JP2016066627A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
部材及び該保護部材を備える有機光デバイスに関する。
ものである。有機光デバイスとしては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス(EL:
Electroluminescence)現象を利用した素子(有機EL素子とも記す
)のような、発光性の有機化合物を含む発光素子や、波長変換素子が挙げられる。また、
該発光素子を用いた発光装置、電子機器及び照明装置も有機光デバイスに含む。
素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである
。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることがで
きる。
とができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
されている。
まうという課題がある。
とで、有機光デバイスの寿命は大幅に低減されてしまう場合がある。有機光デバイスに用
いる有機化合物、金属材料が水分や不純物と反応し、劣化してしまうためである。
保護部材又は有機光デバイスを提供することを目的の一とする。
有機光デバイスを提供することを目的の一とする。
酸素とを含む絶縁膜を用いることに着眼した。この膜を有機光デバイスの保護膜として用
いることで、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料
に侵入することを抑制することができる。
有する。よって、可視光を発する有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り
出しを阻害することがなく、好適に用いることができる。
能層として、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を少なくとも1
層有する。このような機能層を備えることで、水分や不純物による有機光デバイスの劣化
を抑制することができる。または、このような機能層を備えることで、光の取り出し効率
が高い有機光デバイスを実現できる。
設けられた有機化合物を含む発光体とを有し、機能層は、ガリウム又はアルミニウムと、
亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有し、支持体及び機能層は、波長が400nm以上700
nm以下の領域で透光性を有する有機光デバイスである。
態様は、支持体と、支持体上に設けられた機能層と、機能層上に設けられた第1の電極と
、第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む
層上に設けられた第2の電極とを有し、機能層は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と
、酸素とを含む絶縁膜を有し、支持体、機能層、及び第1の電極は、波長が400nm以
上700nm以下の領域で透光性を有する有機光デバイスである。
含んでいても良い。また、当該絶縁膜は、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素、及び窒
素以外の元素の総和は原子比0.1以下であることが好ましい。また、当該絶縁膜は、2
0℃における固有抵抗が1010Ωcm以上であることが好ましい。
止膜が、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含むことが好ましい。また、封
止膜は、窒素を含んでいても良い。
設けることによって、有機光デバイスの発光を取り出す側だけでなく、反対側においても
、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入する
ことを抑制できる。
体に光が入射する際に、一部の光が反射される。
取り出し効率は低下する。
層の屈折率を設定する。
縁膜を有する機能層と、機能層の一方の面と接する、第1の膜と、機能層の他方の面と接
する、第2の膜とを有し、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有し、
機能層が有する層の屈折率は、接する層の屈折率との差がそれぞれ0.2以下である有機
光デバイスの保護部材である。
膜を有するため、有機化合物への水分の侵入を抑制することができる。また、第1の膜と
接する層(機能層を構成する層である)の屈折率と、第1の膜の屈折率との差、及び第2
の膜と接する層(機能層を構成する層である)の屈折率と、第2の膜の屈折率との差が、
それぞれ0.2以下であるため、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。
窒素を含んでいても良い。また、当該膜は、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素、及び
窒素以外の元素の総和が原子比0.1以下であることが好ましい。また、当該膜は、20
℃における固有抵抗が、1010Ωcm以上であることが好ましい。
上記の有機光デバイスの保護部材と、有機光デバイスの保護部材上に設けられた有機化合
物を含む発光体と、を有する有機光デバイスである。
態様は、上記の有機光デバイスの保護部材と、有機光デバイスの保護部材上に設けられた
発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極
とを有し、第2の膜は、第1の電極として機能する有機光デバイスである。
、封止膜が、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含むことが好ましい。また
、封止膜は、窒素を含んでいても良い。
設けることによって、有機光デバイスの発光を取り出す側だけでなく、反対側から電極等
に用いる金属材料、又は有機化合物に水分や不純物が侵入することを抑制できる。
出すときに有機光デバイス内、又は有機光デバイスと大気との境界面で全反射が生じる条
件があり、有機光デバイスの光取り出し効率は100%より小さいという問題がある。
有する媒体Bへ、媒体Bよりも屈折率の高い媒体Aから光が入射する際に、入射する角度
により全反射することがある。
成とすることで、媒体Aから媒体Bに臨界角を超えて入射する光が全反射し、デバイス内
を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができる。
の電極上に形成される発光性の有機化合物を含む層等においてリーク電流が生じる恐れが
ある。
の屈折率は、発光体(又は発光性の有機化合物を含む層)の屈折率以上であることが好ま
しい。これによって、保護部材の内部で光が全反射することを抑制することができる。ま
た、第2の膜と発光性の有機化合物を含む層との界面、第2の膜と機能層との界面、機能
層と第1の膜との界面に光取り出し効率が低下する現象を抑制するための凹凸の構造を設
ける必要が無いため、第2の膜を平坦な膜とすることができ、第2の膜の凹凸に起因する
発光性の有機化合物を含む層等におけるリーク電流の発生を抑制することができる。
界面に凹凸の構造を有することが好ましい。第1の膜の屈折率は大気の屈折率よりも大き
い。よって、大気と第1の膜の界面に凹凸の構造を設けることで、全反射の影響で大気に
取り出せない光を低減し、有機光デバイスの光の取り出し効率を向上させることができる
。
有機光デバイスを提供することができる。
デバイスを提供することができる。
明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様
々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実
施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明す
る発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図
面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の有機光デバイスについて図1を用いて説明する。
む発光体301を備える。具体的には、支持体101上に機能層201を有し、機能層2
01上に発光体301を有する。
けられている。支持体101及び機能層201は波長が450nm以上650nm以下の
領域で透光性を有する。好ましくは、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光
性を有する。
機能層201は、ガリウム(Ga)又はアルミニウム(Al)と、亜鉛(Zn)と、酸素
(O)とを含む絶縁膜を有する。
用いることで、有機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑制することができる。
子比0.90以上であることが好ましく、原子比0.97以上であることが特に好ましい
。言い換えると、Ga、Al、Zn、O及びN以外の元素の総和は、原子比0.10以下
であることが好ましく、原子比0.03以下であることが特に好ましい。このような組成
の膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、有機光デバイスの外部から水素、水
分又は不純物等が有機化合物や金属材料に侵入することを抑制できる。
−O系の材料、Al−Zn−O系の材料、Ga−Zn−O−N系の材料、Al−Zn−O
−N系の材料、Ga−Al−Zn−O系の材料、Ga−Al−Zn−O−N系の材料が挙
げられる。ここで、例えば、Ga−Zn−O系の材料とは、ガリウム、亜鉛、及び酸素を
主成分とする材料という意味である。
ーゲット(Ga2O3:ZnO=1:5〜5:1[mol数比])を用い、酸素雰囲気下
やアルゴン及び酸素(流量比率は、一例として、アルゴン:酸素=7:3)混合雰囲気下
で成膜することで得られる。また、Al−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Al2O3
:ZnO=1:5〜5:1[mol数比])を用い、同様の雰囲気下で成膜することで得
られる。また、同様のターゲットを、アルゴン、酸素及び窒素(流量比率は、一例として
、アルゴン:酸素:窒素=3:6:1)混合雰囲気下で成膜することで、窒素を含むGa
又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を得ることができる。
機能層201は十分な絶縁性を備えることができるため好ましい。
Alと、Znと、Oとを含む絶縁膜以外の層を含んでいても良い。
支持体101は、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。ま
た可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル
)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフ
ォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム(ポリプロピレン、ポリ
エステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルなどからなる)、無機蒸着フィル
ムを用いることもできる。
発光体301は、有機化合物を含む。発光体301には、LED(Light Emit
