JP2016040224A - 窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法 - Google Patents
窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016040224A JP2016040224A JP2015173656A JP2015173656A JP2016040224A JP 2016040224 A JP2016040224 A JP 2016040224A JP 2015173656 A JP2015173656 A JP 2015173656A JP 2015173656 A JP2015173656 A JP 2015173656A JP 2016040224 A JP2016040224 A JP 2016040224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- powder
- storage
- container
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 96
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 124
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 31
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 27
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 27
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 34
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 abstract description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 15
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 14
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
【課題】焼成工程が常圧または低圧の窒素雰囲気下で行う場合であっても、変形および重量損失の抑制される改善された窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法の提供。【解決手段】窒化珪素粉末と焼結助剤粉末とを混合した原料粉を成形した成形体を脱脂し脱脂体を形成する脱脂工程と、脱脂工程後に、外気が流通可能な収納容器7の収納室に積層された脱脂体W2を収納する第1の収納工程と、外気が流通可能な通気路を有する焼成容器2の収納部2dに、収納容器7を収納する第2の収納工程と、第2の収納工程の後に、焼成容器2を加熱炉中に置き、窒素雰囲気中で脱脂体を焼成する焼成工程を有し、前記焼成容器2は、その収納部2dに3段以上積み重ねて収納された収納容器2を有し、前記焼成容器内2に、窒化珪素粉末および焼結助剤粉末を混合した詰め粉T1を配置する詰め粉配置工程を含む。【選択図】図4
Description
本発明は、窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法および焼成容器に関する発明である。
上記技術分野に関連する先行技術が下記特許文献1および2に開示されている。特許文献1に開示された窒化アルミニウム基板の製造方法は、「窒化アルミニウム焼結体で形成した筒状容器本体と窒化硼素焼結体で形成され上記容器本体に被せる蓋体とから成る焼成容器内に、窒化アルミニウムを主成分とする基板成形体を収容した状態で非酸化性雰囲気中で焼結することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法」、である。
特許文献2に開示された窒化ケイ素セラミックスの焼結方法は、「窒化ケイ素粉末と焼結助剤として作用する1種類以上の添加材とを混合しブロック状に成形した窒化ケイ素被焼結体を、窒化ケイ素とシリカから成る混合粉末若しくは該窒化ケイ素とシリカと分散材として作用する窒化ホウ素粉末から成る混合粉末若しくは酸窒化ケイ素粉末をサヤ中に詰め、該混合粉末若しくは酸窒化ケイ素粉末中に前記窒化ケイ素粉末と焼結助剤として作用する1種類以上の添加材とを混合しブロック状に成形した被焼結体を埋め、 同時に焼結することを特徴とする窒化ケイ素セラミックスの焼結方法」、である。そして、上記サヤは、「窒化ホウ素製若しくは窒化ケイ素製の焼結体」であり、カーボン製の容器に収納される。
特許文献1の窒化アルミニウム基板の製造方法によれば、密閉された焼成容器内に成形体を収納した状態で焼成するので、成形体を均一に加熱することができ、さらに加熱炉中に存在する炭素等の不純物が成形体に直接触れることを防止できるので、変形が比較的抑制された焼結体を得ることができる。しかしながら、この製造方法を、特に、焼成工程を常圧または10気圧未満の低圧に加圧された窒素雰囲気下で行う場合に適用した場合には、窒化珪素質セラミックス焼結体(以下焼結体と言う場合がある。)を構成する窒化珪素成分や焼結助剤成分が高温下で多量に分解し、気化して重量損失を生じせしめ、焼結体の内部や表面に空孔が生じたり、焼結体の密度が低下し、所望の機械的特性(強度、破壊靭性)や熱的特性(熱伝導率、熱膨張率)を得ることができなかった。この問題は、10気圧以上の高圧に加圧した窒素雰囲気中で成形体を焼成することにより解消できるが、加熱室を高圧に維持する加熱炉の構成からして焼結工程をバッチ式で行わざるを得ず、大量生産には不向きであり、製品のコスト高を招来していた。
