JP2016171315A - Adhesive sheet, method for manufacturing adhesive optical semiconductor element and method for manufacturing optical semiconductor device - Google Patents
Adhesive sheet, method for manufacturing adhesive optical semiconductor element and method for manufacturing optical semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016171315A JP2016171315A JP2016036321A JP2016036321A JP2016171315A JP 2016171315 A JP2016171315 A JP 2016171315A JP 2016036321 A JP2016036321 A JP 2016036321A JP 2016036321 A JP2016036321 A JP 2016036321A JP 2016171315 A JP2016171315 A JP 2016171315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor element
- sticking
- adhesive
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
- H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法、詳しくは、貼着シート、それを用いる貼着光半導体素子の製造方法、および、その製造方法により得られる貼着光半導体素子を用いる光半導体装置の製造方法に関する。 The present invention provides an adhesive sheet, a method for manufacturing an adhesive optical semiconductor element and a method for manufacturing an optical semiconductor device, and more specifically, an adhesive sheet, an optical semiconductor element manufacturing method using the adhesive sheet, and a manufacturing method thereof. The present invention relates to a method for manufacturing an optical semiconductor device using the attached optical semiconductor element.
従来より、貼着シートを、LEDに貼着し、それによって、発光装置を得ることが知られている。 Conventionally, it is known that an adhesive sheet is attached to an LED, thereby obtaining a light emitting device.
例えば、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化する熱可塑性樹脂を含有する封止用樹脂シートが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 For example, a sealing resin sheet containing a thermoplastic resin that has thermoplasticity at a temperature lower than a predetermined crosslinking temperature and is irreversibly cured at a temperature equal to or higher than the crosslinking temperature has been proposed (for example, Patent Document 1). reference.).
上記した封止用樹脂シートは、LEDに対して、熱プレスされる。 The above-described sealing resin sheet is hot pressed against the LED.
しかし、特許文献1に記載される封止用樹脂シートは、熱プレス後に、厚みが不均一になり易く、そのため、発光装置の色均一性が低下するという不具合がある。
However, the sealing resin sheet described in
一方、封止用樹脂シートには、LEDに対する優れた密着性が求められる。 On the other hand, the sealing resin sheet is required to have excellent adhesion to the LED.
本発明の目的は、優れた色均一性を有する貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法と、それらに用いられ、光半導体素子に対する密着性に優れる貼着シートとを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for producing an adhesive optical semiconductor element and an optical semiconductor device having excellent color uniformity, and an adhesive sheet that is used in them and has excellent adhesion to the optical semiconductor element. .
本発明(1)は、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される貼着層を備える貼着シートであって、前記貼着層を、周波数1Hzおよび昇温速度20℃/分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線が、極小値を有し、前記極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、前記極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にある、貼着シートを含む。 This invention (1) is an adhesive sheet provided with the adhesive layer used so that it may adhere directly or indirectly to an optical semiconductor element, Comprising: The said adhesive layer is a frequency of 1 Hz and the temperature increase rate of 20 The curve showing the relationship between the storage shear modulus G ′ obtained by dynamic viscoelasticity measurement under the condition of ° C./min and the temperature T has a minimum value, and the temperature T at the minimum value is 40 ° C. or more. The adhesive sheet is in the range of 200 ° C. or lower, and the storage shear modulus G ′ at the minimum value is in the range of 1,000 Pa or more and 90,000 Pa or less.
この貼着シートは、40℃以上、200℃以下の範囲で、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用するときに、極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にあるので、優れた密着力で光半導体素子に直接的または間接的に貼着できながら、光半導体素子に直接的または間接的に貼着した貼着層の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子および光半導体装置を得ることができる。 When this sticking sheet is used to stick directly or indirectly to an optical semiconductor element in the range of 40 ° C. or more and 200 ° C. or less, the temperature T at the minimum value is 40 ° C. or more and 200 ° C. Since the storage shear modulus G ′ at the minimum value is in the range of 1,000 Pa or more and 90,000 Pa or less in the following range, it can be directly or indirectly attached to the optical semiconductor element with excellent adhesion. However, the thickness of the sticking layer stuck directly or indirectly to the optical semiconductor element can be made uniform. Therefore, it is possible to obtain a bonded optical semiconductor element and an optical semiconductor device that are excellent in reliability and color uniformity.
本発明(2)は、前記貼着層が、蛍光体を含有する、(1)に記載の貼着シートを含む。 The present invention (2) includes the adhesive sheet according to (1), wherein the adhesive layer contains a phosphor.
この貼着シートでは、貼着層が、蛍光体を含有するので、貼着層によって、光半導体素子から発光される光を波長変換して、所望の色を発光できる貼着光半導体素子および光半導体装置を得ることができる。 In this sticking sheet, since the sticking layer contains a phosphor, the sticking optical semiconductor element and the light capable of emitting a desired color by converting the wavelength of light emitted from the optical semiconductor element by the sticking layer. A semiconductor device can be obtained.
本発明(3)は、前記貼着層が、熱硬化性樹脂を含有する、(1)または(2)に記載の貼着シートを含む。 This invention (3) contains the sticking sheet as described in (1) or (2) in which the said sticking layer contains a thermosetting resin.
この貼着シートでは、貼着層が、熱硬化性樹脂を含有するので、貼着層を熱硬化させることにより、貼着層を光半導体素子に対して接着することができる。 In this sticking sheet, since the sticking layer contains a thermosetting resin, the sticking layer can be bonded to the optical semiconductor element by thermosetting the sticking layer.
本発明(4)は、前記貼着層が、前記熱硬化性樹脂の屈折率R1との差の絶対値が0.20以下となる屈折率R2を有するフィラーをさらに含有する、(3)に記載の貼着シートを含む。 In the present invention (4), the adhesive layer further contains a filler having a refractive index R2 in which the absolute value of the difference from the refractive index R1 of the thermosetting resin is 0.20 or less. The sticking sheet of description is included.
この貼着シートでは、光半導体素子から発光された光を、貼着層において、均一に散乱させることができる。 In this sticking sheet, the light emitted from the optical semiconductor element can be uniformly scattered in the sticking layer.
本発明(5)は、前記貼着層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備える、(1)〜(4)のいずれか一項に記載の貼着シートを含む。 This invention (5) contains the adhesive sheet as described in any one of (1)-(4) further equipped with the peeling sheet arrange | positioned at the thickness direction one surface of the said adhesive layer.
この貼着シートは、貼着層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備えるので、貼着層の厚み方向一方面を保護することができる。 Since this sticking sheet is further equipped with the peeling sheet arrange | positioned at the thickness direction one side of a sticking layer, the thickness direction one side of a sticking layer can be protected.
本発明(6)は、(1)〜(5)のいずれか一項に記載の貼着シートを用意するシート用意工程、基材に配置される光半導体素子を用意する素子用意工程、および、前記貼着シートを、40℃以上、200℃以下の温度で、前記光半導体素子に対して直接的または間接的に熱プレスする熱プレス工程を備える、貼着光半導体素子の製造方法を含む。 The present invention (6) includes a sheet preparation step of preparing the adhesive sheet according to any one of (1) to (5), an element preparation step of preparing an optical semiconductor element disposed on a base material, and The manufacturing method of the adhesion | attachment optical semiconductor element provided with the hot press process which heat-presses the said adhesion sheet directly or indirectly with respect to the said optical semiconductor element at the temperature of 40 degreeC or more and 200 degrees C or less is included.
この貼着光半導体素子の製造方法において、熱プレス工程では、貼着シートを、40℃以上、200℃以下の温度で、光半導体素子に対して直接的または間接的に熱プレスするので、優れた密着力で光半導体素子に直接的または間接的に貼着できながら、光半導体素子に直接的または間接的に貼着した貼着層の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子を製造することができる。 In the manufacturing method of this sticking optical semiconductor element, in the hot pressing step, the sticking sheet is hot-pressed directly or indirectly to the optical semiconductor element at a temperature of 40 ° C. or more and 200 ° C. or less. While the adhesive force can be directly or indirectly attached to the optical semiconductor element, the thickness of the adhesive layer directly or indirectly attached to the optical semiconductor element can be made uniform. Therefore, it is possible to manufacture a bonded optical semiconductor element that is excellent in reliability and color uniformity.
本発明(7)は、前記熱プレス工程における圧力が、3.00MPa以下である、請求項(6)に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。 This invention (7) contains the manufacturing method of the sticking optical semiconductor element of Claim (6) whose pressure in the said hot press process is 3.00 Mpa or less.
この貼着光半導体素子の製造方法では、熱プレス工程における圧力が、3.00MPa以下であるので、小さく、安価なプレス機を使用できる。 In this method for manufacturing a bonded optical semiconductor element, since the pressure in the hot pressing step is 3.00 MPa or less, a small and inexpensive press can be used.
本発明(8)は、前記熱プレス工程では、第1板と、前記第1板のプレス方向一方側に対向配置され、前記第1板に対して熱プレス可能に構成される第2板とを備えるプレス機により、前記第2板および前記第1板の間に、それらの間隔を調整するためのスペーサを用いずに、前記第2板が前記第1板に対して熱プレスする、(6)または(7)に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。 The present invention (8) includes, in the hot pressing step, a first plate and a second plate that is disposed opposite to one side in the pressing direction of the first plate and is configured to be hot pressable with respect to the first plate. The second plate is hot-pressed with respect to the first plate without using a spacer for adjusting the distance between the second plate and the first plate by a press machine comprising: (6) Or the manufacturing method of the sticking optical semiconductor element as described in (7) is included.
この貼着光半導体素子の製造方法では、スペーサを用いずに、簡便に熱プレス工程を実施することができる。 In this method for manufacturing a bonded optical semiconductor element, a hot pressing process can be easily performed without using a spacer.
本発明(9)は、前記光半導体素子は、電極が配置される電極側面と、前記電極側面と対向する対向面と、前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面とを有し、前記素子用意工程では、少なくとも前記周側面が、封止層によって被覆され、前記対向面が、前記封止層から露出する前記光半導体素子を用意し、前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記対向面および前記封止層に対して熱プレスする、(6)〜(8)のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。 In the present invention (9), the optical semiconductor element has an electrode side surface on which an electrode is disposed, an opposing surface facing the electrode side surface, and a peripheral side surface connecting the electrode side surface and the opposing surface. In the element preparation step, at least the peripheral side surface is covered with a sealing layer, and the optical semiconductor element in which the facing surface is exposed from the sealing layer is prepared. In the hot pressing step, the adhesive sheet is The manufacturing method of the adhesion optical semiconductor element as described in any one of (6)-(8) which heat-presses with respect to the said opposing surface and the said sealing layer is included.
この貼着光半導体素子の製造方法では、素子用意工程では、少なくとも周側面が、封止層によって被覆され、対向面が、封止層から露出する光半導体素子を用意するので、そのような光半導体素子を、ウエハレベルパッケージとして用意することができる。そして、熱プレス工程では、貼着シートを、ウエハレベルパッケージにおける光半導体素子の対向面および封止層に対して熱プレスするので、ウエハレベルパッケージの光半導体素子および封止層に貼着シートを簡便に貼着することができる。 In this method of manufacturing a bonded optical semiconductor element, in the element preparation step, an optical semiconductor element is prepared in which at least the peripheral side surface is covered with the sealing layer and the opposing surface is exposed from the sealing layer. The semiconductor element can be prepared as a wafer level package. In the hot press process, the adhesive sheet is hot-pressed against the opposing surface of the optical semiconductor element and the sealing layer in the wafer level package, so that the adhesive sheet is applied to the optical semiconductor element and the sealing layer in the wafer level package. It can be easily attached.
本発明(10)は、前記光半導体素子は、電極が配置される電極側面と、前記電極側面と対向する対向面と、前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面とを有し、前記素子用意工程では、少なくとも前記対向面および前記周側面が、封止層によって被覆された前記光半導体素子を用意し、前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記封止層に対して熱プレスする、(6)〜(8)のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。 In the present invention (10), the optical semiconductor element has an electrode side surface on which an electrode is disposed, an opposing surface facing the electrode side surface, and a peripheral side surface connecting the electrode side surface and the opposing surface. In the element preparation step, the optical semiconductor element in which at least the facing surface and the peripheral side surface are covered with a sealing layer is prepared, and in the hot pressing step, the adhesive sheet is attached to the sealing layer. The manufacturing method of the sticking optical semiconductor element as described in any one of (6)-(8) including hot pressing is included.
この貼着光半導体素子の製造方法では、素子用意工程では、少なくとも対向面および周側面が、封止層によって被覆された光半導体素子を用意するので、そのような光半導体素子を、封止光半導体素子として用意することができる。そして、熱プレス工程では、貼着シートを、封止光半導体素子における封止層に対して熱プレスするので、封止光半導体素子における光半導体素子に貼着層を簡便に貼着することができる。 In this method for manufacturing a bonded optical semiconductor element, in the element preparation step, an optical semiconductor element having at least a facing surface and a peripheral side surface covered with a sealing layer is prepared. It can be prepared as a semiconductor element. And in a hot press process, since an adhesive sheet is hot-pressed with respect to the sealing layer in a sealing optical semiconductor element, it can stick an adhesive layer to the optical semiconductor element in a sealing optical semiconductor element simply. it can.
本発明(11)は、(6)〜(8)のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得る工程を備え、前記基材が、支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に配置される粘着シートとを備え、前記貼着光半導体素子を前記粘着シートから剥離する剥離工程、および、前記貼着光半導体素子を基板に実装する実装工程をさらに備える、光半導体装置の製造方法を含む。 This invention (11) is equipped with the process of obtaining an adhesive optical semiconductor element by the manufacturing method of the adhesive optical semiconductor element as described in any one of (6)-(8), The said base material is a support plate. And a pressure-sensitive adhesive sheet disposed on one surface in the thickness direction of the support plate, a peeling step of peeling the sticking optical semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive sheet, and mounting for mounting the sticking optical semiconductor element on a substrate The manufacturing method of the optical semiconductor device further provided with a process is included.
この光半導体装置の製造方法によれば、上記した貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得、これを基板に実装するので、信頼性および色均一性に優れた光半導体装置を製造することができる。 According to this method of manufacturing an optical semiconductor device, an optical semiconductor device having excellent reliability and color uniformity is obtained by obtaining an optical semiconductor device by the method for manufacturing an optical semiconductor device and mounting it on a substrate. The device can be manufactured.
本発明(12)は、(6)〜(8)のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得る工程を備え、前記基材が、基板であり、前記素子用意工程では、前記基板に実装された光半導体素子を用意する、光半導体装置の製造方法を含む。 This invention (12) is equipped with the process of obtaining an adhesive optical semiconductor element by the manufacturing method of the adhesive optical semiconductor element as described in any one of (6)-(8), The said base material is a board | substrate. And the element preparing step includes a method of manufacturing an optical semiconductor device, in which an optical semiconductor element mounted on the substrate is prepared.
この光半導体装置の製造方法によれば、信頼性および色均一性に優れた光半導体装置を製造することができる。 According to this method for manufacturing an optical semiconductor device, an optical semiconductor device excellent in reliability and color uniformity can be manufactured.
本発明の貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法によれば、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子および光半導体装置を得ることができる。 According to the sticking sheet, the sticking optical semiconductor element manufacturing method, and the optical semiconductor device manufacturing method of the present invention, a sticking optical semiconductor element and an optical semiconductor device excellent in reliability and color uniformity can be obtained.
<本発明の貼着シートの一実施形態>
本発明の一実施形態を以下で説明する。
<One Embodiment of the Adhesive Sheet of the Present Invention>
One embodiment of the present invention is described below.