ting Diode)、有機EL素子、無機EL素子等の発光物を用いることができる
。また、発光体301が含む有機化合物としては、前述の有機EL素子や、有機トランジ
スタ等に含まれる有機化合物が挙げられる。その他、発光体301は、シリコンや酸化物
半導体を用いたトランジスタを含んでいても良い。
す。
EL層102、及び第2の電極108を備える。具体的には、支持体101上に機能層2
01を有し、機能層201上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層1
02を有し、EL層102上に第2の電極108を有する。
用することができる。
EL層102は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送
性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層
、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質)を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。EL層102
の構成例は実施の形態4で詳細に説明する。
第1の電極103は、支持体101及び機能層201と同様に、EL層102の発光を取
り出す側に設けられている。第1の電極103は波長が450nm以上650nm以下の
領域で透光性を有する。好ましくは、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光
性を有する。
ジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いるこ
とができる。
ン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。ま
たは、それら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等を用いてもよい。なお、金属材
料(又はその窒化物)を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
第2の電極108は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて
形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用
いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの
合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金
)や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が
高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積
層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物
膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。
EL層102、第2の電極108、封止膜202を備える。具体的には、支持体101上
に機能層201を有し、機能層201上に第1の電極103を有し、第1の電極103上
にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を有し、第2の電極108を
覆う封止膜202を有する。
は、図1(A)(B)に示した有機光デバイスと同様の構成を適用することができる。
封止膜202は、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜からなる。Ga又はAlと
、Znと、Oとを含む絶縁膜としては、機能層201に用いることができるGa又はAl
と、Znと、Oとを含む絶縁膜と同様の構成を適用することができる。封止膜202は、
単層であっても複数の層からなっていても良い。
。さらに、機能層201と封止膜202は接している。図1(C)において、第1の電極
103、EL層102、及び第2の電極108は、機能層201及び封止膜202に囲ま
れている。
、Znと、Oとを含む絶縁膜を設けることで、EL層102に含まれる有機化合物や、電
極に含まれる金属材料に、水分や不純物が侵入することを抑制できる。
を含む絶縁膜を備えるため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化
合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oと
を含む絶縁膜は、可視光に対する透光性を有するため、有機光デバイスの発光を取り出す
側に設けても光の取り出しを阻害することがなく、好適に用いることができる。
有機光デバイスを提供することができる。
本発明の一態様の保護部材及び該保護部材を適用した有機光デバイスについて図2及び図
5を用いて説明する。本発明の一態様の保護部材は、有機光デバイスに適用することがで
きる。該保護部材は、実施の形態1に示した有機光デバイスにも適用可能である。
れる。本発明の一態様の保護部材は、波長が450nm以上650nm以下の領域で透光
性を有していれば良く、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有してい
ることが好ましい。
1の膜212と、機能層211の他方の面に接する第2の膜213とからなる。つまり、
第1の膜212上に機能層211を有し、機能層211上に第2の膜213を有する。
機能層211は、ガリウム(Ga)又はアルミニウム(Al)と、亜鉛(Zn)と、酸素
(O)を含む絶縁膜を有する。該絶縁膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、
水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入するこ
とを抑制することができる。
元素を組み合わせて作製することで、可視光に対する透光性を維持したまま、該絶縁膜の
屈折率を所望の値とすることができる。
子比0.90以上であることが好ましく、原子比0.97以上であることが特に好ましい
。言い換えると、Ga、Al、Zn、O及びN以外の元素の総和は、原子比0.10以下
であることが好ましく、原子比0.03以下であることが特に好ましい。このような組成
の膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、有機化合物や金属材料への水分や不
純物の侵入を抑制することができる。
−O系の材料、Al−Zn−O系の材料、Ga−Zn−O−N系の材料、Al−Zn−O
−N系の材料、Ga−Al−Zn−O系の材料、Ga−Al−Zn−O−N系の材料が挙
げられる。
ーゲット(Ga2O3:ZnO=1:5〜5:1[mol数比])を用いて成膜すること
ができる。
と機能層211が十分な絶縁性を備えるため好ましい。
、Znと、Oとを含む絶縁膜以外の層を含んでいても良い。
射する際に、一部の光が反射される。2つの媒体の屈折率の差が大きいほど、光は反射さ
れやすくなり、有機光デバイスの光の取り出し効率は低下する。
層の屈折率を設定する。
.2以下とする。さらに、接する層との屈折率の差が0.15以下であると、屈折率の差
による光の反射を1%以下に抑制することができ、好ましい。屈折率の差が小さいほど、
屈折率の差による光の反射を抑制することができる。
層である)と、第1の膜212との屈折率の差、及び第2の膜213と接する層(機能層
211を構成する層である)と、第2の膜213との屈折率の差がそれぞれ小さいため、
屈折率の差による光の反射を抑制することができる。
率が、発光体の屈折率より小さいと、保護部材の内部で全反射が生じる条件がある。
折率は、発光体の屈折率以上であることが好ましい。このような構成とすることで、保護
部材の内部で光が全反射することを抑制することができる。
水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入するこ
とを抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、可視光に対
する透光性を有するため、有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り出しを
阻害することがなく、好適に用いることができる。
2以下であるため、有機光デバイス内で生じる屈折率の差による光の反射を抑制すること
ができる。
抑制された有機光デバイスを提供することができる。また、光の取り出し効率が高い有機
光デバイスを提供することができる。
図2(D)を用いて説明する。
する。具体的には、第1の膜212上に機能層211を有し、機能層211上に第2の膜
213を有し、第2の膜213上に発光体301を有する。
発光体301は、有機化合物を含む。発光体301は、実施の形態1と同様の構成、材料
を適用することができる。
を含む絶縁膜を有するため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化
合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。
あるため、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。
03、EL層102、及び第2の電極108を備える。
1上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層10
2上に第2の電極108を備える。図2(C)に示す有機光デバイスは、保護部材12を
備える。支持体101は、保護部材12の第1の膜に相当し、第1の電極103は、保護
部材12の第2の膜に相当する。
230上に機能層211を有し、機能層211上に第1の電極103を有し、第1の電極
103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を備える。図2(D
)に示す有機光デバイスは、保護部材14を備える。平坦化膜230は、保護部材14の
第1の膜に相当し、第1の電極103は、保護部材14の第2の膜に相当する。
、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。
ここで、本発明の一態様を適用した保護部材を構成するそれぞれ層の屈折率について説明
する。
具体例1は、図2(C)に示す保護部材12を用いて説明する。図2(C)に示す保護部
材12は、機能層211が単層で構成されている。
3として、屈折率2.0のITOを用いる。
.2以下である。
4以上1.8以下である必要がある。加えて、機能層211は屈折率2.0の第1の電極
103と接するため、機能層211の屈折率は1.8以上2.2以下である必要がある。
したがって、機能層211として、屈折率1.8の層を用いる。本実施の形態は、Ga−
Zn−O系の材料からなる屈折率1.8の層を用いる。
3及び支持体101)の屈折率との差をそれぞれ0.2以下とすることができ、有機光デ
バイス内で生じる屈折率の差による光の反射を抑制することができる。
素、水分又は不純物等が有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。
屈折率は大気の屈折率よりも大きい。よって、大気と支持体101の界面に凹凸の構造を
設けることで、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、有機光デバイスの光の取
り出し効率を向上させることができる。凹凸の構造を備えた支持体101の具体的な例は
、実施の形態3で説明する。
具体例2は、図2(D)に示す保護部材14を用いて説明する。図2(D)に示す保護部
材14は、機能層211が2層で構成されている。
として、屈折率1.6の樹脂を用いる。また、支持体101として、屈折率1.5のガラ
ス基板の表裏に屈折率1.5のマイクロレンズアレイを設けた構成を用いる。
.2以下である。よって、機能層211のうち、平坦化膜230と接する第1機能層22
1の屈折率は、1.4以上1.8以下である。ここでは、第1機能層221として、Ga
−Zn−O系の材料からなる屈折率1.7の層を用いる。
.8以上1.9以下である。ここでは、第2機能層222として、Ga−Zn−O系の材
料からなる屈折率1.9の層を用いる。
の屈折率との差をそれぞれ0.2以下とすることができ、有機光デバイス内で生じる屈折
率の差による光の反射を抑制することができる。
又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制す
ることができる。
一般に、発光性の有機化合物を含む層を備えるEL層102(発光体に相当)は、屈折率
が1.6以上である。前述の通り、発光体(又は発光性の有機化合物を含む層)の屈折率
よりも小さい屈折率を有する媒体Bへ、媒体Bよりも屈折率の高い媒体Aから光が入射す
る際に、光は全反射することがある。
1に光が入射する際、光が全反射する条件がある。
イを用いて、凹凸の構造を形成している。平坦化膜230と支持体101の界面に凹凸の
構造を設けることで、平坦化膜230から支持体101に臨界角を超えて入射する光が全
反射し、デバイス内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することがで
きる。
層221と接する面のほうが平坦である。したがって、第1機能層221及び第1の電極
103を平坦な膜とすることができる。その結果、第1の電極103の凹凸に起因するE
L層102のリーク電流を抑制することができる。
膜230は、透光性を有する。高屈折率の樹脂としては、臭素が含まれる樹脂、硫黄が含
まれる樹脂などが挙げられ、例えば、含硫黄ポリイミド樹脂、エピスルフィド樹脂、チオ
ウレタン樹脂、又は臭素化芳香族樹脂などを用いることができる。また、PET(ポリエ
チレンテレフタラート)、TAC(トリアセチルセルロース)なども用いることができる
。高屈折率の液体としては、硫黄及びヨウ化メチレンを含む接触液(屈折液)などを用い
ることができる。成膜方法としては、材料にあった種々の方法を適用すれば良い。例えば
、前述の樹脂を、スピンコート法を用いて成膜し、熱または光によって硬化させることで
形成することができる。接着強度や加工のしやすさなどを考慮し適宜選択することができ
る。
、を含む絶縁膜を備えるため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機
化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。
限られず、機能層211が3層以上で構成されていても良い。
B)のA−B間の断面図である。
03、EL層102、第2の電極108、封止膜202を備える。具体的には、支持体1
01上に機能層211を有し、機能層211上に第1の電極103を有し、第1の電極1
03上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を有し、第2の電極1
08を覆う封止膜202を有する。また、第1の電極103と同様の材料で作成された導
電層411は、接続端子として機能する。
1の電極103は、保護部材の第2の膜に相当する。
る。
は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。
02は、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜からなる。
。さらに、機能層211と封止膜202が接している。図5(A)において、第1の電極
103、EL層102、及び第2の電極108は、機能層211及び封止膜202に囲ま
れている。
2とが接していることが好ましい。第1の電極103、EL層102、及び第2の電極1
08を囲うように、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を設けることで、EL層
102に含まれる有機化合物や電極に含まれる金属材料に水分や不純物等が侵入すること
を抑制することができる。
と、Oとを含む絶縁膜を備えるため、有機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑
制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、可視光に対する透
光性を有するため、有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り出しを阻害す
ることがなく、好適に用いることができる。
、接する層との屈折率の差がそれぞれ0.2以下であるため、屈折率の差による光の反射
を抑制することができる。
材の内部で光の全反射が生じることを抑制する。そして、屈折率が発光体の屈折率以上の
保護部材から発光体よりも屈折率の小さい支持体へ光が入射される場合、機能層と支持体
の間に、屈折率が発光体の屈折率以上である平坦化膜を設ける。そして、平坦化膜と支持
体との界面に凹凸の構造を設ける。このような構成とすることで、有機光デバイスにおい
て、光の全反射が生じ、デバイス内を光が導波して光の取り出し効率が低下することを抑
制することができる。加えて、第1の電極に凹凸が形成され、EL層のリーク電流が生じ
ることを抑制できる。
有機光デバイスを提供することができる。また、光取り出し効率の高い有機光デバイスを
提供することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できる表裏にそれぞれ凹凸構造を備えた支持体
について、図3を用いて説明する。
機光デバイスを実現することができる。凹凸構造は、ストライプ状であっても効果を奏す
るが、マトリクス状の凹凸構造が好ましい。
一例を示す。
パターンを有する。支持体101が有する凹凸構造のパターンは、特に限定されず、例え
ば、半球状(図3(A)乃至図3(D)、及び図3(F))や、円錐、角錐(三角錐、四
角錐等)などの頂点を有する形状とすることができる(図3(E))。
程度とすることが好ましい。特に、1μm以上であると、光の干渉による影響を抑制する
ことができるため、好ましい。
。
3(B)乃至図3(F)にそれぞれ示すように、複数の材料の積層で構成されていても良
い。複数の層で構成する場合、支持体101の屈折率は層によって異なっていても良い。
の差がそれぞれ0.2以下であると、屈折率の差による光の反射を抑制することができる
ため好ましい。さらに、全ての層において、接する層との屈折率の差が0.15以下であ
ると、屈折率の差による光の反射を1%以下に抑制することができ、好ましい。支持体1
01を形成する層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制すること
ができる。
い側の層の屈折率が、逆側の層の屈折率よりも高い場合は、2層の界面に凹凸構造を設け
ることが好ましい。
、逆側の層の屈折率以下の場合、上記凹凸構造を設ける工程が不要となり便宜である。
げられる。樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹
脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂
、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。
工法(サンドブラスト法)、マイクロブラスト加工法、液滴吐出法や、印刷法(スクリー
ン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法)、スピンコート法などの塗布法
、ディッピング法、ディスペンサ法、インプリント法、ナノインプリント法等を適宜用い
ることができる。
112からなる。第1の材料層111は、第2の材料層112と接する面とは逆側の面に
凹凸構造を有する。第2の材料層112は、第1の材料層111と接する面とは逆側の面
に凹凸構造を有する。
料・方法を用いて形成することができる。また、第2の材料層112は、第1の材料層1
11に用いることができる材料・方法を用いることができるほか、半球レンズ、マイクロ
レンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることもできる
。例えば、第1の材料層111又は第2の材料層112と同程度の屈折率を有する接着剤
等を用いて第1の材料層111に上記レンズやフィルムを接着することで第2の材料層1
12を形成することができる。
E)の第2の材料層112と同様の材料・方法を用いて形成することができ、第2の材料
層112は、図3(C)乃至図3(E)の第1の材料層111と同様の材料・方法を用い
て形成することができる。
第1の材料層111の屈折率と、第2の材料層112の屈折率の差は0.2以下であるこ
とが好ましく、0.15以下であることがより好ましい。支持体101を形成する層の屈
折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、第1
の材料層111の屈折率が、第2の材料層112の屈折率よりも低いと、第1の材料層1
11と第2の材料層112の界面における全反射等による光の損失を抑制することができ
、光取り出し効率が向上するため好ましい。
の材料層113からなる。第1の材料層111は、第3の材料層113と接する面とは逆
側の面に凹凸構造を有する。第2の材料層112は、第3の材料層113と接する面とは
逆側の面に凹凸構造を有する。第1の材料層111及び第2の材料層112は、それぞれ
図3(C)乃至図3(E)と同様の材料・方法を用いて形成することができる。
備えていれば良い。したがって、第1の材料層111及び第2の材料層112は、薄く形
成されていれば良く、必要な光学特性を有する材料を適宜選択して形成することができる
。第1の材料層111及び第2の材料層112の膜厚は、それぞれ数十μm程度で形成す
れば良く、必要によってはそれ以上の厚さで形成しても良い。
の良さなどにこだわらず、安価な材料や入手が容易な材料を適宜用いることができる。例
えば、樹脂は、軽くて割れにくいだけでなく、再利用が容易であるため好ましい。
は、0.2以下であることが好ましく、0.15以下であることがより好ましい。3層の
屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。
材料層111の屈折率以上であり、第2の材料層112の屈折率は、第3の材料層113
の屈折率以上であることが好ましい。第1の材料層111と第3の材料層113の界面、
及び第2の材料層112と第3の材料層113の界面においても、全反射等による光の損
失を抑制することができ、光取り出し効率が向上するためである。
、機能層や発光体を設ける前に形成しても、支持体101上に機能層や発光体等を設けた
後に形成しても良い。機能層や発光体等を形成する工程中や搬送中に、凹凸構造が壊れる
