JP2016060822A - 絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路 - Google Patents
絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016060822A JP2016060822A JP2014189664A JP2014189664A JP2016060822A JP 2016060822 A JP2016060822 A JP 2016060822A JP 2014189664 A JP2014189664 A JP 2014189664A JP 2014189664 A JP2014189664 A JP 2014189664A JP 2016060822 A JP2016060822 A JP 2016060822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- resin composition
- epoxy resin
- volume
- hybrid integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 14
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 30
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 C=CC*(C(C1)C2C(N3*N(C(C4C5C6C=C*(CC=C)C4C6)=O)C5=O)=O)C=CC1C2C3=O Chemical compound C=CC*(C(C1)C2C(N3*N(C(C4C5C6C=C*(CC=C)C4C6)=O)C5=O)=O)C=CC1C2C3=O 0.000 description 1
- 238000005698 Diels-Alder reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- -1 glycidyl ester Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
【課題】熱伝導性および耐電圧特性が良好な絶縁性樹脂組成物を提供する。さらに、この絶縁性樹脂組成物を用いた長期耐久性に優れた混成集積回路を提供する。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物により、長期耐久性に優れた混成集積回路が得られる。【選択図】なし
Description
本発明は、絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路に関する。
従来、小型化や実装時の省力化などを可能にする表面実装を実現するために、各種の回路基板が用いられており、これらの回路基板に各種の表面実装電子部品を搭載した混成集積回路が用いられている。特に、高発熱性電子部品を実装する回路基板として、金属板上に無機充填材を充填したエポキシ樹脂等からなる絶縁層を設け、該絶縁層上に回路を設けた混成集積回路が用いられている。
しかし、近年、混成集積回路の小型化が要求され、高密度実装化および高性能化が要求され、更には、混成集積回路の小型化、ハイパワー化により、狭いスペースの中で、混成集積回路から発生した熱を如何に放熱するかが問題となっている。
そこで、特許文献１には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機フィラーが必須成分とする絶縁接着フィルムが開示されている。しかし、本方法では、樹脂が何れも固形、もしくは高粘度であるため、無機フィラーの高充填化が難しく、高熱伝導化が課題であった。
特許文献２には、有機溶剤可溶性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、無機フィラーを必須成分とする樹脂組成物の発明が開示されている。しかし、本方法では、ブレンドする樹脂の硬化物性が近い為、大きな熱伝導率が得られないとの課題があった。また、ポリイミド樹脂を用いた樹脂組成物は、回路箔に対する接着性に乏しく、且つ高温での加熱硬化を必要とし、その際に逆反応（逆Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応）による揮発成分が生じる課題が有った。さらに、耐熱性を高めるためのエポキシ樹脂を用いる場合、殆どが室温で固形であることから高温させる必要があり、絶縁強度や、ピール強度が低下する課題があった。
本発明は、上記問題と実状に鑑み、硬化時の耐熱性、熱電導性、耐電圧特性および接着性に優れた絶縁性樹脂組成物を提供することを目的とする。さらに、この絶縁性樹脂組成物を用いて製造される、混成集積回路基板、混成集積回路を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明は、下記より構成される。
（１）（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミドと、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、
（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物。
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
（２）（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、（Ｃ）ビスアリルナジイミドが１５〜７５質量％である、（１）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（３）（Ｄ）無機フィラーが（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍの１種類以上の微粉を含有し、（Ｄ−１）粗粉の最大粒子径が１００μｍ以下で、且つ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有し、（Ｄ−２）微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上である、（１）または（２）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（４）絶縁性樹脂組成物中の（Ｄ−１）粗粉の体積分率が３５〜７０体積％、（Ｄ−２）微粉の体積分率が５〜２５体積％である、（１）〜（３）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物。
