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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 269
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 136
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 100
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 27
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L Nickel(II) sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 21
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 claims description 21
- 229940053662 nickel sulfate Drugs 0.000 claims description 21
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims description 12
- 230000000536 complexating Effects 0.000 claims description 12
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 12
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 241000080590 Niso Species 0.000 claims description 3
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M Sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 41
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N Ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L Nickel(II) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002538 Polyethylene Glycol 20000 Polymers 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drugs Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008204 materials by function Substances 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- -1 nickel metal hydride Chemical class 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001888 polyacrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Description
本発明は、硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に高温高圧下で水素ガスを吹き込みニッケル粉を得る工程において、表面が平滑化され内部が稠密化した粒子径の大きなニッケル粉を生成する製造方法に関する。
ニッケル粉は機能性材料やニッケル水素電池等の正極活物質として利用が進み、そのようなニッケル粉を製造する方法に湿式プロセスを用いてニッケル粉を製造する方法が開発されている。
この湿式プロセスによるニッケル粉を工業的に製造する方法は、還元剤を添加して溶液中のニッケルを還元することによりニッケル粉を製造する方法が開発され、中でも還元剤に水素ガスを用いて還元する方法は、工業的に安価であり、広く利用されている。
この方法は、非特許文献1に示すように「Sherritt Gordon社」におけるニッケル粉製造プロセスとして記載されている。これは、硫酸ニッケル水溶液と錯化剤を混合してニッケルアンミン錯体とし、その溶液を加圧容器に入れて密栓し、150〜250℃程度に昇温し飽和蒸気圧とし、その中に水素ガスを吹き込むもので、水素により還元されニッケル粉が得られるものである。
この方法によって得られるニッケル粉は、表面に空隙を持つ凹凸がある粒子である。粒径が小さい為、粉のままニッケルメタル製品として出荷する際の粉塵や凹凸をもつためにかさ密度が低く、容器に充填する際に余分な容積を要してしまうといった問題を抱えている。
POWDER METALLURGY,1958,No.1/2,P.40−52
本発明は、オートクレーブを用いてニッケルアンミン錯体溶液に種晶を添加し、高温高圧において水素還元反応を行って得られるニッケル粉が、粉のままニッケルメタル製品として出荷する際の粉塵や凹凸をもつために、かさ密度が低く、容器に充填する際に余分な容積を要してしまうといった上記課題を解決するもので、ニッケルアンミン錯体溶液に種晶を添加し、高温高圧において水素還元反応を行って得られるニッケル粉において、取扱いの際に粉塵を発生せずに、且つ効率の良い容器への充填が可能なニッケル粉を提供するものである。
上記の課題を解決する本発明の第1の発明は、ニッケルアンミン錯体を含有する溶液に、順に空隙を有するニッケルの粉末の種晶と、ノニオン系あるいはアニオン系の官能基を持つ界面活性剤を添加して形成した混合スラリーを、圧力容器内において高温高圧状態下で、水素還元して混合スラリーから還元ニッケルの粉を生成して得られた前記還元ニッケル粉を含む還元スラリーを、洗浄、濾過による固液分離処理によって前記還元ニッケル粉を回収し前記回収した還元ニッケル粉を前記種晶として用いることを、少なくとも2回以上繰り返して成長させたニッケルの粉末を得ることを特徴とするニッケル粉の製造方法である。
