JP2016039151A5 - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、
   第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
   前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
   前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
   前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
   前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の光学素子は、
   ５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
   前記第２の光学素子は、
   ４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
   前記第３の光学素子は、
   ４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
   且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する、ことを特徴とする発光装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の発光素子は、
   第１の下部電極と、
   前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
   前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第２の下部電極と、
   前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
   前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第３の下部電極と、
   前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
   前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有する、ことを特徴とする発光装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の下部電極と、前記第３の発光層との間の光学距離が３λ_Ｒ／４（λ_Ｒは赤色の波長を表す）近傍であり、
   前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λ_Ｇ／４（λ_Ｇは緑色の波長を表す）近傍であり、
   前記第３の下部電極と、前記第１の発光層との間の光学距離が３λ_Ｂ／４（λ_Ｂは青色の波長を表す）近傍である、ことを特徴とする発光装置。
5. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、
   第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
   前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
   前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
   前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
   前記第４の発光素子から前記第４の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、
   前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置。
6. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、
   第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
   前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
   前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
   前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
   前記第４の発光素子から射出される光は、前記第１の光学素子乃至前記第３の光学素子を介さずに射出され、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、
   前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置。
7. 請求項５または請求項６において、
   前記第１の光学素子は、
   ５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
   前記第２の光学素子は、
   ４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
   前記第３の光学素子は、
   ４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
   且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する、ことを特徴とする発光装置。
8. 請求項５乃至７のいずれか一項において、
   前記第１の発光素子は、
   第１の下部電極と、
   前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
   前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第２の下部電極と、
   前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
   前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第３の下部電極と、
   前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
   前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
   前記第４の発光素子は、
   第４の下部電極と、
   前記第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、
   前記第４の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有する、ことを特徴とする発光装置。
9. 請求項８において、
   前記第１の下部電極と、前記第３の発光層との間の光学距離が３λ_Ｒ／４（λ_Ｒは赤色の波長を表す）近傍であり、
   前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λ_Ｇ／４（λ_Ｇは緑色の波長を表す）近傍であり、
   前記第３の下部電極と、前記第１の発光層との間の光学距離が３λ_Ｂ／４（λ_Ｂは青色の波長を表す）近傍である、
   前記第４の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λ_Ｙ／４（λ_Ｙは黄色の波長を表す）近傍である、ことを特徴とする発光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサと、を有することを特徴とする電子機器。