JP2016117855A - 研磨液組成物 - Google Patents
研磨液組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016117855A JP2016117855A JP2014259296A JP2014259296A JP2016117855A JP 2016117855 A JP2016117855 A JP 2016117855A JP 2014259296 A JP2014259296 A JP 2014259296A JP 2014259296 A JP2014259296 A JP 2014259296A JP 2016117855 A JP2016117855 A JP 2016117855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- acid
- bta
- mass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
【課題】一態様において、貯蔵安定性を向上しうる、ＢＴＡ又はその誘導体を含有する研磨液組成物の提供。【解決手段】一又は複数の実施形態において、シリカ粒子、酸、酸化剤、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種、ＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質、及び水を含有し、前記変質抑制物質が、分子内に窒素原子を含まない、有機ホスホン酸又は縮合リン酸の少なくとも一方である、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用の研磨液組成物。【選択図】なし
Description
本開示は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用研磨液組成物、該研磨液組成物の保存方法、更にこの組成物を用いた研磨方法及び磁気ディスク基板の製造方法に関する。
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）と欠陥低減（スクラッチ、突起、ピット等の低減）に対する要求が厳しくなっている。このような要求に対し、スクラッチの低減が可能な研磨液組成物として、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）のようなアゾール類を含有する研磨液組成物が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
さらに、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のナノ突起欠陥をよりいっそう低減する研磨液組成物として、ＢＴＡのようなアゾール類に加えて所定のアミン化合物が添加された研磨液組成物も提案されている（特許文献２）。
ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）やその誘導体を含有する研磨液組成物において、調製後の保存期間にＢＴＡ及びその誘導体が変質していることが見出された。品質安定性の点から、該研磨液組成物の貯蔵安定性の向上が望まれた。
そこで、本開示は、一態様において、貯蔵安定性を向上しうる、ＢＴＡ又はその誘導体を含有する研磨液組成物、該研磨液組成物の保存方法、更にこの組成物を用いた磁気ディスク基板の製造方法、及びこれを用いた研磨方法を提供する。
本開示は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子、酸、酸化剤、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種、ＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質、及び水を含有し、前記変質抑制物質が、分子内に窒素原子を含まない、有機ホスホン酸又は縮合リン酸の少なくとも一方である、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用の研磨液組成物に関する。
本開示は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子、酸、酸化剤、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種、及び水を含有する研磨液組成物に対し、分子内に窒素原子を含まない、有機ホスホン酸及び縮合リン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種からなるＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質を添加することによるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用の研磨液組成物の保存方法に関する。
本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る研磨液組成物を用いてＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する磁気ディスク基板の製造方法に関する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る研磨液組成物を用いてＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨方法に関する。
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、ＢＴＡ又はその誘導体を含有する研磨液組成物におけるＢＴＡ及びその誘導体の変質が抑制され、貯蔵安定性が向上するという効果が奏されうる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、ＢＴＡ又はその誘導体に加えてジアミン又はトリアミンが添加された研磨液組成物の研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の抑制効果を損なうことなく、該研磨液組成物の貯蔵安定性を向上しうるという効果を奏し得る。さらにまた、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、スクラッチ及びナノ突起欠陥の抑制効果を損なうことなく、かつ、フィルター通液量を低下させることなく、該研磨液組成物の貯蔵安定性を向上しうるという効果を奏し得る。
本開示は、ＢＴＡ又はその誘導体に加えて、ジアミン又はトリアミンを含有する研磨液組成物により、スクラッチ及びナノ突起欠陥の抑制効果を損なうことなく、かつ、フィルター通液量を低下させることなく、研磨できるという知見に基づく。また、ＢＴＡ又はその誘導体に加えて、ジアミン又はトリアミンを含有する研磨液組成物が調製後の貯蔵期間にＢＴＡ又はその誘導体が変質しているという貯蔵不安定性を見出し、そのＢＴＡ又はその誘導体の変質が、所定の有機ホスホン酸又は縮合リン酸によって抑制され、研磨液組成物の貯蔵安定性が飛躍的に向上するという知見に基づく。
すなわち、ＢＴＡ又はその誘導体の芳香環が、研磨液組成物中の過酸化水素と微量のＦｅイオンとの反応で発生するラジカルにより開環して水カルボン酸に変質（分解）すると考えられる。ＢＴＡ又はその誘導体の変質は、しばしば、研磨液組成物の黄変及び沈殿を引き起こすと考えられる。そして、該Ｆｅイオンが所定の有機ホスホン酸又は縮合リン酸により安定化されることにより、ＢＴＡ又はその誘導体の変質（分解）が抑制され、研磨液組成物の貯蔵安定性が向上すると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
［ＢＴＡ、その誘導体］
本開示に係る研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ低減の観点から、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。本開示において、ＢＴＡは、１Ｈ−ベンゾトリアゾールである。本開示において、ＢＴＡ誘導体としては、一又は複数の実施形態において、１Ｈ−トリルトリアゾール、２−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノベンゾトリアゾール、１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]ベンゾトリアゾール、及び、１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]トリルトリアゾールが挙げられ、貯蔵安定性向上の観点、及び、研磨後の基板表面欠陥の低減の観点から、１Ｈ−トリルトリアゾールが好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ低減の観点から、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。本開示において、ＢＴＡは、１Ｈ−ベンゾトリアゾールである。本開示において、ＢＴＡ誘導体としては、一又は複数の実施形態において、１Ｈ−トリルトリアゾール、２−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノベンゾトリアゾール、１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]ベンゾトリアゾール、及び、１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]トリルトリアゾールが挙げられ、貯蔵安定性向上の観点、及び、研磨後の基板表面欠陥の低減の観点から、１Ｈ−トリルトリアゾールが好ましい。