本発明の第2の発明は、ニッケルアンミン錯体を含有する溶液に、順に種晶とノニオン系あるいはアニオン系の官能基を持つ界面活性剤を添加してニッケルの粉末を形成するニッケル粉の製造方法であって、その種晶が空隙を有するニッケルの粉末の種晶であり、以下の(1)〜(4)の工程を順に経てニッケルの粉末を形成することを特徴とするニッケル粉の製造方法である。
(1)硫酸ニッケル(NiSO4)溶液に、アンモニアガスまたはアンモニア水(NH4OH)を添加してニッケルのアンミン錯体を形成させ、硫酸ニッケルアンミン錯体溶液を得る錯化工程。
(2)前記(1)の錯化工程で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に、空隙を有する種晶となるニッケル粉を含む種晶スラリーを添加し、次いで界面活性剤を添加して混合スラリーを形成する種晶・界面活性剤添加工程。
(3)前記(2)の種晶・界面活性剤添加工程で得られた混合スラリーに、水素ガスを吹き込み、前記混合スラリー中のニッケルを還元して種晶の空隙内に析出させて形成した還元ニッケル粉を含む還元スラリーを形成した後、洗浄、濾過による固液分離処理して前記還元ニッケル粉を回収する還元工程。
(4)前記(3)の還元工程で回収した還元ニッケル粉を、前記(1)の錯化工程で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に加えてニッケル粉を含むニッケル錯体スラリーを形成し、前記ニッケル粉を含むニッケル錯体スラリーを、前記(3)の還元工程において用いる混合スラリーとして前記(3)の還元工程に供し、水素ガスによる還元処理を施して前記ニッケル粉を含むニッケル錯体スラリー中のニッケル粉を成長させる処理を少なくとも2回以上行い、製品ニッケル粉を生成する成長工程。
(1)硫酸ニッケル(NiSO4)溶液に、アンモニアガスまたはアンモニア水(NH4OH)を添加してニッケルのアンミン錯体を形成させ、硫酸ニッケルアンミン錯体溶液を得る錯化工程。
(2)前記(1)の錯化工程で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に、空隙を有する種晶となるニッケル粉を含む種晶スラリーを添加し、次いで界面活性剤を添加して混合スラリーを形成する種晶・界面活性剤添加工程。
(3)前記(2)の種晶・界面活性剤添加工程で得られた混合スラリーに、水素ガスを吹き込み、前記混合スラリー中のニッケルを還元して種晶の空隙内に析出させて形成した還元ニッケル粉を含む還元スラリーを形成した後、洗浄、濾過による固液分離処理して前記還元ニッケル粉を回収する還元工程。
(4)前記(3)の還元工程で回収した還元ニッケル粉を、前記(1)の錯化工程で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に加えてニッケル粉を含むニッケル錯体スラリーを形成し、前記ニッケル粉を含むニッケル錯体スラリーを、前記(3)の還元工程において用いる混合スラリーとして前記(3)の還元工程に供し、水素ガスによる還元処理を施して前記ニッケル粉を含むニッケル錯体スラリー中のニッケル粉を成長させる処理を少なくとも2回以上行い、製品ニッケル粉を生成する成長工程。
本発明の第3の発明は、第1及び第2の発明におけるノニオン系の官能基を持つ界面活性剤が、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコールのいずれかであることを特徴とするニッケル粉の製造方法である。
本発明の第4の発明は、第1及び第2の発明におけるアニオン系の官能基を持つ界面活性剤が、ポリアクリル酸ナトリウムであることを特徴とするニッケル粉の製造方法である。
本発明の第5の発明は、第1から第4の発明におけるノニオン系あるいはアニオン系の官能基を持つ界面活性剤の添加量が、ニッケルアンミン錯体を含有する溶液に添加される種晶重量の1〜20wt%であることを特徴とするニッケル粉の製造方法である。
本発明の、高純度ニッケル粉の製造方法によれば、粉末表面の凹凸が抑制され、平滑な表面を有することになり、図2に示すような表面形状が緻密なニッケル粉を得ることができ、また粒径も大きなものを得られるので、取扱が容易になり、その工業的な価値は大きい。
さらに、図3に示す緻密なニッケル粉が得られ、そのかさ密度も増加し、容器への充填時に容積を小さくできる効果を奏する。
さらに、図3に示す緻密なニッケル粉が得られ、そのかさ密度も増加し、容器への充填時に容積を小さくできる効果を奏する。
図1に示す本発明のニッケル粉の製造フロー図を参照して、本発明のニッケル粉の製造方法を説明する。
なお、錯化工程以前の硫酸ニッケル溶液を得る方法としては、例えばニッケル酸化鉱石を公知の方法により加圧浸出し、得た浸出液を中和して不純物を除去し、不純物を除去した後の溶液に硫化剤を添加してニッケルを硫化物として沈殿させ、次いでこのニッケルを含有する硫化物を硫酸等で溶解し、公知の溶媒抽出等の方法でニッケルとそれ以外の不純物を分離して硫酸ニッケル溶液とする方法などがある。
なお、錯化工程以前の硫酸ニッケル溶液を得る方法としては、例えばニッケル酸化鉱石を公知の方法により加圧浸出し、得た浸出液を中和して不純物を除去し、不純物を除去した後の溶液に硫化剤を添加してニッケルを硫化物として沈殿させ、次いでこのニッケルを含有する硫化物を硫酸等で溶解し、公知の溶媒抽出等の方法でニッケルとそれ以外の不純物を分離して硫酸ニッケル溶液とする方法などがある。
(1)錯化工程
この工程は、硫酸ニッケル(NiSO4)溶液に、アンモニアガスまたはアンモニア水(NH4OH)を添加し、ニッケルのアンミン錯体を形成する工程である。
このときのアンモニウム濃度は溶液中のニッケル濃度に対しモル比で1.9以上になるようにアンモニアを添加する。1.9未満では一部のニッケルがアンミン錯体を形成せず、水酸化ニッケルの沈殿が生成されてしまう。