図1において、紙面上下方向は、上下方向(第1方向、厚み方向、プレス方向の一例)であり、紙面上側が上側(第1方向一方側、厚み方向一方側)、紙面下側が下側(第1方向他方側、厚み方向他方側)である。図1において、紙面左右方向は、左右方向(第1方向に直交する第2方向)であり、紙面左側が左側(第2方向一方側)、紙面右側が右側(第2方向他方側)である。図1において、紙面紙厚方向は、前後方向(第1方向および第2方向に直交する第3方向)であり、紙面手前側が前側(第3方向一方側)、紙面奥側が後側(第3方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。 In FIG. 1, the vertical direction of the paper is the vertical direction (an example of the first direction, the thickness direction, and the pressing direction), the upper side of the paper is the upper side (one side in the first direction, the one side in the thickness direction), and the lower side of the paper is the lower side ( The other side in the first direction and the other side in the thickness direction). In FIG. 1, the left-right direction on the paper surface is the left-right direction (second direction orthogonal to the first direction), the left side of the paper surface is the left side (second side in the second direction), and the right side of the paper surface is the right side (the other side in the second direction). . In FIG. 1, the paper thickness direction is the front-rear direction (a third direction orthogonal to the first direction and the second direction), the front side of the paper is the front side (one side in the third direction), and the back side of the paper is the rear side (third Direction other side). Specifically, it conforms to the direction arrow in each figure.
1.貼着シート
貼着シート1は、図1に示すように、略平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な上面(表面)および平坦な下面(裏面)を有している。また、貼着シート1は、後述する貼着光半導体素子11(図2D参照)ではなく、また、光半導体装置21(図2E参照)でもない。すなわち、貼着シート1は、貼着光半導体素子11および光半導体装置21の一部品であり、すなわち、貼着光半導体素子11および光半導体装置21を作製するための部品である。そのため、貼着シート1は、光半導体素子15および光半導体素子15を実装する基板16(図2E参照)を含まず、貼着シート1そのものが、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
1. As shown in FIG. 1, the
そして、図1に示すように、貼着シート1は、貼着層2と、貼着層2の下面に配置される剥離シート3とを備える。好ましくは、貼着シート1は、貼着層2と、剥離シート3とのみからなる。
And as shown in FIG. 1, the sticking
1−1.貼着層
貼着層2は、貼着材料から形成される層(シート)状を有している。また、貼着層2は、後述する図2Cに示すように、光半導体素子15に直接的に貼着するように使用される。
1-1. Adhesive
貼着材料としては、例えば、貼着組成物が挙げられる。貼着組成物は、例えば、粘着性(すなわち、常温(25℃)での表面タック性)の樹脂を含有している。 As a sticking material, a sticking composition is mentioned, for example. The sticking composition contains, for example, an adhesive (that is, surface tack property at normal temperature (25 ° C.)) resin.
樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the resin include a thermosetting resin and a thermoplastic resin, and preferably a thermosetting resin.
熱硬化性樹脂としては、例えば、2段反応硬化性樹脂、1段反応硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the thermosetting resin include a two-stage reaction curable resin and a one-stage reaction curable resin.
2段反応硬化性樹脂は、2つの反応機構を有しており、第1段の反応で、Aステージ状態からBステージ化(半硬化)し、次いで、第2段の反応で、Bステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる。つまり、2段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりBステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Bステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるAステージ状態と、完全硬化したCステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がCステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。 The two-stage reaction curable resin has two reaction mechanisms. In the first stage reaction, the A stage state is changed to the B stage (semi-cured), and then in the second stage reaction, the B stage state is obtained. To C-stage (complete curing). That is, the two-stage reaction curable resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state under appropriate heating conditions. The B stage state is a state between the A stage state where the thermosetting resin is in a liquid state and the fully cured C stage state, and curing and gelation proceed slightly, and the compression elastic modulus is C stage. A semi-solid or solid state that is smaller than the elastic modulus of the state.
1段反応硬化性樹脂は、1つの反応機構を有しており、第1段の反応で、Aステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる。このような1段反応硬化性樹脂は、第1段の反応の途中で、その反応が停止して、Aステージ状態からBステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第1段の反応が再開されて、Bステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、1段反応硬化性樹脂は、1段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Bステージ状態となることができず、一度に、Aステージ状態からCステージ化(完全硬化)する熱硬化性樹脂を含まない。 The one-stage reaction curable resin has one reaction mechanism, and can be changed from the A-stage state to the C-stage (completely cured) by the first-stage reaction. Such a one-stage reaction curable resin can stop the reaction in the middle of the first-stage reaction and change from the A-stage state to the B-stage state. It is a thermosetting resin that can be C-staged (completely cured) from the B-stage state when the reaction is resumed. That is, such a thermosetting resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state. Therefore, the first-stage reaction curable resin cannot be controlled to stop in the middle of the first-stage reaction, that is, cannot enter the B-stage state, and is changed from the A-stage state to the C-stage (completely cured). ) Does not contain thermosetting resin.
要するに、熱硬化性樹脂は、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。 In short, the thermosetting resin is a thermosetting resin that can be in a B-stage state.
熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。 Examples of the thermosetting resin include silicone resin, epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin. As a thermosetting resin, Preferably, a silicone resin and an epoxy resin are mentioned, More preferably, a silicone resin is mentioned.
上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。 The above-mentioned thermosetting resin may be the same type or a plurality of types.
シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。 Examples of the silicone resin include silicone resin compositions such as an addition reaction curable silicone resin composition and a condensation / addition reaction curable silicone resin composition from the viewpoint of transparency, durability, heat resistance, and light resistance. Preferably, an addition reaction curable silicone resin composition is used. Silicone resins may be used alone or in combination.
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、1段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。 The addition reaction curable silicone resin composition is a one-stage reaction curable resin composition, and includes, for example, an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst.
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に2個以上のアルケニル基および/またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式(1)で示される。 The alkenyl group-containing polysiloxane contains two or more alkenyl groups and / or cycloalkenyl groups in the molecule. The alkenyl group-containing polysiloxane is specifically represented by the following average composition formula (1).
平均組成式(1):
R1 aR2 bSiO(4−a−b)/2
(式中、R1は、炭素数2〜10のアルケニル基および/または炭素数3〜10のシクロアルケニル基を示す。R2は、非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基(ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。)を示す。aは、0.05以上、0.50以下であり、bは、0.80以上、1.80以下である。)
式(1)中、R1で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数2〜10のアルケニル基が挙げられる。R1で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数3〜10のシクロアルケニル基が挙げられる。
Average composition formula (1):
R 1 a R 2 b SiO (4-ab) / 2
(In the formula, R 1 represents an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms and / or a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms. R 2 represents an unsubstituted or substituted monovalent carbon atom having 1 to 10 carbon atoms. A hydrogen group (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group); a is from 0.05 to 0.50, and b is from 0.80 to 1.80.
In formula (1), examples of the alkenyl group represented by R 1 include alkenyl having 2 to 10 carbon atoms such as vinyl group, allyl group, propenyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, heptenyl group, and octenyl group. Groups. Examples of the cycloalkenyl group represented by R 1 include cycloalkenyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclohexenyl group and a norbornenyl group.
R1として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数2〜4のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。 R 1 is preferably an alkenyl group, more preferably an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms, and still more preferably a vinyl group.
R1で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。 The alkenyl groups represented by R 1 may be the same type or a plurality of types.
R2で示される1価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数1〜10の1価の炭化水素基である。 The monovalent hydrocarbon group represented by R 2 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms other than an alkenyl group and a cycloalkenyl group.
非置換の1価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数1〜10のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数3〜6のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数6〜10のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数7〜8のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および/またはフェニル基が挙げられる。 Examples of the unsubstituted monovalent hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and a pentyl group. , Heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group and other alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group. Examples include alkyl groups such as aryl groups having 6 to 10 carbon atoms such as phenyl, tolyl and naphthyl groups, and aralkyl groups having 7 to 8 carbon atoms such as benzyl and benzylethyl groups. Preferably, a C1-C3 alkyl group and a C6-C10 aryl group are mentioned, More preferably, a methyl group and / or a phenyl group are mentioned.
一方、置換の1価の炭化水素基は、上記した非置換の1価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。 On the other hand, examples of the substituted monovalent hydrocarbon group include those in which the hydrogen atom in the above-described unsubstituted monovalent hydrocarbon group is substituted with a substituent.
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。 Examples of the substituent include a halogen atom such as a chlorine atom, for example, a glycidyl ether group.
置換の1価の炭化水素基としては、具体的には、3−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。 Specific examples of the substituted monovalent hydrocarbon group include a 3-chloropropyl group and a glycidoxypropyl group.
1価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。 The monovalent hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted, and is preferably unsubstituted.
R2で示される1価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および/またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。 The monovalent hydrocarbon groups represented by R 2 may be of the same type or a plurality of types. Preferably, a methyl group and / or a phenyl group are mentioned, More preferably, combined use of a methyl group and a phenyl group is mentioned.
aは、好ましくは、0.10以上、0.40以下である。 a is preferably 0.10 or more and 0.40 or less.
bは、好ましくは、1.5以上、1.75以下である。 b is preferably 1.5 or more and 1.75 or less.
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、100以上、好ましくは、500以上であり、また、例えば、10,000以下、好ましくは、5,000以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。 The weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane is, for example, 100 or more, preferably 500 or more, and for example, 10,000 or less, preferably 5,000 or less. The weight average molecular weight of the alkenyl group-containing polysiloxane is a conversion value based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。 The alkenyl group-containing polysiloxane is prepared by an appropriate method, and a commercially available product can also be used.
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。 The alkenyl group-containing polysiloxanes may be of the same type or a plurality of types.
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に2個以上のヒドロシリル基(SiH基)を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式(2)で示される。 The hydrosilyl group-containing polysiloxane contains, for example, two or more hydrosilyl groups (SiH groups) in the molecule. Specifically, the hydrosilyl group-containing polysiloxane is represented by the following average composition formula (2).
平均組成式(2):
HcR3 dSiO(4−c−d)/2
(式中、R3は、非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基(ただし、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基を除く。)を示す。cは、0.30以上、1.0以下であり、dは、0.90以上、2.0以下である。)
式(2)中、R3で示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基は、式(1)のR2で示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および/またはフェニル基が挙げられる。
Average composition formula (2):
H c R 3 d SiO (4 -c-d) / 2
(In the formula, R 3 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and / or a cycloalkenyl group). C is 0.30 or more. 1.0, and d is 0.90 or more and 2.0 or less.)
In formula (2), the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3 is an unsubstituted or substituted carbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2 in formula (1). The same thing as the monovalent hydrocarbon group of is illustrated. Preferably, an unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a methyl group. And / or a phenyl group.
cは、好ましくは、0.5以下である。 c is preferably 0.5 or less.
dは、好ましくは、1.3以上、1.7以下である。 d is preferably 1.3 or more and 1.7 or less.
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、100以上、好ましくは、500以上であり、また、例えば、10,000以下、好ましくは、5,000以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。 The weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is, for example, 100 or more, preferably 500 or more, and for example, 10,000 or less, preferably 5,000 or less. The weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is a conversion value based on standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。 The hydrosilyl group-containing polysiloxane is prepared by an appropriate method, and a commercially available product can also be used.
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。 Further, the hydrosilyl group-containing polysiloxane may be of the same type or a plurality of types.
上記した平均組成式(1)および平均組成式(2)中、R2およびR3の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、R2およびR3の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、R2およびR3の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。フェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、1.45以上、さらには、1.50以上である。 Average composition formula described above (1) and the average compositional formula (2), at least one of the hydrocarbon groups R 2 and R 3 preferably includes a phenyl group, more preferably, R 2 and R 3 Both hydrocarbons contain a phenyl group. When at least one of the hydrocarbon groups of R 2 and R 3 contains a phenyl group, the addition reaction curable silicone resin composition is a phenyl silicone resin composition. The refractive index of the phenyl silicone resin composition is, for example, 1.45 or more, and further 1.50 or more.
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合(アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数/ヒドロシリル基のモル数)が、例えば、1/30以上、好ましくは、1/3以上、また、例えば、30/1以下、好ましくは、3/1以下となるように、調整される。 The blending ratio of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is the ratio of the number of moles of alkenyl groups and cycloalkenyl groups of the alkenyl group-containing polysiloxane to the number of moles of hydrosilyl groups of the hydrosilyl group-containing polysiloxane (number of moles of alkenyl groups and cycloalkenyl groups). / Number of moles of hydrosilyl group) is adjusted to be, for example, 1/30 or more, preferably 1/3 or more, and for example, 30/1 or less, preferably 3/1 or less.
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応(ヒドロシリル付加)の反応速度を向上させる物質(付加触媒)であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。 The hydrosilylation catalyst is a substance (addition catalyst) that improves the reaction rate of the hydrosilylation reaction (hydrosilyl addition) between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane. If it exists, it will not specifically limit, For example, a metal catalyst is mentioned. Examples of the metal catalyst include platinum catalysts such as platinum black, platinum chloride, chloroplatinic acid, platinum-olefin complexes, platinum-carbonyl complexes, and platinum-acetyl acetate, for example, palladium catalysts such as rhodium catalyst.
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量(具体的には、金属原子)として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、1.0ppm以上であり、また、例えば、10,000ppm以下、好ましくは、1,000ppm以下、より好ましくは、500ppm以下である。 The blending ratio of the hydrosilylation catalyst is, for example, 1.0 ppm or more on a mass basis with respect to the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group-containing polysiloxane as the metal amount of the metal catalyst (specifically, metal atom). In addition, for example, it is 10,000 ppm or less, preferably 1,000 ppm or less, and more preferably 500 ppm or less.
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。 The addition reaction curable silicone resin composition is prepared by blending an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst in the above proportions.
上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Aステージ(液体)状態として調製されて使用される。 The above-described addition reaction curable silicone resin composition is prepared and used in an A stage (liquid) state by first blending an alkenyl group-containing polysiloxane, a hydrosilyl group-containing polysiloxane, and a hydrosilylation catalyst.
上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Aステージ状態からBステージ(半硬化)状態となることができる。 As described above, the phenyl silicone resin composition undergoes a hydrosilylation addition reaction between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane by heating under desired conditions. After that, the hydrosilylation addition reaction is once stopped. As a result, the A stage state can be changed to the B stage (semi-cured) state.
その後、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Bステージ状態からCステージ(完全硬化)状態となることができる。 After that, the phenyl-based silicone resin composition is completed by restarting the above-described hydrosilylation addition reaction by heating under further desired conditions. As a result, the B stage state can be changed to the C stage (fully cured) state.
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、2段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開2010−265436号公報、特開2013−187227号公報などに記載される第1〜第8の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開2013−091705号公報、特開2013−001815号公報、特開2013−001814号公報、特開2013−001813号公報、特開2012−102167号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。 The condensation / addition reaction curable silicone resin composition is a two-stage reaction curable resin, and specifically described in, for example, JP 2010-265436 A, JP 2013-187227 A, and the like. 1 to 8 condensation / addition reaction curable silicone resin compositions, for example, JP2013-091705A, JP2013-001815A, JP2013-001814A, JP2013-001813A, Examples thereof include a cage-type octasilsesquioxane-containing silicone resin composition described in JP2012-102167A. The condensation / addition reaction curable silicone resin composition is solid and has both thermoplasticity and thermosetting properties.
