JP2016092172A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板を製造するに際して、無機充填材を含む絶縁層に、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる技術を提供する。【解決手段】開口径が１５μｍ以下のビアホールが形成された絶縁層を含む回路基板であって、絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下である、回路基板。【選択図】なし

Description

本発明は、回路基板及びその製造方法に関する。

各種電子機器に広く使用されている回路基板は、電子機器の小型化、高機能化のために、回路配線の微細化、高密度化が求められている。回路基板の製造技術としては、内層基板に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法において、絶縁層は、例えば支持体と該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む接着フィルム等を用いて樹脂組成物層を内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化させることにより形成される。次いで、形成された絶縁層にレーザーにより穴あけ加工してビアホールを形成し、デスミア処理を行うことによって、ビアホール内部の樹脂残渣（スミア）の除去と絶縁層表面の粗化が同時に行われる（例えば、特許文献１）。

特開２００８−３７９５７号公報

回路配線の更なる高密度化を達成するにあたって、ビアホールの小径化が望まれている。ビアホールは、一般にレーザーによる穴あけ加工により形成され、レーザーとしては、穿孔速度が高く製造コスト面で有利である炭酸ガスレーザーが現在主に使用されている。しかし、ビアホールの小径化には限界があり、例えば、炭酸ガスレーザーによっては開口径２５μｍ以下のビアホールを形成するのが困難な状況である。

ビアホールの形成に使用し得るレーザーとしては、炭酸ガスレーザーの他にエキシマレーザー（Ｅｘｃｉｔｅｄ Ｄｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒの略称）が挙げられる。エキシマレーザーは、ビアホールの形成にはあまり利用されていないが、一般に強い紫外領域のレーザーが得られるため、炭酸ガスレーザーなどの赤外線レーザーと異なり、熱を発生しない。そのため、より微細な加工が可能であり、ビアホールの小径化に寄与することが期待される。

他方、高速信号伝送に対応すべく絶縁層の低誘電率化が進められており、絶縁層中に無機充填材を含有させることが好適である。

本発明者らは、無機充填材を含有する絶縁層にエキシマレーザーによって小径のビアホールを形成することを試みた。その結果、レーザー加工性が低下して、ビアホールの形状（単に「ビア形状」ともいう。）が悪化したり、ビアホール内部のスミア量が増大したりする場合のあることを見出した。特に、誘電率の低い絶縁層を達成すべく絶縁層中の無機充填材含有量を高くする場合に大きな問題となる。また、エキシマレーザーによりビアホールを形成する絶縁層の算術平均粗さ（Ｒａ）の値が高い場合も同様の問題があることを見出した。ビア形状の悪化は導通信頼性の低下を招き、またビアホール内部のスミア量の増大は厳しい条件にてデスミア処理を行うことを必要とし回路配線の微細化の障害となる。

本発明の課題は、回路基板を製造するに際して、無機充填材を含む絶縁層に、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる技術を提供することにある。

本発明は以下の内容を含む。
［１］ 開口径が１５μｍ以下のビアホールが形成された絶縁層を含む回路基板であって、
絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、
絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下である、回路基板。
［２］ 絶縁層の表面のＲａが１００ｎｍ以下である、［１］に記載の回路基板。
［３］ ビアホールの開口径が１２μｍ以下である、［１］又は［２］に記載の回路基板。
［４］ 絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域の樹脂面積Ａ_１と無機充填材面積Ａ_２とが、０．１≦Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）を満たす、［１］〜［３］のいずれかに記載の回路基板。
［５］ ビアホールの開口径Ｄとビアホールの最小径Ｄ_ｍｉｎとが、０．６５≦Ｄ_ｍｉｎ／Ｄを満たす、［１］〜［４］のいずれかに記載の回路基板。
［６］ 絶縁層が、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を含む、［１］〜［５］のいずれかに記載の回路基板。
［７］ 無機充填材がシリカである、［１］〜［６］のいずれかに記載の回路基板。
［８］ ［１］〜［７］のいずれかに記載の回路基板を含む半導体装置。
［９］ （Ａ）支持体と該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む接着フィルムを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程；
（Ｂ）支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程；及び
（Ｃ）絶縁層にエキシマレーザーにより開口径が１５μｍ以下のビアホールを形成する工程、を含む回路基板の製造方法であって、工程（Ｂ）で形成される絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下である、回路基板の製造方法。
［１０］ 工程（Ｃ）の前に、支持体を除去する、［９］に記載の方法。
［１１］ 絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下である、［９］又は［１０］に記載の方法。
［１２］ 絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域の樹脂面積Ａ_１と無機充填材面積Ａ_２とが、０．１≦Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）を満たす、［９］〜［１１］のいずれかに記載の方法。
［１３］ ビアホールの開口径Ｄとビアホールの最小径Ｄ_ｍｉｎとが、０．６５≦Ｄ_ｍｉｎ／Ｄを満たす、［９］〜［１２］のいずれかに記載の方法。
［１４］ 絶縁層が、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を含む、［９］〜［１３］のいずれかに記載の方法。
［１５］ 無機充填材がシリカである、［９］〜［１４］のいずれかに記載の方法。

本発明によれば、回路基板を製造するに際して、無機充填材を含む絶縁層に、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる。

図１は、絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域における粒径３μｍ以上の無機充填材のカウント方法を説明するための概略図である。 図２は、ビア形状を説明するための概略図である。

まず本発明のコンセプトについて説明する。

本発明においては、下記条件（ｉ）及び（ｉｉ）を満たしつつ、絶縁層にエキシマレーザーにより小径（例えば開口径が１５μｍ以下）のビアホールを形成する：
（ｉ）絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下；及び
（ｉｉ）絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下。

本発明者らは、回路基板の製造に際して、上記特定の条件（ｉ）及び（ｉｉ）を満たしつつエキシマレーザーにより穴あけ加工することによって、無機充填材を含む絶縁層に、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成し得るに至ったものである。

−条件（ｉ）−
条件（ｉ）は、絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）に関する。本発明者らは、エキシマレーザーにより小径のビアホールを形成する場合、ビア形状やスミア量に絶縁層の表面のＲａが大きく影響することを見出した。

良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成する観点から、絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、１５０ｎｍ以下であり、好ましくは１４０ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１２０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、８０ｎｍ以下、又は７０ｎｍ以下である。該Ｒａの下限は特に限定されないが、絶縁層と導体層との密着強度を安定化させる観点から、通常、１ｎｍ以上、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上などとし得る。絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ社製の「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」が挙げられる。

−条件（ｉｉ）−
条件（ｉｉ）は、絶縁層中の無機充填材の粒径に関する。本発明者らは、エキシマレーザーにより小径のビアホールを形成する場合、ビア形状やスミア量に絶縁層中の無機充填材の粒径が大きく影響することを見出した。

良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成する観点から、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面（単に「絶縁層の断面」ともいう。）において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数ｎは、１．０以下であり、好ましくは０．９以下、より好ましくは０．８以下、さらに好ましくは０．７以下、０．６以下、又は０．５以下である。該平均数ｎの下限は低いほど好ましく、０であってよい。

絶縁層の断面は、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置を使用して好適に観察することができる。ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置としては、例えば、ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」が挙げられる。ＦＩＢ（集束イオンビーム）により絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面を削りだした後、該断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し、断面ＳＥＭ画像を取得することができる。ＳＥＭによる観察幅、観察倍率は、絶縁層の断面において幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材を適切にカウントし得る限り特に限定されず、使用する装置の仕様に応じて決定してよい。

平均数ｎを得るに際して、「幅１５μｍの領域」とは、断面ＳＥＭ画像において、絶縁層の全厚ｔ（μｍ）×幅１５μｍの領域を指す。また、「粒径３μｍ以上の無機充填材」とは、断面ＳＥＭ画像における最大径が３μｍ以上の無機充填材をいう。なお、無機充填材の最大径の１／２超が幅１５μｍの領域に入っている場合に、該無機充填材は「幅１５μｍの領域に含まれる」と判定する。図１を参照して、無機充填材のカウント方法をより詳細に説明する。図１には、樹脂成分１０と粒径３μｍ以上の無機充填材１２とを含む、厚さｔの絶縁層１０の断面を示している。図１記載の絶縁層の断面においては、粒径３μｍ以上の無機充填材は３つ存在し、各無機充填材の最大径は一点鎖線で示している。３つの無機充填材のうち、真ん中の無機充填材は、幅１５μｍの領域にその最大径の全てが入っており、該無機充填材は「幅１５μｍの領域に含まれる」と判定する。左側の無機充填材は、幅１５μｍの領域にその最大径の１／２超が入っており、該無機充填材は「幅１５μｍの領域に含まれる」と判定する。右側の無機充填材は、幅１５μｍの領域にその最大径の１／２未満しか入っておらず、該無機充填材は幅１５μｍの領域に含まれないと判定する。したがって、図１記載の絶縁層の断面に関しては、幅１５μｍの領域に粒径３μｍ以上の無機充填材は２つ存在すると判定する。絶縁層サンプルについて、十分な数（Ｎ_１）の断面ＳＥＭ画像を取得し、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材をカウントすることにより、平均数ｎを算出することができる。ここで、Ｎ_１は１０以上であることが好適である。本発明において、平均数ｎは、後述する＜絶縁層中の無機充填材の粒径の評価＞に記載の手順に従って算出することができる。

上記の条件（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす本発明によれば、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる。ビアホールを小径化するに伴って、ビア形状や内部スミア量の問題は顕著となる傾向にあるが、本発明の方法によれば、例えば１５μｍ以下、好ましくは１４μｍ以下、より好ましくは１２μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、９μｍ以下、８μｍ以下、７μｍ以下、６μｍ以下、又は５μｍ以下の開口径（トップ径）を有するビアホールを、ビア形状や内部スミア量の悪化なしに有利に形成することができる。ビアホールの開口径の下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上などとし得る。

先述のとおり、本発明者らは、絶縁層中に粒径の大きな無機充填材が一定量以上含まれると、エキシマレーザーによるレーザー加工性が低下して、ビアホールの形状（単に「ビア形状」ともいう。）が悪化したり、ビアホール内部のスミア量が増大したりする場合があることを見出した。特に、無機充填材の含有量が高くなると問題はより顕在化する。これに対し、本発明によれば、絶縁層中の無機充填材含有量が高い場合であっても、該絶縁層に、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる。

絶縁層中の無機充填材含有量は、絶縁層の断面における無機充填材の面積比を用いて評価することができる。詳細には、絶縁層中の無機充填材含有量は、絶縁層の断面における幅１５μｍの領域の樹脂面積をＡ_１、無機充填材面積をＡ_２とするとき、Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値を用いて評価することができる。Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値が大きいほど、絶縁層中の無機充填材含有量が高いこと表す。絶縁層の低誘電率化の観点から、Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値は、好ましくは０．１以上（すなわち、０．１≦Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２））、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．３以上、さらにより好ましくは０．４以上である。Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値の上限は特に限定されないが、絶縁層の機械強度等の観点から、好ましくは０．９以下、より好ましくは０．８以下である。なお本発明において、「樹脂面積」とは、樹脂成分が占める面積をいう。樹脂面積についていう「樹脂成分」とは、絶縁層を構成する成分のうち、無機充填材を除いた成分をいう。絶縁層の断面におけるＡ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値は、後述する＜絶縁層断面における樹脂面積及び無機充填材面積の測定＞に記載の手順に従って求めることができる。

本発明においては、上記の条件（ｉ）及び（ｉｉ）を満たしつつ、絶縁層にエキシマレーザーにより小径のビアホールを形成する。

エキシマレーザーは、一般に希ガスとハロゲンガスの混合ガスを用いてレーザー光を発生させる。発生するレーザー光の波長は紫外領域に属し、炭酸ガスレーザーのような赤外線レーザーと比較して発熱が極めて少ない。エキシマレーザーのレーザー波長は、使用する混合ガスの種類によって異なり、例えば、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）、３５１ｎｍ（ＸｅＦ）である。特に、２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）が好適である。また希ガスのみでレーザー光を発生させるエキシマレーザーも知られており、該エキシマレーザーのレーザー波長として１７２ｎｍ（Ｘｅ_２）、１４６ｎｍ（Ｋｒ_２）、１２６ｎｍ（Ａｒ_２）が存在する。これらも本発明におけるエキシマレーザーに含まれる。

エキシマレーザーによる穴あけ加工条件（例えば、レーザー波長、パルス数、パルス幅、出力）は、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成し得る限り特に限定されず、使用するエキシマレーザー加工機の仕様に応じて、一般的な加工条件の範囲で適宜決定することができる。市販のエキシマレーザー加工機としては、例えば、ＳＵＳＳ ＭｉｃｒｏＴｅｃｈ社製「ＥＬＰ３００ Ｇｅｎ２」が挙げられる。

先述の条件（ｉ）及び（ｉｉ）を満たしつつエキシマレーザーにより穴あけ加工する本発明の方法によれば、無機充填材を含む絶縁層（たとえ無機充填材含有量が高い絶縁層であっても）に、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる。

図２を参照して、ビアホールの形状について説明する。図２には、内層基板１と、該内層基板と接合するように設けられた厚さｔの絶縁層１０とが示されており、該絶縁層１０には、（ａ）乃至（ｃ）の模式的なビアホールが形成されている。本発明において、ビアホールの「開口径」（Ｄ）とは、絶縁層表面（図２においてＺ＝０の位置）におけるビアホールの径をいう。また、ビアホールの「最小径」（Ｄ_ｍｉｎ）とは、Ｚが０〜ｔの範囲におけるビアホールの最小径をいう。ビアホールの「最大径」（Ｄ_ｍａｘ）とは、Ｚが０〜ｔの範囲におけるビアホールの最大径をいう。例えば、図２における（ａ）のビアホールは、絶縁層表面から絶縁層の深さ方向（Ｚ）に進むにつれて径が徐々に小さくなる順テーパ形状を有する。斯かるビアホール（ａ）では、開口径Ｄが最大径Ｄ_ｍａｘであり、ビアホール底部（図２においてＺ＝ｔの位置）において最小径Ｄ_ｍｉｎを呈する。エキシマレーザーを用いてビアホールを形成する場合、一般に、（ａ）のビアホールが形成される。また、図２における（ｂ）又は（ｃ）のビアホールが形成される場合がある。（ｂ）のビアホールは、絶縁層表面から絶縁層の深さ方向（Ｚ）に一定距離（ｋ_１ｔ；但し、ｋ_１は０＜ｋ_１＜１を満たす数である。）進む間は径が徐々に小さくなり、更に深さ方向に進むと径が徐々に大きくなる。斯かるビアホール（ｂ）では、開口径Ｄ又はビアホール底部（Ｚ＝ｔの位置）の径が最大径Ｄ_ｍａｘであり、深さｋ_１ｔの位置において最小径Ｄ_ｍｉｎを呈する。（ｃ）のビアホールは、絶縁層表面から絶縁層の深さ方向（Ｚ）に一定距離（ｋ_２ｔ；但し、ｋ_２は０＜ｋ_２＜１を満たす数である。）進む間は径が徐々に大きくなり、更に深さ方向に進むと径が徐々に小さくなる。斯かるビアホール（ｃ）では、深さｋ_２ｔの位置において最大径Ｄ_ｍａｘを呈し、開口径Ｄ又はビアホール底部（Ｚ＝ｔの位置）の径が最小径Ｄ_ｍｉｎである。

（ａ）乃至（ｃ）のビアホールの別を問わず、良好な導通信頼性を得る観点から、ビアホールの開口径Ｄとビアホールの最小径Ｄ_ｍｉｎとは、０．６５≦Ｄ_ｍｉｎ／Ｄを満たすことが好適である。Ｄ_ｍｉｎ／Ｄの値が低いと、ビアホール内部へのめっき液の浸透の悪化に帰着し、ひいては導通信頼性の低下を招くためである。一層良好な導通信頼性を得る観点から、Ｄ_ｍｉｎ／Ｄの値は、好ましくは０．６６以上、より好ましくは０．６８以上、さらに好ましくは０．７０以上、０．７２以上、０．７４以上、０．７６以上、０．７８以上、又は０．８０以上である。Ｄ_ｍｉｎ／Ｄの値の上限は１であり、通常、０．９９以下、０．９８以下、０．９５以下、０．９０以下などとなる。本発明の方法によれば、Ｄ_ｍｉｎ／Ｄの値が高い小径のビアホールを有利に形成することができる。Ｄ_ｍｉｎ／Ｄの値は、十分な数（Ｎ_２）のビアホールについて、ビアホール開口部をＳＥＭにより表面観察して求めることができる。（ｃ）のビアホールに関しても、開口径Ｄよりもビアホール底部の径が小さい場合には、ＳＥＭによる表面観察によって最小径Ｄ_ｍｉｎを測定し得るためである（ビアホール底部の径が視認されない場合は、開口径Ｄが最小径Ｄ_ｍｉｎである）。Ｎ_２は１０以上であることが好適である。

なお、（ｃ）のビアホールが多く形成されることは希であるが、斯かる場合、ビアホールの開口径Ｄとビアホールの最大径Ｄ_ｍａｘとは、Ｄ_ｍａｘ／Ｄ≦１．３５を満たすことが好適である。Ｄ_ｍａｘ／Ｄの値は、好ましくは１．３０以下、より好ましくは１．２０以下、さらに好ましくは１．１０以下又は１．０５以下である。Ｄ_ｍａｘ／Ｄの値の下限は１である。Ｄ_ｍａｘ／Ｄの値は、十分な数（Ｎ_２）のビアホールについて、ビアホール断面をＳＥＭにより観察して求めることができる。Ｎ_２は１０以上であることが好適である。

本発明において、絶縁層の厚さｔ（μｍ）とビアホールの開口径Ｄ（μｍ）とは、良好なビア形状を有し内部スミア量の少ない小径のビアホールを形成する観点から、ｔ≦３Ｄを満たすことが好ましく、ｔ≦２．５Ｄを満たすことがより好ましく、ｔ≦２Ｄを満たすことがさらに好ましく、ｔ≦１．８Ｄ、ｔ≦１．６Ｄ、ｔ≦１．４Ｄ、ｔ≦１．２Ｄ、又はｔ≦１Ｄを満たすことがさらにより好ましい。絶縁層の厚さｔの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上などである。

好適な実施形態において、絶縁層は、無機充填材を含む樹脂組成物層を熱硬化して形成される。

絶縁層の誘電率を十分に低下させて高速信号伝送を達成する観点から、樹脂組成物層を構成する樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは２５質量％以上である。
なお、本発明において、樹脂組成物を構成する各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

無機充填材を含む樹脂組成物を使用して絶縁層を形成すると、エキシマレーザーによるレーザー加工性が低下して、ビア形状が悪化したり、ビアホール内部のスミア量が増大したりする場合がある。これに対し、上記特定の条件（ｉ）及び（ｉｉ）を満たしつつエキシマレーザーによりビアホールを形成する本発明においては、ビア形状やスミア量の問題なしに、無機充填材含有量が高い樹脂組成物を使用することができる。例えば、樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、３０質量％以上、４０質量％以上、５０質量％以上、６０質量％以上、又は７０質量％以上にまで高めてよい。

樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、絶縁層の機械強度の低下を防止する観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。

無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

無機充填材の平均粒径は、上記の条件（ｉ）及び（ｉｉ）を好適に満たす観点から、好ましくは０．６μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．４μｍ以下、０．３μｍ以下、０．２５μｍ以下、０．２μｍ以下、０．１５μｍ以下、又は０．１μｍ以下である。無機充填材の平均粒径の下限は、特に限定されないが、通常、０．０１μｍ以上、０．０２μｍ以上などとし得る。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、電気化学工業（株）製「ＵＦＰ−３０」、「ＵＦＰ−４０」、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」、「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、トクヤマ（株）製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」が挙げられる。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。

無機充填材は、耐湿性向上のため、シラン化合物、オルガノシラザン化合物、アルミニウム系カップリング剤、チタニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。

特に、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を使用することにより、上記のＡ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値が高く、かつ、上記条件（ｉｉ）の平均数ｎが低い、絶縁層を実現し得ることを本発明者らは見出している。したがって好適な一実施形態において、樹脂組成物層を構成する樹脂組成物、ひいては絶縁層は、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を含む。

Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値が高く、かつ、平均数ｎが低い絶縁層を実現し得る観点から、芳香環を有する有機基としては、炭素原子数が６〜２０（好ましくは６〜１４、より好ましくは６〜１２、さらに好ましくは６〜１０）のアリール基が好ましく、中でもフェニル基が好ましい。

無機充填材の処理に使用される芳香環を有する有機基を含むシラン化合物としては、上記の芳香環を有する有機基を無機充填材の表面に導入し得る限り特に限定されず、後述するエポキシ樹脂等の樹脂成分と反応し得る反応基（例えば、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基等）をさらに有していてもよい。斯かるシラン化合物の具体例としては、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシラン、メルカプトプロピルフェニルジメトキシシランが挙げられる。シラン化合物の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。シラン化合物は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値が高く、かつ、平均数ｎが低い絶縁層を実現し得る観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やフィルム形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

一実施形態において、樹脂組成物層を構成する樹脂組成物は、上記無機充填材に加えて、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、回路基板の絶縁層を形成する際に使用される従来公知の熱硬化性樹脂を用いることができ、中でもエポキシ樹脂が好ましい。樹脂組成物層を構成する樹脂組成物はまた、硬化剤を含んでいてもよい。したがって一実施形態において、樹脂組成物は、無機充填材に加えて、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む。

−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％としたとき、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、樹脂組成物は、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（「固体状エポキシ樹脂」ともいう。）を単独で、又は、固体状エポキシ樹脂と、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）とを組み合わせて含むことが好ましい。固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系固体状エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する芳香族系液状エポキシ樹脂がより好ましい。本発明において、芳香族系のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｈ」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２８ＵＳ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス（株）製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、（株）ダイセル製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ７２００」、「ＨＰ７２００Ｈ」、「ＨＰ７２００ＨＨ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル（株）製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７２３」、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、i）後述する接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii）十分な破断強度を有する絶縁層を得ることができるなどの効果が得られる。上記i）〜iii）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．５〜１：５の範囲がより好ましく、１：１〜１：４．５の範囲がさらに好ましく、１：１．５〜１：４．５の範囲が特に好ましい。

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％〜６０質量％が好ましく、５質量％〜５５質量％がより好ましく、５質量％〜４５質量％がさらに好ましい。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

−硬化剤−
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着強度の観点から、含窒素フェノール系硬化剤又は含窒素ナフトール系硬化剤が好ましく、トリアジン構造含有フェノール系硬化剤又はトリアジン構造含有ナフトール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着強度を高度に満足させる観点から、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂又はトリアジン構造含有ナフトールノボラック樹脂が好ましい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学（株）製の「ＳＮ−１７０」、「ＳＮ−１８０」、「ＳＮ−１９０」、「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５」、「ＳＮ−３７５」、「ＳＮ−３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−１３５６」、「ＴＤ２０９０」等が挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系硬化剤の好適な具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物、芳香族カルボン酸とフェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーとを反応させて得られる活性エステル化合物が挙げられ、中でもジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、芳香族カルボン酸とフェノール性水酸基を有するリン原子含有オリゴマーとを反応させて得られる活性エステル化合物がより好ましい。なお本発明において、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンタレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤としては、特開２００４−２７７４６０号公報、特開２０１３−４０２７０号公報に開示されている活性エステル化合物を用いてもよく、また市販の活性エステル化合物を用いることもできる。活性エステル化合物の市販品としては、例えば、ＤＩＣ（株）製の「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｌ−６５Ｍ」（ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物）、ＤＩＣ（株）製の「９４１６−７０ＢＫ」（ナフタレン構造を含む活性エステル化合物）、三菱化学（株）製の「ＤＣ８０８」（フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物）、三菱化学（株）製の「ＹＬＨ１０２６」（フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物）、ＤＩＣ（株）製の「ＥＸＢ９０５０Ｌ−６２Ｍ」（リン原子含有活性エステル化合物）が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、ノボラック型（フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型など）シアネートエステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル系硬化剤、ビスフェノール型（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型など）シアネートエステル系硬化剤、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。具体例としては、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート））、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の市販品としては、ロンザジャパン（株）製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、得られる絶縁層の機械強度や耐水性を向上させる観点から、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲がより好ましく、１：０．４〜１：１．２の範囲がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。

樹脂組成物は、必要に応じて、熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及び有機充填材からなる群から選択される１種以上の添加剤をさらに含有していてもよい。

−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＸ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは０．１質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１０質量％、さらに好ましくは１質量％〜５質量％である。

−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物層中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分の合計を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲で使用することが好ましい。

−難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは０．５質量％〜１０質量％、より好ましくは１質量％〜９質量％である。

−有機充填材−
有機充填材としては、回路基板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられ、ゴム粒子が好ましい。

ゴム粒子としては、ゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体である限り特に限定されず、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、ブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。ゴム粒子としては、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム（株）製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８１６Ｎ、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、アイカ工業（株）製）パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業（株）製）などが挙げられる。

有機充填材の平均粒子径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。有機充填材の平均粒子径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤に有機充填材を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子（株）製「ＦＰＡＲ−１０００」）を用いて、有機充填材の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。樹脂組成物層中の有機充填材の含有量は、好ましくは１質量％〜１０質量％、より好ましくは２質量％〜５質量％である。

−他の成分−
樹脂組成物は、必要に応じて、他の成分を含んでいてもよい。斯かる他の成分としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

樹脂組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、例えば、配合成分を、必要により溶媒等を添加し、回転ミキサーなどを用いて混合・分散する方法などが挙げられる。なお、上記の条件（ｉｉ）における平均数ｎを低下させる観点から、必要に応じて、樹脂組成物をフィルター濾過するなどして所定の粒径を有する粒子を除去してもよい。したがって、一実施形態において、絶縁層は、フィルター濾過により粒径ｄ（μｍ）以上の粒子を除去する処理を行った樹脂組成物の層を熱硬化して形成される。ここで、ｄは、好ましくは４以下、より好ましく３以下、さらに好ましくは２以下、さらにより好ましくは１以下である。フィルターの濾過精度は好ましくは４μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下、さらにより好ましくは１μｍ以下である。樹脂組成物の濾過に使用し得る好適なフィルターとしては、例えば、（株）ロキテクノ製「ＳＣＰ−０１０」、「ＳＨＰ−０２０」、「ＳＨＰ−０３０」が挙げられる。

［回路基板］
上記の本発明のコンセプトに基づいて得られる回路基板について説明する。

本発明の回路基板は、開口径が１５μｍ以下のビアホールが形成された絶縁層を含む回路基板であって、
絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、
絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下であることを特徴とする。

本発明の回路基板は、無機充填材を含む絶縁層に、ビア形状が良好で内部スミア量の少ない小径のビアホールが形成されていることを特徴とする。

ビアホールの開口径の好適な範囲、ビアホールの形状（すなわち、Ｄ_ｍｉｎ／Ｄ及びＤ_ｍａｘ／Ｄの好適な範囲）、絶縁層の表面の好適なＲａ値、絶縁層の厚さ、絶縁層の断面における平均数ｎ及びＡ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の好適な範囲は、先述のとおりである。絶縁層の組成もまた、先述のとおりである。好適な一実施形態において、絶縁層は、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を含む。芳香環を有する有機基の詳細、好適なシラン化合物は、先述のとおりである。

本発明の回路基板は、絶縁層の表面に形成された導体層（回路）をさらに含む。導体層の詳細は、後述する［回路基板の製造方法」に記載のとおりである。好適な一実施形態において、本発明の回路基板は、回路幅（ライン；Ｌ）と回路間の幅（スペース；Ｓ）の比（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下（すなわち、配線ピッチ２０μｍ以下）の回路を含む。より好適な一実施形態において、Ｌ／Ｓ＝９μｍ／９μｍ以下（配線ピッチ１８μｍ以下）、Ｌ／Ｓ＝８μｍ／８μｍ以下（配線ピッチ１６μｍ以下）、Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ以下（配線ピッチ１４μｍ以下）、Ｌ／Ｓ＝６μｍ／６μｍ以下（配線ピッチ１２μｍ以下）、Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ以下（配線ピッチ１０μｍ以下）、又はＬ／Ｓ＝４μｍ／４μｍ以下（配線ピッチ８μｍ以下）の微細な回路を含む。

［半導体装置］
本発明の回路基板を用いて、半導体装置を製造することができる。

半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

本発明の半導体装置は、回路基板の導通箇所に、部品（半導体チップ）を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「回路基板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法、などが挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法」とは、「半導体チップを回路基板の凹部に直接埋め込み、半導体チップと回路基板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。

［回路基板の製造方法］
本発明の回路基板の製造方法は、上記の本発明のコンセプトを達成し得る限りにおいて特に限定されない。以下、本発明のコンセプトを達成し得る好適な実施形態について例示する。

好適な実施形態において、本発明の回路基板の製造方法は、
（Ａ）支持体と該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む接着フィルムを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程；
（Ｂ）支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程；及び
（Ｃ）絶縁層にエキシマレーザーにより開口径が１５μｍ以下のビアホールを形成する工程、を含み、工程（Ｂ）で形成される絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下であることを特徴とする。

−工程（Ａ）−
工程（Ａ）において、支持体と該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む接着フィルムを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する。

樹脂組成物層を構成する樹脂組成物は、上記のとおりである。樹脂組成物層の厚さは、得られる絶縁層の厚さｔ（μｍ）がビアホールの開口径Ｄ（μｍ）との間で上記特定の関係（すなわち、ｔ≦３Ｄ）を満たす限り特に限定されず、適宜決定してよい。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する側の表面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する側の表面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤である、リンテック（株）製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」などが挙げられる。

支持体の、樹脂組成物層と接合する側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、工程（Ｂ）で形成される絶縁層の表面のＲａ値を低下させる観点から、１５０ｎｍ以下であり、好ましくは１４０ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１２０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、８０ｎｍ以下、又は７０ｎｍ以下である。該Ｒａの下限は特に限定されないが、導体層との密着強度が良好な絶縁層を得る観点から、通常、１ｎｍ以上、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上などとし得る。支持体の、樹脂組成物層と接合する側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、絶縁層の表面のＲａについて説明したものと同様の方法により測定することができる。

支持体の厚さは、特に限定されないが、好ましくは７５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、５０μｍ以下、又は４０μｍ以下である。支持体の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、２μｍ以上、５μｍ以上などとし得る。なお、支持体が離型層付き支持体である場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。接着フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

工程（Ａ）で用いる「内層基板」とは、主として、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板、又は該基板の片面又は両面にパターン加工された導体層（回路）が形成された基板をいう。また回路基板を製造する際に、さらに絶縁層及び／又は導体層が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も本発明でいう「内層基板」に含まれる。回路基板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用すればよい。

内層基板と接着フィルムの積層は、例えば、支持体側から接着フィルムを内層基板に加熱圧着することにより行うことができる。接着フィルムを内層基板に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を接着フィルムに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

内層基板と接着フィルムの積層は、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアップリケーター等が挙げられる。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された接着フィルムの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

−工程（Ｂ）−
工程（Ｂ）において、支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。

熱硬化の条件は特に限定されず、回路基板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。

樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物の組成等によっても異なるが、最終的に適切な絶縁層が形成され得る条件であれば特に限定されず、例えば、熱硬化温度は、１２０℃〜２４０℃の範囲が好ましく、１５０℃〜２１０℃の範囲がより好ましく、１６０℃〜１９０℃の範囲がさらに好ましい。ここで、熱硬化温度は、必ずしも上記温度範囲のうち所定の温度に固定されている必要はなく、最終的に適切な絶縁層が形成される限り経時的に変化させてもよく、異なる硬化温度で複数段階に分けて硬化してもよい。また硬化温度の最高到達温度が上記範囲内にあるのが好ましい。

熱硬化時間は、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物の組成や熱硬化温度によっても異なるが、最終的に適切な絶縁層が形成される限り特に限定されず、例えば、２０分間〜１５０分間、好ましくは３０分間〜１２０分間、より好ましくは４０分間〜１２０分間とすることができる。

樹脂組成物層の熱硬化は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。

先述のとおり、本発明においては、絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１５０ｎｍ以下とする（条件（ｉ））。Ｒａ値が１５０ｎｍを超える場合、レーザー加工性が低下して、ビア形状が悪化する、ビアホール内部のスミア量が増大するといった問題が生じる。一般に樹脂組成物を熱硬化して絶縁層を形成する場合、樹脂の溶融により無機充填材が絶縁層表面に露出したり、表面にうねりが生じる等して平滑性が低下し、Ｒａを低い値にすることが難しいが、樹脂組成物層に支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化する本発明の回路基板の製造方法によれば、容易に低いＲａ値を達成することができる。また、熱硬化の際、温度を段階的に上昇させるのもＲａ値をより低くするために有効である。例えば、熱硬化温度Ｔ１（但し５０℃≦Ｔ１＜１５０℃）にて１０分間〜６０分間加熱した後、温度Ｔ２（但し１５０℃≦Ｔ２≦２４０℃）にて５分間〜９０分間加熱して熱硬化を行う手法が挙げられる。該Ｒａ値の好適な範囲は先述のとおりである。

工程（Ｂ）で形成される絶縁層は無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下である（条件（ｉｉ））。該平均数（ｎ）が１．０を超える場合、レーザー加工性が低下して、ビア形状が悪化する、ビアホール内部のスミア量が増大するといった問題が生じる。一般に該平均数ｎは、絶縁層中の無機充填材含有量が高い場合に増大する傾向にある。該平均数ｎを低下させるに際しては、１）平均粒径の小さい無機充填材の使用、２）芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材の使用、３）樹脂組成物のフィルター濾過の実施などが有効である。該平均数ｎの好適な範囲は先述のとおりである。

支持体は、工程（Ｂ）の後に除去してよい。好適な一実施形態において、工程（Ｃ）の前に、支持体を除去する。なお、支持体として極薄（例えば、厚さ２μｍ以下又は１μｍ以下）の金属箔を使用する場合、絶縁層に支持体が付いた状態で工程（Ｃ）を実施してもよい。

−工程（Ｃ）−
工程（Ｃ）において、絶縁層にエキシマレーザーにより開口径が１５μｍ以下のビアホールを形成する。

エキシマレーザーの詳細（レーザー波長等）、ビアホールの開口径や形状に関しては、先述のとおりである。

−工程（Ｄ）−
本発明の回路基板の製造方法は、工程（Ｃ）の後に、（Ｄ）デスミア処理する工程をさらに含んでもよい。

本発明の方法によれば、無機充填材を含む絶縁層（たとえ絶縁層中の無機充填材含有量が高い場合であっても）に、ビアホール内部のスミア量の少ない小径のビアホールを形成することができる。したがって、本発明の方法においては、工程（Ｄ）は実施しても実施しなくてもよい。工程（Ｄ）を実施する場合であっても、通常のデスミア処理に比し温和な条件にて実施することができる。したがって、デスミア処理による絶縁層表面の粗化を抑制することができ、微細配線の形成に適した表面粗度の低い絶縁層を実現し得る。

デスミア処理は、特に制限なく、公知の各種方法により行うことができる。一実施形態において、デスミア処理は、酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理とし得る。

酸化剤溶液を用いた湿式デスミア処理においては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による酸化処理、中和液による中和処理をこの順に行うことが好ましい。膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に絶縁層を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に硬化体を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。酸化剤溶液としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による酸化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％が好ましい。市販されている酸化剤溶液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」が挙げられる。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

−工程（Ｅ）−
本発明の回路基板の製造方法は、工程（Ｃ）の後に、（Ｅ）絶縁層の表面に導体層を形成する工程をさらに含んでもよい。

導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。

導体層の厚さは、所望の回路基板のデザインによるが、通常３５μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。導体層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。

工程（Ｅ）において、導体層は、乾式メッキ、湿式メッキ、又はこれらの組み合わせにより形成してよい。

乾式メッキとしては、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レーザーアブレーション等の物理気相成長（ＰＶＤ）法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の化学気相成長（ＣＶＤ）法が挙げられ、中でも蒸着、スパッタリングが好ましい。導体層を乾式メッキのみにて形成する場合、フルアディティブ法等の公知の方法により導体層（回路）を形成してよい。

導体層を湿式メッキにより形成する場合、無電解メッキと電解メッキとを組み合わせてセミアディティブ法により導体層を形成してもよく、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみでフルアディティブ法により導体層を形成してもよい。また、支持体として極薄の金属箔を使用する場合は、モディファイドセミアディティブ法により導体層を形成してもよい。これらの方法は、当分野において公知の手順に従って実施してよい。

乾式メッキと湿式メッキとを組み合わせて導体層を形成してもよい。例えば、乾式メッキにより形成した金属層をメッキシード層として利用し、電解メッキ又は無電解メッキを用いてセミアディティブ法により導体層を形成することができる。

セミアディティブ法においては、不要なメッキシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層（回路）を形成する。このとき、絶縁層の表面粗度が大きいと、配線パターン形成時にエッチングで不要なメッキシード層を除去する際に粗度大領域のメッキシード層が除去され難く、また、粗度大領域のメッキシード層を十分に除去し得る条件でエッチングする場合には配線パターンの溶解が顕著となり、回路配線の微細化の障害となる。これに対し、本発明の方法においては、先述のとおり、デスミア処理が不要か又は温和な条件にて実施し得るため、表面粗度の低い絶縁層を実現し得る。ビア形状が良好でスミア量の少ない小径のビアホールを実現し得る効果も相俟って、本発明の回路基板の製造方法は、回路配線の高密度化と微細化の双方に著しく寄与するものである。

以上、本発明の回路基板の製造方法の好適な一実施形態について例示したが、上記の本発明のコンセプトを達成し得る限り、本発明の方法は上記以外の工程を含んでもよい。

以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、別途明示のない限り、「部」及び「％」は「質量部」及び「質量％」をそれぞれ意味する。

＜測定・評価方法＞
まず、本明細書での物性評価における測定・評価方法について説明する。

〔測定・評価用基板の調製〕
（１）内層回路基板の下地処理
回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．４ｍｍ、パナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」）の両面をマイクロエッチング剤（メック（株）製「ＣＺ８１００」）にて１μｍエッチングして銅表面の粗化処理を行った。

（２）接着フィルムの積層
実施例及び比較例で作製した接着フィルムから保護フィルムを剥離した。樹脂組成物層の露出した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）ニチゴー・モートン製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、積層された接着フィルムを、大気圧下、１００℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスして平滑化した。

（３）樹脂組成物層の硬化
接着フィルムの積層後、樹脂組成物層を熱硬化させて、内層回路基板の両面に絶縁層を形成した。その際、実施例１〜４及び比較例１に関しては、支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化させ、熱硬化の後に支持体を剥離した。比較例２に関しては、支持体を剥離した後に樹脂組成物層を熱硬化させた。得られた基板を「評価基板ａ」と称する。

樹脂組成物層の熱硬化は、下記条件Ｂ−１（実施例１、２、比較例１、２）又は条件Ｂ−２（実施例３、４）にて実施した。
条件Ｂ−１：１８０℃で（１８０℃のオーブンに投入後）３０分間熱硬化させた。その後、基板を室温雰囲気下に取り出した。
条件Ｂ−２：１００℃で（１００℃のオーブンに投入後）３０分間、次いで１７０℃で（１７０℃のオーブンに移し替えた後）３０分間、熱硬化させた。その後、基板を室温雰囲気下に取り出した。

（４）エキシマレーザーによるビアホールの形成
エキシマレーザー加工機（ＳＵＳＳ ＭｉｃｒｏＴｅｃｈ社製「ＥＬＰ３００ Ｇｅｎ２」）を使用して、絶縁層に小径のビアホールを形成した。実施例１については下記条件Ｉ−１にて、実施例２〜４及び比較例１、２については下記条件Ｉ−２にてビアホールを形成した。得られた基板を「評価基板ｂ」と称する。
条件Ｉ−１：レーザー波長２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、周波数３０Ｈｚ、パルス１４、狙いトップ径５μｍ、スキャンアブレーション加工法
条件Ｉ−２：レーザー波長３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）、周波数１００Ｈｚ、パルス３０、狙いトップ径１０μｍ、スキャンアブレーション加工法

＜算術平均粗さ（Ｒａ）の測定＞
評価基板ａについて、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる数値によりＲａ値を求めた。各サンプルについて無作為に選んだ１０点の平均値を求めた。

＜絶縁層中の無機充填材の粒径の評価＞
評価基板ｂについて、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、絶縁層の断面観察を行った。詳細には、評価基板の表面に垂直な方向における断面をＦＩＢ（集束イオンビーム）により削り出し、断面ＳＥＭ画像（観察幅３０μｍ、観察倍率ｘ９０００）を取得した。各サンプルにつき、無作為に選んだ１０箇所の断面ＳＥＭ画像を取得した。
取得した１０箇所の断面ＳＥＭ画像の各々について、幅１５μｍの領域、すなわち、縦を絶縁層全厚、横を１５μｍとする四角形の領域（絶縁層全厚（縦）×１５μｍ（横）の領域）に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材をカウントし、１０箇所の断面ＳＥＭ画像について平均数ｎを得た。ここで、「粒径３μｍ以上の無機充填材」とは、断面ＳＥＭ画像における最大径が３μｍ以上である無機充填材をいう。また、無機充填材の最大径の１／２超が幅１５μｍの領域に入っている場合に、該無機充填材は「幅１５μｍの領域に含まれる」と判定した。

＜絶縁層断面における樹脂面積及び無機充填材面積の測定＞
評価基板ｂについて、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、絶縁層の断面観察を行った。詳細には、評価基板の表面に垂直な方向における断面をＦＩＢ（集束イオンビーム）により削り出し、断面ＳＥＭ画像（観察幅３０μｍ、観察倍率ｘ９０００）を取得した。各サンプルにつき、無作為に選んだ１０箇所の断面ＳＥＭ画像を取得した。取得した１０箇所の断面ＳＥＭ画像の各々について、幅１５μｍの領域、すなわち、縦を絶縁層全厚、横を１５μｍとする四角形の領域（絶縁層全厚（縦）×１５μｍ（横）の領域）の樹脂面積Ａ_１と、無機充填材面積Ａ_２とを測定し、得られたＡ_１値及びＡ_２値からＡ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）の値を算出した。
具体的には、樹脂面積Ａ_１と無機充填材面積Ａ_２とは、ＳＥＭ観察像を画像として保存し、画像解析ソフトを使用して、樹脂部分を黒色、樹脂以外の無機充填材部分を白色として白黒２値化し、黒色部分のビット数を樹脂面積Ａ_１とし、白色部分のビット数を無機充填材面積Ａ_２とした。

＜ビア形状の評価＞
評価基板ｂについて、ビアホール開口部を走査型電子顕微鏡（(株)日立ハイテクノロジーズ製「Ｓ−４８００」）を使用して表面観察した。得られた画像からビアホールの開口径Ｄと、ビアホールの最小径Ｄ_ｍｉｎを測定した。１０個のビアホールについてＤ及びＤ_ｍｉｎを測定し、Ｄ_ｍｉｎ／Ｄ比の平均値を求めた。ビア形状は、得られたＤ_ｍｉｎ／Ｄ比の平均値に基づき下記評価基準により評価した。
評価基準：
○：Ｄ_ｍｉｎ／Ｄ比が０．６５以上
×：Ｄ_ｍｉｎ／Ｄ比が０．６５未満

＜スミアの評価＞
評価基板ｂについて、ビアホール開口部を走査型電子顕微鏡（(株)日立ハイテクノロジーズ製「Ｓ−４８００」）にて表面観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。スミアは、以下の評価基準により評価した。
評価基準：
○：最大スミア長が２μｍ以下
×：最大スミア長が２μｍ超

＜調製例１＞（樹脂ワニス１の調製）
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）２０部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の１：１溶液）２０部を、ソルベントナフサ１５部、ＭＥＫ５部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学（株）製「ＳＮ−４８５」、水酸基当量２１５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、ポリビニルブチラール樹脂（ガラス転移温度１０５℃、積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」）の固形分１５％のエタノールとトルエンの１：１の混合溶液１５部、アミン系硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）２部、フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」）で表面処理された球形シリカ（電気化学工業（株）製「ＵＦＰ−４０」、平均粒径０．１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．２１ｍｇ／ｍ^２）２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター（（株）ロキテクノ製「ＳＣＰ−０１０」、濾過効率（メーカー公称値）：１μｍ以上の粒子を９９．９％以上カット）で濾過して、樹脂ワニス１を調製した。

＜調製例２＞（樹脂ワニス２の調製）
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）８部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）１０部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−７２００ＨＨ」、エポキシ当量２８０）１０部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：ＭＥＫの１：１溶液）１２部を、ソルベントナフサ２８部、ＭＥＫ５部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤（水酸基当量１５１、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）１０部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）１０部、アミン系硬化促進剤（ＤＭＡＰ、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１．６部、イミダゾール系硬化促進剤（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、平均粒径２μｍ）２部、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）１３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター（（株）ロキテクノ製「ＳＨＰ−０５０」、濾過効率（メーカー公称値）：３μｍ以上の粒子を９９．９％以上カット）で濾過して、樹脂ワニス２を調製した。

＜調製例３＞（樹脂ワニス３の調製）
ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７７２３」、エポキシ当量約２３８）１０部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）１０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）１０部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：ＭＥＫの１：１溶液）１０部を、ソルベントナフサ２５部、ＭＥＫ５部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（水酸基当量１２５、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、固形分６０％のＭＥＫ溶液）５部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）１５部、アミン系硬化促進剤（ＤＭＡＰ、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）２部、フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」）及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）の１：１（重量比）混合物で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ１」、平均粒径０．２５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３５ｍｇ／ｍ^２）１００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター（（株）ロキテクノ製「ＳＨＰ−０３０」、濾過効率（メーカー公称値）：２μｍ以上の粒子を９９．９％以上カット）で濾過して、樹脂ワニス３を調製した。

＜調製例４＞（樹脂ワニス４の調製）
１）フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」）で表面処理された球形シリカ（電気化学工業（株）製「ＵＦＰ−４０」、平均粒径０．１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．２１ｍｇ／ｍ^２）２０部に代えて、フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」）で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ４」、平均粒径１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３０ｍｇ／ｍ^２）２０部を使用した点、２）カートリッジフィルターを（株）ロキテクノ製「ＳＨＰ−１５０」（濾過効率（メーカー公称値）：５μｍ以上の粒子を９８％以上カット）に変更した点以外は、調製例１と同様にして、樹脂ワニス４を調製した。

＜作製例１＞接着フィルム１の作製
支持体として、アルキド樹脂系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ、軟化点１３０℃）を用意した。該支持体の離型面に、ダイコーターにて樹脂ワニス１を塗布し、８０℃〜１１０℃（平均１００℃）にて１分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚さは５μｍであった。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）を、該保護フィルムの粗面が樹脂組成物層と接合するように積層し、接着フィルム１を作製した。

＜作製例２＞接着フィルム２の作製
支持体として、アルキド樹脂系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ、軟化点１３０℃）を用意した。該支持体の離型面に、ダイコーターにて樹脂ワニス１を塗布し、８０℃〜１１０℃（平均１００℃）にて１．５分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚さは１０μｍであった。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）を、該保護フィルムの粗面が樹脂組成物層と接合するように積層し、接着フィルム２を作製した。

＜作製例３＞接着フィルム３の作製
樹脂ワニス１に代えて樹脂ワニス２を使用した以外は、作製例２と同様にして、接着フィルム３を作製した。

＜作製例４＞接着フィルム４の作製
樹脂ワニス１に代えて樹脂ワニス３を使用した以外は、作製例２と同様にして、接着フィルム４を作製した。

＜作製例５＞接着フィルム５の作製
樹脂ワニス１に代えて樹脂ワニス４を使用した以外は、作製例２と同様にして、接着フィルム５を作製した。

＜実施例１＞
接着フィルム１を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕に従って評価基板を調製し、各評価を行った。

＜実施例２＞
接着フィルム２を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕に従って評価基板を調製し、各評価を行った。

＜実施例３＞
接着フィルム３を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕に従って評価基板を調製し、各評価を行った。

＜実施例４＞
接着フィルム４を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕に従って評価基板を調製し、各評価を行った。

＜比較例１＞
接着フィルム５を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕に従って評価基板を調製し、各評価を行った。

＜比較例２＞
接着フィルム２を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕に従って評価基板を調製し、各評価を行った。

評価結果を表２に示す。

１ 内層基板
１０ 絶縁層
１１ 樹脂成分
１２ 無機充填材

Claims (15)

1. 開口径が１５μｍ以下のビアホールが形成された絶縁層を含む回路基板であって、
   絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下であり、
   絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下である、回路基板。
2. 絶縁層の表面のＲａが１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の回路基板。
3. ビアホールの開口径が１２μｍ以下である、請求項１又は２に記載の回路基板。
4. 絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域の樹脂面積Ａ_１と無機充填材面積Ａ_２とが、０．１≦Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）を満たす、請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
5. ビアホールの開口径Ｄとビアホールの最小径Ｄ_ｍｉｎとが、０．６５≦Ｄ_ｍｉｎ／Ｄを満たす、請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
6. 絶縁層が、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板。
7. 無機充填材がシリカである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路基板を含む半導体装置。
9. （Ａ）支持体と該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む接着フィルムを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程；
   （Ｂ）支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程；及び
   （Ｃ）絶縁層にエキシマレーザーにより開口径が１５μｍ以下のビアホールを形成する工程、を含む回路基板の製造方法であって、工程（Ｂ）で形成される絶縁層が無機充填材を含み、絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域に含まれる粒径３μｍ以上の無機充填材の平均数が１．０以下である、回路基板の製造方法。
10. 工程（Ｃ）の前に、支持体を除去する、請求項９に記載の方法。
11. 絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以下である、請求項９又は１０に記載の方法。
12. 絶縁層の表面に垂直な方向における該絶縁層の断面において、幅１５μｍの領域の樹脂面積Ａ_１と無機充填材面積Ａ_２とが、０．１≦Ａ_２／（Ａ_１＋Ａ_２）を満たす、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
13. ビアホールの開口径Ｄとビアホールの最小径Ｄ_ｍｉｎとが、０．６５≦Ｄ_ｍｉｎ／Ｄを満たす、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 絶縁層が、芳香環を有する有機基を含むシラン化合物で表面処理された無機充填材を含む、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 無機充填材がシリカである、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。

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