JP2019204807A - Substrate material etching device - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate material etching device in which the etch factor and etch rate are improved, the etching uniformity is maintained, and the transport stability is ensured at the same time.SOLUTION: An etching apparatus 11 etches a substrate material A to be conveyed by spraying an etching liquid B from a spray nozzle 4 onto the substrate material A and includes dam rolls 10 and 12, a liquid stopper bar 13, and a transition jig 14. Due to the setting of the vertical distance E between the spray nozzle 4 and the substrate material A, the etch factor and the etch rate are improved. Regardless of this setting, etching uniformity is maintained by the setting of the left-right pitch interval F and the inclined spray angle α of the spray nozzle 4 and the arrangement of the upper and lower dam rolls 10 and 12 and the liquid stopper bar 13. Moreover, regardless of the arrangement of the dam rolls 10 and 12, the arrangement of the transition jig 14 ensures the conveyance stability of the substrate material A.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板材のエッチング装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程で使用される、基板材のエッチング装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate material etching apparatus. That is, the present invention relates to a substrate material etching apparatus used in a manufacturing process of an electronic circuit board.

《技術的背景》
電子機器に用いられるプリント配線基板,その他の電子回路基板は、小型軽量化,極薄化,フレキシブル化等の進展が著しく、形成される電子回路も、高密度化,微細化が顕著である。
このような電子回路基板の代表的な製造工程については、次のとおり。まず、銅張り積層板よりなる基板材に、感光性レジスト(エッチングレジスト)が塗布又は貼り付けられる。
それから、回路のネガフィルムを当てて露光し、回路形成部分以外のレジストを、現像工程により溶解除去する。そして、露出した回路形成部分以外の銅箔を、エッチング工程により溶解除去してから、回路形成部分のレジストを剥離工程により溶解除去する。
もって、基板材外表面に残った回路形成部分の銅箔にて、電子回路が形成され、電子回路基板が製造される。
《Technical background》
Printed wiring boards and other electronic circuit boards used in electronic devices have made significant progress in miniaturization, weight reduction, ultrathinning, and flexibility, and the density and miniaturization of formed electronic circuits are also remarkable.
The typical manufacturing process of such an electronic circuit board is as follows. First, a photosensitive resist (etching resist) is applied or affixed to a substrate material made of a copper-clad laminate.
Then, exposure is performed by applying a negative film of the circuit, and the resist other than the circuit forming portion is dissolved and removed by a development process. Then, after the copper foil other than the exposed circuit forming portion is dissolved and removed by an etching process, the resist of the circuit forming portion is dissolved and removed by a peeling process.
Therefore, an electronic circuit is formed with the copper foil of the circuit forming portion remaining on the outer surface of the substrate material, and the electronic circuit board is manufactured.

《一般例のエッチング装置1》
図6の(2)図は、このような電子回路基板の製造工程で使用される、エッチング装置1の一般例を示す。
このエッチング装置1では、コンベア2のホイール3にて搬送されワークつまり基板材Aの上下両面に、スプレーノズル4からエッチング液Bを噴射して、エッチングする。
図中、5はチャンバー、6は液槽、7はスプレーポンプ、8はスプレー管(シャワー管)である。Cは搬送方向(前後方向)、Dは上下方向を示す。
<< General Example Etching Apparatus 1 >>
FIG. 6B shows a general example of the etching apparatus 1 used in the manufacturing process of such an electronic circuit board.
In this etching apparatus 1, etching is performed by spraying an etching solution B from the spray nozzle 4 onto the upper and lower surfaces of the workpiece, that is, the substrate material A, which is conveyed by the wheel 3 of the conveyor 2.
In the figure, 5 is a chamber, 6 is a liquid tank, 7 is a spray pump, and 8 is a spray tube (shower tube). C indicates the conveyance direction (front-rear direction), and D indicates the vertical direction.

《従来例のエッチング装置9》
さて図3,図4,図5の(2)図は、エッチング装置9の従来例を示す。このエッチング装置9においても、上述した一般例のエッチング装置1と同様、コンベア2のホイール3にて水平搬送される基板材Aの両面に、上下,左右,前後に多数配されたスプレーノズル4から、スプレーゾーンZを介しエッチング液Bを噴射して、エッチングする。
そして上述した一般例に準じ、スプレーノズル4は、基板材Aとの上下間隔距離Eが90mm以上、相互間の左右ピッチ間隔Fが70mm以上、噴射圧が上側0.18Mpaで下側0.16Mpaで、設けられている。下側のスプレーノズル4は、傾斜することなく基板材Aに対し垂直に設けられていた。
<< Conventional Etching Apparatus 9 >>
FIGS. 3, 4, and 5 (2) show a conventional example of the etching apparatus 9. In this etching apparatus 9 as well, as in the etching apparatus 1 of the general example described above, from the spray nozzles 4 arranged in large numbers on the top and bottom, left and right, front and back on both surfaces of the substrate material A that is horizontally conveyed by the wheel 3 of the conveyor 2. Etching is performed by spraying an etching solution B through the spray zone Z.
In accordance with the general example described above, the spray nozzle 4 has a vertical distance E between the substrate material A of 90 mm or more, a left-right pitch distance F of 70 mm or more, an injection pressure of 0.18 Mpa on the upper side, and 0.16 Mpa on the lower side. It is provided. The lower spray nozzle 4 was provided perpendicular to the substrate material A without being inclined.

ところで、このエッチング装置9では、前述した一般例とは異なり、上側についてスプレーノズル4は、垂直から斜めに傾斜した噴射角度αで、交互に左右方向Gに向けられている(図5の(2)図を参照)。
又、上側について、ストレートローラー製のダムロール10が、スプレーノズル4のスプレーゾーンZを介し前後対をなして配されると共に、搬送される基板材A上面に接すべく配設されている。
By the way, in this etching apparatus 9, unlike the general example described above, the spray nozzles 4 are directed alternately in the left-right direction G at an injection angle α inclined obliquely from vertical ((2 in FIG. 5). ) See diagram).
Further, on the upper side, dam rolls 10 made of straight rollers are arranged in a front-rear pair via a spray zone Z of the spray nozzle 4 and are arranged so as to contact the upper surface of the substrate material A to be conveyed.

ところで、このような従来例のエッチング装置9については、次の第1,第2,第3の課題が指摘されていた。
《第1:エッチファクター,エッチレートの向上》
第1に、エッチファクター向上、エッチレート向上の要請が強かった。
すなわち、前述したように、電子回路基板そしてその電子回路については、高密度化,微細化の進展が著しく、エッチファクターのより一段の改善や、エッチレートのより一層の改善が、強く望まれていた。
これらについて、更に詳述する。形成される電子回路のパターンに関し、図7の(2)図は、断面が矩形の理想例を示す。(3)図は、これに近い断面よりなる良い例を示す。これに対し(4)図は、断面が急傾斜の台形状をなす悪い例を示す。図中、Lは回路幅(ボトム幅)、Tは頂面幅(トップ幅)、Sは回路間スペース、Hは回路高さ(深さ)である。
そしてエッチング装置9については、従来、高密度化,微細化が進む回路Kに対応すべく、より精度の高いエッチング、つまり図7の(3)図に示したように断面矩形に近く仕上がった回路Kパターン形成が、強く望まれていた。エッチファクター(Etch Factor)の一段の向上ニーズが、強まっていた。
又、このようなエッチングのスピードの向上、より一層のエッチレート(Etch Rate)の向上ニーズも強かった。
By the way, the following first, second, and third problems have been pointed out with respect to such a conventional etching apparatus 9.
<< First: Improvement of etch factor and etch rate >>
First, there was a strong demand for improvement in etch factor and etch rate.
That is, as described above, the electronic circuit board and its electronic circuit have been remarkably advanced in density and miniaturization, and further improvement of the etch factor and further improvement of the etch rate are strongly desired. It was.
These will be further described in detail. Regarding the pattern of the electronic circuit to be formed, FIG. 7B shows an ideal example having a rectangular cross section. (3) The figure shows a good example of a cross section close to this. On the other hand, FIG. (4) shows a bad example in which the cross section forms a trapezoid with a steep slope. In the figure, L is a circuit width (bottom width), T is a top surface width (top width), S is an inter-circuit space, and H is a circuit height (depth).
As for the etching apparatus 9, a highly accurate etching, that is, a circuit that is finished close to a rectangular cross section as shown in FIG. K pattern formation has been strongly desired. The need for further improvement in etch factor was growing.
Further, there has been a strong need for improving the etching speed and further improving the etch rate.

《第2:エッチング均一性の維持》
第2に、エッチング均一性の維持が、課題となっていた。
さて、上述したエッチファクター向上やエッチレート向上は、エッチング液Bが、より強いインパクトのスプレー打力(スプレーノズル4から噴射されたエッチング液Bが、基板材Aに衝突,噴射する時の強さ)により、実現される。そして、強いインパクトのスプレー打力は、スプレーノズル4と基板材A間の上下間隔距離Eを、より近くすることにより実現される。
すなわち、従来例のエッチング装置9において、スプレーノズル4を基板材Aに、より近づけることにより、すなわち従来例,一般例では、90mm以上であった上下間隔距離Eを、短く設定することにより、強いスプレー打力そしてエッチファクターやエッチレート向上が実現される。
<< Second: Maintenance of etching uniformity >>
Second, maintenance of etching uniformity has been a problem.
The above-described improvement in etch factor and etch rate are achieved by the etching solution B having a stronger impact spray strength (strength when the etching solution B sprayed from the spray nozzle 4 collides with and sprays the substrate material A). ). A strong impact spray hitting force is realized by making the vertical distance E between the spray nozzle 4 and the substrate material A closer.
That is, in the etching apparatus 9 of the conventional example, the spray nozzle 4 is made closer to the substrate material A, that is, the vertical distance E, which is 90 mm or more in the conventional example and the general example, is set short. Improved spray hitting force, etch factor and etch rate.

しかしながら上下間隔距離Eを近づけると、エッチング均一性(ユニフォミティー)(Uniformity)が害され悪化する、という問題が生じてしまう。
この問題について、更に詳述する。噴射されたエッチング液Bは、ノーマルな状態においては、基板材Aの上面や下面の外表面を左右方向Gに流れ、基板材Aをエッチングした後、左右両サイドから流下,排出され、もって順次新鮮な液へと更新される。
これに対し、スプレーノズル4を近づけスプレー打力をより強くすると、形成される回路Kの深さや幅にバラツキが生じ、エッチング均一性が損なわれ易くなる。
すなわち、基板材Aの上面や下面の外表面について、a.スプレーノズル4の真下であるか否かでエッチング液Bのスプレー打力に差が生じる、b.エッチング液Bの流れ,更新が阻害される。c.エッチング液Bが飛散したり前後方向Cにも流れる、d.液溜まりや滞留が発生する。等々により、エッチングの過不足,遅速が発生してしまう。
However, when the vertical distance E is made closer, there arises a problem that the etching uniformity is deteriorated and deteriorated.
This problem will be further described in detail. In a normal state, the sprayed etching solution B flows in the left-right direction G on the outer surface of the upper surface and the lower surface of the substrate material A. After etching the substrate material A, it flows down and is discharged from both the left and right sides. Updated to fresh liquid.
On the other hand, when the spray nozzle 4 is moved closer and the spray hitting force is further increased, the depth and width of the formed circuit K vary, and the etching uniformity is likely to be impaired.
That is, for the outer surfaces of the upper surface and the lower surface of the substrate material A, a. A difference occurs in the spray hitting force of the etching solution B depending on whether or not it is directly below the spray nozzle 4; b. The flow and update of the etching solution B are hindered. c. Etching solution B is scattered or flows in the front-rear direction C. d. Liquid accumulation or stagnation occurs. Etching causes excessive or insufficient etching and slow speed.

従来のエッチング装置9にあっても、上側にダムロール10を設ける、上側のスプレーノズル4を傾斜させる等、基板材A上面のエッチング液Bの流れ規制策、つまりエッチング均一性の維持策が講じられていたが、強いスプレー打力への対応策としては不十分であった。
例えば、強いスプレー打力により、エッチング液Bが基板材Aから跳ね返って、前後方向Cに飛散する虞があった。又、噴射されたエッチング液Bが自然落下,自重落下するので、エッチング均一性に問題ないとされていた基板材Aの下面についても、強いスプレー打力の場合は、問題発生が懸念されていた。
エッチファクターやエッチレートの向上に伴い、エッチング均一性が損なわれることが指摘されており、大きな課題となっていた。
Even in the conventional etching apparatus 9, measures for restricting the flow of the etching solution B on the upper surface of the substrate material A, such as providing a dam roll 10 on the upper side and tilting the upper spray nozzle 4, that is, measures for maintaining etching uniformity are taken. However, it was insufficient as a countermeasure against strong spray hitting force.
For example, there is a possibility that the etching solution B will bounce off the substrate material A and scatter in the front-rear direction C due to a strong spray hitting force. In addition, since the jetted etching solution B naturally falls and falls under its own weight, there is a concern about the occurrence of problems in the case of a strong spray hitting force even on the lower surface of the substrate material A that has been considered to have no problem in etching uniformity. .
It has been pointed out that the etching uniformity is impaired as the etch factor and the etching rate are improved, which is a big problem.

《第3:搬送安定性の確保》
第3に、搬送安定性の確保が、課題となっていた。
電子回路基板そして基板材Aは、軽量化,極薄化,フレキシブル化等の進展が著しい。そしてエッチング装置9では、基板材Aは、コンベア2の上下のホイール3群で挟まれて搬送される。
これに対し、上述したように基板材A上面のエッチング均一性維持策として、ダムロール10が設けられているが、その分だけ、代わりに上側のホイール3について、使用が控えられ欠如,削除されている。ホイール3に代え、ダムロール10が設けられていた次第である。
又、基板材A下面のエッチング均一性維持策として、要部について、ホイール3に代え新たにダムロールを設けることも検討されたが、その分だけ、代わりに下側のホイール3の使用が控えられ欠如,削減されてしまう。
これでは、軽量化,極薄化が著しい基板材Aを、安定搬送できない虞が生じ、搬送中の基板材Aの落下等の危険も指摘される。
そこで、前述したエッチファクター,エッチレートの向上、そしてエッチング均一性の維持に拘らず、基板材Aの搬送安定性が確保されることが要請されており、大きな課題となっていた。
<< Third: Ensuring transport stability >>
Thirdly, ensuring transport stability has been a problem.
Electronic circuit boards and board materials A have made significant progress in terms of weight reduction, ultrathinning, and flexibility. In the etching apparatus 9, the substrate material A is sandwiched between the upper and lower wheels 3 of the conveyor 2 and conveyed.
On the other hand, as described above, the dam roll 10 is provided as a measure for maintaining the etching uniformity of the upper surface of the substrate material A. However, the use of the upper wheel 3 is refrained from being omitted and deleted instead. Yes. Instead of the wheel 3, a dam roll 10 is provided.
In addition, as a measure for maintaining the etching uniformity on the lower surface of the substrate material A, it has been considered to provide a new dam roll instead of the wheel 3 for the main part. However, the use of the lower wheel 3 can be avoided instead. Lack or reduction.
In this case, there is a possibility that the substrate material A, which has been significantly reduced in weight and thickness, may not be stably transported, and it is pointed out that the substrate material A may be dropped during transportation.
Therefore, it has been required to ensure the conveyance stability of the substrate material A regardless of the improvement of the etching factor and the etching rate described above and the maintenance of the etching uniformity.

《本発明について》
本発明の基板材のエッチング装置は、このような実情に鑑み、上記従来技術の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第1に、エッチファクターやエッチレートが向上し、第2に、エッチング均一性が維持され、第3に、これらと同時に搬送安定性が確保される、基板材のエッチング装置を提案することを目的とする。
<< About the present invention >>
In view of such circumstances, the substrate material etching apparatus of the present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art.
The first aspect of the present invention is an apparatus for etching a substrate material, in which an etching factor and an etching rate are improved, secondly, etching uniformity is maintained, and thirdly, transport stability is ensured at the same time. The purpose is to propose.

《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、特許請求の範囲に記載したように、次のとおりである。
請求項1については、次のとおり。
請求項1の基板材のエッチング装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、コンベアにて搬送される基板材両面に、スプレーノズルからエッチング液を噴射して、エッチングする。そして、上下のダムロール,上側の液止めバー,下側の渡り治具を、有している。
該コンベアは、上下のホイール群で該基板材を挟んで搬送する。
該スプレーノズルは、搬送される該基板材に各スプレーゾーンで対向位置して、上下,左右,前後に多数配されると共に、左方向又は右方向に向け斜めに傾斜して配設されている。
該ダムロールは、ストレートローラーよりなり、該スプレーゾーンを介し前後対をなして配されると共に、搬送される該基板材に接すべく配設され、もって噴射された該エッチング液が、該基板材の上面や下面を前後に流れるのを規制する。
該液止めバーは、該エッチング液が該ダムロールを越えて、前後に流出するのを規制する。
該渡り治具は、左右,前後に多数配設され、もって搬送される該基板材の下面を当接保持すること、を特徴とする。
<About each claim>
The technical means of the present invention for solving such a problem is as follows, as described in the claims.
About Claim 1, it is as follows.
The substrate material etching apparatus according to the first aspect is used in the manufacturing process of the electronic circuit board, and etches the both sides of the substrate material conveyed by the conveyor by spraying an etching solution from the spray nozzle. And it has an upper and lower dam roll, an upper liquid stop bar, and a lower transition jig.
The conveyor conveys the substrate material between upper and lower wheel groups.
The spray nozzles are opposed to the substrate material to be conveyed in each spray zone, and are arranged in a large number in the upper, lower, left, and front, and are inclined obliquely toward the left or right direction. .
The dam roll is composed of a straight roller, and is arranged in a front-rear pair via the spray zone. The dam roll is arranged to come into contact with the substrate material to be transported, and the sprayed etching liquid is the substrate material. To flow back and forth on the upper and lower surfaces of the.
The liquid stop bar restricts the etchant from flowing back and forth beyond the dam roll.
A large number of the crossing jigs are arranged on the left, right, front and back, and the lower surface of the substrate material to be conveyed is in contact with and held.

請求項2については、次のとおり。
請求項2の基板材のエッチング装置では、請求項1において、該スプレーノズルは、該基板材との間の上下間隔距離が、30mm以上〜80mm以下に設定されており、もって該エッチング液が、強いインパクトのスプレー打力で該基板材に噴射されること、を特徴とする。
請求項3については、次のとおり。
請求項3の基板材のエッチング装置では、請求項2において、該スプレーノズルは、噴射圧が0.1MPa以上〜0.3MPa以下で、相互間の左右ピッチ間隔が30mm以上〜60mm以下で、傾斜噴射角度が10度以上〜30度以下に設定されていること、を特徴とする。
請求項4については、次のとおり。
請求項4の基板材のエッチング装置では、請求項3において、該渡り治具は、略縦板状をなし、該ダムロールとその前後の該ホイールの軸との間に掛け渡されており、前後方向に略直線状をなす上端縁が、該ダムロール付近を搬送される該基板材の下面に下側から接すること、を特徴とする。
About Claim 2, it is as follows.
In the substrate material etching apparatus according to claim 2, in claim 1, the spray nozzle is set such that the vertical distance between the spray nozzle and the substrate material is set to 30 mm or more and 80 mm or less. It is characterized by being sprayed onto the substrate material with a spray impact having a strong impact.
About Claim 3, it is as follows.
In the substrate material etching apparatus according to claim 3, in claim 2, the spray nozzle has an injection pressure of 0.1 MPa to 0.3 MPa, a left-right pitch interval of 30 mm to 60 mm, and an inclination. The injection angle is set to 10 degrees or more and 30 degrees or less.
About Claim 4, it is as follows.
In the substrate material etching apparatus according to claim 4, in claim 3, the bridging jig has a substantially vertical plate shape and is stretched between the dam roll and the shaft of the wheel before and after the dam roll. An upper end edge that is substantially linear in a direction is in contact with the lower surface of the substrate material conveyed near the dam roll from below.

請求項5については、次のとおり。
請求項5の基板材のエッチング装置では、請求項4において、該スプレーノズルと該基板材間の上記上下間隔距離の設定により、エッチファクターおよびエッチレートが向上する。
このような上記上下間隔距離の設定に拘らず、該スプレーノズルの上記左右ピッチ間隔や上記傾斜噴射角度の設定、および該ダムロールや該液止めバーの配設により、エッチング均一性が維持される。
そして、このような上下の該ダムロールの配設に拘らず、該渡り治具の配設により、該基板材の搬送安定性が確保されること、を特徴とする。
請求項6については、次のとおり。
請求項6の基板材のエッチング装置では、請求項5において、該ダムロールは、駆動されると共に上下で対向配設されており、もって該基板材を挟んで搬送することにより、該基板材の搬送安定性が更に確保されること、を特徴とする。
About Claim 5, it is as follows.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for etching a substrate material according to the fourth aspect, wherein the etching factor and the etching rate are improved by setting the vertical distance between the spray nozzle and the substrate material.
Regardless of the setting of the vertical distance, the etching uniformity is maintained by setting the horizontal pitch interval and the inclined spray angle of the spray nozzle and disposing the dam roll and the liquid stop bar.
In addition, regardless of the arrangement of the upper and lower dam rolls, the conveyance stability of the substrate material is ensured by the arrangement of the transition jig.
About Claim 6, it is as follows.
The substrate material etching apparatus according to claim 6 is the substrate material etching device according to claim 5, wherein the dam roll is driven and is disposed opposite to the upper and lower sides, so that the substrate material is conveyed by sandwiching the substrate material. It is characterized by further ensuring stability.

《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
(1)エッチング装置では、コンベアで搬送される基板材の両面に、スプレーノズルからエッチング液を噴射してエッチングする。
(2)そして本発明では、スプレーノズルと基板材間の上下間隔距離が、30mm〜80mmに設定されている。
(3)このように両者が接近しているので、エッチング液が強いスプレー打力で基板材に噴射され、エッチファクターやエッチレートが向上する。
(4)スプレーノズルの噴射圧は0.1Mpa〜0.3Mpaであり、その能力を上げることなく、このような強いスプレー打力は実現される。
(5)ところで本発明は、上下のダムロールと、液止めバーと、スプレーノズルの密な左右ピッチ間隔30mm〜60mmと、スプレーノズルの10度〜30度の傾斜噴射角度等を、組み合わせて採用してなる。
(6)そこで、エッチング液が強いスプレー打力で噴射されるにも拘らず、前後への飛散,流出,インパクト差,液溜まり,滞留等の発生が防止されるようになる。エッチング液は、所期の通り基板材を左右に流れてエッチングした後、両サイドから流下,排出,更新される。
もって、エッチングの過不足,遅速は回避され、回路がバラツキなく形成され、エッチング均一性は維持される。
(7)ところで本発明では、多くのダムロールが設けられており、その分だけ、代わりにコンベアのホイールの使用が控えられ欠如,削減せしめられている。
(8)そこで本発明では、渡り治具が、ダムロール付近を搬送される基板材を、下側から保持してサポートする。
又、上下のダムロールが、搬送される基板材を挟んで、サポート搬送する。もって、ホイール数の減少にも拘わらず、搬送安定性が確保される。
(9)本発明のエッチング装置は、以上のように、エッチファクターやエッチレート向上にも拘わらず、エッチング均一性が維持される。そして、エッチング均一性維持にも拘わらず、搬送安定性が確保される。
(10)そこで、本発明に係る基板材のエッチング装置は、次の効果を発揮する。
<About the action>
Since the present invention comprises such means, the following is achieved.
(1) In the etching apparatus, etching is performed by spraying an etching solution from a spray nozzle onto both surfaces of a substrate material conveyed by a conveyor.
(2) In the present invention, the vertical distance between the spray nozzle and the substrate material is set to 30 mm to 80 mm.
(3) Since the two are close to each other as described above, the etching solution is sprayed onto the substrate material with a strong spray hitting force, and the etch factor and the etch rate are improved.
(4) The spray pressure of the spray nozzle is 0.1 Mpa to 0.3 Mpa, and such a strong spray hitting force is realized without increasing its capability.
(5) By the way, the present invention employs a combination of upper and lower dam rolls, liquid stop bars, dense left and right pitch intervals of spray nozzles of 30 mm to 60 mm, and inclined spray angles of 10 to 30 degrees of spray nozzles. It becomes.
(6) Therefore, even though the etching solution is sprayed with a strong spray hitting force, the occurrence of scattering to the front and rear, outflow, impact difference, liquid accumulation, retention and the like is prevented. The etchant flows and etches the substrate material from side to side as expected, then flows down from both sides, and is discharged and renewed.
Accordingly, excessive or insufficient etching and slow speed are avoided, circuits are formed without variation, and etching uniformity is maintained.
(7) By the way, in the present invention, many dam rolls are provided, and accordingly, the use of the wheels of the conveyor is constrained and reduced or reduced accordingly.
(8) Accordingly, in the present invention, the transition jig holds and supports the substrate material conveyed near the dam roll from the lower side.
Also, the upper and lower dam rolls support and sandwich the substrate material to be transported. Therefore, the conveyance stability is ensured despite the decrease in the number of wheels.
(9) As described above, the etching apparatus of the present invention maintains the etching uniformity despite the improvement in the etch factor and the etch rate. In addition, the conveyance stability is ensured in spite of maintaining the etching uniformity.
(10) Therefore, the substrate material etching apparatus according to the present invention exhibits the following effects.

《第1の効果》
第1に、エッチファクターやエッチレートが向上する。
本発明のエッチング装置は、スプレーノズルと基板材間の上下間隔距離が近く設定されており、エッチング液が強いインパクトのスプレー打力で、基板材に噴射される。
そこで、エッチファクターが向上すると共にエッチレートも向上し、高密度化,微細化が進展する回路基板に確実かつ速やかに対応可能である。
<< First effect >>
First, the etch factor and etch rate are improved.
In the etching apparatus of the present invention, the vertical distance between the spray nozzle and the substrate material is set close, and the etching solution is sprayed onto the substrate material with a spray impact having a strong impact.
Therefore, the etch factor is improved and the etch rate is improved, so that it is possible to reliably and promptly cope with a circuit board in which density and miniaturization progress.

《第2の効果》
第2に、エッチング均一性が維持される。
本発明のエッチング装置は、下側にもダムロールが配設され、上側には液止めバーが配設され、上下スプレーノズルについて、左右ピッチ間隔が密に設定されると共に、傾斜配設されている。
もって、エッチングの過不足,遅速は回避され、回路がバラツキなく形成される。上述したように、エッチファクターやエッチレート向上のため、スプレーノズルを基板材に近づけて、スプレー打力を高めたにも拘らず、エッチング均一性は維持される。
<< Second effect >>
Second, etching uniformity is maintained.
In the etching apparatus of the present invention, a dam roll is also disposed on the lower side, a liquid stop bar is disposed on the upper side, and the left and right pitch intervals are set densely and inclined with respect to the upper and lower spray nozzles. .
Therefore, excessive or insufficient etching and slow speed are avoided, and the circuit is formed without variation. As described above, in order to improve the etch factor and etch rate, the etching uniformity is maintained despite the fact that the spray nozzle is brought closer to the substrate material to increase the spray hitting force.

《第3の効果》
第3に、これらと同時に搬送安定性が確保される。
本発明のエッチング装置は、渡り治具が配設されており、基板材を下側から保持して搬送をサポートする。又、上下のダムロールが、基板材を挟んでサポート搬送する。
そこで、エッチング均一性維持のため、上述したように上下にダムロールを配設し、その分だけ、ホイールの使用が控えられたにも拘らず、搬送安定性は変わらず確保される。
このように、この種従来技術に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
《Third effect》
Thirdly, conveyance stability is ensured simultaneously with these.
The etching apparatus of the present invention is provided with a crossing jig, and supports the conveyance by holding the substrate material from the lower side. The upper and lower dam rolls support and convey the substrate material.
Therefore, in order to maintain the etching uniformity, the dam rolls are arranged above and below as described above, and the conveyance stability is ensured without changing the use of the wheel.
As described above, the effects exerted by the present invention are remarkably large, such as all the problems existing in this type of prior art are solved.

本発明に係る基板材のエッチング装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、要部の側面説明図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory side view of a main part of an apparatus for etching a substrate material according to the present invention. 同発明を実施するための形態の説明に供し、(1)図は、要部の平面説明図、(2)図は、要部の底面説明図である。It uses for description of the form for implementing this invention, (1) A figure is a plane explanatory view of the principal part, (2) A figure is bottom face explanatory drawing of the principal part. 従来例の説明に供し、要部の側面説明図である。It is a side explanatory view of the principal part for explanation of a conventional example. 従来例の説明に供し、(1)図は、要部の平面説明図、(2)図は、要部の底面説明図である。For the description of the conventional example, (1) is a plan explanatory view of the main part, and (2) is a bottom explanatory view of the main part. (1)図は、同発明を実施するための形態の説明に供し、要部の正面説明図である。(2)図は、従来例の説明に供し、要部の正面説明図である。(1) A figure is a front explanatory drawing of the principal part for explanation of the form for carrying out the invention. (2) The figure is a front explanatory view of the main part for explaining the conventional example. (1)図は、同発明を実施するための形態の説明に供し、渡り治具の側面図である。(2)図は、エッチング装置の一般例の側面図である。(1) The figure is a side view of a transition jig for explaining the embodiment for carrying out the invention. (2) FIG. 2 is a side view of a general example of an etching apparatus. 電子回路基板の説明に供する。そして(1)図は、平面説明図である。(2)図,(3)図,(4)図は、回路の拡大した断面説明図であり、(2)図は理想例、(3)図は良い例、(4)図は悪い例を示す。It is used for explanation of the electronic circuit board. And (1) figure is plane explanatory drawing. (2) Figures, (3) and (4) are enlarged cross-sectional explanatory views of the circuit. (2) Figure is an ideal example, (3) Figure is a good example, and (4) Figure is a bad example. Show. 電子回路基板の説明に供し、回路の断面写真である。そして(1)図は、同発明を実施するための形態の説明に供し、(2)図は、従来例の説明に供する。It is a cross-sectional photograph of a circuit for explanation of an electronic circuit board. And (1) figure is used for description of the form for implementing this invention, and (2) figure is used for description of a prior art example. 同発明を実施するための形態の説明に供し、エッチレートのグラフである。It is for the description of the form for implementing this invention, and is a graph of an etch rate.

以下、本発明について、図面を参照して詳細に説明する。
《本発明の概要》
まず、本発明の概要については、次のとおり。
本発明に係る基板材Aのエッチング装置11は、電子回路基板Jの製造工程で使用され、コンベア2にて搬送される基板材Aの両面に、スプレーノズル4からエッチング液Bを噴射してエッチングする。そして上下のダムロール10,12、上側の液止めバー13、下側の渡り治具14を、有している。
そしてまず、スプレーノズル4と基板材A間の上下間隔距離Eの設定により、エッチファクターやエッチレートが向上する。
そして、このような上下間隔距離Eの設定に拘らず、スプレーノズル4の左右ピッチ間隔Fや傾斜噴射角度αの設定、および上下ダムロール10,12や液止めバー13の配設により、エッチング均一性が維持される。
しかも、このような上下のダムロール10,12の配設に拘らず、渡り治具14の配設により、基板材Aの搬送安定性が確保される。
このように本発明は、エッチレートやエッチファクター向上に拘らず、エッチング均一性が維持される。そして、エッチング均一性が維持されるに拘わらず、搬送安定性が確保される。
本発明の概要については、以上のとおり。以下、このような本発明の基板材Aのエッチング装置11について、更に詳述する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<< Outline of the Invention >>
First, the outline of the present invention is as follows.
The substrate material A etching apparatus 11 according to the present invention is used in the manufacturing process of the electronic circuit board J, and etches by spraying the etching solution B from the spray nozzle 4 onto both surfaces of the substrate material A conveyed by the conveyor 2. To do. And it has the upper and lower dam rolls 10 and 12, the upper liquid stop bar 13, and the lower transition jig 14.
First, the etching factor and the etching rate are improved by setting the vertical distance E between the spray nozzle 4 and the substrate material A.
Regardless of the setting of the vertical distance E, the etching uniformity can be achieved by setting the horizontal pitch distance F and the inclined spray angle α of the spray nozzle 4 and the arrangement of the upper and lower dam rolls 10 and 12 and the liquid stop bar 13. Is maintained.
Moreover, regardless of the arrangement of the upper and lower dam rolls 10 and 12, the conveyance stability of the substrate material A is ensured by the arrangement of the transition jig 14.
As described above, in the present invention, the etching uniformity is maintained regardless of the improvement in the etching rate and the etching factor. In addition, the conveyance stability is ensured despite the etching uniformity being maintained.
The outline of the present invention is as described above. Hereinafter, the etching apparatus 11 for the substrate material A according to the present invention will be described in more detail.

《電子回路基板Jについて》
本発明のエッチング装置11は、電子回路基板Jの製造工程で使用される。そこでまず電子回路基板Jについて、図7を参照して一般的に説明しておく。
プリント配線基板等の電子回路基板Jは、小型軽量化,極薄化,フレキシブル化等の進展が著しく、形成される電子回路Kも、高密度化,微細化が顕著である。
そして、その製造工程で使用される基板材Aは、絶縁基材に銅箔が張り付けられた銅張り積層板よりなる。そして、500mm×400mmサイズや、600mm×500mmサイズで、肉厚0.06mm×1.6mm程度のものが代表的である。
形成される電子回路Kについては、回路幅(ボトム幅)Lが5μm〜40μm程度、回路間スペースSが5μm〜40μm程度、回路高さ(深さ)Hが12μm〜35μm程度のものが、多くなってきている。
<< Electronic circuit board J >>
The etching apparatus 11 of the present invention is used in the manufacturing process of the electronic circuit board J. First, the electronic circuit board J will be generally described with reference to FIG.
The electronic circuit board J such as a printed wiring board is remarkably progressed in size reduction, weight reduction, ultrathinning, and flexibility, and the formed electronic circuit K is also markedly increased in density and miniaturization.
And the board | substrate material A used by the manufacturing process consists of a copper clad laminated board by which copper foil was affixed on the insulating base material. A typical one having a size of 500 mm × 400 mm or 600 mm × 500 mm and a thickness of about 0.06 mm × 1.6 mm is typical.
Many of the electronic circuits K to be formed have a circuit width (bottom width) L of about 5 μm to 40 μm, an inter-circuit space S of about 5 μm to 40 μm, and a circuit height (depth) H of about 12 μm to 35 μm. It has become to.

電子回路基板Jは、表裏に電子回路Kが形成される両面基板よりなり、硬質のリジットタイプとフィルム状のフレキシブルタイプとに分けられるが、更に多層タイプ,その他各種タイプのものも出現している。本発明は、従来よりのプリント配線基板の外、このような各種タイプの電子回路Kにも、広く適用される。
このような電子回路基板Jの製造方法としては、サブトラクティブ法(前述した背景技術欄を参照)、セミアディティブ法,その他各種の製造方法が知られており、本発明は、このような各製造方法について適用される。例えば、ハーフエッチング,ソフトエッチング,クイックエッチング等でも使用される。
電子回路基板Jについては、以上のとおり。
The electronic circuit board J is composed of a double-sided board on which the electronic circuit K is formed on the front and back sides, and is divided into a rigid rigid type and a film-like flexible type. . The present invention is widely applied to various types of electronic circuits K in addition to conventional printed wiring boards.
As a method for manufacturing such an electronic circuit board J, a subtractive method (see the background art section described above), a semi-additive method, and other various manufacturing methods are known. Applied about the method. For example, half etching, soft etching, quick etching, etc. are used.
The electronic circuit board J is as described above.

《エッチング装置11》
以下、本発明のエッチング装置11について、説明する。まずエッチング装置11について、図1,図2,図5の(1)図等を参照して、一般的に説明する。
エッチング装置11は、上述した電子回路基板Jの製造工程で使用され、コンベア2にて水平搬送される基板材Aの上下両面に対し、上下のスプレーノズル4からエッチング液Bを噴射して、エッチング処理する。
エッチング液Bは、塩化第二銅,塩化第二鉄,その他の腐食液よりなり、基板材Aについて、露出した銅箔部分を溶解除去する。エッチング処理後のエッチング液Bは、図6の(2)図にも示したように、チャンバー5の液槽6へと流下,回収,貯留された後、スプレーポンプ7,フィルター,スプレー管8等を経由し、スプレーノズル4へと循環供給されて再使用される。
<< Etching device 11 >>
Hereinafter, the etching apparatus 11 of the present invention will be described. First, the etching apparatus 11 will be generally described with reference to FIG. 1, FIG. 2, FIG.
The etching apparatus 11 is used in the above-described manufacturing process of the electronic circuit board J, and etches the etching liquid B from the upper and lower spray nozzles 4 onto both the upper and lower surfaces of the substrate material A that is horizontally conveyed by the conveyor 2. To process.
The etching solution B is made of cupric chloride, ferric chloride, or other corrosive solution, and dissolves and removes the exposed copper foil portion of the substrate material A. The etching solution B after the etching process flows down to the liquid tank 6 of the chamber 5 and is collected and stored as shown in FIG. 6 (2), and then the spray pump 7, the filter, the spray tube 8 and the like. Circulated to the spray nozzle 4 and reused.

コンベア2は、上下のホイール3群で基板材Aを挟んで、搬送方向(前後方向)Cに搬送する。ホイール3は、例えば径32mmの駆動されるリングホイールよりなり、前後,左右,上下に多数配設されている。
多くのホイール3は、上下で対応位置しているが、下側スプレーゾーンZ上では上側のみに配設され、上側スプレーゾーンZ下では下側のみに配設されている。各ホイール3は、それぞれホイール軸15に取付けられている。
各ホイール軸15は、搬送方向Cに等ピッチ間隔で配列されている。勿論、ダムロール10,12が配設される箇所については、配列が欠如される。ダムロール10,12配設箇所については、ホイール軸15の配列そしてホイール3の配設が、控えられることになる。つまり、ホイール軸15やホイール3に代えて、ダムロール10,12が配設されている次第である。
そして、例えば15個のホイール3が、左右方向(幅方向)Gの各ホイール軸15に、それぞれ等ピッチ間隔で配設されるが、下側のスプレーゾーンZ付近に配設されるものについては、より少数個となっている。
すなわち下側は、搬送される基板材Aの落下防止のため、上側に比し、スプレーゾーンZにより近接してホイール軸15そしてホイール3が配設されるが、エッチング液Bの噴射の邪魔となることの回避のため、ホイール3の数が間引きされており少ない個数となっている。
各ホイール軸15は、チャンバー5内左右に設けられたホルダーフレーム(図示せず)間に、架設されている。なお、搬送方向(前後方向)Cに観察した場合、前後に位置する各ホイール3は、一部オーバーラップする位置関係で配設されている。
エッチング装置11の一般的説明については、以上のとおり。
The conveyor 2 conveys the substrate material A between the upper and lower wheels 3 in the conveying direction (front-rear direction) C. The wheel 3 is composed of, for example, a driven ring wheel having a diameter of 32 mm, and a large number are arranged on the front, rear, left, and right.
Many wheels 3 correspond to each other in the vertical direction, but are disposed only on the upper side on the lower spray zone Z, and are disposed only on the lower side below the upper spray zone Z. Each wheel 3 is attached to a wheel shaft 15.
The wheel shafts 15 are arranged at equal pitch intervals in the transport direction C. Of course, the arrangement of the dam rolls 10 and 12 is lacking. As for the dam rolls 10 and 12, the arrangement of the wheel shafts 15 and the arrangement of the wheels 3 are refrained. That is, instead of the wheel shaft 15 and the wheel 3, the dam rolls 10 and 12 are provided.
For example, 15 wheels 3 are arranged on each wheel shaft 15 in the left-right direction (width direction) G at equal pitch intervals, but those arranged near the lower spray zone Z are as follows. , Has become a smaller number.
That is, on the lower side, the wheel shaft 15 and the wheel 3 are disposed closer to the spray zone Z than the upper side in order to prevent the transported substrate material A from falling. In order to avoid this, the number of wheels 3 is thinned out, and the number is small.
Each wheel shaft 15 is installed between holder frames (not shown) provided on the left and right sides of the chamber 5. When observed in the conveyance direction (front-rear direction) C, the respective wheels 3 positioned in the front-rear direction are arranged in a partially overlapping positional relationship.
The general description of the etching apparatus 11 is as described above.

《スプレーノズル4について》
まず、本発明のエッチング装置11のスプレーノズル4について、図1,図2,図5の(1)図等を参照して、説明する。
スプレーノズル4は、搬送される基板材Aに各スプレーゾーンZで対向位置して、上下,左右,前後に多数配されると共に、左方向又は右方向に向け斜めに傾斜して配設されている。
そして、基板材Aとの間の上下間隔距離Eが、30mm以上〜80mm以下に設定されており、もってエッチング液Bが、強いインパクトのスプレー打力で基板材Aに噴射されるようになっている。
又、噴射圧が、0.1MPa以上〜0.3MPa以下で、相互間の左右ピッチ間隔Fが、30mm以上〜60mm以下で、傾斜噴射角度αが、10度以上〜30度以下に設定されている。
<About spray nozzle 4>
First, the spray nozzle 4 of the etching apparatus 11 of the present invention will be described with reference to FIG. 1, FIG. 2, FIG.
The spray nozzles 4 are arranged facing the substrate material A to be conveyed in each spray zone Z, and are arranged in a large number in the upper, lower, left and right directions, and are inclined obliquely toward the left or right direction. Yes.
The vertical distance E between the substrate material A is set to 30 mm or more and 80 mm or less, so that the etching solution B is sprayed onto the substrate material A with a strong impact spray hitting force. Yes.
Further, the injection pressure is set to 0.1 MPa to 0.3 MPa, the left and right pitch interval F is set to 30 mm to 60 mm, and the inclined injection angle α is set to 10 degrees to 30 degrees. Yes.

このようなスプレーノズル4について、更に詳述する。スプレーノズル4は、上下方向D,左右方向G,前後方向Cに多数配設されている。図示例のスプレーノズル4は、長ノズルよりなる。
そしてまず、搬送方向(前後方向)Cについて観察した場合、前後に位置するスプレーノズル4相互間が、対応位置しないように、列をなすことがないように、左右方向(幅方向)Gに若干ずれた位置関係となっている。すなわち、前後のスプレーノズル4間が、搬送方向(前後方向)Cに各1列に並ばないように、左右方向Gにずれて配設されている。
もって基板材Aについて、噴射されたエッチング液Bにてスプレー打力を受ける箇所が、同じ軌跡で重ならないように配慮されている。
そしてスプレーノズル4は、次の各設定よりなる。
Such a spray nozzle 4 will be further described in detail. A number of spray nozzles 4 are arranged in the vertical direction D, the horizontal direction G, and the front-back direction C. The spray nozzle 4 in the illustrated example is a long nozzle.
First, when the conveyance direction (front-rear direction) C is observed, the horizontal direction (width direction) G is slightly set so that the spray nozzles 4 positioned in the front-rear direction do not form a row so as not to correspond to each other. The positional relationship is shifted. That is, the space between the front and rear spray nozzles 4 is shifted in the left-right direction G so as not to be arranged in one line in the transport direction (front-rear direction) C.
Therefore, with respect to the substrate material A, consideration is given so that the portions subjected to the spray hitting force by the jetted etching solution B do not overlap on the same locus.
The spray nozzle 4 has the following settings.

まず、上下のスプレーノズル4は、パスラインの基板材Aとの上下方向Dの上下間隔距離Eが、それぞれ、近くに接近すべく設定されている。もってエッチング液Bが、強いインパクトのスプレー打力で、基板材Aに噴射されるようになる(図1,図5の(1)図を参照)。
上下間隔距離Eは、30mm〜80mmに設定される。30mm未満の場合は、スプレーノズル4が基板材Aに接近し過ぎとなり、エッチング液Bにて基板材Aが受けるスプレー打力差,インパクト差,強弱差が顕著化し、基板材Aでのエッチング液Bの跳ね返り,飛散も拡大する。
これに対し、80mmを越えると遠過ぎて、全体的にインパクト不足,スプレー打力不足,エッチング不足となる。
First, the vertical spray distances E in the vertical direction D of the upper and lower spray nozzles 4 and the substrate material A of the pass line are set to approach each other. Thus, the etching solution B is sprayed onto the substrate material A with a strong impact spray hitting force (see FIGS. 1 and 5 (1)).
The vertical distance E is set to 30 mm to 80 mm. If it is less than 30 mm, the spray nozzle 4 becomes too close to the substrate material A, and the spray hitting force difference, impact difference, and strength difference received by the substrate material A in the etching solution B become prominent, and the etching solution in the substrate material A B rebounds and scatters.
On the other hand, if it exceeds 80 mm, it is too far, resulting in insufficient impact, insufficient spray hitting force, and insufficient etching.

次に、上下のスプレーノズル4は、それぞれ、噴射圧が0.1MPa〜0.3MPaに設定される。
0.1MPa未満の場合は弱過ぎて、エッチング液Bの基板材Aへのインパクト不足,スプレー打力不足,エッチング不足となる。これに対し、0.3MPaを越えると強過ぎて、インパクト差,スプレー打力差,強弱差が顕著化し、基板材Aでのエッチング液Bの跳ね返り,飛散が拡大する。
そこで例えば、上側のスプレーノズル4の噴射圧は0.18MPa、下側のスプレーノズル4の噴射圧は0.16MPaに設定される。
Next, the spray pressures of the upper and lower spray nozzles 4 are set to 0.1 MPa to 0.3 MPa, respectively.
If it is less than 0.1 MPa, it is too weak, resulting in insufficient impact of the etching solution B on the substrate material A, insufficient spraying force, and insufficient etching. On the other hand, if it exceeds 0.3 MPa, it is too strong, and the impact difference, the spray hitting force difference, and the strength difference become conspicuous, and the rebound and scattering of the etching solution B on the substrate material A increase.
Therefore, for example, the spray pressure of the upper spray nozzle 4 is set to 0.18 MPa, and the spray pressure of the lower spray nozzle 4 is set to 0.16 MPa.

上下のスプレーノズル4は、それぞれ、搬送方向Cに向け順次は列設された各列について、左右方向Gの左右ピッチ間隔Fが、30mm〜60mmに設定されている。
30mm未満の場合、スプレーノズル4の配設が困難化する。これに対し、60mmを越えると相互間隔が広過ぎて、スプレーノズル4との遠近差により、エッチング液Bのインパクト差,スプレー打力差,強弱差が顕著化する。
For the upper and lower spray nozzles 4, the left-right pitch interval F in the left-right direction G is set to 30 mm to 60 mm for each row sequentially arranged in the transport direction C.
In the case of less than 30 mm, it becomes difficult to dispose the spray nozzle 4. On the other hand, when the distance exceeds 60 mm, the mutual distance is too wide, and the impact difference, the spray hitting force difference, and the strength difference of the etching solution B become conspicuous due to the perspective difference with the spray nozzle 4.

上下のスプレーノズル4は、それぞれ、左右方向Gに向け交互に、斜めに傾斜配設されている(図2,図5の(1)図を参照)。
すなわち、搬送方向Cに向けて列設された各スプレーノズル4は、その各列毎に左右方向Gの右方向又は左方向に順次、交互に向けられている。そして、右方向に向けられた列と、左方向に向けられた列とが、同数列設けられている。
このようなスプレーノズル4の傾斜配設により、基板材Aに噴射されたエッチング液Bの左右方向Gへの流れが促進される。もって、エッチング液Bの更新促進,液溜まり解消,滞留解消が図られる。
従って傾斜噴射角度αは、10度〜30度に設定される。10度未満の場合は、エッチング液Bの流れが促進されないのに対し、30度を越えると、エッチング液Bのインパクト差,スプレー打力差,強弱差が顕著化する。
スプレーノズル4については、以上のとおり。
The upper and lower spray nozzles 4 are alternately inclined in the left-right direction G (see FIGS. 2 and 5 (1)).
That is, the spray nozzles 4 arranged in the transport direction C are alternately directed in the right or left direction of the left-right direction G sequentially for each row. The same number of columns are provided in the right direction and in the left direction.
By such an inclined arrangement of the spray nozzle 4, the flow of the etching solution B sprayed onto the substrate material A in the left-right direction G is promoted. As a result, the renewal of the etching solution B, the solution pool elimination, and the residence elimination are achieved.
Therefore, the inclined injection angle α is set to 10 degrees to 30 degrees. When the angle is less than 10 degrees, the flow of the etching solution B is not promoted. On the other hand, when the angle exceeds 30 degrees, the impact difference, the spray hitting force difference, and the strength difference of the etching solution B become remarkable.
The spray nozzle 4 is as described above.

《ダムロール10,12について》
次に、本発明のエッチング装置11のダムロール10,12について、図1,図2を参照して、説明する。
上下のダムロール10,12は、ストレートローラーよりなり、スプレーゾーンZを介し前後対をなして配されると共に、搬送される基板材Aに接すべく配設されている。もって、噴射されたエッチング液Bが、基板材Aの上面および下面を前後に流れるのを規制する。
又、ダムロール10,12は、駆動されると共に、上下で対向配設されており、もって基板材Aを挟んで搬送する。
<< Dam Roll 10, 12 >>
Next, the dam rolls 10 and 12 of the etching apparatus 11 of the present invention will be described with reference to FIGS.
The upper and lower dam rolls 10 and 12 are made of straight rollers, are arranged in a front-rear pair via the spray zone Z, and are disposed so as to contact the substrate material A to be conveyed. Accordingly, the jetted etching liquid B is restricted from flowing back and forth on the upper and lower surfaces of the substrate material A.
In addition, the dam rolls 10 and 12 are driven and arranged to face each other in the vertical direction, so that the substrate material A is sandwiched and conveyed.

このような上下のダムロール10,12について、更に詳述する。このエッチング装置11では、コンベア2の前後ホイール3間を中心として形成される各スプレーゾーンZ、つまりエッチング液Bの各噴射スペースについて、その前後にそれぞれダムロール10,12が、対をなして配設されている。
上側の各スプレーノズル4の列に対応して、前後対をなすダムロール10がそれぞれ配設され、下側のスプレーノズル4の列に対応して、前後対をなすダムロール12がそれぞれ配設されている。
この上下のダムロール10,12は、例えば径16mmのストレートローラー製よりなる。そして左右方向Gに軸を向けて配設され、駆動付となっており、基板材Aに接触回転する。
そして、この多数のダムロール10,12は、スプレーノズル4から噴射されたエッチング液Bが、基板材Aの上面や下面を伝って前後方向Cに流れることを阻止する。すなわち、エッチング液Bが、左右方向Gのみに流れるように規制し、もってエッチング液Bの更新促進,液溜まり解消,滞留解消が図られている。
又、上下のダムロール10,12は、それぞれ上下で対向する位置に配設されており、もって、コンベア2で搬送される基板材Aを、挟んで搬送する。基板材Aは、コンベア2のホイール3による搬送が、このようなダムロール10,12により補助的にサポートされ、より安定的に搬送されるようになる。
ダムロール10,12については、以上のとおり。
The upper and lower dam rolls 10 and 12 will be described in detail. In this etching apparatus 11, dam rolls 10 and 12 are arranged in pairs before and after each spray zone Z formed around the front and rear wheels 3 of the conveyor 2, that is, each spray space of the etchant B. Has been.
A pair of front and rear dam rolls 10 is arranged corresponding to each row of the upper spray nozzles 4, and a pair of front and rear dam rolls 12 are arranged corresponding to the rows of the lower spray nozzles 4. Yes.
The upper and lower dam rolls 10 and 12 are made of, for example, a straight roller having a diameter of 16 mm. And it arrange | positions with an axis | shaft toward the left-right direction G, and it is with a drive, and rotates in contact with the board | substrate material A.
The numerous dam rolls 10 and 12 prevent the etchant B sprayed from the spray nozzle 4 from flowing in the front-rear direction C along the upper and lower surfaces of the substrate material A. That is, the etching liquid B is regulated so as to flow only in the left-right direction G, thereby promoting renewal of the etching liquid B, elimination of the liquid pool, and elimination of the residence.
Further, the upper and lower dam rolls 10 and 12 are respectively disposed at positions facing each other in the upper and lower directions, and thus transport the substrate material A transported by the conveyor 2 while sandwiching it. The substrate material A is supported by the dam rolls 10 and 12 in an auxiliary manner, so that the substrate 3 is conveyed more stably.
As for the dam rolls 10 and 12, as described above.

《液止めバー13について》
次に、本発明のエッチング装置11の液止めバー13について、図1,図2の(1)図を参照して説明する。液止めバー13は、エッチング液Bが上側のダムロール10を越えて、前後に流出するのを規制すべく、上側に多数配設されている。
すなわち液止めバー13は、左右のホルダーフレーム(図示せず)間に、左右方向Gに固定架設され、もって各ダムロール10に対し僅かな間隔を存しつつ、より高く位置している。
そこで各液止めバー13は、エッチング液Bが、強いインパクトのスプレー打力で基板材Aに噴射されて、跳ね返り,飛散し,溢れ、もって各ダムロール10を越えて、前後方向Dに流出するのを規制する。ダムロール10だけでは溢れてしまうエッチング液Bを、より高位で規制する。
液止めバー13は、エッチング液Bが左右方向Gに流れるように規制する。つまり、ダムロール10による前述した更新促進,液溜まり解消,滞留解消を、補完する。
液止めバー13については、以上のとおり。
<About the liquid stop bar 13>
Next, the liquid stop bar 13 of the etching apparatus 11 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 (1). Many liquid stop bars 13 are arranged on the upper side in order to restrict the etching liquid B from flowing back and forth beyond the upper dam roll 10.
That is, the liquid stop bar 13 is fixedly installed in the left-right direction G between the left and right holder frames (not shown), and thus is positioned higher than the dam rolls 10 with a slight gap.
Then, each liquid stop bar 13 causes the etching liquid B to be sprayed onto the substrate material A with a strong impact spray force, bounces off, scatters, overflows, and thus flows over the dam rolls 10 and flows out in the front-rear direction D. To regulate. The etching solution B that overflows only by the dam roll 10 is regulated at a higher level.
The liquid stop bar 13 restricts the etching liquid B to flow in the left-right direction G. That is, the above-described renewal promotion, liquid pool elimination, and residence elimination by the dam roll 10 are complemented.
The liquid stop bar 13 is as described above.

《渡り治具14について》
次に、本発明のエッチング装置11の渡り治具14について、図1,図2の(2)図,図6の(1)図等を参照して説明する。
渡り治具14は、下側の左右,前後に多数配設され、もって搬送される基板材Aの下面を当接保持する。
すなわち渡り治具14は、略縦板状をなし、下側のダムロール12とその前後のホイール軸15との間に掛け渡されており、前後方向Cに略直線状をなす上端縁が、そのダムロール12付近を搬送される基板材Aの下面に、下側から接する。
<< About the transition jig 14 >>
Next, the transition jig 14 of the etching apparatus 11 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 (2), FIG. 6 (1), and the like.
A large number of crossing jigs 14 are arranged on the lower left, right, front and rear, and abut the lower surface of the substrate material A being conveyed.
That is, the crossing jig 14 has a substantially vertical plate shape, is spanned between the lower dam roll 12 and the front and rear wheel shafts 15, and has an upper end edge that is substantially linear in the front-rear direction C. It contacts the lower surface of the substrate material A conveyed near the dam roll 12 from below.

このような渡り治具14について、更に詳述する。図示例の渡り治具14は、縦板状をなすと共に、3個の係止穴16を備えている。そして、中央の係止穴16が、ダムロール12外周に形成された溝に、嵌入係止され、前後の係止穴16が、ダムロール12前後のホイール軸15に、外嵌係止される。
もって渡り治具14が、下側の各ダムロール12とその前後のホイール軸15との間に、掛け渡されている。そして上端縁が、前後方向Cに略直線状をなしており、上側を搬送通過する基板材A下面を、下側から当接保持する。
このような渡り治具14が、下側の各ダムロール12について、それぞれ、左右方向Gに等ピッチで配設されている。もって、下側からの当接保持により、基板材Aの搬送をサポートするようになっている。
なお渡り治具14は、図示例以外にも各種構成のものが考えられる。例えば、係止穴16が2個よりなり、一方の係止穴16が、ダムロール12の溝に嵌入係止され、他方の係止穴16が、ホイール軸15に外嵌係止される構成も可能である。
Such a transition jig 14 will be further described in detail. The crossing jig 14 in the illustrated example has a vertical plate shape and includes three locking holes 16. The central locking hole 16 is fitted and locked in a groove formed on the outer periphery of the dam roll 12, and the front and rear locking holes 16 are externally fitted and locked to the wheel shafts 15 before and after the dam roll 12.
Accordingly, the crossing jig 14 is stretched between the lower dam rolls 12 and the wheel shafts 15 at the front and rear thereof. The upper end edge is substantially linear in the front-rear direction C, and the lower surface of the substrate material A that is transported and passed from the upper side is held in contact from the lower side.
Such crossing jigs 14 are arranged at equal pitches in the left-right direction G for each of the lower dam rolls 12. Therefore, the conveyance of the substrate material A is supported by the abutting and holding from the lower side.
In addition, the thing of various structures can be considered for the transfer jig 14 besides the example of illustration. For example, there is a configuration in which there are two locking holes 16, one locking hole 16 is fitted and locked in the groove of the dam roll 12, and the other locking hole 16 is fitted and locked to the wheel shaft 15. Is possible.

《作用等》
本発明の基板材Aのエッチング装置11は、以上説明したように構成されている。そこで以下のようになる。
(1)エッチング装置11は、電子回路基板Jの製造工程で使用される。そして、コンベア2のホイール3群にて搬送されるワーク、つまり基板材Aの上下両面に対し、上下,左右,前後に多数配設されたスプレーノズル4から、エッチング液Bを噴射して、基板材Aの上下両面を、エッチングする(図1等を参照)。
《Action etc.》
The substrate material A etching apparatus 11 of the present invention is configured as described above. Then, it becomes as follows.
(1) The etching apparatus 11 is used in the manufacturing process of the electronic circuit board J. Then, an etching solution B is sprayed from a plurality of spray nozzles 4 arranged on the top and bottom, left and right, and front and rear of the workpiece conveyed by the group of wheels 3 of the conveyor 2, that is, the upper and lower surfaces of the substrate material A. The upper and lower surfaces of the plate material A are etched (see FIG. 1 and the like).

(2)さて、電子回路基板Jそして電子回路Kについては、高密度化,微細化の進展が著しく、もって、エッチファクター向上やエッチレート向上の要請が、一段と強まっている。
このようなニーズに答えるべく、このエッチング装置11では、スプレーノズル4として長ノズルが用いられると共に、スプレーノズル4とパスラインの基板材Aとの間の上下間隔距離Eが、30mm〜80mmに設定されている(図1,図5の(1)図を参照)。これに対し、従来例のエッチング装置9では通常、90mm以上であった(図3,図5の(2)図を参照)。
(2) With regard to the electronic circuit board J and the electronic circuit K, the progress of high density and miniaturization is remarkable, and the demand for improving the etch factor and the etch rate is further increased.
In order to answer such needs, in this etching apparatus 11, a long nozzle is used as the spray nozzle 4, and the vertical distance E between the spray nozzle 4 and the substrate material A of the pass line is set to 30 mm to 80 mm. (See FIGS. 1 and 5 (1)). On the other hand, in the etching apparatus 9 of the conventional example, it was usually 90 mm or more (see FIGS. 3 and 5 (2)).

(3)このように、スプレーノズル4と基板材A間が近く接近しているので、エッチング液Bが強いインパクトのスプレー打力で基板材Aに噴射され、もって銅箔が溶解除去される。
従って、精度高いエッチングが実施され、断面が矩形に近く仕上がった回路Kが、パターン形成され(図7の(3)図を参照)、エッチファクターが向上する。更にエッチングに要する時間も短縮され、エッチングスピードそしてエッチレートが向上する。
(3) Since the spray nozzle 4 and the substrate material A are close to each other as described above, the etching solution B is sprayed onto the substrate material A with a strong impact spray hitting force, so that the copper foil is dissolved and removed.
Therefore, etching with high accuracy is performed, and the circuit K having a cross section that is nearly rectangular is patterned (see FIG. 7 (3)), and the etch factor is improved. Further, the time required for etching is shortened, and the etching speed and the etching rate are improved.

(4)しかもこれは、スプレーノズル4の噴射圧やスプレーポンプ7(図6の(2)図を参照)の能力を、上げることなく実現される。スプレーノズル4の噴射圧(スプレー圧)は、従来通り0.1MPa〜0.3MPa程度である。   (4) Moreover, this can be realized without increasing the spraying pressure of the spray nozzle 4 or the capability of the spray pump 7 (see FIG. 6 (2)). The spray pressure (spray pressure) of the spray nozzle 4 is about 0.1 MPa to 0.3 MPa as before.

(5)又、このように近い上下間隔距離Eに基づき、エッチング液Bが強いスプレー打力で基板材Aに噴射されるものの、エッチング均一性は維持される。
これらについて詳述すると、まず、このエッチング装置11では、次の各構成が採用されている。
・上側のみならず下側にも、ダムロール10,12が配設されている(図1,図2を参照)。これに対し、従来例のエッチング装置9では、上側にのみ配設であった(図3,図4を参照)。
・上側には、液止めバー13が配設されている(図1,図2の(1)図を参照)。
・上下のスプレーノズル4は、左右ピッチ間隔Fが30mm〜60mmと密に設定されている(図2を参照)。これに対し、従来例のエッチング装置9では、70mm以上であった(図4を参照)。
・上下のスプレーノズル4は、10度〜30度に設定された傾斜噴射角度αで、傾斜配設されている(図5の(1)図を参照)。これに対し、従来例のエッチング装置9では、上側のみの傾斜配設であった(図5の(2)図を参照)。
(5) Although the etching liquid B is sprayed onto the substrate material A with a strong spray hitting force based on such a close vertical distance E, the etching uniformity is maintained.
When these are described in detail, first, this etching apparatus 11 employs the following configurations.
-Dam rolls 10 and 12 are disposed not only on the upper side but also on the lower side (see FIGS. 1 and 2). On the other hand, the conventional etching apparatus 9 is arranged only on the upper side (see FIGS. 3 and 4).
A liquid stopper bar 13 is disposed on the upper side (see FIGS. 1 and 2 (1)).
The upper and lower spray nozzles 4 have a left-right pitch interval F set densely at 30 mm to 60 mm (see FIG. 2). On the other hand, in the etching apparatus 9 of the conventional example, it was 70 mm or more (see FIG. 4).
The upper and lower spray nozzles 4 are inclined and arranged at an inclination spray angle α set to 10 to 30 degrees (see FIG. 5 (1)). On the other hand, in the etching apparatus 9 of the conventional example, only the upper side is inclined (see FIG. 5B).

(6)このエッチング装置11は、このようなダムロール10,12と、液止めバー13と、スプレーノズル4の左右ピッチ間隔Fと、噴射角度αとを組み合せて採用したことにより、エッチング均一性が維持される。
すなわちエッチング液Bは、強いスプレー打力で噴射されるにも拘らず、基板材Aの上面や下面について、前後に飛散し,流れ,流出することなく、インパクト差も解消され、液溜まりや滞留も発生しない。エッチング液Bは、所期の通り、左右方向Gに流れて、基板材Aをエッチングした後、左右両サイドから流下,排出され、順次新鮮な液へと更新される。
打力が強化されたにも拘わらず、エッチングの過不足,遅速発生は防止され、回路Kが深さや幅にバラツキなく形成される。このように、エッチング均一性は、低下することなく従来と変わらず継続,維持される。
(6) The etching apparatus 11 employs a combination of the dam rolls 10 and 12, the liquid stopper bar 13, the left and right pitch interval F of the spray nozzle 4, and the spray angle α, so that the etching uniformity is improved. Maintained.
That is, although the etching solution B is sprayed with a strong spray hitting force, the upper surface and the lower surface of the substrate material A are scattered back and forth without flowing, flowing out, and the impact difference is eliminated, and the liquid pool and stay Does not occur. As expected, the etching solution B flows in the left-right direction G, etches the substrate material A, then flows down and is discharged from both the left and right sides, and is sequentially updated to a fresh solution.
Although the striking force is strengthened, excessive or insufficient etching and slow generation are prevented, and the circuit K is formed without variations in depth and width. In this way, the etching uniformity is maintained and maintained as before without decreasing.

(7)ところで基板材Aは、コンベア2のホイール3群で、挟んで搬送される。これに対し本発明では、上下共に多くのダムロール10,12が、ホイール3に代えて設けられている。
すなわちコンベア2について、その分だけ、ホイール3の使用が削減され控えられており、多くのホイール3が、ダムロール10,12が設けられた箇所では、部分的に欠如せしめられている(図1,図2の(2)図と、従来例の図3,図4の(2)図とを、比較対照)。
そこでそのままでは、基板材Aの安定搬送に不安が生じてしまう。基板材Aは軽量化,極薄化,フレキシブル化が著しく、特に下側のホイール3の欠如,削減の増加は、搬送中の基板材Aの落下危険等が生じる等、基板材Aの挟みや保持が弱くなり不足する。
(7) By the way, the board | substrate material A is pinched and conveyed by the wheel 3 group of the conveyor 2. FIG. On the other hand, in the present invention, many dam rolls 10 and 12 are provided in place of the wheel 3 in the upper and lower sides.
That is, with respect to the conveyor 2, the use of the wheel 3 is reduced to that extent, and many of the wheels 3 are partially missing at the locations where the dam rolls 10 and 12 are provided (FIGS. 1 and 2). FIG. 2 (2) and the conventional example of FIGS. 3 and 4 (2) are compared for comparison.
Therefore, as it is, anxiety arises in the stable conveyance of the substrate material A. Substrate material A is significantly reduced in weight, thickness, and flexibility. The lack of the lower wheel 3 and the increase in the reduction cause a risk of falling of the substrate material A during transportation. Retention is weak and insufficient.

