1の信頼性を向上させ、ひいては、LED装置60の信頼性を向上させることができる。   The distance y (the thickness y of the portion facing the upper side of the LED 2 in the phosphor layer 3) is, for example, 50 μm or more, and preferably 150 μm or more. Further, the distance y is, for example, 1000 μm or less, preferably 500 μm or less, more preferably less than 350 μm, still more preferably 300 μm or less, particularly preferably 200 μm or less, further 150 μm or less, and further 100 μm or less. is there. If the distance y is less than the upper limit described above, the gas permeability of the phosphor layer 3 is increased, and when the LED device 60 includes the phosphor layer-sealed LED 1, the occurrence of black burn in the phosphor layer 3 is suppressed. As a result, the reliability of the phosphor layer-sealed LED 1 can be improved, and as a result, the reliability of the LED device 60 can be improved.

距離z(透明層4の厚みz)は、例えば、100μm以上、好ましくは、200μm以上である。また、距離zは、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下、より好ましくは、400μm未満、さらに好ましくは、300μm以下、とりわけ好ましくは、200μm以下、最も好ましくは、100μm以下である。距離zが上記した上限を下回れば、透明層4のガス透過率を高めて、LED装置60に蛍光体層封止LED1を備えたときに、透明層4に黒こげが発生することを抑制して、蛍光体層封止LED1の信頼性を向上させ、ひいては、LED装置60の信頼性を向上させることができる。   The distance z (thickness z of the transparent layer 4) is, for example, 100 μm or more, preferably 200 μm or more. The distance z is, for example, 1000 μm or less, preferably 500 μm or less, more preferably less than 400 μm, still more preferably 300 μm or less, particularly preferably 200 μm or less, and most preferably 100 μm or less. If the distance z is less than the upper limit described above, the gas permeability of the transparent layer 4 is increased, and when the LED device 60 includes the phosphor layer-sealed LED 1, it is possible to suppress the occurrence of black burn in the transparent layer 4. Thus, the reliability of the phosphor layer-sealed LED 1 can be improved, and as a result, the reliability of the LED device 60 can be improved.

また、LED2、蛍光体層3および透明層4は、好ましくは、下記(1)〜(4)の全てを満足する。
(1) 距離yを距離xで除した値(y/x)は、例えば、1以上、好ましくは、1.25以上であり、また、例えば、5以下、好ましくは、5未満、より好ましくは、4以下、さらに好ましくは、3以下である。y/xが上記下限以上であれば、優れた色均一性を得ることができる。y/xが上記上限以下であれば、色ムラを抑制することができる。
(2) 距離yと距離zとの和(y+z)は、例えば、0.20mm以上、好ましくは、0.25mm以上、より好ましくは、0.5mm以上であり、また、例えば、2mm以下、好ましくは、1.5mm以下である。y+zが上記下限以上であれば、優れた発光強度を得ることができる。y+zが上記上限以下であれば、材料コストを抑制することができる。
(3) 距離α(蛍光体層3の側部35の最小長さα)は、例えば、50μm以上、好ましくは、50μm超過、より好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1000μm以下である。距離αが上記下限以上であれば、色均一性の低下を防止したり、あるいは、色ムラを抑制することができる。
(4) 距離yを距離αで除した値(y/α)は、例えば、1以上、好ましくは、1.2以上であり、また、例えば、2.5以下、好ましくは、2.0以下である。y/αが上記上限以下であれば、色ムラを抑制することができる。
Moreover, LED2, the phosphor layer 3, and the transparent layer 4 preferably satisfy all of the following (1) to (4).
(1) The value obtained by dividing the distance y by the distance x (y / x) is, for example, 1 or more, preferably 1.25 or more, and for example, 5 or less, preferably less than 5, more preferably 4 or less, more preferably 3 or less. If y / x is not less than the above lower limit, excellent color uniformity can be obtained. If y / x is less than or equal to the above upper limit, color unevenness can be suppressed.
(2) The sum (y + z) of the distance y and the distance z is, for example, 0.20 mm or more, preferably 0.25 mm or more, more preferably 0.5 mm or more, and for example, 2 mm or less, preferably Is 1.5 mm or less. When y + z is not less than the above lower limit, excellent emission intensity can be obtained. If y + z is not more than the above upper limit, the material cost can be suppressed.
(3) The distance α (minimum length α of the side portion 35 of the phosphor layer 3) is, for example, 50 μm or more, preferably more than 50 μm, more preferably 100 μm or more, and for example, 2000 μm or less, preferably Is 1000 μm or less. If the distance α is equal to or greater than the above lower limit, it is possible to prevent a decrease in color uniformity or to suppress color unevenness.
(4) The value (y / α) obtained by dividing the distance y by the distance α is, for example, 1 or more, preferably 1.2 or more, and for example, 2.5 or less, preferably 2.0 or less. It is. If y / α is not more than the above upper limit, color unevenness can be suppressed.

[蛍光体層封止LEDの製造方法]
次に、図1に示す蛍光体層封止LEDを製造する方法、および、蛍光体層封止LEDを用いてLED装置を製造する方法について図2A〜図2Fを参照して説明する。
[Method for producing phosphor layer-sealed LED]
Next, a method for producing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 1 and a method for producing an LED device using the phosphor layer-sealed LED will be described with reference to FIGS. 2A to 2F.

蛍光体層封止LED1の製造方法は、透明層4および蛍光体層3を備える被覆シートの一例としての封止シート5を製造する工程(図2A参照)と、封止シート5を、蛍光体層3が複数のLED2を被覆するように、配置する工程(図2C参照)と、封止シート5を、蛍光体層封止LED1が個片化されるように、切断する工程(図2D参照)とを備えている。封止シート5を製造する工程(図2A参照)は、透明層4を用意する工程と、蛍光体層3を透明層4の表面に形成する工程とを備えている。   The manufacturing method of fluorescent substance layer sealing LED1 is the process (refer FIG. 2A) which manufactures the sealing sheet 5 as an example of the coating sheet provided with the transparent layer 4 and the fluorescent substance layer 3, and the sealing sheet 5 is made into fluorescent substance. The step of arranging the layer 3 so as to cover the plurality of LEDs 2 (see FIG. 2C) and the step of cutting the sealing sheet 5 so that the phosphor layer-sealed LEDs 1 are separated into pieces (see FIG. 2D). ). The step of manufacturing the sealing sheet 5 (see FIG. 2A) includes a step of preparing the transparent layer 4 and a step of forming the phosphor layer 3 on the surface of the transparent layer 4.

図2Aに示すように、透明層4を用意する工程において、透明層4を透明樹脂組成物から形成する場合には、まず、仮想線で示す剥離シート6を用意する。   As shown in FIG. 2A, when the transparent layer 4 is formed from a transparent resin composition in the step of preparing the transparent layer 4, first, a release sheet 6 indicated by a virtual line is prepared.

離型シート2は、透明層4によってLED2を封止する(透明層4が、熱硬化性樹脂組成物から形成される場合には、透明層4を硬化する)までの間、透明層4を保護するために、透明層4の裏面(図1Aにおける下面)に剥離可能に貼着されている。つまり、剥離シート6は、封止シート5の出荷・搬送・保管時において、透明層4の裏面を被覆するように、透明層4の裏面に積層され、封止シート5の使用直前において、透明層4の裏面から略U字状に湾曲するように引き剥がすことができる可撓性フィルムである。すなわち、剥離シート6は、可撓性フィルムのみからなる。また、剥離シート6の貼着面、つまり、透明層4に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。   The release sheet 2 seals the LED 2 with the transparent layer 4 (when the transparent layer 4 is formed from a thermosetting resin composition, the transparent layer 4 is cured). In order to protect, it is detachably attached to the back surface of the transparent layer 4 (the lower surface in FIG. 1A). That is, the release sheet 6 is laminated on the back surface of the transparent layer 4 so as to cover the back surface of the transparent layer 4 when the sealing sheet 5 is shipped, transported, and stored. It is a flexible film that can be peeled off from the back surface of the layer 4 so as to be bent in a substantially U shape. That is, the release sheet 6 consists only of a flexible film. Moreover, the sticking surface of the release sheet 6, that is, the contact surface with respect to the transparent layer 4 is subjected to release treatment such as fluorine treatment as necessary.

剥離シート6としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム(PETなど)などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート2の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状(短冊状、長尺状を含む)などに形成されている。剥離シート6の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1000μm以下である。   Examples of the release sheet 6 include polymer films such as a polyethylene film and a polyester film (such as PET), such as a ceramic sheet, such as a metal foil. Preferably, a polymer film is used. Moreover, the shape of the release sheet 2 is not particularly limited, and is formed in, for example, a substantially rectangular shape in plan view (including a strip shape and a long shape). The thickness of the release sheet 6 is, for example, 1 μm or more, preferably 10 μm or more, and for example, 2000 μm or less, preferably 1000 μm or less.

次いで、透明層4を透明樹脂組成物から形成する場合には、透明樹脂組成物のワニスを、剥離シート6の表面に塗布する。透明樹脂組成物を剥離シート6の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。   Subsequently, when forming the transparent layer 4 from a transparent resin composition, the varnish of a transparent resin composition is apply | coated to the surface of the peeling sheet 6. FIG. In order to apply the transparent resin composition to the surface of the release sheet 6, for example, an application device such as a dispenser, an applicator, or a slit die coater is used.

透明樹脂組成物の離型シート2への塗布によって、透明樹脂組成物の塗膜が形成される。   A coating film of the transparent resin composition is formed by applying the transparent resin composition to the release sheet 2.

その後、塗膜を完全硬化(Cステージ化)させる。加熱条件として、加熱温度が、80℃以上、好ましくは、100℃以上であり、また、200℃以下、好ましくは、150℃以下である。また、加熱時間が、例えば、10分以上、好ましくは、30分以上であり、また、例えば、5時間以下である。   Thereafter, the coating film is completely cured (C stage). As heating conditions, the heating temperature is 80 ° C or higher, preferably 100 ° C or higher, and 200 ° C or lower, preferably 150 ° C or lower. The heating time is, for example, 10 minutes or longer, preferably 30 minutes or longer, and for example, 5 hours or shorter.

これによって、塗膜におけるAステージの透明樹脂組成物を完全硬化(Cステージ化)させる。   Thus, the A stage transparent resin composition in the coating film is completely cured (C stage).

透明樹脂組成物が付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応が途中まで進行して、一旦、停止する。   When the transparent resin composition contains an addition reaction curable silicone resin composition, the hydrosilylation reaction between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group and the hydrosilyl group proceeds partway and then stops.

一方、透明樹脂組成物が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、縮合反応が完結する。   On the other hand, when the transparent resin composition contains a condensation reaction / addition reaction curable silicone resin, the condensation reaction is completed.

これによって、透明層4をBステージの透明樹脂組成物から形成する。   As a result, the transparent layer 4 is formed from a B-stage transparent resin composition.

一方、透明層4を無機物から形成する場合には、具体的には、予め板状に成形した無機物を用意する。好ましくは、剥離シート6を使用すること(図2Aの仮想線)なく、ガラス板を用意する。   On the other hand, when the transparent layer 4 is formed from an inorganic material, specifically, an inorganic material previously formed into a plate shape is prepared. Preferably, a glass plate is prepared without using the release sheet 6 (imaginary line in FIG. 2A).

これによって、透明層4を無機物から形成する。   Thereby, the transparent layer 4 is formed from an inorganic substance.

次いで、図2Aに示すように、蛍光体層3を透明層4の表面に形成する。   Next, as shown in FIG. 2A, the phosphor layer 3 is formed on the surface of the transparent layer 4.

蛍光体層3を蛍光体樹脂組成物から形成する場合には、蛍光体樹脂組成物を透明層4の表面に、上記した塗布装置を用いて、塗布する。これによって、蛍光体樹脂組成物の塗膜が形成される。   When the phosphor layer 3 is formed from a phosphor resin composition, the phosphor resin composition is applied to the surface of the transparent layer 4 using the above-described coating apparatus. Thereby, a coating film of the phosphor resin composition is formed.

その後、蛍光体樹脂組成物がBステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物を含有する場合には、塗膜をBステージ化させる。加熱条件は、上記した範囲と同一である。これによって、塗膜をBステージ化する。   Thereafter, when the phosphor resin composition contains a thermosetting resin composition that can be in a B-stage state, the coating film is B-staged. The heating conditions are the same as the above range. As a result, the coating film is made into a B-stage.

蛍光体樹脂組成物が付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応が途中まで進行して、一旦、停止する。   When the phosphor resin composition contains an addition reaction curable silicone resin composition, the hydrosilylation reaction between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group and the hydrosilyl group proceeds partway and then stops.

一方、蛍光体樹脂組成物が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、縮合反応が完結する。   On the other hand, when the phosphor resin composition contains a condensation reaction / addition reaction curable silicone resin, the condensation reaction is completed.

これによって、蛍光体層3を蛍光体樹脂組成物から形成する。   Thereby, the phosphor layer 3 is formed from the phosphor resin composition.

続いて、板状の蛍光体層3を透明層4の上面に配置する。   Subsequently, the plate-like phosphor layer 3 is disposed on the upper surface of the transparent layer 4.

これによって、図2Aに示すように、透明層4と、蛍光体層3とを備える封止シート5を得る。好ましくは、封止シート5は、透明層4と、蛍光体層3とからなる。   Thereby, as shown in FIG. 2A, a sealing sheet 5 including a transparent layer 4 and a phosphor layer 3 is obtained. Preferably, the sealing sheet 5 includes the transparent layer 4 and the phosphor layer 3.

この封止シート5は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。また、封止シート5は、LED装置60(後述、図2F参照)ではなく、LED装置60の一部品、すなわち、LED装置60を作製するための部品であり、LED2およびLED2が実装される基板50を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。   The sealing sheet 5 has a flat plate shape, specifically, has a predetermined thickness, extends in the left-right direction and the front-rear direction, and has a flat surface and a flat back surface. In addition, the sealing sheet 5 is not the LED device 60 (see FIG. 2F described later), but is a component of the LED device 60, that is, a component for producing the LED device 60, and the substrate on which the LED 2 and the LED 2 are mounted. This is an industrially available device that does not include 50 and is distributed by itself.

なお、透明層4が透明樹脂組成物から形成される場合には、封止シート5は、剥離シート6と、透明層4と、蛍光体層3とを備える。好ましくは、封止シート5は、剥離シート6と、透明層4と、蛍光体層3とからなる。   In addition, when the transparent layer 4 is formed from a transparent resin composition, the sealing sheet 5 includes the release sheet 6, the transparent layer 4, and the phosphor layer 3. Preferably, the sealing sheet 5 includes a release sheet 6, a transparent layer 4, and a phosphor layer 3.

別途、図2Bに示すように、複数のLED2を用意する。具体的には、複数のLED2を、支持板7の上面に配置する。   Separately, as shown in FIG. 2B, a plurality of LEDs 2 are prepared. Specifically, the plurality of LEDs 2 are arranged on the upper surface of the support plate 7.

支持板7は、蛍光体層3によって複数のLED2を被覆して封止して、封止LED集合体8(後述、図2C参照)を得て、封止LED集合体8を切断して、蛍光体層封止LED1を得た後、蛍光体層封止LED1を剥離するまでの間、蛍光体層封止LED1のLED2を保護するために、蛍光体層封止LED1におけるLED2の露出面(図1における下面21)に剥離可能に貼着されている。つまり、支持板7は、蛍光体層封止LED1の出荷・搬送・保管時において、LED2を支持し、LED2の下面21を被覆するように、LED2の下面21に積層され、LED2の基板50に対する実装直前において、図2Dの仮想線で示すように、蛍光体層封止LED1を引き剥がすことができる剥離板である。つまり、支持板7は、剥離板のみからなる。   The support plate 7 covers and seals the plurality of LEDs 2 with the phosphor layer 3 to obtain a sealed LED assembly 8 (see FIG. 2C described later), cut the sealed LED assembly 8, In order to protect the LED 2 of the phosphor layer-sealed LED 1 until the phosphor layer-sealed LED 1 is peeled after the phosphor layer-sealed LED 1 is obtained, the exposed surface of the LED 2 in the phosphor layer-sealed LED 1 ( It is attached to the lower surface 21) in FIG. That is, the support plate 7 is laminated on the lower surface 21 of the LED 2 so as to support the LED 2 and cover the lower surface 21 of the LED 2 when the phosphor layer-sealed LED 1 is shipped, transported, and stored. Immediately before mounting, as shown by the phantom lines in FIG. 2D, the release plate can peel off the phosphor layer-sealed LED 1. That is, the support plate 7 consists only of a peeling plate.

支持板7は、上記した剥離シート6と同様の材料から形成されている。また、支持板7を、加熱により封止LED集合体8が容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。さらに、支持板7の表面に、感圧接着剤層を配置することができる。   The support plate 7 is formed from the same material as the release sheet 6 described above. Moreover, the support plate 7 can also be formed from a heat release sheet from which the sealed LED assembly 8 can be easily peeled off by heating. Furthermore, a pressure sensitive adhesive layer can be disposed on the surface of the support plate 7.

支持板7の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、100μm以下である。   The thickness of the support plate 7 is, for example, 10 μm or more, preferably 50 μm or more, and for example, 1000 μm or less, preferably 100 μm or less.

そして、複数のLED2を、支持板7の表面(上面)に配置する。具体的には、複数のLED2を、左右方向におよび前後方向間隔を隔てて整列配置する。また、LED2の下面21(図示しないバンプを含む)が支持板7の表面(上面)に接触するように、複数のLED2を支持板7の表面(上面)に配置する。   Then, the plurality of LEDs 2 are arranged on the surface (upper surface) of the support plate 7. Specifically, the plurality of LEDs 2 are aligned and arranged in the left-right direction and at intervals in the front-rear direction. In addition, the plurality of LEDs 2 are arranged on the surface (upper surface) of the support plate 7 so that the lower surface 21 (including bumps not shown) of the LED 2 is in contact with the surface (upper surface) of the support plate 7.