本開示に係る研磨液組成物におけるＢＴＡ及びその誘導体の合計の含有量は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物全体の質量に対して好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以上５質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以上１質量％以下である。なお、研磨液組成物中のＢＴＡ又はその誘導体はいずれか１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
また、研磨液組成物中における、シリカ粒子とＢＴＡ及びその誘導体の合計との濃度比［シリカの濃度（質量％）／ＢＴＡ及びその誘導体の合計の濃度（質量％）］は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは１以上２００以下、より好ましくは５以上１００以下、更に好ましくは１０以上７５以下である。
［ジアミン、トリアミン］
本開示に係る研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。本開示において、ジアミン及びトリアミンとしては、一又は複数の実施形態において、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、１，２-ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、ジエチレントリアミン、ピペラジン、２−メチルピペラジン、２、５−ジメチルピペラジン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジンが挙げられる。本開示において、ジアミン及びトリアミンとしては、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは親水基を有するものであり、より好ましくはヒドロキシ基を有するものであり、更に好ましくはＮ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、及びＮ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジンが挙げられる。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。本開示において、ジアミン及びトリアミンとしては、一又は複数の実施形態において、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、１，２-ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、ジエチレントリアミン、ピペラジン、２−メチルピペラジン、２、５−ジメチルピペラジン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジンが挙げられる。本開示において、ジアミン及びトリアミンとしては、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは親水基を有するものであり、より好ましくはヒドロキシ基を有するものであり、更に好ましくはＮ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、及びＮ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジンが挙げられる。
本開示に係る研磨液組成物におけるジアミン及びトリアミンの合計の含有量は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、研磨液組成物全体の質量に対して好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．０２質量％以上５質量％以下、更に好ましくは０．０５質量％以上１質量％以下である。なお、研磨液組成物中のジアミン及びトリアミンはいずれか１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
また、研磨液組成物中における、シリカ粒子とジアミン及びトリアミンの合計との濃度比［シリカ粒子の濃度（質量％）／ジアミン及びトリアミンの合計の濃度（質量％）］は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは１以上１０００以下、より好ましくは２５以上５００以下、更に好ましくは５０以上２５０以下である。
さらに、研磨液組成物中における、ＢＴＡ及びその誘導体の合計とジアミン及びトリアミンの合計との濃度比［ＢＴＡ及びその誘導体の合計の濃度（質量％）／ジアミン及びトリアミンの合計の濃度（質量％）］は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点、及び、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは０．１以上５０以下、より好ましくは１以上２５以下、更に好ましくは２以上１０以下である。
［ＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質］
本開示に係る研磨液組成物は、貯蔵安定性向上の観点から、ＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質を含有する。前記変質抑制物質は、貯蔵安定性向上の観点から、分子内に窒素原子を含まない有機ホスホン酸、及び、分子内に窒素原子を含まない縮合リン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である。前記変質抑制物質は、一又は複数の実施形態において、貯蔵安定性向上の観点から、１−ヒドロキシエチリデン−１’１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ヒドロキシホスホノ酢酸（ＨＰＡＡ）、ホスホノブタントリカルボン酸（ＰＢＴＣ）、ピロリン酸、及びポリリン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましく、ＨＥＤＰ、ＨＰＡＡ及び１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種であることがより好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、貯蔵安定性向上の観点から、ＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質を含有する。前記変質抑制物質は、貯蔵安定性向上の観点から、分子内に窒素原子を含まない有機ホスホン酸、及び、分子内に窒素原子を含まない縮合リン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である。前記変質抑制物質は、一又は複数の実施形態において、貯蔵安定性向上の観点から、１−ヒドロキシエチリデン−１’１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ヒドロキシホスホノ酢酸（ＨＰＡＡ）、ホスホノブタントリカルボン酸（ＰＢＴＣ）、ピロリン酸、及びポリリン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましく、ＨＥＤＰ、ＨＰＡＡ及び１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種であることがより好ましい。
本開示に係る研磨液組成物におけるＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質の含有量は、貯蔵安定性向上の観点から、研磨液組成物全体の質量に対して好ましくは０．００１質量％以上１質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以上０．５質量％以下、更に好ましくは０．０１質量％以上０．１質量％以下である。なお、研磨液組成物中の前記変質抑制物質はいずれか１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
また、研磨液組成物中における、シリカ粒子と前記変質抑制物質との濃度比［シリカ粒子の濃度（質量％）／変質抑制物質の濃度（質量％）］は、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは５０以上１０００以下、より好ましくは１００以上６００以下である。
さらに、研磨液組成物中における、ＢＴＡ及びその誘導体の合計と前記変質抑制物質との濃度比［ＢＴＡ及びその誘導体の合計の濃度（質量％）／変質抑制物質の濃度（質量％）］は、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは０．１以上５０以下、より好ましくは１以上２５以下、更に好ましくは２．５以上１５以下、更により好ましくは３以上８以下である。
［シリカ粒子］
本開示に係る研磨液組成物は、研磨材としてシリカ粒子を含有する。本開示に係る研磨液組成物に用いられるシリカ粒子は、例えばコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられるが、研磨後の基板のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、１種類からなるものであっても、２種類以上のコロイダルシリカを混合したものであってもよい。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨材としてシリカ粒子を含有する。本開示に係る研磨液組成物に用いられるシリカ粒子は、例えばコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられるが、研磨後の基板のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、１種類からなるものであっても、２種類以上のコロイダルシリカを混合したものであってもよい。