ことを防ぐことができるため、有機光デバイスを構成する層を形成した後(または、発光
体等を封止した後)に、大気との界面に凹凸構造を形成することが好ましい。
との界面で全反射が生じても、支持体内を導波する基板モード光を外部に取り出しやすい
構成である。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
いるため、該界面でも全反射が生じた際、発光体内を導波する薄膜モード光を外部に取り
出しやすい構成である。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図4を用いて説
明する。
ている。第1の電極103及び第2の電極108は、実施の形態1と同様の構成を適用す
ることができる。
正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、及び電子注
入層705の順で積層されている。
ては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、
ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸
化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることがで
きる。また、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:C
uPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メ
チルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4
,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−
N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTP
D)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル
)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,
6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−
フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(
9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:P
CzPCN1)等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフ
ェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニ
ルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド]
(略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビ
ス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)
(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PS
S)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極103からの正孔注入性を良好に
し、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高
い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料
を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極103からEL層102へ
の正孔注入が容易となる。
族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm2/Vs以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。
、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN
1、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:
NPB又はα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニ
ル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4−フェニル−
4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP
)等の芳香族アミン化合物や、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:C
BP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:T
CPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾ
ール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル
)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、1,4−ビス[4−(N−カ
ルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。
BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9
,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−t
ert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−B
uDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−
ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(
略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン
(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert
−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン
、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。
9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,
10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス
[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブ
チル)ペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)
ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)
フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。
ルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。
ては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチ
ルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)
、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニル
アミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物を用いることができる。
ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が
二層以上積層したものとしてもよい。
体や、t−BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。
どの高分子化合物を用いることもできる。
光性化合物を用いることができる。
、青色系の発光材料として、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フ
ェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)
、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)
トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−
4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:P
CBAPA)などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフ
ェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略
称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−
アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCA
BPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフ
ェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(
1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル
−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1
,1’−ビフェニル−2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェ
ニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,
9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる
。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−
4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また
、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テ
トラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,
N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオラ
ンテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
例えば、青色系の発光材料として、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリ
ジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略
称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2
’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5
’−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(II
I)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6
’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセ
トナート(略称:FIr(acac))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料とし
て、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir
(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)ア
セチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(1,2−ジフェニ
ル−1H−ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:I
r(pbi)2(acac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)
アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)2(acac))、トリス(ベンゾ[h]
キノリナト)イリジウム(III)(略称:Ir(bzq)3)などが挙げられる。また
、黄色系の発光材料として、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C
2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac
))、ビス[2−(4’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(I
II)アセチルアセトナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(
2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナー
ト(略称:Ir(bt)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス
(4−フルオロフェニル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir
(Fdppr−Me)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{2−(4−メト
キシフェニル)−3,5−ジメチルピラジナト}イリジウム(III)(略称:Ir(d
mmoppr)2(acac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、ト
リス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq
)3)、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルア
セトナート(略称:Ir(pq)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,
5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr
−Me)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチ
ル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−iPr)
2(acac))などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2−(2’
−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセ
チルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1−フェニルイソキ
ノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pi
q)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェ
ニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac)
)、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(
III)(略称:Ir(tppr)2(acac))、(ジピバロイルメタナト)ビス(
2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)
2(dpm))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,2
3H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(
略称:Tb(acac)3(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロ
パンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM
)3(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセト
ナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(P
hen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子
遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
ト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては
、各種のものを用いることができ、発光性の有機化合物よりも最低空軌道準位(LUMO
準位)が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい
。
(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(
略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(I
I)(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(
II)(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−te
rt−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビ
ス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル
]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’
,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称
:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称
:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−te
rt−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、
9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイ
ル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル
)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5
−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称
:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニ
ル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−
N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:P
CAPBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(またはα−NPD)
、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができ
る。
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。
層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃
度消光を抑制することができる。
体的には、青色系の発光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジ
イル)(略称:PFO)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−
co−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、
ポリ{(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(
p−ブチルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが
挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:
PPV)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−
(ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ
[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−
メトキシ−5−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる
。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキ
ソキシ)−1,4−フェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチル
チオフェン−2,5−ジイル)(略称:R4−PAT)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−
2,7−ビス(1−シアノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス
(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5
−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−a
lt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}
(略称:CN−PPV−DPD)などが挙げられる。
ることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の
有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む層
の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにするこ
とで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色と
は、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光す
る物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機
化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
ては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4
−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キ
ノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス
[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2
)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BT
Z)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いること
ができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert
−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス
[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]
ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナ
ントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いること
ができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物
質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしてもよい。
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
3、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、
インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層
801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述
の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他
の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子
供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いるこ
とができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が
起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素
子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ること
も容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を
有する発光素子の場合でも同様である。
に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸
送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極108
と接する複合材料層708を有していても良い。
いて第2の電極108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減することが
できるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にア
クセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
04との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電
子輸送層704に容易に注入することができる。
びこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(
酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む
)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金
属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略
称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもで
きる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同
様の材料を用いて形成することができる。
を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を
速やかに送ることが可能となる。
構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層70
6に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
O準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送
層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層70
4に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のL
UMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とすると
よい。
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
nPc(Phthalocyanine tin(II) complex)、ZnPc
(Phthalocyanine zinc complex)、CoPc(Cobal
t(II)phthalocyanine, β−form)、FePc(Phthal
ocyanine Iron)及びPhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16,
23−tetraphenoxy−29H,31H−phthalocyanine)の
いずれかを用いることが好ましい。
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。
い。具体的には、VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnO
Pc(Phthalocyanine tin(IV) oxide complex)
及びTiOPc(Phthalocyanine titanium oxide co
mplex)のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合物
(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土
類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン
(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。
物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチル−3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシル−
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙
げられる。
フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,1
0,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称
:HAT(CN)6)、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2P
YPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称
:F2PYPR)等が挙げられる。
5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’−ビ
ス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフルオ
ロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NTCD
I−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5,5
’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン)(略称:DCMT)、メタ
ノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)等を用いるこ
とができる。
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。
送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した有機光デバイスの一例を、図11を用いて
説明する。
層102、第2の電極108、封止膜202、シール材207、乾燥剤208、封止基板
209を備える。具体的には、支持体101上に機能層211を有し、機能層211上に
第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に
第2の電極108を有し、第2の電極108を覆う封止膜202を有する。乾燥剤208
は、封止基板209に接して設けられている。
102、及び第2の電極108を、封止基板209との間にシール材207によって封止
した構成である。シール材207で囲まれた内側は、空間となっており、不活性気体(ア
ルゴンや窒素等)の充填剤が充填されている。
び封止膜202は実施の形態2(図5)と同様の構成を適用することができる。
、Znと、Oとを含む絶縁膜をそれぞれ備える。
できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入りのシー
ル材を用いることもできる。
に、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。その他の乾燥剤と
して、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用い
てもよい。
erglass−Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロ
ライド)、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる
。特に、防水性の高い基板を用いることが好ましい。
電極108を囲うように、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を備えるため、有
機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑制することができる。
(O)を含む膜(以下、GZO膜)の例について図6及び図7を用いて説明する。
まず、本実施例で作製したGZO膜について説明する。本実施例で作製したGZO膜は表
1に示す3種類である。
、圧力0.8Pa、直流(DC)電源200W、酸素雰囲気下、基板加熱温度200℃の
条件でスパッタリング法による成膜を行った。
構成例1として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1:5
[mol数比])を用いて、厚さ100nmのGZO膜を形成した。
構成例2として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1:1
[mol数比])を用いて、厚さ100nmのGZO膜を形成した。
構成例3として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=5:1
[mol数比])を用いて、厚さ100nmのGZO膜を形成した。
次に、構成例1乃至構成例3の屈折率をそれぞれ測定した。本実施例では、エリプソメト
リ法を用いて屈折率を求めた。
、縦軸は屈折率を示す。
可視光領域と記す)において、波長依存性がほとんど見られなかった。
ターゲット)は、構成例3(Ga2O3の含まれる割合が大きいターゲット)に比べて、
屈折率が高い。
の割合を変えることによって、得られるGZO膜の屈折率が変化することが示唆された。
次に、構成例1乃至構成例3の透過率をそれぞれ測定した。本実施例では、分光光度計を
用いて透過率の値を得た。
、縦軸は、透過率を示す。
かった。
常に高い。さらに、GaとZnの割合を変えることで、得られる膜の屈折率が大きく変化
する。したがって、本発明において、機能層として好適に用いることができることがわか
った。
膜)の別の例について図8乃至図10を用いて説明する。
まず、本実施例で作製したGZO膜について説明する。本実施例で作製したGZO膜は表
2に示す12種類である。
圧力0.8Pa、直流(DC)電源200Wの条件でスパッタリング法による成膜を行っ
た。
構成例A−1として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:5[mol数比])を用いて、アルゴン及び酸素(流量比率は、アルゴン:酸素=7:
3)混合雰囲気下、室温で厚さ250nmのGZO膜を形成した。
構成例A−2として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:5[mol数比])を用いて、酸素雰囲気下、室温で厚さ90nmのGZO膜を形成し
た。
構成例A−3として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:5[mol数比])を用いて、アルゴン及び酸素(流量比率は、アルゴン:酸素=7:
3)混合雰囲気下、基板加熱温度200℃の条件で厚さ200nmのGZO膜を形成した
。
構成例A−4として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:5[mol数比])を用いて、酸素雰囲気下、基板加熱温度200℃の条件で厚さ15
0nmのGZO膜を形成した。
構成例B−1として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:1[mol数比])を用いて、アルゴン及び酸素(流量比率は、アルゴン:酸素=7:
3)混合雰囲気下、室温で厚さ180nmのGZO膜を形成した。
構成例B−2として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:1[mol数比])を用いて、酸素雰囲気下、室温で厚さ50nmのGZO膜を形成し
た。
構成例B−3では、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1:
1[mol数比])を用いて、アルゴン及び酸素(流量比率は、アルゴン:酸素=7:3
)混合雰囲気下、基板加熱温度200℃の条件で厚さ150nmのGZO膜を形成した。
構成例B−4として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=1
:1[mol数比])を用いて、酸素雰囲気下、基板加熱温度200℃の条件で厚さ90
nmのGZO膜を形成した。
構成例C−1として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=5
:1[mol数比])を用いて、アルゴン及び酸素(流量比率は、アルゴン:酸素=7:
3)混合雰囲気下、室温で厚さ160nmのGZO膜を形成した。
構成例C−2として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=5
:1[mol数比])を用いて、酸素雰囲気下、室温で厚さ50nmのGZO膜を形成し
た。
構成例C−3として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=5
:1[mol数比])を用いて、アルゴン及び酸素(流量比率は、アルゴン:酸素=7:
3)混合雰囲気下、基板加熱温度200℃の条件で厚さ160nmのGZO膜を形成した
。
構成例C−4として、Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲット(Ga2O3:ZnO=5
:1[mol数比])を用いて、酸素雰囲気下、基板加熱温度200℃の条件で厚さ90
nmのGZO膜を形成した。
次に、構成例A−1乃至構成例A−4、構成例B−1乃至構成例B−4、及び構成例C−
1乃至構成例C−4の屈折率をそれぞれ測定した。
屈折率を図9に示す。構成例C−1乃至構成例C−4の屈折率を図10に示す。図8乃至
図10において、横軸は波長(nm)を示し、縦軸は屈折率を示す。
れなかった。
得られるGZO膜の屈折率が変化することがわかった。例えば、可視光領域において、屈
折率が1.7以上2.0以下の範囲の値を示すGZO膜を成膜できることが示唆された。
12 保護部材
14 保護部材
101 支持体
102 EL層
103 第1の電極
108 第2の電極
111 第1の材料層
112 第2の材料層
113 第3の材料層
201 機能層
202 封止膜
207 シール材
208 乾燥剤
209 封止基板
211 機能層
212 第1の膜
213 第2の膜
221 第1機能層
222 第2機能層
230 平坦化膜
301 発光体
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光性の有機化合物を含む層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 第1のEL層
801 第2のEL層
803 電荷発生層
Claims (5)
- 基板上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第1の電極と、
前記第1の電極上の有機化合物層と、
前記有機化合物含む層上の第2の電極と、
前記第2の電極上の第2の絶縁膜と、を有し、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜と同じ材料を有し、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜と接する領域を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1において、
前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記第1の電極は、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は2において、
前記第1の絶縁膜は、窒素を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜は、窒素を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記基板は、ガラス、石英、又はプラスチックを有することを特徴とする発光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019021567A1 (ja) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ガラス基板、有機el照明装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5576296B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 有機el装置およびその製造方法 |
KR20130066271A (ko) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 한국전자통신연구원 | 유기발광다이오드의 제조 방법 |
DE102013109646B4 (de) * | 2013-09-04 | 2021-12-02 | Pictiva Displays International Limited | Organisches optoelektronisches Bauelement |
DE102015118417A1 (de) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004134151A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Sony Corp | 有機el素子 |
US20040229051A1 (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-18 | General Electric Company | Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices |
JP2005319678A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nippon Zeon Co Ltd | 積層体、発光素子及びその使用 |
WO2006087941A1 (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガスバリアフィルム、ガスバリアフィルムの製造方法および該ガスバリアフィルムを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用樹脂基材、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2006109526A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Pioneer Corporation | 有機el表示装置、有機トランジスタ、これらの製造方法 |
WO2009094997A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement |
JP2010517207A (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 色変換層のパターニング方法およびこれを用いた有機elディスプレイの製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4240893B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-03-18 | 大日本印刷株式会社 | 有機elディスプレイ |
US7164155B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
JP3703028B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2005-10-05 | ソニー株式会社 | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
JP4417027B2 (ja) | 2003-05-21 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR100523056B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2005-10-25 | 한국전자통신연구원 | 엔캡슐레이티드 유기 전자 소자 및 그의 제조 방법 |
JP4453316B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-04-21 | ソニー株式会社 | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
US20050181535A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Yun Sun J. | Method of fabricating passivation layer for organic devices |
JP4027914B2 (ja) | 2004-05-21 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置及びそれを用いた機器 |
JP4821092B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-11-24 | 日本ゼオン株式会社 | 発光素子 |
US20080266661A1 (en) * | 2005-03-30 | 2008-10-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Polarizing Plate |
JP4770450B2 (ja) | 2005-12-21 | 2011-09-14 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明装置 |
TWI313431B (en) * | 2006-04-14 | 2009-08-11 | Ritdisplay Corporatio | Transparent touch panel |
WO2008069221A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma display panel and field emission display |
WO2008069223A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anti-reflection film and display device |
WO2008069162A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anti-reflection film and display device |
WO2008069219A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Antireflective film and display device |
GB2450675A (en) | 2007-04-04 | 2009-01-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Active matrix organic displays |
JP2009016305A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Canon Inc | 有機el発光素子及びその製造方法 |
DE102007052181A1 (de) * | 2007-09-20 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US20090081356A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Fedorovskaya Elena A | Process for forming thin film encapsulation layers |
JP5267246B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR101307553B1 (ko) * | 2008-05-26 | 2013-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
US20100327304A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Shinichiro Sonoda | Organic el device and design method thereof |
JP5663231B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
TWI596741B (zh) | 2009-08-07 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101108157B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
TWI641287B (zh) | 2010-09-14 | 2018-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 固態發光元件,發光裝置和照明裝置 |
-
2011
- 2011-11-09 KR KR1020110116406A patent/KR102138213B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 JP JP2011253792A patent/JP5864051B2/ja active Active
- 2011-11-22 US US13/302,213 patent/US9331306B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-12-23 JP JP2015250737A patent/JP6250019B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004134151A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Sony Corp | 有機el素子 |
US20040229051A1 (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-18 | General Electric Company | Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices |
JP2005319678A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nippon Zeon Co Ltd | 積層体、発光素子及びその使用 |
WO2006087941A1 (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガスバリアフィルム、ガスバリアフィルムの製造方法および該ガスバリアフィルムを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用樹脂基材、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2006109526A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Pioneer Corporation | 有機el表示装置、有機トランジスタ、これらの製造方法 |
JP2010517207A (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 色変換層のパターニング方法およびこれを用いた有機elディスプレイの製造方法 |
WO2009094997A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019021567A1 (ja) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ガラス基板、有機el照明装置 |
JP2019024069A (ja) * | 2017-07-25 | 2019-02-14 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ガラス基板、有機el照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102138213B1 (ko) | 2020-07-27 |
JP2012129199A (ja) | 2012-07-05 |
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US20120126270A1 (en) | 2012-05-24 |
KR20120056202A (ko) | 2012-06-01 |
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