そして、上記した樹脂は、少なくともBステージ(半硬化)状態にあるとき、すなわち、貼着層2を形成しているときの樹脂は、固体状である。そして、このような樹脂は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、樹脂は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。より具体的には、樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に下降し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇する。
The above-described resin is at least in the B stage (semi-cured) state, that is, the resin when the
樹脂(好ましくは、熱硬化性樹脂)の屈折率R1は、後述するフィラーの屈折率R2との差の絶対値が所望の範囲となるように、適宜設定される。 The refractive index R1 of the resin (preferably thermosetting resin) is appropriately set so that the absolute value of the difference from the refractive index R2 of the filler described later falls within a desired range.
貼着組成物は、好ましくは、蛍光体をさらに含有する。 The sticking composition preferably further contains a phosphor.
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。 Examples of the phosphor include a yellow phosphor that can convert blue light into yellow light, and a red phosphor that can convert blue light into red light.
黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)2SiO4;Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、Y3Al5O12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。 Examples of the yellow phosphor include silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 ; Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)), for example, Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce), Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium, aluminum, garnet): Ce) Examples thereof include oxynitride phosphors such as Ca-α-SiAlON.
赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。 Examples of the red phosphor include nitride phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu and CaSiN 2 : Eu.
蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。 The phosphor is preferably a yellow phosphor, and more preferably a garnet phosphor.
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。 Examples of the shape of the phosphor include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape.
蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下でもある。 The average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a sphere, the average particle diameter) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 1 μm or more, and for example, 200 μm or less, preferably 100 μm or less. But there is.
蛍光体は、単独使用または併用することができる。 The phosphors can be used alone or in combination.
蛍光体の配合割合は、貼着組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。 The blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more, for example, 90% by mass or less, preferably 80% by mass or less, with respect to the adhesive composition. It is.
さらに、貼着組成物は、フィラーを含有することもできる。 Furthermore, the sticking composition can also contain a filler.
フィラーとしては、例えば、光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。 Examples of the filler include light diffusing particles. Examples of the light diffusing particles include inorganic particles and organic particles.
無機粒子としては、例えば、シリカ(SiO2)、タルク(Mg3(Si4O10)(HO)2)、アルミナ(Al2O3)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化カルシウム(CaO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化バリウム(BaO)、酸化アンチモン(Sb2O3)などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)などの窒化物などの無機物粒子(無機物)が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子(具体的には、ガラス粒子など)が挙げられる。 Examples of the inorganic particles include silica (SiO 2 ), talc (Mg 3 (Si 4 O 10 ) (HO) 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), boron oxide (B 2 O 3 ), calcium oxide (CaO). ), Zinc oxide (ZnO), strontium oxide (SrO), magnesium oxide (MgO), zirconium oxide (ZrO 2 ), barium oxide (BaO), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), and other oxides such as aluminum nitride Examples thereof include inorganic particles (inorganic materials) such as nitrides such as (AlN) and silicon nitride (Si 3 N 4 ). Examples of the inorganic particles include composite inorganic particles prepared from the inorganic materials exemplified above, and specifically, composite inorganic oxide particles (specifically, glass particles) prepared from an oxide. Can be mentioned.
無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。 The inorganic particles are preferably silica particles and glass particles.
無機粒子は、通常、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。 Inorganic particles are usually insoluble in a solvent such as toluene described below.
有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。 Examples of organic materials for organic particles include acrylic resins, styrene resins, acrylic-styrene resins, silicone resins, polycarbonate resins, benzoguanamine resins, polyolefin resins, polyester resins, polyamide resins, and polyimide resins. Resin etc. are mentioned.
有機粒子として、好ましくは、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。 The organic particles are preferably acrylic resin and silicone resin particles.
有機粒子は、例えば、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。なお、有機粒子は、例えば、溶剤に溶解するものを含むこともできる。 The organic particles are insoluble in, for example, a solvent such as toluene described later. In addition, the organic particles can include, for example, those that dissolve in a solvent.
フィラーは、単独使用または併用することができる。 The filler can be used alone or in combination.
フィラーの屈折率R2は、樹脂の屈折率R1との差の絶対値(|R1−R2|)が、0.03以上となるように設定される。具体的には、フィラーの屈折率R2は、例えば、0.07以上、好ましくは、0.11以上、より好ましくは、0.15以上であり、例えば、0.25以下、好ましくは、0.20以下である。上記した絶対値(|R1−R2|)が、上記した上限以下であれば、光半導体素子15(図2F参照)から発光された光を、貼着層2において散乱させ、光半導体装置21が均一に発光することができる。
The refractive index R2 of the filler is set so that the absolute value (| R1-R2 |) of the difference from the refractive index R1 of the resin is 0.03 or more. Specifically, the refractive index R2 of the filler is, for example, 0.07 or more, preferably 0.11 or more, more preferably 0.15 or more, for example, 0.25 or less, preferably 0. 20 or less. If the absolute value (| R1-R2 |) is equal to or less than the above upper limit, the light emitted from the optical semiconductor element 15 (see FIG. 2F) is scattered in the
フィラーの平均粒子径は、例えば、1.0μm以上、好ましくは、2.0μm以上、より好ましくは、4.0μm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、25μm以下、より好ましくは、10μm以下である。平均粒子径は、粒度分布測定装置により測定される。 The average particle diameter of the filler is, for example, 1.0 μm or more, preferably 2.0 μm or more, more preferably 4.0 μm or more, and for example, 30 μm or less, preferably 25 μm or less, more preferably, 10 μm or less. The average particle size is measured by a particle size distribution measuring device.
また、フィラーは、樹脂の使用量を低減させて、低コスト化させる目的や、また、完全硬化(キュア)後の硬度を上げる目的にも用いられる。フィラーがそのような目的に用いられる場合において、フィラーに散乱性を持たせず透明性を保持することが好ましく、その場合には、フィラーの屈折率R2は、樹脂の屈折率R1との差の絶対値(|R1−R2|)が、例えば、0.05以下、好ましくは、0.03未満となるように設定される。 The filler is also used for the purpose of reducing the cost by reducing the amount of resin used and for increasing the hardness after complete curing (curing). In the case where the filler is used for such a purpose, it is preferable that the filler does not have a scattering property and retains transparency. In this case, the refractive index R2 of the filler is different from the refractive index R1 of the resin. The absolute value (| R1-R2 |) is set to be 0.05 or less, preferably less than 0.03, for example.
この場合のフィラーの粒子径は、例えば、1nm以上、好ましくは、5nm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、10μm以下、より好ましくは、5μm以下、さらに好ましくは、0.1μm以下である。 The particle size of the filler in this case is, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and for example, 30 μm or less, preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, and further preferably 0.1 μm or less. It is.
フィラーの含有割合は、貼着組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上、より好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、80質量%以下、好ましくは、50質量%以下、より好ましくは、30質量%以下である。具体的には、無機粒子の含有割合は、貼着組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上、より好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、80質量%以下、好ましくは、50質量%以下、より好ましくは、30質量%以下である。有機粒子の含有割合は、貼着組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上、より好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、80質量%以下、好ましくは、50質量%以下、より好ましくは、30質量%以下である。 The content of the filler is, for example, 1% by mass or more, preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and, for example, 80% by mass or less, preferably with respect to the adhesive composition. Is 50 mass% or less, More preferably, it is 30 mass% or less. Specifically, the content ratio of the inorganic particles is, for example, 1% by mass or more, preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more with respect to the adhesive composition. 80% by mass or less, preferably 50% by mass or less, and more preferably 30% by mass or less. The content ratio of the organic particles is, for example, 1% by mass or more, preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, for example, 80% by mass or less, with respect to the adhesive composition. Preferably, it is 50 mass% or less, More preferably, it is 30 mass% or less.
また、フィラーの樹脂100重量部に対する配合割合は、例えば、2質量部以上、好ましくは、5質量部以上であり、また、例えば、200質量部以下、好ましくは、100質量部以下である。 Moreover, the mixture ratio with respect to 100 weight part of resin of a filler is 2 mass parts or more, for example, Preferably, it is 5 mass parts or more, for example, is 200 mass parts or less, Preferably, it is 100 mass parts or less.
貼着層2を調製するには、例えば、上記した樹脂と、必要により配合されるフィラーおよび蛍光体とを配合して、貼着組成物のワニスを調製し、続いて、それを、剥離シート3の上面に塗布する。次いで、貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、貼着組成物を、Bステージ化する。具体的には、貼着組成物を、加熱(ベイク)する。
In order to prepare the
加熱(ベイク)条件は、貼着層2において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率G’が所望の範囲となるように、適宜設定される。
The heating (baking) condition is appropriately set so that the storage shear elastic modulus G ′ in the dynamic viscoelasticity measurement in the
つまり、加熱温度は、貼着組成物における熱硬化性樹脂組成物の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、50℃以上、好ましくは、70℃以上であり、また、例えば、120℃以下、好ましくは、100℃以下である。加熱温度が上記下限以上、および/または、加熱温度が上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率G’の極小値を所望の範囲に設定することができる。 That is, the heating temperature is appropriately set depending on the composition of the thermosetting resin composition in the adhesive composition, and specifically, for example, 50 ° C. or higher, preferably 70 ° C. or higher, and for example, 120 ° C. The temperature is preferably 100 ° C. or lower. When the heating temperature is not less than the above lower limit and / or the heating temperature is not more than the above upper limit, the minimum value of the above-described storage shear modulus G ′ can be set in a desired range.
加熱時間は、例えば、2.5分以上、好ましくは、5.5分以上であり、また、例えば、4時間以下、好ましくは、1時間以下である。加熱時間が上記下限以上、および/または、上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率G’の極小値を所望の範囲に設定することができる。 The heating time is, for example, 2.5 minutes or more, preferably 5.5 minutes or more, and for example, 4 hours or less, preferably 1 hour or less. If the heating time is not less than the above lower limit and / or not more than the above upper limit, the minimum value of the above-described storage shear modulus G ′ can be set in a desired range.
これにより、貼着層2が調製される。
Thereby, the
貼着層2の厚みは、例えば、40μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、300μm以下である。
The thickness of the
1−1.貼着層の物性
(1) 動的粘弾性
このような貼着層2を、周波数1Hzおよび昇温速度20℃/分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線は、図6が参照されるように、極小値を有する。
1-1. Physical Properties of Adhesive Layer (1) Dynamic Viscoelasticity Storage shear modulus G ′ obtained by measuring such an
なお、図6の比較例Iで示される曲線のように、極小値を複数有する場合には、極小値とは、貯蔵剪断弾性率G’が最も低い値に位置する極小値を意味する。 In the case where there are a plurality of minimum values as in the curve shown in Comparative Example I of FIG. 6, the minimum value means a minimum value where the storage shear modulus G ′ is at the lowest value.
そして、そのような極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にある。 The temperature T at such a minimum value is in the range of 40 ° C. or more and 200 ° C. or less, and the storage shear modulus G ′ at the minimum value is in the range of 1,000 Pa or more and 90,000 Pa or less. .
極小値における温度Tが40℃未満であれば、次に説明する熱プレス工程における40℃以上の熱プレスにおいて、粘度が過度に上昇するため、貼着層2の光半導体素子15(図2B参照)に対する密着力が低下する不具合がある。
If the temperature T at the minimum value is less than 40 ° C., the viscosity increases excessively in a hot press at 40 ° C. or higher in the hot press step described below, so the
極小値における温度Tが200℃超過であれば、次に説明する熱プレス工程における200℃以下の熱プレスにおいて、貼着層2の粘度が十分に下降しないので、貼着層2の半導体素子15(図2B参照)に対する密着力が低下する不具合がある。
If the temperature T at the minimum value exceeds 200 ° C., the viscosity of the
極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa未満であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層2の厚みが不均一になり、そのため、得られる貼着光半導体素子11(図2D参照)および光半導体装置21(図2E参照)の色均一性が低下する不具合がある。
If the storage shear elastic modulus G ′ at the minimum value is less than 1,000 Pa, the thickness of the
極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、90,000Pa超過であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層2の粘度が十分に下降しないので、貼着層2の半導体素子15(図2B参照)に対する密着力が低下する不具合がある。
If the storage shear modulus G ′ at the minimum value exceeds 90,000 Pa, the viscosity of the
また、極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率G’は、好ましくは、10,000Pa以上、より好ましくは、20,000Pa以上、さらに好ましくは、30,000Pa以上であり、また、好ましくは、70,000Pa以下の範囲にある。 The temperature T at the minimum value is in the range of 40 ° C. or more and 200 ° C. or less, and the storage shear modulus G ′ at the above minimum value is preferably 10,000 Pa or more, more preferably 20,000 Pa or more. More preferably, it is 30,000 Pa or more, and preferably 70,000 Pa or less.
極小値における貯蔵剪断弾性率G’が上記した下限以上であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層2のしわを防止して、貼着層2の厚みが均一となり、得られる貼着光半導体素子11および光半導体装置21(図2E参照)の色均一性が優れる。
If the storage shear modulus G ′ at the minimum value is equal to or greater than the lower limit described above, in the hot press step described below, the wrinkle of the
極小値における貯蔵剪断弾性率G’が上記した上限以下であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層2の粘度が十分に下降し、そのため、貼着層2の半導体素子15(図2B参照)に対する密着力および/または埋め込み性に優れる。
If the storage shear elastic modulus G ′ at the minimum value is equal to or less than the above upper limit, the viscosity of the
また、LOG10(25℃の貯蔵剪断弾性率G’)−LOG10(貯蔵剪断弾性率G’の極小値)は、例えば、0.20以上、好ましくは、0.23以上であり、また、例えば、1.50以下、好ましくは、1.00以下、より好ましくは、0.50以下である。 LOG 10 (storage shear modulus G ′ at 25 ° C.) − LOG 10 (minimum value of storage shear modulus G ′) is, for example, 0.20 or more, preferably 0.23 or more. For example, it is 1.50 or less, preferably 1.00 or less, and more preferably 0.50 or less.
「LOG10(25℃の貯蔵剪断弾性率G’)−LOG10(貯蔵剪断弾性率G’の極小値)」は、図6に示され、貯蔵剪断弾性率G’が対数で現される曲線において、25℃における貯蔵剪断弾性率G’と、貯蔵剪断弾性率G’の極小値との間の長さを意味する。 “LOG 10 (Storage Shear Modulus G ′ at 25 ° C.) − LOG 10 (Minimum Value of Shear Shear Modulus G ′)” is shown in FIG. 6 and is a curve representing the logarithm of the storage shear modulus G ′. Means the length between the storage shear modulus G ′ at 25 ° C. and the minimum value of the storage shear modulus G ′.
「LOG10(25℃の貯蔵剪断弾性率G’)−LOG10(貯蔵剪断弾性率G’の極小値)」が上記上限以下、および/または、上記下限以上であれば、貼着層2が優れた密着力で光半導体素子15に貼着できながら、光半導体素子15に貼着した貼着層2の厚みを均一にすることができる。
If “LOG 10 (storage shear modulus G ′ at 25 ° C.) − LOG 10 (minimum value of storage shear modulus G ′)” is not more than the above upper limit and / or not less than the above lower limit, the
(2) 圧縮弾性率
貼着層2の25℃における圧縮弾性率は、例えば、1.0MPa以上、好ましくは、5.0MPa以上、より好ましくは、10.0MPa以上であり、また、例えば、50MPa以下、好ましくは、25MPa以下である。
(2) Compression elastic modulus The compression elastic modulus at 25 ° C. of the
(3) トルエン可溶分
貼着層2に含有される樹脂のトルエン可溶分は、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上、より好ましくは、25質量%以上であり、また、例えば、80質量%以下、好ましくは、60質量%以下、より好ましくは、50質量%以下である。
(3) Toluene-soluble content The toluene-soluble content of the resin contained in the
樹脂のトルエン可溶分が上記上限以下、および/または、上記下限以上であれば、貯蔵剪断弾性率G’の極小値を所望の範囲に設定でき、それによって、貼着層2が優れた密着力で光半導体素子15に貼着できながら、光半導体素子15に貼着した貼着層2の厚みを均一にすることができる。
If the toluene soluble content of the resin is not more than the above upper limit and / or not less than the above lower limit, the minimum value of the storage shear modulus G ′ can be set in a desired range, whereby the
樹脂のトルエン可溶分は、下記式により算出される。 The toluene soluble content of the resin is calculated by the following formula.
