JP2016063087A - 磁気トンネル接合素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
Description
磁化方向が可変な記憶層と、
所定の磁化方向を維持する固定層と、
前記記憶層と前記固定層との間に設けられたスペーサ層と、を含み、スピントルク注入方式を用いて書き込みを行う磁気トンネル接合素子であって、
前記記憶層及び前記固定層の少なくとも一方が、強磁性絶縁層を含み、
前記スペーサ層は、前記記憶層と前記固定層とを電気的に接続する電流経路部と、前記記憶層と前記固定層とを電気的に絶縁する絶縁部とを含む。
図1〜図3を参照して、実施の形態1にかかるMTJ素子について説明する。図1は、実施の形態1にかかるMRAMの要部の断面図である。図2は、実施の形態1にかかるMTJ素子の断面図である。図3は、実施の形態1にかかるMTJ素子の要部の断面図である。
次に、図9及び図10を用いて、参考例1にかかるMRAMについての計算結果について説明する。図9に示すように、MTJ素子80は、MTJ素子10(図2参照)とスペーサ層を除いて共通の構成を有する。MTJ素子80は、スペーサ層82を有し、スペーサ層82は、常磁性絶縁体からなる。MTJ素子80は、MTJ素子10と同様にメモリセル100(図1参照。)に組み込まれることにより、MRAMの構成要素として用いられる。
t[J]:電子の飛び移り積分
κσ[1/m]:強磁性絶縁体(FM)におけるσスピン電子の波動関数の減衰率
N[m]:常磁性絶縁体(NI)の膜厚
M[m]:強磁性絶縁体(FI)の膜厚
κ0[1/m]:常磁性絶縁体(NI)における電子の波動関数の減衰率
Dσ’[1/J]:強磁性金属(FM)におけるσ’スピン電子の電子状態密度
D0[1/J]:常磁性金属(NM)における電子状態密度
次に、図11及び図12を用いて、参考例2にかかるMRAMについての計算結果について説明する。図11に示すように、MTJ素子90は、MTJ素子10(図2参照)とスペーサ層及び固定層を除いて共通の構成を有する。MTJ素子90は、スペーサ層92と固定層93とを含む。スペーサ層92は、常磁性金属からなり、固定層93は、強磁性絶縁体からなる。MTJ素子90は、MTJ素子10と同様にメモリセル100(図1参照。)に組み込まれることにより、MRAMの構成要素として用いられる。
h=2nm
D=20nm
Ms=600×103A/m(=600emu/cm3)
A=1×10−11J/m(=1μerg/cm)
a=0.01
Ku:熱安定性Δにより決定
V[m3]:第1の強磁性絶縁体(FI1)の体積
kb[J/K]:ボルツマン定数
T[K]:第1の強磁性絶縁体(FI1)の温度
次に、図6を参照して、実施の形態2にかかるMTJ素子について説明する。図6は、実施の形態2にかかるMTJ素子の断面図である。実施の形態2にかかるMTJ素子210は、実施の形態1にかかるMTJ素子10(図2参照。)と比較して、記憶層及び固定層を入れ替えた構成を有する。共通する構成については説明を省略し、異なる構成について説明する。
また、固定層23では、その伝導帯において磁気分裂が生じ、伝導電子のスピンの向きによってトンネル確率が異なる。このため固定層23の磁化と平行な(あるいは反平行な)スピンを持つ電子がより多く固定層23を通り抜けるスピンフィルタ効果が生じる。スピンフィルタ効果のスピン分極率は,固定層23の膜の厚みを変えることにより変更することができる。
次に、図7を参照して、実施の形態3にかかるMTJ素子について説明する。図7は、実施の形態3にかかるMTJ素子の断面図である。実施の形態3にかかるMTJ素子は、実施の形態2にかかるMTJ素子210(図6参照。)と比較して、固定層を除いて、共通する構成を有する。共通する構成については説明を省略し、異なる構成について説明する。
次に、図8を参照して、実施の形態4にかかるMTJ素子について説明する。図8は、実施の形態4にかかるMTJ素子の断面図である。実施の形態4にかかるMTJ素子は、実施の形態1にかかるMTJ素子10(図2参照。)と比較して、固定層を除いて、共通する構成を有する。共通する構成については説明を省略し、異なる構成について説明する。
2 半導体基板
3、4 拡散領域
5、7 コンタクトプラグ
6 ソース線
8 ワード線
9 ゲート絶縁膜
10、210、310、410 MTJ素子
11、21 記憶層
12 スペーサ層
12a 電流経路部
12b マトリックス
13、23、33 固定層
100 メモリセル
331 強磁性層
332 磁気結合制御層
333 垂直磁化保持層
Claims (12)
- 磁化方向が可変な記憶層と、
所定の磁化方向を維持する固定層と、
前記記憶層と前記固定層との間に設けられたスペーサ層と、を含み、スピントルク注入方式を用いて書き込みを行う磁気トンネル接合素子であって、
前記記憶層及び前記固定層の少なくとも一方が、強磁性絶縁層を含み、
前記スペーサ層は、前記記憶層と前記固定層とを電気的に接続する電流経路部と、前記記憶層と前記固定層とを電気的に絶縁する絶縁部とを含む磁気トンネル接合素子。 - 前記記憶層が前記強磁性絶縁層からなり、
前記強磁性絶縁層は、垂直磁気異方性を有することを特徴とする請求項1に記載される磁気トンネル接合素子。 - 前記記憶層は、
前記強磁性絶縁層と、
膜面に垂直な磁化方向を有する垂直磁化保持層と、を含むことを特徴とする請求項1に記載される磁気トンネル接合素子。 - 前記固定層が前記強磁性絶縁層からなり、
前記強磁性絶縁層は、垂直磁気異方性を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載される磁気トンネル接合素子。 - 前記固定層は、
前記強磁性絶縁層と、
膜面に垂直な磁化方向を有する垂直磁化保持層と、を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載される磁気トンネル接合素子。 - 前記強磁性絶縁層は強磁性酸化物からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載される磁気トンネル接合素子。
- 前記強磁性酸化物は、BaFe12O19、又は、CoXFe3−XO4であり、Xが0<X<3を満たすことを特徴とする請求項6に記載される磁気トンネル接合素子。
- 前記電流経路部は、非磁性金属からなる複数本の柱状体であり、
前記絶縁部は、前記電流経路部のそれぞれを囲むマトリックスであり、
前記マトリックスは、非磁性絶縁体からなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載される磁気トンネル接合素子。 - 前記非磁性絶縁体は、MgO又はAl2O3であることを特徴とする請求項8に記載される磁気トンネル接合素子。
してもよい。 - 前記非磁性金属はCuであることを特徴とする請求項8に記載される磁気トンネル接合素子。
- 素子抵抗値が30Ωμm2以下であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載される磁気トンネル接合素子。
- 請求項1〜11のいずれか1つに記載される磁気トンネル接合素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリ。
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