JP2016086168A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】集光用の光学素子による発光素子からの出射光の利用効率を向上させて、装置のサイズを大型化することなく装置正面での発光強度を向上させた発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置(1)は、複数の発光素子(30)と、複数の発光素子が実装領域内に実装され、複数の発光素子に電力を供給するための1組の電極(24A,24B)が実装領域の周囲に配置された基板(10,20)と、複数の発光素子からの出射光により励起される蛍光体(61,62)を含有し、実装領域上で複数の発光素子を封止する封止樹脂(50)と、基板上の1組の電極と封止樹脂との間にある平坦な領域(S)に下端(71)を接触させて封止樹脂を覆うように載置され、複数の発光素子から封止樹脂を通して出射した光を集光する光学素子(70)とを有する。
【選択図】図5

Description

本発明は、発光装置およびその製造方法に関する。
セラミック基板や金属基板などの汎用基板の上にLED(発光ダイオード)素子などの発光素子が実装されたCOB(Chip On Board)の発光装置が知られている。こうした発光装置では、蛍光体を含有する樹脂により例えば青色光を発光するLED素子を封止し、LED素子からの光により蛍光体を励起させて得られる光を混合させることにより、用途に応じて白色光などを得ている。
例えば、特許文献1には、回路基板、回路基板に載置された反射枠、回路基板に実装された発光素子、ならびに発光素子の発光面の上に積層された赤色を発光する蛍光体を含有する第1の発光層、緑色を発光する蛍光体を含有する第2の発光層および青色を発光する蛍光体を含有する第3の発光層を有する発光装置が記載されている。
また、特許文献2には、表面に外部と接続する導体層を有する基材に搭載された発光素子を封止した発光装置であって、発光素子の上方に配置された蛍光体層と、蛍光体層と導体層の双方に接し熱伝導性粒子が分散されている樹脂層とを有することにより、蛍光体粒子からの発熱を良好にした発光装置が記載されている。
また、こうした発光装置の製造時には、例えば色度のバラつきを抑えるために、樹脂内に分散させた蛍光体を沈降させてから樹脂を硬化させることが行われている。例えば、特許文献3には、基板に撥液剤パターンを形成する工程と、基板における撥液剤パターンの内側にLEDチップを実装する工程と、撥液剤パターンの内側に蛍光体を混練した封止樹脂を塗布する工程と、無風状態にて封止樹脂内の蛍光体を沈降させる工程とを含む発光素子パッケージの製造方法が記載されている。
特開2009−289829号公報 特開2014−041993号公報 特開2012−044048号公報
例えばスポットライト用の光源として発光装置を用いる場合には、発光装置の上にレンズなどの光学素子を搭載して、発光素子からの光を集光する。このとき、レンズを十分大きくできるならば所望の範囲内への集光が可能であるが、実際には照明器具の大きさの制約があるため、発光装置を大型化することなく光をより狭い範囲内に集光させることが求められる。そこで、複数の発光素子をより高密度に実装することで、発光装置の発光エリア(Light Emitting Surface)に相当する封止樹脂の領域をなるべく狭くして、小型の発光装置を実現することが考えられる。ただし、発光効率を確保するためには、単純に装置を小型化するだけでなく、光学素子を搭載したときの光の損失量を減少させるなどの工夫も必要となる。
また、複数の発光素子を高密度で実装した場合には、実装密度とともに発熱量も増加し、その熱によって発光強度が低下する恐れもあるため、放熱特性を改善させることも必要になる。特に、封止樹脂に含有される蛍光体も発光素子からの光が照射されることにより発熱するため、発光素子の実装密度が高くなるほど、蛍光体からの熱を放熱させる必要性も高まる。
そこで、本発明は、集光用の光学素子による発光素子からの出射光の利用効率を向上させて、装置のサイズを大型化することなく装置正面での発光強度を向上させた発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
複数の発光素子と、複数の発光素子が実装領域内に実装され、複数の発光素子に電力を供給するための1組の電極が実装領域の周囲に配置された基板と、複数の発光素子からの出射光により励起される蛍光体を含有し、実装領域上で複数の発光素子を封止する封止樹脂と、基板上の1組の電極と封止樹脂との間にある平坦な領域に下端を接触させて封止樹脂を覆うように載置され、複数の発光素子から封止樹脂を通して出射した光を集光する光学素子とを有する発光装置が提供される。