樹脂のトルエン可溶分(質量%)=トルエン可溶分の質量/樹脂の質量×100
樹脂のトルエン可溶分は、貼着層2を用いて測定される。そのため、貼着層2における貼着組成物が蛍光体および/またはフィラーを含有する場合には、下記の手順(1)〜(6)に従って、蛍光体およびフィラーの質量を差し引いて、樹脂のトルエン可溶分を算出する。
Resin-soluble toluene content (mass%) = toluene-soluble content mass / resin mass × 100
The toluene soluble content of the resin is measured using the
手順(1):樹脂組成物シートの断面SEM観察を行い、蛍光体およびフィラーの有無、および、フィラーの種類(無機粒子および有機粒子のいずれか)を確認する。 Procedure (1): Cross-sectional SEM observation of the resin composition sheet is performed, and the presence or absence of a phosphor and a filler and the type of filler (either inorganic particles or organic particles) are confirmed.
(1−1)無機粒子が確認された場合は、貼着層2を焼成して、残渣として無機粒子の質量を測定する。
(1-1) When inorganic particles are confirmed, the
(1−2)有機粒子が確認された場合は、有機粒子の断面SEMの体積分率に有機粒子の一般的な密度1.25g/cm3を乗じて有機粒子の質量を算出する。 (1-2) When organic particles are confirmed, the mass of the organic particles is calculated by multiplying the volume fraction of the cross-sectional SEM of the organic particles by a general density of 1.25 g / cm 3 of the organic particles.
手順(2):貼着層2を精秤して、PTFEシートに包み、25℃で、トルエンで24時間浸漬、振とうさせる。
Procedure (2): The
手順(3):トルエン不溶分を分離し、乾燥によりトルエンを除去した後、トルエン不溶分の質量を測定する。 Procedure (3): Toluene-insoluble matter is separated, toluene is removed by drying, and the mass of toluene-insoluble matter is measured.
手順(4):精秤した試料質量からトルエン不溶分の質量を差し引くことにより、トルエン可溶分の質量を算出する。 Procedure (4): The mass of the toluene-soluble component is calculated by subtracting the mass of the toluene-insoluble component from the accurately weighed sample mass.
手順(5):仕込みの貼着層2の質量から、蛍光体およびフィラーの質量を差し引いて、樹脂の質量を算出する。
Procedure (5): The mass of the resin is calculated by subtracting the masses of the phosphor and filler from the mass of the prepared
手順(6):下記式により、トルエン可溶分を算出する。 Procedure (6): Toluene soluble content is calculated by the following formula.
トルエン可溶分(質量%)=トルエン可溶分の質量/樹脂の質量×100
なお、貼着組成物が、トルエンに可溶な有機粒子を含有する場合は、試料質量からトルエン不溶分の質量および有機粒子の質量を差し引くことにより、樹脂におけるトルエン可溶分の質量を算出する。
(4) アルケニル基およびヒドロシリル基の含量
樹脂が、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、貼着層2におけるアルケニル基(具体的には、ビニル基:CH2=CH−基)の貼着層2における含量は、例えば、4.3%以上であり、また、例えば、20%以下、好ましくは、7.5%以下である。また、ヒドロシリル基(H−Si基)の貼着層2における含量は、例えば、2%以上、好ましくは、5%以上、より好ましくは、10%以上であり、また、例えば、30%以下、好ましくは、15%以下である。
Toluene-soluble content (mass%) = toluene-soluble content / resin mass × 100
When the adhesive composition contains organic particles soluble in toluene, the mass of toluene-soluble components in the resin is calculated by subtracting the mass of toluene-insoluble components and the mass of organic particles from the sample mass. .
(4) Content of alkenyl group and hydrosilyl group When the resin contains an addition reaction curable silicone resin composition, the alkenyl group in the adhesive layer 2 (specifically, vinyl group: CH 2 ═CH— group) ) In the
アルケニル基および/またはヒドロシリル基の含量が、上記下限以上、および/または、上記上限以下であれば、貼着層2の厚みが均一となり、また、貼着層2の半導体素子15に対する密着力に優れる。
When the content of the alkenyl group and / or hydrosilyl group is not less than the above lower limit and / or not more than the above upper limit, the thickness of the
上記したビニル基およびヒドロシリル基の算出方法は、後述する実施例において、詳述される。 The calculation method of the above-mentioned vinyl group and hydrosilyl group will be described in detail in Examples described later.
1−2.剥離シート
剥離シート3は、図1に示すように、貼着層2によって光半導体素子15に対して貼着するまでの間、貼着層2を保護するために、貼着層2の裏面(図1における下面)に剥離可能に貼着されている。剥離シート3は、可撓性フィルムからなる。また、剥離シート3の貼着面、つまり、貼着層2に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
1-2. Release Sheet The
剥離シート3としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム(PETなど)などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離シート3は、平面視略矩形状(短冊状、長尺状を含む)などを有している。剥離シート3の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、2,000μm以下、好ましくは、1,000μm以下である。
Examples of the
1−3.貼着シートの製造
貼着シート1を得るには、まず、剥離シート3および上記した貼着組成物のワニスをそれぞれ用意する。続いて、剥離シート3の上面に、貼着組成物のワニスを塗布する。その後、貼着組成物が、熱硬化性樹脂を含有する場合には、貼着組成物を加熱によりBステージ化する。
1-3. Production of Adhesive Sheet In order to obtain the
これによって、貼着層2と、貼着層2の下面全面に配置される剥離シート3とを備える貼着シート1を得る。
Thereby, the
貼着シート1の厚みは、例えば、90μm以上、好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、550μm以下、好ましくは、350μm以下である。
The thickness of the sticking
2.貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法
<本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第1実施形態>
本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第1実施形態を順次説明する。
2. Adhesive optical semiconductor element and optical semiconductor device manufacturing method <First embodiment of the inventive adhesive optical semiconductor element and optical semiconductor device manufacturing method>
1st Embodiment of the manufacturing method of the sticking optical semiconductor element and optical semiconductor device of this invention is described sequentially.
すなわち、第1実施形態として、上記した貼着シート1を用いて、貼着光半導体素子11および光半導体装置21を製造する方法を説明する。
That is, as a first embodiment, a method for manufacturing the sticking
2−1.貼着光半導体素子の製造方法
図1および図2A〜図2Dに示すように、貼着光半導体素子11の製造方法は、貼着シート1を用意するシート用意工程(図1参照)、光半導体素子15を用意する素子用意工程(図2A参照)、および、貼着シート1を光半導体素子15に対して直接的に熱プレスする熱プレス工程(図2B参照)を備える。さらに、貼着光半導体素子11の製造方法は、光半導体素子15を個片化する個片化工程(図2Dの1点破線参照)、および、貼着光半導体素子11を基材12から剥離する剥離工程(図2Dの矢印および仮想線参照)を備える。以下、各工程について順次説明する。
2-1. Method for Producing Adhesive Optical Semiconductor Element As shown in FIGS. 1 and 2A to 2D, the method for producing the adhesive
(1)シート用意工程
シート用意工程では、図1に示すように、上記の「1.貼着シート」欄で記載したように、貼着シート1を用意する。
(1) Sheet Preparation Step In the sheet preparation step, as shown in FIG. 1, the sticking
(2)素子用意工程
素子用意工程では、図2Aに示すように、基材12に配置される光半導体素子15を用意する。
(2) Element preparation process In an element preparation process, as shown to FIG. 2A, the
具体的には、まず、基材12に仮固定され、光半導体素子15を備える封止光半導体素子25を用意する。
Specifically, first, a sealed
基材12は、支持板13と、支持板13の上面に配置される粘着シート14とを備えている。
The
支持板13は、上記した剥離シート3と同様の材料から形成されている。また、支持板13は、ガラス、シリコンウエハなどの無機材料から形成されていてもよい。支持板13の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、1,200μm以下、好ましくは、1,000μm以下である。
The
粘着シート14は、例えば、加熱および/または紫外線照射により、後で詳述する封止光半導体素子25が容易に剥離できるシート(すなわち、封止光半導体素子25を仮固定できる仮固定シート)から形成されている。粘着シート14の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、15μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、250μm以下である。
The pressure-
基材12は、支持板13の表面に、粘着シート14を配置することにより得られる。基材12の厚みは、例えば、200μm以上、好ましくは、300μm以上であり、また、例えば、5,000μm以下、好ましくは、4,000μm以下である。
The
封止光半導体素子25は、図3Eに示すように、光半導体素子15と、封止層24とを備える。
As shown in FIG. 3E, the sealed
光半導体素子15は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するLEDやLDである。好ましくは、光半導体素子15は、青色光を発光する青色LED(発光ダイオード素子)である。一方、光半導体素子15は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。
The
光半導体素子15は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子15は、電極側面17と、対向面としての露出面18と、周側面19とを有している。
The
電極側面17は、図3Eに示す光半導体素子15における上面(図2Aに示す光半導体素子15における下面)である。電極側面17には、電極22が設けられている。電極22は、電極側面17から上側に突出する形状を有している。
The
露出面18は、図3Eに示す光半導体素子15における下面(図2Aに示す光半導体素子15における上面)であって、電極側面17に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。
The exposed
周側面19は、電極側面17の周端縁と、露出面18の周端縁とを連結している。
The
光半導体素子15の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み(高さ)が、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。また、光半導体素子15を厚み方向に投影したときの投影面積(すなわち、露出面18の面積)は、例えば、0.01mm2以上、好ましくは、0.02mm2以上であり、また、例えば、4mm2以下、好ましくは、3mm2以下である。
The dimensions of the
封止層24は、図2Aに示すように、基材12の上において、光半導体素子15の電極側面17および周側面19を被覆している。これによって、封止層24は、電極側面17および周側面19を封止している。一方、封止層24は、光半導体素子15の露出面18を露出している。
As shown in FIG. 2A, the
また、封止層24は、図2Aにおける電極22の周側面を被覆している。図3Eに示す封止層24は、電極22の上面を露出している。
The
封止層24は、例えば、特開2012−175068号公報などに記載される封止樹脂組成物から形成されている。
The
封止光半導体素子25は、特開2012−175068号公報の記載に準拠して得られる。
The sealed
具体的には、まず、図3Aに示すように、電極22が設けられた光半導体素子15を複数用意する。
Specifically, first, as shown in FIG. 3A, a plurality of
次いで、図3Bに示すように、複数の光半導体素子15を、仮固定基材23に仮固定する。
Next, as shown in FIG. 3B, the plurality of
仮固定基材23は、上記した図2Aに示す基材12と同様に構成されており、具体的には、支持板13および粘着シート14を備える。
The temporary
具体的には、複数の光半導体素子15の露出面18を、粘着シート14の上面に接触させる。
Specifically, the exposed surfaces 18 of the plurality of
次いで、図3Cに示すように、封止樹脂組成物を、電極22を含む複数の光半導体素子15を被覆するように、基材12の上に塗布して、その後、封止樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止樹脂組成物を、加熱により硬化させる。
Next, as shown in FIG. 3C, the sealing resin composition is applied onto the
これによって、封止層24を、電極22および光半導体素子15を埋設するように、基材12の上に配置する。
Thus, the
なお、上記した塗布に代えて、圧縮成形によって、封止樹脂組成物からなる封止層24を、電極22および光半導体素子15を埋設するように、基材12の上に配置することができる。あるいは、封止樹脂組成物からなる封止シートによって、電極22および光半導体素子15を埋設して、封止層24を基材12の上に配置することもできる。
In addition, it can replace with above-mentioned application | coating, and can arrange | position the
次いで、図3Dに示すように、封止層24の上側部分を、電極22の上面が露出するように、例えば、グラインド加工などによって、除去する。
Next, as shown in FIG. 3D, the upper portion of the
これによって、上面が露出する電極22が設けられた光半導体素子15と、光半導体素子15の電極側面17および周側面19を被覆する封止層24とを備える封止光半導体素子25を、仮固定基材23によって仮固定された状態で、得る。
As a result, the sealed
その後、図3Eに示すように、封止光半導体素子25を、基材12から引き剥がす。
Thereafter, as shown in FIG. 3E, the sealed
具体的には、光半導体素子15の露出面18と、封止層24の下面(露出面18と面一に形成される封止層24の下面)とを、粘着シート14の上面から引き剥がす。
Specifically, the exposed
これによって、光半導体素子15の露出面18、および、電極22の上面が封止層24から露出する封止光半導体素子25を得る。
As a result, the sealed
続いて、図2Aに示すように、図3Eに示す封止光半導体素子25を上下反転させて、封止光半導体素子25の下面を、基材12に配置する。具体的には、電極22の下面、および、電極22から露出する封止層24の下面を、粘着シート14の上面に仮固定する。
Subsequently, as illustrated in FIG. 2A, the sealed
(3)熱プレス工程
熱プレス工程は、「(1)シート用意工程」および「(2)素子用意工程」の後に、実施される。
(3) Hot pressing process The hot pressing process is performed after "(1) sheet preparation process" and "(2) element preparation process".
熱プレス工程では、まず、図1に示す貼着シート1を上下反転させて、続いて、図2Bに示すように、その貼着シート1を、基材12に仮固定された封止光半導体素子25の上面に直接的に配置する。具体的には、貼着層2を、光半導体素子15の露出面18、および、封止層24の上面(露出面18と面一に形成されている上面)に直接的に載置する。
In the hot press step, first, the
続いて、封止光半導体素子25および貼着シート1をプレス機40にセットする。
Subsequently, the sealed
プレス機40は、熱源を備える熱プレス機であって、第1板としての下板41と、下板41の上側に配置され、下板41に対して下側に熱プレス可能に構成される第2板としての上板42とを備える。
The
熱プレス条件は、貼着層2における貼着組成物が可塑化し、続いて、貼着組成物の硬化がわずかに進行する条件に適宜設定される。
The hot press condition is appropriately set to a condition in which the adhesive composition in the
具体的には、熱プレスの温度は、40℃以上、好ましくは、45℃以上であり、また、200℃以下、好ましくは、180℃以下、より好ましくは、150℃以下である。 Specifically, the temperature of the hot press is 40 ° C or higher, preferably 45 ° C or higher, and 200 ° C or lower, preferably 180 ° C or lower, more preferably 150 ° C or lower.
熱プレスの圧力は、例えば、0.01MPa以上、好ましくは、0.10MPa以上であり、また、例えば、10.00MPa以下、好ましくは、5.00MPa以下、より好ましくは、3.00MPa以下である。熱プレスの圧力が上記上限以下であれば、熱プレス工程後における貼着層2の厚みを均一にすることができる。熱プレスの圧力が上記下限以上であれば、熱プレス工程後における貼着層2の封止光半導体素子25に対する良好な密着性を確保することができる。
The pressure of the hot press is, for example, 0.01 MPa or more, preferably 0.10 MPa or more, and for example, 10.00 MPa or less, preferably 5.00 MPa or less, more preferably 3.00 MPa or less. . If the pressure of a hot press is below the said upper limit, the thickness of the
とりわけ、上記した極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率G’は、10,000Pa以上、50,000Pa以下の範囲にある場合において、熱プレスの圧力を比較的高く設定することができ、具体的には、0.10MPa以上、とりわけ、0.50MPa以上、さらに、1.00MPa以上、さらには、2.00MPa以上で、例えば、10.00MPa以下に設定することができる。 In particular, when the temperature T at the minimum value is in the range of 40 ° C. or more and 200 ° C. or less, and the storage shear modulus G ′ at the minimum value is in the range of 10,000 Pa or more and 50,000 Pa or less. The pressure of the hot press can be set relatively high, specifically, 0.10 MPa or more, especially 0.50 MPa or more, more preferably 1.00 MPa or more, and further 2.00 MPa or more, 10.00 MPa or less can be set.
熱プレスの時間は、例えば、1秒以上、好ましくは、3秒以上であり、また、例えば、10分以下、好ましくは、5分以下である。 The time for hot pressing is, for example, 1 second or more, preferably 3 seconds or more, and for example, 10 minutes or less, preferably 5 minutes or less.
また、熱プレスは、複数回実施することができる。 Moreover, the hot press can be performed a plurality of times.
上記した熱プレスによって、貼着層2は、まず、樹脂が可塑化することに基づいて、封止光半導体素子25の上面(光半導体素子15の露出面18、および、封止層24の上面)に直接的に貼着する。続いて、貼着層2は、樹脂がわずかに硬化することに基づいて、封止光半導体素子25の上面に対して、強固に密着する。
The
熱プレス後の貼着層2のガラス板に対する密着力は、例えば、0.10N/8.5mm以上、好ましくは、0.20N/8.5mm以上、より好ましくは、0.30N/8.5mm以上、さらに好ましくは、0.40N/8.5mm以上、とりわけ好ましくは、0.50N/8.5mm以上であり、また、例えば、10.00N/8.5mm以下である。
The adhesion strength of the
密着力が上記下限以上であれば、貼着層2および封止光半導体素子25の良好な密着力を確保することができる。
When the adhesion is greater than or equal to the above lower limit, good adhesion between the
熱プレス後の貼着層2のガラス板に対する密着力の測定方法は、後述する実施例において、詳述される。
The measuring method of the adhesive force with respect to the glass plate of the
また、熱プレスでは、スペーサ30(図2Bの仮想線参照)を使用しない。 In the hot press, the spacer 30 (see the phantom line in FIG. 2B) is not used.
続いて、図2Cに示すように、剥離シート3を貼着層2から剥離する。
Subsequently, as shown in FIG. 2C, the
その後、封止光半導体素子25、貼着層2および基材12を、例えば、オーブンなどによって、加熱する。貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化(Cステージ化)する。
Thereafter, the sealing
加熱温度は、例えば、100℃以上、好ましくは、120℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、160℃以下である。また、加熱時間が、例えば、10分以上、好ましくは、30分以上であり、また、例えば、480分以下、好ましくは、300分以下である。 The heating temperature is, for example, 100 ° C. or more, preferably 120 ° C. or more, and for example, 200 ° C. or less, preferably 160 ° C. or less. The heating time is, for example, 10 minutes or longer, preferably 30 minutes or longer, and for example, 480 minutes or shorter, preferably 300 minutes or shorter.
なお、加熱を、異なる温度で複数回実施することもできる。 Note that the heating can be performed a plurality of times at different temperatures.
これによって、樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、熱硬化性樹脂を硬化(Cステージ化)させる。これによって、熱硬化性樹脂を完全に反応させて生成物を生成する。 Thereby, when the resin is a thermosetting resin, the thermosetting resin is cured (C stage). Thereby, the thermosetting resin is completely reacted to produce a product.
(生成物)
シリコーン樹脂組成物の反応(Cステージ化反応)では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および/またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および/またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Cステージのシリコーン樹脂組成物、つまり、生成物(あるいは硬化物)が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性(具体的には、熱硬化性)が発現する。
(Product)
In the reaction of the silicone resin composition (C-staging reaction), the hydrosilyl addition reaction between the alkenyl group and / or cycloalkenyl group of the alkenyl group-containing polysiloxane and the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane is further accelerated. Thereafter, the alkenyl group and / or cycloalkenyl group or the hydrosilyl group of the hydrosilyl group-containing polysiloxane disappears, and the hydrosilyl addition reaction is completed, whereby the C-stage silicone resin composition, that is, the product (or cured product) Product) is obtained. That is, by completing the hydrosilylation reaction, curability (specifically, thermosetting) is exhibited in the silicone resin composition.
上記した生成物は、下記平均組成式(3)で示される。 The product described above is represented by the following average composition formula (3).
平均組成式(3):
R5 eSiO(4−e)/2
(式中、R5は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基(ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。)を示す。eは、1.0以上、3.0以下である。)
R5で示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基としては、式(1)のR2で示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基、および、式(2)のR3で示される非置換または置換の炭素数1〜10の1価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の1価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
Average composition formula (3):
R 5 e SiO (4-e) / 2
(In the formula, R 5 represents an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (excluding an alkenyl group and a cycloalkenyl group) including a phenyl group. 0.0 or more and 3.0 or less.)
The unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 5 is an unsubstituted or substituted monovalent carbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2 in the formula (1). Examples thereof are the same as the hydrogen group and the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3 in the formula (2). Preferably, an unsubstituted monovalent hydrocarbon group, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a combination of a phenyl group and a methyl group is used. Can be mentioned.
そして、生成物の平均組成式(3)のR5におけるフェニル基の含有割合は、例えば、30モル%以上、好ましくは、35モル%以上であり、また、例えば、55モル%以下、好ましくは、50モル%以下である。 The proportion of the phenyl groups in R 5 in the average composition formula of the product (3) is, for example, 30 mol% or more, preferably is 35 mol% or more, and is, for example, 55 mol% or less, preferably 50 mol% or less.
生成物の平均組成式(3)のR5におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する1価の炭化水素基(平均組成式(3)においてR5で示される)におけるフェニル基濃度である。 The content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) of the product is a monovalent hydrocarbon group directly bonded to the silicon atom of the product (indicated by R 5 in the average composition formula (3)). This is the phenyl group concentration.
生成物の平均組成式(3)のR5におけるフェニル基の含有割合は、1H−NMRおよび29Si−NMRにより算出される。R5におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、WO2011/125463などの記載に基づいて、1H−NMRおよび29Si−NMRにより算出される。 The content ratio of the phenyl group in R 5 of the average composition formula (3) of the product is calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR. The details of the calculation method of the content ratio of the phenyl group in R 5 are calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR based on the description of WO2011 / 125463, for example.
これによって、貼着層2が封止光半導体素子25の上面に対して接着する。
As a result, the
そして、封止光半導体素子25と、封止光半導体素子25の上面に貼着する貼着層2とを備える貼着光半導体素子11が、封止層24および電極22が基材12によって支持された状態で、得られる。
And the sticking
この貼着光半導体素子11は、基材12が設けられた状態で、流通することができる。
This sticking
(4)個片化工程
個片化工程は、「(3)熱プレス工程」の後に、実施される。個片化工程では、図2Dの1点破線で示すように、隣接する光半導体素子15間における封止層24および貼着層2を、ダイシングなどによって切断する。これによって、光半導体素子15を個片化する。
(4) Individualization process An individualization process is implemented after "(3) Hot press process". In the singulation process, as shown by a one-dot broken line in FIG. 2D, the
これによって、1つの光半導体素子15と、封止層24と、貼着層2とを備える貼着光半導体素子11が、基材12に支持された状態で、得られる。
Thereby, the sticking
(5)剥離工程
剥離工程は、「(4)個片化工程」の後に、実施される。剥離工程では、図2Dの矢印および仮想線で示すように、貼着光半導体素子11を基材12から引き剥がす。具体的には、電極22の下面および封止層24の下面を、粘着シート14の上面から引き剥がす。
(5) Peeling process A peeling process is implemented after "(4) individualization process." In the peeling step, the bonded
これによって、光半導体素子15と、封止層24と、貼着層2とを備える貼着光半導体素子11が得られる。
Thereby, the sticking
貼着光半導体素子11は、光半導体装置21(図2E参照)ではなく、つまり、光半導体装置21に備えられる基板16を含まない。つまり、貼着光半導体素子11は、電極22が、光半導体装置21の基板16に設けられる端子(図示せず)とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、貼着光半導体素子11は、光半導体装置21の一部品、すなわち、光半導体装置21を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
The bonded
貼着光半導体素子11は、好ましくは、光半導体素子15と、封止層24と、封止層24とのみからなる。
The bonded
3.光半導体装置の製造方法
図2Eに示すように、光半導体装置の製造方法では、「貼着光半導体素子の製造方法」により得られる貼着光半導体素子11を、基板16に実装する。
3. Method for Manufacturing Optical Semiconductor Device As shown in FIG. 2E, in the method for manufacturing an optical semiconductor device, the bonded
基板16は、略平板形状を有し、例えば、絶縁基板である。また、基板16は、上面に配置される端子(図示せず)を備えている。
The
貼着光半導体素子11を基板16に実装するには、貼着光半導体素子11における電極22を、基板16の端子(図示せず)と接触させて、電気的に接続させる。つまり、貼着光半導体素子11の光半導体素子15を基板16に対してフリップチップ実装する。
In order to mount the adhered
これとともに、封止層24の下面を、基板16の上面に接触させる。
At the same time, the lower surface of the
これにより、基板16と、基板16に実装される貼着光半導体素子11とを備える光半導体装置21を得る。好ましくは、光半導体装置21は、基板16と、貼着光半導体素子11とのみからなる。つまり、光半導体装置21は、剥離シート3および/または基材12を含まず、好ましくは、基板16と、光半導体素子15と、封止層24とのみからなる。
Thereby, the
4.作用効果
この貼着シート1は、図2Bに示す熱プレス工程において、40℃以上、200℃以下の範囲で、光半導体素子15に直接的に貼着するように使用するときに、貼着層2を、動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線における極小値における温度Tが、図6が参照されるように、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にあるので、貼着層2が、優れた密着力で光半導体素子15に直接的に貼着できながら、光半導体素子15に直接的に貼着した貼着層2の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子11および光半導体装置21を得ることができる。
4). Effect When this
また、この貼着シート1では、貼着層2が、蛍光体を含有する場合には、貼着層2によって、光半導体素子15から発光される光を波長変換して、所望の色を発光できる貼着光半導体素子11および光半導体装置21を得ることができる。
Moreover, in this
また、この貼着シート1では、貼着層2が、熱硬化性樹脂を含有する場合には、貼着シート1を熱硬化(完全硬化)させることにより、貼着層2を光半導体素子15および封止層24に対して接着することができる。
Moreover, in this
また、この貼着シート1は、剥離シート3をさらに備えるので、図1に示す貼着層2の下面を保護することができる。
Moreover, since this
この貼着光半導体素子11の製造方法において、図2Bに示す熱プレス工程では、貼着シート1を、40℃以上、200℃以下の温度で、光半導体素子15および封止層24を備える封止光半導体素子25に対して熱プレスするので、優れた密着力で封止光半導体素子25に直接的に貼着できながら、貼着層2の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子11を製造することができる。
In the manufacturing method of this sticking
また、この貼着光半導体素子11の製造方法では、熱プレス工程における圧力が、3.00MPa以下であれば、小さく、安価なプレス機40を使用できる。
Moreover, in this manufacturing method of the sticking
この貼着光半導体素子11の製造方法では、図2に示すように、素子用意工程では、電極側面17および周側面19が、封止層24によって被覆され、露出面18が、封止層24から露出する光半導体素子15を用意するので、光半導体素子15を、ウエハレベルパッケージとして用意することができる。そして、図2Bに示すように、熱プレス工程では、貼着シート1を、ウエハレベルパッケージにおける光半導体素子15の露出面18と、封止層24の上面とに対して直接的に熱プレスするので、ウエハレベルパッケージの光半導体素子15および封止層24に貼着シート1を簡便に貼着することができる。
In the method for manufacturing the bonded
この光半導体装置21の製造方法によれば、上記した貼着光半導体素子11の製造方法により、貼着光半導体素子11を得、図2Eに示すように、貼着光半導体素子11を基板16に実装するので、信頼性および色均一性に優れた光半導体装置21を製造することができる。
According to the manufacturing method of the
5.変形例
第1実施形態では、図2Aに示すように、光半導体素子15の電極側面17および周側面19の両面を、封止層24によって封止している。しかし、光半導体素子15の少なくとも周側面19を封止層24によって封止すればよく、例えば、図示しないが、光半導体素子15の電極側面17を被覆せず、光半導体素子15の周側面19のみを封止層24によって封止することもできる。
5. Modified Example In the first embodiment, as shown in FIG. 2A, both the
第1実施形態では、貼着層2を、光半導体素子15に直接的に貼着するように使用している。しかし、図示しないが、貼着層2を、光半導体素子15に間接的に貼着するように使用することもできる。
In the first embodiment, the
つまり、図示しないが、図2Aが参照されるように、基材12に仮固定された複数の光半導体素子15における少なくとも露出面18(具体的には、露出面18および周側面19、または、電極側面17、露出面18および周側面19、)が封止層24によって被覆された貼着光半導体素子11を用意する。
That is, although not shown, as shown in FIG. 2A, at least the exposed surface 18 (specifically, the exposed
熱プレス工程では、貼着層2を、貼着光半導体素子11の封止層24の上面に直接的に貼着する。つまり、貼着層2を、光半導体素子15に対して間接的に貼着する。すなわち、貼着層2を、光半導体素子15に対して、露出面18の上側に位置する封止層24を介して、貼着する。
In the hot pressing step, the
その後、貼着シート1を、封止層24に対して熱プレスする。
Thereafter, the
この変形例によれば、素子用意工程では、露出面18、電極側面17および周側面19が、封止層24によって被覆された光半導体素子15を用意するので、そのような光半導体素子15を、封止光半導体素子25として用意することができる。そして、熱プレス工程では、貼着シート1を、封止光半導体素子25における封止層24に対して熱プレスするので、封止光半導体素子25における光半導体素子15に貼着層2を簡便に貼着することができる。
According to this modification, in the element preparation step, the
第1実施形態では、図2Dの1点破線で示すように、個片化工程を実施しているが、図示しないが、例えば、個片化工程を実施することなく、つまり、貼着層2および封止層24を切断せずに、複数の光半導体素子15を備える貼着光半導体素子11を得ることもできる。
In the first embodiment, as shown by a one-dot broken line in FIG. 2D, the singulation process is performed. However, although not illustrated, for example, without performing the singulation process, that is, the
また、第1実施形態では、図3Eに示すように、封止光半導体素子25における光半導体素子15を個片化せずに、複数の光半導体素子15を備える封止光半導体素子25として用意している。しかし、図示しないが、例えば、光半導体素子15を個片化するように、封止層24を切断して、1つの光半導体素子15を備える封止光半導体素子25を用意することもできる。
Moreover, in 1st Embodiment, as shown to FIG. 3E, it prepares as the sealing
第1実施形態の熱プレス工程では、スペーサ30を使用していないが、図2Bの仮想線で示すように、上板42と下板41との間に、熱プレス時におけるそれらの間隔を調整するためのスペーサ30を用いることもできる。
In the hot pressing process of the first embodiment, the
スペーサ30は、下板41の上に載置されており、平面視において、貼着シート1および基材12を囲む略枠形状に形成されている。スペーサ30の厚みは、熱プレス時における貼着光半導体素子11と基材12との合計厚みとなるように設定されている。
The
好ましくは、スペーサ30を使用せずに、熱プレス工程を実施する。
Preferably, the hot pressing process is performed without using the
スペーサ30を使用しない場合には、簡易な構成のプレス機40によって、簡便に熱プレス工程を実施することができる。
When the
<本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第2実施形態>
第2実施形態において、上記した第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
<2nd Embodiment of the manufacturing method of the sticking optical semiconductor element and optical semiconductor device of this invention>
In the second embodiment, the same members and steps as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
なお、図4A以降の図面において、図2Aに示した電極22を、光半導体素子15における露出面18および電極側面17を明確に示すため、省略している。
In FIG. 4A and subsequent drawings, the
第1実施形態では、図2Aに示すように、光半導体素子15を、封止層24によって封止され、封止光半導体素子25に備えられるように、基材12に仮固定して用意している。しかし、第2実施形態では、図4Aに示すように、光半導体素子15を、封止層24によって封止されずに、基材12に仮固定して用意することもできる。
In the first embodiment, as shown in FIG. 2A, the
すなわち、第2実施形態における素子用意工程では、図4Aに示すように、複数の光半導体素子15を、基材12の上に、互いに間隔を隔てて整列配置する。具体的には、複数の光半導体素子15の電極側面17を、粘着シート14の上面に仮固定する。
That is, in the element preparation process in the second embodiment, as shown in FIG. 4A, a plurality of
次いで、図4Bに示すように、貼着シート1を、複数の封止光半導体素子25の上面に配置する。
Next, as shown in FIG. 4B, the sticking
このとき、貼着層2と、粘着シート14との間には、それらを上下方向(厚み方向)に隔てる空間が形成されている。上記した空間において、複数の光半導体素子15が、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。
At this time, a space that separates them in the vertical direction (thickness direction) is formed between the
続いて、光半導体素子15および貼着シート1をプレス機40にセットし、続いて、熱プレスを実施する。
Subsequently, the
熱プレスにおいても、貼着層2は、その形状が、実質的に保形される。すなわち、貼着層2の外形形状が実質的に維持されている。あるいは、貼着層2が、隣接する封止光半導体素子25間の空間を充填することが抑制されている。なお、貼着層2は、光半導体素子15の直上における部分の厚みが均一に維持されれば、上記した空間の上部に落ち込むことが許容される。
Even in the hot press, the shape of the
続いて、図4Cに示すように、剥離シート3を貼着層2から剥離する。
Subsequently, as shown in FIG. 4C, the
その後、光半導体素子15、貼着層2および基材12を、加熱する。貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化(Cステージ化)する。これによって、貼着層2が光半導体素子15の上面に対して接着する。
Then, the
これによって、光半導体素子15と、光半導体素子15の上面に貼着する貼着層2とを備える貼着光半導体素子11が、基材12によって支持された状態で、得られる。
Thereby, the sticking
その後、個片化工程では、図4Dの1点破線で示すように、隣接する光半導体素子15間における貼着層2を切断して、光半導体素子15を個片化する。これによって、1つの光半導体素子15と、貼着層2とを備える貼着光半導体素子11が、基材12に支持された状態で得られる。
Thereafter, in the individualization step, as shown by the one-dot broken line in FIG. 4D, the
その後、剥離工程では、図4Dの矢印および仮想線で示すように、貼着光半導体素子11を基材12から引き剥がす。
Thereafter, in the peeling step, the bonded
これによって、光半導体素子15と、貼着層2とを備える貼着光半導体素子11が得られる。貼着光半導体素子11は、封止層24を備えていない。つまり、貼着光半導体素子11は、好ましくは、光半導体素子15と、封止層24とのみからなる。
Thereby, the sticking
その後、図4Eに示すように、上記した貼着光半導体素子11を基板16に実装して、光半導体装置21を得る。光半導体装置21は、封止層24を備えていない。
Thereafter, as shown in FIG. 4E, the above-described bonded
第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。 Also according to the second embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment can be obtained.