複数のLED2のピッチP、すなわち、一のLED2と、一のLED2とそれに隣接するLED2との間の間隔との総和Pは、例えば、0.3mm以上、好ましくは、0.5mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、3mm以下である。また、複数のLED2の間隔は、例えば、0.1mm以上、好ましくは、0.3mm以上であり、また、例えば、3mm以下、好ましくは、2mm以下である。   The pitch P of the plurality of LEDs 2, that is, the total P of one LED 2 and the distance between one LED 2 and the adjacent LED 2 is, for example, 0.3 mm or more, preferably 0.5 mm or more. For example, it is 5 mm or less, preferably 3 mm or less. Moreover, the space | interval of several LED2 is 0.1 mm or more, for example, Preferably, it is 0.3 mm or more, for example, is 3 mm or less, Preferably, it is 2 mm or less.

その後、図2Bの矢印および図2Cに示すように、封止シート5によって複数のLED2を封止する。   Then, as shown to the arrow of FIG. 2B, and FIG. 2C, several LED2 is sealed with the sealing sheet 5. FIG.

例えば、封止シート5を、複数のLED2を支持する剥離シート6に対して、圧着する。好ましくは、封止シート5を、複数のLED2を支持する剥離シート6に対して、熱圧着(熱プレス)する。   For example, the sealing sheet 5 is pressure-bonded to the release sheet 6 that supports the plurality of LEDs 2. Preferably, the sealing sheet 5 is thermocompression-bonded (heat pressed) to the release sheet 6 that supports the plurality of LEDs 2.

具体的には、まず、封止シート5と、複数のLED2および剥離シート6とを、熱源を備える平板プレスなどに設置する。平板プレスは、図示しないが、下金型と、それの上側に対向配置される上金型とを備える。具体的には、複数のLED2が上を向くように、剥離シート6を、下金型の上面に配置する。また、図2Aに示す封止シート5を上下反転させた後、蛍光体層3が下を向くように、すなわち、蛍光体層3がLED2に対して対向するように、剥離シート6を上金型の下面に配置する。   Specifically, first, the sealing sheet 5 and the plurality of LEDs 2 and the release sheet 6 are installed in a flat plate press or the like equipped with a heat source. Although not shown, the flat plate press includes a lower mold and an upper mold disposed to face the upper mold. Specifically, the release sheet 6 is disposed on the upper surface of the lower mold so that the plurality of LEDs 2 face upward. Further, after the sealing sheet 5 shown in FIG. 2A is turned upside down, the release sheet 6 is placed on the upper plate so that the phosphor layer 3 faces downward, that is, the phosphor layer 3 faces the LED 2. Place on the bottom of the mold.

そして、平板プレスによって、封止シート5と、複数のLED2および支持板7とを熱プレスする。   And the sealing sheet 5, several LED2, and the support plate 7 are hot-pressed by flat plate press.

平板プレスにおける温度は、蛍光体層3および/または透明層4が、熱可塑性および熱硬化性を有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、フェニル系シリコーン樹脂組成物の熱可塑温度またはそれ以上であって、好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物の熱可塑および熱硬化を一度に実施する観点から、熱硬化温度またはそれ以上であって、具体的には、例えば、60℃以上、好ましくは、80℃以上であり、また、例えば、150℃以下、好ましくは、120℃以下である。   When the phosphor layer 3 and / or the transparent layer 4 contains a thermoplastic silicone-based thermosetting resin composition, the temperature in the flat plate press is the thermoplastic temperature of the phenyl-based silicone resin composition or More preferably, from the viewpoint of carrying out the thermoplastic and thermosetting of the phenyl silicone resin composition at a time, it is a heat curing temperature or higher, specifically, for example, 60 ° C. or higher, Preferably, it is 80 degreeC or more, for example, 150 degreeC or less, Preferably, it is 120 degreeC or less.

プレス圧は、例えば、0.1MPa以上、好ましくは、1MPa以上であり、また、例えば、10MPa以下、好ましくは、5MPa以下である。   The press pressure is, for example, 0.1 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and for example, 10 MPa or less, preferably 5 MPa or less.

プレス時間は、例えば、1分間以上、好ましくは、5分間以上であり、また、例えば、60分間以下、好ましくは、20分間以下である。   The pressing time is, for example, 1 minute or more, preferably 5 minutes or more, and for example, 60 minutes or less, preferably 20 minutes or less.

上記した熱プレスによって、蛍光体層3が、熱可塑性および熱硬化性を有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、蛍光体層3が可塑化する。引き続き、可塑化した蛍光体層3によって、複数のLED2が埋設される。具体的には、図1に示すように、LED2の上面22および側面23が、蛍光体層3によって被覆される。   When the phosphor layer 3 contains a phenyl silicone resin composition having thermoplasticity and thermosetting property, the phosphor layer 3 is plasticized by the above-described hot pressing. Subsequently, a plurality of LEDs 2 are embedded by the plasticized phosphor layer 3. Specifically, as shown in FIG. 1, the upper surface 22 and the side surface 23 of the LED 2 are covered with the phosphor layer 3.

また、上記した熱プレスによって、透明層4が、熱可塑性および熱硬化性を有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、透明層4が可塑化して、蛍光体層3に密着する。   Further, when the transparent layer 4 contains a phenyl silicone resin composition having thermoplasticity and thermosetting property by the above-described hot pressing, the transparent layer 4 is plasticized and is in close contact with the phosphor layer 3.

これによって、図2Cに示すように、封止シート5の蛍光体層3によって、複数のLED2を封止する。   Thereby, as shown in FIG. 2C, the plurality of LEDs 2 are sealed by the phosphor layer 3 of the sealing sheet 5.

その後、蛍光体層3および/または透明層4がBステージ化状態の2段反応硬化性樹脂組成物を含む場合には、これをCステージ化する。   Thereafter, when the phosphor layer 3 and / or the transparent layer 4 contains a two-stage reaction curable resin composition in a B-stage state, it is C-staged.

2段反応硬化性樹脂組成物がフェニル系シリコーン樹脂組成物を含む場合において、フェニル系シリコーン樹脂組成物の反応(Cステージ化反応)では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Cステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の生成物、つまり、硬化物が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、フェニル系シリコーン樹脂組成物において、硬化性(具体的には、熱硬化性)が発現する。   In the case where the two-stage reaction curable resin composition contains a phenyl silicone resin composition, the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane is used in the reaction of the phenyl silicone resin composition (C-stage reaction). And the hydrosilyl addition reaction of the hydrosilyl group-containing polysiloxane with the hydrosilyl group is further promoted. Thereafter, the alkenyl group and / or cycloalkenyl group or the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane disappears, and the hydrosilyl addition reaction is completed, whereby the product of the C-stage phenyl-based silicone resin composition, A cured product is obtained. That is, by completing the hydrosilyl addition reaction, curability (specifically, thermosetting) is exhibited in the phenyl silicone resin composition.

上記した生成物は、下記平均組成式(3)で示される。   The product described above is represented by the following average composition formula (3).

平均組成式(3):
SiO(4−e)/2
(式中、Rは、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基(ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。)を示す。eは、0.5以上2.0以下である。)
で示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基としては、式(1)のRで示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基、および、式(2)のRで示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の1価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
Average composition formula (3):
R 5 e SiO (4-e) / 2
(In the formula, R 5 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group) including a phenyl group, and e is 0. .5 or more and 2.0 or less.)
The unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 5 is an unsubstituted or substituted monovalent carbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2 in the formula (1). Examples thereof are the same as the hydrogen group and the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3 in the formula (2). Preferably, an unsubstituted monovalent hydrocarbon group, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a combination of a phenyl group and a methyl group is used. Can be mentioned.

eは、好ましくは、0.7以上、1.0以下である。   e is preferably 0.7 or more and 1.0 or less.

そして、生成物の平均組成式(3)のRにおけるフェニル基の含有割合は、例えば、30モル%以上、好ましくは、35モル%以上であり、また、例えば、55モル%以下、好ましくは、50モル%以下である。 The proportion of the phenyl groups in R 5 in the average composition formula of the product (3) is, for example, 30 mol% or more, preferably is 35 mol% or more, and is, for example, 55 mol% or less, preferably 50 mol% or less.

生成物の平均組成式(3)のRにおけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する1価の炭化水素基(平均組成式(3)においてRで示される)におけるフェニル基濃度である。 The content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) of the product is a monovalent hydrocarbon group directly bonded to the silicon atom of the product (indicated by R 5 in the average composition formula (3)). This is the phenyl group concentration.

生成物の平均組成式(3)のRにおけるフェニル基の含有割合は、H−NMRおよび29Si−NMRにより算出される。Rにおけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、WO2011/125463などの記載に基づいて、H−NMRおよび29Si−NMRにより算出される。 The content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) of the product is calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR. The details of the calculation method of the content ratio of the phenyl group in R 5 are calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR based on the description of WO2011 / 125463, for example.

次いで、図2Cの矢印で示すように、剥離シート6を透明層4から引き剥がす。   Next, as shown by the arrow in FIG. 2C, the release sheet 6 is peeled off from the transparent layer 4.

これにより、複数のLED2と、蛍光体層3と、透明層4とを備える封止LED集合体8を支持板7に支持される状態で得る。   Thereby, the sealed LED assembly 8 including the plurality of LEDs 2, the phosphor layer 3, and the transparent layer 4 is obtained in a state of being supported by the support plate 7.

その後、図2Dの1点鎖線で示すように、封止LED集合体8を、複数のLED2を個片化するように、切断する。具体的には、各LED2に対応する蛍光体層3および透明層4を前後方向および左右方向に沿って切断する。これによって、1つのLED2と、LED2を埋設して被覆する蛍光体層3と、蛍光体層3の上面に配置される透明層4とを備える蛍光体層封止LED1を、支持板7に支持される状態で得る。   Thereafter, as shown by a one-dot chain line in FIG. 2D, the sealed LED assembly 8 is cut so as to divide the plurality of LEDs 2 into pieces. Specifically, the phosphor layer 3 and the transparent layer 4 corresponding to each LED 2 are cut along the front-rear direction and the left-right direction. Thus, the support plate 7 supports the phosphor layer-sealed LED 1 including one LED 2, the phosphor layer 3 that embeds and covers the LED 2, and the transparent layer 4 disposed on the upper surface of the phosphor layer 3. Get in the state that is done.

次いで、図2Dの矢印およびおよび仮想線で示すように、複数の蛍光体層封止LED1を支持板7から剥離する。   Next, as indicated by arrows and phantom lines in FIG. 2D, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are peeled from the support plate 7.

これによって、図2Eに示すように、1つのLED2と、LED2を埋設して被覆する蛍光体層3と、蛍光体層3の上面に配置される透明層4とを備える蛍光体層封止LED1を得る。   As a result, as shown in FIG. 2E, a phosphor layer-sealed LED 1 including one LED 2, a phosphor layer 3 that embeds and covers the LED 2, and a transparent layer 4 disposed on the upper surface of the phosphor layer 3. Get.

蛍光体層封止LED1は、支持板7(図2C参照)および基板50(後述、図2F参照)を含まず、好ましくは、LED2と、蛍光体層3と、透明層4とからなる。すなわち、蛍光体層封止LED1は、次に説明するLED装置60(図2F)ではなく、つまり、LED装置60に備えられる基板50を含んでいない。つまり、蛍光体層封止LED1は、LED装置60の基板50に備えられる端子(図示せず)とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、蛍光体層封止LED1は、LED装置60の一部品、すなわち、LED装置60を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。   The phosphor layer-sealed LED 1 does not include the support plate 7 (see FIG. 2C) and the substrate 50 (described later, see FIG. 2F), and preferably includes the LED 2, the phosphor layer 3, and the transparent layer 4. That is, the phosphor layer-sealed LED 1 is not the LED device 60 (FIG. 2F) described below, that is, does not include the substrate 50 provided in the LED device 60. That is, the phosphor layer-sealed LED 1 is configured so as not to be electrically connected to a terminal (not shown) provided on the substrate 50 of the LED device 60. In addition, the phosphor layer-sealed LED 1 is a component for producing the LED device 60, that is, a component for producing the LED device 60, and is a device that can be distributed and used industrially.

その後、複数の蛍光体層封止LED1を発光波長や発光効率に応じて選別する。   Thereafter, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are selected according to the emission wavelength and the emission efficiency.

次いで、図2Fに示すように、蛍光体層封止LED1を基板50に実装する。   Next, as illustrated in FIG. 2F, the phosphor layer-sealed LED 1 is mounted on the substrate 50.

具体的には、まず、上面に端子(図示せず)が設けられた基板50を用意する。   Specifically, first, a substrate 50 having terminals (not shown) provided on the upper surface is prepared.

基板50は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状をなし、例えば、絶縁基板である。また、基板50は、上面に配置される端子(図示せず)を備えている。   The board | substrate 50 comprises the substantially rectangular flat plate shape extended in the front-back direction and the left-right direction, for example, is an insulated substrate. Moreover, the board | substrate 50 is equipped with the terminal (not shown) arrange | positioned on an upper surface.

その後、図2Fに示すように、蛍光体層封止LED1を基板50に実装する。   Thereafter, as shown in FIG. 2F, the phosphor layer-sealed LED 1 is mounted on the substrate 50.

具体的には、蛍光体層封止LED1におけるLED2のバンプ(図示せず)を、基板50の端子(図示せず)と接触させて、電気的に接続させる。つまり、蛍光体層封止LED1のLED2を基板50にフリップチップ実装する。また、蛍光体層3の下面32を、基板50に接触させる。   Specifically, the bumps (not shown) of the LEDs 2 in the phosphor layer-sealed LED 1 are brought into contact with the terminals (not shown) of the substrate 50 to be electrically connected. That is, the LED 2 of the phosphor layer sealing LED 1 is flip-chip mounted on the substrate 50. Further, the lower surface 32 of the phosphor layer 3 is brought into contact with the substrate 50.

これにより、基板50と、基板50に実装される蛍光体層封止LED1とを備えるLED装置60を得る。好ましくは、LED装置60は、基板50と、蛍光体層封止LED1とからなる。つまり、LED装置60は、剥離シート6および/または支持板7を含まず、好ましくは、基板50と、LED2と、蛍光体層3と、透明層4とからなる。   Thereby, the LED device 60 provided with the board | substrate 50 and fluorescent substance layer sealing LED1 mounted in the board | substrate 50 is obtained. Preferably, the LED device 60 includes a substrate 50 and a phosphor layer-sealed LED 1. That is, the LED device 60 does not include the release sheet 6 and / or the support plate 7, and preferably includes the substrate 50, the LED 2, the phosphor layer 3, and the transparent layer 4.

[第1実施形態の作用効果]
そして、図1に示すように、この蛍光体層封止LED1は、蛍光体層3の上面31を被覆する透明層4を備えるので、発光強度を向上させることができる。具体的には、透明樹脂組成物(透明層4)と空気との界面を、光吸収体である基板50やLED2(LED2と蛍光体層3との界面)から遠ざけること(離間させること)ができる。そのため、LED2から上側に向かって発光され、蛍光体層3によって波長変換された光と、蛍光体層3によって波長変換されず、蛍光体層3を透過する光が、透明樹脂組成物(透明層4)と空気との界面で反射されても基板50やLED2(光吸収体)に戻りにくいために、蛍光体層封止LED1の発光強度を向上させることができる。
[Effects of First Embodiment]
And as shown in FIG. 1, since this fluorescent substance layer sealing LED1 is provided with the transparent layer 4 which coat | covers the upper surface 31 of the fluorescent substance layer 3, it can improve emitted light intensity. Specifically, the interface between the transparent resin composition (transparent layer 4) and air can be moved away (separated) from the substrate 50 or the LED 2 (interface between the LED 2 and the phosphor layer 3) which is a light absorber. it can. Therefore, light that is emitted upward from the LED 2 and wavelength-converted by the phosphor layer 3 and light that is not wavelength-converted by the phosphor layer 3 and passes through the phosphor layer 3 are transparent resin composition (transparent layer). 4) Since it is difficult to return to the substrate 50 or the LED 2 (light absorber) even if it is reflected at the interface between air and the light emission intensity of the phosphor layer-sealed LED 1, it can be improved.

また、この蛍光体層封止LED1は、上記したx、y、zおよびαに関する(1)〜(4)の全てを満足するので、発光強度をより一層向上させながら、優れた色均一性を有し、かつ、色ムラを抑制することができる。   Moreover, since this fluorescent substance layer sealing LED1 satisfies all of (1)-(4) regarding x, y, z, and (alpha) mentioned above, it is excellent in color uniformity, further improving emitted light intensity. And color unevenness can be suppressed.

また、この蛍光体層封止LED1では、第1の透明組成物(蛍光体層3に含まれる透明樹脂組成物)の屈折率RIpが、1.45以上、1.60以下であれば、蛍光体層封止LED1の発光強度を向上させることができる。   Moreover, in this fluorescent substance layer sealing LED1, if the refractive index RIp of the first transparent composition (transparent resin composition contained in the fluorescent substance layer 3) is 1.45 or more and 1.60 or less, fluorescence The emitted light intensity of body layer sealing LED1 can be improved.

また、この蛍光体層封止LED1では、第1の透明組成物(蛍光体層3に含まれる透明樹脂組成物)の屈折率RIpから第2の透明組成物(透明層4に含まれる透明樹脂組成物)の屈折率RItを差し引いた値(屈折率RIp−屈折率RIt)が、−0.70以上、0.20以下であれば、蛍光体層封止LED1の発光強度を向上させることができる。   In this phosphor layer-sealed LED 1, the second transparent composition (transparent resin contained in the transparent layer 4) is determined from the refractive index RIp of the first transparent composition (transparent resin composition contained in the phosphor layer 3). If the value obtained by subtracting the refractive index RIt of the composition (refractive index RIp−refractive index RIt) is −0.70 or more and 0.20 or less, the emission intensity of the phosphor layer-sealed LED 1 can be improved. it can.

また、この蛍光体層封止LED1では、RIp−RItが、0.05以上であれば、
蛍光体層封止LED1の発光強度をより一層向上させることができる。
Further, in this phosphor layer-sealed LED1, if RIp-RIt is 0.05 or more,
The light emission intensity of the phosphor layer-sealed LED 1 can be further improved.

また、この蛍光体層封止LED1では、距離αが、50μmを超過すれば、色均一性を向上させることができる。   Moreover, in this fluorescent substance layer sealing LED1, if the distance (alpha) exceeds 50 micrometers, color uniformity can be improved.

この蛍光体層封止LED1の製造方法によれば、封止シート5を用いて、蛍光体層封止LED1を簡便に製造することができる。   According to the manufacturing method of this fluorescent substance layer sealing LED1, the fluorescent substance layer sealing LED1 can be manufactured simply using the sealing sheet 5. FIG.