上記の発光装置では、光学素子は、底面に設けられた凹部内に封止樹脂が収容されるように、基板上の平坦な領域に底面を接触させて載置され、複数の発光素子から封止樹脂を通して側方に出射した光を上方に全反射させる傾斜した側面を有することが好ましい。
上記の発光装置では、1組の電極にはコネクタが接続され、光学素子は、コネクタと封止樹脂との間にある基板上の平坦な環状領域に載置されていることが好ましい。
上記の発光装置では、封止樹脂は、複数種類の蛍光体を含有し、蛍光体が種類ごとに層状に沈降した状態で硬化していることが好ましい。
また、発光素子と、発光素子を封止し、複数種類の蛍光体を含有し、蛍光体が種類ごとに層状に沈降した状態で硬化した封止樹脂と、発光素子が上面に実装され、封止樹脂を取り囲む平坦な領域を有する基板とを有する発光装置が提供される。
上記の発光装置では、封止樹脂は、複数種類の蛍光体として緑色蛍光体と赤色蛍光体を含有し、緑色蛍光体を主に含む第1の層、赤色蛍光体を主に含む第2の層、ならびに第1の層および第2の層より緑色蛍光体および赤色蛍光体の濃度が低い第3の層を基板に近い側から順に有することが好ましい。
上記の発光装置は、基板の平坦な領域の上に下端を接触させて封止樹脂を覆うように載置され、発光素子から出射された光を集光する光学素子をさらに有することが好ましい。
上記の発光装置では、発光素子は、複数のLED素子であり、封止樹脂により覆われる基板の上面の領域における複数のLED素子が占める面積の割合が30%〜50%であることが好ましい。
また、基板上の実装領域内に複数の発光素子を実装する工程と、複数の発光素子に電力を供給するための1組の電極を基板上の実装領域の周囲に形成する工程と、複数の発光素子からの出射光により励起される蛍光体を含有する封止樹脂により、実装領域上で複数の発光素子を封止する工程と、複数の発光素子から封止樹脂を通して出射した光を集光する光学素子の下端を基板上の1組の電極と封止樹脂との間にある平坦な領域に接触させて、封止樹脂を覆うように光学素子を載置する工程とを有する発光装置の製造方法が提供される。
上記の封止する工程では、複数種類の蛍光体を含有する封止樹脂を実装領域上に注入し、蛍光体を種類ごとに層状に沈降させた後で、封止樹脂を硬化させることが好ましい。
また、基板の上面に発光素子を実装する工程と、複数種類の蛍光体を含有する封止樹脂により、封止樹脂を取り囲む平坦な領域を基板の上面に残して発光素子を封止する工程と、蛍光体を種類ごとに層状に沈降させる工程と、封止樹脂を硬化させる工程とを有する発光装置の製造方法が提供される。
上記の発光装置およびその製造方法によれば、集光用の光学素子による発光素子からの出射光の利用効率が向上して、装置のサイズを大型化することなく装置正面での発光強度が向上する。
発光装置1の上面図および断面図である。 実装基板10、回路基板20、反射枠40の上面図および断面図である。 コネクタ80が取り付けられた発光装置1の上面図である。 別のコネクタ80’が取り付けられた発光装置1の斜視図である。 発光装置1の環状領域S上にレンズ70が取り付けられた発光装置1’の縦断面図である。 レンズ70の形状を示す図である。 レンズ70の機能を説明するための断面図である。 発光エリアの大きさが異なる発光装置1と発光装置100とを比較した図である。 発光装置1のLED素子30の配置例を示す上面図である。 封止樹脂50の模式的な断面図である。 発光エリアの大きさと発光強度との関係を示すグラフである。 発光装置1の製造工程を説明するための模式図である。
以下、図面を参照しつつ、発光装置およびその製造方法について説明する。ただし、本発明は図面または以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。
図1(A)および図1(B)は、発光装置1の上面図および断面図である。発光装置1は、主要な構成要素として、実装基板10、回路基板20、LED素子30、反射枠40および封止樹脂50を有する。図1(A)は完成品としての発光装置1の上面図を示し、図1(B)は図1(A)のIB−IB線断面図を示す。
また、図2(A)〜図2(F)は、実装基板10、回路基板20、反射枠40の上面図および断面図である。このうち、図2(A)は実装基板10の上面図を示し、図2(B)は図2(A)のIIB−IIB線断面図を示す。図2(C)は回路基板20の上面図を示し、図2(D)は図2(C)のIID−IID線断面図を示す。図2(E)は反射枠40の上面図を示し、図2(F)は図2(E)のIIF−IIF線断面図を示す。