〔散乱強度分布に基づく平均粒径〕
コロイダルシリカの散乱強度分布に基づく平均粒径は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥を低減する観点から、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上３７ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下である。コロイダルシリカの散乱強度分布に基づく平均粒径は、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいい、実施例に記載の方法で測定できる。
コロイダルシリカの散乱強度分布に基づく平均粒径は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥を低減する観点から、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上３７ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下である。コロイダルシリカの散乱強度分布に基づく平均粒径は、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいい、実施例に記載の方法で測定できる。
研磨液組成物中におけるシリカ粒子の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度向上と、貯蔵安定性向上の観点から、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、更に好ましくは３質量％以上、更により好ましくは４質量％以上である。また、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減と、貯蔵安定性向上の観点からは、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、更に好ましくは１３質量％以下、更により好ましくは１０質量％以下である。研磨液組成物中におけるシリカ粒子の含有量は、好ましくは０．５質量％以上２０質量％以下、より好ましくは１質量％以上１５質量％以下、更に好ましくは３質量％以上１３質量％以下、更により好ましくは４質量％以上１０質量％以下である。
［酸］
本開示に係る研磨液組成物は、酸を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。本開示に係る研磨液組成物に使用される酸としては、研磨速度の向上の観点から、その酸のｐＫ１が２以下の化合物が好ましく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、好ましくはｐＫ１が１．５以下、より好ましくは１以下、さらに好ましくはｐＫ１で表せない程の強い酸性を示す化合物である。好ましい酸は、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、無機酸、カルボン酸、有機ホスホン酸が好ましく、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、無機酸、有機ホスホン酸がより好ましい。また、無機酸の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸がより好ましく、リン酸、硫酸がさらに好ましい。カルボン酸の中では、クエン酸、酒石酸、マレイン酸がより好ましく、クエン酸がさらに好ましい。有機ホスホン酸の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシホスホノ酢酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ヒドロキシホスホノ酢酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸がさらに好ましい。これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度の向上、ナノ突起低減及び基板の洗浄性向上の観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸からなる群から選択される２種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましい。ここで、ｐＫ１とは有機化合物又は無機化合物の第一酸解離定数（２５℃）の逆数の対数値である。各化合物のｐＫ１は例えば改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐｐ３１６−３２５（日本化学会編）等に記載されている。
本開示に係る研磨液組成物は、酸を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。本開示に係る研磨液組成物に使用される酸としては、研磨速度の向上の観点から、その酸のｐＫ１が２以下の化合物が好ましく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、好ましくはｐＫ１が１．５以下、より好ましくは１以下、さらに好ましくはｐＫ１で表せない程の強い酸性を示す化合物である。好ましい酸は、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、無機酸、カルボン酸、有機ホスホン酸が好ましく、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、無機酸、有機ホスホン酸がより好ましい。また、無機酸の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸がより好ましく、リン酸、硫酸がさらに好ましい。カルボン酸の中では、クエン酸、酒石酸、マレイン酸がより好ましく、クエン酸がさらに好ましい。有機ホスホン酸の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシホスホノ酢酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ヒドロキシホスホノ酢酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸がさらに好ましい。これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度の向上、ナノ突起低減及び基板の洗浄性向上の観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸からなる群から選択される２種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましい。ここで、ｐＫ１とは有機化合物又は無機化合物の第一酸解離定数（２５℃）の逆数の対数値である。各化合物のｐＫ１は例えば改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐｐ３１６−３２５（日本化学会編）等に記載されている。
これらの酸の塩を用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等のイオンが挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。
研磨液組成物中における前記酸及びその塩の含有量は、研磨速度向上、並びに研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、好ましくは０．００１質量％以上５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以上４質量％以下であり、更に好ましくは０．０５質量％以上３質量％以下、更により好ましくは０．１質量％以上２．０質量％以下である。
なお、本開示に係る研磨液組成物中の酸は、前記「分子内に窒素原子を含まない有機ホスホン酸及び縮合リン酸」と全部又は一部は同一であってもよい。変質抑制物質として用いる場合には、その量は０．００１質量％以上１質量％以下で用いることができる。
［酸化剤］
本開示に係る研磨液組成物は、酸化剤を含む。本開示に係る研磨液組成物に使用できる酸化剤としては、研磨速度向上、並びに研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。
本開示に係る研磨液組成物は、酸化剤を含む。本開示に係る研磨液組成物に使用できる酸化剤としては、研磨速度向上、並びに研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。