この蛍光体層封止LED1の製造方法によれば、所望の寸法(y、z、αなど)を有する蛍光体層封止LED1を簡便に製造することができる。   According to the method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED 1, the phosphor layer-sealed LED 1 having desired dimensions (y, z, α, etc.) can be easily produced.

[変形例]
変形例において、上記した第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
[Modification]
In the modification, the same members and steps as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

第1実施形態では、LED2と、蛍光体層3と、透明層4とを、それぞれ、平面視略矩形状に形成しているが、その形状は、特に限定さない。図示しないが、LED2と、蛍光体層3と、透明層4とを、それぞれ、例えば、平面視略円形状、平面視略多角形状(略矩形状を除く)に形成することもできる。   In 1st Embodiment, although LED2, the fluorescent substance layer 3, and the transparent layer 4 are each formed in the planar view substantially rectangular shape, the shape is not specifically limited. Although not shown, the LED 2, the phosphor layer 3, and the transparent layer 4 can be formed in, for example, a substantially circular shape in plan view and a substantially polygonal shape (except for a substantially rectangular shape) in plan view.

さらに、第1実施形態では、図1に示すように、透明層4を断面視略矩形状に形成しているが、例えば、図示しないが、上面が湾曲する断面ドーム形状(あるいは凸レンズ形状)に形成することもできる。その場合には、距離zは、蛍光体層3の上面31から、透明層4の最上面までの距離である。   Furthermore, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the transparent layer 4 is formed in a substantially rectangular shape in sectional view. For example, although not shown, the transparent layer 4 has a sectional dome shape (or convex lens shape) whose upper surface is curved. It can also be formed. In this case, the distance z is a distance from the upper surface 31 of the phosphor layer 3 to the uppermost surface of the transparent layer 4.

さらに、透明層4を、上側に向かって平断面が小さくなる略錐形状、具体的には、四角錐形状、三角錐形状などの多角錘形状に形成することもできる。   Furthermore, the transparent layer 4 can also be formed in a substantially pyramid shape with a flat cross-section that decreases upward, specifically, a polygonal pyramid shape such as a quadrangular pyramid shape or a triangular pyramid shape.

さらにまた、第1実施形態では、図1に示すように、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32は、基板50に接触することができる蛍光体側接触可能面として構成している。しかし、例えば、図5に示すように、下面32を、基板50と間隔を隔てることができる間隔確保可能面として構成することができる。   Furthermore, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the lower surface 32 around the accommodating portion 30 of the phosphor layer 3 is configured as a phosphor-side contactable surface that can contact the substrate 50. However, for example, as shown in FIG. 5, the lower surface 32 can be configured as a space ensuring surface that can be spaced from the substrate 50.

図5に示すように、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32は、LED2から露出しており、LED2の下面21より上側部分に位置している。具体的には、蛍光体層3の下面32は、面方向に投影したときに、LED2の下面21および上面22の間に位置している。すなわち、蛍光体層3の下面32は、前後方向および左右方向に投影したときに、LED2の側面23に含まれる位置に配置されている。   As shown in FIG. 5, the lower surface 32 around the housing part 30 of the phosphor layer 3 is exposed from the LED 2 and is located on the upper side of the lower surface 21 of the LED 2. Specifically, the lower surface 32 of the phosphor layer 3 is located between the lower surface 21 and the upper surface 22 of the LED 2 when projected in the surface direction. That is, the lower surface 32 of the phosphor layer 3 is disposed at a position included in the side surface 23 of the LED 2 when projected in the front-rear direction and the left-right direction.

これにより、蛍光体層3の下面32は、LED2の側面23の下端部を露出している。   Thereby, the lower surface 32 of the phosphor layer 3 exposes the lower end portion of the side surface 23 of the LED 2.

さらに、第1実施形態では、蛍光体層3および透明層4を順次Cステージ化、つまり、蛍光体層3をCステージ化し、その後、透明層4をCステージ化しているが、例えば、Bステージ状態の蛍光体層3および透明層4を、同時に、Cステージ化することもできる。   Furthermore, in the first embodiment, the phosphor layer 3 and the transparent layer 4 are sequentially C-staged, that is, the phosphor layer 3 is C-staged, and then the transparent layer 4 is C-staged. The phosphor layer 3 and the transparent layer 4 in the state can be simultaneously C-staged.

また、上記した第1実施形態では、図2A〜図2Eに示すように、封止シート5を剥離シート6の上に形成し、その後、封止シート5によって、LED2を封止している。   Moreover, in above-described 1st Embodiment, as shown to FIG. 2A-FIG. 2E, the sealing sheet 5 is formed on the peeling sheet 6, and LED2 is sealed with the sealing sheet 5 after that.

しかし、図3A〜図4Hに示すように、封止シート5を剥離シート6の上に形成せず、支持板7の上に、蛍光体樹脂組成物のワニス、および、透明樹脂組成物のワニスを順次滴下(ポッティング)して、蛍光体層3および透明層4を順次形成することができる。   However, as shown in FIGS. 3A to 4H, the sealing sheet 5 is not formed on the release sheet 6, and the phosphor resin composition varnish and the transparent resin composition varnish are formed on the support plate 7. The phosphor layer 3 and the transparent layer 4 can be sequentially formed by sequentially dropping (potting).

この方法では、図3Cに示すように、蛍光体樹脂組成物のワニスを、支持板7の上に滴下(ポッティング)する。   In this method, as shown in FIG. 3C, the varnish of the phosphor resin composition is dropped onto the support plate 7 (potting).

蛍光体樹脂組成物のワニスを支持板7の上に滴下するには、まず、図3Aに示すように、1つのLED2を支持板7の上面に配置する。これにより、支持板7により支持された1つのLED2を用意する。   In order to drop the varnish of the phosphor resin composition onto the support plate 7, first, one LED 2 is arranged on the upper surface of the support plate 7 as shown in FIG. 3A. Thereby, one LED 2 supported by the support plate 7 is prepared.

別途、図3Aに示すように、第1ダム11を用意する。   Separately, as shown in FIG. 3A, a first dam 11 is prepared.

第1ダム11は、平面視略矩形状に形成されている。また、第1ダム11の中央部には、第1ダム11を上下方向に貫通する第1開口部13が形成されている。第1開口部13は、蛍光体層3の外形形状に対応する平面視略矩形状に形成されている。   The first dam 11 is formed in a substantially rectangular shape in plan view. A first opening 13 that penetrates the first dam 11 in the vertical direction is formed at the center of the first dam 11. The first opening 13 is formed in a substantially rectangular shape in plan view corresponding to the outer shape of the phosphor layer 3.

第1ダム11の材料としては、例えば、樹脂、樹脂含浸ガラスクロス、金属などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、樹脂が挙げられる。   Examples of the material of the first dam 11 include a resin, a resin-impregnated glass cloth, and a metal. These can be used alone or in combination. Preferably, a resin is used.

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。好ましくは、熱硬化樹脂として、Bステージ状態となることができない1段反応硬化性樹脂が挙げられる。そのような1段反応硬化性樹脂として、1段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。1段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物として、例えば、ELASTOSILシリーズ(旭化成ワッカーシリコーン社製、具体的には、ELASTOSIL LR7665などのメチル系シリコーン樹脂組成物)、KERシリーズ(信越シリコーン社製)などの市販品が用いられる。   Examples of the resin include a thermosetting resin and a thermoplastic resin. Preferably, a thermosetting resin is used. Preferably, the thermosetting resin includes a one-stage reaction curable resin that cannot be in a B-stage state. Examples of such a one-step reaction curable resin include a one-step reaction curable methyl silicone resin composition. As the one-step reaction curable methyl silicone resin composition, for example, ELASTOSIL series (manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone, specifically, methyl silicone resin compositions such as ELASTOSIL LR7665), KER series (manufactured by Shin-Etsu Silicone) Commercial products such as are used.

なお、樹脂は、フィラーを配合した樹脂組成物として調製されていてもよい。   In addition, resin may be prepared as a resin composition which mix | blended the filler.

第1ダム11の厚みは、例えば、100μm以上、好ましくは、200μm以上、より好ましくは、400μm以上であり、また、例えば、1500μm以下である。   The thickness of the 1st dam 11 is 100 micrometers or more, for example, Preferably, it is 200 micrometers or more, More preferably, it is 400 micrometers or more, for example, is 1500 micrometers or less.

次いで、図3Bに示すように、第1ダム11を、支持板7の上面において、LED2を囲むように、配置する。   Next, as shown in FIG. 3B, the first dam 11 is disposed on the upper surface of the support plate 7 so as to surround the LED 2.

第1ダム11を支持板7の上面にLED2を囲むように配置するには、まず、第1ダム11の材料が樹脂である場合には、樹脂を含むワニスを調製し、次いで、ワニスを図示しない剥離シートの表面に塗布する。その後、材料が熱硬化性樹脂を含有する場合には、ワニスを加熱して、硬化させる。その後、硬化物を、上記したパターンに外形加工する。   In order to arrange the first dam 11 on the upper surface of the support plate 7 so as to surround the LED 2, first, when the material of the first dam 11 is resin, a varnish containing resin is prepared, and then the varnish is illustrated. Apply to the surface of the release sheet. Thereafter, when the material contains a thermosetting resin, the varnish is heated and cured. Thereafter, the cured product is externally processed into the pattern described above.

その後、図3Aの矢印および図3Bに示すように、第1ダム11を、第1ダム11の第1開口部13にLED2が挿入されるように、支持板7の上面に載置する。   Thereafter, as shown by the arrow in FIG. 3A and FIG. 3B, the first dam 11 is placed on the upper surface of the support plate 7 so that the LED 2 is inserted into the first opening 13 of the first dam 11.

あるいは、図3Bに示すように、ワニスをLED2の周囲に上記したパターンで直接塗布して、第1ダム11を支持板7の上面に直接形成することもできる。   Alternatively, as shown in FIG. 3B, the first dam 11 can be directly formed on the upper surface of the support plate 7 by directly applying the varnish around the LED 2 in the pattern described above.

これによって、第1ダム11を、支持板7の上面に、LED2を囲むように、配置する。   Accordingly, the first dam 11 is arranged on the upper surface of the support plate 7 so as to surround the LED 2.

次いで、図3Cに示すように、蛍光体樹脂組成物のワニスを、支持板7における第1ダム11の第1開口部13内に滴下する。具体的には、ワニスの液面が、第1ダム11の上面と面一になるように、ワニスを第1開口部13内に滴下する。   Next, as shown in FIG. 3C, the varnish of the phosphor resin composition is dropped into the first opening 13 of the first dam 11 in the support plate 7. Specifically, the varnish is dropped into the first opening 13 so that the liquid level of the varnish is flush with the upper surface of the first dam 11.

その後、蛍光体樹脂組成物がBステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物
を含有する場合には、蛍光体樹脂組成物をBステージ化する。
Thereafter, when the phosphor resin composition contains a thermosetting resin composition that can be in a B-stage state, the phosphor resin composition is B-staged.

これにより、第1ダム11の第1開口部13内に、LED2の上面22および側面23を被覆する蛍光体層3を形成する。   Thereby, the phosphor layer 3 that covers the upper surface 22 and the side surface 23 of the LED 2 is formed in the first opening 13 of the first dam 11.

次いで、図3Cの矢印で示すように、第1ダム11を、支持板7から引き剥がす。このとき、第1ダム11の第1開口部13の側面は、蛍光体層3の側面33から剥離される。   Next, as shown by the arrow in FIG. 3C, the first dam 11 is peeled off from the support plate 7. At this time, the side surface of the first opening 13 of the first dam 11 is peeled from the side surface 33 of the phosphor layer 3.

続いて、図3Dおよび図3Eに示すように、第2ダム12を、支持板7の上面に配置する。   Subsequently, as shown in FIGS. 3D and 3E, the second dam 12 is disposed on the upper surface of the support plate 7.

第2ダム12は、厚みを除き、上記した第1ダム11と同様に構成されている。第2ダム12の厚みは、第1ダム11の厚みに対して厚く形成されており、具体的には、蛍光体層3を嵌め込むことができ、かつ、透明層4を形成できる厚みに調整されている。第2ダム12の厚みは、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上であり、また、例えば、2μm以下、好ましくは、1μm以下である。   The second dam 12 is configured in the same manner as the first dam 11 except for the thickness. The thickness of the second dam 12 is formed to be thicker than the thickness of the first dam 11, and specifically, the thickness can be adjusted so that the phosphor layer 3 can be fitted and the transparent layer 4 can be formed. Has been. The thickness of the second dam 12 is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.2 μm or more, and, for example, 2 μm or less, preferably 1 μm or less.

図3Dに示すように、第2ダム12には、平面視において、蛍光体層3の形状と同一形状の第2開口部14が形成されている。   As shown in FIG. 3D, the second dam 12 has a second opening 14 having the same shape as the phosphor layer 3 in plan view.

図3Eに示すように、第2ダム12を、第2開口部14に蛍光体層3が挿入されるように、支持板7の上において、支持板7の上面に載置する。これによって、蛍光体層3が第2開口部14内に嵌り込む。   As shown in FIG. 3E, the second dam 12 is placed on the upper surface of the support plate 7 on the support plate 7 so that the phosphor layer 3 is inserted into the second opening 14. As a result, the phosphor layer 3 is fitted into the second opening 14.

その後、図4Fに示すように、蛍光体層3の上面における第2開口部14内に、透明樹脂組成物のワニスを滴下(ポッティング)する。具体的には、ワニスの液面が、第2ダム12の上面と面一になるように、ワニスを第2開口部14内に滴下する。   Thereafter, as shown in FIG. 4F, a varnish of the transparent resin composition is dropped (potted) into the second opening 14 on the upper surface of the phosphor layer 3. Specifically, the varnish is dropped into the second opening 14 so that the liquid level of the varnish is flush with the upper surface of the second dam 12.

その後、透明樹脂組成物がBステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物を含有する場合には、透明樹脂組成物を熱硬化(具体的には、Cステージ化)させる。これにより、透明層4を、蛍光体層3の上面に形成する。   Thereafter, when the transparent resin composition contains a thermosetting resin composition that can be in a B-stage state, the transparent resin composition is thermoset (specifically, C-staged). Thereby, the transparent layer 4 is formed on the upper surface of the phosphor layer 3.

透明樹脂組成物をCステージ化させる際に、蛍光体層3の蛍光体樹脂組成物が2段反応硬化性樹脂組成物のBステージ化状態であれば、これをCステージ化する。   When the transparent resin composition is C-staged, if the phosphor resin composition of the phosphor layer 3 is in a B-staged state of the two-stage reaction curable resin composition, it is C-staged.

その後、図4Gに示すように、蛍光体層3および透明層4と、第2ダム12との界面に沿って、それらを切断する。   Thereafter, as shown in FIG. 4G, they are cut along the interface between the phosphor layer 3 and the transparent layer 4 and the second dam 12.

これによって、1つのLED2と、蛍光体層3と、透明層4とを備える蛍光体層封止LED1を、支持板7に支持された状態で得る。   As a result, a phosphor layer-sealed LED 1 including one LED 2, a phosphor layer 3, and a transparent layer 4 is obtained in a state where it is supported by the support plate 7.

次に、図4Gの矢印、仮想線および図4Hに示すように、蛍光体層封止LED1を支持板7から剥離する。   Next, as shown in the arrows and phantom lines in FIG. 4G and FIG. 4H, the phosphor layer sealing LED 1 is peeled from the support plate 7.

その後、蛍光体層封止LED1を発光波長や発光効率に応じて選別する。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LEDs 1 are sorted according to the emission wavelength and the emission efficiency.

その後、図4Iに示すように、蛍光体層封止LED1を基板50に実装する。   Thereafter, as shown in FIG. 4I, the phosphor layer-sealed LED 1 is mounted on the substrate 50.

そして、図4A〜図4Iの方法によれば、第1実施形態のように、剥離シート6の上に、封止シート5を一旦製造する必要(図2A参照)がないので、蛍光体樹脂組成物のワニスおよび透明樹脂組成物のワニスから、簡単に、蛍光体層3および透明層4を順次形成することができる。   And according to the method of FIG. 4A-FIG. 4I, since it is not necessary to once manufacture the sealing sheet 5 on the peeling sheet 6 like 1st Embodiment (refer FIG. 2A), phosphor resin composition The phosphor layer 3 and the transparent layer 4 can be easily formed sequentially from the varnish of the product and the varnish of the transparent resin composition.

<第2実施形態>
第2実施形態において、上記した第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
Second Embodiment
In the second embodiment, the same members and steps as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

[蛍光体層封止LED]
第1実施形態において、図1に示すように、蛍光体層3の側面33を露出している。しかし、第2実施形態では、図6に示すように、蛍光体層3の側面33は、透明層4によって被覆されている。
[Phosphor layer sealed LED]
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the side surface 33 of the phosphor layer 3 is exposed. However, in the second embodiment, as shown in FIG. 6, the side surface 33 of the phosphor layer 3 is covered with the transparent layer 4.

つまり、透明層4は、蛍光体層3の上面31および側面33を被覆している。また、透明層4は、平面視において、蛍光体層3を包含する形状に形成されている。透明層4は、蛍光体層3の側面33を被覆する側部45を有している。また、透明層4の側部45の下面41は、基板50(仮想線)に接触することができる透明側接触可能面である。   That is, the transparent layer 4 covers the upper surface 31 and the side surface 33 of the phosphor layer 3. The transparent layer 4 is formed in a shape that includes the phosphor layer 3 in plan view. The transparent layer 4 has a side portion 45 that covers the side surface 33 of the phosphor layer 3. The lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 is a transparent side contactable surface that can contact the substrate 50 (virtual line).

そして、透明層4は、側部45を有するため、透明層4の側面43(透明側連結面)は、蛍光体層3の側面33の外側に距離βを隔てて対向配置されている。   And since the transparent layer 4 has the side part 45, the side surface 43 (transparent side connection surface) of the transparent layer 4 is opposingly arranged on the outer side of the side surface 33 of the fluorescent substance layer 3 across the distance (beta).

透明層4の側面43が、蛍光体層3の側面33に対して隔てられる距離βは、透明層4の側部45の左右方向長さおよび前後方向長さ(最小長さ)である。   The distance β at which the side surface 43 of the transparent layer 4 is separated from the side surface 33 of the phosphor layer 3 is the left-right direction length and the front-rear direction length (minimum length) of the side portion 45 of the transparent layer 4.

