JP2016085131A - 水素ガスセンサ装置の駆動方法およびこれを用いた水素ガスセンサ装置 - Google Patents
水素ガスセンサ装置の駆動方法およびこれを用いた水素ガスセンサ装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
5 水素感応物質
7A, 7B センシング領域
10A、10B 薄膜
11 SOI層
12 SOI層の島
13 BOX層
15 下地基板
20A, 20B 温度センサ
23 絶対温度センサ
25A, 25B ヒータ
26 測定点(温接点)
27 基準点(冷接点)
40 空洞
41 溝
50 絶縁膜
60 オーム性コンタクト
70a、70b 電極パッド
71a、71b、71c 電極パッド
72a、72b 電極パッド
73a、73b 電極パッド
74a、74b 電極パッド
75 共通電極パッド
80a、80b 電極
100 センサチップ
120 熱電対
120a, 120b
熱電導体
Claims (23)
- 計測領域が後記水素ガスセンサBと比較して相対的に低濃度である水素ガスセンサAと、
計測領域が前記水素ガスセンサAと比較して相対的に高濃度である水素ガスセンサBと、
を組み合わせて水素ガス濃度を計測する水素ガスセンサ装置の駆動方法であって、
水素ガスセンサBは、水素ガスセンサAの高濃度側のセンサを傷めない程度の安全限界センス濃度を下回る所定の基準値である切替基準濃度を測定雰囲気が下回っているか判断可能に構成されており、
水素ガス濃度の計測を開始する時に、
最初に水素ガスセンサBを駆動し、測定雰囲気が切替基準濃度を下回っているか判断し、判断結果が切替基準濃度を下回っていると判断される場合には水素ガスセンサAで水素ガス濃度を計測するようにした水素ガスセンサ装置の駆動方法。 - 水素ガス濃度の計測を開始するときに、
最初に水素ガスセンサBを駆動し、測定雰囲気が切替基準濃度を下回っているか判断し、判断結果が切替基準濃度を下回っていないと判断される場合には水素ガスセンサBで水素ガス濃度を計測するようにした請求項1に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。 - 水素ガスセンサBを駆動して水素ガス濃度の計測中に、
測定雰囲気が切替基準濃度を下回っているか判断し、判断結果が切替基準濃度を下回っていると判断される場合には水素ガスセンサAに切り替えて水素ガス濃度を計測するようにした請求項1又は2に水素ガスセンサ装置の駆動方法。 - 水素ガスセンサBを駆動して水素ガス濃度の計測中に、
測定雰囲気が切替基準濃度を下回っているか判断し、判断結果が切替基準濃度を下回っていないと判断される場合には継続して水素ガスセンサBで水素ガス濃度を計測するようにした請求項1から3のいずれか一に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。 - 水素ガスセンサAは水素ガス濃度が切替基準濃度を超えるおそれがある水素濃度である切替限界濃度を上回っていないか判断可能に構成されており、
水素ガスセンサAを駆動して水素ガス濃度の計測中に、
測定雰囲気が切替限界濃度を上回っていないか判断し、判断結果が切替限界濃度を上回っていると判断される場合には水素ガスセンサBに切り替えて水素ガス濃度を計測するようにした請求項1から4のいずれか一に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。 - 切替限界濃度と切替基準濃度とは等しい値である請求項5に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 水素ガスセンサAに、ヒータを備えた請求項1から6のいずれか一に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 水素ガスセンサAに、水素感応物質を形成してある請求項1から7のいずれか一に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記水素感応物質として、接触燃焼用物質とした請求項8に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記水素感応物質として、半導体ガスセンサの水素ガス吸着による電気抵抗の変化を利用する物質とした請求項8に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記水素感応物質として、水素吸収物質とした請求項8に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記水素吸収物質として、パラジウム(Pd)を含む物質とした請求項11に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記水素吸収物質への水素吸収発熱に基づく温度上昇を計測することにより水素ガス濃度を計測するようにした請求項12に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記水素ガスセンサBとして、熱伝導型センサとした請求項1から13のいずれか一に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 水素ガスセンサAと水素ガスセンサBとは、どちらも基板から熱分離した薄膜上に、少なくとも、ヒータと温度センサとを備えてある請求項1から14のいずれかに記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記ヒータの加熱により水素吸収物質から水素を放出させるようにした請求項11から15のいずれかに記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- ヒータの加熱により水素吸収物質から水素を放出させるようにし、前記ヒータの加熱を停止させた後、前記ヒータの水素が存在していないときの前記薄膜の熱時定数τ以上の所定の時間経過時点もしくは、それ以降での前記温度センサの出力を利用し、その雰囲気ガス中での水素ガス濃度を知るようにした請求項11から15のいずれかに記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- ヒータの加熱停止後、水素が存在していないときの前記薄膜の熱時定数τ以上の所定の時間経過時点以降において、前記温度センサを利用して、雰囲気ガスの温度と温度センサの位置の温度との温度差の出力を時間積分して出力し、該出力を利用して水素ガス濃度を知るようにした請求項17に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 前記ヒータを所定のサイクルで加熱・冷却できるようにした請求項7から18のいずれかに記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法。
- 請求項1から20のいずれか一に記載の水素ガスセンサ装置の駆動方法を用いるように構成したことを特徴とする水素ガスセンサ装置。
- 前記水素ガスセンサAと水素ガスセンサBとを近接して設けてある請求項20に記載の水素ガスセンサ装置。
- 前記水素ガスセンサAと水素ガスセンサBとを同一の基板に形成した請求項21に記載の水素ガスセンサ装置。
- 少なくとも、増幅回路、演算回路、前記ヒータ駆動回路、水素ガスセンサBの出力を利用した判断回路を搭載した請求項20から22のいずれかに記載の水素ガスセンサ装置。
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