（５）（Ｄ−１）粗粉が窒化アルミである、（３）または（４）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（６）（Ｄ−２）微粉が、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上である、（３）〜（５）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物。
（７）（１）〜（６）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物を硬化させてなる絶縁性樹脂硬化体。
（８）熱伝導率が１．５〜８Ｗ／ｍＫである、（７）に記載の絶縁性樹脂硬化体。
（９）金属基板上に、（７）または（８）に記載の絶縁性樹脂硬化体を介して金属箔を配置した、混成集積回路用の基板。
（１０）（９）に記載の金属箔を加工して回路を形成した、混成集積回路基板。
（１１）（１０）に記載の混成集積回路基板に電子部品を搭載した、混成集積回路。
（１）（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミドと、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、
（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物。
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
（２）（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、（Ｃ）ビスアリルナジイミドが１５〜７５質量％である、（１）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（３）（Ｄ）無機フィラーが（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍの１種類以上の微粉を含有し、（Ｄ−１）粗粉の最大粒子径が１００μｍ以下で、且つ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有し、（Ｄ−２）微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上である、（１）または（２）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（４）絶縁性樹脂組成物中の（Ｄ−１）粗粉の体積分率が３５〜７０体積％、（Ｄ−２）微粉の体積分率が５〜２５体積％である、（１）〜（３）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物。
（５）（Ｄ−１）粗粉が窒化アルミである、（３）または（４）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（６）（Ｄ−２）微粉が、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上である、（３）〜（５）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物。
（７）（１）〜（６）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物を硬化させてなる絶縁性樹脂硬化体。
（８）熱伝導率が１．５〜８Ｗ／ｍＫである、（７）に記載の絶縁性樹脂硬化体。
（９）金属基板上に、（７）または（８）に記載の絶縁性樹脂硬化体を介して金属箔を配置した、混成集積回路用の基板。
（１０）（９）に記載の金属箔を加工して回路を形成した、混成集積回路基板。
（１１）（１０）に記載の混成集積回路基板に電子部品を搭載した、混成集積回路。
本発明では、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する（Ｃ）ビスアリルナジイミドの粘度比が特定範囲にあり、かつ平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを用いることで、絶縁性樹脂組成物中の無機フィラーを高充填できることを見出し、熱伝導性および耐電圧特性を両立することができた。また、硬化時の耐熱性に優れるため硬化過程で熱分解した揮発分による絶縁性の低下を低減することができる。さらに、金属箔との接着性が良好であるため、本絶縁性樹脂組成物を用いた混成集積回路は長期耐久性に優れる。
＜絶縁性樹脂組成物＞
本発明の絶縁性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミド樹脂と、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物である。
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
本発明の絶縁性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミド樹脂と、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物である。
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂（クレゾールのボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等）、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中では、密着性および耐熱性に優れる、ビスフェノールＡ又はＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂（クレゾールのボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等）、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中では、密着性および耐熱性に優れる、ビスフェノールＡ又はＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
（Ｂ）硬化剤
エポキシ樹脂は硬化剤と反応させることで、硬化することができる。硬化剤としてはフェノール系樹脂、酸無水物系樹脂、芳香族アミン系樹脂、ジシアンジアミノからなる群から選ばれる１種類以上を用いることができる。これらの中では、基板を作製した際のピール強度および耐電圧の点で、芳香族アミンが好ましい。
エポキシ樹脂は硬化剤と反応させることで、硬化することができる。硬化剤としてはフェノール系樹脂、酸無水物系樹脂、芳香族アミン系樹脂、ジシアンジアミノからなる群から選ばれる１種類以上を用いることができる。これらの中では、基板を作製した際のピール強度および耐電圧の点で、芳香族アミンが好ましい。