距離βは、0を超過する範囲から適宜選択される。   The distance β is appropriately selected from a range exceeding 0.

第2実施形態では、第1実施形態の(1)〜(4)のうち、(3)に代えて、下記(3)’を満足することが好ましい。   In the second embodiment, it is preferable that the following (3) ′ is satisfied instead of (3) among (1) to (4) of the first embodiment.

(3)’ 距離αと、距離βとの和(α+β)は、例えば、50μm以上、好ましくは、50μm超過、より好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1000μm以下である。α+βが上記下限以上であれば、色均一性が低下を防止したり、あるいは、色ムラを抑制することができる。α+βが上記上限以下であれば、材料の無駄な使用を抑制することができる。   (3) ′ The sum (α + β) of the distance α and the distance β is, for example, 50 μm or more, preferably more than 50 μm, more preferably 100 μm or more, and, for example, 2000 μm or less, preferably 1000 μm or less. It is. If α + β is equal to or greater than the above lower limit, color uniformity can be prevented from being lowered, or color unevenness can be suppressed. If α + β is less than or equal to the above upper limit, useless use of materials can be suppressed.

なお、第1実施形態においては、βは、0である。そのため、本発明において、βは、好ましくは、0以上である。   In the first embodiment, β is 0. Therefore, in the present invention, β is preferably 0 or more.

[蛍光体層封止LEDの製造方法]
次に、図6に示す蛍光体層封止LEDを製造する方法、および、蛍光体層封止LEDを用いてLED装置を製造する方法について図7A〜図8Lを参照して説明する。
[Method for producing phosphor layer-sealed LED]
Next, a method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 6 and a method for manufacturing an LED device using the phosphor layer-sealed LED will be described with reference to FIGS. 7A to 8L.

蛍光体層封止LED1の製造方法は、蛍光体層3を備える蛍光封止シート15を製造する工程(蛍光体層用意工程の一例、図7A参照)と、蛍光封止シート15を、蛍光体層3が複数のLED2を被覆するように、配置する工程(蛍光体層配置工程の一例、図7B参照)と、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去する工程(個片化/除去工程の一例、図7D参照)と、透明層4を備える透明シート18を製造する工程(透明層用意工程の一例、図8G参照)と、蛍光体層封止LED1を第2支持板17に再配置する工程(図8G参照)と、透明シート18を、蛍光体層3の上に配置する工程(透明層配置工程の一例、図8H)とを備えている。   The manufacturing method of the phosphor layer-sealed LED 1 includes a step of manufacturing a phosphor sealing sheet 15 including the phosphor layer 3 (an example of a phosphor layer preparing step, see FIG. 7A), a phosphor sealing sheet 15 The step of arranging the layer 3 so as to cover the plurality of LEDs 2 (an example of the step of arranging the phosphor layer, see FIG. 7B), and the step of removing the phosphor layer 3 remote from the LED 2 (individualization / An example of the removing step, see FIG. 7D), a step of manufacturing the transparent sheet 18 including the transparent layer 4 (an example of the transparent layer preparing step, see FIG. 8G), and the phosphor layer sealing LED1 on the second support plate 17 The process of rearrangement (refer FIG. 8G) and the process of arrange | positioning the transparent sheet 18 on the fluorescent substance layer 3 (an example of a transparent layer arrangement | positioning process, FIG. 8H) are provided.

この方法では、まず、図7Aに示すように、複数のLEDを用意する。   In this method, first, a plurality of LEDs are prepared as shown in FIG. 7A.

別途、蛍光体層3を備える蛍光封止シート15を用意する。   Separately, a fluorescent sealing sheet 15 including the phosphor layer 3 is prepared.

蛍光封止シート15を用意するには、まず、図7Aに示すように、剥離シート6を用意する。   In order to prepare the fluorescent sealing sheet 15, first, as shown in FIG. 7A, a release sheet 6 is prepared.

次いで、蛍光体層3を剥離シート6の下面に、シート状に形成する。蛍光体層3の形成方法は、第1実施形態における蛍光体層3の形成方法と同様である。   Next, the phosphor layer 3 is formed in a sheet shape on the lower surface of the release sheet 6. The method for forming the phosphor layer 3 is the same as the method for forming the phosphor layer 3 in the first embodiment.

これにより、剥離シート6と、剥離シート6の下面に形成される蛍光体層3とを備える蛍光封止シート15を用意する。   Thereby, the fluorescent sealing sheet 15 provided with the peeling sheet 6 and the fluorescent substance layer 3 formed in the lower surface of the peeling sheet 6 is prepared.

なお、蛍光封止シート15は、後で説明する透明層4(図8G参照)を有していない。好ましくは、蛍光封止シート15は、剥離シート6と蛍光体層3とからなる。   In addition, the fluorescence sealing sheet 15 does not have the transparent layer 4 (refer FIG. 8G) demonstrated later. Preferably, the fluorescent sealing sheet 15 includes the release sheet 6 and the phosphor layer 3.

次いで、図7Bに示すように、蛍光体層3によって複数のLED2を封止する。つまり、蛍光封止シート15を、LED2を支持する支持板7に対して圧着する。これにより、蛍光封止シート15における下面32は、複数のLED2を埋設して、複数のLED2の表面に対応する形状に形成される。一方、蛍光封止シート15における蛍光体層3の上面31は、平坦状に形成されている。なお、蛍光体層3は、LED2の側面23および上面22を被覆している。   Next, as shown in FIG. 7B, the plurality of LEDs 2 are sealed with the phosphor layer 3. That is, the fluorescent sealing sheet 15 is pressure-bonded to the support plate 7 that supports the LED 2. Thereby, the lower surface 32 in the fluorescent sealing sheet 15 is formed in a shape corresponding to the surface of the plurality of LEDs 2 by embedding the plurality of LEDs 2. On the other hand, the upper surface 31 of the phosphor layer 3 in the phosphor encapsulating sheet 15 is formed flat. The phosphor layer 3 covers the side surface 23 and the upper surface 22 of the LED 2.

その後、この方法では、図7Cに示すように、剥離シート6を蛍光体層3から引き剥がす。   Thereafter, in this method, the release sheet 6 is peeled off from the phosphor layer 3 as shown in FIG. 7C.

次いで、この方法では、図7Dに示すように、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去する。   Then, in this method, as shown in FIG. 7D, the phosphor layer 3 that is remote from the LED 2 is removed.

具体的には、所定幅(肉厚)を有する円盤状のダイシングソー(ダイシングブレード)9によって、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を切削する。これによって、蛍光体層3において、側部35の長さαが所望寸法に調節される。つまり、所定の寸法となるように、蛍光体層3を外形加工する。   Specifically, the phosphor layer 3 remote from the LED 2 is cut by a disc-shaped dicing saw (dicing blade) 9 having a predetermined width (wall thickness). Accordingly, in the phosphor layer 3, the length α of the side portion 35 is adjusted to a desired dimension. That is, the phosphor layer 3 is trimmed so as to have a predetermined dimension.

同時に、蛍光体層封止LED1が個片化される。つまり、蛍光封止シート15を、蛍光体層封止LED1が個片化されるように、切断する。このとき、LED2の側面23を被覆する蛍光体層3を残存させる。   At the same time, the phosphor layer-sealed LED 1 is singulated. That is, the fluorescent sealing sheet 15 is cut so that the phosphor layer sealing LEDs 1 are separated into individual pieces. At this time, the phosphor layer 3 covering the side surface 23 of the LED 2 is left.

続いて、図7Eに示すように、その後、個片化された蛍光体層封止LED1を、支持板7から引き剥がす。   Subsequently, as shown in FIG. 7E, the separated phosphor layer-sealed LED 1 is peeled off from the support plate 7.

これにより、LED2と、所定の寸法を有する蛍光体層3とを備える蛍光体層封止LED1を得る。この第2実施形態において、図7Eの仮想線および図7Fの実線で示す蛍光体層封止LED1は、透明層4を備えていない。つまり、この蛍光体層封止LED1は、好ましくは、LED2と蛍光体層3とからなる。   Thereby, fluorescent substance layer sealing LED1 provided with LED2 and the fluorescent substance layer 3 which has a predetermined dimension is obtained. In the second embodiment, the phosphor layer-sealed LED 1 indicated by the phantom line in FIG. 7E and the solid line in FIG. 7F does not include the transparent layer 4. That is, the phosphor layer-sealed LED 1 is preferably composed of the LED 2 and the phosphor layer 3.

この方法では、次いで、図8Gに示すように、複数の蛍光体層封止LED1を第2支持板17に、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置する。つまり、蛍光体層封止LED1を第2支持板17に対して再配置する。   In this method, as shown in FIG. 8G, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are then aligned on the second support plate 17 with a space therebetween in the front-rear direction and the left-right direction. That is, the phosphor layer sealing LED 1 is rearranged with respect to the second support plate 17.

第2支持板17は、上記した支持板7と同一の構成を有する。   The second support plate 17 has the same configuration as the above-described support plate 7.

別途、図8Gに示すように、透明層4を備える透明シート18を用意する。   Separately, as shown in FIG. 8G, a transparent sheet 18 including the transparent layer 4 is prepared.

透明シート18を用意するには、まず、図8Gに示すように、透明層4を第2剥離シート19の下面に、シート状に形成する。第2剥離シート19は、上記した剥離シート6と同一の構成を有する。透明層4の形成方法は、第1実施形態における蛍光体層3の形成方法と同様である。第2の透明組成物は、好ましくは、フィラーを含有している。   In order to prepare the transparent sheet 18, first, as shown in FIG. 8G, the transparent layer 4 is formed in a sheet shape on the lower surface of the second release sheet 19. The second release sheet 19 has the same configuration as the release sheet 6 described above. The method for forming the transparent layer 4 is the same as the method for forming the phosphor layer 3 in the first embodiment. The second transparent composition preferably contains a filler.

これにより、第2剥離シート19と、第2剥離シート19の下面に形成される透明層4とを備える透明シート18を用意する。   Thereby, the transparent sheet 18 provided with the 2nd peeling sheet 19 and the transparent layer 4 formed in the lower surface of the 2nd peeling sheet 19 is prepared.

なお、透明シート18は、上記した蛍光体層3を有していない。好ましくは、透明シート18は、第2剥離シート19と透明層4とからなる。   The transparent sheet 18 does not have the phosphor layer 3 described above. Preferably, the transparent sheet 18 includes the second release sheet 19 and the transparent layer 4.

次いで、この方法では、図8Hに示すように、透明層4によって、複数のLED2を被覆する複数の蛍光体層3を被覆する。   Next, in this method, as shown in FIG. 8H, the transparent layer 4 covers the plurality of phosphor layers 3 that cover the plurality of LEDs 2.

具体的には、第2剥離シート19を、蛍光体層封止LED1を支持する第2支持板17に対して圧着する。   Specifically, the 2nd peeling sheet 19 is crimped | bonded with respect to the 2nd support plate 17 which supports fluorescent substance layer sealing LED1.

なお、透明樹脂組成物がBステージ(半硬化)状態のフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、熱圧着する。これによって、Bステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物は、加熱により、一旦、可塑化し、これによって、透明樹脂組成物が、複数の蛍光体層3の間に充填される。その後、透明樹脂組成物が、完全硬化する。   When the transparent resin composition contains a B-stage (semi-cured) phenyl silicone resin composition, thermocompression bonding is performed. Thereby, the B-stage phenyl-based silicone resin composition is once plasticized by heating, whereby the transparent resin composition is filled between the plurality of phosphor layers 3. Thereafter, the transparent resin composition is completely cured.

次いで、図8Iに示すように、第2剥離シート19を透明層4から引き剥がす。   Next, as shown in FIG. 8I, the second release sheet 19 is peeled off from the transparent layer 4.

これによって、図8Iに示すように、透明層4が積層された蛍光体層3によって、複数のLED2が封止された封止LED集合体8が第2支持板17に支持される状態で得られる。   As a result, as shown in FIG. 8I, the sealed LED assembly 8 in which the plurality of LEDs 2 are sealed is obtained by the phosphor layer 3 on which the transparent layer 4 is laminated while being supported by the second support plate 17. It is done.

次いで、図8Jに示すように、封止LED集合体8を、複数のLED2を個片化するように、切断する。   Next, as shown in FIG. 8J, the sealed LED assembly 8 is cut so that the plurality of LEDs 2 are separated.

次いで、図8Jの矢印および図8Kに示すように、複数の蛍光体層封止LED1を支持板7から引き剥がして、蛍光体層封止LED1を得る。   Next, as shown in the arrow in FIG. 8J and FIG. 8K, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are peeled off from the support plate 7 to obtain the phosphor layer-sealed LED 1.

その後、図8Lに示すように、蛍光体層封止LED1を基板50に実装して、LED装置60を得る。具体的には、図6の仮想線が参照されるように、透明層4の側部45の下面41が、基板50に接触する。   Then, as shown to FIG. 8L, fluorescent substance layer sealing LED1 is mounted in the board | substrate 50, and the LED device 60 is obtained. Specifically, the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 is in contact with the substrate 50 so that the virtual line in FIG.

[第2実施形態の作用効果]
そして、この蛍光体層封止LED1では、図6に示すように、透明層4が、蛍光体層3の側面33を被覆する側部45を有するので、第1実施形態と同様に、透明樹脂組成物(透明層4)と空気との界面を、光吸収体である基板50やLED2(LED2と蛍光体層3との界面)から遠ざけること(離間させること)ができる。そのため、LED2から上側に向かって発光され、蛍光体層3によって波長変換された光と、蛍光体層3によって波長変換されず、蛍光体層3を透過する光とが、透明樹脂組成物(透明層4)と空気との界面で反射されても基板50やLED2(光吸収体)に戻りにくいために、蛍光体層封止LED1の発光強度を向上させることができる。
[Effects of Second Embodiment]
And in this fluorescent substance layer sealing LED1, as shown in FIG. 6, since the transparent layer 4 has the side part 45 which coat | covers the side surface 33 of the fluorescent substance layer 3, it is transparent resin like 1st Embodiment. The interface between the composition (transparent layer 4) and air can be moved away (separated) from the substrate 50 and the LED 2 (interface between the LED 2 and the phosphor layer 3) which are light absorbers. Therefore, light that is emitted upward from the LED 2 and wavelength-converted by the phosphor layer 3 and light that is not wavelength-converted by the phosphor layer 3 and passes through the phosphor layer 3 are transparent resin composition (transparent Even if it is reflected at the interface between the layer 4) and the air, it is difficult to return to the substrate 50 or the LED 2 (light absorber), so that the emission intensity of the phosphor layer-sealed LED 1 can be improved.

一方、この第2実施形態では、図8Gに示すように、蛍光体層3が配置された蛍光体層封止LED1を、その後、支持板7とは別の支持台、つまり、第2支持板17に再配置し、続いて、図8Hに示すように、透明層4によって、蛍光体層3を被覆している。   On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. 8G, the phosphor layer-sealed LED 1 on which the phosphor layer 3 is disposed is then placed on a support stand different from the support plate 7, that is, the second support plate. Then, the phosphor layer 3 is covered with the transparent layer 4 as shown in FIG. 8H.

対して、第1実施形態の方法では、上記したように、第2実施形態と異なり、蛍光体層3が配置されたLED2を第2支持板17へ再配置する必要がない。そのため、簡便に方法によって、蛍光体層封止LED1が製造される。   On the other hand, in the method of the first embodiment, as described above, unlike the second embodiment, it is not necessary to rearrange the LED 2 on which the phosphor layer 3 is disposed on the second support plate 17. Therefore, the phosphor layer-sealed LED 1 is manufactured by a simple method.

また、蛍光体層封止LED1における蛍光体層3と透明層4とに、切断などの簡易な方法により、それぞれ、側面33と側面43とを形成することができる。   Further, the side surface 33 and the side surface 43 can be formed on the phosphor layer 3 and the transparent layer 4 in the phosphor layer-sealed LED 1 by a simple method such as cutting, respectively.

この蛍光体層封止LED1の製造方法は、図7Aに示すように、シート状の蛍光体層3を備える蛍光封止シート15を用意する蛍光体層用意工程と、シート状の蛍光体層3を、LED2を被覆するように、配置する蛍光体層配置工程とを備えるので、シート状の蛍光体層3を用いて、発光強度に優れる蛍光体層封止LED1を簡便に製造することができる。   As shown in FIG. 7A, the phosphor layer-sealed LED 1 is manufactured by a phosphor layer preparing step for preparing a phosphor encapsulating sheet 15 including a sheet-like phosphor layer 3, and a sheet-like phosphor layer 3. The phosphor layer-sealed LED 1 having excellent emission intensity can be easily produced using the sheet-like phosphor layer 3. .

また、この蛍光体層封止LED1の製造方法によれば、図7Dに示すように、個片化/除去工程において、蛍光体層配置工程の後であって、透明層配置工程の前に、蛍光体層3を、複数のLED2に対応して個片化する同時に、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去するので、少ない工数で、所望の寸法を有する蛍光体層封止LED1を製造することができる。   Moreover, according to the manufacturing method of this fluorescent substance layer sealing LED1, as shown to FIG. 7D, in an individualization / removal process, after a fluorescent substance layer arrangement | positioning process, before a transparent layer arrangement | positioning process, The phosphor layer 3 is separated into pieces corresponding to the plurality of LEDs 2 and at the same time, the phosphor layer 3 remote from the LED 2 is removed, so that the phosphor layer-sealed LED 1 having a desired size can be obtained with a small number of man-hours. Can be manufactured.

さらに、この蛍光体層封止LED1の製造方法によれば、図7Dに示すように、個片化/除去工程では、LED2の側面23を被覆する蛍光体層3を残存させるので、所望の寸法の蛍光体層3を備える蛍光体層封止LED1を、簡便に製造することができる。   Furthermore, according to the method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED 1, as shown in FIG. 7D, in the singulation / removal step, the phosphor layer 3 covering the side surface 23 of the LED 2 is left, so that a desired dimension is obtained. The phosphor layer-sealed LED 1 including the phosphor layer 3 can be easily manufactured.

また、この蛍光体層封止LED1の製造方法によれば、図8Gに示すように、シート状の透明層4を用いるので、発光強度に優れる蛍光体層封止LED1を簡便に製造することができる。   Moreover, according to the manufacturing method of this fluorescent substance layer sealing LED1, as shown to FIG. 8G, since the sheet-like transparent layer 4 is used, fluorescent substance sealing LED 1 which is excellent in emitted light intensity can be manufactured simply. it can.