実装基板10は、その上面にLED素子30が実装される平面領域を有する基板であり、放熱性を高めるために金属部材で構成される。実装基板10は、例えば、耐熱性および放熱性に優れたアルミニウム製の基台で構成される金属基板である。実装基板10は一例として正方形の形状を有し、その対角線上で向かい合う2つの頂点付近には、固定用貫通穴11A,11Bが設けられる。
回路基板20は、一例として、実装基板10と同じ大きさの正方形の形状を有し、その中心部には円形の開口部21が形成される。回路基板20にも、対角線上で向かい合う2つの頂点付近には、固定用貫通穴22A,22Bが設けられる。回路基板20は、固定用貫通穴22A,22Bの位置が実装基板10の固定用貫通穴11A,11Bと合うように、その下面が例えば接着シートにより実装基板10上に貼り付けられて固定される。また、回路基板20の上面には、開口部21を取り囲むように配線パターン23が形成される。なお、配線パターン23は、図1(A)では図示しておらず、図2(C)と図2(D)において模式的に示している。配線パターン23のうち、固定用貫通穴22A,22Bが設けられていない残りの2つの頂点付近には、LED素子30に電力を供給するための1組の接続電極24A,24Bが形成される。接続電極24A,24Bは一方がアノード電極で他方がカソード電極となり、これらが外部電源に接続されて電圧が印加されることによって、発光装置1は発光する。
LED素子30は、発光素子の一例であり、例えば発光波長帯域が450〜460nm程度の青色光を発光する青色LEDである。発光装置1では、複数のLED素子30が、回路基板20の開口部21において露出している実装基板10上に実装される。開口部21において露出している実装基板10の上面が、LED素子30の実装領域である。LED素子30の下面は、例えば透明な絶縁性の接着剤などにより、実装基板10の上面に固定される。また、LED素子30は上面に一対の素子電極を有する。図1(B)に示すように、隣接するLED素子30の素子電極は、ボンディングワイヤ31により相互に接続される。開口部21の外周側に位置するLED素子30から出たボンディングワイヤ31は、回路基板20の配線パターン23に接続される。
反射枠40は、開口部21の大きさに合わせて白色の樹脂で構成された円形の枠体であり、回路基板20の上面で配線パターン23と重なる位置に固定される。反射枠40は、LED素子30から側方に出射された光を、発光装置1の上方(LED素子30から見て実装基板10とは反対側)に向けて反射させる。
封止樹脂50は、開口部21に注入されて、複数のLED素子30を一体に被覆し保護(封止)する。例えば、封止樹脂50としては、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの無色かつ透明な樹脂を、特に250℃程度の耐熱性がある樹脂を使用するとよい。封止樹脂50は、図1(A)に示した例では円板状に硬化され、例えば反射枠40により実装基板10上に固定される。
また、封止樹脂50には、複数種類の蛍光体として、緑色蛍光体と赤色蛍光体が分散混入される。発光装置1は、青色LEDであるLED素子30からの青色光と、それによって緑色蛍光体および赤色蛍光体を励起させて得られる緑色光および赤色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。緑色蛍光体は、LED素子30が出射した青色光を吸収して緑色光に波長変換する、例えば(BaSr)SiO:Eu2+などの粒子状の蛍光体材料である。赤色蛍光体は、LED素子30が出射した青色光を吸収して赤色光に波長変換する、例えばCaAlSiN:Eu2+などの粒子状の蛍光体材料である。なお、封止樹脂50に混入される蛍光体の組合せは緑色蛍光体と赤色蛍光体に限らず、例えばYAG(yttrium aluminum garnet)などの黄色蛍光体をさらに混入させてもよいし、黄色蛍光体と赤色蛍光体などの上記とは異なる組合せを用いてもよい。
図3は、コネクタ80が取り付けられた発光装置1の上面図である。上記の通り、発光装置1では、封止樹脂50で覆われた実装領域内(開口部21内の実装基板10上)に複数のLED素子30が実装され、接続電極24A,24Bが実装領域の周囲に配置されている。図3に示すように、接続電極24A,24Bには、発光装置1を外部電源に接続するためのコネクタ(ホルダ)80が接続される。符号83は、コネクタ80を介して発光装置1を照明器具などに取り付けるためのねじを示し、符号84は、発光装置1と外部電源との接続用の電線84を示す。図3に示すように、実装基板10と回路基板20により構成される発光装置1の基板は、コネクタ80と封止樹脂50との間に、封止樹脂50を取り囲む平坦な領域を有する。この平坦な領域のうち、封止樹脂50を取り囲む環状領域を、図3では符号Sで示す。
