JP2016076364A - 透明導電体の製造方法 - Google Patents
透明導電体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016076364A JP2016076364A JP2014205516A JP2014205516A JP2016076364A JP 2016076364 A JP2016076364 A JP 2016076364A JP 2014205516 A JP2014205516 A JP 2014205516A JP 2014205516 A JP2014205516 A JP 2014205516A JP 2016076364 A JP2016076364 A JP 2016076364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- resin
- layer
- transparent conductive
- particle layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Description
次に本発明の第1の実施形態を図1(a)〜(f)に基づいて説明する。第1の実施形態では、後述する圧縮処理を行わず、即ち圧縮層を形成せずに、粒子層を加熱処理をすることに特徴がある。
図1(a)に示すように、転写用基材1の上面に透明導電性粒子と分散媒からなる透明導電膜形成用塗料である塗布液を塗布し乾燥して粒子層2を形成する。本発明の透明導電体の製造方法では、粒子層を転写用基材から別の支持用透明基材に転写するため、本発明の転写用基材1は200℃以上の融点を有する基材である。具体的には、転写用基材として、樹脂フィルム、金属箔、ガラスを用いることができる。樹脂フィルムは無色透明であるものに限らず、着色したフィルムも用いることができる。樹脂フィルムを融点とともに例示すれば、ポリエチレンテレフタレート(PET)(255℃)、ポリエチレンナフタレート(PEN(262℃))等のポリエステルフィルム、ナイロン6(225℃)やナイロン66(265℃)等のポリアミド(300℃以上)、ポリイミド(PI)(融点なし)、ポリ塩化ビニリデン(210℃)、ポリフェニレンスルファイド(290℃)等が挙げられる。特にポリイミドフィルムは融点が存在せず、800℃以上でも炭化しないことから好ましい。金属箔を融点とともに例示すれば、ステンレス箔(1400℃以上)、銅箔(1000℃以上)、アルミ箔(660℃)等が挙げられる。
続いて、図1(b)に示すように、粒子層を加熱処理する。具体的には、転写用基材1上の粒子層2を200℃以上で転写用基材1の融点未満で1分間以上、好ましくは1〜60分間継続して加熱処理する。好ましい加熱雰囲気は不活性ガス雰囲気又は還元雰囲気である。加熱温度を200℃以上とするのは、加熱処理によって粒子層中の粒子を確実にネッキングさせ、これにより粒子間の接触抵抗を大幅に減少させて、この方法で得られる透明導電膜の電気抵抗値を格段に低くするためである。好ましい加熱温度は250℃以上で転写用基材の融点未満である。200℃未満又は200℃以上の時間が1分未満では、透明導電膜の電気抵抗値を格段に低くすることができない。加熱処理の方法としては、赤外線加熱、電気炉加熱、マイクロ波加熱、ホットプレート加熱等が挙げられる。図1(b)は、転写用基材1の上面に形成された粒子層2の加熱方法として、赤外線ランプ6により加熱する例を示す。なお、本発明の加熱処理には、非常に短時間に大きなエネルギーを照射するフラッシュランプアニール処理を含まない。フラッシュランプアニール処理により粒子層が基材から剥離したり、粒子層にクラックを生じやすいなどの熱的損傷を受けやすいからである。
次に、図1(c)に示すように、転写用基材1上の粒子層2に樹脂液を塗布して樹脂液を粒子層中の透明導電性粒子間の空隙に含浸する。この樹脂液を乾燥して粒子層2上に樹脂層7を形成する。塗布方法としては、スプレーコーティング、ディスペンサコーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、スリットコーティング、インクジェットコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、ダイコーティング等が例示される。図1(c)は、スプレーコーター8を用いた塗布法の例を示す。
次に、図1(d)に示すように、転写用基材1上の樹脂層7の上面に支持用透明基材10を貼り合わせる。支持用透明基材としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、アクリル等の可撓性樹脂フィルムやガラスが用いられる。支持用透明基材10の貼り合わせは、支持用透明基材と樹脂層の間に気泡が入らないように行う。また支持用透明基材10の樹脂層7との接着面には接着を容易にするために、ウレタン樹脂等のプライマー層を設けたり、この接着面にコロナ処理、プラズマ処理などの表面処理を行ってもよい。
次に、図1(e)に示すように、転写用基材1上の樹脂層7に含まれる樹脂を硬化させて樹脂層7付きの圧縮層4を透明導電膜9にする。樹脂がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂であれば、樹脂が硬化するまで加熱する。硬化条件は、支持用透明基材が熱的損傷を受けない範囲であり、樹脂が硬化すれば限定されない。樹脂が紫外線で硬化するアクリル樹脂やエポキシアクリレート樹脂等の紫外線硬化性樹脂であれば、支持用透明基材側から紫外線を照射する。樹脂が硬化する条件であれば、紫外線の強度や波長には限定はない。これにより圧縮層が樹脂により封止され、圧縮層中の粒子間に樹脂を含浸させることで、粒子とその周囲の屈折率の差を小さくすることができ、ヘイズを低減し、光の透過率を上げることができる。
次に本発明の第2の実施形態を図2(a)〜(g)に基づいて説明する。第2の実施形態では、圧縮処理(カレンダ処理)を行うとともに、第1の実施形態の加熱処理を行うことに特徴がある。
図2(a)に示すように、第1の実施形態と同様にして、粒子層2を形成する。転写用基材1としては、後述する圧縮処理(カレンダ処理)による圧縮工程の圧縮力を大きくしても割れることがない可撓性樹脂フィルムや金属箔が用いられ、ガラスを含まない。この点が第1の実施形態と異なるところである。それ以外は、転写用基材は第1の実施形態と同じである。
圧縮処理としては、シートプレス処理、カレンダロールを用いたカレンダ処理が挙げられる。図2(b)では、カレンダ処理の例を示す。図2(b)に示すように、粒子層2を上面に形成した転写用基材1をカレンダ処理して粒子層2を圧縮層4にする。粒子層2を圧縮して圧縮層4にすると、透明導電性粒子相互間の接触点が増え接触面が増加し、電気抵抗値が低下し、導電性に優れる。また圧縮により、透明導電性粒子が高充填化され、光学特性が向上する。光学特性においては、特に粒子間空隙による散乱光が減少することにより、光散乱強度を表す値であるヘイズ値が著しく減少し、透明性が高くなる。
続いて、図2(c)に示すように、第1の実施形態の粒子層の代わりに、圧縮層4を加熱処理する。この加熱処理方法は第1の実施形態と同じである。
次に、図2(d)に示すように、転写用基材1上の圧縮層4に樹脂液を塗布して樹脂液を粒子層中の透明導電性粒子間の空隙に含浸する。この樹脂液を乾燥して圧縮層4上に樹脂層7を形成する。この樹脂液の塗布方法、樹脂液の乾燥方法及び樹脂層の形成方法は、第1の実施形態と同じである。
次に、図2(e)に示すように、転写用基材1上の樹脂層7の上面に支持用透明基材10を貼り合わせる。この支持用透明基材の貼り合わせ方法は、第1の実施形態と同じである。
次に、図2(f)に示すように、転写用基材1上の樹脂層7に含まれる樹脂を硬化させて樹脂層7付きの圧縮層4を透明導電膜9にする。第1の実施形態の樹脂層付きの粒子層の代わりに樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜とする以外は、第1の実施形態と同じである。続いて、図2(g)に示すように、第1の実施形態と同様にして、支持用透明基材10上に透明導電膜9を残存させた透明導電体11を得る。このようにして得られた透明導電膜はその体積抵抗率が1×10−2Ωcm未満の範囲にある。
(a) 透明導電膜の表面抵抗率
透明導電膜の表面抵抗率を以下の手順にて測定した。試料となる透明導電体を50×50mm□にカットし、抵抗測定器(三菱油化(株)社製、製品名:Loresta AP MCP−T400)を使用し、透明導電膜の予め定められた測定点で測定し、その測定値を透明導電膜の表面抵抗率とした。
(b) 透明導電膜の膜厚
透明導電膜の膜厚を蛍光X線膜厚測定装置(セイコーインスツルメント(株)社製、製品名:SFT9400)を用い測定した。膜厚は膜厚既知の透明導電膜から検量線を作成し、試料の特性X線の検出強度から重量換算での膜厚を算出する。
(c) 体積抵抗率
上記(a)で求められた表面抵抗率に上記(b)で算出された膜厚を乗算することにより、体積抵抗率を算出する。
分散媒のエタノール40.0gに平均粒径120nmのITO粒子10gを添加し、超音波ホモジェナイザーで30分間分散し、ITO導電膜形成用塗料である塗布液を調製した。この塗布液をスロットダイコーターを用いて、転写用基材である100mm×300mmの長方形のポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)社製、製品名:カプトン100H)の上に塗布した。塗布した塗布液を25℃の大気中で5分間乾燥を行って転写用基材上に粒子層を形成した。この粒子層を上面に形成した転写用基材をカレンダ処理した。具体的にはカレンダロール圧力1000kg/cm、送り出し速度1m/分で粒子層に圧力を上記転写用基材に加えることで、粒子層を圧縮層にした。得られた圧縮層の層厚を蛍光X線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は0.4μmであった。このように作製した転写用基材を50×50mm□に切り出した。
加熱処理を実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉から真空・ガス置換炉(東京理科器機社製、製品名 KDF−900GL)に変更し、この電気炉を用いて、窒素雰囲気下で450℃の温度で30分間行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は72Ω/□であった。
加熱処理を実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉からホットプレート装置(アズワン株式会社、製品名HTH−500N)に変更し、このホットプレート装置を用いて、大気雰囲気下で300℃の温度で60分間行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は110Ω/□であった。
加熱処理を実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉からマイクロ波装置(四国計測工業社製、製品名μ−Reactor)に変更し、このマイクロ波装置を用いて、窒素雰囲気下で250℃の温度で1分間行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は109Ω/□であった。
転写用基材を実施例1のポリイミドフィルムから2軸延伸したPETフィルムに変更し、実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉を用いて、窒素雰囲気下で200℃の温度で1分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は244Ω/□であった。
転写用基材を実施例1のポリイミドフィルムからポリ塩化ビニリデンに変更し、実施例4のマイクロ波装置を用いて、窒素雰囲気下で200℃の温度で5分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は225Ω/□であった。
転写用基材を実施例1のポリイミドフィルムからステンレス箔に変更し、実施例2の電気炉を用いて、窒素雰囲気下で500℃の温度で30分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は66Ω/□であった。
転写用基材を実施例1のポリイミドフィルムから銅箔に変更し、実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉を用いて、窒素雰囲気下で600℃の温度で10分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は59Ω/□であった。
実施例1の転写用基材であるポリイミドフィルム上に粒子層を形成した後に、カレンダー処理を行わずに実施例4のマイクロ波焼成装置を用い、窒素雰囲気下で600℃の10分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は168 Ω/□であった。
実施例1の転写用基材であるポリイミドフィルム上に粒子層を形成した後に、カレンダー処理を行わずに実施例1のゴールドイメージ炉を用い、窒素雰囲気下で600℃の5分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は191Ω/□であった。
導電性微粒子を実施例1のITOからATOに変更し、カレンダー処理を行った圧縮層に実施例4のマイクロ波焼成装置を用いて、窒素雰囲気下で600℃の温度で10分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は179Ω/□であった。
導電性微粒子を実施例1のITOからAZOに変更し、カレンダー処理を行った圧縮層に実施例1のゴールドイメージ炉を用いて、窒素雰囲気下で600℃の温度で10分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は152Ω/□であった。
導電性微粒子を実施例1のITOからGZOに変更し、カレンダー処理を行った圧縮層に実施例4のマイクロ波焼成装置を用いて、窒素雰囲気下で600℃の温度で10分間加熱処理を行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は147Ω/□であった。
実施例1の圧縮層を加熱処理しない以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は301Ω/□であった。
実施例1の圧縮層を実施例1と同様に加熱処理を行ったが、転写工程を経ることなく、転写用基材であるポリイミドフィルムをそのまま透明導電膜を支持する支持用透明基材とした。それ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は93Ω/□であった。
加熱処理を実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉からフラッシュランプアニール処理装置である光焼成装置(NOVACENTRIX社製、製品名:PULSFORGE3300)に変更し、このフラッシュランプアニール処理装置を用いて、大気雰囲気下で印加電圧600V、照射時間5msの非常に短時間、行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。しかし、照射エネルギーが大きく、透明導電膜が支持用透明基材から剥離して、この透明導電体の表面抵抗率は測定できなかった。
加熱処理を実施例1の赤外線ゴールドイメージ炉から真空・ガス置換炉(東京理科器機社製、製品名 KDF−900GL)に変更し、この電気炉を用いて、窒素雰囲気下で180℃の温度で60分間行った。これ以外は、実施例1と同じ方法で、ITO透明導電体を得た。この圧縮層の重量換算膜厚は0.4μmであった。この透明導電体の表面抵抗率は295Ω/□であった。
熱処理を行っていない比較例1の透明導電体では、体積抵抗率が1.2×10−2Ωcmと高かった。また透明支持基体に転写を行っていない比較例2の透明導電体では、体積抵抗率が3.7×10−3Ωcmと低かったが、基材がポリイミドフィルムであるためポリイミドの褐色に変化し、無色透明ではなかった。フラッシュランプアニールを行った比較例3では、圧縮層が剥離してしまい、抵抗値の評価ができなかった。加熱処理の温度が180℃と低い比較例4では、体積抵抗率が1.2×10−2Ω・cmであって、加熱処理によって体積抵抗値を大きく低減することはできなかった。これに対して、十分な加熱処理と透明支持基体への転写を行った実施例1〜13の透明導電膜では、体積抵抗率が2.4×10−3〜9.8×10−3Ωcmの範囲にあって、1×10−2Ωcm未満と低く、無色透明であった。
2 粒子層
3 スロットダイコーター
4 圧縮層
5 カレンダロール
6 赤外線ランプ
7 樹脂層
8 スプレーコーター
9 透明導電膜
10 支持用透明基材
11 透明導電体
Claims (4)
- 融点が200℃以上である転写用基材の上面に透明導電性粒子と分散媒からなる塗布液を塗布し乾燥して粒子層を形成する工程と、
前記転写用基材上の粒子層を200℃以上で前記転写用基材の融点未満の温度で1分間以上継続して加熱処理する工程と、
前記転写用基材上の前記粒子層に樹脂液を塗布して前記樹脂液を前記粒子層中の前記透明導電性粒子間の空隙に含浸する工程と、
前記樹脂液を乾燥して前記粒子層上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上面に支持用透明基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂層に含まれる前記樹脂を硬化させて前記樹脂層付きの粒子層を透明導電膜にする工程と、
前記転写用基材を前記透明導電膜から剥離して前記支持用透明基材上に前記透明導電膜を残存させた透明導電体を得る工程と
を含む透明導電体の製造方法。 - 前記加熱処理が、前記転写用基材上の粒子層を上面に形成した前記転写用基材を圧縮処理して前記粒子層を圧縮層にした後、前記転写用基材上の圧縮層に対して行われる請求項1記載の透明導電体の製造方法。
- 前記透明導電性粒子が錫ドープ酸化インジウム(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)又はガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)の金属酸化物粒子である請求項1又は2記載の透明導電体の製造方法。
- 前記加熱処理が、赤外線加熱、電気炉加熱、マイクロ波加熱又はホットプレート加熱である請求項1ないし3いずれか1項に記載の透明導電体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014205516A JP2016076364A (ja) | 2014-10-06 | 2014-10-06 | 透明導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014205516A JP2016076364A (ja) | 2014-10-06 | 2014-10-06 | 透明導電体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016076364A true JP2016076364A (ja) | 2016-05-12 |
Family
ID=55951658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014205516A Pending JP2016076364A (ja) | 2014-10-06 | 2014-10-06 | 透明導電体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016076364A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101823947B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2018-01-31 | 한국표준과학연구원 | 나노입자 필름의 제조방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103839A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-10-06 JP JP2014205516A patent/JP2016076364A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103839A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101823947B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2018-01-31 | 한국표준과학연구원 | 나노입자 필름의 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100484574B1 (ko) | 투명 도전 적층체 및 그 제조 방법 | |
CN105453001B (zh) | 将电子部件粘结到图案化纳米线透明导体 | |
JP5452443B2 (ja) | 導体パターン形成基材 | |
JP5056207B2 (ja) | インモールド成形用導電性フィルム及び透明導電層付きプラスチック成形品の製造方法 | |
JP4635925B2 (ja) | 転写用導電性フィルム及びそれを用いた透明導電層が付与された物体 | |
TW201345347A (zh) | 導電性圖案生成方法 | |
JP2007257964A (ja) | 転写用導電性フィルム及びそれを用いた透明導電層が付与された物体 | |
JP4635421B2 (ja) | 転写用導電性フィルム、及びそれを用いた透明導電膜の形成方法 | |
JP4666961B2 (ja) | 透明導電層が付与された物体、及び転写用導電性フィルム | |
CN108017957A (zh) | 一种应用于柔性电路的石墨烯导电油墨的制备方法 | |
JP2007008153A (ja) | 圧着離型シートおよび巻回体 | |
JP2016076364A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
JP2007080822A (ja) | 導電層を有する導電性フィルム及びその導電層が付与された物体 | |
JP6221825B2 (ja) | 透明導電フィルムの製造方法及び転写用導電シートの製造方法 | |
JP6447010B2 (ja) | 透明導電膜及びこの透明導電膜を有する透明導電体の製造方法 | |
JP5684360B2 (ja) | シリコーンゴム複層シート | |
JP6428122B2 (ja) | 透明導電膜及びこの透明導電膜を有する透明導電体 | |
JP2016076365A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
JP3934386B2 (ja) | 導電層を有する導電性フィルム及びその導電層が付与された物体 | |
JP2006231916A (ja) | 圧着離型シート | |
JP4478998B2 (ja) | 透明導電フィルムおよび透明導電積層体 | |
US20170267899A1 (en) | Electrically conductive adhesive tapes | |
JP5056208B2 (ja) | インモールド成形用導電性フィルム及び透明導電層付きプラスチック成形品の製造方法 | |
JP2011086582A (ja) | 透明導電性シートの製造方法 | |
JP4867418B2 (ja) | 転写用導電性フィルム及びそれを用いた透明導電層が付与された物体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170929 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180823 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190129 |