[変形例]
第2実施形態では、図6に示すように、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32、および、透明層4の側部45の下面41は、それぞれ、基板50に接触することができる蛍光体側接触可能面および透明側接触可能面として構成している。しかし、例えば、図9に示すように、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32、および、透明層4の側部45の下面41の両方を、基板50と間隔を隔てることができる間隔確保可能面として構成することができる。
[Modification]
In the second embodiment, as shown in FIG. 6, the lower surface 32 around the accommodating portion 30 of the phosphor layer 3 and the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 can contact the substrate 50. The phosphor-side contactable surface and the transparent-side contactable surface are configured. However, for example, as shown in FIG. 9, both the lower surface 32 around the accommodating portion 30 of the phosphor layer 3 and the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 can be separated from the substrate 50. It can be configured as a space ensuring surface.

図9に示すように、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32、および、透明層4の側部45の下面41は、LED2の下面21より上側部分に位置している。具体的には、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32、および、透明層4の側部45の下面41は、面方向に投影したときに、LED2の下面21および上面22の間に位置している。すなわち、蛍光体層3の収容部30の周囲の下面32、および、透明層4の側部45の下面41は、前後方向および左右方向に投影したときに、LED2の側面23に含まれる位置に配置されている。   As shown in FIG. 9, the lower surface 32 around the accommodating portion 30 of the phosphor layer 3 and the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 are located in an upper portion than the lower surface 21 of the LED 2. Specifically, the lower surface 32 around the housing portion 30 of the phosphor layer 3 and the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 are between the lower surface 21 and the upper surface 22 of the LED 2 when projected in the surface direction. Is located. That is, the lower surface 32 around the housing portion 30 of the phosphor layer 3 and the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4 are located at positions included in the side surface 23 of the LED 2 when projected in the front-rear direction and the left-right direction. Has been placed.

また、第2実施形態では、図7Bに示すように、蛍光封止シート15における蛍光体層3の上面31を、平坦状に形成しているが、例えば、図10Bに示すように、蛍光体層3の上面31を、複数のLED2の表面に対応する凹凸形状に形成することもできる。   Moreover, in 2nd Embodiment, as shown to FIG. 7B, although the upper surface 31 of the fluorescent substance layer 3 in the fluorescent sealing sheet 15 is formed flat, for example, as shown to FIG. The upper surface 31 of the layer 3 can also be formed in the uneven | corrugated shape corresponding to the surface of several LED2.

そのような変形例は、蛍光体層3を備える蛍光封止シート15を製造する工程(蛍光体層用意工程の一例、図10A参照)と、蛍光封止シート15を、蛍光体層3が複数のLED2を被覆するように、配置する工程(蛍光体層配置工程の一例、図10B参照)と、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去する工程(除去工程の一例、図10D参照)と、透明層4を備える透明シート18を製造する工程(透明層用意工程の一例、図8G参照)と、蛍光体層封止LED1を第2支持板17に再配置する工程(図8G参照)と、透明シート18を、蛍光体層3の上に配置する工程(図8H)とを備えている。   Such a modification includes a step of manufacturing a phosphor encapsulating sheet 15 including the phosphor layer 3 (an example of a phosphor layer preparing step, see FIG. 10A), and a plurality of phosphor encapsulating sheets 15 including the phosphor layer 3. The step of arranging the LED 2 so as to cover the LED 2 (an example of the phosphor layer arranging step, see FIG. 10B) and the step of removing the phosphor layer 3 remote from the LED 2 (an example of the removing step, see FIG. 10D). ), A step of manufacturing a transparent sheet 18 including the transparent layer 4 (an example of a transparent layer preparation step, see FIG. 8G), and a step of rearranging the phosphor layer-sealed LED 1 on the second support plate 17 (see FIG. 8G). ) And a step of placing the transparent sheet 18 on the phosphor layer 3 (FIG. 8H).

この方法では、まず、図10Aに示すように、複数のLEDを用意する。   In this method, first, a plurality of LEDs are prepared as shown in FIG. 10A.

別途、蛍光体層3を備える蛍光封止シート15を用意する。蛍光封止シート15を用意するには、まず、図10Aに示すように、剥離シート6を用意する。   Separately, a fluorescent sealing sheet 15 including the phosphor layer 3 is prepared. In order to prepare the fluorescent sealing sheet 15, first, as shown in FIG. 10A, a release sheet 6 is prepared.

次いで、蛍光体層3を剥離シート6の下面に形成する。これにより、剥離シート6と、剥離シート6の下面に形成される蛍光体層3とを備える蛍光封止シート15を用意する。   Next, the phosphor layer 3 is formed on the lower surface of the release sheet 6. Thereby, the fluorescent sealing sheet 15 provided with the peeling sheet 6 and the fluorescent substance layer 3 formed in the lower surface of the peeling sheet 6 is prepared.

次いで、図10Bに示すように、蛍光体層3によって複数のLED2を封止する。つまり、蛍光封止シート15を、LED2を支持する支持板7に対して圧着する。このとき、剥離シート6の上側に配置され、複数のLED2に対応する凹部を備える上金型と、平板状の下金型とを備えるプレスによって、蛍光封止シート15を、LED2および支持板7に対して圧着する。蛍光体層3は、上記したプレスによって、複数のLED2に対応する複数の凸部を有する。剥離シート6は、蛍光体層3の表面(突部の表面の側面を含む)に被覆している。   Next, as shown in FIG. 10B, the plurality of LEDs 2 are sealed with the phosphor layer 3. That is, the fluorescent sealing sheet 15 is pressure-bonded to the support plate 7 that supports the LED 2. At this time, the fluorescent encapsulating sheet 15 is placed on the LED 2 and the support plate 7 by a press which is disposed on the upper side of the release sheet 6 and includes a top mold having recesses corresponding to the plurality of LEDs 2 and a flat bottom mold. Crimp against. The phosphor layer 3 has a plurality of convex portions corresponding to the plurality of LEDs 2 by the press described above. The release sheet 6 covers the surface of the phosphor layer 3 (including the side surface of the surface of the protrusion).

その後、この方法では、図10Cに示すように、剥離シート6を蛍光体層3から引き剥がす。   Thereafter, in this method, the release sheet 6 is peeled off from the phosphor layer 3 as shown in FIG. 10C.

次いで、この方法では、図10Dに示すように、蛍光体層3を切断して、続いて、図10Eに示すように、蛍光体層封止LED1に個片化する。その後、個片化された蛍光体層封止LED1を、支持板7から引き剥がす。   Next, in this method, as shown in FIG. 10D, the phosphor layer 3 is cut and then separated into the phosphor layer-sealed LEDs 1 as shown in FIG. 10E. Thereafter, the separated phosphor layer-sealed LED 1 is peeled off from the support plate 7.

つまり、図10Dで示すように、所定の寸法となるように、蛍光体層3を外形加工する。これによって、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3が除去される。   That is, as shown in FIG. 10D, the phosphor layer 3 is trimmed so as to have a predetermined dimension. As a result, the phosphor layer 3 remote from the LED 2 is removed.

これにより、図10Eに示すように、LED2と、所定の寸法を有する蛍光体層3とを備える蛍光体層封止LED1を得る。この第2実施形態において、図10Dの仮想線および図10Eの実線で示す蛍光体層封止LED1は、透明層4を備えていない。つまり、この蛍光体層封止LED1は、好ましくは、LED2と蛍光体層3とからなる。   Thereby, as shown to FIG. 10E, fluorescent substance layer sealing LED1 provided with LED2 and the fluorescent substance layer 3 which has a predetermined dimension is obtained. In the second embodiment, the phosphor layer-sealed LED 1 indicated by the phantom line in FIG. 10D and the solid line in FIG. 10E does not include the transparent layer 4. That is, the phosphor layer-sealed LED 1 is preferably composed of the LED 2 and the phosphor layer 3.

その後、第2実施形態(図8G〜図8L)と同様にして、透明層4を、蛍光体層3に積層する。   Then, the transparent layer 4 is laminated | stacked on the fluorescent substance layer 3 like 2nd Embodiment (FIG. 8G-FIG. 8L).

具体的には、図8Gに示すように、まず、複数の蛍光体層封止LED1を第2支持板17に、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置する。別途、図8Gに示すように、透明層4を備える透明シート18を用意する。   Specifically, as shown in FIG. 8G, first, a plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are aligned and arranged on the second support plate 17 at intervals in the front-rear direction and the left-right direction. Separately, as shown in FIG. 8G, a transparent sheet 18 including the transparent layer 4 is prepared.

次いで、図8Hに示すように、透明層4によって、複数のLED2を被覆する複数の蛍光体層3を被覆する。具体的には、下金型と下金型とを備える平板プレスにより、透明層4を蛍光体層3および第2支持板17に対して圧着する。   Next, as shown in FIG. 8H, the transparent layer 4 covers the plurality of phosphor layers 3 that cover the plurality of LEDs 2. Specifically, the transparent layer 4 is pressure-bonded to the phosphor layer 3 and the second support plate 17 by a flat plate press having a lower mold and a lower mold.

次いで、図8Iに示すように、第2剥離シート19を透明層4から引き剥がす。次いで、図8Jに示すように、封止LED集合体8を、複数のLED2を個片化するように、切断する。次いで、図8Jの矢印および図8Kに示すように、複数の蛍光体層封止LED1を支持板7から引き剥がして、蛍光体層封止LED1を得る。その後、図8Lに示すように、蛍光体層封止LED1を基板50に実装して、LED装置60を得る。   Next, as shown in FIG. 8I, the second release sheet 19 is peeled off from the transparent layer 4. Next, as shown in FIG. 8J, the sealed LED assembly 8 is cut so that the plurality of LEDs 2 are separated. Next, as shown in the arrow in FIG. 8J and FIG. 8K, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are peeled off from the support plate 7 to obtain the phosphor layer-sealed LED 1. Then, as shown to FIG. 8L, fluorescent substance layer sealing LED1 is mounted in the board | substrate 50, and the LED device 60 is obtained.

また、第2実施形態では、図8Gに示すように、まず、透明層4を備える透明シート18を用意し、その後、シート状の透明層4によって、複数のLED2を被覆する複数の蛍光体層3を被覆しているが、例えば、図8Iが参照されるように、透明樹脂組成物(から調製されるワニス、粉末、タブレットなど)から、直接、第2支持板17の上に、LED2を被覆するように、例えば、ポッティング、トランスファー成形、圧縮成形などによって、透明層4をシート状に成形することもできる。   Moreover, in 2nd Embodiment, as shown to FIG. 8G, first, the transparent sheet 18 provided with the transparent layer 4 is prepared, and the several fluorescent substance layer which coat | covers several LED2 with the sheet-like transparent layer 4 after that is prepared. For example, as shown in FIG. 8I, the LED 2 is directly mounted on the second support plate 17 from the transparent resin composition (varnish, powder, tablet, etc. prepared from). For example, the transparent layer 4 may be formed into a sheet shape by potting, transfer molding, compression molding, or the like so as to cover it.

<第3実施形態>
第3実施形態において、上記した第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
<Third Embodiment>
In the third embodiment, the same members and steps as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

[蛍光体層封止LED]
図11に示すように、蛍光体層3は、その周端部に、鍔部36を有している。
[Phosphor layer sealed LED]
As shown in FIG. 11, the phosphor layer 3 has a flange 36 at the peripheral end thereof.

鍔部36は、LED2の側面23を被覆する部分から、面方向外側に張り出す張出部である。蛍光体層3の鍔部36の上面は、蛍光体層3においてLED2の上面22を被覆する部分から一段下側に下がるように位置しており、そのため、鍔部36の上面と、上記した部分の上面31との間に段差が形成されている。鍔部36の外周面37は、透明層4の側面43から外方に露出している。鍔部36の外周面37は、透明層4の側面43と上下方向において面一に形成されている。   The eaves part 36 is an overhang | projection part which protrudes in the surface direction outer side from the part which coat | covers the side surface 23 of LED2. The upper surface of the flange portion 36 of the phosphor layer 3 is located so as to be lowered one step downward from the portion covering the upper surface 22 of the LED 2 in the phosphor layer 3. Therefore, the upper surface of the flange portion 36 and the above-described portion A step is formed between the upper surface 31 and the upper surface 31. The outer peripheral surface 37 of the flange portion 36 is exposed outward from the side surface 43 of the transparent layer 4. The outer peripheral surface 37 of the flange portion 36 is formed flush with the side surface 43 of the transparent layer 4 in the vertical direction.

鍔部36の上面39は、透明層4の側部45の下面41と接触している。   The upper surface 39 of the flange portion 36 is in contact with the lower surface 41 of the side portion 45 of the transparent layer 4.

[蛍光体層封止LEDの製造方法およびLED装置の製造方法]
次に、図11に示す蛍光体層封止LEDを製造する方法、および、蛍光体層封止LEDを用いてLED装置を製造する方法について図12A〜図13Iを参照して説明する。
[Method of manufacturing phosphor layer-sealed LED and method of manufacturing LED device]
Next, a method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED shown in FIG. 11 and a method for manufacturing an LED device using the phosphor layer-sealed LED will be described with reference to FIGS. 12A to 13I.

この蛍光体層封止LED1の製造方法は、蛍光封止シート15を製造する工程(図12A参照)と、蛍光封止シート15を、蛍光体層3が複数のLED2を被覆するように、配置する工程(図12B参照)と、隣接するLED2間における蛍光体層3に凹部24を形成する工程(図12C参照)と、透明層4を備える透明シート18を製造する工程(図12D参照)と、透明シート18を蛍光体層3の上に配置する工程(図13E参照)と、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3および透明層4を切断して、蛍光体層封止LED1を個片化する工程(図13F参照)とを備える。   In the method for manufacturing the phosphor layer-sealed LED 1, the step of manufacturing the phosphor sealing sheet 15 (see FIG. 12A) and the phosphor sealing sheet 15 are arranged so that the phosphor layer 3 covers the plurality of LEDs 2. A step (see FIG. 12B), a step of forming the recess 24 in the phosphor layer 3 between the adjacent LEDs 2 (see FIG. 12C), and a step of manufacturing the transparent sheet 18 including the transparent layer 4 (see FIG. 12D). The step of disposing the transparent sheet 18 on the phosphor layer 3 (see FIG. 13E) and the phosphor layer 3 and the transparent layer 4 that are remote from the LED 2 are cut into individual phosphor layer-sealed LEDs 1. And a step of separating (see FIG. 13F).

図12Bの矢印で示すように、蛍光封止シート15を支持板7に対して配置した後、剥離シート6を剥離する。   As shown by the arrow in FIG. 12B, after the fluorescent sealing sheet 15 is disposed on the support plate 7, the release sheet 6 is peeled off.

蛍光体層3の上面は、平坦な表面を有する。   The upper surface of the phosphor layer 3 has a flat surface.

図12Cに示すように、蛍光体層3に凹部24を形成するには、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去する。   As shown in FIG. 12C, in order to form the recess 24 in the phosphor layer 3, the phosphor layer 3 remote from the LED 2 is removed.

具体的には、ダイシングソー9によって、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3の上端部をハーフカットする。   Specifically, the upper end portion of the phosphor layer 3 remote from the LED 2 is half-cut by the dicing saw 9.

凹部24が形成されることによって、蛍光体層3に鍔部36が形成される。   By forming the recess 24, the flange 36 is formed in the phosphor layer 3.

その後、図13Eに示すように、透明シート18の透明層4を蛍光体層3の上に配置する。透明層4は、好ましくは、優れたガス透過率を得る観点から、好ましくは、メチル系シリコーン樹脂組成物からなる透明樹脂組成物からなる。   Thereafter, as shown in FIG. 13E, the transparent layer 4 of the transparent sheet 18 is disposed on the phosphor layer 3. The transparent layer 4 is preferably made of a transparent resin composition made of a methyl silicone resin composition from the viewpoint of obtaining excellent gas permeability.

次いで、図13Fに示すように、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3および透明層4を切断する。   Next, as shown in FIG. 13F, the phosphor layer 3 and the transparent layer 4 which are remote from the LED 2 are cut.

これによって、図13Gに示すように、複数の蛍光体層封止LED1が第2支持板17に支持された状態で得られる。   As a result, as shown in FIG. 13G, a plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are obtained in a state where they are supported by the second support plate 17.

その後、図13Hに示すように、複数の蛍光体層封止LED1を、転写シート25に転写する。   Thereafter, as shown in FIG. 13H, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs 1 are transferred to the transfer sheet 25.

その後、図13Iに示すように、蛍光体層封止LED1を転写シート25から基板50に再転写して、蛍光体層封止LED1を基板50に実装する。これにより、LED装置60を得る。   Thereafter, as shown in FIG. 13I, the phosphor layer-sealed LED 1 is retransferred from the transfer sheet 25 to the substrate 50, and the phosphor layer-sealed LED 1 is mounted on the substrate 50. Thereby, the LED device 60 is obtained.

[第3実施形態の作用効果]
この蛍光体層封止LED1では、図11に示すように、収容部30の内周面38が、LED2の側面23を被覆しつつ、蛍光体層3の鍔部36の外周面37が側方に露出している。そのため、LED2から側方に向かって発光された光が、蛍光体層3の鍔部36によって十分に波長変換される一方、LED2から上方に向かって発光される光は、蛍光体層3によって波長変換された光と、波長変換されず、蛍光体層3を透過する光とを、透明層4において、適度に混合することができる。その結果、蛍光体層封止LED1は、配光性(色ムラの抑制)に優れる。
[Effects of Third Embodiment]
In this phosphor layer-sealed LED 1, as shown in FIG. 11, the inner peripheral surface 38 of the housing portion 30 covers the side surface 23 of the LED 2, while the outer peripheral surface 37 of the collar portion 36 of the phosphor layer 3 is lateral. Is exposed. Therefore, the light emitted from the LED 2 toward the side is sufficiently wavelength-converted by the flange portion 36 of the phosphor layer 3, while the light emitted upward from the LED 2 is wavelength-converted by the phosphor layer 3. The converted light and the light that is not wavelength-converted and passes through the phosphor layer 3 can be appropriately mixed in the transparent layer 4. As a result, the phosphor layer-sealed LED 1 is excellent in light distribution (suppression of color unevenness).