図4(A)および図4(B)は、別のコネクタ80’が取り付けられた発光装置1の斜視図である。特に、図4(B)は図4(A)の分解斜視図である。
コネクタ80’は、中央に円形の開口部81Aを有する上側カバー81と、下側カバー82とで構成される。例えば、下側カバー82は、放熱用のヒートシンク85の上に固定され、上側カバー81は、開口部81A内に封止樹脂50が配置されるように下側カバー82との間に発光装置1を挟んで、ねじ83によりヒートシンク85の上に固定される。符号84は、接続電極24A,24Bに接続され、発光装置1を外部電源に接続する電線84を示す。コネクタ80’が取り付けられる場合でも、発光装置1は、回路基板20上におけるコネクタ80’と封止樹脂50との間に、封止樹脂50を取り囲む平坦な環状領域Sを有する。
図5は、発光装置1の環状領域S上にレンズ70が取り付けられた発光装置1’の縦断面図である。なお、図5ならびに後述する図8(A)および図8(B)では、説明に関係ない部分は簡略化しており、例えば開口部21や反射枠40は図示を省略している。レンズ70は、発光素子から出射された光を集光する光学素子の一例であり、コネクタ80と封止樹脂50との間にある環状領域Sの上に下端を接触させて、封止樹脂50を覆うように載置される。
図5に示すように、発光装置1では、回路基板20の上面において、接続電極24A,24B(コネクタ80)と封止樹脂50(反射枠40)との間に平坦な環状領域Sが設けられることにより、基板上にレンズ70を固定するためのスペースが確保される。仮に、封止樹脂50の領域を拡大させて封止樹脂50の上にレンズ70を配置した場合には、例えばボンディングワイヤ31(図1(B)を参照)が切れてしまう恐れがある。しかしながら、発光装置1では、平坦な環状領域Sの上にレンズ70を直接固定できることにより、そのような不具合が発生しにくくなる。
図6は、レンズ70の形状を示す図である。符号70A〜70Cは、それぞれ、レンズ70の上面図、端面図および底面図を示す。符号70Bの端面図は、レンズ70を水平方向の中心を通るように鉛直方向に切断したときの端面を示す。
レンズ70は、その中心を通る鉛直方向の軸を対称軸とする回転対称の形状を有し、円形の底面71と、底面71より大きい円形の上面72と、傾斜した側面73とを有する。底面71の中央には、封止樹脂50が収容される円形の下側凹部74が形成され、下側凹部74の上端には、下方に突出した下側湾曲面75が形成されている。上面72の中央には、下側凹部74よりも水平方向の幅がやや大きく鉛直方向の深さがやや小さい上側凹部76が形成され、上側凹部76の下端には、上方に突出した上側湾曲面77が形成されている。また、上側凹部76内の外周部には、垂直断面が3角形状の環状凸部78が形成され、上側湾曲面77はその内側における上側凹部76の底面上に形成されている。
図7は、レンズ70の機能を説明するための断面図である。レンズ70は、下端である底面71を環状領域Sに接触させて、下側凹部74内に封止樹脂50が収容されるように回路基板20上に載置される。符号L1の矢印で示すように、LED素子30から封止樹脂50を通して側方または斜め上方に出射した光は、下側凹部74からレンズ70内に入射した後、側面73により上方に全反射して、上面72から鉛直上方に出射される。符号L2の矢印で示すように、LED素子30から下側湾曲面75の端部に向けて斜め上方に出射した光は、下側湾曲面75で屈折してレンズ70内に入射し、環状凸部78の上面で再度屈折して、上側凹部76から鉛直上方に出射される。符号L3の矢印で示すように、LED素子30からほぼ鉛直上方に出射した光は、下側湾曲面75で屈折してレンズ70内に入射し、上側湾曲面77で再度屈折して、上側凹部76から鉛直上方に出射される。LED素子30からの光は、側方にも上方にも出射されるが、こうしてレンズ70を通過することにより、鉛直上方に集光される。
図8(A)および図8(B)は、発光エリアの大きさが異なる発光装置1と発光装置100とを比較した図である。図8(A)は、図3および図5と同様に、発光装置1の上面図と、発光装置1にレンズ70が取り付けられた状態の縦断面図とを示す。一方、図8(B)は、発光装置1の封止樹脂50よりも面積が広い封止樹脂150でLED素子が封止された発光装置100について、その上面図と、発光装置100にレンズ70が取り付けられた状態の縦断面図とを示す。発光装置100は、反射枠140の大きさ、封止樹脂150の面積および封止されるLED素子同士の間隔が発光装置1とは異なるが、その他の点では発光装置1と同一の構成を有する。