一方で、特許文献2の窒化ケイ素セラミックスの焼結方法によれば、高温反応によりSiOを発生するシリカと窒化ケイ素との混合粉末や酸窒化ケイ素粉末(以下埋め粉と言う。)に脱脂体(特許文献2における被焼結体)を埋めた状態で焼結するので、SiOの分圧が高まり、窒化珪素成分の揮発が抑制されて、焼結体の重量損失を防止することができ、焼成工程を常圧または低圧の窒素雰囲気下で行う場合における上記特許文献1の窒化アルミニウム基板の製造方法の重量損失の問題を解消することが可能である。しかしながら、特許文献2の窒化ケイ素セラミックスの焼結方法には、埋め粉に脱脂体を埋めて焼成するため、脱脂体と埋め粉との接触状態の不均一性にともない生じる焼結体の変形という問題があった。すなわち、特許文献2の窒化ケイ素セラミックスの焼結方法において、変形が抑制された焼結体を得るためには、埋め粉に埋め込まれた脱脂体の各表面と当該各表面に接する埋め粉との接触状態を均一にし、焼成中に収縮する脱脂体と埋め粉の間で生じる摩擦力を各表面において一様にし、焼結体全体を均一に収縮させる必要がある。しかし、粒度分布が揃った埋め粉を準備し、被焼結体の周囲に一様に配置することは非常に困難であり、脱脂体に接する埋め粉の不均一性に起因して焼結体に変形が生じる場合もあり、平坦度や平面度などの精度の高い所望の形状を有する焼結体を得ることは困難であった。
さらに、特許文献2の窒化ケイ素セラミックスの焼結方法のように、被焼結体を埋め粉に埋めそれらを同時に焼成すると、埋め粉が焼結体の表面に焼き付いて付着するという問題があり、焼き付きを抑制するための分散材である窒化ホウ素粉末を埋め粉に添加しても充分ではなかった。そのため、付着した埋め粉を除去する除去工程が別途必要になるばかりか、除去工程を経ても微小な粒径を持つ埋め粉を完全に除去することができず、この微小な埋め粉に起因して焼結体の割れなどが発生するという問題があった。
本発明は、上記従来技術の問題点を鑑みてなされたものであり、特に、焼成工程が常圧または低圧の窒素雰囲気下で行う場合であっても、変形および重量損失の抑制される改善された窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法および焼成容器を提供することを目的としている。
上記課題を解決する本発明の一の態様は、窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法であって、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末とを混合した原料粉を成形した成形体を脱脂し脱脂体を形成する脱脂工程と、脱脂工程後に、外気が流通可能な窒化硼素または窒化珪素からなる収納容器の収納室に脱脂体を収納する第1の収納工程と、外気が流通可能な通気路を有する焼成容器の収納部に、収納容器を収納する第2の収納工程と、第2の収納工程の後に、焼成容器を加熱炉中に置き、窒素雰囲気中で脱脂体を焼成する焼成工程を有し、前記焼成容器は、その収納部に収納された収納容器と、その内壁面との間に形成された窒化硼素または窒化珪素からなる隔壁を有し、前記隔壁と前記焼成容器との間に、窒化珪素粉末および焼結助剤粉末を混合した詰め粉を配置する詰め粉配置工程を含むことを特徴とする窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法である。前記第2の収納工程において、脱脂体が通気路と対向しないように収納容器を収納することが好ましい。
なお、上記隔壁は、焼成容器の上方から見た平面視において、収納容器を包囲するように配置されていることが望ましい。
さらに、上記焼成容器は、隔壁を構成する一方が開口した筒状の壁体、壁体の開口を塞ぐ蓋体を有することが望ましい。加えて、焼成容器は、窒化珪素質または炭素質であれば好適である。
さらに、収納容器は、一面に前記脱脂体が載置される底体、前記底体に載置された脱脂体を包囲するように当該底体の一面に配置された開口を有する壁体、前記壁体の開口を塞ぐ蓋体を有し、前記収納室は前記底体、壁体および蓋体で画成され、前記壁体および蓋体との間に形成された通気路を有していれば、好ましい。この場合には、収納容器と隔壁の間にも、上記と同様な詰め粉を配置することができる。また、焼成容器の収納部に収納容器を、重ねて配置する際には、上部の収納容器の底体が下部の収納容器の蓋体であってもよい。
上記課題を解決する本発明の他の態様は、窒化珪素質セラミックス焼結体の焼成工程で使用される焼成容器であって、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末とを混合した原料粉を成形してなる成形体を脱脂した脱脂体を収納する外気が流通可能な収納室を備えた窒化硼素または窒化珪素からなる収納容器を収納可能な収納部と、前記収納部と連通する外気が流通可能な通気路とを有し、前記収納部に収納された収納容器とその内壁面との間に形成された隔壁を有し、前記隔壁とその内壁面との間には、窒化珪素粉末および焼結助剤粉末を混合した詰め粉を配置し得る領域が設けられていることを特徴とする焼成容器である。前記収納部に収納される収納容器は、収納された脱脂体が前記通気孔と対向しないように配置されることが好ましい。
なお、上記隔壁は、焼成容器の上方から見た平面視において、収納容器を包囲するように配置されていることが望ましい。
さらに、上記焼成容器は、隔壁を構成する一方が開口した筒状の壁体、壁体の開口を塞ぐ蓋体を有することが望ましい。加えて、焼成容器は、窒化硼素質、窒化珪素質または炭素質であることが望ましい。
さらに、前記収納部に収納される前記収納容器は、一面に前記脱脂体が載置される底体、前記底体に載置された脱脂体を包囲するように当該底体の一面に配置された開口を有する筒状の壁体、前記壁体の開口を塞ぐ蓋体を有し、前記収納室は前記底体、壁体および蓋体で画成され、前記壁体および蓋体との間に形成された通気路を有していれば、好ましい。この場合には、収納容器と隔壁の間には、上記と同様な詰め粉を配置し得る領域が設定することができる。