エポキシ樹脂に対する硬化剤の添加量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量１に対して、硬化剤の活性水素当量（又は酸無水物当量）が０．０１〜１．２５になるように配合することが好ましい。
（Ｃ）ビスアリルナジイミド
ビスアリルナジイミドは、化１に示す構造単位においてＲは、４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示である。これらの中では、Ｒはエポキシ樹脂との相溶性が良好な、化２に示す４，４’−ジフェニルメチル基であることが好ましい。
ビスアリルナジイミドは、化１に示す構造単位においてＲは、４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示である。これらの中では、Ｒはエポキシ樹脂との相溶性が良好な、化２に示す４，４’−ジフェニルメチル基であることが好ましい。
ビスアリルナジイミドは、分子中のアリル基およびノルボルネン骨格の二重結合の付加反応で進行し、三次元架橋構造を形成する。絶縁樹脂組成物中のビスアリルナジイミドは、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、１５〜７５質量％であることが好ましく、２５〜６４質量％であることがより好ましい。ビスアリルナジイミドの添加量が１５質量％未満であると熱伝導性が低下する場合があり、７５質量％を超えると加熱時の質量減少量が増加する場合がある。
エポキシ樹脂とビスアリルナジイミドの反応ピークの温度差は、８５〜２０５℃であり、１１５〜１５５℃であることがより好ましい。反応ピークの温度差が８５℃未満の場合、熱伝導性が低下する場合がある。また、２０５℃を超えると、熱伝導性が低下する場合がある。なお、反応ピーク温度は、窒素雰囲気下、１０℃／分で昇温した際の、示差走査熱量計（ＤＳＣ）のピーク温度により求めることができる。
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比は１５〜２７０であり、１００〜２６７であることがより好ましい。粘度比が１５未満の場合、熱伝導性が低下する場合がある。また、２７０を超えると銅箔と樹脂の接合強度（ピール強度）が低下する場合がある。なお、ずり速度は動的粘弾性測定装置により求めることができる。
（Ｄ）無機フィラー
本発明の無機フィラーは平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを使用する。無機フィラーとしては、電気絶縁性に優れかつ熱伝導率の高いものが用いられ、例えば酸化アルミ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等が挙げられる。これらの中では、熱伝導性の点で、窒化アルミ、窒化ケイ素、酸化アルミが好ましい。
本発明の無機フィラーは平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを使用する。無機フィラーとしては、電気絶縁性に優れかつ熱伝導率の高いものが用いられ、例えば酸化アルミ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等が挙げられる。これらの中では、熱伝導性の点で、窒化アルミ、窒化ケイ素、酸化アルミが好ましい。
無機フィラーは、（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍ、より好ましくは０．５〜１．０μｍの１種類以上の微粉を含有するのが好ましい。粗粉の平均粒子径が５μｍ未満の場合は、熱伝導性が低下する場合があり、平均粒子径が５０μｍを超えると、絶縁性が低下する場合がある。また、微粉の平均粒子径が０．２μｍ未満の場合は、絶縁性が低下する場合があり、１．５μｍを超えると、絶縁性が低下する場合がある。無機フィラーとしては、粗粉が窒化アルミで、微粉が窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上であることが好ましい。
粗粉の最大粒子径は１００μｍ以下で、かつ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有することが好ましい。また、微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上であることが好ましい。
粗粉の最大粒子径が１００μｍ以上であると絶縁性が低下する場合があり、微粉の２．０μｍ以下の粒子が７０体積％未満であると、絶縁性が低下する場合がある。
粗粉の最大粒子径が１００μｍ以上であると絶縁性が低下する場合があり、微粉の２．０μｍ以下の粒子が７０体積％未満であると、絶縁性が低下する場合がある。
絶縁性樹脂組成物中の粗粉と微粉の体積分率は、粗粉が３５〜７０体積％、より好ましくは粗粉が３５〜６０体積％、微粉が５〜２５体積％、より好ましくは微粉が１０〜２０体積％であることが好ましい。粗粉が３５体積％未満であると、熱伝導性が低下する場合があり、７０体積％を超えると絶縁性が低下する場合がある。また、微粉が５体積％未満であると、熱伝導性が低下する場合があり、２５体積％を超えると絶縁性が低下する場合がある。
＜絶縁性樹脂組成物の硬化＞
絶縁性樹脂組成物は、無機フィラーを除いた（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの総和に対し、４００℃に加熱した際の質量減少率が３質量％以下であることが好ましい。３質量％を超えると揮発成分が絶縁層内部の欠陥となり、絶縁性の低下を引き起こす場合がある。なお、質量減少率は、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱天秤）により、試料を室温から４００℃まで窒素雰囲気下で加熱したときの質量減少率を意味する。
絶縁性樹脂組成物は、無機フィラーを除いた（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの総和に対し、４００℃に加熱した際の質量減少率が３質量％以下であることが好ましい。３質量％を超えると揮発成分が絶縁層内部の欠陥となり、絶縁性の低下を引き起こす場合がある。なお、質量減少率は、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱天秤）により、試料を室温から４００℃まで窒素雰囲気下で加熱したときの質量減少率を意味する。