<本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第3実施形態>
第3実施形態において、上記した第1実施形態および第2実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
<3rd Embodiment of the manufacturing method of the sticking optical semiconductor element of this invention, and an optical semiconductor device>
In the third embodiment, members and steps similar to those in the first embodiment and the second embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
第2実施形態では、図4Dに示すように、基材12の上で、貼着光半導体素子11を一旦製造した後、図4Eに示すように、貼着光半導体素子11を基材12から引き剥がして、基板16に実装している。しかし、図5Aに示すように、予め、複数の光半導体素子15を基板16に実装し、その後、図5Bに示すように、貼着シート1を複数の光半導体素子15に対して貼着して、その後、剥離シート3を貼着層2から引き剥がして、基板16と、光半導体素子15と、貼着層2とを備える光半導体装置21を得ることもできる。
In 2nd Embodiment, as shown to FIG. 4D, after manufacturing the sticking
すなわち、図4Aに示す基材12を、基板16に置き換え、個片化工程および実装工程を省略することができる。つまり、図5Cに示すように、基板16の上において、貼着光半導体素子11を製造することができる。
That is, the
具体的には、まず、図5Aに示すように、光半導体素子15の電極側面17が基板16の上面と対向するように、複数の光半導体素子15を基板16に対して予めフリップチップ実装する。
Specifically, first, as shown in FIG. 5A, a plurality of
次いで、図5Bに示すように、貼着シート1を複数の光半導体素子15に対して貼着する。具体的には、まず、貼着シート1の貼着層2を、複数の光半導体素子15の露出面18に載置する。
Next, as shown in FIG. 5B, the sticking
続いて、光半導体素子15、基板16および貼着シート1をプレス機40にセットし、続いて、熱プレスを実施する。これによって、貼着層2が光半導体素子15の露出面18に貼着する。
Then, the
続いて、図5Cに示すように、剥離シート3を貼着層2から剥離する。
Subsequently, as shown in FIG. 5C, the
その後、光半導体素子15、基板16および貼着層2を、加熱する。貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化(Cステージ化)する。これによって、貼着層2が光半導体素子15の露出面18に対して接着する。
Thereafter, the
これによって、基板16と、基板16に実装される光半導体素子15と、光半導体素子15の露出面18に貼着された貼着層2とを備える光半導体装置21が得られる。なお、光半導体素子15および貼着層2は、貼着光半導体素子11を構成する。そのため、光半導体装置21は、基板16と、貼着光半導体素子11とを備えている。
As a result, an
第3実施形態によっても、第1実施形態および第2実施形態と同様の作用効果を奏することができる。 Also according to the third embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment and the second embodiment can be obtained.
以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。 Specific numerical values such as blending ratio (content ratio), physical property values, and parameters used in the following description are described in the above-mentioned “Mode for Carrying Out the Invention”, and the corresponding blending ratio (content ratio) ), Physical property values, parameters, etc. may be replaced with the upper limit values (numerical values defined as “less than” or “less than”) or lower limit values (numbers defined as “greater than” or “exceeded”). it can.
<アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成>
合成例1
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン93.2g、水140g、トリフルオロメタンスルホン酸0.38gおよびトルエン500gを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン729.2gとフェニルトリメトキシシラン330.5gの混合物1時間かけて滴下し、その後、1時間加熱還流した。その後、冷却し、下層(水層)を分離して除去し、上層(トルエン溶液)を3回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム0.40gを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに5時間還流し、冷却した。その後、酢酸0.6gを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を3回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンAを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンAの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
<Synthesis of alkenyl group-containing polysiloxane and hydrosilyl group-containing polysiloxane>
Synthesis example 1
In a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, charging port and thermometer, 93.2 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 140 g of water, trifluoromethanesulfone 0.38 g of acid and 500 g of toluene were added and mixed. While stirring, a mixture of 729.2 g of methylphenyldimethoxysilane and 330.5 g of phenyltrimethoxysilane was added dropwise over 1 hour, and then heated under reflux for 1 hour. Then, it cooled, the lower layer (water layer) was isolate | separated and removed, and the upper layer (toluene solution) was washed with
平均単位式:
((CH2=CH)(CH3)2SiO1/2)0.15(CH3C6H5SiO2/2)0.60(C6H5SiO3/2)0.25
平均組成式:
(CH2=CH)0.15(CH3)0.90(C6H5)0.85SiO1.05
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンAは、R1がビニル基、R2がメチル基およびフェニル基であり、a=0.15、b=1.75である上記平均組成式(1)で示される。
Average unit formula:
((CH 2 = CH) (CH 3 ) 2 SiO 1/2 ) 0.15 (CH 3 C 6 H 5 SiO 2/2 ) 0.60 (C 6 H 5 SiO 3/2 ) 0.25
Average composition formula:
(CH 2 = CH) 0.15 (CH 3 ) 0.90 (C 6 H 5 ) 0.85 SiO 1.05
That is, the alkenyl group-containing polysiloxane A is represented by the above average composition formula (1) in which R 1 is a vinyl group, R 2 is a methyl group and a phenyl group, and a = 0.15 and b = 1.75. .
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンAのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、2,300であった。 Moreover, it was 2,300 when the weight average molecular weight of polystyrene conversion of alkenyl group containing polysiloxane A was measured by the gel permeation chromatography.
合成例2
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン93.2g、水140g、トリフルオロメタンスルホン酸0.38gおよびトルエン500gを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン173.4gとフェニルトリメトキシシラン300.6gの混合物1時間かけて滴下し、滴下終了後、1時間加熱還流した。その後、冷却し、下層(水層)を分離して除去し、上層(トルエン溶液)を3回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム0.40gを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに5時間還流し、冷却した。酢酸0.6gを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を3回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンBを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンBの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
Synthesis example 2
In a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, charging port and thermometer, 93.2 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 140 g of water, trifluoromethanesulfone 0.38 g of acid and 500 g of toluene were added and mixed. While stirring, a mixture of 173.4 g of diphenyldimethoxysilane and 300.6 g of phenyltrimethoxysilane was added dropwise over 1 hour. After completion of the addition, the mixture was heated to reflux for 1 hour. Then, it cooled, the lower layer (water layer) was isolate | separated and removed, and the upper layer (toluene solution) was washed with
平均単位式:
(CH2=CH(CH3)2SiO1/2)0.31((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5SiO3/2)0.47
平均組成式:
(CH2=CH)0.31(CH3)0.62(C6H5)0.91SiO1.08
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンBは、R1がビニル基、R2がメチル基およびフェニル基であり、a=0.31、b=1.53である上記平均組成式(1)で示される。
Average unit formula:
(CH 2 = CH (CH 3 ) 2 SiO 1/2 ) 0.31 ((C 6 H 5 ) 2 SiO 2/2 ) 0.22 (C 6 H 5 SiO 3/2 ) 0.47
Average composition formula:
(CH 2 = CH) 0.31 (CH 3 ) 0.62 (C 6 H 5 ) 0.91 SiO 1.08
That is, the alkenyl group-containing polysiloxane B is represented by the above average composition formula (1) in which R 1 is a vinyl group, R 2 is a methyl group and a phenyl group, and a = 0.31 and b = 1.53. .
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンBのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、1,000であった。 Moreover, it was 1,000 when the polystyrene conversion weight average molecular weight of the alkenyl group containing polysiloxane B was measured by gel permeation chromatography.
合成例3
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン325.9g、フェニルトリメトキシシラン564.9g、およびトリフルオロメタンスルホン酸2.36gを投入して混合し、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン134.3gを加え、撹拌しつつ酢酸432gを30分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ50℃に昇温して3時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層(水層)を分離して除去した。その後、上層(トルエン溶液)を3回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンC(架橋剤C)を得た。
Synthesis example 3
Diphenyldimethoxysilane (325.9 g), phenyltrimethoxysilane (564.9 g), and trifluoromethanesulfonic acid (2.36 g) were added to a four-necked flask equipped with a stirrer, reflux condenser, inlet, and thermometer. Then, 134.3 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added, and 432 g of acetic acid was added dropwise over 30 minutes while stirring. After completion of dropping, the mixture was heated to 50 ° C. with stirring and reacted for 3 hours. After cooling to room temperature, toluene and water were added, mixed well and allowed to stand, and the lower layer (aqueous layer) was separated and removed. Thereafter, the upper layer (toluene solution) was washed with water three times and then concentrated under reduced pressure to obtain hydrosilyl group-containing polysiloxane C (crosslinking agent C).
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンCの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。 The average unit formula and average composition formula of the hydrosilyl group-containing polysiloxane C are as follows.
平均単位式:
(H(CH3)2SiO1/2)0.33((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5PhSiO3/2)0.45
平均組成式:
H0.33(CH3)0.66(C6H5)0.89SiO1.06
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンCは、R3がメチル基およびフェニル基であり、c=0.33、d=1.55である上記平均組成式(2)で示される。
Average unit formula:
(H (CH 3 ) 2 SiO 1/2 ) 0.33 ((C 6 H 5 ) 2 SiO 2/2 ) 0.22 (C 6 H 5 PhSiO 3/2 ) 0.45
Average composition formula:
H 0.33 (CH 3 ) 0.66 (C 6 H 5 ) 0.89 SiO 1.06
That is, the hydrosilyl group-containing polysiloxane C is represented by the above average composition formula (2) in which R 3 is a methyl group and a phenyl group, and c = 0.33 and d = 1.55.
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンCのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、1,000であった。 Moreover, it was 1,000 when the weight average molecular weight of polystyrene conversion of hydrosilyl group containing polysiloxane C was measured by the gel permeation chromatography.
<その他の原料>
アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサン以外の原料について、以下に詳述する。
[その他、使用した材料]
白金カルボニル錯体:
商品名「SIP6829.2」、Gelest社製、白金濃度2.0質量%
蛍光体:
商品名「Y468」、YAG:Ce、平均粒子径17μm、ネモト・ルミマテリアル社製
ガラス粒子:
屈折率1.55、組成および組成比率(重量%):SiO2/Al2O3/CaO/MgO=60/20/15/5の無機粒子、屈折率1.55、平均粒子径:20μm
アエロジル粒子:
商品名「R976S」、屈折率1.46、平均粒子径7nm、エボニック社製
シリコーン系樹脂粒子:
商品名「トスパール145」、屈折率1.41、平均粒子径4.5μm、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製
光拡散性シリカ粒子:
商品名「FB−3sdc」、屈折率1.45、平均粒子径3.4μm、デンカ社製
光拡散性アクリルビーズ粒子:
商品名「SSX−105」、屈折率1.49、平均粒子径5μm、積水化成製
<シリコーン樹脂組成物の調製>
調製例1
アルケニル基含有ポリシロキサンA 20g、アルケニル基含有ポリシロキサンB 25g、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンC 25g、白金カルボニル錯体5mgを混合させて、シリコーン樹脂組成物を調製した。シリコーン樹脂組成物の屈折率は、1.56であった。
<Other raw materials>
Raw materials other than alkenyl group-containing polysiloxane and hydrosilyl group-containing polysiloxane will be described in detail below.
[Other materials used]
Platinum carbonyl complex:
Product name “SIP6829.2”, manufactured by Gelest, platinum concentration of 2.0% by mass
Phosphor:
Product name “Y468”, YAG: Ce,
Refractive index 1.55, composition and composition ratio (% by weight): inorganic particles of SiO 2 / Al 2 O 3 / CaO / MgO = 60/20/15/5, refractive index 1.55, average particle diameter: 20 μm
Aerosil particles:
Product name “R976S”, refractive index 1.46, average particle diameter 7 nm, silicone resin particles by Evonik:
Trade name “Tospearl 145”, refractive index 1.41, average particle size 4.5 μm, manufactured by Momentive Performance Materials Japan, Inc.
Trade name “FB-3sdc”, refractive index 1.45, average particle size 3.4 μm, light diffusing acrylic bead particles manufactured by Denka Corporation:
Trade name “SSX-105”, refractive index 1.49, average particle size 5 μm, Sekisui Chemical Co., Ltd. <Preparation of Silicone Resin Composition>
Preparation Example 1
Alkenyl group-containing polysiloxane A 20 g, alkenyl group-containing polysiloxane B 25 g, hydrosilyl group-containing polysiloxane C 25 g, and platinum carbonyl complex 5 mg were mixed to prepare a silicone resin composition. The refractive index of the silicone resin composition was 1.56.
<貼着シートの作製>
<シート用意工程>
実施例A
シリコーン樹脂組成物49.1g、蛍光体34g、シリコーン系樹脂粒子5g、ガラス粒子10g、アエロジル粒子1.9gを加えて、それらを3分間撹拌し、貼着組成物を調製した。
<Preparation of adhesive sheet>
<Sheet preparation process>
Example A
49.1 g of silicone resin composition, 34 g of phosphor, 5 g of silicone resin particles, 10 g of glass particles, and 1.9 g of aerosil particles were added, and they were stirred for 3 minutes to prepare an adhesive composition.
次に、貼着組成物を、剥離シート(セパレータ、品名「SE−1」、厚み50μm、フジコー社製)の表面に、膜厚225μmとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、90℃、5.7分(5分42秒)加熱(ベイク)した。これにより、剥離シートと、貼着層とを備える貼着シートAを得た(図1参照)。
Next, the adhesive composition was applied to the surface of a release sheet (separator, product name “SE-1”,
実施例B
加熱(ベイク)条件を、90℃、6.7分(6分42秒)に変更した以外は、実施例Aと同様に処理して、貼着シートBを得た(図1参照)。
Example B
Except having changed the heating (baking) conditions into 90 degreeC and 6.7 minutes (6
実施例C
加熱(ベイク)条件を、90℃、8.0分に変更した以外は、実施例Aと同様に処理して、貼着シートCを得た(図1参照)。
Example C
Except having changed heating (baking) conditions into 90 degreeC and 8.0 minutes, it processed similarly to Example A and obtained the sticking sheet C (refer FIG. 1).
実施例D
シリコーン樹脂組成物45.7g、蛍光体32.5g、光拡散性シリカ粒子10g、ガラス粒子10g、アエロジル粒子1.8gを加えて、それらを3分間撹拌し、貼着組成物を調製した。
Example D
45.7 g of silicone resin composition, 32.5 g of phosphor, 10 g of light diffusing silica particles, 10 g of glass particles, and 1.8 g of aerosil particles were added, and they were stirred for 3 minutes to prepare an adhesive composition.
次に、貼着組成物を、剥離シート(セパレータ、品名「SE−1」、厚み50μm、フジコー社製)の表面に、膜厚225μmとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、90℃、8.0分加熱(ベイク)した。これにより、剥離シートと、貼着層とを備える貼着シートDを得た(図1参照)。
Next, the adhesive composition was applied to the surface of a release sheet (separator, product name “SE-1”,
実施例E
シリコーン樹脂組成物46g、蛍光体29g、光拡散性アクリルビーズ粒子20g、ガラス粒子5gを加えて、それらを3分間撹拌し、貼着組成物を調製した。
Example E
46 g of silicone resin composition, 29 g of phosphor, 20 g of light diffusing acrylic bead particles, and 5 g of glass particles were added, and they were stirred for 3 minutes to prepare a sticking composition.
次に、貼着組成物を、剥離シート(セパレータ、品名「SE−1」、厚み50μm、フジコー社製)の表面に、膜厚225μmとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、90℃、8.0分加熱(ベイク)した。これにより、剥離シートと、貼着層とを備える貼着シートEを得た(図1参照)。
Next, the adhesive composition was applied to the surface of a release sheet (separator, product name “SE-1”,
実施例F
加熱(ベイク)条件を、90℃、11分に変更した以外は、実施例Aと同様に処理して、貼着シートFを得た(図1参照)。
Example F
Except having changed the heating (baking) conditions into 90 degreeC and 11 minutes, it processed similarly to Example A and obtained the sticking sheet F (refer FIG. 1).
実施例G
加熱(ベイク)条件を、90℃、13分に変更した以外は、実施例Aと同様に処理して、貼着シートGを得た(図1参照)。
Example G
Except having changed the heating (baking) conditions into 90 degreeC and 13 minutes, it processed similarly to Example A and obtained the sticking sheet G (refer FIG. 1).
比較例H
加熱(ベイク)条件を、90℃、8.0分の加熱、および、その後、150℃、8時間の加熱に変更した以外は、実施例Aと同様に処理して、貼着シートHを得た(図1参照)。
Comparative Example H
A sticking sheet H is obtained in the same manner as in Example A except that the heating (baking) conditions are changed to 90 ° C., 8.0 minutes heating, and then 150 ° C., 8 hours heating. (See FIG. 1).
比較例I
加熱(ベイク)条件を、90℃、5.0分に変更した以外は、実施例Aと同様に処理して、貼着シートIを得た(図1参照)。
Comparative Example I
Except having changed heating (baking) conditions into 90 degreeC and 5.0 minutes, it processed similarly to Example A and obtained the sticking sheet I (refer FIG. 1).
<貼着光半導体素子の製造>
実施例1
<素子用意工程>
まず、特開2012−175068号公報の実施例3の方法に準拠して、封止層と、光半導体素子とを備える封止光半導体素子を用意した(図3E参照)。
<Manufacture of bonded optical semiconductor element>
Example 1
<Element preparation process>
First, in accordance with the method of Example 3 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-175068, the sealing optical semiconductor element provided with the sealing layer and the optical semiconductor element was prepared (refer FIG. 3E).
具体的には、まず、電極が上面に設けられた光半導体素子(1.1mm角、高さ(厚み)180μm、エピスター社製)を複数用意した(図3A参照)。次いで、支持板(ステンレスキャリア)と、支持板の上面に配置される粘着シート(「リバアルファ」、日東電工社製)とを備える仮固定基材の上に、1.64mmピッチで、前後方向に20個、左右方向に20個、整列配置した(図3B参照)。このとき、光半導体素子の下面(対向面)を粘着シートの上面に接触させた。 Specifically, first, a plurality of optical semiconductor elements (1.1 mm square, height (thickness) 180 μm, manufactured by Epistar) having electrodes provided on the upper surface were prepared (see FIG. 3A). Next, on a temporary fixing substrate provided with a support plate (stainless steel carrier) and an adhesive sheet ("Riva Alpha", manufactured by Nitto Denko Corporation) disposed on the upper surface of the support plate, at a pitch of 1.64 mm, the front-rear direction 20 and 20 in the left-right direction were aligned (see FIG. 3B). At this time, the lower surface (opposing surface) of the optical semiconductor element was brought into contact with the upper surface of the adhesive sheet.
次いで、封止層を、電極および光半導体素子を被覆するように、粘着層の上に形成した(図3C参照)。なお、封止層を、封止材として東レダウコーニング社製から販売される「OE−6630」から、調製した。 Next, a sealing layer was formed on the adhesive layer so as to cover the electrode and the optical semiconductor element (see FIG. 3C). The sealing layer was prepared from “OE-6630” sold by Toray Dow Corning as a sealing material.
続いて、封止層の上側部分を、電極の上面(露出面)が露出するように、グラインド加工した(図3D参照)。これによって、封止層と、封止層によって、周側面および上面(電極面)が被覆された封止光半導体素子を、仮固定基材に支持された状態で、得た。 Subsequently, the upper portion of the sealing layer was grinded so that the upper surface (exposed surface) of the electrode was exposed (see FIG. 3D). Thereby, the sealing optical semiconductor element in which the peripheral side surface and the upper surface (electrode surface) were covered with the sealing layer and the sealing layer was obtained in a state supported by the temporarily fixed base material.
その後、封止光半導体素子を、粘着シートから引き剥がした(図3E参照)。 Thereafter, the sealed optical semiconductor element was peeled off from the adhesive sheet (see FIG. 3E).
そして、上記の仮固定基材と同様の構成を有する基材を別途用意し、次いで、封止光半導体素子(図3E参照)を基材に配置した(図2A参照)。具体的には、上記した封止光半導体素子における電極の露出面と、上記した露出面と面一に形成された封止層の下面を、粘着シートの上面に仮固定した。 And the base material which has the structure similar to said temporarily fixed base material was prepared separately, and the sealing optical semiconductor element (refer FIG. 3E) was arrange | positioned on the base material (refer FIG. 2A). Specifically, the exposed surface of the electrode in the sealed optical semiconductor element described above and the lower surface of the sealing layer formed flush with the exposed surface were temporarily fixed to the upper surface of the adhesive sheet.
<熱プレス工程>
次いで、粘着シートAを封止光半導体素子に貼着した(図2B参照)。
<Hot press process>
Next, the pressure-sensitive adhesive sheet A was adhered to the sealed optical semiconductor element (see FIG. 2B).
具体的には、まず、粘着シートAの貼着層を、光半導体素子の上面(対向面)と、上記した上面と面一に形成されている封止層の上面とに載置し、続いて、下板と、上板とを備える平板熱プレス機によって、スペーサを使用することなく、60℃、5分間、0.48MPaの圧力で熱プレスした。 Specifically, first, the adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet A is placed on the upper surface (opposing surface) of the optical semiconductor element and the upper surface of the sealing layer formed flush with the upper surface described above. The plate was hot-pressed at a pressure of 0.48 MPa at 60 ° C. for 5 minutes without using a spacer by a flat plate hot press machine having a lower plate and an upper plate.
<完全硬化工程>
その後、剥離シートを貼着層から引き剥がし、次いで、基材、光半導体素子および貼着層を、100℃のオーブンに10分間放置し、その後、オーブンの温度を150℃に設定し、その後、8時間、放置することにより、貼着層を完全硬化させた(図2C参照)。
<Complete curing process>
Thereafter, the release sheet is peeled off from the adhesive layer, and then the base material, the optical semiconductor element and the adhesive layer are left in an oven at 100 ° C. for 10 minutes, and then the oven temperature is set to 150 ° C., The adhesive layer was completely cured by allowing it to stand for 8 hours (see FIG. 2C).
その後、光半導体素子の直上に貼着された貼着シートAの厚みおよび厚みのばらつきを測定した。その結果を表1に示す。 Then, the thickness and the dispersion | variation in thickness of the sticking sheet A stuck on the optical semiconductor element were measured. The results are shown in Table 1.
<個片化工程>
次いで、隣接する光半導体素子間における封止層および貼着層を、切断して、光半導体素子を個片化した。これにより、1つの光半導体素子および1つの貼着層を備える貼着光半導体素子を、基材に支持された状態で、得た(図2Dの1点破線参照)。
<Individualization process>
Next, the sealing layer and the adhesive layer between adjacent optical semiconductor elements were cut to separate the optical semiconductor elements. Thereby, the sticking optical semiconductor element provided with one optical semiconductor element and one sticking layer was obtained in the state supported by the base material (refer the dashed line of
<剥離工程>
続いて、貼着光半導体素子を基材から引き剥がした(図2Dの矢印および仮想線参照)。
<Peeling process>
Then, the sticking optical semiconductor element was peeled off from the base material (see the arrow and the imaginary line in FIG. 2D).
<実装工程>
その後、貼着光半導体素子を、基板に実装した。
<Mounting process>
Then, the sticking optical semiconductor element was mounted on the substrate.
具体的には、貼着光半導体素子における光半導体素子を、基板に対して、フリップチップ実装した(図2E参照)。 Specifically, the optical semiconductor element in the bonded optical semiconductor element was flip-chip mounted on the substrate (see FIG. 2E).
これによって、基板と、貼着光半導体素子とを備える光半導体装置を得た。 As a result, an optical semiconductor device including a substrate and an adhesive optical semiconductor element was obtained.
実施例2〜12および比較例1および2
表1に従って、貼着シートの種類および熱プレスの圧力を変更した以外は、実施例1と同様に処理して、貼着光半導体素子を得、続いて、光半導体装置を得た。
Examples 2-12 and Comparative Examples 1 and 2
According to Table 1, except having changed the kind of sticking sheet, and the pressure of the hot press, it processed like Example 1 and obtained the sticking optical semiconductor element, and the optical semiconductor device was obtained continuously.
<評価>
(貯蔵剪断弾性率G’)
実施例A〜比較例Iで得られた貼着シートにおける貼着層を、下記の条件で、動的粘弾性測定した。
<Evaluation>
(Storage shear modulus G ′)
The adhesive layer in the adhesive sheet obtained in Example A to Comparative Example I was measured for dynamic viscoelasticity under the following conditions.
[条件]
粘弾性装置:回転式レオメータ(C−VOR装置、マルバーン社製)
サンプル形状:円板形状
サンプル寸法:厚み225μm、直径8mm
歪量:10%
周波数:1Hz
プレート径:8mm
プレート間ギャップ:200μm
昇温速度20℃/分
温度範囲:20〜200℃
貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線を図6に示す。
[conditions]
Viscoelastic device: Rotary rheometer (C-VOR device, manufactured by Malvern)
Sample shape: Disc shape Sample size: Thickness 225 μm, Diameter 8 mm
Distortion amount: 10%
Frequency: 1Hz
Plate diameter: 8mm
Gap between plates: 200 μm
Temperature rising rate 20 ° C / min Temperature range: 20-200 ° C
A curve showing the relationship between the storage shear modulus G ′ and the temperature T is shown in FIG.
また、貯蔵剪断弾性率G’の極小値、および、25℃における貯蔵剪断弾性率G’を表1に示す。 Table 1 shows the minimum value of the storage shear modulus G ′ and the storage shear modulus G ′ at 25 ° C.
(圧縮弾性率)
実施例A〜比較例Iで得られた貼着シートにおける貼着層の25℃における圧縮弾性率を、精密荷重測定機(アイコーエンジニアリング社製)により、測定した。
(Compressive modulus)
The compression elastic modulus at 25 ° C. of the adhesive layers in the adhesive sheets obtained in Example A to Comparative Example I was measured with a precision load measuring device (manufactured by Aiko Engineering Co., Ltd.).
(トルエン可溶分)
実施例A〜比較例Iで得られた貼着層における樹脂のトルエン可溶分を、下記の手順に従って、算出した。
(Toluene soluble content)
The toluene soluble content of the resin in the adhesive layers obtained in Example A to Comparative Example I was calculated according to the following procedure.
手順(1):貼着層を焼成して、残渣の質量(無機粒子の質量)を計量した。別途、貼着層の断面SEM観察において確認されたシリコーン系樹脂粒子/光散乱性アクリルビーズ粒子の体積分率(画像解析により算出)に1.25g/cm3(有機粒子の一般的な密度)を乗じてシリコーン系樹脂粒子の質量を算出した。なお、後述するトルエン不溶分を光学顕微鏡観察または断面SEM観察により、有機粒子が確認されたので、有機粒子がトルエンに不溶であったと判断した。 Procedure (1): The adhesive layer was baked and the mass of the residue (the mass of the inorganic particles) was weighed. Separately, the volume fraction of silicone-based resin particles / light-scattering acrylic bead particles (calculated by image analysis) confirmed by cross-sectional SEM observation of the adhesive layer was 1.25 g / cm 3 (general density of organic particles) To calculate the mass of the silicone resin particles. In addition, since the organic particle was confirmed by the optical microscope observation or cross-sectional SEM observation of the toluene insoluble matter mentioned later, it was judged that the organic particle was insoluble in toluene.
手順(2):貼着層1.1g(試料質量)を精秤し、これをPTFEシート(孔径0.2μm)で包み、25℃で、トルエン100gで24時間浸漬、振とうさせた。 Procedure (2): 1.1 g (sample mass) of the adhesive layer was precisely weighed, wrapped in a PTFE sheet (pore diameter 0.2 μm), immersed in 100 g of toluene at 25 ° C. for 24 hours, and shaken.
手順(3):トルエン不溶分を分離して採取し、これを乾燥させた後、トルエン不溶分の質量を測定した。 Procedure (3): Toluene-insoluble matter was separated and collected, dried, and then the mass of toluene-insoluble matter was measured.
手順(4):試料質量からトルエン不溶分の質量を差し引くことにより、トルエン可溶分の質量を算出した。 Procedure (4): The mass of the toluene-soluble component was calculated by subtracting the mass of the toluene-insoluble component from the sample mass.
手順(5):仕込みの試料質量から、蛍光体およびフィラーの質量を差し引いて、樹脂の質量を算出した。 Procedure (5): The mass of the resin was calculated by subtracting the mass of the phosphor and the filler from the mass of the charged sample.
手順(6):下記式により、トルエン可溶分を算出した。 Procedure (6): The toluene soluble content was calculated by the following formula.
トルエン可溶分(重量%)=トルエン可溶分の重量/樹脂の重量×100
つまり、トルエン可溶分の質量を貼着層における熱硬化性樹脂の質量(試料質量から無機粒子および有機粒子の質量を差し引いた質量)で除して得られた百分率をトルエン可溶分(質量%)として算出した。その結果を表1に示す。
Toluene-soluble content (% by weight) = toluene-soluble content / resin weight × 100
That is, the percentage obtained by dividing the mass of the toluene-soluble component by the mass of the thermosetting resin in the adhesive layer (the mass obtained by subtracting the mass of the inorganic particles and organic particles from the sample mass) is the toluene-soluble component (mass). %). The results are shown in Table 1.
(NMR測定)
1.CH2=CH−基の含量
実施例A〜比較例Iで得られた貼着層におけるCH2=CH−基(ビニル基)の含有量を個体NMR測定により算出した。具体的には、ワニスの状態での含有量を100%として計算した。その結果を表1に示す。
(NMR measurement)
1. CH 2 = CH- a content of CH 2 = CH- groups in the content Example A~ Comparative Example sticking layer obtained in I group (vinyl group) was calculated by the individual NMR measurement. Specifically, the content in the varnish state was calculated as 100%. The results are shown in Table 1.
2.H−Si基の含量
実施例A〜比較例Iで得られた貼着層におけるH−Si基の含有量(ヒドロシリル基)を個体NMR測定により算出した。具体的には、ワニスの状態での含有量を100%として計算した。その結果を表1に示す。
2. H-Si group content The H-Si group content (hydrosilyl group) in the adhesive layers obtained in Example A to Comparative Example I was calculated by solid NMR measurement. Specifically, the content in the varnish state was calculated as 100%. The results are shown in Table 1.
(貼着層のガラス板に対する密着力)
実施例1〜比較例2で用いた貼着シートを、幅8.5mmで切り出し、実施例1〜比較例2におけるそれぞれの熱プレス条件で厚み1mmのガラス板に真空熱プレスし、剥離シートを剥離してから100℃で10分加熱し、その後、150℃で8時間加熱して、貼着層を完全硬化(フルキュア)させて、25℃における貼着層のガラス板に対する密着力を算出した。その結果を表1に示す。その結果を表1に示す。
(Adhesion of the adhesive layer to the glass plate)
The adhesive sheet used in Example 1 to Comparative Example 2 was cut out with a width of 8.5 mm, and vacuum hot pressed onto a glass plate having a thickness of 1 mm under the respective hot pressing conditions in Example 1 to Comparative Example 2, and the release sheet was removed. After peeling, the film was heated at 100 ° C. for 10 minutes, and then heated at 150 ° C. for 8 hours to completely cure (full cure) the adhesive layer, and the adhesion of the adhesive layer to the glass plate at 25 ° C. was calculated. . The results are shown in Table 1. The results are shown in Table 1.
(貼着光半導体素子の色度の検査)
実施例1〜比較例2で得られた光半導体装置における光半導体素子を50mAで発光させた。
(Inspection of chromaticity of bonded optical semiconductor elements)
The optical semiconductor element in the optical semiconductor device obtained in Example 1 and Comparative Example 2 was caused to emit light at 50 mA.
色度CIE(x,y)、および、400個の貼着光半導体素子におけるy値を表1に示す。 Table 1 shows the chromaticity CIE (x, y) and the y value of 400 stuck optical semiconductor elements.
(シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基(R5)におけるフェニル基の含有割合の測定)
シリコーン樹脂組成物(つまり、蛍光体およびフィラーが含まれていないシリコーン樹脂組成物)の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基(平均組成式(3)のR5)におけるフェニル基の含有割合(モル%)を、1H−NMRおよび29Si−NMRにより算出した。
(Measurement of phenyl group content in hydrocarbon group (R 5 ) of product obtained by reaction of silicone resin composition)
Hydrocarbon groups directly bonded to silicon atoms (R 5 in the average composition formula (3)) in the product obtained by the reaction of the silicone resin composition (that is, the silicone resin composition containing no phosphor and filler) The content ratio (mol%) of the phenyl group in was calculated by 1 H-NMR and 29 Si-NMR.
具体的には、Aステージのシリコーン樹脂組成物を、蛍光体およびフィラーを添加せずに、100℃1時間で、反応(完全硬化、Cステージ化)させて、生成物を得た。 Specifically, the A-stage silicone resin composition was reacted (completely cured, C-staged) at 100 ° C. for 1 hour without adding a phosphor and a filler to obtain a product.
次いで、得られた生成物の1H−NMRおよび29Si−NMRを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基(R5)におけるフェニル基が占める割合(モル%)を算出した。 Next, by measuring 1 H-NMR and 29 Si-NMR of the obtained product, the proportion (mol%) of the phenyl group in the hydrocarbon group (R 5 ) directly bonded to the silicon atom is calculated. did.
その結果、シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基(R5)におけるフェニル基の含有割合は、48%であった。 As a result, the phenyl group content in the hydrocarbon group (R 5 ) of the product obtained by the reaction of the silicone resin composition was 48%.
1 貼着シート
2 貼着層
3 剥離シート
11 貼着光半導体素子
13 支持板
14 粘着シート
15 光半導体素子
16 基板
17 電極側面
18 露出面
19 周側面
21 光半導体装置
24 封止層
30 スペーサ
40 プレス機
41 下板
42 上板
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記貼着層を、周波数1Hzおよび昇温速度20℃/分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線が、極小値を有し、
前記極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、
前記極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にあることを特徴とする、貼着シート。 An adhesive sheet comprising an adhesive layer that is used to adhere directly or indirectly to an optical semiconductor element,
The curve showing the relationship between the storage shear modulus G ′ and the temperature T obtained by dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive layer under the conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 20 ° C./min has a minimum value. And
The temperature T at the minimum value is in the range of 40 ° C. or higher and 200 ° C. or lower,
The adhesive sheet having a storage shear modulus G ′ at the minimum value in a range of 1,000 Pa or more and 90,000 Pa or less.
をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の貼着シート。 The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4, further comprising a release sheet disposed on one surface in the thickness direction of the adhesive layer.
基材に配置される光半導体素子を用意する素子用意工程、および、
前記貼着シートを、40℃以上、200℃以下の温度で、前記光半導体素子に対して直接的または間接的に熱プレスする熱プレス工程
を備えることを特徴とする、貼着光半導体素子の製造方法。 A sheet preparation process for preparing the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 5,
An element preparation step of preparing an optical semiconductor element to be arranged on the substrate; and
An adhesive optical semiconductor element comprising a hot pressing step of directly or indirectly hot pressing the adhesive sheet to the optical semiconductor element at a temperature of 40 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. Production method.
電極が配置される電極側面と、
前記電極側面と対向する対向面と、
前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面と
を有し、
前記素子用意工程では、少なくとも前記周側面が、封止層によって被覆され、前記対向面が、前記封止層から露出する前記光半導体素子を用意し、
前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記対向面および前記封止層に対して熱プレスする
ことを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法。 The optical semiconductor element is:
An electrode side surface on which the electrode is disposed;
A facing surface facing the electrode side surface;
A peripheral side surface connecting the electrode side surface and the opposing surface;
In the element preparation step, at least the peripheral side surface is covered with a sealing layer, and the optical semiconductor element in which the facing surface is exposed from the sealing layer is prepared,
In the said hot press process, the said sticking sheet is hot-pressed with respect to the said opposing surface and the said sealing layer, The sticking optical semiconductor element as described in any one of Claims 6-8 characterized by the above-mentioned. Manufacturing method.
電極が配置される電極側面と、
前記電極側面と対向する対向面と、
前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面と
を有し、
前記素子用意工程では、少なくとも前記対向面および前記周側面が、封止層によって被覆された前記光半導体素子を用意し、
前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記封止層に対して熱プレスする
ことを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法。 The optical semiconductor element is:
An electrode side surface on which the electrode is disposed;
A facing surface facing the electrode side surface;
A peripheral side surface connecting the electrode side surface and the opposing surface;
In the element preparation step, the optical semiconductor element in which at least the facing surface and the peripheral side surface are covered with a sealing layer is prepared,
In the said hot press process, the said sticking sheet is hot-pressed with respect to the said sealing layer, The manufacturing method of the sticking optical semiconductor element as described in any one of Claims 6-8 characterized by the above-mentioned.
前記基材が、支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に配置される粘着シートとを備え、
前記貼着光半導体素子を前記粘着シートから剥離する剥離工程、および、
前記貼着光半導体素子を基板に実装する実装工程
をさらに備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。 The manufacturing method of the adhesion optical semiconductor element as described in any one of Claims 6-8 is equipped with the process of obtaining an adhesion optical semiconductor element,
The substrate comprises a support plate and an adhesive sheet disposed on one surface in the thickness direction of the support plate,
A peeling step of peeling the sticking optical semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive sheet; and
The manufacturing method of the optical semiconductor device further provided with the mounting process which mounts the said sticking optical semiconductor element on a board | substrate.
前記基材が、基板であり、
前記素子用意工程では、前記基板に実装された光半導体素子を用意することを特徴とする、光半導体装置の製造方法。 The manufacturing method of the adhesion optical semiconductor element as described in any one of Claims 6-8 is equipped with the process of obtaining an adhesion optical semiconductor element,
The base material is a substrate;
In the element preparation step, an optical semiconductor device mounted on the substrate is prepared.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/056397 WO2016143623A1 (en) | 2015-03-09 | 2016-03-02 | Adhesive sheet, adhesive light semiconductor element production method and optical semiconductor device production method |
TW105107084A TW201641549A (en) | 2015-03-09 | 2016-03-08 | Adhesive sheet, adhesive light semiconductor element production method and optical semiconductor device production method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015046261 | 2015-03-09 | ||
JP2015046261 | 2015-03-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016171315A true JP2016171315A (en) | 2016-09-23 |
Family
ID=56982575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016036321A Pending JP2016171315A (en) | 2015-03-09 | 2016-02-26 | Adhesive sheet, method for manufacturing adhesive optical semiconductor element and method for manufacturing optical semiconductor device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016171315A (en) |
TW (1) | TW201641549A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019049794A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | Method for producing sealed optical semiconductor device |
WO2019049791A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | Method for producing sealed optical semiconductor device |
JP2020136418A (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 信越化学工業株式会社 | Resin composition for wafer-level optical semiconductor device, and wafer-level optical semiconductor device arranged by use thereof |
WO2022190898A1 (en) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing cured resin sheet with electrode, cured resin sheet with electrode, and thermosetting resin sheet |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016036321A patent/JP2016171315A/en active Pending
- 2016-03-08 TW TW105107084A patent/TW201641549A/en unknown
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019049794A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | Method for producing sealed optical semiconductor device |
WO2019049791A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | Method for producing sealed optical semiconductor device |
KR20200026268A (en) | 2017-09-08 | 2020-03-10 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | Manufacturing method of encapsulation optical semiconductor device |
KR20200031135A (en) | 2017-09-08 | 2020-03-23 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | Method for manufacturing encapsulated optical semiconductor device |
JP2020136418A (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 信越化学工業株式会社 | Resin composition for wafer-level optical semiconductor device, and wafer-level optical semiconductor device arranged by use thereof |
JP7003075B2 (en) | 2019-02-15 | 2022-01-20 | 信越化学工業株式会社 | Wafer-level optical semiconductor device resin composition and wafer-level optical semiconductor device using the composition |
WO2022190898A1 (en) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing cured resin sheet with electrode, cured resin sheet with electrode, and thermosetting resin sheet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201641549A (en) | 2016-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5864367B2 (en) | Fluorescent adhesive sheet, light-emitting diode element with phosphor layer, light-emitting diode device, and manufacturing method thereof | |
JP5287935B2 (en) | Phosphor-containing sheet, LED light-emitting device using the same, and manufacturing method thereof | |
WO2015033824A1 (en) | Wavelength conversion sheet, sealed optical semiconductor element and optical semiconductor element device | |
JP2013214716A (en) | Fluorescent sealing sheet, light emitting diode device, and manufacturing method of light emitting diode device | |
JP2014072351A (en) | Phosphor layer adhesive kit, optical semiconductor element - phosphor layer adhesive body, and optical semiconductor device | |
JP2013187227A (en) | Sealing sheet, light emitting diode device, and manufacturing method of light emitting diode device | |
JP2017163105A (en) | Optical semiconductor device covering sheet, adhesion layer-covering layer-attached optical semiconductor device and manufacturing method thereof, and method for manufacturing adhesion layer-attached optical semiconductor device | |
JP2016171315A (en) | Adhesive sheet, method for manufacturing adhesive optical semiconductor element and method for manufacturing optical semiconductor device | |
WO2015033890A1 (en) | Optical-semiconductor-element sealing composition, optical-semiconductor-element sealing molded article, optical-semiconductor-element sealing sheet, optical semiconductor device, and sealed optical semiconductor element | |
JP2013157408A (en) | Light emitting diode device and manufacturing method thereof | |
TW202027302A (en) | Optical semiconductor element covered with phosphor layer and manufacturing method thereof | |
JP2018041860A (en) | Wavelength conversion sheet, sheet covering element, and optical semiconductor device | |
TW201318227A (en) | Silicone resin sheet, cured sheet, and light emitting diode device and producing method thereof | |
JP2016171314A (en) | Sealing sheet, method for manufacturing sealed optical semiconductor element and method for manufacturing optical semiconductor device | |
JP6018608B2 (en) | Sealing sheet, manufacturing method thereof, optical semiconductor device, and sealing optical semiconductor element | |
WO2016143623A1 (en) | Adhesive sheet, adhesive light semiconductor element production method and optical semiconductor device production method | |
JP5882729B2 (en) | Silicone resin sheet, cured sheet, light-emitting diode device, and manufacturing method thereof | |
JP2013140848A (en) | Encapsulation sheet and optical semiconductor element device | |
WO2016143627A1 (en) | Sealing sheet, method for manufacturing sealed optical semiconductor element and method for manufacturing optical semiconductor device | |
WO2016194948A1 (en) | Method for producing fluorescent resin sheet | |
JP2017163104A (en) | Optical semiconductor element with coating layer and manufacturing method thereof | |
WO2016178397A1 (en) | Manufacturing method for optical semiconductor elements having phosphor layers and sealing layers | |
WO2016194947A1 (en) | Fluorescent resin sheet, adhesive optical semiconductor element, and method for producing same | |
JP2017213641A (en) | Manufacturing method of phosphor resin sheet | |
JP2017215459A (en) | Phosphor resin sheet, adhesive optical semiconductor element, and manufacturing method thereof |