本発明によれば、上記のように構成されているので、その課題を解決することができる。
本発明について、その実施形態に基づき図1〜6を参照しつつ説明する。なお、以下、窒化珪素質セラミックス焼結体で構成された、半導体装置などの電子部品を搭載する電子・電気的用途に用いられる矩形薄板状の基板(以下窒化珪素基板という場合がある。)を例として、本発明を具体的に説明するが、本発明は、機械構造部品や建築構造部品その他各種の用途に用いられる窒化珪素質セラミックス焼結体に利用できることは言うまでもない。また、本発明は、特に焼結工程を常圧または低圧の窒素雰囲気下で行う窒化珪素質セラミックス焼結体の製造に好適に適用することができるが、焼結工程を高圧の窒素雰囲気下で行う場合にも適用することができる。
[組成]
本態様に係わる焼結体で構成された窒化珪素基板は、焼結助剤として、Mg(マグネシウム)を酸化物換算で1.5〜5.5重量%、少なくとも1種の希土類元素を酸化物換算で0.5〜15重量%含有している。希土類元素の酸化物としては、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等があげられるが、中でもYの酸化物Y2O3は窒化珪素基板の高密度化に有効であり、より好ましい。マグネシウム及び希土類元素は、窒化珪素の柱状粒子を成長させるための焼結助剤として機能するので、含有量が少ないと柱状粒子の成長が不十分で上記長軸方向の長さが短い柱状粒子が多くなる。このため、窒化珪素基板の曲げ強度、破壊靱性等が低下する。一方、マグネシウム及び希土類元素の含有量が多くなると柱状粒子の成長が促進され、上記長軸方向の長さが長い柱状粒子が多くなる。このため、窒化珪素基板の配向度faが大きくなって表面粗度が増大する。本態様の窒化珪素基板では、これらの特性を調整するために、マグネシウム及び希土類元素の各含有量を上記範囲としている。
本態様に係わる焼結体で構成された窒化珪素基板は、焼結助剤として、Mg(マグネシウム)を酸化物換算で1.5〜5.5重量%、少なくとも1種の希土類元素を酸化物換算で0.5〜15重量%含有している。希土類元素の酸化物としては、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等があげられるが、中でもYの酸化物Y2O3は窒化珪素基板の高密度化に有効であり、より好ましい。マグネシウム及び希土類元素は、窒化珪素の柱状粒子を成長させるための焼結助剤として機能するので、含有量が少ないと柱状粒子の成長が不十分で上記長軸方向の長さが短い柱状粒子が多くなる。このため、窒化珪素基板の曲げ強度、破壊靱性等が低下する。一方、マグネシウム及び希土類元素の含有量が多くなると柱状粒子の成長が促進され、上記長軸方向の長さが長い柱状粒子が多くなる。このため、窒化珪素基板の配向度faが大きくなって表面粗度が増大する。本態様の窒化珪素基板では、これらの特性を調整するために、マグネシウム及び希土類元素の各含有量を上記範囲としている。
[製造方法]
次に、本態様の焼結体の製造フローを示す図1を参照して、その製造方法について説明する。図1において符号S1は、原料調整・混合工程であり、窒化珪素原料粉にマグネシウムを酸化物換算で1.5〜5.5重量%、少なくとも1種の希土類元素を酸化物換算で0.5〜15.0重量%の割合となるように混合し、有機バインダー、可塑剤等とともにボールミル等で混合し、原料スラリーを形成する。ここで、希土類元素酸化物としては、上述したY2O3を使用するのが好適である。
次に、本態様の焼結体の製造フローを示す図1を参照して、その製造方法について説明する。図1において符号S1は、原料調整・混合工程であり、窒化珪素原料粉にマグネシウムを酸化物換算で1.5〜5.5重量%、少なくとも1種の希土類元素を酸化物換算で0.5〜15.0重量%の割合となるように混合し、有機バインダー、可塑剤等とともにボールミル等で混合し、原料スラリーを形成する。ここで、希土類元素酸化物としては、上述したY2O3を使用するのが好適である。
次いで、成形工程S2である。成形工程S2では、上記混合した原料スラリーを脱泡・増粘した後、ドクターブレード法により所定厚さの板にシート成形する。このときのシート成形体の板厚は、用途に応じて適宜決定できるが、窒化珪素基板の場合には、通常0.1〜1.0mm程度である。成形工程S2にて成形された成形体(グリーンシート)は通常大判であるため、切断工程S3により所望の大きさのカード状の成形体となるよう切断される。なお、このカード状の成形体は、最終製品である小片の窒化珪素基板を複数枚含む大きさであり、当該成形体を焼成してカード状の焼結体を作成した後、小片に分割して最終製品としての窒化珪素基板を得ることができる。
切断工程S3の後、BN塗布工程S4において成形体の両面または片面に窒化硼素粉末を塗布する。この窒化硼素粉末は、この工程の後の積層工程S5で複数枚積層され、脱脂工程S6を経て焼成工程S8で焼成される際に、窒化珪素基板同士が固着することを防止して剥離性を向上するとともに、窒化珪素基板の変形を抑制する機能を有するものである。なお、窒化硼素粉末としては、その機能の観点から、酸素量0.01〜0.5重量%、平均粒子径4〜20μm、比表面積20m2/g以下、酸素量0.01〜0.5重量%のものを利用することが好ましい。さらに、窒化硼素粉末に含まれる不純物、特に炭素は、窒素ガスに含まれる微量な酸素と結合し一酸化炭素となり、窒化珪素基板の中の窒化珪素成分を還元し、変形を生じせしめる可能性があるので、その含有量は1重量%以下であることが望ましい。さらに、窒化硼素粉末の好ましい塗布量は、0.05〜1.4mg/cm2である。また、窒化硼素粉末の塗布方法は特に限定されず、窒化珪素粉末を溶媒と混合してなる溶液をスプレーや筆で成形体の表面に塗布してもよいが、成形体の表面に均一な塗布量で窒化硼素粉末を塗布するためにはスクリーン印刷法で塗布することが好ましい。