発光装置100では、発光エリア(Light Emitting Surface)に相当する封止樹脂150の面積が広いため、接続電極にコネクタ80が取り付けられた状態では基板上に直接接触させた状態でレンズ70を配置することはできない。このため、図8(B)に示すように、発光装置100では、レンズ70は封止樹脂150の上に配置される。このことに起因して、発光装置100では、矢印Lで示すように、封止樹脂150の側方の破線Gで示した部分から一部の光が外部に逃げてしまい、この分が光の損失量となる。
一方、発光装置1では、回路基板20の上面における環状領域Sの上に直接レンズ70を載置することができるため、発光装置100の場合と比べてレンズ70をよりLED素子30に近付けることができる。このため、LED素子30からの光は、側方に逃げることなく、確実にレンズ70に入射する。したがって、LED素子30の個数、レンズの大きさ、駆動電圧などの条件を同じにした場合、発光装置100より発光装置1の方が、装置の正面方向に光を集中させることができ、装置正面での発光強度を向上させることが可能になる。
図9は、発光装置1のLED素子30の配置例を示す上面図である。図9では、封止樹脂50で覆われているため図1(A)などでは図示していなかった複数のLED素子30の配置例を示し、比較のため、発光装置1の反射枠40と発光装置100の反射枠140の位置も重ねて示している。符号d1,d2は、それぞれ、発光装置1と発光装置100の発光エリアの直径である。最外殻のLED素子30と反射枠40との間の距離は、製造時の基板のずれなどを考慮すれば、発光装置1と発光装置100のどちらも同程度になるが、LED素子同士の間隔は、発光装置1の方が、より狭い発光エリアにLED素子30を詰め込むことにより狭くなる。LED素子同士の間隔を狭くすると、あるLED素子から出射された光が隣接するLED素子に吸収されてしまい発光効率の点では不利になるが、発光エリアが狭くても実装するLED素子の個数を減らさなくて済むため、発光強度(照度)は確保することができる。また、LED素子同士の間隔を狭くすると、LED素子同士を接続するボンディングワイヤ31(図1(B)を参照)が切れにくくなるという利点もある。
発光装置1では、封止樹脂50により覆われる基板の上面の領域(発光エリア)における複数のLED素子30が占める面積の割合は、概ね30〜50%程度である。これに対し、発光装置100の発光エリアにおけるLED素子30が占める面積の割合は、素子数が発光装置1と同じであるとすると、概ね10〜20%程度である。装置の正面方向に光を集中させるためには、発光エリア全体の面積に対する全LED素子の面積の割合(充填率)が例えば30%以上になるようにLED素子30を実装することが好ましい。一方、充填率が高くなり過ぎると、現実的に実装が難しくなるなどの不具合があるため、充填率は例えば50%以下であることが好ましい。なお、切り出されていない1個の半導体結晶を使って発光エリアを構成すれば充填率をさらに高くすることはできるが、この場合には歩留まりが悪くなるため、LED素子30としては個片化されたものを使用することが好ましい。
次に、封止樹脂50内の蛍光体の層構造について説明する。発光装置1では、発光装置100と比べてLED素子30の充填率を高くすることにより、発光エリアの単位面積当たりの発熱量も多くなる。特に、LED素子同士の間隔が狭くなって光の密度が高まると、封止樹脂50に含有される蛍光体に当たる光の密度も高くなり、蛍光体自体も発熱する。そこで、発光装置1では、封止樹脂50内の蛍光体を沈降させて実装基板10に近付けることにより、蛍光体自体の放熱性も向上させて、熱を発散させやすくする。
図10は、封止樹脂50の模式的な断面図である。上記の通り、封止樹脂50は、複数種類の蛍光体として緑色蛍光体61と赤色蛍光体62を含有する。このうち、緑色蛍光体61は、赤色蛍光体62と比べて粒径と重量が大きい。そこで、発光装置1の製造時に、封止樹脂50が硬化していない状態で緑色蛍光体61と赤色蛍光体62を沈降させることにより、両者の比重が異なることに起因して、封止樹脂50内には、緑色蛍光体61を多く含む層と、赤色蛍光体62を多く含む層と、どちらの蛍光体もほとんど含まない樹脂層が形成される。すなわち、封止樹脂50は、緑色蛍光体61を主に含む第1の層51、赤色蛍光体62を主に含む第2の層52、ならびに第1の層51および第2の層52より緑色蛍光体61および赤色蛍光体62の濃度が低い第3の層53を実装基板10に近い側からこの順に有する。
例えば、シリコーン樹脂の熱伝導率は0.1〜0.4W/mK程度であるのに対し、蛍光体の熱伝導率は、それよりも大幅に高い9〜14W/mK程度である。また、同じ蛍光体でも、赤色蛍光体より緑色蛍光体の方が熱伝導率は高い。したがって、第1の層51、第2の層52および第3の層53が実装基板10に近い側からこの順に形成されることにより、封止樹脂50内では、実装基板10に近付くほど熱伝導率が高くなる。このため、このような多層構造を有しない場合と比べて、発光装置1では、封止樹脂50の領域全体から、より効率よく実装基板10に熱を伝えることができる。そして、実装基板10の材質は放熱性に優れたアルミニウムであるため、発光装置1では、LED素子30の充填率を高くしても十分な放熱が可能になる。
図11は、発光エリアの大きさと発光強度との関係を示すグラフである。グラフの横軸は円形の発光エリアの直径d(mm)を示し、縦軸は発光エリアからの発光強度I(cd)を示す。例えば、発光エリアの直径が8.5mm,14.5mmである発光装置は、それぞれ上記の発光装置1,100に対応する。発光エリア内の素子数は同じであると仮定すると、グラフ内に矢印で示すように、発光エリアが小さくなるほど発光強度は高くなる。なお、発光エリアを小さくしてLED素子同士の間隔を狭くするだけでなく、図10を用いて説明したように封止樹脂50内で蛍光体を沈降させることによっても、発光強度は数%向上する。
図12(A)〜図12(C)は、発光装置1の製造工程を説明するための模式図である。発光装置1の製造時には、まず図2(A)〜図2(F)に示した実装基板10、回路基板20および反射枠40を用意し、それらを接着させて、回路基板20の開口部21内における実装基板10の上面に、図12(A)に示すようにLED素子30を実装する。また、LED素子30に電力を供給するための1組の接続電極24A,24Bを、回路基板20の開口部21の周囲に予め形成しておく。
続いて、図12(B)に示すように、緑色蛍光体61と赤色蛍光体62を含有する封止樹脂50を開口部21に注入して、LED素子30を封止する。このときは、封止樹脂50はまだ硬化しておらず、緑色蛍光体61と赤色蛍光体62は封止樹脂50の層内に分散した状態である。なお、回路基板20の上面には、レンズを固定できるように、封止樹脂50を取り囲む平坦な環状領域S(図3を参照)が残される。
そして、図12(B)に示す状態で、実装基板10を水平に保ち、また環境温度を封止樹脂50が硬化しない温度に保って、例えば12時間など、緑色蛍光体61と赤色蛍光体62が自重により沈降するのに十分な時間だけ待つ。これにより、図12(C)に示すように、緑色蛍光体61を多く含む第1の層51と、赤色蛍光体62を多く含む第2の層52と、どちらの蛍光体もほとんど含まない第3の層53が実装基板10に近い側から順に積層される。すなわち、蛍光体が種類ごとに層状に沈降した状態になる。そして、この後で、例えば加熱により封止樹脂50を硬化させることで、完成品の発光装置1が得られる。
さらに、発光装置1の接続電極24A,24Bにコネクタ80を接続し、LED素子30から封止樹脂50を通して出射した光を集光するレンズ70を回路基板20の上に載置する。その際、図5に示したように、レンズ70は、その下端(底面71)を回路基板20上の接続電極24A,24B(コネクタ80)と封止樹脂50との間にある平坦な環状領域Sに接触させて、封止樹脂50を覆うように載置される。これにより、レンズ70付きの発光装置1’が得られる。
以上説明したように、発光装置1では、回路基板20の上面にレンズ70を載置するための平坦な環状領域Sを確保し、その分発光エリアを狭くすることで、装置の正面方向に光を集中させるとともに、レンズを使用したときの光の利用効率を向上させることが可能になる。また、発光装置1では、封止樹脂50内で緑色蛍光体61と赤色蛍光体62を種類ごとに層状に沈降した状態で硬化させることにより、発光により生じる熱を効率的に放出させて発光強度を向上させることが可能になる。
1,1’ 発光装置
10 実装基板
20 回路基板
30 LED素子
40 反射枠
50 封止樹脂
51 第1の層
52 第2の層
53 第3の層
61 緑色蛍光体
62 赤色蛍光体
70 レンズ

Claims (8)

  1. 複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子が実装領域内に実装され、前記複数の発光素子に電力を供給するための1組の電極が前記実装領域の周囲に配置された基板と、
    前記複数の発光素子からの出射光により励起される蛍光体を含有し、前記実装領域上で前記複数の発光素子を封止する封止樹脂と、
    前記基板上の前記1組の電極と前記封止樹脂との間にある平坦な領域に下端を接触させて前記封止樹脂を覆うように載置され、前記複数の発光素子から前記封止樹脂を通して出射した光を集光する光学素子と、
    を有することを特徴とする発光装置。
  2. 前記光学素子は、底面に設けられた凹部内に前記封止樹脂が収容されるように、前記基板上の前記平坦な領域に前記底面を接触させて載置され、前記複数の発光素子から前記封止樹脂を通して側方に出射した光を上方に全反射させる傾斜した側面を有する、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記1組の電極にはコネクタが接続され、
    前記光学素子は、前記コネクタと前記封止樹脂との間にある前記基板上の平坦な環状領域に載置されている、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記封止樹脂は、複数種類の蛍光体を含有し、前記蛍光体が種類ごとに層状に沈降した状態で硬化している、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記封止樹脂は、
    前記複数種類の蛍光体として緑色蛍光体と赤色蛍光体を含有し、
    前記緑色蛍光体を主に含む第1の層、前記赤色蛍光体を主に含む第2の層、ならびに前記第1の層および前記第2の層より前記緑色蛍光体および前記赤色蛍光体の濃度が低い第3の層を前記基板に近い側から順に有する、請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記複数の発光素子は、複数のLED素子であり、
    前記封止樹脂により覆われる前記実装領域における前記複数のLED素子が占める面積の割合が30%〜50%である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 基板上の実装領域内に複数の発光素子を実装する工程と、
    前記複数の発光素子に電力を供給するための1組の電極を前記基板上の前記実装領域の周囲に形成する工程と、
    前記複数の発光素子からの出射光により励起される蛍光体を含有する封止樹脂により、前記実装領域上で前記複数の発光素子を封止する工程と、
    前記複数の発光素子から前記封止樹脂を通して出射した光を集光する光学素子の下端を前記基板上の前記1組の電極と前記封止樹脂との間にある平坦な領域に接触させて、前記封止樹脂を覆うように前記光学素子を載置する工程と、
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  8. 前記封止する工程では、複数種類の蛍光体を含有する封止樹脂を前記実装領域上に注入し、前記蛍光体を種類ごとに層状に沈降させた後で、前記封止樹脂を硬化させる、請求項7に記載の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019036676A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 シチズン電子株式会社 発光装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015104604A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
JP6472728B2 (ja) 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
US9985182B2 (en) * 2015-12-25 2018-05-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus and color-matching apparatus
US11004891B2 (en) 2016-02-09 2021-05-11 Nichia Corporation Light emitting device and backlight including the light emitting device
JP6618503B2 (ja) * 2017-04-12 2019-12-11 株式会社東海理化電機製作所 車両用照射装置
US10690312B2 (en) * 2017-05-18 2020-06-23 Tri Lite, Inc. Light emitting diode signal light

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP2012044034A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US20120292651A1 (en) * 2011-05-18 2012-11-22 Jae Sung You Light emitting device package and manufacturing method thereof