前記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等が挙げられ、過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等が挙げられ、クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等が挙げられ、ペルオキソ酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等が挙げられ、酸素酸又はその塩としては、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等が挙げられ、金属塩類としては、塩化鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、クエン酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。
研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減と、貯蔵安定性向上の観点から好ましい酸化剤としては、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。より好ましい酸化剤としては、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から過酸化水素が挙げられる。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
研磨液組成物中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．１質量％以上であり、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点からから、好ましくは４質量％以下、より好ましくは２質量％以下、更に好ましくは１質量％以下である。表面品質を保ちつつ研磨速度を向上させるためには、上記含有量は、好ましくは０．０１質量％以上４質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以上２質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以上１質量％以下である。
［水］
本開示に係る研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。研磨液組成物中の水の含有量は、好ましくは６０質量％以上９９．４質量％以下、より好ましくは７０質量％以上９８．９質量％以下である。また、本開示の効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を配合してもよい。
本開示に係る研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。研磨液組成物中の水の含有量は、好ましくは６０質量％以上９９．４質量％以下、より好ましくは７０質量％以上９８．９質量％以下である。また、本開示の効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を配合してもよい。
［アニオン性基を有する水溶性高分子］
本開示に係る研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、アニオン性基を有する水溶性高分子を含有してもよい。前記水溶性高分子のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。これらのアニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよい。スクラッチ及びナノ突起低減の観点から、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子が好ましく、スルホン酸基を有するアニオン性高分子がより好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、アニオン性基を有する水溶性高分子を含有してもよい。前記水溶性高分子のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。これらのアニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよい。スクラッチ及びナノ突起低減の観点から、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子が好ましく、スルホン酸基を有するアニオン性高分子がより好ましい。
［その他の成分］
本開示に係る研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。研磨液組成物中のこれら他の任意成分の含有量は、０〜１０質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましい。但し、本開示に係る研磨液組成物は、他の成分、とりわけ界面活性剤を含むことなく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減効果を発揮し得る。さらに、本開示に係る研磨液組成物は、アルミナ砥粒を含ませることができ、最終研磨工程より前の粗研磨工程に使用することもできる。
本開示に係る研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。研磨液組成物中のこれら他の任意成分の含有量は、０〜１０質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましい。但し、本開示に係る研磨液組成物は、他の成分、とりわけ界面活性剤を含むことなく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減効果を発揮し得る。さらに、本開示に係る研磨液組成物は、アルミナ砥粒を含ませることができ、最終研磨工程より前の粗研磨工程に使用することもできる。
［研磨液組成物のｐＨ］
本開示に係る研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上、貯蔵安定性向上の観点から３．５以下が好ましく、より好ましくは３．０以下、さらに好ましくは２．５以下、さらにより好ましくは２．０以下である。また研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥を低減する観点から、０．５以上が好ましく、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上、さらにより好ましくは１．２以上である。また、研磨液組成物の廃液ｐＨは、研磨速度向上の観点から３以下が好ましく、より好ましくは２．５以下、さらに好ましくは２．２以下、さらにより好ましくは２．０以下である。また、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点から、研磨液組成物の廃液ｐＨは、０．８以上が好ましく、より好ましくは１．０以上、さらに好ましくは１．２以上、さらにより好ましくは１．５以上である。なお、廃液ｐＨとは、研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨廃液、即ち、研磨機より排出された直後の研磨液組成物のｐＨをいう。
本開示に係る研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上、貯蔵安定性向上の観点から３．５以下が好ましく、より好ましくは３．０以下、さらに好ましくは２．５以下、さらにより好ましくは２．０以下である。また研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥を低減する観点から、０．５以上が好ましく、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上、さらにより好ましくは１．２以上である。また、研磨液組成物の廃液ｐＨは、研磨速度向上の観点から３以下が好ましく、より好ましくは２．５以下、さらに好ましくは２．２以下、さらにより好ましくは２．０以下である。また、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点から、研磨液組成物の廃液ｐＨは、０．８以上が好ましく、より好ましくは１．０以上、さらに好ましくは１．２以上、さらにより好ましくは１．５以上である。なお、廃液ｐＨとは、研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨廃液、即ち、研磨機より排出された直後の研磨液組成物のｐＨをいう。
［研磨液組成物の調製方法］
本開示に係る研磨液組成物は、例えば、研磨材（シリカ粒子を含む）、酸、酸化剤、複素環芳香族化合物（ベンゾトリアゾール又はその誘導体を含む）、脂肪族アミン化合物（ジアミン及びトリアミンを含む）、及び水を、さらに所望により他の成分を含めて、公知の方法で混合することにより調製できる。この際、研磨材は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。本開示に係る研磨液組成物中における各成分の含有量や濃度は、上述した範囲であるが、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を濃縮物として調製してもよい。
本開示に係る研磨液組成物は、例えば、研磨材（シリカ粒子を含む）、酸、酸化剤、複素環芳香族化合物（ベンゾトリアゾール又はその誘導体を含む）、脂肪族アミン化合物（ジアミン及びトリアミンを含む）、及び水を、さらに所望により他の成分を含めて、公知の方法で混合することにより調製できる。この際、研磨材は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。本開示に係る研磨液組成物中における各成分の含有量や濃度は、上述した範囲であるが、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を濃縮物として調製してもよい。
［研磨液組成物の保存方法］
上記の様に調製された研磨液組成物は、組成物として安定であり、研磨液組成物の保存方法を提供することにもなる。保存方法の条件としては研磨液組成物として上述したシリカ濃度やｐＨ以外に以下の態様が挙げられる。
保持温度： シリカの凝集抑制又は安定性、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点から研磨剤組成物の温度は、１℃以上５０℃以下が好ましい。より好ましくは５℃以上４５℃以下であり、更に好ましくは１０℃以上４０℃以下である。また、同様の観点から温度変化は、５０℃以内に抑えるのが好ましく、より好ましくは４０℃以下であり、更に好ましくは３０℃以下である。
容器： 研磨剤組成物の保存に用いる容器の材質は拘らないが、シリカの凝集抑制又は安定性、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点からＵＶ遮断能を有する容器、温度変化を受けにくい容器が挙げられる。具体的には、高分子樹脂材料（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（テトラフルオロイチレン）等）や金属性材料（ＳＵＳ等）が挙げられる。また、容器形態についても拘らないが、シリカ凝集抑制、研磨後の表面欠陥のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点から、蓋付きの密閉できる容器が好ましい。
上記の様に調製された研磨液組成物は、組成物として安定であり、研磨液組成物の保存方法を提供することにもなる。保存方法の条件としては研磨液組成物として上述したシリカ濃度やｐＨ以外に以下の態様が挙げられる。
保持温度： シリカの凝集抑制又は安定性、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点から研磨剤組成物の温度は、１℃以上５０℃以下が好ましい。より好ましくは５℃以上４５℃以下であり、更に好ましくは１０℃以上４０℃以下である。また、同様の観点から温度変化は、５０℃以内に抑えるのが好ましく、より好ましくは４０℃以下であり、更に好ましくは３０℃以下である。
容器： 研磨剤組成物の保存に用いる容器の材質は拘らないが、シリカの凝集抑制又は安定性、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点からＵＶ遮断能を有する容器、温度変化を受けにくい容器が挙げられる。具体的には、高分子樹脂材料（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（テトラフルオロイチレン）等）や金属性材料（ＳＵＳ等）が挙げられる。また、容器形態についても拘らないが、シリカ凝集抑制、研磨後の表面欠陥のスクラッチ及びナノ突起欠陥低減、貯蔵安定性向上の観点から、蓋付きの密閉できる容器が好ましい。
［被研磨基板］
本開示に係る研磨液組成物が研磨の対象とする被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である。本開示において「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、磁気ディスク基板用アルミニウム合金板材の表面を研削後、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ処理したものをいう。Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の表面を本開示に係る研磨液組成物で研磨することを含む研磨工程の後、さらに、スパッタ等でその基板表面に磁性膜を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造することができる。本開示に係る研磨液組成物をＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨に使用することで、研磨後の基板表面のスクラッチの低減とともに、研磨後の基板表面のナノ突起欠陥の低減という効果を奏する。
本開示に係る研磨液組成物が研磨の対象とする被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である。本開示において「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、磁気ディスク基板用アルミニウム合金板材の表面を研削後、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ処理したものをいう。Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の表面を本開示に係る研磨液組成物で研磨することを含む研磨工程の後、さらに、スパッタ等でその基板表面に磁性膜を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造することができる。本開示に係る研磨液組成物をＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨に使用することで、研磨後の基板表面のスクラッチの低減とともに、研磨後の基板表面のナノ突起欠陥の低減という効果を奏する。
［磁気ディスク基板の製造方法］
本開示は、その他の態様として、磁気ディスク基板の製造方法（以下、本開示に係る製造方法ともいう。）に関する。本開示に係る製造方法は、上述した本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。これにより、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のナノ突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を好ましくは提供できる。本開示に係る製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
本開示は、その他の態様として、磁気ディスク基板の製造方法（以下、本開示に係る製造方法ともいう。）に関する。本開示に係る製造方法は、上述した本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。これにより、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のナノ突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を好ましくは提供できる。本開示に係る製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する方法の具体例としては、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示に係る研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する方法が挙げられる。
被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。なお、研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
［研磨パッド］
本開示で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
本開示で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
研磨パッドの表面部材の平均気孔径は、スクラッチ低減及びパッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは３５μｍ以下である。パッドの研磨液保持性の観点から、気孔で研磨液を保持し液切れを起こさないようにするために、平均気孔径は０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上、さらにより好ましくは２．５μｍ以上である。また、研磨パッドの気孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。
［研磨荷重］
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、さらに好ましくは７．５ｋＰａ以上である。これにより、研磨速度の低下を抑制できるため、生産性の向上が可能となる。なお、本開示に係る製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程において、研磨荷重は２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、さらに好ましくは１６ｋＰａ以下である。これにより、スクラッチの発生を抑制することができる。したがって、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程において研磨荷重は５．９〜２０ｋＰａが好ましく、６．９〜１８ｋＰａがより好ましく、７．５〜１６ｋＰａがさらに好ましい。研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、さらに好ましくは７．５ｋＰａ以上である。これにより、研磨速度の低下を抑制できるため、生産性の向上が可能となる。なお、本開示に係る製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程において、研磨荷重は２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、さらに好ましくは１６ｋＰａ以下である。これにより、スクラッチの発生を抑制することができる。したがって、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程において研磨荷重は５．９〜２０ｋＰａが好ましく、６．９〜１８ｋＰａがより好ましく、７．５〜１６ｋＰａがさらに好ましい。研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