次いで、積層工程S5である。脱脂工程S6における窒化珪素基板の状態を説明する図でもある図3に示すように、窒化硼素粉末bが表面に塗布された成形体w1は、積層工程S5において、窒化硼素粉末bが塗布された面が互いに接触するように板体1cの上に複数枚積層される。
積層工程S5で積層された複数枚の成形体w1は、脱脂工程S6において、成形体w1に含まれるバインダー等の有機成分を除去するために脱脂され、脱脂体w2が形成される。脱脂は、例えば成形体w1を加熱炉または加熱テーブルに置き、900℃以下の大気中、もしくは常圧の窒素、アルゴン等の不活性雰囲気中で行うことが好ましい。ここで、図3に示すように、脱脂工程において、積層された成形体w1を収納容器1に収納し、脱脂を行うことが望ましい。
収納容器1は、その正面断面図である図3(a)、図3(a)のA−A断面図である図3(b)に示すように、積層された複数枚の成形体w1が載置される矩形平板状の底体1c(積層工程において成形体w1が積層される板体でもある。)と、底面が底板1cの上面に密着して配置された上下が開口した矩形枠状の壁体1bと、壁体1bの上方開口を塞ぐように配置された矩形平板状の蓋体1aとを有している。そして、壁体1bは、底板1cに載置された成形体w1を包囲するように配置されており、底体1c、壁体1bおよび蓋体1aとで画成される収納室1dに積層された成形体w1は収納されることとなる。ここで、蓋体1aおよび壁体1bまたは底体1cおよび壁体1bとは密着しておらず、微小な間隙が形成されているそれらの界面が通気路1fとなり、当該通気路1fを介し収納室1dと外部とは連通している。したがって、脱脂工程S6において、図中矢印Cで示すように、通気路1fを通じて外気は外部から収納室1dに流入し、成形体から発生するガスは収納室1dから外部に流出するが、収納室1dは、底体1c・壁体1b・蓋体1aで包囲されているので、収納室1dに収納される成形体w1は直接外気に触れることがない。このため、収納容器1の外部の環境において温度・湿度・風速などに変化が生じた場合であっても、収納室1dの中に収納された成形体w1には影響が及びにくく、さらに比較的密閉された収納室1dにおいて成形体w1は均一に加熱されるので、脱脂工程において脱脂体w2の変形(反り)を抑制することができる。
なお、収納容器1を構成する底体1c・壁体1b・蓋体1aを形成する材料は、脱脂工程が比較的低温で行われることから、当該材料と成形体w1との反応を考慮する必要性が低く、アルミナやジルコニアその他適宜なセラミックスを利用することができる。また、成形体w1の脱脂のみを考えた場合には、図3(c)に示すように、蓋体1aと底体1cとの間に介在し両者を支える支柱5bを4辺に設け、外気の流通性をより高めた収納容器5を利用してもよい。しかしながら、成形体を収納する収納容器は、脱脂工程S6に引き続く焼成工程S8でも使用されるため、作業の効率性の観点から、脱脂工程S6と焼成工程S8で使用する収納容器は共通の構造としておくことが好ましく、焼成工程S8において焼結体との反応性の低い、窒化珪素または窒化硼素で底体1c・壁体1b・蓋体1aを形成することが望ましい。
図1に示すように、本態様の製造方法では、脱脂工程S6の後に準備工程S7が実施される。脱脂工程S6と焼成工程S8との間に介在された準備工程S7は、焼成工程S8で焼成される脱脂体w2を焼成容器2に所定の状態で収納する工程であり、図2に示すように、第1の収納工程S71、第2の収納工程S72、詰め粉配置工程S73の三の工程を含んでいる。以下、準備工程S7の詳細を説明する前に、この工程で使用される焼成容器2および収納容器7の構成について、図4および5を参照しつつ説明する。
準備工程S7で使用される収納容器7は、上記脱脂工程S6で使用された収納容器1と基本的に同一の構造である。すなわち、収納容器7は、図3(a)・(b)に示すように、矩形平板状の底体7cと、底面が底板7cの上面に密着して配置された矩形枠状の壁体7bと、壁体7bの上方開口を塞ぐように配置された矩形平板状の蓋体7aとを有し、脱脂された複数枚の脱脂体w2は、底体7c・壁体7b・蓋体7aとで画成される外気が流通可能な収納室7dに収納されている。ここで、脱脂工程の説明でも触れたように、脱脂時に使用する収納容器1は特に材質および構造に限定はないが、準備工程S7に引き続く焼成工程S8では、脱脂体w2が焼成されてなる焼結体w3に含まれる窒化珪素成分および焼結助剤成分と収納容器7を構成する材料の反応性を考慮する必要があり、両者と反応しない材料である窒化珪素または窒化硼素で、底体7c・壁体7b・蓋体7aを形成しなければならない。したがって、収納容器1と7の材料が異なる場合には、脱脂工程S6の後に脱脂体w2を収納容器1から取り出し、収納容器7に移載する必要がある。なお、収納容器1と7とは、上記したように脱脂工程S6と焼成工程S8とで共用することができ、両者ともに窒化珪素または窒化硼素で形成されていれば、脱脂工程S6で説明した収納容器5のような構造を有する収納容器を利用することもできる。
準備工程S7で使用される本態様の焼成容器2は、その正面断面図である図4、図4のB−B断面図である図5(a)に示すように、壁部3aを有する加熱炉3の加熱室3bにおいて、その炉床3cに、底面が接する状態で配置される上下ともに開口した断面が矩形枠状の壁体2aと、壁体2aの上部開口を塞ぐように配置される蓋体2bを有し、炉床3c・壁体2a・蓋体2bとで収納部2dが画成される。ここで、蓋体2bと壁体2aは密着しておらず、微小な間隙が形成されているそれらの界面が通気路2fとなり、当該通気路2fを介して収納部2dと加熱室3b(外部)は連通しているので、図中矢印Dで示すように、通気路2fを通じて収納部2dの気体は外部へ流出する。さらに本態様の焼成容器2においては、好ましい態様として、脱脂体w2が通気路2fと対向しないように収納容器7を収納部2dに納めているので、通気路2fを通じ流入してきた外気に脱脂体w2が直接触れることがない。このため、焼成容器2の外部の環境において温度・湿度・風速などに変化が生じた場合であっても、脱脂体w2には影響が及びにくい。なお、脱脂体w2を収めた収納容器7は、図5(a)に示すように、焼成容器2の収納部2dのほぼ中央部の炉床3cの上に配置される。
