JP2016094645A - Etching device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、エッチング装置に関する。例えば、電子回路基板の製造工程中のエッチング工程で使用される、エッチング装置に関するものである。 The present invention relates to an etching apparatus. For example, the present invention relates to an etching apparatus used in an etching process during the manufacturing process of an electronic circuit board.
《技術的背景》
例えば、プリント配線基板その他の電子回路基板において、その代表的な製造工程は、次のとおり。
まず、銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、感光性レジストが塗布又は貼り付けられる。それから、回路のネガフィルムを当てて露光し、回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去する。もって、露出した回路形状部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、回路形成部分のレジストを剥離により溶解除去する。
このようなプロセスを辿ることにより、基板材外表面に残った銅箔にて電子回路が形成され、電子回路基板が製造される。
そして、エッチング工程のエッチング装置では、コンベアにて水平搬送される基板材に対し、スプレーノズルからエッチング液が噴射され、もって基板材がエッチング処理される(後述の図3も参照)。
《Technical background》
For example, in a printed wiring board and other electronic circuit boards, typical manufacturing processes are as follows.
First, a photosensitive resist is applied or pasted on the outer surface of a substrate material made of a copper-clad laminate. Then, exposure is performed by applying a negative film of the circuit, and the resist other than the circuit forming portion is dissolved and removed by development. Therefore, after the copper foil other than the exposed circuit shape portion is dissolved and removed by etching, the resist in the circuit forming portion is dissolved and removed by peeling.
By following such a process, an electronic circuit is formed from the copper foil remaining on the outer surface of the substrate material, and an electronic circuit board is manufactured.
And in the etching apparatus of an etching process, etching liquid is sprayed from a spray nozzle with respect to the board | substrate material conveyed horizontally with a conveyor, and a board | substrate material is etched (refer FIG. 3 mentioned later).
《従来技術》
エッチング装置において、噴射されたエッチング液は、基板材外表面を左方向又は右方向(前後の搬送方向に対し直角方向)に流れ、基板材をエッチング処理した後、左右両サイドから流下,排出される。もって、基板材に噴射されたエッチング液は、順次新鮮な液へと更新される。
これに対し、もしも基板材外表面にエッチング液の液溜まりや滞留が発生すると、更新が妨げられ、エッチング精度が低下してしまう。そして特に、基板材上面の中央部付近において、このような液溜まりや滞留が発生し易かった。
そこで、エッチング液の更新促進,液溜まり解消,滞留解消をめざし、エッチング装置では、スプレーノズル傾斜配設やダムロールが採用されていた。
すなわち、従来のエッチング装置1の代表例では、図3の(2)図中に示したように、噴射されたエッチング液Aが基板材B外表面を前後に流れることを阻止し左右に流れるようにすべく、スプレーノズル2を左方向と右方向に向け交互に傾めに配置したり、図1の(4)図,図2の(2)図に示したように、仕切りローラとしてダムロール3が採用されていた。
そして、これらは通常、基板材Bの上側について採用されていた(基板材B下面については、噴射されたエッチング液Aは、液溜まりや滞留することなく、エッチング処理後直ちに自然落下,自重落下する)。
<Conventional technology>
In the etching apparatus, the sprayed etching solution flows leftward or rightward (perpendicular to the front and rear transport directions) on the outer surface of the substrate material, and after flowing through the substrate material, flows down and is discharged from both the left and right sides. The Accordingly, the etching solution sprayed onto the substrate material is sequentially updated to a fresh solution.
On the other hand, if the etching liquid pools or stays on the outer surface of the substrate material, the renewal is hindered and the etching accuracy decreases. In particular, in the vicinity of the central portion of the upper surface of the substrate material, such liquid accumulation and stagnation are likely to occur.
Therefore, with the aim of promoting the renewal of the etching solution, elimination of the liquid pool, and elimination of the residence, the etching apparatus employs a spray nozzle inclined arrangement and a dam roll.
That is, in the representative example of the
These are usually employed on the upper side of the substrate material B (the lower surface of the substrate material B is sprayed without dropping or staying, and immediately falls spontaneously and falls by its own weight without being accumulated or retained. ).
このような従来のエッチング装置1としては、例えば、次の特許文献1,2に示されたものが挙げられる。
ところで、このような従来の基板材Bのエッチング装置1については、次の課題が指摘されていた。
まず、形成される回路Cパターンについて、図4の(2)図は、断面が矩形の理想例を示す。(3)図は、これに近い断面よりなる良い例を示す。(4)図は、断面が急傾斜台形状をなす悪い例を示す。図中、Lは回路幅、Tは頂面幅(トップ幅)、Sは回路間スペース、Hは回路深さである。
さて、図4の(3)図に示した良い回路Cパターンを得るためには、例えば図1の(4)図や図3において、スプレーノズル2から噴射されるエッチング液Aのスプレー圧を、上げる必要がある。回路Cの微細化,高密度化,エッチング精度向上等に鑑み、このような高圧化のニーズが最近一段と高まっている。図中4はコンベア、5はそのホイールである。
すなわち低圧時、例えばスプレー圧0.18MPaの場合、断面が図4の(4)図の悪いパターンの回路C(回路幅L30μm、頂面幅T20μm)が、形成され易くなる。これに対し、スプレー圧0.20MPa以上の高圧時、例えばスプレー圧0.25MPaでは、断面が図4の(3)図の矩形に近い良いパターンの回路C(回路幅L30μm、頂面幅T25μm)が、形成されるようになる。
By the way, the following subject was pointed out about the
First, regarding the formed circuit C pattern, FIG. 4B shows an ideal example having a rectangular cross section. (3) The figure shows a good example of a cross section close to this. (4) The figure shows a bad example where the cross section forms a steeply trapezoidal shape. In the figure, L is a circuit width, T is a top surface width (top width), S is a space between circuits, and H is a circuit depth.
In order to obtain the good circuit C pattern shown in FIG. 4 (3), for example, in FIG. 1 (4) and FIG. 3, the spray pressure of the etching solution A sprayed from the
In other words, when the pressure is low, for example, when the spray pressure is 0.18 MPa, the circuit C (circuit width L30 μm, top surface width T20 μm) having a bad cross section as shown in FIG. On the other hand, when the spray pressure is higher than 0.20 MPa, for example, at a spray pressure of 0.25 MPa, the circuit C has a good pattern close to the rectangle in FIG. 4 (3) (circuit width L30 μm, top surface width T25 μm). Will be formed.
しかしながら、図1の(4)図,図2の(2)図に示した従来のエッチング装置11にあっては、スプレー圧を上げ、より強いスプレー圧,より強力な噴射インパクトでエッチング処理すると、形成される回路Cパターンにバラツキが発生する、という問題が指摘されていた。特に、基板材B上面について指摘されていた。
この問題について、更に詳述する。スプレー圧を上げると、基板材Bに噴射されたエッチング液Aが、ダムロール3を越えて飛散したり溢れる事態が発生するようになる。
すなわち基板材B上面について、スプレー圧0.20MPa未満では、ダムロール3間に安定的に保たれていたエッチング液Aの基準水位が、スプレー圧0.20MPa以上の場合は、圧反射により基準水位より上に跳ね返って飛散したり、圧波動により基準水位より上に溢れたりするようになる。
もってエッチング液Aが、前後方向Eへと流出事態が発生するようになる(図1の(4)図中の実線表示を参照)。
However, in the conventional etching apparatus 11 shown in FIG. 1 (4) and FIG. 2 (2), when the spray pressure is increased and the etching process is performed with a stronger spray pressure and a stronger jet impact, It has been pointed out that there is a variation in the formed circuit C pattern. In particular, the upper surface of the substrate material B has been pointed out.
This problem will be further described in detail. When the spray pressure is increased, the etching solution A sprayed onto the substrate material B is scattered or overflowed over the
That is, with respect to the upper surface of the substrate material B, when the spray pressure is less than 0.20 MPa, the reference water level of the etching liquid A stably maintained between the
As a result, the etchant A flows out in the front-rear direction E (see the solid line display in FIG. 1 (4)).
その結果、そのスプレーノズル2の噴射対象エリアの基板材Bについては、エッチング処理を行うエッチング液Aが不足するようになる。これに対し、前後で隣接するスプレーノズル2の噴射対象エリアの基板材Bについては、エッチング液Aの液溜まりや滞留発生の原因となる。
このようにして、エッチング処理の過不足,遅速が生じ、形成される回路Cパターンにバラツキが発生していた(基板材B下面についてはエッチング液Aが、エッチング処理後直ちに自然落下,自重落下するので、このような問題発生は少ない)。
基板材B上面の回路Cについて、図4の(4)図に示した悪いパターン断面のものが混在するようになり、形成パターンのエッチングレートやエッチングファクターの低下、標準偏差や面内分布の悪化を招いていた。
このように、従来の基板材Bのエッチング装置1は、スプレー圧の高圧化を図ると、回路Cパターンにバラツキが生じ、エッチング精度に問題が生じていた。
As a result, with respect to the substrate material B in the spray target area of the
In this way, the etching process is excessively insufficient or slow, and the formed circuit C pattern varies. (On the lower surface of the substrate material B, the etching liquid A spontaneously drops and falls under its own weight immediately after the etching process. So there are few such problems.)
Regarding the circuit C on the upper surface of the substrate material B, those having the bad pattern cross section shown in FIG. 4 (4) are mixed, and the etching rate and etching factor of the formation pattern are lowered, the standard deviation and the in-plane distribution are deteriorated. Was invited.
As described above, in the
《本発明について》
本発明のエッチング装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第1に、エッチング精度が改善され、第2に、しかもこれが簡単容易に支障なく実現される、エッチング装置を提案することを、目的とする。
<< About the present invention >>
In view of such circumstances, the etching apparatus of the present invention has been made to solve the problems of the conventional example.
A first object of the present invention is to propose an etching apparatus in which the etching accuracy is improved, and secondly, this can be realized easily and without any trouble.
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、特許請求の範囲に記載したように、次のとおりである。
請求項1については、次のとおり。
このエッチング装置は、コンベアにて搬送される板状部材に、スプレーノズルからエッチング液を噴射してエッチング処理する。そして前記エッチング装置は、ダムロールと液止め体を有している。
前記コンベアは、上下のホイール群を有し、前記板状部材を挟んで水平搬送する。
前記スプレーノズルは、前記コンベアの周囲に多数設けられると共に、少なくとも前記コンベアの上側に配置される複数のスプレーノズルは、前記コンベアの搬送方向に対して左方向または右方向に向け斜めに傾斜して配置されている。
前記ダムロールは、前記ホイールより直径が小さいストレートローラよりなり、前記コンベアの搬送方向に並べて配置された前後の前記ホイール間に形成されたスプレーゾーンの前後端部に対をなして、前記ホイールに隣接配置されている。
もって前記ダムロールは、前記スプレーノズルから前記板状部材に噴射された前記エッチング液を、前記板状部材の外表面を左右の幅方向に流すように規制する。
前記液止め体は、前記ホイールとは干渉しない位置にて、前記各ダムロールの上方に隣接配置されている。
もって前記液止め体は、前記エッチング液が前記ダムロールを越えて前後に流出することを規制する。
前記ダムロールおよび液止め体は、少なくとも、搬送される前記板状部材の上側に設けられていること、を特徴とする。
<About Claim>
The technical means of the present invention for solving such a problem is as follows, as described in the claims.
About
This etching apparatus performs an etching process by spraying an etching solution from a spray nozzle onto a plate-like member conveyed by a conveyor. The etching apparatus has a dam roll and a liquid stopper.
The conveyor has upper and lower wheel groups and horizontally conveys the plate member.
A large number of the spray nozzles are provided around the conveyor, and at least a plurality of spray nozzles arranged above the conveyor are inclined obliquely toward the left or right direction with respect to the transport direction of the conveyor. Has been placed.
The dam roll is composed of a straight roller having a diameter smaller than that of the wheel, and is adjacent to the wheel in a pair with the front and rear end portions of the spray zone formed between the front and rear wheels arranged side by side in the conveying direction of the conveyor. Has been placed.
Accordingly, the dam roll regulates the etching solution sprayed from the spray nozzle to the plate member so that the outer surface of the plate member flows in the left-right width direction.
The liquid stopper is disposed adjacent to and above each dam roll at a position where it does not interfere with the wheel.
Accordingly, the liquid stopper restricts the etching solution from flowing back and forth beyond the dam roll.
The dam roll and the liquid stopper are provided at least on the upper side of the transported plate-like member.
請求項2については、次のとおり。
請求項2のエッチング装置では、請求項1において、前記液止め体はバー状材よりなり、前記ダムロールとは離間して配置されていること、を特徴とする。
請求項3については、次のとおり。
請求項3のエッチング装置では、請求項1において、前記液止め体はストレートローラよりなり、前記ダムロールと接触して配置されていること、を特徴とする。
請求項4については、次のとおり。
請求項4のエッチング装置では、請求項1及至3記載の何れか1項において、少なくとも前記コンベアの上側に配置される複数の前記スプレーノズルは、前記コンベアの搬送方向に沿って、左方向を向くスプレーノズルと右方向を向くスプレーノズルが交互に配置されていること、を特徴とする。
About
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the liquid stopper is made of a bar-like material and is disposed apart from the dam roll.
About
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the liquid stopper is made of a straight roller and is disposed in contact with the dam roll.
About
In the etching apparatus according to
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
(1)エッチング装置では、コンベアで搬送される基板材等の板状部材に対し、スプレーノズルからエッチング液を噴射してエッチング処理する。
(2)噴射されたエッチング液は、基板材等の板状部材を左方向又は右方向に流れた後、左右両サイドから流下,排出される。
(3)このようなエッチング液の流れをサポートすべく、スプレーノズル傾斜配設やダムロールが採用されている。
(4)ところでエッチング装置では、エッチング精度向上のため、エッチング液のスプレー圧高圧化ニーズが強い。
(5)しかしながら、スプレー圧を高圧化すると、噴射されたエッチング液が、圧反射により、ダムロールによる基準水位より上に跳ねかえって飛散したり、圧波動により、基準水位より上に溢れ易くなる。
もってエッチング液が、ダムロールを越えて前後に流出する虞が生じ、回路パターンのバラツキ発生の原因となる。
(6)そこで、本発明のエッチング装置では液止め体を採用してなり、このようなエッチング液の飛散,溢れ,流出を規制する。
(7)もって、エッチング液のスプレー圧を高圧化しても、これらは確実に規制,回避されるようになる。
(8)従って例えば、回路パターンのバラツキ発生も防止される。すなわち、スプレー圧の高圧化により、断面矩形に近い回路が形成されると共に、液止め体の採用により、断面急傾斜台形状の回路の発生,混在は回避される。
(9)そして液止め体は、簡単な構成よりなり、容易に上述を実現可能である。又、スプレーゾーンを狭めたり、ホイールと接触,干渉することもない等、支障なく採用可能である。
(10)さてそこで、本発明のエッチング装置は、次の効果を発揮する。
<About the action>
Since the present invention comprises such means, the following is achieved.
(1) In the etching apparatus, an etching solution is sprayed from a spray nozzle onto a plate-like member such as a substrate material conveyed by a conveyor to perform an etching process.
(2) The jetted etching solution flows leftward or rightward through a plate-like member such as a substrate material, and then flows down and is discharged from both the left and right sides.
(3) In order to support such a flow of the etching solution, a spray nozzle inclined arrangement and a dam roll are employed.
(4) By the way, in an etching apparatus, there is a strong need for increasing the spray pressure of an etching solution in order to improve etching accuracy.
(5) However, when the spray pressure is increased, the sprayed etching solution is likely to splash above the reference water level by the dam roll due to pressure reflection, or to overflow above the reference water level due to pressure waves.
As a result, the etching solution may flow back and forth beyond the dam roll, causing variations in circuit patterns.
(6) Therefore, the etching apparatus of the present invention employs a liquid stopper and regulates such scattering, overflow and outflow of the etching liquid.
(7) Therefore, even if the spray pressure of the etching solution is increased, these are surely regulated and avoided.
(8) Therefore, for example, occurrence of variations in circuit patterns is also prevented. That is, by increasing the spray pressure, a circuit close to a rectangular cross section is formed, and by using the liquid stopper, the generation and mixing of circuits having a steeply trapezoidal cross section are avoided.
(9) The liquid stopper has a simple configuration, and the above can be easily realized. Also, it can be used without any trouble, such as narrowing the spray zone, contact with the wheel, and interference.
(10) Now, the etching apparatus of the present invention exhibits the following effects.
《第1の効果》
第1に、エッチング精度が改善される。すなわち、本発明のエッチング装置では、液止め体の採用により、スプレー圧を高圧化にしても、エッチング液がダムロールを越えて飛散したり溢れて流出することは、確実に防止される。特に基板材等の板状部材上面について、確実に防止されるようになる。
もって、エッチング液のスプレー圧を上げることにより、例えば、矩形に近い回路パターンが均一に得られるようになる。形成される回路パターンについて、前述したこの種従来技術のように、スプレー圧を上げるとバラツキが発生することは防止される。
高スプレー圧でも、例えば、エッチングレートやエッチングファクターが向上し、標準偏差や面内分布が優良化するようになり、エッチング精度が大幅改善される。
<< First effect >>
First, the etching accuracy is improved. That is, in the etching apparatus of the present invention, the use of the liquid stopper prevents the etching liquid from scattering or overflowing beyond the dam roll even if the spray pressure is increased. In particular, the upper surface of a plate member such as a substrate material is reliably prevented.
Accordingly, by increasing the spray pressure of the etching solution, for example, a circuit pattern close to a rectangle can be obtained uniformly. As for the circuit pattern to be formed, when the spray pressure is increased as in this type of prior art, the occurrence of variations is prevented.
Even at a high spray pressure, for example, the etching rate and etching factor are improved, the standard deviation and the in-plane distribution are improved, and the etching accuracy is greatly improved.
《第2の効果》
第2に、しかもこれは、簡単容易に支障なく実現される。すなわち、本発明のエッチング装置で採用した液止め体は、まず簡単な構成よりなり、コスト面にも優れている。
しかも液止め体は、ホイールとは干渉しない位置でダムロール上に隣接配置されており、上述した第1の効果が容易に実現される。これと共に液止め体は、スプレーゾーンを狭めることがなく、スペース面に優れると共に、コンベアのホイールと接触,干渉することもない等、支障なく採用される。
このように、この種従来技術に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
<< Second effect >>
Secondly, this is easily and easily achieved without any problems. That is, the liquid stopper used in the etching apparatus of the present invention has a simple structure and is excellent in cost.
Moreover, the liquid stopper is disposed adjacent to the dam roll at a position where it does not interfere with the wheel, and the first effect described above can be easily realized. At the same time, the liquid stopper is employed without any trouble, such as not narrowing the spray zone, being excellent in space, and not contacting or interfering with the conveyor wheel.
As described above, the effects exerted by the present invention are remarkably large, such as all the problems existing in this type of prior art are solved.
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して、詳細に説明する。
《電子回路基板D等について》
本発明に係る基板材Bのエッチング装置6は、電子回路基板Dの製造工程で使用される。そこでまず、前提となる電子回路基板Dおよびその製造方法について、図4等を参照して、一般的に説明しておく。
プリント配線基板等の電子回路基板Dは、小型軽量化,極薄化,フレキシブル化等の進展がめざましく、形成される電子回路Cも、微細化,高密度化が著しい。
そして、その製造工程で使用される基板材Bは、500mm×400mmや600mm×500mmサイズで、肉厚0.06mm〜1.6mm程度のものが、代表的である。
形成される電子回路Cについては、その回路幅(ボトム幅)Lが5μm〜80μm程度、回路間スペースSが5μm〜80μm程度、回路深さ(回路高さ)Hが12μm〜35μm程度のものが、一般的である。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<< Electronic circuit board D etc. >>
The substrate material
Electronic circuit boards D such as printed wiring boards have made remarkable progress in miniaturization, weight reduction, ultra-thinness, and flexibility, and electronic circuits C to be formed are remarkably miniaturized and densified.
And the board | substrate material B used by the manufacturing process is 500 mm x 400 mm or 600 mm x 500 mm size, and the thing of thickness 0.06mm-1.6mm is typical.
The formed electronic circuit C has a circuit width (bottom width) L of about 5 μm to 80 μm, a space S between circuits of about 5 μm to 80 μm, and a circuit depth (circuit height) H of about 12 μm to 35 μm. Is common.
そして本発明は、回路深さ(回路高さ)Hと回路間スペースSまたは回路幅Lとの比H/SまたはH/Lが0.5を超えるもの、つまり微細化,高密度化された回路Cパターンについて、代表的に適用される。
基板材Bを用いて製造される電子回路基板Dは、硬質のリジット基板タイプとフィルム状のフレキシブル基板タイプとに、分けられる。又、表裏両面に回路Cが形成される両面基板タイプが代表的であるが、片面のみに回路Cが形成される片面基板タイプも考えられ、更に多層基板その他各種タイプについて、本発明は広く適用可能である。
このような電子回路基板Dの製造方法としては、サブトラクティブ法(ウェットプロセス法)(前述した背景技術の従来技術欄を参照),セミアディティブ法,その他各種の製造方法が知られており、本発明は、このような各種製造方法に適用される。
電子回路基板D等については、以上のとおり。
In the present invention, the ratio H / S or H / L of the circuit depth (circuit height) H and the inter-circuit space S or the circuit width L exceeds 0.5, that is, miniaturized and densified. The circuit C pattern is typically applied.
The electronic circuit board D manufactured using the board material B is divided into a rigid rigid board type and a film-like flexible board type. In addition, the double-sided board type in which the circuit C is formed on both the front and back surfaces is representative, but the single-sided board type in which the circuit C is formed only on one side is also conceivable, and the present invention is widely applied to various types such as multilayer boards. Is possible.
As a method for manufacturing such an electronic circuit board D, a subtractive method (wet process method) (see the prior art section of the background art described above), a semi-additive method, and other various manufacturing methods are known. The invention is applied to such various manufacturing methods.
The electronic circuit board D and the like are as described above.
《エッチング装置6》
次に、エッチング装置6について、図3を参照して一般的に説明する。
本発明に係るエッチング装置6は、電子回路基板Dの製造工程中、エッチング工程で使用される。そして、チャンバー7内でコンベア4にて搬送される基板材Bに対し、スプレーノズル2からエッチング液Aを噴射してエッチング処理する。
コンベア4は、上下のホイール5群よりなり、基板材Bを挟んで前後の搬送方向Eに水平搬送する。
スプレーノズル2は、このように水平搬送される基板材Bに対し、図示例では上下からエッチング液Aを噴射して、基板材Bの表裏・上下の外表面をエッチング処理する。露出した銅箔部分を、エッチング液A(塩化第二銅,塩化第二鉄,その他の腐食液)にて、溶解除去する。
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Next, the
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もってスプレーノズル2は、前後の搬送方向E,左右の幅方向F,上下方向Gの上下に、多数設けられている。そして、図示のように上側のスプレーノズル2は、左方向と右方向に向け交互に斜めに傾斜して配置されている。
このスプレーノズル2の傾斜配置は、基板材Bに噴射されたエッチング液Aの更新促進,液溜まり解消,滞留解消を図るべく採用されている(前述した背景技術の従来技術欄を参照)。スプレーノズル2のスプレー圧についても、前述を参照(発明が解決しようとする課題欄を参照)。
エッチング処理後のエッチング液Aは、液槽8へと流下,回収,貯留された後、ポンプ9,フィルター,配管10等を経由し、スプレーノズル2へと、循環供給されて再使用される。
エッチング装置6の一般的説明については、以上のとおり。
Accordingly, a large number of
The inclined arrangement of the
After the etching process, the etching liquid A flows down to the
The general description of the
《ダムロール3について》
次に、ダムロール3について、図1,図2を参照して説明する。
このエッチング装置6では、前後のホイール5間に形成されたスプレーゾーン11、つまりエッチング液Aの噴射間隔スペースについて、その前後端部に、それぞれダムロール3が配設されている。
ダムロール3は、各スプレーゾーン11について、それぞれの前端部と後端部に対をなして設けられ、ホイール5と共に基板材Bに接触回転する。
このダムロール3は、ホイール5(例えば径32mm)より直径が小さい(例えば径16mm)ストレートローラ製よりなり、左右に軸を向けて設けられ、図示例では駆動付となっている。
そしてダムロール3は、スプレーゾーン11前後のホイール5について、その前又は後に隣接配置されるが、該ホイール5とは前後間隙を存し離間位置している。
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Next, the
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The
The
ダムロール3は、前後の仕切りローラとして用いられる。すなわちダムロール3は、スプレーノズル2から基板材Bに噴射されたエッチング液Aが、基板材B外表面特に上面を伝って前後の搬送方向Eに流れることを阻止し、もってエッチング液Aが、基板材B外表面特に上面を左右の幅方向Fに流れるようにする。
このようにダムロール3は、基板材Bに噴射されたエッチング液Aの更新促進,液溜まり解消,滞留解消を図るべく採用されている(前述した背景技術の従来技術欄を参照)。
そしてダムロール3は通常、図示のように、搬送される基板材Bの上側について採用される(下面に噴射されたエッチング液Aは自然落下,自重落下する)。
ダムロール3については、以上のとおり。
The
Thus, the
And the
About
《液止め体12について》
次に、液止め体12について、図1の(1)図,(2)図,(3)図,図2の(1)図等を参照して説明する。
このエッチング装置6では、液止め体12が、ダムロール3に隣接配置されると共に、ホイール5とは干渉しない位置に設けられている。液止め体12は、前述によりスプレーゾーン11の前端部と後端部とに対をなして設けられたダムロール3について、それぞれ隣接配置される。もって液止め体12も前後対をなす。
そして通常は図示のように、ダムロール3が、搬送される基板材Bの上側について設けられていることに伴い、液止め体12は、このようなダムロール3上に隣接配置されている。
又、このようにダムロール3上に隣接配置された液止め体12は、前述によりダムロール3が隣接配置されているホイール5に対し、ダムロール3と同様、前後間隙を存し離間位置している。
<About the
Next, the
In this
Usually, as shown in the figure, the
Further, the
そして液止め体12は、ダムロール3を越えて飛散する可能性や溢れる可能性のあるエッチング液Aを、規制可能な上下寸法を備えており、エッチング液Aのダムロール3を越えての流出を規制する。
すなわち液止め体12は、基板材Bに噴射されたエッチング液Aが、ダムロール3を越えて飛散したり溢れたりすることを規制し、このような規制機能発揮に必要十分な上下方向Gの高さ寸法を備えている。つまり、ダムロール3の高さ寸法にプラスアルファされる分の高さ寸法を備えている。
このように液止め体12は、基板材Bに噴射されたエッチング液Aが、前後に流出することを規制し、もってエッチング液Aを、ダムロール3等による左右の幅方向Fへの流れに復帰させる。
The
That is, the
In this manner, the
《図示例の液止め体12》
図示例の液止め体12については、次のとおり。
第1例については、次のとおり。図1の(1)図,図2の(1)図に示した第1例の液止め体12は、バー状材製よりなり、ダムロール3とは離間して配置されている。
すなわち、この第1例の液止め体12は、エッチング装置6のチャンバー7の左右フレーム間に架設されたバーフレームよりなり、上側のダムロール3上に、僅かな上下間隔を存して離間配置されており、ダムロール3上を全体的に覆っている。
第2例については、次のとおり。図1の(2)図に示した第2例の液止め体12は、第1例と同様、チャンバー7の左右フレーム間に架設されバーフレームよりなり、上側のダムロール3上に離間配置されているが、ホイール5と隣接する側は、ダムロール上を覆わない構成よりなる。
第2例の液止め体12は、このような構成を採用したことにより、ダムロール3と隣接ホイール5間の前後間隙の距離寸法を狭く設定した場合、ホイール5との干渉が確実に防止される利点がある。ダムロール3上に位置設定される液止め体12が、ダムロール3のホイール5側への接近配置によりホイール5と干渉する虞は、確実に回避される。
<<
The
The first example is as follows. The
That is, the
The second example is as follows. As in the first example, the
Since the
第3例については、次のとおり。図1の(3)図に示した第3例の液止め体12は、ストレートローラ製よりなり、ダムロール3と接触して配置されている。
すなわち、第3例の液止め体12は、図示例ではダムロール3と同様のストレートローラ製よりなり、チャンバー7の左右フレーム間に軸支されている。そして、ダムロール3上に隣接配置されるが、ダムロール3に対し、第1例や第2例のように離間されることなく、上下接触した構成よりなり、エッチング液Aの前後流出を完全規制可能という利点がある。
これに対し、第1例,第2例の液止め体12は、第3例の液止め体12に比し、構成が簡単であり、架設取付けも容易である利点や、固定架設されるので安定した機能発揮が可能であるという利点がある。
更に、第1例,第2例の液止め体12は、極薄化,フレキシブル化が進む基板材B、そして微細化,高密度化が進むその回路Cについて、重量負荷を一切加えることがないという利点もある。
液止め体12については、以上のとおり。
The third example is as follows. The
That is, the
On the other hand, the
Further, the
The
《作用等》
本発明のエッチング装置6は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
(1)エッチング装置6では、コンベア4にて搬送される基板材Bに対し、前後左右に多数配設されたスプレーノズル2から、エッチング液Aを噴射し、もって基板材B外表面をエッチング処理する(図3を参照)。
《Action etc.》
The
(1) In the
(2)噴射されたエッチング液Aは、基板材B外表面を、左右の幅方向Fつまり左方向又は右方向に流れた後、基板材Bの左右両サイドから流下,排出する。 (2) The jetted etching liquid A flows on the outer surface of the substrate material B in the left-right width direction F, that is, the left direction or the right direction, and then flows down and is discharged from both the left and right sides of the substrate material B.
(3)このようなエッチング液Aの基板材B外表面における流れ、特に基板材B上面における流れをサポートすべく、スプレーノズル2の傾斜配設(図3の(2)図を参照)や、ダムロール3(図1,図2を参照)が採用されている。
すなわち基板材B上面において、エッチング液Aの液溜まり,滞留発生を防止して、新鮮なエッチング液Aへの更新を図るべく、スプレーノズル2傾斜やダムロール3が採用されている。
(3) In order to support the flow of the etching liquid A on the outer surface of the substrate material B, particularly the flow on the upper surface of the substrate material B, an inclined arrangement of the spray nozzle 2 (see FIG. 3 (2)), A dam roll 3 (see FIGS. 1 and 2) is employed.
That is, the
(4)ところでエッチング装置6では、回路Cの微細化,高密度化,エッチング精度向上等に鑑み、スプレーノズル2から噴射されるエッチング液Aについて、スプレー圧の高圧化ニーズが、最近一段と高まっている。
すなわち、図4の(3)図に示した矩形に近い断面の良い回路Cパターンを得るためには、スプレー圧を例えば0.20MPa以上に高圧化し、もってより強いスプレー圧,より強力な噴射インパクトで、エッチング処理するニーズが高まっている。
(4) By the way, in the
That is, in order to obtain a circuit C pattern having a good cross section close to the rectangle shown in FIG. 4 (3), the spray pressure is increased to, for example, 0.20 MPa or more, and thus a stronger spray pressure and a stronger injection impact. Therefore, the needs for etching treatment are increasing.
(5)しかしながら、スプレー圧を高圧化すると、基板材B上面に噴射されたエッチング液Aが、ダムロール2を越えて飛散したり溢れて流出する事態が発生し易くなる。
そのままではエッチング液Aが、圧反射により、ダムロール3にて形成される基板材B上の基準水位より上に跳ね返って飛散したり、圧波動により、基準水位より上に溢れる虞が生じる。その分が、ダムロール3を越えて前後方向Eへと流出する虞が生じる(図1の(4)図の従来技術の実線表示を参照)。
エッチング液Aが前後流出すると、そのスプレーノズル2の噴射対象エリアの基板材Bに関しては、エッチング液Aが、設定量より量的に不足するようになる。これに対し、前後で隣接するスプレーノズル2の噴射対象エリアの基板材Bに関しては、流入したエッチングAにより、液溜まりや滞留が発生するようになる。
これらに起因して、形成される回路Cパターンにバラツキが生じ、断面が図4の(4)図に示した急傾斜台形状の回路Cが発生,混在するようになる。
(5) However, when the spray pressure is increased, the etching liquid A sprayed on the upper surface of the substrate material B is likely to be scattered or overflowed beyond the
If it is as it is, there exists a possibility that the etching liquid A may bounce up and scatter from the reference water level on the substrate material B formed by the
When the etching solution A flows back and forth, the etching solution A becomes insufficient in quantity than the set amount with respect to the substrate material B in the spray target area of the
As a result, the formed circuit C pattern varies, and the steeply trapezoidal circuit C shown in FIG. 4 (4) is generated and mixed.
(6)そこで、本発明のエッチング装置6では、液止め体12を採用してなる(図1の(1)図,(2)図,(3)図,図2の(1)図等を参照)。
液止め体12は、スプレー圧を上げた場合に、ダムロール3を越えて飛散したり溢れようとしたエッチング液Aを規制し、もってダムロール3等による左右への流れに復帰させる(図1の(1)図,(2)図,(3)図中の実線表示を参照)。
(6) Therefore, in the
When the spray pressure is increased, the
(7)このような液止め体12の採用により、このエッチング装置6によると、エッチング液Aのスプレー圧を高圧化しても、上述したエッチング液Aの量的不足,液溜まり,滞留等の発生は、回避される。
(7) By adopting such a
(8)もって、このエッチング装置6によると、エッチング処理に基づき形成される回路Cパターンについて、バラツキ発生が防止される。
すなわち、エッチング液Aのスプレー圧の高圧化により、つまり強いスプレー圧,より強力なインパクトにより、図4の(3)図に示したように、断面が矩形に近い回路Cパターンが得られるようになる。
これと共に、液止め体12の採用により、図4の(4)図に示した断面が急傾斜台形状の回路Cパターンが、発生,混在することは、回避されるようになる。
これらにより、断面矩形に近い回路Cのみが、均一に得られるようになる。
(8) Therefore, according to the
That is, by increasing the spray pressure of the etching solution A, that is, with a strong spray pressure and a stronger impact, as shown in FIG. Become.
At the same time, the use of the
As a result, only the circuit C having a rectangular cross section can be obtained uniformly.
(9)又、このエッチング装置6で採用した液止め体12は、バー状材製やストレートローラ製よりなり、簡単な構成よりなる(図1の(1)図,(2)図,(3)図,図2の(1)図等を参照)。
又、液止め体12は、コンベア4のホイール5とは干渉しない位置で、ダムロール3上に隣接配置されている。もって、スプレーゾーン11を狭めることがなく、ホイール5と接触,干渉することもない等、支障なく採用可能である。
本発明の作用等については、以上の通り。
(9) Further, the
Further, the
The operation of the present invention is as described above.
《特開平6−320094号公報について》
ここで、特開平6−320094号公報について述べておく。
(イ)同公報中では、上下二連のダムロール85が示されている(その図5等を参照)。そして、まずスプレー圧が低い場合、処理部材11(基板材)に噴射された流体35(エッチング液)は、この上下二連のストレートローラ製のダムロール85により、所定の基準水位35’に、保たれる(その図5の状態)。
これに対し、本発明の第3例(図1の(3)図の例)でも、同様にスプレー圧が低い場合、一連(1個)のストレートローラ製のダムロール3により、噴射されたエッチング液Aが基準水位に保たれる(図中破線表示)。
同公報のようにストレートローラ製のダムロール85が、二連(2個)であるか、本発明の第3例のようにストレートローラ製のダムロール3が、一連(1個)であるか、に関係なく、同公報と本発明とは同様である。スプレー圧が低い場合、エッチング液(35,A)は共に基準水位に保たれる。
<< About JP-A-6-320094 >>
Here, JP-A-6-320094 will be described.
(A) In the same publication, two upper and lower dam rolls 85 are shown (see FIG. 5 and the like). First, when the spray pressure is low, the fluid 35 (etching solution) sprayed onto the processing member 11 (substrate material) is maintained at a predetermined reference water level 35 ′ by the dam roll 85 made of two straight upper and lower straight rollers. Dripping (the state of FIG. 5).
On the other hand, in the third example of the present invention (the example of FIG. 1 (3)), when the spray pressure is low, the etching liquid sprayed by a series of (one) dam rolls 3 made of straight rollers. A is maintained at the reference water level (indicated by a broken line in the figure).
Whether the dam roll 85 made of straight rollers is double (2 pieces) as in the publication, or the
(ロ)これに対し、スプレー圧が高圧化された場合、同公報では二連の上側のダムロール85を越えて、流体35(エッチング液)が前後に流出するようになる(その図5では図示されてはいない)。
すなわち、圧反射による跳ね返り飛散や圧波動による溢れにより、流体35(エッチング液)が、二連のダムロール85で形成された図示の基準水位を越え、上側のダムロール85を越えて前後流出してしまう。同公報において、上下二連のストレートローラは共にダムロール85であり、上側のストレートローラもダムロール85である。
これに対し本発明の第3例では、スプレー圧が高圧化された場合、このように跳ね返り飛散や溢れようとするエッチング液Aは、ダムロール3上の液止め体12にて規制され、前後流出することはない(図1の(1)図,(2)図,(3)図中の実線表示を参照)。
本発明の第3例において、上側のストレートローラは液止め体12であり、ダムロール3ではない。
(B) On the other hand, when the spray pressure is increased, according to the publication, the fluid 35 (etching liquid) flows back and forth beyond the two upper dam rolls 85 (illustrated in FIG. 5). Not).
That is, the fluid 35 (etching solution) exceeds the reference water level shown in the figure formed by the two dam rolls 85 and flows back and forth beyond the upper dam roll 85 due to splashing back by pressure reflection and overflow due to pressure waves. . In this publication, the upper and lower straight rollers are both dam rolls 85, and the upper straight roller is also a dam roll 85.