また、透明層4に含有されるメチル系シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物に比べて、感圧接着力(粘着力)が高い。そのため、第2実施形態の図7A〜図8Kに示す方法では、図8Hの工程において、上記した透明層4によって、第2支持板17の上面を露出する複数のLED2を被覆すれば、透明層4が第2支持板17の上面に比較的高い感圧接着力(粘着力)で感圧接着(粘着)してしまう。そのため、その後、転写シート25(図13Gおよび図13H参照)にうまく転写できない場合(つまり、透明層4が第2支持板17の上面から剥離しない場合)がある。   Moreover, the methyl silicone resin composition contained in the transparent layer 4 has a higher pressure-sensitive adhesive force (adhesive strength) than the phenyl silicone resin composition. Therefore, in the method shown in FIGS. 7A to 8K of the second embodiment, if the plurality of LEDs 2 exposing the upper surface of the second support plate 17 are covered with the transparent layer 4 described above in the process of FIG. 4 adheres to the upper surface of the second support plate 17 with a relatively high pressure-sensitive adhesive force (adhesive force). Therefore, there is a case where the transfer sheet 25 (see FIGS. 13G and 13H) cannot be successfully transferred thereafter (that is, the transparent layer 4 does not peel from the upper surface of the second support plate 17).

しかし、第3実施形態の図12A〜図13Iで示される方法では、透明層4が支持板7の上面に接触(感圧接着)しないため、透明層4が支持板7に対して感圧接着(粘着)することを防止することができる。   However, in the method shown in FIGS. 12A to 13I of the third embodiment, since the transparent layer 4 does not contact (pressure-sensitive adhesion) with the upper surface of the support plate 7, the transparent layer 4 is pressure-sensitively bonded to the support plate 7. (Adhesion) can be prevented.

さらに、この方法は、第2実施形態のように、図8Gに示され、蛍光体層封止LED1を第2支持板17に再配置する工程とを備える必要がない。そのため、製造工数を低減して、製造コストを低減することができる。   Furthermore, this method does not need to include the step of rearranging the phosphor layer-sealed LED 1 on the second support plate 17 as shown in FIG. 8G as in the second embodiment. Therefore, the manufacturing man-hour can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.

<変形例>
蛍光体層封止LED1の製造方法の変形例は、図7Dに示され、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去する工程と、図8Gに示され、蛍光体層封止LED1を第2支持板17に再配置する工程とを備えない以外は、第2実施形態の製造方法と同一である。
<Modification>
A modification of the manufacturing method of the phosphor layer-sealed LED 1 is shown in FIG. 7D, and the step of removing the phosphor layer 3 remote from the LED 2 is shown in FIG. The manufacturing method of the second embodiment is the same as the manufacturing method of the second embodiment except that the step of rearranging the second support plate 17 is not provided.

また、この変形例は、第3実施形態の凹部24を形成する工程(図12C参照)を備えない以外は、第3実施形態の製造方法と同一である。   Moreover, this modification is the same as the manufacturing method of 3rd Embodiment except not providing the process (refer FIG. 12C) which forms the recessed part 24 of 3rd Embodiment.

すなわち、この方法では、まず、図14Aに示すように、複数のLED2を支持板7の上に用意する。これとともに、剥離シート6および蛍光体層3を備える蛍光封止シート15を用意する。   That is, in this method, first, a plurality of LEDs 2 are prepared on the support plate 7 as shown in FIG. 14A. At the same time, a fluorescent sealing sheet 15 including the release sheet 6 and the phosphor layer 3 is prepared.

次いで、図14Bに示すように、蛍光封止シート15の蛍光体層3によって複数のLED2を封止する。具体的には、下金型と下金型とを備える平板プレスにより、蛍光体層3を複数のLED2および支持板7に対して圧着する。   Next, as shown in FIG. 14B, the plurality of LEDs 2 are encapsulated by the phosphor layer 3 of the phosphor encapsulating sheet 15. Specifically, the phosphor layer 3 is pressure-bonded to the plurality of LEDs 2 and the support plate 7 by a flat plate press including a lower mold and a lower mold.

これによって、蛍光体層3に凹部24が形成される。そのため、蛍光体層3に鍔部36が形成される。   As a result, a recess 24 is formed in the phosphor layer 3. Therefore, the collar part 36 is formed in the phosphor layer 3.

次いで、図14Cに示すように、剥離シート6を蛍光体層3から引き剥がす。   Next, as shown in FIG. 14C, the release sheet 6 is peeled off from the phosphor layer 3.

次いで、図14Dに示すように、透明層4および第2剥離シート19を備える透明シート18を用意する。   Next, as illustrated in FIG. 14D, a transparent sheet 18 including the transparent layer 4 and the second release sheet 19 is prepared.

次いで、図15Eに示すように、透明シート18の透明層4を蛍光体層3の上面に配置し、次いで、第2剥離シート19を透明層4から引き剥がす。これにより、封止LED集合体8を得る。   Next, as shown in FIG. 15E, the transparent layer 4 of the transparent sheet 18 is disposed on the upper surface of the phosphor layer 3, and then the second release sheet 19 is peeled off from the transparent layer 4. Thereby, the sealed LED aggregate 8 is obtained.

その後、図15Fに示すように、封止LED集合体8を切断して、蛍光体層封止LED1に個片化する。   Thereafter, as shown in FIG. 15F, the sealed LED assembly 8 is cut into individual phosphor-layer-sealed LEDs 1.

これにより、図15Gに示すように、蛍光体層封止LED1を得る。   Thereby, as shown to FIG. 15G, fluorescent substance layer sealing LED1 is obtained.

その後、蛍光体層封止LED1を選別した後、図15Hに示すように、選別した蛍光体層封止LED1を基板50に実装して、LED装置60を得る。   Thereafter, after selecting the phosphor layer-sealed LED 1, as shown in FIG. 15H, the sorted phosphor layer-sealed LED 1 is mounted on the substrate 50 to obtain the LED device 60.

そして、この変形例では、上記した第3実施形態と同様の作用効果を奏する。   And in this modification, there exists an effect similar to above-described 3rd Embodiment.

また、図14A〜図15Gに示される方法は、第2実施形態における蛍光体層封止LED1の製造方法に比べて、図7Dに示され、LED2に対して遠隔にある蛍光体層3を除去する工程と、図8Gに示され、蛍光体層封止LED1を第2支持板17に再配置する工程とを備える必要がない。そのため、製造工数を低減して、製造コストを低減することができる。   In addition, the method shown in FIGS. 14A to 15G removes the phosphor layer 3 shown in FIG. 7D and remote from the LED 2 as compared to the method of manufacturing the phosphor layer-sealed LED 1 in the second embodiment. It is not necessary to include the process of performing and the process of rearranging the phosphor layer-sealed LED1 on the second support plate 17 as shown in FIG. 8G. Therefore, the manufacturing man-hour can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.

以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。   Specific numerical values such as blending ratio (content ratio), physical property values, and parameters used in the following description are described in the above-mentioned “Mode for Carrying Out the Invention”, and the corresponding blending ratio (content ratio) ), Physical property values, parameters, etc. may be replaced with the upper limit values (numerical values defined as “less than” or “less than”) or lower limit values (numbers defined as “greater than” or “exceeded”). it can.

<アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成>
合成例1
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン93.2g、水140g、トリフルオロメタンスルホン酸0.38gおよびトルエン500gを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン729.2gとフェニルトリメトキシシラン330.5gの混合物1時間かけて滴下し、その後、1時間加熱還流した。その後、冷却し、下層(水層)を分離して除去し、上層(トルエン溶液)を3回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム0.40gを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに5時間還流し、冷却した。その後、酢酸0.6gを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を3回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンAを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンAの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
<Synthesis of alkenyl group-containing polysiloxane and hydrosilyl group-containing polysiloxane>
Synthesis example 1
In a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, charging port and thermometer, 93.2 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 140 g of water, trifluoromethanesulfone 0.38 g of acid and 500 g of toluene were added and mixed. While stirring, a mixture of 729.2 g of methylphenyldimethoxysilane and 330.5 g of phenyltrimethoxysilane was added dropwise over 1 hour, and then heated under reflux for 1 hour. Then, it cooled, the lower layer (water layer) was isolate | separated and removed, and the upper layer (toluene solution) was washed with water 3 times. 0.40 g of potassium hydroxide was added to the toluene solution washed with water, and the mixture was refluxed while removing water from the water separation tube. After completion of water removal, the mixture was further refluxed for 5 hours and cooled. Thereafter, 0.6 g of acetic acid was added for neutralization, and then the toluene solution obtained by filtration was washed with water three times. Then, liquid alkenyl group containing polysiloxane A was obtained by concentrating under reduced pressure. The average unit formula and average composition formula of the alkenyl group-containing polysiloxane A are as follows.

平均単位式:
((CH=CH)(CHSiO1/20.15(CHSiO2/20.60(CSiO3/20.25
平均組成式:
(CH=CH)0.15(CH0.90(C0.85SiO1.05
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンAは、Rがビニル基、Rがメチル基およびフェニル基であり、a=0.15、b=1.75である上記平均組成式(1)で示される。
Average unit formula:
((CH 2 = CH) (CH 3 ) 2 SiO 1/2 ) 0.15 (CH 3 C 6 H 5 SiO 2/2 ) 0.60 (C 6 H 5 SiO 3/2 ) 0.25
Average composition formula:
(CH 2 = CH) 0.15 (CH 3 ) 0.90 (C 6 H 5 ) 0.85 SiO 1.05
That is, the alkenyl group-containing polysiloxane A is represented by the above average composition formula (1) in which R 1 is a vinyl group, R 2 is a methyl group and a phenyl group, and a = 0.15 and b = 1.75. .

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンAのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、2300であった。   Moreover, it was 2300 when the weight average molecular weight of polystyrene conversion of the alkenyl group containing polysiloxane A was measured by the gel permeation chromatography.

合成例2
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン93.2g、水140g、トリフルオロメタンスルホン酸0.38gおよびトルエン500gを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン173.4gとフェニルトリメトキシシラン300.6gの混合物1時間かけて滴下し、滴下終了後、1時間加熱還流した。その後、冷却し、下層(水層)を分離して除去し、上層(トルエン溶液)を3回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム0.40gを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに5時間還流し、冷却した。酢酸0.6gを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を3回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンBを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンBの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
Synthesis example 2
In a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, charging port and thermometer, 93.2 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 140 g of water, trifluoromethanesulfone 0.38 g of acid and 500 g of toluene were added and mixed. While stirring, a mixture of 173.4 g of diphenyldimethoxysilane and 300.6 g of phenyltrimethoxysilane was added dropwise over 1 hour. After completion of the addition, the mixture was heated to reflux for 1 hour. Then, it cooled, the lower layer (water layer) was isolate | separated and removed, and the upper layer (toluene solution) was washed with water 3 times. 0.40 g of potassium hydroxide was added to the toluene solution washed with water, and the mixture was refluxed while removing water from the water separation tube. After completion of water removal, the mixture was further refluxed for 5 hours and cooled. After neutralizing by adding 0.6 g of acetic acid, the toluene solution obtained by filtration was washed with water three times. Then, liquid alkenyl group containing polysiloxane B was obtained by concentrating under reduced pressure. The average unit formula and average composition formula of the alkenyl group-containing polysiloxane B are as follows.

平均単位式:
(CH=CH(CHSiO1/20.31((CSiO2/20.22(CSiO3/20.47
平均組成式:
(CH=CH)0.31(CH0.62(C0.91SiO1.08
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンBは、Rがビニル基、Rがメチル基およびフェニル基であり、a=0.31、b=1.53である上記平均組成式(1)で示される。
Average unit formula:
(CH 2 = CH (CH 3 ) 2 SiO 1/2 ) 0.31 ((C 6 H 5 ) 2 SiO 2/2 ) 0.22 (C 6 H 5 SiO 3/2 ) 0.47
Average composition formula:
(CH 2 = CH) 0.31 (CH 3 ) 0.62 (C 6 H 5 ) 0.91 SiO 1.08
That is, the alkenyl group-containing polysiloxane B is represented by the above average composition formula (1) in which R 1 is a vinyl group, R 2 is a methyl group and a phenyl group, and a = 0.31 and b = 1.53. .

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンBのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、1000であった。   Moreover, it was 1000 when the weight average molecular weight of polystyrene conversion of the alkenyl group containing polysiloxane B was measured by gel permeation chromatography.

合成例3
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン325.9g、フェニルトリメトキシシラン564.9g、およびトリフルオロメタンスルホン酸2.36gを投入して混合し、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン134.3gを加え、撹拌しつつ酢酸432gを30分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ50℃に昇温して3時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層(水層)を分離して除去した。その後、上層(トルエン溶液)を3回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンC(架橋剤C)を得た。
Synthesis example 3
Diphenyldimethoxysilane (325.9 g), phenyltrimethoxysilane (564.9 g), and trifluoromethanesulfonic acid (2.36 g) were added to a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, inlet, and thermometer. Then, 134.3 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added, and 432 g of acetic acid was added dropwise over 30 minutes while stirring. After completion of dropping, the mixture was heated to 50 ° C. with stirring and reacted for 3 hours. After cooling to room temperature, toluene and water were added, mixed well and allowed to stand, and the lower layer (aqueous layer) was separated and removed. Thereafter, the upper layer (toluene solution) was washed with water three times and then concentrated under reduced pressure to obtain hydrosilyl group-containing polysiloxane C (crosslinking agent C).

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンCの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。   The average unit formula and average composition formula of the hydrosilyl group-containing polysiloxane C are as follows.

平均単位式:
(H(CHSiO1/20.33((CSiO2/20.22(CPhSiO3/20.45
平均組成式:
0.33(CH0.66(C0.89SiO1.06
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンCは、Rがメチル基およびフェニル基であり、c=0.33、d=1.55である上記平均組成式(2)で示される。
Average unit formula:
(H (CH 3 ) 2 SiO 1/2 ) 0.33 ((C 6 H 5 ) 2 SiO 2/2 ) 0.22 (C 6 H 5 PhSiO 3/2 ) 0.45
Average composition formula:
H 0.33 (CH 3 ) 0.66 (C 6 H 5 ) 0.89 SiO 1.06
That is, the hydrosilyl group-containing polysiloxane C is represented by the above average composition formula (2) in which R 3 is a methyl group and a phenyl group, and c = 0.33 and d = 1.55.

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンCのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、1000であった。   Moreover, it was 1000 when the weight average molecular weight of polystyrene conversion of hydrosilyl group containing polysiloxane C was measured by gel permeation chromatography.

<その他の原料>
アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサン以外の原料について、以下に詳述する。
LR7665:
商品名、メチル系シリコーン樹脂組成物、屈折率1.41、旭化成ワッカーシリコーン社製
無機フィラーA:
屈折率1.55、組成および組成比率(質量%):SiO/Al/CaO/MgO=60/20/15/5の無機フィラーであり、平均粒子径:15μm(平均粒子径を分級により調整した。)
トスパールTS2000B:
シリコーン系樹脂粒子、平均粒子径6.0μm、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製
<シリコーン樹脂組成物の調製>
調製例1
アルケニル基含有ポリシロキサンA(合成例1)20g、アルケニル基含有ポリシロキサンB(合成例2)25g、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンC(合成例3、架橋剤C)25g、および、白金カルボニル錯体5mgを混合して、シリコーン樹脂組成物Aを調製した。
<Other raw materials>
Raw materials other than alkenyl group-containing polysiloxane and hydrosilyl group-containing polysiloxane will be described in detail below.
LR7665:
Product name, methyl silicone resin composition, refractive index 1.41, inorganic filler A manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone Co., Ltd .:
Refractive index 1.55, composition and composition ratio (mass%): SiO 2 / Al 2 O 3 / CaO / MgO = 60/20/15/5 inorganic filler, average particle diameter: 15 μm (average particle diameter (Adjusted by classification)
Tospearl TS2000B:
Silicone resin particles, average particle size 6.0 μm, manufactured by Momentive Performance Materials Japan Co., Ltd. <Preparation of silicone resin composition>
Preparation Example 1
20 g of alkenyl group-containing polysiloxane A (Synthesis Example 1), 25 g of alkenyl group-containing polysiloxane B (Synthesis Example 2), 25 g of hydrosilyl group-containing polysiloxane C (Synthesis Example 3, crosslinker C), and 5 mg of platinum carbonyl complex By mixing, a silicone resin composition A was prepared.

調製例2
特開2010−265436号公報に記載される実施例1のシリコーン樹脂用組成物を、シリコーン樹脂組成物B(縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物)として準備した。
Preparation Example 2
A silicone resin composition of Example 1 described in JP 2010-265436 A was prepared as a silicone resin composition B (condensation / addition reaction curable silicone resin composition).

<蛍光体層封止LEDの製造>
実施例1
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
<Manufacture of phosphor layer-sealed LED>
Example 1
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、20質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   By blending YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) to the transparent resin composition X so as to be 20% by mass with respect to the total amount thereof, and mixing them, the phosphor resin A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが650μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied on the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating was 650 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが350μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 350 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.44mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.44 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例2
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
Example 2
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

また、透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、12質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   Moreover, by blending YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) with respect to the total amount of the transparent resin composition X so as to be 12% by mass, and mixing them, fluorescence is obtained. A body resin composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied on the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

その上に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   On top of that, the phosphor resin composition was applied with an applicator so that the thickness after heating was 500 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes to prepare a B-stage phosphor layer. .

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.64mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.64 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例3
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
Example 3
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、10質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 10% by mass with respect to the total amount thereof, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが400μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied to the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 400 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが600μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 600 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.84mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. 1 and a pitch of 1.84 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例4
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
Example 4
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、10質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 10% by mass with respect to the total amount thereof, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが900μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied to the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 900 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが600μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 600 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.84mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. 1 and a pitch of 1.84 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例5
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
Example 5
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

また、透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、11質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   In addition, YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) is blended with the transparent resin composition X so as to be 11% by mass with respect to the total amount thereof, and mixed to obtain fluorescence. A body resin composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied on the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.84mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. 1 and a pitch of 1.84 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例6
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
Example 6
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、13質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 13% by mass with respect to the total amount, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied on the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.44mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.44 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュア(Cステージ化)し、その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-cure (C stage) is performed at 150 ° C. for 2 hours, and then the sealing sheet is cut into pieces, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer and a transparent layer is obtained. And manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例7
シリコーン樹脂組成物Bに対して、トスパールTS2000Bを、それらの総量に対して、30質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Yをワニスとして調製した。
Example 7
Tospar TS2000B was mixed with silicone resin composition B so as to be 30% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition Y was prepared as a varnish.

また、透明樹脂組成物Yに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、18質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   Moreover, by blending YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) to the transparent resin composition Y so that the total amount thereof is 18% by mass, and mixing them, fluorescence is obtained. A body resin composition was prepared.

次いで、500μmの、透明層としてのガラス板(屈折率RIt:1.52)の上に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後、135℃で15分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を、ガラス板の上に調製した。これにより、ガラス板と、蛍光体層とを備える封止シートを調製した(図2A参照)。   Next, a phosphor resin composition is applied on a 500 μm glass plate (refractive index RIt: 1.52) as a transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm, and then A B-stage phosphor layer was prepared on a glass plate by heating at 135 ° C. for 15 minutes. Thereby, the sealing sheet provided with a glass plate and a fluorescent substance layer was prepared (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.64mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、室温の真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、圧着した。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、圧着した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.64 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was crimped | bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press of room temperature. Specifically, the sealing sheet was pressure-bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間加熱して、蛍光体層を熱硬化させ(Cステージ化し)、その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層およびガラス板を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, the phosphor layer is heated at 150 ° C. for 2 hours to thermoset (C stage), and then the sealing sheet is cut into pieces to obtain one LED, phosphor layer, and glass plate. The phosphor layer-sealed LED provided was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例8
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率RItは、1.56であった。
Example 8
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index RIt of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、12質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 12% by mass with respect to the total amount, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

次いで、LR7665に対して、トスパールTS2000Bを、それらの総量に対して、30質量%となるように、混合したワニス(屈折率RIt:1.41)を、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後100℃で10分、加熱することにより、Cステージの透明層を作製した。   Next, the varnish (refractive index RIt: 1.41) mixed with Tospearl TS2000B at 30% by mass with respect to the total amount of LR7665 is applied to the release sheet with a thickness of 50 μm using an applicator. A C-stage transparent layer is prepared by coating the PTE sheet (trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) so that the thickness after heating is 500 μm, and then heating at 100 ° C. for 10 minutes. did.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが500μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 500 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.64mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.64 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer was once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. Thereby, the phosphor layer was changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例9
シリコーン樹脂組成物A100質量部に対して、YAG468(根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、17質量%となるように混合して、蛍光体樹脂組成物をワニスとして調製した。
Example 9
YAG468 (manufactured by Nemoto Special Chemical Co., Ltd.) was mixed with respect to 100 parts by mass of the silicone resin composition A so as to be 17% by mass with respect to the total amount thereof to prepare a phosphor resin composition as a varnish.

ステンレス板の上に両面テープを貼り付け、その上に、1個のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を搭載(配置)した(図3A参照)。   A double-sided tape was pasted on the stainless steel plate, and one LED (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar) was mounted (arranged) on the stainless steel plate (see FIG. 3A). ).

別途、第1ダムおよび第2ダムを作製した(図3Aおよび図3D参照)。   Separately, a first dam and a second dam were produced (see FIGS. 3A and 3D).

すなわち、LR7665(屈折率1.41)を500μmの厚みに塗布し、100℃10分でキュア(熱硬化)し、続いて、硬化シートを、外枠サイズ10mm×10mm、内枠サイズ(内寸)1.64mm×1.64mmの矩形枠形状に加工して、第1ダムを作製した(図3A参照)。つまり、第1ダムの外形寸法は、10mm×10mmであり、矩形状の開口部の内寸は、1.64mm×1.64mmである。   That is, LR7665 (refractive index of 1.41) was applied to a thickness of 500 μm and cured (thermosetting) at 100 ° C. for 10 minutes, and then the cured sheet was formed into an outer frame size of 10 mm × 10 mm, an inner frame size (inner size). ) The first dam was fabricated by processing into a rectangular frame shape of 1.64 mm × 1.64 mm (see FIG. 3A). That is, the outer dimension of the first dam is 10 mm × 10 mm, and the inner dimension of the rectangular opening is 1.64 mm × 1.64 mm.

次いで、第2ダムを、厚みを1mmに変更した以外は、第1ダムと同様にして、作製した(図3D参照)。   Next, a second dam was produced in the same manner as the first dam except that the thickness was changed to 1 mm (see FIG. 3D).

次いで、ステンレス板の上において、LEDの周囲に、第1ダムを設置した(図3B参照)。続いて、蛍光体樹脂組成物のワニスを第1ダムの第1開口部内に垂らし、液厚み500μmになるように量を調整し、100℃10分、蛍光体樹脂組成物をBステージ化させた(図3C参照)。これにより、Bステージ状態の蛍光体層を得た。その後、第1ダムを除去した(図3Cの矢印参照)。   Next, on the stainless steel plate, a first dam was installed around the LED (see FIG. 3B). Subsequently, the varnish of the phosphor resin composition was hung in the first opening of the first dam, the amount was adjusted so as to have a liquid thickness of 500 μm, and the phosphor resin composition was B-staged at 100 ° C. for 10 minutes. (See FIG. 3C). Thereby, a phosphor layer in a B stage state was obtained. Then, the 1st dam was removed (refer the arrow of FIG. 3C).

さらに、第2ダムを、ステンレス板の上において、蛍光体層の周囲に設置した(図3E参照)。その後、シリコーン樹脂組成物Aを第2ダムの第2開口部内に垂らし、合計の厚みが1mmになるように液量を調整した。続いて、シリコーン樹脂組成物Aを、150℃2時間、熱硬化(Cステージ化)させて、Cステージ状態の透明層を得た(図4F参照)。続いて、蛍光体層と透明層との境(界面)に沿ってダイシングして(図4G参照)、蛍光体層封止LEDを調製した(図4H参照)。   Furthermore, the 2nd dam was installed in the circumference | surroundings of the fluorescent substance layer on the stainless steel plate (refer FIG. 3E). Thereafter, the silicone resin composition A was hung in the second opening of the second dam, and the liquid amount was adjusted so that the total thickness became 1 mm. Subsequently, the silicone resin composition A was thermally cured (C stage) at 150 ° C. for 2 hours to obtain a transparent layer in a C stage state (see FIG. 4F). Subsequently, dicing was performed along the boundary (interface) between the phosphor layer and the transparent layer (see FIG. 4G) to prepare a phosphor layer-sealed LED (see FIG. 4H).

実施例10
シリコーン樹脂組成物Aに対して、YAG468(根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、18質量%となるように混合して、蛍光体樹脂組成物をワニスとして調製した。
Example 10
YAG468 (manufactured by Nemoto Special Chemical Co., Ltd.) was mixed with the silicone resin composition A so as to be 18% by mass with respect to the total amount thereof to prepare a phosphor resin composition as a varnish.

ステンレス板の上に両面テープを貼り付け、その上に、1個のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.41mm×1.41mm×150μm、エピスター社製)を搭載(配置)した(図3A参照)。   A double-sided tape was attached on the stainless steel plate, and one LED (EDI-FA4545A, size: 1.41 mm × 1.41 mm × 150 μm, manufactured by Epistar) was mounted (arranged) on the stainless steel plate (see FIG. 3A). ).

別途、第1ダムおよび第2ダムを作製した(図3Aおよび図3D参照)。   Separately, a first dam and a second dam were produced (see FIGS. 3A and 3D).

すなわち、LR7665(屈折率1.41)を500μmの厚みに塗布し、100℃10分でキュア(熱硬化)し、続いて、硬化シートを、外枠サイズ10mm×10mm、内枠サイズ(内寸)1.64mm×1.64mmの矩形枠形状に加工して、第1ダムを作製した(図3A参照)。つまり、第1ダムの外形寸法は、10mm×10mmであり、矩形状の開口部の内寸は、1.64mm×1.64mmである。   That is, LR7665 (refractive index of 1.41) was applied to a thickness of 500 μm and cured (thermosetting) at 100 ° C. for 10 minutes, and then the cured sheet was formed into an outer frame size of 10 mm × 10 mm, an inner frame size (inner size). ) The first dam was fabricated by processing into a rectangular frame shape of 1.64 mm × 1.64 mm (see FIG. 3A). That is, the outer dimension of the first dam is 10 mm × 10 mm, and the inner dimension of the rectangular opening is 1.64 mm × 1.64 mm.

次いで、第2ダムを、厚みを1mmに変更した以外は、第1ダムと同様にして、作製した(図3D参照)。   Next, a second dam was produced in the same manner as the first dam except that the thickness was changed to 1 mm (see FIG. 3D).

次いで、ステンレス板の上において、LEDの周囲に、第1ダムを設置した(図3B参照)。続いて、蛍光体樹脂組成物のワニスを第1ダムの第1開口部内に垂らし、液厚み500μmになるように量を調整し、100℃10分、蛍光体樹脂組成物をBステージ化させた(図3C参照)。これにより、Bステージ状態の蛍光体層を得た。その後、第1ダムを除去した(図3Cの矢印参照)。   Next, on the stainless steel plate, a first dam was installed around the LED (see FIG. 3B). Subsequently, the varnish of the phosphor resin composition was hung in the first opening of the first dam, the amount was adjusted so as to have a liquid thickness of 500 μm, and the phosphor resin composition was B-staged at 100 ° C. for 10 minutes. (See FIG. 3C). Thereby, a phosphor layer in a B stage state was obtained. Then, the 1st dam was removed (refer the arrow of FIG. 3C).

さらに、第2ダムを、ステンレス板の上において、蛍光体層の周囲に設置した(図3E参照)。その後、LR7665(屈折率1.41)を第2ダムの第2開口部内に垂らし、合計の厚みが1mmになるように液量を調整した。続いて、シリコーン樹脂組成物Aを、150℃2時間、熱硬化(Cステージ化)させて、Cステージ状態の透明層を得た(図4F参照)。続いて、蛍光体層と透明層との境(界面)に沿ってダイシングして(図4G参照)、蛍光体層封止LEDを調製した(図4H参照)。   Furthermore, the 2nd dam was installed in the circumference | surroundings of the fluorescent substance layer on the stainless steel plate (refer FIG. 3E). Then, LR7665 (refractive index 1.41) was hung in the 2nd opening part of the 2nd dam, and the liquid quantity was adjusted so that the total thickness might be 1 mm. Subsequently, the silicone resin composition A was thermally cured (C stage) at 150 ° C. for 2 hours to obtain a transparent layer in a C stage state (see FIG. 4F). Subsequently, dicing was performed along the boundary (interface) between the phosphor layer and the transparent layer (see FIG. 4G) to prepare a phosphor layer-sealed LED (see FIG. 4H).

実施例11
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率は、1.56であった。
Example 11
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、50質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが800μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied to the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 800 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが200μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 200 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.24mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.24 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例12
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率は、1.56であった。
Example 12
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、30質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 30% by mass with respect to the total amount thereof, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが50μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied to the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 50 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが300μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 300 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.34mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. 1.34 mm pitch (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例13
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率は、1.56であった。
Example 13
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、8質量部となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   By blending YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) with respect to the total amount of the transparent resin composition X so as to be 8 parts by mass, and mixing them, the phosphor resin A composition was prepared.

その後、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが100μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。   Thereafter, the transparent resin composition X was applied on the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating becomes 100 μm. Thereafter, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes.

次いで、透明層の表面(上面)に、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、加熱後の厚みが900μmとなるように塗布し、その後、80℃で11分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。   Next, the phosphor resin composition is applied to the surface (upper surface) of the transparent layer with an applicator so that the thickness after heating becomes 900 μm, and then heated at 80 ° C. for 11 minutes, so that B A stage phosphor layer was prepared.

これにより、剥離シートと、透明層と、蛍光体層とからなる封止シートを作製した(図2A参照)。   Thereby, the sealing sheet which consists of a peeling sheet, a transparent layer, and a fluorescent substance layer was produced (refer FIG. 2A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.64mmピッチで配置した(図2B参照)。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した(図2C参照)。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、封止シートを複数のLEDに対して、熱圧着した。この熱圧着により、蛍光体層および透明層は一旦可塑化した。これにより、封止シートにより、複数のLEDを封止した。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. , Arranged at a pitch of 1.64 mm (see FIG. 2B). Then, the sealing sheet was thermocompression bonded with respect to several LED for 10 minutes using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC (refer FIG. 2C). Specifically, the sealing sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs so that the phosphor layer was in contact with the LEDs and the double-sided tape around them. By this thermocompression bonding, the phosphor layer and the transparent layer were once plasticized. Thereby, several LED was sealed with the sealing sheet.

その後、150℃で2時間ポストキュアした。これにより、蛍光体層および透明層をCステージ化した。その後、封止シートを、切断により個片化して、1個のLED、蛍光体層および透明層を備える蛍光体層封止LEDを、ステンレス板の上に製造した(図2C参照)。   Thereafter, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours. As a result, the phosphor layer and the transparent layer were changed to the C stage. Then, the sealing sheet was separated into pieces by cutting, and a phosphor layer-sealed LED including one LED, a phosphor layer, and a transparent layer was manufactured on a stainless steel plate (see FIG. 2C).

続いて、剥離シートを透明層から引き剥がした(図2Cの仮想線参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図2D参照)。   Subsequently, the release sheet was peeled off from the transparent layer (see a virtual line in FIG. 2C). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 2D).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図2Dの矢印および図2E参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 2D and FIG. 2E).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図2E参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 2E).

実施例14
シリコーン樹脂組成物Aに対して、無機フィラーAを、それらの総量に対して、50質量%となるように混合して、透明樹脂組成物Xをワニスとして調製した。透明樹脂組成物Xの屈折率は、1.56であった。
Example 14
Inorganic filler A was mixed with silicone resin composition A so as to be 50% by mass with respect to the total amount thereof, and transparent resin composition X was prepared as a varnish. The refractive index of the transparent resin composition X was 1.56.

透明樹脂組成物Xに対して、YAG468(蛍光体、根元特殊化学社製)を、それらの総量に対して、28質量%となるように配合して、それらを混合することにより、蛍光体樹脂組成物を調製した。   The transparent resin composition X is blended with YAG468 (phosphor, manufactured by Root Special Chemical Co., Ltd.) so as to be 28% by mass with respect to the total amount, and mixed to obtain a phosphor resin. A composition was prepared.

その後、蛍光体樹脂組成物を、アプリケータにて、厚み50μmの剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが150μmとなるように塗布し、その後90℃で20分、加熱することにより、Bステージの蛍光体層を作製した。これにより、剥離シートと蛍光体層とからなる蛍光封止シートを作製した(蛍光体層用意工程、図7A参照)。   Thereafter, the phosphor resin composition was applied to the surface of a release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nipper Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm with an applicator so that the thickness after heating was 150 μm. Thereafter, a B-stage phosphor layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes. Thereby, the fluorescent sealing sheet which consists of a peeling sheet and a fluorescent substance layer was produced (refer fluorescent substance layer preparation process, FIG. 7A).

その後、ステンレス板の上に、両面テープ(感圧接着剤層)を貼り付け、その上に、複数のLED(EDI−FA4545A、サイズ:1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター社製)を、1.54mmピッチで配置した。その後、90℃に加熱した真空平板プレスを用いて、蛍光封止シートを複数のLEDに対して、10分間、熱圧着した。具体的には、蛍光体層がLEDおよびその周囲の両面テープに接触するように、蛍光封止シートを複数のLEDに対して、真空平板プレスを用いて、熱圧着した(蛍光体層配置工程、図7B参照)。蛍光体層の上面は、平坦状に形成された。   Then, a double-sided tape (pressure-sensitive adhesive layer) is pasted on the stainless steel plate, and a plurality of LEDs (EDI-FA4545A, size: 1.14 mm × 1.14 mm × 150 μm, manufactured by Epistar Co.) are formed thereon. Arranged at a pitch of 1.54 mm. Then, the fluorescent sealing sheet was thermocompression bonded for 10 minutes with respect to several LED using the vacuum flat plate press heated at 90 degreeC. Specifically, the phosphor encapsulating sheet was thermocompression bonded to the plurality of LEDs using a vacuum flat plate press so that the phosphor layer was in contact with the LED and the double-sided tape around the LED (phosphor layer arranging step). FIG. 7B). The upper surface of the phosphor layer was formed flat.

その後、剥離シートを蛍光体層から引き剥がした(図7C参照)。   Thereafter, the release sheet was peeled off from the phosphor layer (see FIG. 7C).

次いで、LEDに対して遠隔にある蛍光体層を除去すると同時に、蛍光体層封止LEDを個片化した(個片化/除去工程、図7D参照)。つまり、透明シートを、肉厚200μmのダイシングソーによって、切断した。   Next, the phosphor layer remote from the LED was removed, and at the same time, the phosphor layer-sealed LED was singulated (see singulation / removal step, see FIG. 7D). That is, the transparent sheet was cut with a dicing saw having a thickness of 200 μm.

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図7F参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 7F).

その後、複数の蛍光体層封止LEDを第2支持板に、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置した(図8G参照)。   Thereafter, the plurality of phosphor layer-sealed LEDs were arranged on the second support plate at intervals in the front-rear direction and the left-right direction (see FIG. 8G).

また、透明樹脂組成物Xを、アプリケータにて、厚み50μmの第2剥離シート(PTEシート、商品名「SS4C」、ニッパ社製)の表面に、加熱後の厚みが850μmとなるように塗布し、その後、90℃で20分、加熱することにより、Bステージの透明層を作製した。これにより、第2剥離シートと透明層とからなる透明シートを作製した(透明層用意工程、図8G参照)。   Further, the transparent resin composition X is applied with an applicator so that the thickness after heating is 850 μm on the surface of a second release sheet (PTE sheet, trade name “SS4C”, manufactured by Nippers) having a thickness of 50 μm. Then, a B-stage transparent layer was produced by heating at 90 ° C. for 20 minutes. Thereby, the transparent sheet which consists of a 2nd peeling sheet and a transparent layer was produced (refer transparent layer preparation process, FIG. 8G).

次いで、透明シートの透明層によって、複数のLEDを被覆する複数の蛍光体層を被覆した(透明層配置工程、図8H参照)。   Next, a plurality of phosphor layers covering a plurality of LEDs were covered with a transparent layer of a transparent sheet (transparent layer arranging step, see FIG. 8H).

