JP2016063223A5 - - Google Patents

Description

様々なガスの圧力に応じた降伏電圧を示すグラフである。

高周波プラズマ発生器４６は、高周波プラズマを処理室で生成する。高周波プラズマ発生器４６は、誘導性または容量性高周波プラズマ発生器であってもよい。一部の実施例では、高周波プラズマ発生器４６は、高周波源６０およびマッチングおよび分散ネットワーク６４を含んでいてもよい。高周波プラズマ発生器４６はガス配布装置１４に接地または浮遊している基板支持部１６で接続されるように示されるが、高周波プラズマ発生器４６を基板支持部１６に接続して、ガス配布装置１４を接地または浮遊させることができる。

一部の実施例では、膜はＳｉＯ₂である。ＳｉＯ₂膜では、前駆体投与は、ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）、シランジアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチル（ＳＡＭ２４）、トリス［ジメチルアミノ］シラン（３ＤＭＡＳ）、または他の適切な前駆体を含んでいてもよい。プラズマガス混合物は、Ａｒ、Ｏ₂、Ｎ₂、Ｎ₂Ｏ、これらの２つ以上の組み合わせ、または他の適切なプラズマガス混合物を含んでいてもよい。裏面パージガスはＯ₂またはＮ₂を含む。

Claims (7)

1. 基板上に成膜するための方法であって、
   処理室の反応容量において基板支持部上に基板を配置することと、
   選択的に処理ガスを前記処理室の反応容量に導入し、高周波プラズマを生成して、前記基板上に膜を成膜することと、
   前記成膜中に前記基板を前記基板支持部にクランプすることと、
   反応ガスを前記基板の裏面端部にパージガスとして供給して、前記成膜中、および、前記反応容量における前記高周波プラズマの生成中に、前記基板の裏面端部をパージすることと、
   を備え、
   前記パージガスを供給することは、
   前記パージガスを１５０ｓｃｃｍ以上の速さで流して、前記高周波プラズマの生成中に前記裏面端部をパージすることと、
   酸素分子を前記パージガスとして供給することと、
   前記酸素分子を前記パージガスとして供給して、（ｉ）前記反応容量における前記高周波プラズマの生成中に、前記裏面端部付近でのプラズマ点火およびホロー陰極放電の特性のうちの少なくとも１つを抑制し、（ｉｉ）前記パージガスに関連する寄生電力損失を抑制することと、を含む、
   方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、前記基板を前記基板支持部にクランプするために真空圧力を用いる、方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、前記膜は二酸化ケイ素を含む、方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、前記膜は原子層堆積を用いて成膜される、方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、
   前記処理室を２から３トールの真空圧力に維持すること、
   をさらに備える、方法。
6. 請求項２に記載の方法であって、前記クランプは、
   前記基板支持部の基板に面する表面上に、弁と流体連通する空洞を配置することと、
   真空源を前記弁と流体連通して配置することと、
   前記基板を前記基板支持部に真空クランプするために、前記弁を制御することと、
   を備える、方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、前記反応ガスを供給することは、
   前記基板の端部に隣接する前記基板支持部の基板に面する表面上に、弁と流体連通する空洞を配置することと、
   反応ガス源を前記弁と流体連通して配置することと、
   前記弁を制御して前記反応ガスを供給し、前記基板の裏面端部をパージすることと、
   を含む、方法。

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