図4および図5(a)において符号2cは隔壁であり、上記の態様で焼成容器2の収納部2dに収納された収納容器7と焼成容器2の壁体2aの内壁面との間に配置されている。筒状である本態様の隔壁2cは、収納容器7を包囲する断面が矩形枠状をなしており、その外壁面と焼成容器2の壁体2aとの間隙2eの底部4辺には、所定量の詰め粉T1が充填された状態で配置される。なお、焼成容器内における隔壁の配置態様は上記に限定されず、図5(b)に平面断面図を示す焼成容器4のように、離別した4枚の隔壁4cを収納容器7の周囲の4辺に配置し、各々の隔壁4cと壁体2aの間隙2eに詰め粉T1を配置してもよい。また、このような隔壁2c・4cを配置することにより、壁体2aと併せ脱脂体2wは2重に外部から隔離されることとなり、外部環境の変化の影響がより及びがたくなる。
ここで、脱脂体w2に含まれる窒化珪素および酸化マグネシウムは蒸気圧が高く、常圧または低圧の窒素雰囲気下の焼成では、下記の式1および2の左辺から右辺へ向かう反応により、下記式1の左辺のSi3N4である窒化珪素および下記式2の左辺のMgOである酸化マグネシウムの分解反応が進行し、下記式1および2の右辺のSiOガスおよびMgガスとなり焼成中の脱脂体w2から揮発し、その結果、焼結体の重量損失が生じる。なお、式1左辺のSiO2の供給源は、窒化珪素粒子の表面に形成された酸化シリコン層である。焼成容器2の収納部2dに配置される詰め粉T1は、式1および2の右辺のSiOおよびMgのガス分圧を高め、この窒化珪素および酸化マグネシウムの分解・揮発を抑制するという機能を有する。他の焼結助剤成分である希土類元素酸化物は蒸気圧が比較的低く、脱脂体w2の焼成時に揮発し難いので、必要に応じ詰め粉T1に添加すればよい。
Si3N4(s)+3SiO2(l)→6SiO(g)+2N2(g):式1
Si3N4(s)+3MgO(s)→3SiO(g)+3Mg(g)+2N2(g):式2
ここで、s:固相、l:液相、g:気相
Si3N4(s)+3MgO(s)→3SiO(g)+3Mg(g)+2N2(g):式2
ここで、s:固相、l:液相、g:気相
上記機能を発現させるため、詰め粉T1は、窒化珪素粉末および焼結助剤としての酸化マグネシウム粉末とを含み、好ましくは高温加熱による窒化珪素粉末の凝着を防止するための分散材としての窒化硼素粉末を添加する。焼成容器2の間隙2eに配置された詰め粉T1は、焼成工程における高温下で上記式1および式2の左辺から右辺に向かう反応に従い分解し、SiOガスおよびMgガスが発生する。その結果、収納部2dのSiOおよびMgのガス分圧が高まり、脱脂体w2の焼成時における式1および2の左辺から右辺への進行が抑制され、その結果、焼結体の重量損失が抑制される。
なお、詰め粉T1は、窒化珪素粉末と酸化マグネシウム粉末の配合比(酸化マグネシウム粉末/窒化珪素粉末)が、1.0〜0.25となるよう構成することが好ましい。酸化マグネシウム粉末/窒化珪素粉末が0.25未満であると脱脂体w2を焼成してなる焼結体w3の重量損失を抑制する充分なSiOガスが生成できず、1.0を超えると雰囲気中のMgO蒸気圧が高くなり窒化珪素焼結体にまで拡散し、MgSiN2が生成し、焼成体w3の強度の低下を招来する。また、窒化硼素粉末を添加する場合には、10〜50wt%添加することが好ましい。10wt%未満では窒化珪素粒子の凝着抑制の効果が生じ難く、50wt%を超えると重量損失抑制の効果が得られ難い。加えて、窒化珪素粉末は25〜72wt%、酸化マグネシウム粉末を10〜45wt%、となるよう構成することが好ましい。
焼成容器2の本体部分を構成する壁体2aおよび蓋体2bは、脱脂体w2との反応性が低い材料である窒化硼素質、窒化珪素質または炭素質で構成することが望ましい。特に、下記の理由により、炭素質の材料で形成することが望ましい。すなわち、高温雰囲気にさらされ消耗の激しく交換頻度の高い壁体2aおよび蓋体2bが炭素質の材料で構成することにより低コスト化することが可能になるととともに、酸素との親和性が良いことから焼成容器内が還元雰囲気になり、焼成体中の酸素含有量を低減させて熱伝導特性が良好な焼結体を作製することが可能であるからである。なお、焼成すべき脱脂体w2の周囲に配置される収納容器7および隔壁2cを構成する材料は、脱脂体w2に含まれる窒化珪素と反応しない窒化珪素または窒化硼素とすることが必須である。
上記収納容器7および焼成容器2を使用した準備工程71の詳細について、図2、図4および図5(a)を参照して説明する。まず、第1の収納工程S71である(図2参照)。第1の収納工程S71では、上記したように外気が流通可能な収納容器7の収納室7dに脱脂体w2を収納する。なお、脱脂体w2の表面には、BN塗布工程S4で成形体に塗布された窒化硼素粉末がそのままの状態で維持されている。また、収納容器7を、脱脂工程S6で使用した収納容器1と共用する場合には、脱脂体w2を形成する脱脂工程S6において成形体w1を収納容器1に収納する工程が第1の収納工程S71を兼ねることとなる。さらに、収納部7dに収納する脱脂体w2の姿は、図4に示すように複数の脱脂体w2を積層した状態ではなく、1枚であってもよい。