US20130248905A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Ju-Kyung LEE Led package and method of manufacturing the same
JP2014115506A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Mitsubishi Electric Corp レンズ体及び光源ユニット
JP2014192252A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd Led発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076445A (ja) 2000-09-01 2002-03-15 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP4147755B2 (ja) 2001-07-31 2008-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP2003234511A (ja) 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP4292794B2 (ja) 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
JP3858829B2 (ja) 2003-02-06 2006-12-20 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP2005167079A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
JP2009289829A (ja) 2008-05-27 2009-12-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2012044048A (ja) 2010-08-20 2012-03-01 Sharp Corp 発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージ
JP5675248B2 (ja) 2010-09-29 2015-02-25 スタンレー電気株式会社 光源装置および照明装置
JP5864851B2 (ja) * 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
CN103563111B (zh) 2011-06-01 2017-09-12 飞利浦照明控股有限公司 包括导热体的发光模块、灯和灯具
JP2013051369A (ja) 2011-08-31 2013-03-14 Sharp Corp 発光装置
JP2014041993A (ja) 2012-07-24 2014-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP2012044034A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US20120292651A1 (en) * 2011-05-18 2012-11-22 Jae Sung You Light emitting device package and manufacturing method thereof
US20130248905A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Ju-Kyung LEE Led package and method of manufacturing the same
JP2014115506A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Mitsubishi Electric Corp レンズ体及び光源ユニット
JP2014192252A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd Led発光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019036676A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 シチズン電子株式会社 発光装置
JP7092474B2 (ja) 2017-08-21 2022-06-28 シチズン電子株式会社 発光装置

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