絶縁性樹脂組成物は、厚さ０．１〜５ｍｍの金属基板上に塗布し、回路を形成する金属箔と重ね合わせた後、１５０〜２４０℃で５〜８時間加熱し硬化体を得ることができる。塗布は、ダイコーター、コンマコーター、ロールコーター、バーコーター、グラビヤコーター、カーテンコーター、ドクターブレードコーター、スプレーコーターおよびスクリーン印刷等の方法を使用し塗布することができる。または、金属基板上に絶縁性樹脂組成物を塗布した後に加熱により半硬化させた後、絶縁性樹脂組成物の表面に金属箔とラミネートまたは熱プレスする方法が採用できる。さらには、絶縁性接着剤組成物をシート状に半硬化後、金属基板と金属箔を貼り合わせて硬化体を得ることもできる。
硬化体の厚みは２０〜１５０μｍであることが好ましく、４０〜１２５μｍであることがより好ましい。厚みを２０μｍ以上とすることで、耐電圧特性が良好となり、１５０μｍ以下とすることで、熱抵抗が低くなる。金属基板としてはアルミニウム、鉄、銅およびこれらの合金、もしくはこれらのクラッド材が熱伝導性の点で好ましい。また、金属箔としては、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、スズ、金、銀、モリブデン、チタニウム、ステンレス等が使用できる。
＜回路の形成＞
絶縁性接着剤組成物を用いて貼り合わせた金属箔上に、エッチングにより回路を形成する。具体的には、まず、スクリーン印刷法又は写真現像法により、金属箔上にエッチングレジストを形成し、金属箔の表面の所定の位置をマスクする。その状態で、金属箔の一部を、塩化第二鉄エッチング液、塩化第二銅エッチング、過酸化水素／硫酸エッチング液、アルカリエッチャント等で腐食溶解した後、エッチングレジストを剥離する。これにより回路が形成される。
絶縁性接着剤組成物を用いて貼り合わせた金属箔上に、エッチングにより回路を形成する。具体的には、まず、スクリーン印刷法又は写真現像法により、金属箔上にエッチングレジストを形成し、金属箔の表面の所定の位置をマスクする。その状態で、金属箔の一部を、塩化第二鉄エッチング液、塩化第二銅エッチング、過酸化水素／硫酸エッチング液、アルカリエッチャント等で腐食溶解した後、エッチングレジストを剥離する。これにより回路が形成される。
＜混成集積回路の作製＞
回路面に半導体素子や抵抗チップなどの電子部品を実装するには、所望の位置にハンダ等を用いて電子部品を接合すればよい。
回路面に半導体素子や抵抗チップなどの電子部品を実装するには、所望の位置にハンダ等を用いて電子部品を接合すればよい。
以下、本発明を実施例および比較例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
＜絶縁性樹脂組成物の製造＞
（実施例１）
絶縁性樹脂組成物の製造には以下の原料を用いた。
（Ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製、「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０ＣＲＰ」
（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤：芳香族アミン、日本合成化工社製、「Ｈ−４８Ｂ」
（Ｃ）ビスアリルナジイミド：丸善石油化学社製、「ＢＡＮＩ−Ｍ」（化１のＲが４，４’−ジフェニルメチル基である）
（Ｄ）無機フィラー粗粉：窒化アルミ（電気化学工業社製、平均粒子径１６μｍ、最大粒子径７０μｍ、１〜２０μｍの粒子含有量６５体積％）
（Ｄ）無機フィラー微粉：窒化ケイ素（電気化学工業社製、平均粒子径１．０μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９４体積％）
（Ｄ）無機フィラー微粉：酸化アルミ（住友化学社製、「ＡＡ０５」、平均粒子径０．５μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９９体積％）
（その他）シランカップリング剤（東レ・ダウコーニング社製、「ｚ−６０４０」）
（実施例１）
絶縁性樹脂組成物の製造には以下の原料を用いた。
（Ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製、「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０ＣＲＰ」
（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤：芳香族アミン、日本合成化工社製、「Ｈ−４８Ｂ」
（Ｃ）ビスアリルナジイミド：丸善石油化学社製、「ＢＡＮＩ−Ｍ」（化１のＲが４，４’−ジフェニルメチル基である）
（Ｄ）無機フィラー粗粉：窒化アルミ（電気化学工業社製、平均粒子径１６μｍ、最大粒子径７０μｍ、１〜２０μｍの粒子含有量６５体積％）
（Ｄ）無機フィラー微粉：窒化ケイ素（電気化学工業社製、平均粒子径１．０μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９４体積％）
（Ｄ）無機フィラー微粉：酸化アルミ（住友化学社製、「ＡＡ０５」、平均粒子径０．５μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９９体積％）
（その他）シランカップリング剤（東レ・ダウコーニング社製、「ｚ−６０４０」）
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部に、芳香族アミン６質量部、ビスアリルナジイミド７５質量部、シランカプリング剤１．０質量部を加えた。次に絶縁性樹脂組成物中の添加量がそれぞれ５４体積％、８体積％、１２体積％となるよう、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムを加え、遊星式撹拌機（シンキー社「あわとり練太郎ＡＲ−２５０」、回転数２０００ｒｐｍ）にて混練し、絶縁性樹脂組成物を作製した。
実施例１で用いた原料および得られた絶縁性樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表３に示す。
［平均粒子径および粒度分布］
無機フィラーの平均粒子径は、島津製作所製「レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−２００」を用いて測定を行った。試料は、ガラスビーカーに５０ｃｃの純水と無機フィラーを５ｇ添加して、スパチュラを用いて撹拌し、その後超音波洗浄機で１０分間、分散処理を行った。分散処理を行った無機フィラーの分散積をスポイドで装置のサンプラ部に一滴ずつ添加して、吸光度が測定可能になるまで安定するのを待った。吸光度が安定になった時点で測定を行った。レーザー回折式粒度分布測定装置では、センサで検出した粒子による回折／散乱光の光強度分布のデータから粒度分布を計算した。平均粒子径は測定される粒子径の値に相対粒子量（差分％）を乗じて、相対粒子量の合計（１００％）で割って求めた。平均粒子径は粒子の平均直径を示す。
［平均粒子径および粒度分布］
無機フィラーの平均粒子径は、島津製作所製「レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−２００」を用いて測定を行った。試料は、ガラスビーカーに５０ｃｃの純水と無機フィラーを５ｇ添加して、スパチュラを用いて撹拌し、その後超音波洗浄機で１０分間、分散処理を行った。分散処理を行った無機フィラーの分散積をスポイドで装置のサンプラ部に一滴ずつ添加して、吸光度が測定可能になるまで安定するのを待った。吸光度が安定になった時点で測定を行った。レーザー回折式粒度分布測定装置では、センサで検出した粒子による回折／散乱光の光強度分布のデータから粒度分布を計算した。平均粒子径は測定される粒子径の値に相対粒子量（差分％）を乗じて、相対粒子量の合計（１００％）で割って求めた。平均粒子径は粒子の平均直径を示す。
［粘度比］
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部と芳香族アミン６質量部を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、レオメーター（日本シイベルヘグナー社製「ＭＣＲ−３０１」）を用い下記条件にて粘度を測定した。
プレート形状：円形平板２５ｍｍφ
試料厚み：０．１ｍｍ
ノーマルフォーカス：ＯＮ
温度：１００±１℃
剪断速度：０．１Ｓ−１
ビスアリルナジイミド単体についても、温度：１００±１℃、剪断速度：０．１Ｓ−１での粘度測定を実施し、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、ビスアリルナジイミドの粘度比を求めた。
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部と芳香族アミン６質量部を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、レオメーター（日本シイベルヘグナー社製「ＭＣＲ−３０１」）を用い下記条件にて粘度を測定した。
プレート形状：円形平板２５ｍｍφ
試料厚み：０．１ｍｍ
ノーマルフォーカス：ＯＮ
温度：１００±１℃
剪断速度：０．１Ｓ−１
ビスアリルナジイミド単体についても、温度：１００±１℃、剪断速度：０．１Ｓ−１での粘度測定を実施し、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、ビスアリルナジイミドの粘度比を求めた。
［反応ピーク温度］
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部と芳香族アミン６質量部を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ２０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させ、得られた曲線のピークトップ温度を反応ピーク温度とした。
ビスアリルナジイミド単体についても、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分にて室温〜４００℃まで昇温し、反応ピーク温度を求めた。
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部と芳香族アミン６質量部を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ２０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させ、得られた曲線のピークトップ温度を反応ピーク温度とした。
ビスアリルナジイミド単体についても、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分にて室温〜４００℃まで昇温し、反応ピーク温度を求めた。
［質量減少率］
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部、芳香族アミン６質量部およびビスアリルナジイミド（ＢＡＮＩ−Ｍ）を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、示差熱天秤（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ５０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させ、室温に対する４００℃における質量減少率を測定した。
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部、芳香族アミン６質量部およびビスアリルナジイミド（ＢＡＮＩ−Ｍ）を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、示差熱天秤（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ５０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させ、室温に対する４００℃における質量減少率を測定した。
［熱伝導率］
熱伝導率は、得られた絶縁性樹脂組成物の硬化体を作成し、熱拡散率、比重、比熱を全て乗じて算出した。熱拡散率は、試料を幅１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み１ｍｍに加工し、レーザーフラッシュ法により求めた。測定装置はキセノンフラッシュアナライザ（ＮＥＴＺＳＣＨ社製ＬＦＡ４４７ ＮａｎｏＦｌａｓｈ）を用いた。比重はアルキメデス法を用いて求めた。比熱は、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ２０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させて求めた。結果を表３に示す。
熱伝導率は、得られた絶縁性樹脂組成物の硬化体を作成し、熱拡散率、比重、比熱を全て乗じて算出した。熱拡散率は、試料を幅１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み１ｍｍに加工し、レーザーフラッシュ法により求めた。測定装置はキセノンフラッシュアナライザ（ＮＥＴＺＳＣＨ社製ＬＦＡ４４７ ＮａｎｏＦｌａｓｈ）を用いた。比重はアルキメデス法を用いて求めた。比熱は、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ２０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させて求めた。結果を表３に示す。
［ピール強度］
２枚の厚さ０．６ｍｍの銅箔を、厚さ０．１ｍｍの絶縁性樹脂組成物で接着し硬化体を作製した。硬化条件は、２００℃で８時間とした。接着した銅箔を１０ｍｍ×１００ｍｍに切り出し、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に規定された方法に従い、２３±２℃、相対湿度５０％の条件で銅箔と絶縁性樹脂組成物とのピール強度を測定した。なお、測定は５回繰り返し、その算術平均値をピール強度とした。