次いで、第2の収納工程S72である。第2の収納工程S72では、上記したように外気が流通可能な通気路2fを有する焼成容器2の収納部2dに、脱脂体w2が収納された収納容器7を、好ましくは脱脂体w2が通気路2fと対向しないように、収納する。なお、図4では、複数個の収納容器7を積み重ねて収納部7dに収納しているが、収納容器7は1個だけ収納してもよく、横方向に並列した状態で収納部7dに収納してもよい。また、図示のように収納容器7を重ねて配置する際には、上部の収納容器7の底体1cが下部の収納容器7の蓋体1a(図3参照)となるよう配置してもよい。
次いで、詰め粉配置工程S73である。詰め粉配置工程S73では、焼成容器2の隔壁2cと焼成容器2aの間隙2eに、上記説明した詰め粉T1を配置する。詰め粉T1の組成は上記したとおりだが、その充填量は収納容器7に収納された脱脂体w2の質量、収納部2dの容量および焼成工程における焼成条件(焼成温度・焼成時間)などを考慮し、適宜な量、充填すればよい。なお、第1の収納工程S71、第2の収納工程S72および詰め粉配置工程S73は、この順序で実施しなくともよく、例えば、焼成容器2の間隙2eに詰め粉T1を配置した後(詰め粉配置工程)、脱脂体w2を収納容器7に収納し(第1の収納工程)、収納容器7を焼成容器2に収納してもよい(第2の収納工程)。
上記準備工程S7に引き続き焼成工程S8を実施する。焼結工程S7では、上記のように焼成容器2に収納された脱脂体w2を、1700〜2000℃の温度で、1〜20時間、常圧または低圧の窒素雰囲気中で焼成する。この焼成時に、焼成容器2に配置された詰め粉T1は、以下のように作用する。
上記したように、窒化珪素粉末および酸化マグネシウム粉末を含む詰め粉T1は、高温下において式1および式2の左辺から右辺に向かう分解反応によりガス化し、その結果、SiOガスおよびMgガスが生成される。このガスは、焼成容器2の収納部2dの内を満たし、SiOガスおよびMgガスの分圧を高め、収納容器7の内に収納された脱脂体w2に含まれる窒化珪素粒子および酸化マグネシウム粒子の式1および2の反応による分解反応が阻止され、焼結体w3の重量損失が防止される。
ここで、上記のように収納部2dを満たすSiOガスおよびMgガスの圧力は、加熱炉3の加熱室3b(外部)の圧力よりも高いので、これらのガスは、焼成容器2の蓋体2bおよび壁体2aの間の通気路2fを経て加熱室3bへと流出される。このように通気路2fから流出されるガスにより当該隙間はシールされる。これにより、焼成工程S8の際に、収納部2dは気密化され、加熱室3bの中の窒素ガスに含まれる不純物としての炭素や酸素の収納部2dへの流入が抑制され、脱脂体w2が焼成されてなる焼結体の重量損失がより一層防止される。このように蓋体2bおよび壁体2aの隙間から収納部2dに外気が流入せず、さらに蓋体2bおよび壁体2aにより、ほぼ密閉された収納部2dは外気と直接触れないように構成されており、収納室2dの中の温度は均一に保たれるので、もって焼成体の変形が抑制される。また、加熱室3bには、通例、一定の流量で窒素ガスが吹き込まれるが、脱脂体w2は通気路2fと対向していないので、通気路2fを通じ流入した窒素ガス(外気)が直接脱脂体w2に直接当たることがなく、このガスの圧力による脱脂体w2の変形も抑制される。
そして、詰め粉T1は、隔壁2cと壁体1aとの間隙2eに、脱脂体w2とは別離して配置されているので、焼成工程において脱脂体2wに焼き付き、焼結体に残存することが無い。その結果、脱脂体w2が焼成されてなる焼結体について、焼き付いた詰め粉T1を除去する工程が不要となるばかりか、焼き付いた詰め粉T1による窒化珪素基板の不良を回避することができる。また、脱脂体w2が詰め粉T1と直接接触しないことから、詰め粉T1の組成・配置のバラツキによる焼結体w3の変形が防止される。なお、詰め粉の効果を高めるため、間隙2eに配置する詰め粉T1とは別個に、例えば図4に示すように収納容器7の上部に詰め粉T2を別個に設けてもよい。
上記焼成工程S8の後に、図1に示すように、必要に応じ熱処理工程S9が置かれる。熱処理工程S9は、焼成時に生じた焼結体の変形を修正し、窒化珪素基板として必要な平坦度を得る工程であり、焼成後の焼結体の変形量が所望の範囲内であれば必要ではない。焼結体を窒化珪素基板として用いる場合、工業生産上において許容される変形量は、概ね2.0μm/mm以下である。熱処理工程S9では、焼成後の焼結体の上に錘体を載せた状態で加熱炉に挿入し、当該錘体より0.2〜8.0KPaの荷重(圧力)を焼結体へ鉛直方向に直接負荷し、窒素雰囲気中にて1550〜1900℃で加熱する。このように、荷重を印加しながら熱処理することにより、窒化珪素基板の反りを修正することができる。なお、このときの熱処理温度が1550℃よりも低くなると、反りの抑制効果が不十分となり、焼結体の変形がより大きくなる。また、1900℃よりも高くなると、焼結体に含まれる柱状粒子の成長が促進され、柱状粒子の配向度が大きくなって表面粗度が増大する。従って、熱処理温度は上記範囲が好適である。さらに、熱処理の際に印加する荷重が0.2kPaより低い場合には反りの抑制効果が不十分であり、8.0KPaより高い場合には焼結体に含まれる粒界ガラス相の表面浸透が促進され、脱脂体を積層し焼成した場合に、焼結体同士がガラス相により接着される。従って、熱処理の際に印加する荷重は上記範囲が好適である。さらに、焼結体を複数枚重ね積層体とし、その積層体の上に錘体を載せ、熱処理することが好ましい。これにより、焼結助剤である酸化マグネシウムや酸化イットリウム等の揮発量が抑制され、焼結体に含まれる柱状粒子の成長が抑制され、柱状粒子の配向度が過度に高くなることを抑制できる。
焼成工程S8または熱処理工程S9の後に、ブラスト加工工程S10を行う。ブラスト加工工程S10では、焼結体の表面にセラミックスからなる砥粒その他メディアを吹きつけ、焼結体の表面から突起した柱状粒子を除去し、表面粗度を低下させる。これにより、回路基板および放熱基板を形成する銅やアルミニウム板を窒化珪素基板の表面に接合し、窒化珪素回路基板を構成するにあたり、接合界面における空孔(ボイド)の発生を抑制せしめることができる。
図4に示す焼成容器2の好ましい一例である焼成容器6を図6に示す。なお、図6において、図4と同一の構成要素については同一符号を付しており、詳細な説明を省略する。
焼成容器6の基本的な構造は、図6に示すように、焼成容器2とほぼ同一であるが、その収納部2dに設けた隔壁2cの上部開口を塞ぐように配置された平板状の蓋体6fを有し、この蓋体6fと壁体2aに配置された蓋体2bとの間も含め間隙2eの全てに詰め粉T1が充填されている点で焼成容器2と相違している。ここで、蓋体6fと隔壁2cは密着しておらず、微小な間隙が形成されているそれらの界面が通気路6hとなり、当該通気路6hを介し、蓋体6fと隔壁2cとで画成される内部空間6gと間隙2eとは連通している。したがって、図中矢印Eで示すように、間隙2eに配置された詰め粉T1から上記反応により発生したSiOガスおよびMgガスは、通気路6hを通じて内部空間6gへ流入し、当該内部空間6gのSiOガスおよびMgガスの分圧を高める。
さらに、かかる焼成容器6によれば、通気路2fを通じ加熱室3bに含まれる酸素や炭素が進入した際においても,成形体w2の近傍に拡散してくる前に、進入した酸素や炭素が詰め粉T1に含まれる窒化珪素や酸化マグネシウムと反応し、成形体w2と反応することが抑制される。そして、酸素と反応した窒化珪素はSiOガスを生成し,SiOガスが成形体w2に触れるので成形体w2の酸化を抑制することができる。
1(7) 収納容器
1a(7a) 蓋体
1b(7b) 壁体
1c(7c) 底体
1d(7d) 収納室
2(4、6) 焼成容器
2a 壁体
2b 蓋体
2c(4c) 隔壁
2d 収納部
T1(T2) 詰め粉
w1 成形体
w2 脱脂体
b 窒化硼素
1a(7a) 蓋体
1b(7b) 壁体
1c(7c) 底体
1d(7d) 収納室
2(4、6) 焼成容器
2a 壁体
2b 蓋体
2c(4c) 隔壁
2d 収納部
T1(T2) 詰め粉
w1 成形体
w2 脱脂体
b 窒化硼素
Claims (5)
- 窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法であって、
窒化珪素粉末と焼結助剤粉末とを混合した原料粉を成形した成形体を脱脂し脱脂体を形成する脱脂工程と、
脱脂工程後に、外気が流通可能な窒化硼素または窒化珪素からなる収納容器の収納室に積層された脱脂体を有する第1の収納工程と、
外気が流通可能な通気路を有する焼成容器の収納部に、収納容器を収納する第2の収納工程と、
第2の収納工程の後に、焼成容器を加熱炉中に置き、窒素雰囲気中で脱脂体を焼成する焼成工程を有し、
前記焼成容器は、その収納部に3段以上積み重ねて収納された収納容器を有し、前記焼成容器内に、窒化珪素粉末および焼結助剤粉末を混合した詰め粉を配置して、前記脱脂体と前記詰め粉は直接接触しないように配置されている、詰め粉配置工程を含むことを特徴とする窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法。 - 前記詰め粉配置工程において、最上段の収納容器の上に詰め粉を配置することを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法。
- 前記窒化珪素質セラミックス焼結基板は、Mgと、少なくとも1種の希土類元素とを含有している請求項1又は2に記載の窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法。
- 前記窒化珪素質セラミックス焼結基板は、Mgを酸化物換算で1.5〜5.5重量%、少なくとも1種の希土類元素を酸化物換算で0.5〜15重量%含有している請求項1又は2に記載の窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法。
- 前記収納容器の素材に窒化硼素を用いることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015173656A JP2016040224A (ja) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | 窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015173656A JP2016040224A (ja) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | 窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011087217A Division JP5811391B2 (ja) | 2011-04-11 | 2011-04-11 | 窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法および焼成容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016040224A true JP2016040224A (ja) | 2016-03-24 |
Family
ID=55540750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015173656A Pending JP2016040224A (ja) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | 窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016040224A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116134608A (zh) * | 2020-07-29 | 2023-05-16 | 日本精细陶瓷有限公司 | 氮化硅基板及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148010A (en) * | 1977-12-23 | 1979-11-19 | Fiat Spa | Sintering silicon nitride compressed body |
JPS59199582A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | サイアロン基焼結材料の焼結法 |
JPH04238871A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 粉末成形体の焼成方法 |
JPH061665A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
JP2003069217A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | 回路基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-09-03 JP JP2015173656A patent/JP2016040224A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148010A (en) * | 1977-12-23 | 1979-11-19 | Fiat Spa | Sintering silicon nitride compressed body |
JPS59199582A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | サイアロン基焼結材料の焼結法 |
JPH04238871A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 粉末成形体の焼成方法 |
JPH061665A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
JP2003069217A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | 回路基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116134608A (zh) * | 2020-07-29 | 2023-05-16 | 日本精细陶瓷有限公司 | 氮化硅基板及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6399252B2 (ja) | 回路基板および窒化ケイ素焼結基板の製造方法 | |
JP5811391B2 (ja) | 窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法および焼成容器 | |
JP5836522B2 (ja) | 窒化ケイ素基板の製造方法 | |
JP2000058631A5 (ja) | ||
WO2005123627A1 (ja) | 窒化物焼結体、及びその製造方法 | |
JP7468769B2 (ja) | 窒化珪素焼結基板の製造方法 | |
JP6992364B2 (ja) | 窒化ケイ素焼結基板 | |
JP6891991B2 (ja) | 窒化珪素焼結基板の製造方法 | |
JP7075612B2 (ja) | 窒化ケイ素焼結基板 | |
JP2016040224A (ja) | 窒化珪素質セラミックス焼結基板の製造方法 | |
JP6672960B2 (ja) | セラミック焼結板の製造方法 | |
JP7272370B2 (ja) | 窒化ケイ素基板の製造方法および窒化ケイ素基板 | |
JP6766509B2 (ja) | 窒化珪素焼結基板の製造方法 | |
JP2019014636A (ja) | 炭化珪素焼結体基板およびそれを備えた電子部品焼結治具 | |
JP2797372B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JP4593062B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
JP2007063124A (ja) | セラミックス基材 | |
JP2005170729A (ja) | 焼成用容器 | |
JP2005082450A (ja) | 窒化珪素結合SiC耐火物及びその製造方法 | |
KR20240098457A (ko) | 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법 | |
JPH01239067A (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JP2927861B2 (ja) | 窒化珪素成形体の焼成方法 | |
JPH0881264A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JP2006327872A (ja) | 窒化アルミニウム基板焼成用治具とその製造方法 | |
JPH0987031A (ja) | 低温焼結窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた半導体用パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160616 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170120 |