［研磨液組成物の供給］
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５〜１５ｍＬ／分であり、より好ましくは０．０６〜１０ｍＬ／分であり、さらに好ましくは０．０７〜１ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．０８〜０．５ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．１２〜０．５ｍＬ／分である。
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５〜１５ｍＬ／分であり、より好ましくは０．０６〜１０ｍＬ／分であり、さらに好ましくは０．０７〜１ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．０８〜０．５ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．１２〜０．５ｍＬ／分である。
本開示に係る研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示に係る研磨液組成物となる。
上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。
［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板であるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する研磨方法に関する。該研磨方法は、一又は複数の実施形態において、研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨することを含む被研磨基板の研磨方法が挙げられる。具体的な研磨の方法及び条件は、上述のとおりとすることができる。
本開示は、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板であるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する研磨方法に関する。該研磨方法は、一又は複数の実施形態において、研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨することを含む被研磨基板の研磨方法が挙げられる。具体的な研磨の方法及び条件は、上述のとおりとすることができる。
［実施例１〜１４、及び比較例１〜６］
実施例１〜１４、及び比較例１〜６の研磨液組成物を調製し、６０℃で１日保存した後に、貯蔵安定性及びフィルター通液量を評価するとともに、被研磨基板の研磨を行って研磨後の基板のスクラッチ及びナノ突起欠陥を評価した。評価結果を下記表１に示す。使用した重合体、研磨液組成物の調製方法、各パラメータの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。なお、下記表１において、ＢＴＡは１Ｈ−ベンゾトリアゾール、ＴＴＡはトリルトリアゾール、ＡＥＥＡはＮ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、ＤＥＴＡはジエチレントリアミン、ＴＥＡはトリエタノールアミン、ＡＥＰは、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、ＨＥＤＰはヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ＨＰＡＡはヒドロキシホスホノ酢酸、ＰＢＴＣは１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、ＡＴＭＰはニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ＨＱＳはヒドロキノンスルホン酸カリウム塩を表す。
実施例１〜１４、及び比較例１〜６の研磨液組成物を調製し、６０℃で１日保存した後に、貯蔵安定性及びフィルター通液量を評価するとともに、被研磨基板の研磨を行って研磨後の基板のスクラッチ及びナノ突起欠陥を評価した。評価結果を下記表１に示す。使用した重合体、研磨液組成物の調製方法、各パラメータの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。なお、下記表１において、ＢＴＡは１Ｈ−ベンゾトリアゾール、ＴＴＡはトリルトリアゾール、ＡＥＥＡはＮ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、ＤＥＴＡはジエチレントリアミン、ＴＥＡはトリエタノールアミン、ＡＥＰは、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、ＨＥＤＰはヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ＨＰＡＡはヒドロキシホスホノ酢酸、ＰＢＴＣは１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、ＡＴＭＰはニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ＨＱＳはヒドロキノンスルホン酸カリウム塩を表す。
［研磨液組成物の調製方法］
下記表１に記載のコロイダルシリカ（平均粒径＝２５ｎｍ、日揮触媒化成社製）、酸、酸化剤、ＢＴＡ、アミン、有機ホスホン酸／縮合リン酸、及び水を用いて実施例１〜１４、及び比較例１〜６の研磨液組成物を調製した（ｐＨ＝１．５）。
下記表１に記載のコロイダルシリカ（平均粒径＝２５ｎｍ、日揮触媒化成社製）、酸、酸化剤、ＢＴＡ、アミン、有機ホスホン酸／縮合リン酸、及び水を用いて実施例１〜１４、及び比較例１〜６の研磨液組成物を調製した（ｐＨ＝１．５）。
コロイダルシリカの散乱強度分布に基づく平均粒径は下記方法で測定した。
コロイダルシリカと、硫酸と、過酸化水素水とをイオン交換水に添加し、これらを混合することにより、標準試料を作製した。標準試料中におけるコロイダルシリカ、硫酸、過酸化水素の含有量は、それぞれ５．０質量％、０．５質量％、０．４質量％であった。この標準試料を大塚電子社製動的光散乱装置ＤＬＳ−６５００により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるＣｕｍｕｌａｎｔ法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、シリカ粒子の平均粒径とした。
（ＤＬＳ−６５００の測定条件）
検出角：９０°
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｉｍｅ ： ４（μｍ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ ： ２５６（ｃｈ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ ： ＴＩ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ： ２６．０（℃）
検出角：３０°
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｉｍｅ ： １０（μｍ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ ： １０２４（ｃｈ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ ： ＴＩ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ： ２６．０（℃）
コロイダルシリカと、硫酸と、過酸化水素水とをイオン交換水に添加し、これらを混合することにより、標準試料を作製した。標準試料中におけるコロイダルシリカ、硫酸、過酸化水素の含有量は、それぞれ５．０質量％、０．５質量％、０．４質量％であった。この標準試料を大塚電子社製動的光散乱装置ＤＬＳ−６５００により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるＣｕｍｕｌａｎｔ法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、シリカ粒子の平均粒径とした。
（ＤＬＳ−６５００の測定条件）
検出角：９０°
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｉｍｅ ： ４（μｍ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ ： ２５６（ｃｈ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ ： ＴＩ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ： ２６．０（℃）
検出角：３０°
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｉｍｅ ： １０（μｍ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ ： １０２４（ｃｈ）
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ ： ＴＩ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ： ２６．０（℃）
［研磨］
上記のように調製した実施例１〜１４及び比較例１〜６の研磨液組成物（それぞれ、下記貯蔵安定性評価試験（６０℃、２４ｈ保存）の前後のもの）を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨された基板のナノ突起欠陥、及びスクラッチを以下に示す条件に基づいて測定し、評価を行った。結果を下記表１に示す。下記表１に示すデータは、各実施例及び各比較例につき４枚の被研磨基板を研磨した後、各被研磨基板の両面について測定し、４枚（表裏合わせて計８面）のデータの平均とした。
上記のように調製した実施例１〜１４及び比較例１〜６の研磨液組成物（それぞれ、下記貯蔵安定性評価試験（６０℃、２４ｈ保存）の前後のもの）を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨された基板のナノ突起欠陥、及びスクラッチを以下に示す条件に基づいて測定し、評価を行った。結果を下記表１に示す。下記表１に示すデータは、各実施例及び各比較例につき４枚の被研磨基板を研磨した後、各被研磨基板の両面について測定し、４枚（表裏合わせて計８面）のデータの平均とした。
［被研磨基板］
被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ＮａｎｏＳｃｏｐｅ ＩＩＩａ Ｍｕｌｔｉ Ｍｏｄｅ ＡＦＭ）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍ、長波長うねり（波長０．４〜２ｍｍ）の振幅は２ｎｍ、短波長うねり（波長５０〜４００μｍ）の振幅は２ｎｍであった。
被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ＮａｎｏＳｃｏｐｅ ＩＩＩａ Ｍｕｌｔｉ Ｍｏｄｅ ＡＦＭ）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍ、長波長うねり（波長０．４〜２ｍｍ）の振幅は２ｎｍ、短波長うねり（波長５０〜４００μｍ）の振幅は２ｎｍであった。
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７２ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１２．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７２ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１２．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
［研磨速度の測定方法］
研磨前後の各基板の重さを質量計（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化を求め、１０枚の平均値を質量減少量とし、それを研磨時間で割った値を質量減少速度とした。この質量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）に変換した。
研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝質量減少速度（ｇ／ｍｉｎ）／基板片面面積（ｍｍ2）／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ3）×１０6
（基板片面面積：６５９７ｍｍ2、Ｎｉ−Ｐメッキ密度：７．９９ｇ／ｃｍ3として算出）
研磨前後の各基板の重さを質量計（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化を求め、１０枚の平均値を質量減少量とし、それを研磨時間で割った値を質量減少速度とした。この質量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）に変換した。
研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝質量減少速度（ｇ／ｍｉｎ）／基板片面面積（ｍｍ2）／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ3）×１０6
（基板片面面積：６５９７ｍｍ2、Ｎｉ−Ｐメッキ密度：７．９９ｇ／ｃｍ3として算出）
［ナノ突起欠陥及びスクラッチの評価方法］
測定機器：ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＯＳＡ７１００
評価：研磨試験機に投入した基板の中、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してナノ突起欠陥及びスクラッチを測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのナノ突起欠陥及びスクラッチの数を算出した。その結果を、下記表１に、比較例１を１００とした相対値として示す。なお、下記表１において、「測定不能」とは、研磨速度が低いために粗研磨で発生した傷や研磨剤残渣が除去しきれなかったことに起因し、ナノ突起欠陥又はスクラッチの数が測定上限を超えたことを示す。
測定機器：ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＯＳＡ７１００
評価：研磨試験機に投入した基板の中、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してナノ突起欠陥及びスクラッチを測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのナノ突起欠陥及びスクラッチの数を算出した。その結果を、下記表１に、比較例１を１００とした相対値として示す。なお、下記表１において、「測定不能」とは、研磨速度が低いために粗研磨で発生した傷や研磨剤残渣が除去しきれなかったことに起因し、ナノ突起欠陥又はスクラッチの数が測定上限を超えたことを示す。
［貯蔵安定性の評価］
調製した研磨液を６０℃の恒温槽中に２４時間保管し、保管前後のＢＴＡ，ＢＴＡ誘導体の含有量をＨＰＬＣ（日立製作所製 型番：ＬａＣｈｒｏｍ Ｅｌｉｔｅ）にて測定し、下記式により残存率の算出を実施した。
＜残存率の算出方法＞
残存率（％）＝（保管後のＢＴＡ（誘導体）/保管前のＢＴＡ（誘導体））ｘ１００
＜測定条件＞
カラム： Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ＯＤＳ
カラム温度： ４０℃
溶離液： トリフルオロ酢酸０．１％、メタノール３０％ 水溶液
測定時間： ２０分
流量： １.０ｍｌ/ｍｉｎ
注入量： ２０μｌ
検出： ＵＶ２７５ｎｍ
調製した研磨液を６０℃の恒温槽中に２４時間保管し、保管前後のＢＴＡ，ＢＴＡ誘導体の含有量をＨＰＬＣ（日立製作所製 型番：ＬａＣｈｒｏｍ Ｅｌｉｔｅ）にて測定し、下記式により残存率の算出を実施した。
＜残存率の算出方法＞
残存率（％）＝（保管後のＢＴＡ（誘導体）/保管前のＢＴＡ（誘導体））ｘ１００
＜測定条件＞
カラム： Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ＯＤＳ
カラム温度： ４０℃
溶離液： トリフルオロ酢酸０．１％、メタノール３０％ 水溶液
測定時間： ２０分
流量： １.０ｍｌ/ｍｉｎ
注入量： ２０μｌ
検出： ＵＶ２７５ｎｍ
［フィルター通液量の評価］
調製した研磨液を一定圧力（０．３ＭＰａ）の下、シリンジフィルター（アドバンテック東洋社製：親水性ＰＴＦＥ ０．４５μｍ）に通液し、閉塞するまで通液させ、通液量を測定することにより評価した。
調製した研磨液を一定圧力（０．３ＭＰａ）の下、シリンジフィルター（アドバンテック東洋社製：親水性ＰＴＦＥ ０．４５μｍ）に通液し、閉塞するまで通液させ、通液量を測定することにより評価した。
上記表１に示すように、実施例１〜１４の研磨液組成物では、比較例１のそれに比べ、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥が同程度に抑えられつつ、該研磨液組成物の貯蔵安定性が向上し、フィルター通液量も増加した。なお、ＡＴＭＰを使用した比較例５では、貯蔵安定性は発揮されたが、フィルター通液量が著しく低下した。
Claims (8)
- シリカ粒子、酸、酸化剤、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種、ＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質、及び水を含有し、
前記変質抑制物質が、分子内に窒素原子を含まない、有機ホスホン酸及び縮合リン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用の研磨液組成物。 - 前記変質抑制物質が、１−ヒドロキシエチリデン−１’１−ジホスホン酸、ヒドロキシホスホノ酢酸、ホスホノブタントリカルボン酸、ピロリン酸、及びポリリン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項１記載の研磨液組成物。
- 前記ＢＴＡ誘導体がトリルトリアゾールである、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
- 前記ジアミン及びトリアミンが、親水基を有するものである、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 前記ジアミン及びトリアミンが、Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、ジエチレントリアミン、及びＮ−（２−アミノエチル）ピペラジンである、である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
- シリカ粒子、酸、酸化剤、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一種、ジアミン及びトリアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種、及び水を含有する研磨液組成物に対し、分子内に窒素原子を含まない、有機ホスホン酸及び縮合リン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種からなるＢＴＡ又はその誘導体の変質抑制物質を添加することによるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板用の研磨液組成物の保存方法。
- 請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物を用いてＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
- 請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物を用いてＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014259296A JP6415967B2 (ja) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | 研磨液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014259296A JP6415967B2 (ja) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | 研磨液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016117855A true JP2016117855A (ja) | 2016-06-30 |
| JP6415967B2 JP6415967B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=56242886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014259296A Active JP6415967B2 (ja) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | 研磨液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6415967B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019119782A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007092064A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2009206125A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 研磨液および研磨方法 |
| JP2010010706A (ja) * | 2009-10-07 | 2010-01-14 | Nitta Haas Inc | 金属膜研磨組成物および金属膜の研磨方法 |
| JP2011131346A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP2012086357A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-05-10 | Kao Corp | 研磨液組成物の製造方法 |
| JP2014124766A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Kao Corp | 研磨液組成物の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-22 JP JP2014259296A patent/JP6415967B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007092064A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2009206125A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 研磨液および研磨方法 |
| JP2010010706A (ja) * | 2009-10-07 | 2010-01-14 | Nitta Haas Inc | 金属膜研磨組成物および金属膜の研磨方法 |
| JP2011131346A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP2012086357A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-05-10 | Kao Corp | 研磨液組成物の製造方法 |
| JP2014124766A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Kao Corp | 研磨液組成物の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019119782A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6415967B2 (ja) | 2018-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5657247B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6251033B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP5925454B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP2014130659A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP5844135B2 (ja) | 研磨液組成物の製造方法 | |
| JP6116888B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP6425303B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6444731B2 (ja) | シリカ分散液 | |
| JP6304841B2 (ja) | 研磨液組成物の製造方法 | |
| JP2006150534A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6033077B2 (ja) | 研磨液組成物の製造方法 | |
| JP6415967B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6362385B2 (ja) | 基板の製造方法および研磨用組成物 | |
| JP6495095B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP6376599B2 (ja) | シリカ分散液 | |
| JP2008093819A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP6316680B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP2019119782A (ja) | 研磨液組成物 | |
| TW201807119A (zh) | 用於鈷化學機械拋光(cmp)之替代氧化劑 | |
| JP6418915B2 (ja) | 研磨液組成物の製造方法 | |
| JP6251567B2 (ja) | 研磨液組成物の製造方法 | |
| JP6425965B2 (ja) | 研磨液組成物の製造方法 | |
| JP2019182955A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP7246231B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
| JP6168657B2 (ja) | 研磨液組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170912 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180710 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180914 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181002 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181003 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6415967 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |