JP2016093001A - 交流−直流変換器の制御装置 - Google Patents

交流−直流変換器の制御装置 Download PDF

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Abstract

【課題】整流後の直流電圧に含まれる低周波リプル電圧を抑制し、交流入力電流を正弦波に制御可能とした交流−直流変換器の制御装置を提供する。【解決手段】直流電圧指令値と検出値との偏差に応じて電流振幅指令を生成する電圧調節手段107と、電流振幅指令と交流入力電圧に同期した正弦波とを乗算して電流瞬時値指令を生成する乗算手段108と、交流入力電流が電流瞬時値指令に一致するように制御する電流調節手段109と、を備え、電流調節手段109の出力と交流入力電圧とから生成した電圧瞬時値指令によりスイッチング素子7を駆動して交流入力電流を力率1の正弦波に制御可能とした制御装置において、交流入力電圧及び電流振幅指令に基づいて低周波リプル電圧を予測演算するリプル予測手段と、その予測値を電圧調節手段107の入力側において直流電圧検出値から差し引く加算手段205と、を有する。【選択図】図1

Description

本発明は、交流−直流変換器の直流出力電圧に含まれる低周波のリプル成分を低減して交流入力電流を力率がほぼ1の正弦波に制御可能とした制御装置に関するものである。
図3は、交流−直流変換器の一種であるPFC(Power Factor Correction)回路を示している。図3において、1は交流電源、2〜5はダイオードブリッジDBを構成するダイオード、6はリアクトル、7は半導体スイッチング素子、8はダイオード、9はコンデンサ、10は負荷である。ここで、リアクトル6,スイッチング素子7,ダイオード8及びコンデンサ9によって構成される部分は、直流入力電圧を昇圧して出力する昇圧チョッパとしても知られている。
なお、スイッチング素子7には、図示するMOSFET(電界効果トランジスタ)のほか、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)やBJT(バイポーラジャンクショントランジスタ)等が用いられている。
このPFC回路には、次の機能がある。
(1)交流入力電圧を所望の大きさの直流電圧に変換して出力し、かつ、交流入力電圧や負荷電流の変動に関わらず直流出力電圧を一定に保つ。
(2)交流入力電流を力率がほぼ1の正弦波とする。
上記の機能を実現するための動作を、以下に説明する。
交流入力電圧Vinは正弦波状の波形であり、ダイオードブリッジDBを経た電圧Vr1は整流波形となる。ここで、例えば電圧Vinが正極性の場合、スイッチング素子7をオンすると電圧Vr2が0[V]となり、交流電源1→ダイオード2→リアクトル6→スイッチング素子7→ダイオード5→交流電源1の経路で電流が流れる。これにより、交流電源1の電圧がリアクトル6の両端に加わるので、電流Iは増加する。
スイッチング素子7をオフすると、交流電源1→ダイオード2→リアクトル6→ダイオード8→コンデンサ9→ダイオード5→交流電源1の経路で電流が流れる。
このとき、電圧Vr2は、ダイオード8の順方向電圧降下を無視するとコンデンサ9の両端電圧Eにほぼ等しくなり、リアクトル6には交流入力電圧Vinと電圧Eとの差電圧が印加される。回路の動作により電圧EはVinのピーク値より高く保たれているので、電流Iは減少する。
図3の回路では、スイッチング素子7のオン,オフの時比率を制御することにより、電流Iの波形及び大きさを任意に制御することができる。電流Iを電圧Vr1と相似の正弦波整流波形(ここではリプル分は無視する)とすれば、交流入力電流Iinは正弦波状の波形となる。また、負荷電力に応じて電流Iの振幅を制御することで、電圧Eを所望の一定値に保つことが可能である。
図4は、スイッチング素子7のオン,オフの時比率を制御するための従来の制御装置の構成図であり、図5はその動作を示す波形図である。
図4において、102〜105は加算手段、106は絶対値演算手段、107は電圧調節手段(AVR)、108は乗算手段、109は電流調節手段(ACR)、110は比較手段、111は論理反転手段、112は三角波(キャリア)発生手段である。
次に、図5を参照しつつ図4の動作を説明する。