On the other hand, in the third example of the present invention, when the spray pressure is increased, the etching solution A that rebounds and spills in this way is regulated by the
In the third example of the present invention, the upper straight roller is the
(ハ)同公報では上述したように、第1の流体35(エッチング液)が、前後に流出することを前提とする。そこで、次に隣接噴射される第2の流体(例えば水)を用いて、このように流出した第1の流体を、すすぎ,除去するようになっている(例えば、その段落番号0014欄,0022欄,0029欄等を参照)。
つまり同公報では、本発明の第3例のように液止め体12を持たないので、第1の流体35(エッチング液)の前後流出を許容すると共に、流出後の対策として、本発明とは異なり第2の流体が採用されている。
これに対し本発明の第3例では、同公報では許容していた前後流出自体を、規制する。もって同公報のような流出後対策は、不要である。
(C) In the publication, as described above, it is assumed that the first fluid 35 (etching solution) flows out back and forth. Therefore, the second fluid (for example, water) next jetted next is used to rinse and remove the first fluid that has flowed out in this manner (for example, paragraph number 0014 column, 0022). Column, 0029 column, etc.).
That is, in this publication, the
On the other hand, in the third example of the present invention, the front / rear spill itself allowed in the publication is regulated. Therefore, there is no need for post-outflow measures such as the above publication.
(ニ)このように、同公報と本発明の第3例とは、技術思想,前提,作用等が相違している。もって、同公報の上側ダムロール85と、本発明の第3例の液止め体12とは、共にストレートローラよりなるもの、構成,機能等が多くの点で異なっており、本発明の第3例では、前述したように独特の構成,機能を備えている。
特開平6−320094号公報については、以上のとおり。
(D) Thus, the technical idea, premise, action, etc. are different between the publication and the third example of the present invention. Therefore, the upper dam roll 85 of the same publication and the
As for JP-A-6-320094, it is as described above.
《本発明の適用について》
ところで、本発明に係るエッチング装置6、そしてこのエッチング装置6が適用されるエッチング工程は、以上実施例として記載して説明した、電子回路基板Dの製造装置,製造工程に適用が限定されるものではない。
例えば金属板の製造装置や製造工程、すなわち金属板をエッチングすることによる金属部品の製造にも用いられる。
つまり本発明は、一般的な板状部材のエッチングについて広く適用される。
<< Application of the Present Invention >>
By the way, the
For example, it is also used for manufacturing metal parts by etching a metal plate, for example, a metal plate manufacturing apparatus or manufacturing process.
That is, the present invention is widely applied to etching of a general plate member.
1 エッチング装置(従来例)
2 スプレーノズル
3 ダムロール
4 コンベア
5 ホイール
6 エッチング装置(本発明)
7 チャンバー
8 液槽
9 ポンプ
10 配管
11 スプレーゾーン
12 液止め体
A エッチング液
B 基板材
C (電子)回路
D 電子回路基板
E 前後方向(搬送方向)
F 左右方向(幅方向)
G 上下方向
H 回路深さ
L 回路幅
S 回路間スペース
T 頂面幅
1 Etching device (conventional example)
2
F Left-right direction (width direction)
G Vertical direction H Circuit depth L Circuit width S Space between circuits T Top surface width
Claims (4)
前記コンベアは、上下のホイール群を有し、前記板状部材を挟んで水平搬送し、
前記スプレーノズルは、前記コンベアの周囲に多数設けられると共に、少なくとも前記コンベアの上側に配置される複数のスプレーノズルは、前記コンベアの搬送方向に対して左方向または右方向に向け斜めに傾斜して配置されており、
前記ダムロールは、前記ホイールより直径が小さいストレートローラよりなり、前記コンベアの搬送方向に並べて配置された前後の前記ホイール間に形成されたスプレーゾーンの前後端部に対をなして、前記ホイールに隣接配置されており、
もって前記ダムロールは、前記スプレーノズルから前記板状部材に噴射された前記エッチング液を、前記板状部材の外表面を左右の幅方向に流すように規制し、
前記液止め体は、前記ホイールとは干渉しない位置にて、前記各ダムロールの上方に隣接配置されており、
もって前記液止め体は、前記エッチング液が前記ダムロールを越えて前後に流出することを規制し、
前記ダムロールおよび液止め体は、少なくとも、搬送される前記板状部材の上側に設けられていること、を特徴とするエッチング装置。 An etching apparatus that performs an etching process by spraying an etching liquid from a spray nozzle onto a plate-like member conveyed by a conveyor, the etching apparatus having a dam roll and a liquid stopper,
The conveyor has a group of upper and lower wheels, and horizontally conveys the plate member,
A large number of the spray nozzles are provided around the conveyor, and at least a plurality of spray nozzles arranged above the conveyor are inclined obliquely toward the left or right direction with respect to the transport direction of the conveyor. Has been placed,
The dam roll is composed of a straight roller having a diameter smaller than that of the wheel, and is adjacent to the wheel in a pair with the front and rear end portions of the spray zone formed between the front and rear wheels arranged side by side in the conveying direction of the conveyor. Has been placed,
Therefore, the dam roll regulates the etching liquid sprayed from the spray nozzle to the plate member so that the outer surface of the plate member flows in the left-right width direction,
The liquid stopper is disposed adjacent to above each dam roll at a position where it does not interfere with the wheel,
Accordingly, the liquid stopper restricts the etching liquid from flowing back and forth beyond the dam roll,
The etching apparatus, wherein the dam roll and the liquid stopper are provided at least above the plate-like member to be conveyed.
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