(8)さてそこで、このエッチング装置11では、渡り治具14が、下側の左右,前後に多数配設されており、コンベア2にてダムロール10,12付近を搬送される基板材Aを、下側から当接保持する(図1,図2の(2)図,図6の(1)図等を参照)。
渡り治具14は、コンベア2のホイール3による基板材Aの搬送を、サポートすべく機能する。
これに加え、上下の各ダムロール10,12も、補助的ではあるが、基板材Aを挟んで搬送する。ダムロール10,12は、前述したように、エッチング均一性をサポートする機能を発揮すると共に、このように、コンベア2による基板材Aの搬送をサポートする機能も発揮する。
このエッチング装置11では、このような渡り治具14とダムロール10,12により、ホイール3の減少にも拘わらず、基板材Aの保持や挟みが補強され、基板材Aの落下の危険等もなく、搬送安定性が変わらず確保される。
(8) Now, in this etching apparatus 11, a large number of crossing jigs 14 are arranged on the lower left and right, front and rear, and the substrate material A transported around the dam rolls 10 and 12 by the conveyor 2, Abutting and holding from the lower side (see FIGS. 1 and 2 (2), FIG. 6 (1), etc.).
The transition jig 14 functions to support the conveyance of the substrate material A by the wheel 3 of the conveyor 2.
In addition to this, the upper and lower dam rolls 10 and 12 are also conveyed while sandwiching the substrate material A, although they are auxiliary. The dam rolls 10 and 12 exhibit the function of supporting the etching uniformity as described above, and also the function of supporting the conveyance of the substrate material A by the conveyor 2 as described above.
In this etching apparatus 11, the holding jig 14 and the dam rolls 10 and 12 reinforce the holding and clamping of the substrate material A despite the reduction of the wheel 3, and there is no risk of the substrate material A falling. As a result, the conveyance stability remains unchanged.

(9)以上のように、本発明のエッチング装置11は、上下間隔距離Eの設定により、エッチファクターやエッチレートが向上する。
そして、このような設定にも拘わらず、左右ピッチ間隔F,傾斜噴射角度αの設定や、上下ダムロール10,12,液止めバー13の配設等により、エッチング均一性が維持される。
そして、ホイール3数の減少にも拘わらず、渡り治具14や上下ダムロール10,12により、搬送安定性は低下することなく、従来通り確保される。
本発明の作用等については、以上のとおり。
(9) As described above, in the etching apparatus 11 of the present invention, the etching factor and the etching rate are improved by setting the vertical distance E.
In spite of such setting, the etching uniformity is maintained by setting the left and right pitch interval F, the inclined spray angle α, the arrangement of the upper and lower dam rolls 10 and 12, the liquid stop bar 13, and the like.
In spite of the decrease in the number of wheels 3, the transfer jig 14 and the upper and lower dam rolls 10 and 12 ensure the conveyance stability without lowering as usual.
The operation of the present invention is as described above.

以下、本発明の実施例について、説明する。
《実施例1》
まず、実施例1(エッチファクター)について、説明する。
図8は、電子回路基板J中央部における電子回路Kの縦断面写真であり、(1)図は本発明の実施例に関し、(2)図は従来例に関する。
すなわち、電子回路基板Jの製造工程(サブトラクティブ法)において、図8の(1)図は、本発明の実施例のエッチング装置11を用いてエッチングテストした結果、製造された電子回路基板Jの電子回路Kを示す。
これに対し図8の(2)図は、従来例のエッチング装置9を用いてエッチングテストした結果、製造された電子回路基板Jの電子回路Kを示す。
Examples of the present invention will be described below.
Example 1
First, Example 1 (etch factor) will be described.
FIG. 8 is a longitudinal cross-sectional photograph of the electronic circuit K at the center of the electronic circuit board J. (1) FIG. 8 relates to the embodiment of the present invention, and (2) relates to the conventional example.
That is, in the manufacturing process (subtractive method) of the electronic circuit board J, FIG. 8 (1) shows the result of the etching test using the etching apparatus 11 of the embodiment of the present invention. The electronic circuit K is shown.
On the other hand, FIG. 8B shows an electronic circuit K of an electronic circuit board J manufactured as a result of an etching test using the conventional etching apparatus 9.

テスト対象の電子回路基板J,電子回路Kの仕様は、次のとおり(図7も参照)。
・基板:両面銅張り積層板
・基板サイズ:W510mm×L410mm
・銅箔厚H:上面側18μm、下面側18μm
・DF厚(感光性レジスト厚):15μm
・基材厚(絶縁基材の肉厚):150μm
・L/S(ボトム幅(回路幅)/回路間スペース):30μm/30μm
・Pitch(L/SのPitch):60μm
なお、L/Sは補正値40/20を観察。つまり幅40μmでスペース20μmの感光性レジストを使用。
エッチング処理条件は、次のとおり。
・スプレー圧:0.18MPa
・エッチング液:塩化第二銅(47℃)
・搬送速度:1.99m/min(実施例)
1.54m/min(従来例)
The specifications of the electronic circuit board J and the electronic circuit K to be tested are as follows (see also FIG. 7).
・ Board: Double-sided copper-clad laminate ・ Board size: W510mm × L410mm
Copper foil thickness H: Upper surface side 18 μm, lower surface side 18 μm
DF thickness (photosensitive resist thickness): 15 μm
・ Base material thickness (thickness of insulating base material): 150 μm
L / S (bottom width (circuit width) / inter-circuit space): 30 μm / 30 μm
・ Pitch (L / S pitch): 60 μm
In addition, L / S observes correction value 40/20. That is, a photosensitive resist having a width of 40 μm and a space of 20 μm is used.
Etching conditions are as follows.
・ Spray pressure: 0.18MPa
・ Etching solution: Cupric chloride (47 ℃)
-Conveying speed: 1.99 m / min (Example)
1.54 m / min (conventional example)

テストの結果、本発明の実施例と従来例とを比較すると、実施例によりパターン形成された図8の(1)図の回路Kは、図8の(2)図の従来例の回路Kに比し、エッチファクターに関し、断面がより矩形に近い理想形となった(図7の(3)図を参照)。
すなわち、製造された両者の電子回路基板Jについて、それぞれ、XY方向に等間隔の基板面内150の測定ポイントで、電子回路Kを断面観察した。すると、本発明の実施例は従来例に比し、エッチファクターが約1.1倍向上した。すなわちエッチファクターの平均値データが、実施例では約6.1、従来例では約5.5であった。
このように、本発明の作用効果であるエッチファクター向上が、実施例のエッチング装置11のテストデータによっても、裏付けられた。スプレーノズル4を基板材Aに対し、上下間隔距離Eを接近せしめた設定の採用により、より精度高い銅箔の溶解除去つまりエッチングが実現し、エッチファクターが向上することが、裏付けられた。
実施例1については、以上のとおり。
As a result of the test, when the embodiment of the present invention is compared with the conventional example, the circuit K shown in FIG. 8 (1) formed by patterning the embodiment is changed to the circuit K of the conventional example shown in FIG. 8 (2). Compared to the etch factor, the cross-section became an ideal shape closer to a rectangle (see FIG. 7 (3)).
That is, for both of the manufactured electronic circuit boards J, a cross section of the electronic circuit K was observed at measurement points on the substrate surface 150 at equal intervals in the XY direction. Then, the embodiment of the present invention improved the etch factor by about 1.1 times compared to the conventional example. That is, the average value data of the etch factor was about 6.1 in the example and about 5.5 in the conventional example.
Thus, the improvement of the etching factor, which is the effect of the present invention, was supported by the test data of the etching apparatus 11 of the example. It has been proved that by adopting a setting in which the spray nozzle 4 is made closer to the substrate material A with the vertical distance E, the copper foil can be dissolved and removed with higher accuracy, that is, the etching factor is improved.
About Example 1, it is as above.

《実施例2》
次に、実施例2(エッチレート)について、説明する。
図9は、エッチレートのグラフである。この実施例2では、電子回路基板Jの製造工程(サブトラクティブ法)において、本発明の実施例のエッチング装置11および従来例のエッチング装置9を用いて、エッチレートについて、それぞれエッチングテストを実施した。
そして、形成される電子回路Kのボトム幅(回路幅)L(図7を参照)を、5秒間隔で計測した。すなわち、45秒〜75秒までのエッチング時間について、5秒間隔で、形成される回路Kのボトム幅Lをそれぞれ計測した。
テスト対象の電子回路基板J,電子回路Kの仕様や、エッチング処理条件については、実施例1について前述した所に準じるが、次の点のみ相違する。
・DF厚(感光性レジスト厚):20μm
・L/S(ボトム幅(回路幅)/回路間スペース):25μm/25μm(補正なし)
・Pitch(L/SのPitch):50μm
Example 2
Next, Example 2 (etch rate) will be described.
FIG. 9 is a graph of the etch rate. In this Example 2, in the manufacturing process (subtractive method) of the electronic circuit board J, the etching test was performed for the etching rate using the etching apparatus 11 of the example of the present invention and the etching apparatus 9 of the conventional example. .
Then, the bottom width (circuit width) L (see FIG. 7) of the formed electronic circuit K was measured at intervals of 5 seconds. That is, for the etching time from 45 seconds to 75 seconds, the bottom width L of the formed circuit K was measured at intervals of 5 seconds.
The specifications of the electronic circuit board J and the electronic circuit K to be tested and the etching process conditions are the same as those described in the first embodiment, but only the following points are different.
・ DF thickness (photosensitive resist thickness): 20 μm
L / S (bottom width (circuit width) / inter-circuit space): 25 μm / 25 μm (no correction)
・ Pitch (L / S pitch): 50 μm

テストの結果、所期のボトム幅25μmを得るのに、本発明の実施例では、約53.5秒であったのに対し、従来例では約62.5秒であった。実施例では53.5秒程度で済んだのに対し、従来例では62.5秒程度を要した(因みに、図9中ボトム幅40μmはエッチング当初の状態、ボトム幅15μmはエッチング過多の状態)。
このように、エッチレートがデータ上で約1.2倍向上する等、本発明の作用効果であるエッチレート向上が、実施例のエッチング装置11のテストデータによっても、裏付けられた。
スプレーノズル4を基板材Aに対し、上下間隔距離Eを接近せしめた設定の採用により、銅箔を溶解除去するのに要する時間が短縮され、エッチングスピードそしてエッチレートが向上することが、裏付けられた。
実施例2については、以上のとおり。
As a result of the test, it was about 53.5 seconds in the embodiment of the present invention to obtain the desired bottom width of 25 μm, whereas it was about 62.5 seconds in the conventional example. In the embodiment, it took about 53.5 seconds, whereas in the conventional example, about 62.5 seconds were required (in FIG. 9, the bottom width of 40 μm is the initial state of etching, and the bottom width of 15 μm is the state of excessive etching). .
Thus, the improvement of the etching rate, which is the effect of the present invention, such as the improvement of the etching rate by about 1.2 times on the data, was supported by the test data of the etching apparatus 11 of the example.
It is supported that the time required to dissolve and remove the copper foil is shortened and the etching speed and the etching rate are improved by adopting the setting in which the spray nozzle 4 is set close to the substrate material A with the vertical distance E between them. It was.
About Example 2, it is as above.

《実施例3》
次に、実施例3(エッチング均一性)について、説明する。
この実施例3では、本発明の実施例のエッチング装置11および従来例のエッチング装置9を用いて、ハーフエッチングを実施し、もってエッチング均一性についてテストを実施した。
すなわち、回路Kが存しないCCL基板について、その肉厚70μmの銅箔を、目標値35μmとしてハーフエッチングすることにより、エッチングテストし、もって、X、Y方向に等間隔の基板面内100の測定ポイントで、残銅厚を測定した。
テスト対象の仕様については、次のとおり。
・基板:両面銅張り積層板,CCL基板
・基板サイズ:W510mm×L410mm
・銅箔厚:70μm
なお、処理条件のエッチング時間やスプレー圧は表中に記載、エッチング液は塩化第二銅(47℃)を使用。
Example 3
Next, Example 3 (etching uniformity) will be described.
In Example 3, half etching was performed by using the etching apparatus 11 of the example of the present invention and the etching apparatus 9 of the conventional example, and thus a test for etching uniformity was performed.
That is, with respect to the CCL substrate in which the circuit K does not exist, an etching test is performed by half-etching a copper foil having a thickness of 70 μm with a target value of 35 μm, thereby measuring the substrate surface 100 at equal intervals in the X and Y directions. The remaining copper thickness was measured at points.
The specifications to be tested are as follows.
・ Board: Double-sided copper-clad laminate, CCL board ・ Board size: W510mm × L410mm
・ Copper foil thickness: 70μm
In addition, the etching time and spray pressure of processing conditions are described in the table, and cupric chloride (47 ° C) is used as the etching solution.

このようなテストの結果、次の表1および表2のデータが得られた。そしてデータ上、90%以上のエッチング均一性(ユニフォミティー)が、変わらず確保された。
すなわち表1および表2に示されたように、本発明のエッチング装置11によると、従来例のエッチング装置9と同等か、それ以上のエッチング均一性のデータが、上下面共に得られた。
As a result of such a test, the following data in Table 1 and Table 2 were obtained. In the data, the etching uniformity (uniformity) of 90% or more was ensured without change.
That is, as shown in Tables 1 and 2, according to the etching apparatus 11 of the present invention, data of etching uniformity equivalent to or higher than that of the conventional etching apparatus 9 was obtained on both the upper and lower surfaces.

表中のエッチング均一性(ユニフォミティー)の算出については、次のとおり。まず、測定された残銅厚(μm)に基づき、→平均残銅厚(μm)が得られる。→そして70(μm)から、該平均残銅厚(μm)を減算することにより、→平均エッチング量(μm)(表中記載)が算出される。
→それから、3×標準偏差(μm)(表中記載)/該平均エッチング量(μm)の値を、1から減算する。→もって、エッチング均一性(%)が算出される。
すると、表1や表2中に示したように、本発明のエッチング均一性は、上面95.0%、下面93.7%となり、従来例の上面91.2%、下面94.0%と、同じレベルのデータとなった。
因みに、表1や表2中に示されたように、標準偏差(μm)の値や、RつまりRange(残銅厚のMax―残銅厚のMin)についても、それぞれ本発明の実施例の方が従来例より若干低い値となり優れており、この面からも、エッチング均一性の維持が確認された。又、エッチレートについても、本発明は、従来例に比し短時間となり優れたデータが得られた。
The calculation of etching uniformity (uniformity) in the table is as follows. First, on the basis of the measured remaining copper thickness (μm), the average remaining copper thickness (μm) is obtained. → Then, by subtracting the average remaining copper thickness (μm) from 70 (μm), the average etching amount (μm) (described in the table) is calculated.
→ Then, the value of 3 × standard deviation (μm) (described in the table) / average etching amount (μm) is subtracted from 1. → Etching uniformity (%) is calculated.
Then, as shown in Table 1 and Table 2, the etching uniformity of the present invention is 95.0% on the upper surface and 93.7% on the lower surface, and 91.2% on the upper surface and 94.0% on the lower surface of the conventional example. It became the data of the same level.
Incidentally, as shown in Tables 1 and 2, the values of standard deviation (μm) and R, that is, Range (Max of remaining copper thickness−Min of remaining copper thickness) are also shown in the examples of the present invention. The value was slightly lower than that of the conventional example, which was excellent. Also from this aspect, it was confirmed that the etching uniformity was maintained. In addition, the etching rate of the present invention was shorter than that of the conventional example, and excellent data was obtained.

このように、本発明の作用効果であるエッチング均一性の維持が、実施例のエッチング装置11のテストデータによっても、裏付けられた。
ダムロール10,12,液止めバー13,スプレーノズル4の左右ピッチ間隔F,噴射角度α等を、組み合わせて採用したことにより、スプレーノズル4の上下間隔距離Eの接近にも拘わらず、エッチング均一性の確保が裏付けられた。
実施例3については、以上のとおり。
Thus, the maintenance of the etching uniformity, which is an effect of the present invention, was supported by the test data of the etching apparatus 11 of the example.
Etching uniformity despite the proximity of the vertical interval distance E between the spray nozzles 4 by adopting a combination of the dam rolls 10 and 12, the liquid stop bar 13, the left and right pitch interval F of the spray nozzle 4 and the spray angle α. Was confirmed.
About Example 3, it is as above.

A 基板材
B エッチング液
C 搬送方向(前後方向)
D 上下方向
E 上下間隔距離
F 左右ピッチ間隔
G 左右方向(幅方向)
H 回路高さ(深さ)
J 電子回路基板
K (電子)回路
L 回路幅(ボトム幅)
S 回路間スペース
T 頂面幅(トップ幅)
Z スプレーゾーン
α 傾斜噴射角度
1 エッチング装置(一般例)
2 コンベア
3 ホイール
4 スプレーノズル
5 チャンバー
6 液槽
7 スプレーポンプ
8 スプレー管
9 エッチング装置(従来例)
10 ダムロール
11 エッチング装置(本発明)
12 ダムロール
13 液止めバー
14 渡り治具
15 ホイール軸
16 係止穴


A Substrate material B Etching solution C Transport direction (front-rear direction)
D Vertical direction E Vertical spacing distance F Left / right pitch spacing G Left / right direction (width direction)
H Circuit height (depth)
J Electronic circuit board K (electronic) circuit L Circuit width (bottom width)
S Inter-circuit space T Top width (top width)
Z Spray zone α Inclined spray angle 1 Etching device (general example)
2 Conveyor 3 Wheel 4 Spray nozzle 5 Chamber 6 Liquid tank 7 Spray pump 8 Spray tube 9 Etching device (conventional example)
10 Dam roll 11 Etching device (present invention)
12 Dam roll 13 Liquid stop bar 14 Transition jig 15 Wheel shaft 16 Locking hole


Claims (6)

電子回路基板の製造工程で使用され、コンベアにて搬送される基板材両面に、スプレーノズルからエッチング液を噴射して、エッチングするエッチング装置であって、上下のダムロール,上側の液止めバー,下側の渡り治具を、有しており、
該コンベアは、上下のホイール群で該基板材を挟んで搬送し、該スプレーノズルは、搬送される該基板材に各スプレーゾーンで対向位置して、上下,左右,前後に多数配されると共に、左方向又は右方向に向け斜めに傾斜して配設されており、
該ダムロールは、ストレートローラーよりなり、該スプレーゾーンを介し前後対をなして配されると共に、搬送される該基板材に接すべく配設され、もって噴射された該エッチング液が、該基板材の上面や下面を前後に流れるのを規制し、
該液止めバーは、該エッチング液が該ダムロールを越えて前後に流出するのを規制し、
該渡り治具は、左右,前後に多数配設され、もって搬送される該基板材の下面を当接保持すること、を特徴とする基板材のエッチング装置。
An etching apparatus that sprays an etching solution from a spray nozzle onto both sides of a substrate material that is used in the manufacturing process of an electronic circuit board and is conveyed by a conveyor. The etching apparatus includes an upper and lower dam roll, an upper liquid stop bar, a lower Has a crossing jig on the side,
The conveyor conveys the substrate material between upper and lower wheel groups, and the spray nozzles are arranged facing the substrate material to be conveyed in each spray zone, and are arranged in large numbers in the up, down, left, and right directions. , It is inclined obliquely toward the left or right direction,
The dam roll is composed of a straight roller, and is arranged in a front-rear pair via the spray zone. The dam roll is arranged to come into contact with the substrate material to be transported, and the sprayed etching liquid is the substrate material. Restricts the back and forth flow of the top and bottom surfaces of the
The liquid stop bar regulates the etching solution from flowing back and forth beyond the dam roll,
An apparatus for etching a substrate material, characterized in that a number of the transition jigs are arranged on the left, right, front and back, and abut the lower surface of the substrate material conveyed.
請求項1において、該スプレーノズルは、該基板材との間の上下間隔距離が、30mm以上〜80mm以下に設定されており、もって該エッチング液が、強いインパクトのスプレー打力で該基板材に噴射されること、を特徴とする基板材のエッチング装置。   2. The spray nozzle according to claim 1, wherein a vertical distance between the spray nozzle and the substrate material is set to 30 mm to 80 mm, and the etching solution is applied to the substrate material with a strong impact spray hitting force. An etching apparatus for a substrate material, characterized by being sprayed. 請求項2において、該スプレーノズルは、噴射圧が0.1MPa以上〜0.3MPa以下で、相互間の左右ピッチ間隔が30mm以上〜60mm以下で、傾斜噴射角度が10度以上〜30度以下に設定されていること、を特徴とする基板材のエッチング装置。   The spray nozzle according to claim 2, wherein the spray pressure is 0.1 MPa to 0.3 MPa, the left-right pitch interval is 30 mm to 60 mm, and the inclined spray angle is 10 degrees to 30 degrees. An etching apparatus for a substrate material, characterized by being set. 請求項3において、該渡り治具は、略縦板状をなし、該ダムロールとその前後の該ホイールの軸との間に掛け渡されており、前後方向に略直線状をなす上端縁が、該ダムロール付近を搬送される該基板材の下面に下側から接すること、を特徴とする基板材のエッチング装置。   The crossing jig according to claim 3, wherein the crossing jig has a substantially vertical plate shape, is spanned between the dam roll and the shaft of the wheel before and after the dam roll, and an upper end edge that is substantially linear in the front-rear direction. An etching apparatus for a substrate material, wherein the substrate material is in contact with the lower surface of the substrate material conveyed near the dam roll from below. 請求項4において、該スプレーノズルと該基板材間の上記上下間隔距離の設定により、エッチファクターおよびエッチレートが向上し、
このような上記上下間隔距離の設定に拘らず、該スプレーノズルの上記左右ピッチ間隔や上記傾斜噴射角度の設定、および該ダムロールや該液止めバーの配設により、エッチング均一性が維持され、
このような上下の該ダムロールの配設に拘らず、該渡り治具の配設により、該基板材の搬送安定性が確保されること、を特徴とする基板材のエッチング装置。
In claim 4, the etching factor and the etching rate are improved by setting the vertical distance between the spray nozzle and the substrate material,
Regardless of the setting of the vertical distance as described above, the setting of the horizontal pitch interval and the inclined spray angle of the spray nozzle and the arrangement of the dam roll and the liquid stop bar maintain the etching uniformity,
Regardless of the arrangement of the upper and lower dam rolls, the conveyance stability of the substrate material is ensured by the arrangement of the transition jig.
請求項5において、該ダムロールは、駆動されると共に上下で対向配設されており、もって該基板材を挟んで搬送することにより、該基板材の搬送安定性が更に確保されること、を特徴とする基板材のエッチング装置。   6. The dam roll according to claim 5, wherein the dam roll is driven and is disposed opposite to the upper and lower sides, and the conveyance stability of the substrate material is further ensured by conveying the substrate material with the substrate material sandwiched therebetween. A substrate material etching apparatus.
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