続いて、第2剥離シートを透明層から引き剥がした(図8I参照)。続いて、封止LED集合体を複数のLEDを個片化するように、切断した(図8J参照)。   Subsequently, the second release sheet was peeled off from the transparent layer (see FIG. 8I). Subsequently, the sealed LED assembly was cut so as to separate a plurality of LEDs (see FIG. 8J).

その後、蛍光体層封止LEDを、両面テープから引き剥がした(図8Jの矢印参照)。   Thereafter, the phosphor layer-sealed LED was peeled off from the double-sided tape (see the arrow in FIG. 8J).

これにより、蛍光体層封止LEDを得た(図8K参照)。   Thereby, a phosphor layer-sealed LED was obtained (see FIG. 8K).

比較例1
透明層を形成しない被覆シートを作製し、この被覆シートの透明層によってLEDを被覆した以外は、実施例8と同様に処理して、蛍光体層封止LEDを得た(図16参照)。
Comparative Example 1
A phosphor sheet encapsulated LED was obtained in the same manner as in Example 8 except that a cover sheet without forming a transparent layer was prepared and the LED was covered with the transparent layer of this cover sheet (see FIG. 16).

比較例2
透明層を形成しない被覆シートを作製し、この被覆シートの透明層によってLEDを被覆した以外は、実施例14と同様に処理して、蛍光体層封止LEDを得た(図17参照)。
Comparative Example 2
A phosphor sheet encapsulated LED was obtained in the same manner as in Example 14 except that a cover sheet without forming a transparent layer was prepared and the LED was covered with the transparent layer of the cover sheet (see FIG. 17).

<評価>
[発光強度]
各実施例および各比較例の蛍光体層封止LEDを基板に実装して、LED装置を製造した(図1の仮想線、図2F、図16の仮想線、図17の仮想線参照)。続いて、全光束測定装置に電流300mAで点灯させて、発光強度を求めた。
<Evaluation>
[Luminescence intensity]
The phosphor layer-sealed LEDs of each Example and each Comparative Example were mounted on a substrate to produce an LED device (see the imaginary line in FIG. 1, FIG. 2F, the imaginary line in FIG. 16, and the imaginary line in FIG. 17). Subsequently, the total luminous flux measurement apparatus was turned on at a current of 300 mA, and the emission intensity was obtained.

得られた発光強度を下記の基準に基づいて評価した。   The obtained emission intensity was evaluated based on the following criteria.

A:発光強度が、135lm以上
B:発光強度が、128lm以上、135lm未満
C:発光強度が、118lm以上、128lm未満
D:発光強度が、110lm以上、118lm未満
E:発光強度が、110lm未満
[色均一性]
各実施例および各比較例の蛍光体層封止LEDを10個ずつ(n=10)、基板に実装して、LED装置を製造した(図1の仮想線、図2F、図16の仮想線、図17の仮想線参照)。続いて、光学特性のCIE yを測定し、10個の蛍光体層封止LEDのバラツキを求めた。そして、最大値と最小値の差が0.03以下の場合を○と評価し、0.03を超過する場合を×と評価した。
A: Emission intensity is 135 lm or more B: Emission intensity is 128 lm or more and less than 135 lm C: Emission intensity is 118 lm or more and less than 128 lm D: Emission intensity is 110 lm or more and less than 118 lm E: Emission intensity is less than 110 lm [ Color uniformity]
Ten phosphor layer-sealed LEDs of each example and each comparative example (n = 10) were mounted on a substrate to produce an LED device (virtual line in FIG. 1, virtual line in FIG. 2F and FIG. 16). , See the virtual line in FIG. Subsequently, the CIE y of the optical characteristics was measured, and the variation of the 10 phosphor layer-sealed LEDs was obtained. And the case where the difference of the maximum value and the minimum value was 0.03 or less was evaluated as (circle), and the case where it exceeded 0.03 was evaluated as x.

[配光性(色ムラ)]
各実施例および各比較例の蛍光体層封止LEDを基板に実装して、LED装置を製造した(図1の仮想線、図2F、図16の仮想線、図17の仮想線参照)。続いて、これを配光測定装置(大塚電子社製 GP−7)にて、−85°〜85°方向の色度を5°刻みで測定した。各方向における色度のばらつきを求めた。そして、最大値と最小値の差が0.02以下の場合を○と評価し、0.02を超過する場合を×と評価した。
[Light distribution (color unevenness)]
The phosphor layer-sealed LEDs of each Example and each Comparative Example were mounted on a substrate to produce an LED device (see the imaginary line in FIG. 1, FIG. 2F, the imaginary line in FIG. 16, and the imaginary line in FIG. 17). Subsequently, the chromaticity in the −85 ° to 85 ° direction was measured in increments of 5 ° with a light distribution measuring device (GP-7 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). The chromaticity variation in each direction was determined. And the case where the difference of the maximum value and the minimum value was 0.02 or less was evaluated as (circle), and the case where it exceeded 0.02 was evaluated as x.

[信頼性(黒こげ)]
各実施例および各比較例の蛍光体層封止LEDを基板に実装して、LED装置を製造した(図1の仮想線、図2F、図16の仮想線、図17の仮想線参照)。続いて、全光束測定装置に電流1Aで1,000時間点灯させて、蛍光体層および透明層を目視により観察し、以下の基準に従って、蛍光体層封止LEDおよびLED装置の信頼性を評価した。
○:蛍光体層または透明層に、黒こげが観察されなかった。
△:蛍光体層または透明層に、黒こげがわずかに観察された。
×:蛍光体層または透明層に、黒こげが観察された。
[Reliability (black baldness)]
The phosphor layer-sealed LEDs of each Example and each Comparative Example were mounted on a substrate to produce an LED device (see the imaginary line in FIG. 1, FIG. 2F, the imaginary line in FIG. 16, and the imaginary line in FIG. 17). Subsequently, the total luminous flux measurement device is turned on for 1,000 hours at a current of 1 A, the phosphor layer and the transparent layer are visually observed, and the reliability of the phosphor layer-sealed LED and LED device is evaluated according to the following criteria. did.
○: No dark burn was observed in the phosphor layer or the transparent layer.
Δ: Slight black burnt was observed in the phosphor layer or the transparent layer.
X: Black burn was observed in the phosphor layer or the transparent layer.

[シリコーン樹脂組成物Aの反応により得られる生成物の炭化水素基(R)におけるフェニル基の含有割合の測定]
シリコーン樹脂組成物A(つまり、フィラーが含まれていないシリコーン樹脂組成物A)の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基(平均組成式(3)のR)におけるフェニル基の含有割合(モル%)を、H−NMRおよび29Si−NMRにより算出した。
[Measurement of Phenyl Group Content in Hydrocarbon Group (R 5 ) of Product Obtained by Reaction of Silicone Resin Composition A]
In the product obtained by the reaction of the silicone resin composition A (that is, the silicone resin composition A containing no filler), in the hydrocarbon group (R 5 in the average composition formula (3)) directly bonded to the silicon atom The phenyl group content (mol%) was calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR.

具体的には、Aステージのシリコーン樹脂組成物Aを、フィラーを添加せずに、100℃1時間で、反応(完全硬化、Cステージ化)させて、生成物を得た。   Specifically, the A-stage silicone resin composition A was reacted (completely cured, C-staged) at 100 ° C. for 1 hour without adding a filler to obtain a product.

次いで、得られた生成物のH−NMRおよび29Si−NMRを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基(R)におけるフェニル基が占める割合(モル%)を算出した。 Next, by measuring 1 H-NMR and 29 Si-NMR of the obtained product, the proportion (mol%) of the phenyl group in the hydrocarbon group (R 5 ) directly bonded to the silicon atom is calculated. did.

その結果、48%であった。   As a result, it was 48%.

各実施例および各比較例における各層の構成および処方を表1に示す。   Table 1 shows the composition and formulation of each layer in each example and each comparative example.

Figure 2016119454
Figure 2016119454

各実施例および各比較例における各層の寸法および蛍光体層封止LEDの評価を表2に示す。   Table 2 shows the dimensions of each layer and the evaluation of the phosphor layer-sealed LED in each example and each comparative example.

Figure 2016119454
Figure 2016119454

1 蛍光体層封止LED
2 LED
3 蛍光体層
4 透明層
5 封止シート
21 下面(LEDの素子側接触可能面)
22 上面(LEDの素子側対向面)
23 側面(LEDの素子側連結面)
31 上面(蛍光体層の蛍光体側第1対向面)
33 側面(蛍光体層の蛍光体側第2対向面)
42 上面(透明層の透明側対向面)
43 側面(透明層の透明側連結面)
RIp 第1の透明組成物の屈折率
RIt 第2の透明組成物の屈折率

1 Phosphor layer sealed LED
2 LED
3 Phosphor layer 4 Transparent layer 5 Sealing sheet 21 Lower surface (LED element side contactable surface)
22 Upper surface (LED element side facing surface)
23 Side (LED element side connecting surface)
31 Upper surface (phosphor side first opposing surface of the phosphor layer)
33 side surface (phosphor side second facing surface of phosphor layer)
42 Upper surface (transparent side facing surface of transparent layer)
43 Side (Transparent side connecting surface of transparent layer)
RIp refractive index of the first transparent composition RIt refractive index of the second transparent composition

Claims (13)

光半導体素子と、
前記光半導体素子を被覆する蛍光体層と、
前記蛍光体層の少なくとも一部を被覆する透明層と
を備えることを特徴とする、蛍光体層被覆光半導体素子。
An optical semiconductor element;
A phosphor layer covering the optical semiconductor element;
A phosphor layer-covered optical semiconductor device comprising: a transparent layer that covers at least a part of the phosphor layer.
前記光半導体素子は、
基板に接触することができる素子側接触可能面と、
前記素子側接触可能面に対して一方側に距離xを隔てて対向配置される素子側対向面と、
前記素子側接触可能面および前記素子側対向面に連結される素子側連結面とを有し、
前記蛍光体層は、
前記素子側対向面に対して前記一方側に距離yを隔てて対向配置される蛍光体側第1対向面と、
前記素子側連結面に対して前記一方向に対する直交方向に距離αを隔てて対向配置される蛍光体側第2対向面とを有し、
前記透明層は、
前記蛍光体側第1対向面に対して前記一方側に距離zを隔てて対向配置される透明側対向面と、
前記透明側対向面に連結され、前記一方向に投影したときに、前記素子側連結面に対して前記直交方向に間隔を隔てて配置される透明側連結面とを有し、
下記(1)〜(4)の全てを満足することを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体層被覆光半導体素子。
(1)前記距離yを前記距離xで除した値(y/x)が、1以上、5以下である。
(2)前記距離yと前記距離zとの和(y+z)が、0.25mm以上、2mm以下である。
(3)前記距離αと、前記蛍光体側第2対向面と前記透明側連結面との距離βとの和(α+β)が、50μm以上、2000μm以下である。但し、前記距離βは、0以上である。
(4)前記距離yを前記距離αで除した値(y/α)が、1以上、2.5以下である。
The optical semiconductor element is:
An element-side contactable surface capable of contacting the substrate;
An element-side facing surface disposed opposite to the element-side contactable surface at a distance x on one side;
An element side connecting surface connected to the element side contactable surface and the element side facing surface;
The phosphor layer is
A phosphor-side first opposing surface disposed opposite to the element-side opposing surface at a distance y on the one side;
A phosphor-side second opposing surface disposed opposite to the element-side coupling surface in a direction orthogonal to the one direction with a distance α,
The transparent layer is
A transparent-side facing surface disposed opposite to the phosphor-side first facing surface at a distance z on the one side;
A transparent side connection surface that is connected to the transparent side facing surface and is disposed at an interval in the orthogonal direction with respect to the element side connection surface when projected in the one direction;
The phosphor layer-coated optical semiconductor element according to claim 1, wherein all of the following (1) to (4) are satisfied.
(1) A value (y / x) obtained by dividing the distance y by the distance x is 1 or more and 5 or less.
(2) The sum (y + z) of the distance y and the distance z is not less than 0.25 mm and not more than 2 mm.
(3) The sum (α + β) of the distance α and the distance β between the phosphor-side second facing surface and the transparent connecting surface is 50 μm or more and 2000 μm or less. However, the distance β is 0 or more.
(4) A value (y / α) obtained by dividing the distance y by the distance α is 1 or more and 2.5 or less.
前記蛍光体層は、蛍光体と、第1の透明組成物とを含有し、
前記第1の透明組成物の屈折率RIpが、1.45以上、1.60以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の蛍光体層被覆光半導体素子。
The phosphor layer contains a phosphor and a first transparent composition,
3. The phosphor layer-coated optical semiconductor element according to claim 1, wherein a refractive index RIp of the first transparent composition is 1.45 or more and 1.60 or less.
前記蛍光体層は、蛍光体と、第1の透明組成物とを含有し、
前記透明層は、第2の透明組成物を含有し、
前記第1の透明組成物の屈折率RIpから前記第2の透明組成物の屈折率RItを差し引いた値(RIp−RIt)が、−0.70以上、0.20以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の蛍光体層被覆光半導体素子。
The phosphor layer contains a phosphor and a first transparent composition,
The transparent layer contains a second transparent composition,
A value obtained by subtracting the refractive index RIt of the second transparent composition from the refractive index RIp of the first transparent composition (RIp−RIt) is −0.70 or more and 0.20 or less. The phosphor layer-covered optical semiconductor element according to claim 1, wherein:
前記RIp−前記RItが、0.05以上であることを特徴とする、請求項4に記載の蛍光体層被覆光半導体素子。   The phosphor layer-coated optical semiconductor element according to claim 4, wherein the RIp−RIt is 0.05 or more. 前記蛍光体側第2対向面と前記透明側連結面とが前記一方向において面一に形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の蛍光体層被覆光半導体素子。   The phosphor layer-covered optical semiconductor element according to claim 2, wherein the phosphor side second facing surface and the transparent side connection surface are formed flush with each other in the one direction. 前記距離αが、50μmを超過することを特徴とする、請求項2または6に記載の蛍光体層被覆光半導体素子。   The phosphor layer-coated optical semiconductor element according to claim 2, wherein the distance α exceeds 50 μm. 請求項1〜7のいずれか一項に記載される蛍光体層被覆光半導体素子を製造するための方法であって、
前記蛍光体層を前記透明層の表面に形成して、被覆シートを製造する工程と、
前記被覆シートを、前記蛍光体層が複数の光半導体素子を被覆するように、配置する工程と
を備えることを特徴とする、蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
A method for producing the phosphor layer-coated optical semiconductor element according to any one of claims 1 to 7,
Forming the phosphor layer on the surface of the transparent layer to produce a covering sheet;
And a step of arranging the covering sheet so that the phosphor layer covers a plurality of optical semiconductor elements.
前記被覆シートを、前記蛍光体層被覆光半導体素子が個片化されるように、切断する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項8に記載の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。   The method for producing a phosphor layer-covered optical semiconductor element according to claim 8, further comprising a step of cutting the cover sheet so that the phosphor layer-covered optical semiconductor element is singulated. . 請求項1〜7のいずれか一項に記載される蛍光体層被覆光半導体素子を製造するための方法であって、
シート状の蛍光体層を用意する蛍光体層用意工程と、
前記シート状の蛍光体層を、前記光半導体素子を被覆するように、配置する蛍光体層配置工程と、
前記蛍光体層配置工程の後に、前記透明層を、前記蛍光体層の少なくとも一部を被覆するように、配置する透明層配置工程と
を備えることを特徴とする、蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
A method for producing the phosphor layer-coated optical semiconductor element according to any one of claims 1 to 7,
A phosphor layer preparation step of preparing a sheet-like phosphor layer;
A phosphor layer arranging step of arranging the sheet-like phosphor layer so as to cover the optical semiconductor element;
A phosphor layer-covered optical semiconductor device comprising: a transparent layer arranging step of arranging the transparent layer so as to cover at least a part of the phosphor layer after the phosphor layer arranging step. Manufacturing method.
前記蛍光体層配置工程では、前記シート状の蛍光体層を、複数の前記光半導体素子を埋設するように、配置し、
前記蛍光体層配置工程の後であって、前記透明層配置工程の前に、前記蛍光体層を、複数の前記光半導体素子に対応して個片化するともに、前記光半導体素子に対して遠隔にある前記蛍光体層を除去する個片化/除去工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項10に記載の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
In the phosphor layer arranging step, the sheet-like phosphor layer is arranged so as to embed a plurality of the optical semiconductor elements,
After the phosphor layer arranging step and before the transparent layer arranging step, the phosphor layer is separated into pieces corresponding to the plurality of optical semiconductor elements, and the optical semiconductor elements The method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor device according to claim 10, further comprising a singulation / removal step of removing the remote phosphor layer.
前記光半導体素子は、
基板に接触することができる素子側接触可能面と、
前記素子側接触可能面に対して一方側に距離xを隔てて対向配置される素子側対向面と、
前記素子側接触可能面および前記素子側対向面に連結される素子側連結面とを有し、
前記蛍光体層配置工程では、前記シート状の蛍光体層を、複数の前記光半導体素子の前記素子側連結面を被覆するように、配置し、
前記個片化/除去工程では、前記素子側連結面を被覆する前記蛍光体層を残存させることを特徴とする、請求項11に記載の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
The optical semiconductor element is:
An element-side contactable surface capable of contacting the substrate;
An element-side facing surface disposed opposite to the element-side contactable surface at a distance x on one side;
An element side connecting surface connected to the element side contactable surface and the element side facing surface;
In the phosphor layer arranging step, the sheet-like phosphor layer is arranged so as to cover the element side connection surfaces of the plurality of optical semiconductor elements,
12. The method for manufacturing a phosphor layer-covered optical semiconductor element according to claim 11, wherein the phosphor layer covering the element side connection surface is left in the singulation / removal step.
シート状の透明層を用意する透明層用意工程をさらに備え、
前記透明層配置工程では、前記シート状の透明層を、前記蛍光体層の少なくとも一部を被覆するように、配置することを特徴とする、請求項10〜12のいずれか一項に記載の蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
Further comprising a transparent layer preparation step of preparing a sheet-like transparent layer,
The said transparent layer arrangement | positioning process arrange | positions the said sheet-like transparent layer so that at least one part of the said fluorescent substance layer may be coat | covered, It is characterized by the above-mentioned. A method for producing a phosphor layer-coated optical semiconductor element.
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