２枚の厚さ０．６ｍｍの銅箔を、厚さ０．１ｍｍの絶縁性樹脂組成物で接着し硬化体を作製した。硬化条件は、２００℃で８時間とした。接着した銅箔を１０ｍｍ×１００ｍｍに切り出し、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に規定された方法に従い、２３±２℃、相対湿度５０％の条件で銅箔と絶縁性樹脂組成物とのピール強度を測定した。なお、測定は５回繰り返し、その算術平均値をピール強度とした。
［耐電圧］
絶縁性樹脂組成物を用い、厚さ３５μｍの銅箔と厚さ１．５ｍｍのＡｌ板を接着し金属ベース基板を得た。さらに銅箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、エッチングレジストを除去して金属ベース回路基板を形成した。得られた金属ベース回路基板を用い、ＪＩＳ Ｃ ２１１０に規定された方法に従い、耐電圧を測定した。
絶縁性樹脂組成物を用い、厚さ３５μｍの銅箔と厚さ１．５ｍｍのＡｌ板を接着し金属ベース基板を得た。さらに銅箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、エッチングレジストを除去して金属ベース回路基板を形成した。得られた金属ベース回路基板を用い、ＪＩＳ Ｃ ２１１０に規定された方法に従い、耐電圧を測定した。
（実施例２〜５）
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、芳香族アミンおよびビスアリルナジイミドの配合量を表１に示す通りに変更した以外は、実施例１と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、芳香族アミンおよびビスアリルナジイミドの配合量を表１に示す通りに変更した以外は、実施例１と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例６）
微粉として窒化ケイ素２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
微粉として窒化ケイ素２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例７）
微粉として酸化アルミ２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
微粉として酸化アルミ２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例８）
微粉として窒化アルミ（トクヤマ社製、「トクヤマＨ」、平均粒子径１．０μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９０体積％）２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
微粉として窒化アルミ（トクヤマ社製、「トクヤマＨ」、平均粒子径１．０μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９０体積％）２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例９）
絶縁性樹脂組成物中の粗粉として窒化アルミ３６．１体積％、微粉として窒化ケイ素５．３体積％、酸化アルミ８．６体積％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中の粗粉として窒化アルミ３６．１体積％、微粉として窒化ケイ素５．３体積％、酸化アルミ８．６体積％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例１０）
絶縁性樹脂組成物中の粗粉として窒化アルミ５７．７体積％、微粉として窒化ケイ素８．５体積％、酸化アルミ１３．８体積％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中の粗粉として窒化アルミ５７．７体積％、微粉として窒化ケイ素８．５体積％、酸化アルミ１３．８体積％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例１１）
絶縁性樹脂組成物中のビスアリルナジイミドを、丸善石油化学社製、「ＢＡＮＩ−Ｘ」（化１に示すＲの構造がメタ−キシリル基である）へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中のビスアリルナジイミドを、丸善石油化学社製、「ＢＡＮＩ−Ｘ」（化１に示すＲの構造がメタ−キシリル基である）へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例１２）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を５３質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、イミダゾール系硬化剤：四国化成社製、「２Ｅ４ＭＺ」４質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を５３質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、イミダゾール系硬化剤：四国化成社製、「２Ｅ４ＭＺ」４質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（実施例１３）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を３８質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、フェノールノボラック系硬化剤：ＤＩＣ社製、「ＴＤ−２１３１」１９質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を３８質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、フェノールノボラック系硬化剤：ＤＩＣ社製、「ＴＤ−２１３１」１９質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（比較例１）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂硬化剤として、フェノールノボラック系硬化剤２１質量％へ、ビスアリルナジイミドを「ＢＡＮＩ−Ｘ」へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂硬化剤として、フェノールノボラック系硬化剤２１質量％へ、ビスアリルナジイミドを「ＢＡＮＩ−Ｘ」へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（比較例２）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を３８質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、脂肪族アミン：三井化学ファイン社製、「Ｄ４００」１９質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を３８質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、脂肪族アミン：三井化学ファイン社製、「Ｄ４００」１９質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（比較例３）
ビスアリルナジイミドを使用せず、樹脂成分としてエポキシ樹脂７５質量％、芳香族アミン２５質量％とした以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
ビスアリルナジイミドを使用せず、樹脂成分としてエポキシ樹脂７５質量％、芳香族アミン２５質量％とした以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（比較例４）
エポキシ樹脂、および硬化剤を使用せず、樹脂成分としてビスアリルナジイミドのみを用いた以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂、および硬化剤を使用せず、樹脂成分としてビスアリルナジイミドのみを用いた以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
（比較例５）
微粉を使用しなかった以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。なお、微粉を使用しなかった分は、粗粉を増量し、実施例３の無機フィラー量と同じ７４体積％にそろえた。
微粉を使用しなかった以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。なお、微粉を使用しなかった分は、粗粉を増量し、実施例３の無機フィラー量と同じ７４体積％にそろえた。
（比較例６）
粗粉を使用しなかった以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。なお、粗粉を使用しなかった分は、微粉を増量し、実施例３の無機フィラー量と同じ７４体積％にそろえた。
粗粉を使用しなかった以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。なお、粗粉を使用しなかった分は、微粉を増量し、実施例３の無機フィラー量と同じ７４体積％にそろえた。
表３および表４の結果から、本発明の絶縁性樹脂組成物は加熱時の質量減少が低いことが示される。また、
表１〜表４の結果から、実施例の絶縁性樹脂組成物を用いた硬化体は、熱伝導性およびピール強度に優れることが分かった。さらに、実施例の絶縁性樹脂組成物により作製した金属ベース回路基板は、耐電圧特性に優れることが分かった。
表１〜表４の結果から、実施例の絶縁性樹脂組成物を用いた硬化体は、熱伝導性およびピール強度に優れることが分かった。さらに、実施例の絶縁性樹脂組成物により作製した金属ベース回路基板は、耐電圧特性に優れることが分かった。
以上の結果は、実施例で用いた金属ベース回路基板の他、混成集積回路に関しても同様であった。
Claims (11)
- （Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミドと、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、
（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物。
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。 - （Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、（Ｃ）ビスアリルナジイミドが１５〜７５質量％である、請求項１に記載の絶縁性樹脂組成物。
- （Ｄ）無機フィラーが（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍの１種類以上の微粉を含有し、（Ｄ−１）粗粉の最大粒子径が１００μｍ以下で、且つ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有し、（Ｄ−２）微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上である、請求項１または２に記載の絶縁性樹脂組成物。
- 絶縁性樹脂組成物中の（Ｄ−１）粗粉の体積分率が３５〜７０体積％、（Ｄ−２）微粉の体積分率が５〜２５体積％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の絶縁性樹脂組成物。
- （Ｄ−１）粗粉が窒化アルミである、請求項３または４に記載の絶縁性樹脂組成物。
- （Ｄ−２）微粉が、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の絶縁性樹脂組成物。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載の絶縁性樹脂組成物を硬化させてなる絶縁性樹脂硬化体。
- 熱伝導率が１．５〜８Ｗ／ｍＫである、請求項７に記載の絶縁性樹脂硬化体。
- 金属基板上に、請求項７または８に記載の絶縁性樹脂硬化体を介して金属箔を配置した、混成集積回路用の基板。
- 請求項９に記載の金属箔を加工して回路を形成した、混成集積回路基板。
- 請求項１０に記載の混成集積回路基板に電子部品を搭載した、混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014189664A JP6061904B2 (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-18 | 絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014189664A JP6061904B2 (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-18 | 絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016060822A true JP2016060822A (ja) | 2016-04-25 |
| JP6061904B2 JP6061904B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=55796991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014189664A Active JP6061904B2 (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-18 | 絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6061904B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09100394A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP2005082626A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Kyocera Chemical Corp | 耐熱性樹脂組成物 |
| JP2009164093A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
| JP2011241279A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | エポキシ樹脂組成物並びにプリプレグ、積層板及び配線板 |
-
2014
- 2014-09-18 JP JP2014189664A patent/JP6061904B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09100394A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP2005082626A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Kyocera Chemical Corp | 耐熱性樹脂組成物 |
| JP2009164093A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
| JP2011241279A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | エポキシ樹脂組成物並びにプリプレグ、積層板及び配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6061904B2 (ja) | 2017-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5192812B2 (ja) | 樹脂組成物、それを用いた混成集積用回路基板 | |
| JP5761639B2 (ja) | 接着剤樹脂組成物、その硬化物、及び接着剤フィルム | |
| JP5038007B2 (ja) | 組成物、それを用いた金属ベース回路基板 | |
| JP6570259B2 (ja) | 樹脂組成物、絶縁フィルム、および半導体装置 | |
| JP6418348B1 (ja) | 複合部材 | |
| JP2017149910A (ja) | 熱伝導性接着剤組成物、熱伝導性接着剤シートおよび積層体の製造方法 | |
| JP5114112B2 (ja) | 樹脂組成物、熱伝導シート、金属箔付高熱伝導接着シート、ならびに、金属板付高熱伝導接着シート | |
| JP2013098217A (ja) | パワー半導体モジュール用部品の製造方法 | |
| JP5622267B2 (ja) | 接着剤樹脂組成物、その硬化物、及び接着剤フィルム | |
| JP5739917B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた接着剤 | |
| JP6061904B2 (ja) | 絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路 | |
| JP6074447B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート及びそれを用いた金属ベース回路基板 | |
| JP5768023B2 (ja) | 電子部品封止用熱硬化性樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| TW201942303A (zh) | 電子零件接著用樹脂組合物、小型晶片零件之接著方法、電子電路基板之製造方法及電子電路基板 | |
| JP3923687B2 (ja) | 電子部品実装用接合剤およびこれを用いた電子部品の実装方法 | |
| JP2009246026A (ja) | ペースト状接着剤及びこの接着剤を用いた電子部品内蔵基板の製造方法 | |
| JP6423603B2 (ja) | 絶縁フィルム、および半導体装置 | |
| JP6316610B2 (ja) | 混成集積回路基板の製造方法およびそれを用いた混成集積回路基板 | |
| JP6838939B2 (ja) | 金属ベース板回路基板用の絶縁性樹脂組成物及びその製造方法、並びにその絶縁性樹脂硬化体、それを用いた金属ベース板回路基板 | |
| JP4958569B2 (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シートならびにパワーモジュール | |
| JP2017122159A (ja) | 接着フィルム、その製造方法及びそれに用いる接着剤組成物 | |
| JP5637069B2 (ja) | 接着シート | |
| JP2017145290A (ja) | 接着剤組成物、それからなる接着剤シート、それらの硬化物および半導体装置 | |
| JP2017149889A (ja) | エポキシ樹脂組成物、それを用いた金属ベース板回路基板 | |
| TW202206564A (zh) | 導熱性接著用片材、及半導體裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160622 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160726 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160916 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6061904 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |