JP2016039250A - 基板処理装置、クリーニング用治具、基板処理装置のパーティクルの除去方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】塗布、現像装置内のパーティクルを効率よく除去して、クリーニング作業の時間を短縮する技術を提供する。【解決手段】塗布、現像装置内のパーティクル１００を除去するにあたって、塗布、現像装置内でクリーニング用治具１を搬送アームＡ３により支持した状態で、搬送アームＡ３に設けた第１の吸着口５２Ａから吸引を行い、クリーニング用治具１の表面に設けた第１〜第３の吸引孔２０〜２２の周囲の雰囲気を吸引するようにしている。従って塗布、現像装置内において、パーティクル１００を能動的に吸引することができるためパーティクル１００の除去効率が上がり、クリーニング作業の時間を短くすることができる。また捕集される、パーティクル１００の数に従って、吸引時間変更するようにすることで、更にクリーニング作業の時間を短くすることができる。【選択図】 図７

Description

本発明は、基板処理装置内のパーティクルの除去を行う技術分野に関する。

近年半導体デバイスにおいて、半導体パターンの微細化が進んでいる。そのため基板例えば半導体ウエハの置かれる雰囲気中のパーティクルサイズやパーティクルの個数の許容値が厳しくなっている。また近年ではパーティクル検査機の進歩により、微細な粒径の検出が可能となっており、例えば５０ｎｍ程度のパーティクルの除去が求められている。そのため半導体製造装置では、装置の立ち上げ時やメンテナンスの終了後に装置内の部材に付着しているパーティクルや雰囲気に含まれるパーティクルを除去及び抑制するために、クリーニング作業を行っている。

このクリーニング作業では、まず半導体製造装置を開放しエンジニアが内部を拭き上げる、拭き上げ作業を行う。そして顧客による目視チェックの後、半導体製造装置を閉め、装置内の駆動機構を駆動させて内部のパーティクルを巻き上げながら、装置の内部に清浄なベアウエハを繰り返し搬送することにより、舞い上がったパーティクルをウエハに付着させて回収するエージング搬送作業が行われる。このエージング作業により、拭き上げ作業で捕集されていなかったパーティクルが、基板処理装置内に形成されるダウンフローに捕捉されて除去され、さらに拭き上げ作業では除去できないような微小なパーティクルや駆動部に入り込んだパーティクルが雰囲気中に舞い上がりベアウエハによって捕集される。そしてその後、検査用のベアウエハを搬送して、パーティクルチェックを行い、十分に清浄度が高まった後、製品ウエハの処理が開始される。しかしながらこのようなクリーニング作業は、工数が多く長い時間がかかる問題があり、結果として半導体製造装置の稼働率を低下させる一因となっている。

特許文献１には、エージング作業の際に表面に凹凸を設けたウエハを搬送し、基板搬送装置内におけるウエハの載置される載置部において、当該ウエハを載置台表面を擦るように移動させて、凹凸により載置台表面の異物を擦り取る技術が記載されている。しかしながら基板処理装置内の雰囲気中に舞い上がったパーティクルを効率よく捕集することはできず、本発明の課題を解決するものではない。
また特許文献２には、耐熱性樹脂からなるクリーニング層を設けたクリーニング部材が記載されているが、クリーニング部材による二次的な汚染を避けて稼働率の低下を防ぐ技術であり、本発明の課題を解決するものではない。

特開２００９−１４１３８４号公報 特開２００７−６７７８１号公報

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板処理装置内のパーティクルを効率よく除去して、クリーニング作業の時間を短縮する技術を提供することにある。

本発明の基板処理装置は、半導体製造用の基板が各々載置部に載置され、基板に対して処理を行う処理モジュールを含む複数のモジュールと、
前記基板を保持部材により保持して前記複数のモジュール間を搬送する基板搬送機構と、
前記保持部材に保持されるように構成された板状体と、この板状体に形成され、雰囲気を吸引するための吸引孔と、前記板状体に設けられた接続口と、前記吸引孔に吸引された気流を前記接続口から流出させるための流路と、を含むクリーニング用治具と、
前記クリーニング用治具を支持するための支持部に設けられ、前記接続口が接続される真空吸着用の吸着口と、を備えたことを特徴とする。

本発明のクリーニング用治具は、基板搬送機構に設けられた基板の保持部材に保持されるように構成された板状体と、
この板状体に形成され、雰囲気を吸引するための吸引孔と、
前記板状体に設けられ、当該板状体が載置される支持部に設けられた吸着口に接続される接続口と、
前記吸引孔に吸引された気流を前記接続口から流出させるための流路と、を備えたことを特徴とする。

本発明のパーティクルの除去方法は、半導体製造用の基板が各々載置部に載置され、基板に対して処理を行う処理モジュールを含む複数のモジュールを備えた基板処理装置内の雰囲気のパーティクルを除去する方法において、
基板搬送機構の保持部材に保持されるように構成された板状体と、この板状体に形成され、雰囲気を吸引するための吸引孔と、前記板状体に設けられた接続口と、前記吸引孔に吸引された気流を前記接続口から流出させるための流路と、を含むクリーニング用治具を用い、
前記基板処理装置内の支持部に設けられた真空吸着用の吸着口とクリーニング用治具の接続口との位置が互いに対応するように、当該クリーニング用治具を前記支持部に載置する工程と、
前記真空吸着用の吸着口、前記接続口及び前記流路を介して前記吸引孔から前記雰囲気を吸引する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明の記憶媒体は、半導体製造用の基板が各々載置部に載置され、基板に対して処理を行う処理モジュールを含む複数のモジュールと、前記基板を保持部材により保持して前記複数のモジュール間を搬送する基板搬送機構と、を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
コンピュータプログラムは、上述の基板処理装置のパーティクルの除去方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明は、基板処理装置内のパーティクルを除去するにあたって、吸引孔を有する板状体からなるクリーニング用治具を支持部に支持した状態で、支持部に設けられた吸着口にクリーニング用治具を接続して、吸引孔から周囲の雰囲気を吸引するようにしている。従って基板処理装置内において、パーティクルを能動的に捕集することができるためパーティクルの除去効率が上がり、クリーニング作業の時間を短くすることができる。

塗布、現像装置を示す斜視図である。 塗布、現像装置を示す縦断面図である。 塗布現像装置を示す平面図である。 搬送領域に設けられた搬送アームの構成を示す斜視図である。 搬送アーム及び保持爪の構成を示す斜視図である。 搬送アームの構成及び流路を示す平面図である。 クリーニング用治具の表面側及び裏面側を模式的に示す平面図である。 クリーニング用治具の内部の流路を模式的に示す平面図である。 クリーニング用治具の表面側及び裏面側における第１のグループの吸引孔の配置を示す平面図である。 クリーニング用治具の表面側及び裏面側における第２のグループの吸引孔の配置を示す平面図である。 クリーニング用治具の表面側及び裏面側における第３のグループの吸引孔の配置を示す平面図である。 塗布、現像装置におけるクリーニング治具の搬入からクリーニング終了までの工程を示すフロー図である。 搬送アームに支持されたクリーニング用治具を用いたクリーニング方法を説明する説明図である。 搬送アームに支持されたクリーニング用治具を用いたクリーニング方法を説明する説明図である。 クリーニング用治具を用いた温調モジュールのクリーニング方法を説明する説明図である。 クリーニング用治具を用いた加熱モジュールのクリーニング方法を説明する説明図である。 真空吸着用の吸着口の他の例を示す断面図である。

[第１の実施の形態]
本発明の基板処理装置を、塗布、現像装置に適用した実施形態について説明するが、まず塗布、現像装置の構成について図１〜図３を参照して説明する。この塗布、現像装置は、キャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、インターフェイスブロックＢ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＢ３には、更に露光ステーションＢ４が接続されている。

キャリアブロックＢ１は、製品用の基板である例えば直径３００ｍｍのウエハＷを複数枚収納する搬送容器であるキャリアＣ（例えばＦＯＵＰ）から装置内に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置ステージ９１と、蓋部９２と、蓋部９２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送アーム９３と、を備えている。
処理ブロックＢ２はウエハＷに液処理を行うための第１〜第６の単位ブロックＤ１〜Ｄ６が下から順に積層されて構成され、各単位ブロックＤ１〜Ｄ６は、概ね同じ構成である。図１において各単位ブロックＤ１〜Ｄ６に付したアルファベット文字は、処理種別を表示しており、ＢＣＴは反射防止膜形成処理、ＣＯＴはウエハＷにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、ＤＥＶは現像処理を表している。

図３では、代表して単位ブロックＤ３の構成を示すと、単位ブロックＤ３には、キャリアブロックＢ１側からインターフェイスブロックＢ３へ向かう直線状の搬送領域Ｒ３を移動するメインアームＡ３と、塗布膜形成装置である液処理モジュール５（５ａ〜５ｅ）を備えた塗布ユニット８０と、ウエハＷを加熱するための載置部である加熱プレートと、ウエハＷを冷却するための冷却プレートを備えた加熱−冷却モジュール６（６ａ〜６ｆ）を積層した棚ユニットＵ１〜Ｕ６と、を備えている。
搬送領域Ｒ３のキャリアブロックＢ１側には、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている棚ユニットＵ７が設けられている。搬送アーム９３とメインアームＡ３との間のウエハＷの受け渡しは、棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳと搬送アーム９４とを介して行なわれる。受け渡しモジュールＴＲＳはウエハＷを受け渡すための載置部である受け渡しステージを備えている。

インターフェイスブロックＢ３は、処理ブロックＢ２と露光ステーションＢ４との間でウエハＷの受け渡しを行うためのものであり複数の処理モジュールが互いに積層された棚ユニットＵ８、Ｕ９、Ｕ１０を備えている。なお図中９５、９６は夫々棚ユニットＵ８、Ｕ９間、棚ユニットＵ９、Ｕ１０間でウエハＷの受け渡しをするための搬送アームであり、図中９７は、棚ユニットＵ１０と露光ステーションＢ４との間でウエハＷの受け渡しをするための搬送アームである。メインアームＡ１〜Ａ６、搬送アーム９３〜９７は基板搬送機構に相当する。

棚ユニットＵ７、Ｕ８、Ｕ９、Ｕ１０に設けられているモジュールの具体例を挙げると、単位ブロックＤ１〜Ｄ６との間でのウエハＷを受け渡す際に用いられる既述の受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュールＢＵ、ウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールＡＤＨなどがある。説明を簡単にするため、前記疎水化処理モジュールＡＤＨ、温調モジュールＣＰＬ、バッファモジュールＢＵについての図示は省略してある。疎水化処理モジュールＡＤＨ及び温調モジュールＣＰＬにおいてウエハＷを載置するステージは載置部に相当する。

塗布、現像装置の天井部には図２に示すようにＦＦＵ（Fan Filter Unit）９９が設けられている。ＦＦＵ９９はキャリアブロックＢ１を構成する筐体内に清浄空気の下降流を形成し、ウエハＷへのパーティクルなどの付着を抑えるために設けられている。他ブロックＢ２、Ｂ３においても雰囲気内に清浄気体の下降気流を形成する機構が設けられているが、説明は省略する。清浄気体としては、ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタやＨＥＰＡ（High Efficiency Particulate Air）フィルタを通過させた、清浄空気あるいは窒素ガスなどの不活性ガスが挙げられる。

続いて搬送アームの構成について図３中に示した搬送領域Ｒ３に設けられた搬送アームＡ３を例に説明する。図４は搬送アームＡ３と、搬送アームＡ３により製品ウエハＷが受け渡されるモジュール群の斜視図を示しており、図５は、搬送アームＡ３を示す。

搬送アームＡ３は、上下に重なるように設けられた２枚の保持部材（フォーク）２を備えている。２枚の保持部材２は夫々進退機構４１を介して、基台４２に設置されており、各保持部材２は、互いに独立して基台４２に沿って進退する。基台４２は回転機構４３により、昇降台４４に鉛直軸周りに回転自在に設置されており、昇降台４４は、上下方向に伸びるフレーム４５に囲まれるように設けられている。フレーム４５の内部には、図示しない昇降機構が設けられており、昇降台４４は、昇降機構によって、フレーム４５に沿って（Ｚ方向に）昇降する。

加熱−冷却モジュール６の下方に設けられた筐体６０には、横方向（Ｙ方向）に伸びるガイドレール４６が設けられている。フレーム４５は当該ガイドレール４６に接続され、図示しない移動機構により、ガイドレール４６に沿ってＹ方向に移動自在に構成されている。このように構成されることで、各保持部材２は、Ｘ、Ｙ、Ｚの各方向に移動自在、かつ鉛直軸周りに回転自在に構成され、塗布ユニット８０、加熱−冷却モジュール６、棚ユニットＵ７及び棚ユニットＵ８にアクセスして、ウエハＷを受け渡すことができる。

次いで保持部材２の構成について説明する。保持部材２は、図５、図６に示すように概ねＣ字型に形成されたＣ字型部分４０を備えると共にＣ字型部分４０の内周側には、４本の第１〜第４の保持爪５０（５０Ａ〜５０Ｄ）が製品ウエハＷの周縁下面を周方向に４箇所保持する位置に設けられている。これら第１〜第４の保持爪５０Ａ〜５０Ｄは、図５に示すように、先端部の上面側にパッドにより構成された夫々第１〜第４の吸着口５２Ａ〜５２Ｄが設けられ、第１〜第４の吸着口５２Ａ〜５２Ｄには、図６に示すように第１〜第４の保持爪５０Ａ〜５０Ｄの内部を伸びるガス流路５５Ａ〜５５Ｄの一端側が開口している。ガス流路５５Ａ〜５５Ｄの他端側は、第１〜第４の保持爪５０Ａ〜５０Ｄの基端側にて外部に伸び出している。

第１〜第４の保持爪５０Ａ〜５０Ｄの内、Ｃ字型部分４０の基端側における図６を正面に見て右側の第１の保持爪５０Ａを除いた３本の第２〜第４の保持爪５０Ｂ〜５０Ｄに設けられた各ガス流路５５Ｂ〜５５Ｄは、Ｃ字型部分４０の基部へと引き回された後、合流され、ガス吸引路５４を介して、吸引機構である吸引ポンプ６０に接続されている。また第２の保持爪５０Ｂから伸びるガス流路５５Ｂには、バルブ６５が設けられ、第３の保持爪５０Ｃから伸びるガス流路５５Ｃには、バルブ６６が設けられている。ガス吸引路５４には、Ｃ字型部分４０側から、圧力センサ６１、バルブ６２、パーティクルモニタ６３、及び排気フィルタ６４が設けられている。パーティクルモニタ６３は、例えば高速赤外線センサを備えており、赤外線がガス吸引路５４を横切った後、受光されるように構成されている。例えば直径２０μｍ以上の大きさのパーティクルがガス吸引路５４を流れ、赤外線を横切るように通過すると、受光する赤外線が遮断される。そしてこの遮断回数をカウントすることにより、パーティクルの数を計数する。

第１の保持爪５０Ａから伸びるガス流路５５Ａは、流量センサ７１、バルブ６７を介して、ガス流路５５Ａの接続先をガス吸引路５４と、Ｎ_２（窒素）ガス供給路５６の一端側との間で切り替える流路切替機構をなす三方弁７２が設けられている。Ｎ_２ガス供給路５６の他端側にはＮ_２ガス供給源７０が接続されており、Ｎ_２ガス供給路５６には下流側からバルブ７３とエアーフィルタ７４とが設けられている。この実施の形態においては、第１の保持爪５０Ａ，ガス流路５５Ａ、ガス吸引路５４、圧力センサ６１、バルブ６２、排気フィルタ６４及び吸引ポンプ６０は、ガス吸引機構を構成する。

図２及び図３に戻って、塗布、現像装置及び露光ステーションＢ４からなるシステムのウエハＷの搬送経路の概略について簡単に説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→搬送アーム９３→棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ→搬送アーム９４→棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ→単位ブロックＤ１（Ｄ２）→単位ブロックＤ３（Ｄ４）→インターフェイスブロックＢ３→露光ステーションＢ４→インターフェイスブロックＢ３→単位ブロックＤ５（Ｄ６）→棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ→搬送アーム９３→キャリアＣの順で流れていく。

塗布、現像装置は、図３に示すように制御部９０を備えている。制御部９０は、プログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、ウエハの搬送レシピ、各処理モジュールの処理レシピ及びクリーニング作業におけるシーケンスが実施されるように命令が組まれたプログラムが格納される。なおこの明細書では、搬送レシピ、処理などのレシピはプログラムとして扱うものとする。また制御部９０はメモリを備えており、クリーニング作業におけるクリーニング用治具の搬送スケジュールが記憶されている。プログラムは、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体により格納されて制御部９０にインストールされる。

続いて塗布、現像装置の内部のパーティクルを捕集するためのクリーニング用治具１について図７〜図１１を参照しながら説明する。クリーニング用治具１は、例えば樹脂やセラミックなどにより、直径３００ｍｍ、厚さ３〜５ｍｍの円板状に形成された板状体１０が用いられている。図７（ａ）、（ｂ）は夫々クリーニング用治具１（板状体１０）の一面側である表面側（クリーニング用治具１が保持部材２に保持されたときに上面側となる面）、裏面側（クリーニング用治具１が保持部材２に保持される側の面）を示す平面図である。図７に示すように板状体１０には、その表面側及び裏面側を含む板面に第１のグループ〜第３のグループの吸引孔２０〜２２が形成されている。第１のグループ〜第３のグループの吸引孔２０〜２２は、各々例えば口径０．２ｍｍの円形に開口するように穿設されているが、図中では、第１のグループ〜第３のグループの吸引孔２０〜２２を区別するため、第１のグループの吸引孔２０を○、第２のグループの吸引孔２１を△、第３のグループの吸引孔２２を●により模式的に示している。

第１のグループの吸引孔２０は、クリーニング用治具１の表面側において、クリーニング用治具１と同心円となる異なる３つの円周上に配置されており、第１のグループの吸引孔２０は、クリーニング用治具１の中心に近い円周から順に、夫々２つ、３つ、６つずつ、周方向に等間隔に配置されている。第１のグループの吸引孔２０はクリーニング用治具１を厚さ方向に貫通するように形成されており、クリーニング用治具１の裏面側にも、表面側と対応した位置に第１のグループの吸引孔２０が形成されている。

第２のグループの吸引孔２１はクリーニング用治具１の裏面側における、クリーニング用治具１の中心から最も遠い円周を除いた２つの円周上において、隣り合う第１のグループの吸引孔２０の間の円弧を等分する位置に配置されている。また第３のグループの吸引孔２２はクリーニング用治具１の表面側における、クリーニング用治具１の中心から最も遠い円周上において、隣り合う第１のグループの吸引孔２０の間の円弧を等分する位置に配置されている。

クリーニング用治具１の裏面（基板搬送機構の保持部材に保持される側の面）には、保持部材２に設けられた第１〜第４の吸着口５２Ａ〜５２Ｄのうちの第１〜第３の吸着口５２Ａ〜５２Ｃの配置と対応するように、第１〜第３の接続口３１〜３３が設けられている。従ってこの例では、クリーニング用治具１を保持部材により保持すると、Ｃ字型部分４０の後方寄りに設けられた第１及び第２の吸着口５２Ａ、５２ＢとＣ字型部分４０の前方寄りに設けられた片方の第３の吸着口５２Ｃとが、クリーニング用治具１の第１〜第３の接続口３１〜３３と夫々重なり合うことになる。

図８を参照して、クリーニング用治具１の内部の流路について説明する。クリーニング用治具１の内部には、第１のグループの吸引孔２０と第１の接続口３１とが連通するように流路２３が形成され、第２のグループの吸引孔２１と第２の接続口３２とが連通するように流路２４が形成され、第３のグループの吸引孔２２と第３の接続口３３とが連通するように流路２５が形成されている。即ち、第１〜第３のグループの吸引孔２１〜２３に各々開口する３系統の流路２３〜２５は、互に独立している。図８は、第１〜第３のグループの吸引孔２１〜２３、各流路２３〜２５及び第１〜第３の接続口３１〜３３の配置を模式的に示したものであり、板状体１０の表面、内部、下面を透視して、各部位の水平方向のレイアウトだけを表現した図である。

以下の説明では、第１のグループの吸引孔２０、第１の接続口３１、両者を結ぶ流路２３を第１の組、第２のグループの吸引孔２１、第２の接続口３２、両者を結ぶ流路２４を第２の組、第３のグループの吸引孔２２、第３の接続口３３、両者を結ぶ流路２５を第３の組と夫々呼ぶことにする。図８に示されているように、第１の組の流路２３、第２の組の流路２４及び第３の組の流路２５の中の２つの流路が交差しているが、例えば板状体１０を３枚の板状部材を重ね合わせて構成し、重ね合わせ部分に溝を形成して２つの流路をいわば２階建てとし、流路の交差部分は上下で交差するように構成することができる。

第１のグループの吸引孔２０は、クリーニング用治具１の表面側及び裏面側において、全面に分散するように配置されているため、第１の接続口３１にガス吸引機構を接続して吸引すると、図９（ａ），（ｂ）に示すようにクリーニング用治具１の表面側及び裏面側において全面に亘って吸引される。また第２のグループの吸引孔２１は、クリーニング用治具１の裏面側において、中央部に集中して設けられている。そのため、第２の接続口３２にガス吸引機構を接続して吸引すると、図１０（ａ），（ｂ）に示すようにクリーニング用治具１の裏面側における中央部から吸引される。さらに第３のグループの吸引孔２２は、クリーニング用治具１の表面側における周縁部に設けられているため、第３の接続口３３にガス吸引機構を接続して吸引すると、図１１（ａ），（ｂ）に示すようにクリーニング用治具１の表面側における周縁部から吸引される。

次いで上述の、塗布、現像装置の立ち上げ時、あるいはメンテナンス終了後において、被処理基板である製品ウエハＷの処理の開始前に行われる一連の前処理工程について説明する。まず塗布、現像装置のカバーを開放して内部の拭き上げや、エアブロー及びエアバキュームを行い、各処理モジュールにおける大きな汚れや付着物を取り除く、拭き上げ作業を行う。次いで塗布、現像装置のカバーを閉じＦＦＵ９９及び図示しないフィルタユニットを駆動して、塗布、現像装置の内部に清浄気体のダウンフローを形成する。拭き上げ作業が終了した後、例えば目視により確認を行い十分に大きな汚れや付着物が除去されているかを確認する。

その後クリーニング用治具１を用いて塗布、現像装置内のパーティクルの除去を行う。クリーニング用治具１により、塗布、現像装置内の雰囲気中のパーティクルを除去する手法としては種々の手法があるが、そのうちの一つのフローを図１２に例示すると共に、各ステップについて説明する。まずクリーニング用治具１を１枚収納したキャリアＣを載置ステージ９１に載置する。そして制御部９０におけるモード選択部にてクリーニングモードを選択すると、クリーニング用のプログラム（ソフトウェア）が起動する。先ずキャリアＣ内のクリーニング用治具１が、搬送アーム９２により取り出され（ステップＳ１）、例えば製品ウエハＷと同様の経路で塗布、現像装置内を搬送されクリーニング作業を行う。

この時クリーニング処理を行っているクリーニング用治具１を支持した処理モジュールや基板搬送機構を除いた各処理モジュール内の駆動部や搬送アーム９３〜９７などの基板搬送機構などの各駆動部を一斉に連続動作させておく。これにより駆動部に付着しているパーティクルが雰囲気中に放出される。この時駆動部の動作速度は、製品ウエハＷを搬送、処理するときの駆動部の動作速度より速くなるようにレシピが設定されたり、駆動部の動作が連続して所定回数繰り返されるようにレシピが設定される。製品ウエハＷを搬送、処理するときよりも駆動部に対して、パーティクルを発生しやすい過酷な状況を事前に作り出し、パーティクルを雰囲気中に飛散させることで、クリーニング用治具１によりパーティクルが捕集しやすくなる。

続いて、クリーニング用治具１を用いた搬送領域Ｒ３や各処理モジュールの具体的なパーティクルの捕集方法について説明する。まず搬送アームＡ３に支持されたクリーニング用治具１によるパーティクルの捕集について説明する。例えば処理ブロックＢ２における搬送領域Ｒ３においては、搬送アームＡ３は棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳに載置されている。クリーニング用治具１を下方から掬い上げると、クリーニング用治具１に設けられた第１〜第３の接続口３１〜３３と、搬送アームＡ３側の第１〜第３の吸着口５２Ａ〜５２Ｃとが重なり合い、第４の吸着口５２Ｄがクリーニング用治具１の第１〜第３の吸引孔２０〜２２と外れた表面に位置する。この時バルブ６２が「開」、バルブ６５、６６が「閉」の状態となっており、三方弁７２はガス流路５５ＡとＮ_２ガス供給管５６とが接続される位置に設定されている。従ってクリーニング用治具１は、第４の吸着口５２Ｄから吸引されて搬送アームＡ３に吸着保持された状態となる。

その後、Ｎ_２ガス供給路５６側のバルブ７３及びガス流路５５Ａのバルブ６７を開き、クリーニング用治具１にガス流路５５Ａを介して、Ｎ_２ガスが供給される。第１の接続口３１から供給されるＮ_２ガスは、図８に示したように第１の流路２３を流れてクリーニング用治具１の表面及び裏面の全体に分散して配置された第１のグループの吸引孔２０から吐出される（ステップＳ２）。なお、クリーニング用治具１内にＮ_２ガスが流入するが、クリーニング用治具１は、第４の吸着口５２Ｄにて吸着されているため、位置ずれをする虞がない。前述のように搬送領域Ｒ３においては、例えば搬送アームＡ３の駆動部を予め駆動して、パーティクル１００を飛散させている。またＮ_２ガスがクリーニング用治具１の表面側及び裏面側の全体から吐出され、吐出されたＮ_２ガスにより搬送領域Ｒ３の底面に沈降しているパーティクル１００が巻き上がり、雰囲気中に飛散する。

更にその後、ガス流路５５Ａのバルブ６７を閉じると共に、三方弁７２をガス吸引路５４とガス流路５５Ａを接続するように切り替える。この時バルブ６５、６６は閉じられており、バルブ６２を開くとするとガス流路５５Ａがガス吸引路５４と接続されるため、クリーニング用治具１の表面及び裏面の全面に亘って、クリーニング用治具１の周囲の雰囲気が吸引される（ステップＳ３）。図１３及び図１４は、この様子を示している。そのためＮ_２ガスにより巻き上げられたパーティクル１００は、雰囲気と共にクリーニング用治具１の表面及び裏面の各面の概ね全体に分散して設けた第１のグループの吸引孔２０から吸引される。そして吸引されたパーティクル１００は、ガス吸引路５４の下流側に設けたパーティクルモニタ６３により、例えば単位流量あたりのパーティクル数が計数され、更に下流に設けられた排気フィルタ６４により捕集されて除去される。

次いで、搬送アームＡ３に保持しているクリーニング用治具１を処理モジュール内に搬入して処理モジュール内の雰囲気の吸引を行うステップＳ４に移るが、その前に既述のパーティクルモニタ６３にて計数した単位流量あたりのパーティクル数が予め設定した許容値内に収まっているか否かを判断してもよい。なおこの判断ステップは図１２には記載されていない。そしてパーティクル数が予め設定した許容値内に収まっている場合には、ステップＳ４に移り、パーティクル数が予め設定した許容値内に収まっていない場合には、クリーニング用治具１を保持している搬送アームＡ３を再度、当該搬送アームＡ３が移動してきた経路を移動しながらエアーの吐出、雰囲気の吸引を行うようにしてもよい。

パーティクルの除去処理が行われる処理モジュールの例として、ウエハの温度調整を行うための温調モジュールと加熱モジュールとを挙げて説明する。温調モジュールは、例えばレジスト塗布前にウエハＷの温度を温調プレート８により設定温度に調整するモジュールや加熱処理後にウエハＷを冷却する冷却モジュールなどが含まれる。

温調モジュールは温調プレート８を備えている。温調プレート８は、その内部に、図示しない冷却配管が設けられており、例えば冷却水などの冷媒が通流されることにより、温調プレート８に載置されたウエハＷが温調されるように構成されている。例えば温調モジュールにおいては、前述した搬送アームＡ３に保持したクリーニング用治具１により、温調モジュール内の雰囲気中のパーティクルの除去に加えて、温調プレート８に載置されたクリーニング用治具１を搬送アームＡ３で受け取った後、温調プレート８の表面のパーティクルの除去を行う。

図１５に示すように搬送アームＡ３により、温調プレート８から、クリーニング用治具１を受け取ると、クリーニング用治具１に設けられた第１〜第３の接続口３１〜３３と、搬送アームＡ３側の第１〜第３の吸着口５２Ａ〜Ｃとが重なり合い、第４の吸着口５２Ｄにより吸着されて保持される。そして、クリーニング用治具１をわずかに上昇させて、クリーニング用治具１の下面と温調プレート８の上面とが隙間を介して対向するように配置した後、バルブ６５を開く。この時バルブ６６、６７は閉じている。すると吸着口５２Ｂから吸引され、図１５に示すようにクリーニング用治具１の裏面側の中心部付近に設けられた第２のグループの吸引孔２１から吸引される。

従って図１５に示すように雰囲気の空気がクリーニング用治具１と温調プレート８との隙間を温調プレート８の中心側に向かって流れて、クリーニング用治具１の中心部から吸引される気流が形成される。この気流により、温調プレート８の表面に付着しているパーティクル１００が離脱し、クリーニング用治具１に吸引されて除去される。そして温調モジュールにおいても、パーティクルの吸引を行うと共にパーティクルの計数を行う。パーティクルの数は、パーティクルの吸引動作中に計数したパーティクル数に基づいて評価してもよく、あるいは、一定時間パーティクルの除去を行った後、吸引動作を継続しながらパーティクル数を測定し、その計数値に基づいて評価してもよい。

続いて加熱モジュールにおけるパーティクルの捕集方法の説明をする。加熱モジュールは、図１６に示すようにウエハＷが載置される載置部である載置ステージ７を備えている。載置ステージ７は内部に図示しないヒータが設けられた加熱板として構成されており、載置ステージ７に載置されたウエハＷが加熱される。載置ステージ７の表面には、搬送アームＡ３との間でウエハＷを受け渡すための図示しない昇降ピンが載置ステージの表面から突没するように設けられている。

ウエハＷを例えば加熱モジュールのような載置ステージ７に載置するときに、ウエハＷを載置する際に起こる気流によって、載置ステージ７上に付着していたパーティクル１００が巻き上がり、ウエハＷの周縁部に付着する場合がある。そこで前述した搬送アームＡ３に保持したクリーニング用治具１により、温調モジュール内の雰囲気中のパーティクルの除去に加えて、一旦クリーニング用治具１を載置ステージ７に載置した後、搬送アームＡ３により、クリーニング用治具１を受け取る。この時クリーニング用治具１は第１〜第３の吸着口５２Ａ〜５２Ｃと、第１〜第３の接続口３１〜３３が接続され、第４の吸着口５２Ｄにより吸着保持される。

その後バルブ６６を開き第３の吸着口５２Ｃから吸引を行う。この時バルブ６５、６７は閉じている。従ってクリーニング用治具１の表面側における周縁部に設けられた第３グループの吸引孔２２から吸引されて、図１６に示すようにクリーニング用治具１の表面側における周縁部付近を漂い、クリーニング用治具１の周縁部に付着しようとするパーティクル１００は、第３のグループの吸引孔２２から吸引される。そして同様にパーティクルの吸引を行うと共にパーティクルの計数を行う。パーティクルの数は、パーティクルの吸引動作中に計数したパーティクル数に基づいて評価してもよく、あるいは、一定時間パーティクルの除去を行った後、吸引動作を継続しながらパーティクル数を測定し、その計数値に基づいて評価してもよい。

そして各処理モジュールにて、パーティクルの捕集を行い、パーティクルの計数を行った後、ステップＳ５にて、計測されたパーティクル数が、処理モジュールにおける目標とする清浄度に到達しているか、例えば計測されたパーティクル数が第１の許容値以下であるか否かを判断する。ここで十分にパーティクルが除去されておらず、第１の許容値以下ではない場合には、ステップＳ６に進む。

ステップＳ６において、計測されたパーティクル数が多くはない場合、例えば第１の許容値を超えているが、第２の許容値（第１の許容値よりも大きい値である）以下である場合には、ステップＳ４に戻り、当該処理モジュールにおいて、パーティクルの吸引及びパーティクルの計数が繰り返される。計測されたパーティクル数が、第２の許容値を超えている場合には、ステップＳ７に進み、第１のグループの吸引孔２０から、エアーを吹きだして、処理モジュール内のパーティクルの巻き上げを行い、パーティクルを吸引しやすくする。その後ステップＳ４に戻り、当該処理モジュールにおいて、パーティクルの捕集及びパーティクルの計数を行う。

そして、ステップＳ４〜ステップＳ７を繰り返し、ステップＳ４にて計測されたパーティクル数が第１の許容値以下となった後、即ち処理モジュールが目標とする清浄度に達した後、ステップＳ５を介してステップＳ８に進み、後続の処理モジュールに搬入されて、同様にパーティクルの除去が行われる。このようにすべての処理モジュールにて、パーティクルの捕集を繰り返し、すべての処理モジュールにてパーティクルの捕集を終えると、クリーニング用治具１は、キャリアＣに戻される。そして製品ウエハＷを収納したキャリアＣを載置ステージ９１に載置し、製品ウエハＷの処理を開始する。

上述の実施の形態によれば塗布、現像装置内のパーティクル１００を除去するにあたって、塗布、現像装置内でクリーニング用治具１を支持部、例えば基板搬送機構の保持部材やモジュールの載置部に支持した状態で、クリーニング用治具１の表面に設けた第１〜第３のグループの吸引孔２０〜２２の周囲の雰囲気を吸引するようにしている。従って塗布、現像装置内において、パーティクル１００を能動的に吸引することができるためパーティクル１００の除去効率が上がり、クリーニング作業の時間を短くすることができる。

さらにこのクリーニング用治具１を搬送して、塗布、現像装置内のパーティクル１００の除去を行うにあたって、塗布、現像装置内のパーティクル１００の密度のモニターを行い、パーティクルの数に従って、吸引時間を変更するようにしている。そのため、クリーニング作業の時間を短くすることができる。

また加熱−冷却モジュール６にて、クリーニング用治具１を用いてパーティクルの捕集を行う場合に、クリーニング用治具１をガスの吸引や吐出により空冷して、加熱−冷却モジュール６内に温度差を形成することができる。そのため熱泳動により、パーティクルが吸引されるためパーティクルの捕集効率が高くなる効果がある。さらに空冷されたクリーニング用治具１を加熱ステージに載置することにより、加熱ステージの降温時間を短縮することができる。そしてクリーニング用治具１が昇温した場合にも、ガスの供給あるいは吸引を行うことにより空冷することができるため、続く処理モジュールに速やかに搬送できるため、クリーニング作業の時間を短くすることができる利点がある。

[第２の実施形態]
本発明の第２の実施形態は、第１の実施形態において、パーティクルモニタ６３にてパーティクルを計数することに代えて、パーティクルモニタ型ウエハを用いた例である。例えばウエハ型の基板に流路と通風機構を設け流路を通過するパーティクルを赤外線センサで計数する。そして例えばパーティクルの測定結果をリアルタイムでパーティクルモニタ型ウエハに設けたメモリにパーティクルの計数値の時系列データを格納する。

そして、例えば専用のキャリアＣにより塗布、現像装置内にパーティクルモニタ型ウエハを搬入して搬送アームの搬送経路を搬送しながら、また処理モジュールに搬入された状態で、リアルタイムでパーティクルモニタ型ウエハに設けたメモリにパーティクルの計数値の時系列データを格納する。そして専用のキャリアＣに戻った時に当該キャリアＣに設けられているデータ読み取り部によりメモリ内のデータが読み取られて制御部９０に送信され、制御部９０にてデータが解析される。その解析の結果パーティクルの計数値が多い個所、例えば特定の処理モジュールや搬送経路の一部を割出し、その個所について再度クリーニング用治具１を例えばキャリアＣから取り出して同様にして吸引作用を行う。あるいは吸引作用の前にエアーの吹き出しを行うようにしてもよい。なおメモリ内の時系列データについお手は、パーティクルモニタ型ウエハの搬入経路を予めきめておけば、経過時間とセンサの位置とが対応付けられることから上述のように解析することができる。

[第３の実施形態]
第１の実施形態では、搬送アームＡ３に対するクリーニング用治具１の向きは、当該搬送アームＡ３に保持されて吸引動作が行われるときには常に一定であったが、本発明の第３の実施形態は、搬送アームＡ３に対するクリーニング用治具１の向きが、使用する吸引孔のグループが異なると変わることになる例である。即ち、クリーニング用治具１の例えば３つの接続口３１〜３３の配置が搬送アームＡ３の４つの吸着口のうちの３つの吸着口５２に対応していない例である。この場合には、クリーニング用治具１を保持したときには、一つの接続口と、既述の吸着口５５Ａのように吸引路とエア吐出路との切替えが可能な一つの吸着口とが重なり合うが、残りの２つの接続口は吸着口に重なり合わない。このような例においては、クリーニング用治具１を搬送アームＡ３に保持させて、第１のグループの吸引孔による吸引動作を終えて他のグループの吸引孔を活用する場合には、当該グループの吸引孔に対応する接続口が搬送アームＡ３の吸着口５５Ａと重なるように、当該クリーニング用治具１の向きを、回転ステージを有する位置合わせモジュールを用いて設定すればよい。

以下に本発明の変形例を列挙する。
例えば、処理モジュールの載置部に吸着口を設けパーティクル１００の除去を行ってもよい。例えば図１７に示すように載置ステージ７に、ウエハＷに加熱処理を行う際にウエハＷの反りを防ぐために周縁部を吸着する吸着口８４を設け、この吸着口８４と、クリーニング治具１の第３の接続口３３と接続して、パーティクルの吸引を行うようにしても同様の効果が得られる。なお図１７中の８５はバルブ、８６は三方弁、８７は吸引機構、８８はエアー供給部である。この場合には、クリーニング用治具１を支持する支持部として載置部である載置ステージ７が相当する。

またクリーニング用治具１の複数の組の各接続口３１〜３３に対応する各吸着口は、搬送アームＡ３の保持部材と例えば処理モジュールの載置部とに分散して設けられていてもよい。この場合には、例えば第１の接続口３１と重なる吸着口が搬送アームＡ３に設けられ、第２の接続口３２と重なる吸着口が載置部に設けられるといった構成となる。

さらに処理ブロック以外の、キャリアブロックＢ１やインターフェイスブロックＢ３の各アーム、あるいは、棚ユニットＵ７〜Ｕ１０を上下する搬送アームにより、クリーニング用治具１を支持して、吸引を行うようにしてもよい。
さらにクリーニング用治具１に設ける吸引孔、流路、接続口の組は１組であってもよい。さらにクリーニング用治具１は、吸引孔からガスを吐出するように構成されていなくてもよい。

また本発明の基板処理装置は、塗布、現像装置に限らず、絶縁膜の前駆体を含む薬液を用いて成膜する装置、複数の洗浄モジュールを備えた基板洗浄装置などに適用してもよい。さらには、ウエハの検査を行うウエハプローバに用いてもよい。本願明細書においては、ウエハの検査についてもウエハの処理に含むものとする。

またクリーニング用治具１を用いて、塗布、現像装置内部のパーティクルの除去を行うにあたって、複数のクリーニング用治具１を塗布、現像装置に搬入して、行ってもよい。例えば２５枚のクリーニング用治具をキャリアＣに収納して載置ステージ９１に載置する。そして搬送アーム９２によりクリーニング用治具１を順に取出し、塗布、現像装置に搬入して、クリーニング用治具１を各々上述した工程に従って搬送して、各処理モジュール及び搬送領域におけるパーティクルの捕集を行うようにしてもよい。
またパーティクル計測部は、クリーニング用治具１に設けられていてもよい。
さらにクリーニング用治具に設けられる吸引孔及び接続口は、板状体１０の板面に形成されていなくてもよく、例えば吸引用のノズルや接続用のコネクタを設けてもよい。

例えば１枚目に取り出されるクリーニング用治具１は、１枚目に処理が行われる製品ウエハＷと同様の順序で搬送され、各処理モジュールに順次搬入されて、各処理モジュール内のパーティクルの捕集を行う。単位ブロックＤ３を例に説明すると、１枚目のクリーニング用治具１は例えば液処理モジュール５ａ、及び加熱−冷却モジュール６ａに順に搬入されて各処理モジュールにおいてパーティクルの捕集を行う。

次いで２枚目のクリーニング用治具１は液処理モジュール５ｂ及び加熱‐冷却モジュール６ｂに順に搬入されて、各処理モジュールにおいてパーティクルの捕集を行う。そして５枚目のクリーニング用治具１は液処理モジュール５ａ及び加熱‐冷却モジュール６ｅに順に搬入されて、各処理モジュールにてパーティクルの捕集を行う。このようにして塗布、現像装置内のすべての処理モジュールにクリーニング用治具１を搬入してパーティクルの除去を行う。このような場合には、複数のクリーニング用治具１により複数の処理モジュール内のパーティクルを同時に捕集し、モニターすることができるため、より効率よくパーティクルの捕集を行うことができる。

１ クリーニング用治具
５ 液処理装置
６ 加熱−冷却装置
７ 載置ステージ
８ 温調プレート
２０ 第１の吸引孔
２１ 第２の吸引孔
２２ 第３の吸引孔
３１ 第１の接続口
３２ 第２の接続口
３３ 第３の接続口
５０Ａ〜５０Ｄ 保持爪
５４ ガス吸引路
５５Ａ〜５５Ｄ ガス流路
５６ Ｎ_２ガス供給路
６０ 吸引ポンプ
６３ パーティクルモニタ
７０ Ｎ_２ガス供給源

Claims (22)

1. 半導体製造用の基板が各々載置部に載置され、基板に対して処理を行う処理モジュールを含む複数のモジュールと、
   前記基板を保持部材により保持して前記複数のモジュール間を搬送する基板搬送機構と、
   前記保持部材に保持されるように構成された板状体と、この板状体に形成され、雰囲気を吸引するための吸引孔と、前記板状体に設けられた接続口と、前記吸引孔に吸引された気流を前記接続口から流出させるための流路と、を含むクリーニング用治具と、
   前記クリーニング用治具を支持するための支持部に設けられ、前記接続口が接続される真空吸着用の吸着口と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記支持部は、前記基板搬送機構の保持部材であり、
   前記真空吸着用の吸着口は、前記基板を真空吸着するための吸着口であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記支持部は、前記モジュールの載置部を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記クリーニング用治具の前記吸引孔と流路と接続口との組が独立して複数組設けられ、各組の接続口は互いに板状体の板面に沿った方向において異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記複数組に含まれる一の組の吸引孔及び他の組の吸引孔は板面の一方の面及び他方の面に夫々形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記支持部は、前記基板搬送機構の保持部材であり、
   前記保持部材には、前記基板を真空吸着するための吸着口を含み、各々前記クリーニング用治具の各組の接続口に対応した位置に複数の吸着口が設けられ、
   前記複数の吸着口の間で吸引機構に接続される吸着口を選択できるように構成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の基板処理装置。
7. 前記複数の組の各接続口に対応する各吸着口は、複数の支持部に分散して設けられ、
   各支持部にクリーニング用治具を載置したときに、クリーニング用治具にて使用される前記吸引孔と流路と接続口との組が支持部間で異なることを特徴とする
   請求項４または５記載の基板処理装置。
8. 前記吸着口に連通する吸引路にパーティクルを計測する計測部が設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記支持部の吸着口の下流側の流路を、当該吸着口から吸引するための流路と、当該吸着口より気体を吐出するための流路との間で切替えるための機構を備えたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 基板搬送機構に設けられた基板の保持部材に保持されるように構成された板状体と、
    この板状体に形成され、雰囲気を吸引するための吸引孔と、
    前記板状体に設けられ、当該板状体が載置される支持部に設けられた吸着口に接続される接続口と、
    前記吸引孔に吸引された気流を前記接続口から流出させるための流路と、を備えたことを特徴とするクリーニング用治具。
11. 前記吸引孔と流路と接続口との組が独立して複数組設けられ、各組の接続口は互いに板状体の板面に沿った方向において異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１０記載のクリーニング用治具。
12. 前記複数組に含まれる一の組の吸引孔及び他の組の吸引孔は板面の一方の面及び他方の面に夫々形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のクリーニング用治具。
13. 半導体製造用の基板が各々載置部に載置され、基板に対して処理を行う処理モジュールを含む複数のモジュールを備えた基板処理装置内の雰囲気のパーティクルを除去する方法において、
    基板搬送機構の保持部材に保持されるように構成された板状体と、この板状体に形成され、雰囲気を吸引するための吸引孔と、前記板状体に設けられた接続口と、前記吸引孔に吸引された気流を前記接続口から流出させるための流路と、を含むクリーニング用治具を用い、
    前記基板処理装置内の支持部に設けられた真空吸着用の吸着口とクリーニング用治具の接続口との位置が互いに対応するように、当該クリーニング用治具を前記支持部に載置する工程と、
    前記真空吸着用の吸着口、前記接続口及び前記流路を介して前記吸引孔から前記雰囲気を吸引する工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置のパーティクルの除去方法。
14. 前記支持部は、前記基板搬送機構の保持部材であり、
    前記真空吸着用の吸着口は、前記基板を真空吸着するための吸着口であることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
15. 前記支持部は、前記モジュールの載置部を含むことを特徴とする請求項１３または１４記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
16. 前記クリーニング用治具の吸引孔と流路と接続口との組が独立して複数組設けられ、前記接続口は互いに板状体の板面に沿った方向において異なる位置に設けられ、
    前記基板搬送機構の保持部材には、前記基板を真空吸着するための吸着口を含み、各々前記クリーニング用治具の各組の接続口に対応した位置に複数の吸着口が設けられ、
    前記クリーニング用治具を前記基板搬送機構の保持部材に保持し、前記複数の吸着口の間で吸引機構に接続される吸着口を選択する工程を行うことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
17. 前記クリーニング用治具の吸引孔と流路と接続口との組が独立して複数組設けられ、前記接続口は互いに板状体の板面に沿った方向において異なる位置に設けられ、
    複数の支持部の各吸着口に前記複数組の各々の接続口が順次接続されるように前記クリーニング用治具を前記複数の支持部に順次支持させる工程を行うことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
18. 前記吸引孔から前記雰囲気を吸引する工程の後、前記吸着口に連通する吸引路に設けられたパーティクル計測部によりパーティクルを計測する工程を行うことを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれか一項に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
19. 前記吸引孔から前記雰囲気を吸引する工程の後、パーティクル計測部を備えた治具を前記基板搬送機構により搬送してパーティクルを計測する工程を行うことを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれか一項に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
20. 前記パーティクルを計測する工程を行った結果、計測値が許容値から外れていた時に、前記吸引孔から前記雰囲気を吸引する工程を再度行うことを特徴とする請求項１８または１９に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
21. 前記支持部の吸着口の下流側の流路を、当該吸着口から吸引するための流路から当該吸着口から気体を吐出するための流路に切替え、当該吸着口、前記クリーニング用治具内の流路及び吸引孔を介して気体を前記クリーニング用治具の外部へ吐出する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし２０のいずれか一項に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法。
22. 半導体製造用の基板が各々載置部に載置され、基板に対して処理を行う処理モジュールを含む複数のモジュールと、前記基板を保持部材により保持して前記複数のモジュール間を搬送する基板搬送機構と、を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    コンピュータプログラムは、請求項１３ないし２１のいずれか一項に記載の基板処理装置のパーティクルの除去方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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