図示されていない電圧検出手段によりコンデンサ9の両端電圧Eを検出し、電圧指令値Eと電圧Eとの偏差を加算手段102により求めて電圧調節手段107に入力する。電圧調節手段107は、例えばPI(比例・積分)調節器であり、その出力としてのI振幅指令は、電圧Eが指令値Eより小さい時は大きくなり、電圧Eが指令値Eより大きい時は小さくなるように動作する。
一方、図示されていない電圧検出手段により交流入力電圧Vinを検出し、絶対値演算手段106によりVinの絶対値を演算する。絶対値演算手段106の出力は、図3におけるダイオード2〜5の順電圧降下を無視すれば、ダイオードブリッジDBの出力電圧Vr1とほぼ相似の波形となる。
乗算手段108により、I振幅指令とVinの絶対値とを乗算してI瞬時値指令を得る。ここでは、交流入力電圧と同期した正弦波としてVinそのものを用いているが、他の手段によって同期正弦波が得られる場合にはそれを用いても良い。
次に、図示されていない電流検出手段により、リアクトル6の電流Iを検出し、I瞬時値指令と電流Iとの偏差を加算手段103により演算して電流調節手段109に入力する。電流調節手段109は、例えばP(比例)調節器によって構成されており、電流調節手段109の出力は、電流IがI瞬時値指令より小さい時は大きくなり、電流IがI瞬時値指令より大きい時は小さくなるように動作する。
図4では、電流調節手段109の出力の符号を反転してVinの絶対値に加算することにより、Vr2瞬時値指令を得ている。これにより、スイッチング素子7の両端電圧Vr2の1スイッチングサイクル平均値、すなわち図3のスイッチング素子7がオン・オフを1回ずつ行う期間についての平均値が、電流Iが不足する時に小さくなるので、ダイオードブリッジDBの出力電圧Vr1との差電圧が拡大し、一層大きい電流Iが流入するようになる。
加算手段104から出力されるVr2瞬時値指令は信号波となり、この信号波と三角波発生手段112から出力された三角波キャリアとを、加算手段105を介して比較手段110にて比較することにより、パルス幅変調(PWM)制御を行う。そして、比較手段110の出力を、論理反転手段111を介してスイッチング素子7のゲートに与え、スイッチング素子7をオン,オフさせる。
ここで、図5に示すように、信号波(Vr2瞬時値指令)>キャリアの期間はスイッチング素子7をオフして電圧Vr2を負荷10への印加電圧Eに等しくし、信号波<キャリアの期間はスイッチング素子7をオンして電圧Vr2を0[V]とする。これにより、電圧Vr2はパルス列となるが、そのスイッチング周波数成分を除いた低周波成分は、電圧Vr1と相似の、位相が僅かに異なる波形となる。この位相差に起因する差電圧が図3のリアクトル6に印加されることで電流Iが流れ、結果として、電流Iの波形は電圧Vr1の波形と相似になる。
また、電圧Vinが正の期間はダイオード2,5が導通して電流Iin,Iが互いに同極性になり、電圧Vinが負の期間はダイオード3,4が導通して電流Iin,Iが互いに逆極性になるので、結果として、電流Iinは電圧Vinとほぼ同位相の正弦波となる。また、上述した制御により、負荷10に印加される電圧Eが不足する時には電流Iinの振幅が大きくなり、より大きい電力が回路に流入して電圧Eの値が増加するので、電圧Eの値は所望の一定値に保たれることになる。
なお、図5においては、見易さを考慮してキャリア周波数、すなわちスイッチング周波数を交流入力電圧Vinの周波数の数倍程度に表現しているが、実際の装置においては、リアクトル6を小型化してもリプル電流が十分小さくなるように、キャリア周波数を電圧Vinの周波数の100倍以上、例えばVinが50[Hz]である場合には5[kHz]以上とすることが一般的である。
また、電圧VinとVr2瞬時値指令及びVr2との位相差も誇張して表現しているが、上記の条件では、ほとんどの場合、電圧VinまたはVr1と電圧Vr2の低周波成分との差は電圧Vinの1%以下になるので、実際の位相差はごく僅かである。
さて、図3の回路では、負荷10の都合上、電圧Eの変動を狭い範囲内に制御することが必要な場合がある。図4の電圧調節手段107にPI調節器、すなわち指令値と検出値との偏差に比例する量(P項)と前記偏差の積分値に比例する量(I項)とを加算して出力する調節器を用いる場合、負荷10の急変等による電圧Eの過渡的な変動を、主としてP項により抑制している。
例えば、電圧Eの変動を確実に10[%]以下に抑制したい場合、電圧指令値Eに対する電圧Eの偏差10[%]に対し、I振幅指令が100%相当となるように電圧調節手段107の比例ゲインを設定する。定常状態において装置が定格電力を出力している場合、I振幅指令も定格、すなわち100[%]相当である。この状態ではE=Eであるため、PI調節器のP項の出力は0である一方、I項の出力は100[%]である。ただし、ここでは説明の簡略化のため、後述する直流リプル成分は無視している。
この状態から、負荷10の急減等により電圧Eが電圧指令値Eに対して10[%]以上高くなろうとすると、PI調節器のP項の作用により、電圧指令値Eから100[%]相当の値が差し引かれるので、電圧指令値Eは0[%]以下となる。この電圧指令値Eに基づいてIが制御されると、入力電力が0になるので、たとえ急減後の負荷電力が0[%]であっても、それ以上の電圧Eの上昇は抑制されることになる。
ところで、電圧Eには、入力電圧Vinの周波数の2倍の周波数を有するリプル電圧が含まれることが知られている。これは以下の理由による。
前述したように、図3において、スイッチング素子7がオフ状態で電圧Vr2が概ね電圧Eと等しくなる期間にダイオード8が導通することにより、コンデンサ9が充電される。ダイオード8が導通する期間の時比率αは、電圧Vr1,Vr2の低周波成分の位相差が小さいことから、電圧Vr1すなわちVinの絶対値にほぼ比例する。
従って、電流Iの瞬時値をiとし、ダイオード8を流れる電流Iのスイッチング周期内の平均値をiとすると、電圧Vinの正の半周期において、電流iは数式1となる。
[数式1]
=α・i=λ・sin(2πf)・i
数式1において、λは制御率と呼ばれる値であり、概ね、(Vinのピーク値/E)に等しい。また、fは交流入力電圧Vin及び電流Iinの周波数である。
ここでは、電流Iinが正弦波状に制御されていることから、その振幅をIとすると、数式2が得られる。
[数式2]
=I・sin(2πf)
数式1,2より、数式3が得られる。
[数式3]
=λI・sin(2πf)=λI/2・{1−cos(2π・2f)}
数式3より、電流iは、λI/2の直流分と周波数2fのリプル成分(以下、低周波リプル成分ともいう)とを含むことになる。
電流iのうちの直流分は主に負荷10に流れるが、低周波リプル成分は主にコンデンサ9に流れるので、このリプル成分に対して位相が90°分遅れたリプル電圧を発生させる。電圧Vinの負の半サイクルにおいても、ダイオード2〜5の極性折り返し動作が加わるだけで、結果は同様である。
なお、電流Iの、スイッチングによる高周波リプル成分に対して発生するリプル電圧については、コンデンサ9のキャパシタンスが示すインピーダンスが十分低く、発生するリプル電圧が小さいため、ここでは無視できるものとする。
以下、リプル電圧に関しては、前述した低周波リプル成分に起因する低周波リプル電圧についてのみ論じるものとする。
低周波リプル電圧を抑制する方法の一つは、コンデンサ9のキャパシタンスを大きくすることである。これにより、理論上は限りなく0に近付けることができる。しかし、装置の外形やコスト等を考えるとキャパシタンスの大きさには制約があるので、実用的な装置では、電圧Eに対して少なくとも数[%]程度のリプル電圧が発生する。
この場合、電圧調節手段107として前述したようなゲインを持つPI調節器を用いると、P項が、リプル電圧に反応して電圧Vinの1周期内でI振幅指令を変化させる。例えば、リプル電圧のピーク値が定格直流電圧の±5[%]であった場合、電圧調節手段107の比例ゲインが、前述したごとく、偏差10[%]に対してI振幅指令が100%相当となるように設定されていたとすると、I振幅指令は1周期内で±50[%]の範囲で変動することになる。このI振幅指令に追従して、IすなわちIinが制御されると、Iinを正弦波状に保つことができなくなる。
ここで、コンデンサ9のキャパシタンスの大幅な増加を伴わずに低周波リプル電圧を抑制する方法として、特許文献1には、低周波リプル電圧を抑制すると共に交流入力電流を力率1の正弦波状に制御可能とした高力率コンバータが記載されている。
図6は、この従来技術を示す構成図である。図6において、コンバータの主回路内の11は高周波フィルタ、12は交流−直流変換回路、13は主スイッチング素子、14,16はダイオード、15は補助スイッチング素子、21は電流検出器であり、その他の部分については図3と同一の参照符号を付してある。
また、制御回路20において、22は積分回路、23,28は比較回路、24は補助スイッチング素子15の駆動回路、25は変圧器、26は絶対値回路、27は誤差増幅器、29は主スイッチング素子13の駆動回路である。
この従来技術では、リアクトル6を流れる電流に応じた電圧を、高周波数のリセット信号が入力されている積分回路22により積分し、交流電源1の2倍周波数の包絡線を有する鋸歯状のパルス面積変調信号を得る。この変調信号と基準電圧とを比較回路23により比較してPWM信号を生成すると共に、このPWM信号に基づいて駆動回路24が補助スイッチング素子15を駆動する。
また、コンデンサ9の電圧分圧値と基準電圧とが入力される誤差増幅器27の出力と、絶対値回路26から出力される交流入力電圧の絶対値との乗算結果を、比較回路28にてパルス面積変調信号と比較することによりPWM信号を生成し、このPWM信号に基づいて駆動回路29が主スイッチング素子13を駆動する。
上記の動作により、主スイッチング素子13には、交流電源1の2倍周波数の包絡線状でパルス幅変調された電流が流れると共に、補助スイッチング素子15には、同じく2倍周波数の包絡線状でパルス幅変調された電流が、主スイッチング素子13に電流が流れない期間、流れる。このため、リアクトル6を流れる電流に2倍周波数のリプル成分が含まれていても、コンデンサ9の電圧には上記リプル成分がほとんど含まれなくなり、結果として交流入力電流を正弦波状に制御することを可能にしている。
特許第3175756号公報(段落[0015]〜[0032]、図1〜図4等)
しかしながら、図6に示した従来技術では、コンバータの主回路に2個のスイッチング素子13,15が必要であり、また、駆動回路24,29を含む制御回路20の構成も複雑になってコスト高になるという問題があった。
そこで、本発明の解決課題は、従来の制御装置に若干の機能を付加した簡単かつ安価な構成により、低周波リプル電圧を抑制すると共に、交流入力電流を力率がほぼ1の正弦波に制御可能とした交流−直流変換器の制御装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、単相の交流入力電圧を整流して得た直流電圧を、半導体スイッチング素子のオン,オフにより所定の大きさの直流電圧に変換する交流−直流変換器の制御装置であって、
前記直流電圧の指令値と検出値との偏差に応じて電流振幅指令を生成する電圧調節手段と、前記電流振幅指令と前記交流入力電圧に同期した正弦波とを乗算して電流瞬時値指令を生成する第1の乗算手段と、前記交流入力電流が前記電流瞬時値指令に一致するように制御する電流調節手段と、を備え、
前記電流調節手段の出力と前記交流入力電圧とから生成した電圧瞬時値指令を用いて前記半導体スイッチング素子を駆動することにより、前記交流−直流変換器の交流入力電流を前記交流入力電圧と位相がほぼ等しい正弦波に制御可能とした制御装置において、
前記交流入力電圧及び前記電流振幅指令に基づいて、整流後の前記直流電圧に含まれるリプル電圧を予測演算するリプル予測手段と、
前記リプル予測手段により演算したリプル電圧予測値を、前記電圧調節手段の入力側において前記直流電圧の検出値から減算する手段と、を有するものである。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載した交流−直流変換器の制御装置において、前記リプル予測手段は、前記交流入力電圧と同期した正弦波の瞬時値を二乗する二乗手段と、前記二乗手段の出力と前記電流振幅指令とを乗算する第2の乗算手段と、前記第2の乗算手段の出力から直流量を除去した波形の位相を90°ずらして前記リプル電圧予測値を生成する移相手段と、を備えたものである。
請求項3に係る発明は、請求項1に記載した交流−直流変換器の制御装置において、前記リプル予測手段は、前記交流入力電圧と同期して前記交流入力電圧の2倍周波数の正弦波を出力するPLL手段と、前記PLL手段の出力と前記電流振幅指令とを乗算して前記リプル電圧予測値を生成する第2の乗算手段と、を備えたものである。
本発明によれば、低周波のリプル電圧を予測演算して電圧調節手段の入力から減算し、電圧調節手段をリプル電圧に反応しないように動作させることにより、直流出力電圧のリプル成分を抑制し、交流入力電流を力率がほぼ1の正弦波に制御することができる。また、電圧調節手段を直流出力電圧の過渡変動に対して高いゲインで応答させることで、直流出力電圧の安定化が可能である。
更に、本発明は、従来の制御装置に若干の機能を追加するだけで実現可能であり、構成の複雑化や高コスト化を招くおそれもない。
本発明の第1実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第2実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 従来のPFC回路の構成図である。 図3に示したPFC回路の制御装置の構成図である。 図4の動作を示す波形図である。 特許文献1に記載された従来技術の構成図である。
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。図1において、図4と同一の部分には同一の参照記号を付してあり、以下では図4と異なる部分を中心に説明する。ここで、本実施形態の制御装置は、例えば図3に示したPFC回路の半導体スイッチング素子7を制御するために使用される。
図1において、加算手段102の前段には別の加算手段205が設けられており、この加算手段205には、コンデンサ9の両端電圧Eと後述する積分手段204の出力とが図示の符号で入力されている。
また、正弦波状の交流入力電圧Vinは二乗手段201に入力され、二乗手段201の出力とI振幅指令とが第2の乗算手段202により乗算される(便宜的に、他の乗算手段108を第1の乗算手段という)。乗算手段202の出力は、ハイパスフィルタ203を介して積分手段204に入力されており、その出力が前記加算手段205に入力されている。
上記構成において、二乗手段201,乗算手段202,ハイパスフィルタ203及び積分手段204は、請求項におけるリプル予測手段を構成している。
次に、この実施形態の動作を説明する。
まず、二乗手段201により、交流入力電圧Vinの二乗波形、すなわち前述した数式3におけるsin成分に相当する波形を得る。また、図3のダイオード8を流れる電流Iのリプル成分はI振幅指令に比例するため、図1の乗算手段202により、二乗手段201の出力にI振幅指令を乗じてIのリプル成分を演算する。
次いで、乗算手段202の出力を、直流分除去手段としてのハイパスフィルタ203に通して低周波リプル成分に相当する量を得る。更に、この低周波リプル成分に対して、図3のコンデンサ9における電圧と電流との関係、すなわち電圧の位相が電流に対して90°遅れとなる関係を、移相手段としての積分手段204により実現する。
ここで、電流Iの低周波リプル成分(コンデンサ9を流れる電流)の振幅をIrp、コンデンサ9の両端電圧Eのリプル成分の振幅をΔE、コンデンサ9のキャパシタンスをCとすると、数式4が成り立つ。
[数式4]
ΔE=Irp/(2π・2f・C)
積分手段204の積分ゲインは、数式4を考慮して、振幅ΔE相当の正弦波が出力されるように調整する。この積分手段204の出力をリプル電圧予測値として加算手段205により電圧Eから差し引き、その結果を加算手段102に入力する。
ところで、上述したような制御構成により、電圧調節手段107→乗算手段202→ハイパスフィルタ203→積分手段204→加算手段205からなるフィードバックループが形成され、瞬時値レベルの値が循環すると、条件によっては発振が起こることが懸念される。
上記の発振を防止するには、図示されていないホールド手段により、I振幅指令を乗算手段202に入力する前に、交流入力電圧Vinの半周期または1周期等の期間でホールドする方法がある。この場合、積分手段204から出力されるリプル電圧予測値の振幅ΔEは、ホールド期間中、変化しないが、過渡変動による電圧Eの変化は加算手段205,102を介して遅滞なく電圧調節手段107に入力されるので、直流電圧制御系の応答速度を損なうことはない。
なお、I振幅指令の入力周期内での変動は、電圧調節手段107によりI振幅指令自体を半周期または1周期ホールドすることによっても防止可能であるが、この方法ではホールド期間中、電圧Eの過渡変動に対して応答できず、本来意図している高速応答性が損なわれるため、好ましくはない。
一方、積分手段204の出力は、僅かな演算誤差の積算により、本来存在しないはずの直流量を持つ可能性がある。これを回避するには、正弦波の積分波形は、微分して符号を反転した波形と相似になることから、ハイパスフィルタ203及び積分手段204の代わりに微分手段を設け、その出力を加算手段205により電圧Eから差し引く代わりに電圧Eに加算する動作としても良い。この場合、ゲインは積分の場合と等価になるように調整しておくものとする。
次に、図2は、本発明の第2実施形態に係る制御装置のブロック図である。
図2において、206はPLL(Phase Locked Loop)手段である。このPLL手段206により、電圧Vinに同期し、かつVinの2倍周波数の正弦波を直接出力し、乗算手段202によりI振幅指令と乗算する。そして、この乗算手段202の出力を、リプル電圧予測値として加算手段205に入力する。
なお、PLL手段206及び乗算手段202は、請求項におけるリプル予測手段を構成している。
ここで、予め、PLL手段206から出力される2倍周波数の正弦波が電流に対して90°(基本波周波数のVinに関しては、電流に対して45°)の位相差を持つようにしておけば、図1の積分手段204に相当する移相手段が不要になり、また、乗算手段202の出力には直流分が含まれないため、図1のハイパスフィルタ203に相当する直流分除去手段も不要になる。
この第2実施形態によれば、第1実施形態に比べて制御装置の構成を一層簡略化することができる。
1:交流電源
2〜5:ダイオード
6:リアクトル
7:半導体スイッチング素子
8:ダイオード
9:コンデンサ
10:負荷
102〜105:加算手段
106:絶対値演算手段
107:電圧調節手段
108:乗算手段
109:電流調節手段
110:比較手段
111:論理反転手段
112:三角波発生手段
201:二乗手段
202:乗算手段
203:ハイパスフィルタ
204:積分手段
205:加算手段
206:PLL手段
DB:ダイオードブリッジ

Claims (3)

  1. 単相の交流入力電圧を整流して得た直流電圧を、半導体スイッチング素子のオン,オフにより所定の大きさの直流電圧に変換する交流−直流変換器の制御装置であって、
    前記直流電圧の指令値と検出値との偏差に応じて電流振幅指令を生成する電圧調節手段と、前記電流振幅指令と前記交流入力電圧に同期した正弦波とを乗算して電流瞬時値指令を生成する第1の乗算手段と、前記交流入力電流が前記電流瞬時値指令に一致するように制御する電流調節手段と、を備え、
    前記電流調節手段の出力と前記交流入力電圧とから生成した電圧瞬時値指令を用いて前記半導体スイッチング素子を駆動することにより、前記交流−直流変換器の交流入力電流を前記交流入力電圧と位相がほぼ等しい正弦波に制御可能とした制御装置において、
    前記交流入力電圧及び前記電流振幅指令に基づいて、整流後の前記直流電圧に含まれるリプル電圧を予測演算するリプル予測手段と、
    前記リプル予測手段により演算したリプル電圧予測値を、前記電圧調節手段の入力側において前記直流電圧の検出値から減算する手段と、
    を有することを特徴とする交流−直流変換器の制御装置。
  2. 請求項1に記載した交流−直流変換器の制御装置において、
    前記リプル予測手段は、
    前記交流入力電圧と同期した正弦波の瞬時値を二乗する二乗手段と、
    前記二乗手段の出力と前記電流振幅指令とを乗算する第2の乗算手段と、
    前記第2の乗算手段の出力から直流量を除去した波形の位相を90°ずらして前記リプル電圧予測値を生成する移相手段と、
    を備えたことを特徴とする交流―直流変換器の制御装置。
  3. 請求項1に記載した交流−直流変換器の制御装置において、
    前記リプル予測手段は、
    前記交流入力電圧と同期して前記交流入力電圧の2倍周波数の正弦波を出力するPLL手段と、
    前記PLL手段の出力と前記電流振幅指令とを乗算して前記リプル電圧予測値を生成する第2の乗算手段と、
    を備えたことを特徴とする交流−直流変換器の制御装置。
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