この工程は、硫酸ニッケル(NiSO4)溶液に、アンモニアガスまたはアンモニア水(NH4OH)を添加し、ニッケルのアンミン錯体を形成する工程である。
このときのアンモニウム濃度は溶液中のニッケル濃度に対しモル比で1.9以上になるようにアンモニアを添加する。1.9未満では一部のニッケルがアンミン錯体を形成せず、水酸化ニッケルの沈殿が生成されてしまう。
また、硫酸アンモニウム濃度を調整するために、本工程において硫酸アンモニウムを添加することができ、そのときの硫酸アンモニウム濃度は100〜500g/Lが好ましい。500g/Lを超える量では溶解度を超えてしまい、結晶が析出してしまい、プロセスのメタルバランス上、100g/L未満を達成するのは困難である。
(2)種晶、界面活性剤添加工程
この工程では、上記(1)の「錯化工程」で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に、種晶となる平均粒径が10〜200μmのニッケル粉を含む種晶スラリーを添加し、さらに、平面を平滑化させるための界面活性剤を、種晶スラリー中のニッケル粉の重量に対して1〜20wt%添加して混合スラリーを形成する。
この工程では、上記(1)の「錯化工程」で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に、種晶となる平均粒径が10〜200μmのニッケル粉を含む種晶スラリーを添加し、さらに、平面を平滑化させるための界面活性剤を、種晶スラリー中のニッケル粉の重量に対して1〜20wt%添加して混合スラリーを形成する。
添加する界面活性剤には、ノニオン系の官能基を有するポリエチレングリコール、ポリビニルアルコールの少なくとも1種、もしくはアニオン系の官能基を有するポリアクリル酸ナトリウムを用いることができ、この界面活性剤の添加量は、1wt%未満と少ない場合には平滑化の効果が薄く、20wt%を超えて多すぎる場合、不純物及び薬剤コストの面から望ましくない。
(3)還元工程
この工程は、(2)の「種晶、界面活性剤添加工程」で得られた混合スラリーに水素ガスを吹き込み、溶液中のニッケルを種晶の空隙内に析出させて形成した還元ニッケル粉を含む還元スラリーを形成した後、この還元スラリーを固液分離処理に供して、還元ニッケル粉の成長前ニッケル粉を生成するものである。
この工程は、(2)の「種晶、界面活性剤添加工程」で得られた混合スラリーに水素ガスを吹き込み、溶液中のニッケルを種晶の空隙内に析出させて形成した還元ニッケル粉を含む還元スラリーを形成した後、この還元スラリーを固液分離処理に供して、還元ニッケル粉の成長前ニッケル粉を生成するものである。
このとき、反応温度は150〜200℃が好ましい。
150℃未満では還元効率が低下し、200℃を超えても反応への影響はなく熱エネルギー等のロスが増加する。
また、反応時の圧力は1.0〜4.0MPaが好ましい。1.0MPa未満では反応効率が低下し、4.0MPaを超えても反応への影響はなく水素ガスのロスが増加する。
150℃未満では還元効率が低下し、200℃を超えても反応への影響はなく熱エネルギー等のロスが増加する。
また、反応時の圧力は1.0〜4.0MPaが好ましい。1.0MPa未満では反応効率が低下し、4.0MPaを超えても反応への影響はなく水素ガスのロスが増加する。
(4)成長工程
この工程は、(3)の「還元工程」で生成した還元スラリーを固液分離処理して回収された「成長前ニッケル粉」に、(1)の「錯化工程」で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液を加えて形成したニッケル錯体スラリーを、再度(3)の「還元工程」における「混合スラリー」として供し、水素ガスによる還元処理を施してニッケル錯体スラリー中の「成長前ニッケル粉」から「成長後ニッケル粉」へと成長させ、「製品ニッケル粉」を生成する工程である。
この工程は、(3)の「還元工程」で生成した還元スラリーを固液分離処理して回収された「成長前ニッケル粉」に、(1)の「錯化工程」で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液を加えて形成したニッケル錯体スラリーを、再度(3)の「還元工程」における「混合スラリー」として供し、水素ガスによる還元処理を施してニッケル錯体スラリー中の「成長前ニッケル粉」から「成長後ニッケル粉」へと成長させ、「製品ニッケル粉」を生成する工程である。
この(4)の成長工程を、少なくとも1回以上繰り返して行なうことにより、ニッケル粉の成長、およびその表面を緻密に平滑化させるものである。
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
[錯化工程]
硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加し、合計の液量が1000mlになるように調整して錯化処理を行い、ニッケルアンミン錯体を含む溶液を作製した。
硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加し、合計の液量が1000mlになるように調整して錯化処理を行い、ニッケルアンミン錯体を含む溶液を作製した。
[種晶・界面活性剤添加工程]
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーを加え、さらにノニオン系の界面活性剤ポリエチレングリコール「PEG−20000」(日油株式会社製)を2.5g(3wt%)添加して、種晶・界面活性剤添加工程を行い、混合スラリーを作製した。
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーを加え、さらにノニオン系の界面活性剤ポリエチレングリコール「PEG−20000」(日油株式会社製)を2.5g(3wt%)添加して、種晶・界面活性剤添加工程を行い、混合スラリーを作製した。
[還元工程]
次に、この混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温後、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を行った。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、その水素ガスの供給を停止してオートクレーブを冷却した。冷却後得られた還元スラリーを洗浄・濾過により固液分離し、成長前ニッケル粉を回収した。
次に、この混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温後、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を行った。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、その水素ガスの供給を停止してオートクレーブを冷却した。冷却後得られた還元スラリーを洗浄・濾過により固液分離し、成長前ニッケル粉を回収した。
[成長工程]
この回収した成長前ニッケル粉を、硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加して錯化処理して合計の液量が1000mlになるように調整したニッケルアンミン錯体を含む溶液に、再度添加して、反応を繰り返すことで平滑な面を持つ製品ニッケル粉を得た。
この回収した成長前ニッケル粉を、硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加して錯化処理して合計の液量が1000mlになるように調整したニッケルアンミン錯体を含む溶液に、再度添加して、反応を繰り返すことで平滑な面を持つ製品ニッケル粉を得た。
さらに、そのかさ密度は、成長工程における還元処理(反応回数)が多くなるにつれ、そのかさ密度の増加も見られた。
また、このニッケル粉末を50ccの出荷容器に充填したが、飛散することはなく、局所排気装置を運転せずに作業できた。
また、このニッケル粉末を50ccの出荷容器に充填したが、飛散することはなく、局所排気装置を運転せずに作業できた。
硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加し、合計の液量が1000mlになるように調整して錯化処理を行い、ニッケルアンミン錯体を含む溶液を作製した。
[種晶・界面活性剤添加工程]
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーを加え、さらにノニオン系の界面活性剤としてポリビニルアルコール「PVA−2000」(関東化学株式会社製)を5.0g(7wt%)添加して、種晶・界面活性剤添加工程を行い、混合スラリーを作製した。
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーを加え、さらにノニオン系の界面活性剤としてポリビニルアルコール「PVA−2000」(関東化学株式会社製)を5.0g(7wt%)添加して、種晶・界面活性剤添加工程を行い、混合スラリーを作製した。
[還元工程]
次に、この混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温後、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を行った。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、その水素ガスの供給を停止してオートクレーブを冷却した。冷却後得られた還元スラリーを洗浄・濾過により固液分離し、成長前ニッケル粉を回収した。
次に、この混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温後、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を行った。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、その水素ガスの供給を停止してオートクレーブを冷却した。冷却後得られた還元スラリーを洗浄・濾過により固液分離し、成長前ニッケル粉を回収した。
[成長工程]
この回収した成長前ニッケル粉を、硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加して錯化処理して合計の液量が1000mlになるように調整したニッケルアンミン錯体を含む溶液に、再度添加して、反応を繰り返すことで、平滑な面を持つ製品ニッケル粉を得た。
この回収した成長前ニッケル粉を、硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加して錯化処理して合計の液量が1000mlになるように調整したニッケルアンミン錯体を含む溶液に、再度添加して、反応を繰り返すことで、平滑な面を持つ製品ニッケル粉を得た。
さらに、そのかさ密度は、成長工程における還元処理(反応回数)が多くなるにつれ、そのかさ密度の増加も見られた。
また、このニッケル粉末を50ccの出荷容器に充填したが、飛散することはなく、局所排気装置を運転せずに作業できた。
また、このニッケル粉末を50ccの出荷容器に充填したが、飛散することはなく、局所排気装置を運転せずに作業できた。
硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加し、合計の液量が1000mlになるように調整して錯化処理を行い、ニッケルアンミン錯体を含む溶液を作製した。
[種晶・界面活性剤添加工程]
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーを加え、さらにアニオン系の界面活性剤ポリアクリル酸Na「PAA−6000」(東亜合成株式会社製T−50:固形分40%)を3.73g(2wt%)添加して、種晶・界面活性剤添加工程を行い、混合スラリーを作製した。
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーを加え、さらにアニオン系の界面活性剤ポリアクリル酸Na「PAA−6000」(東亜合成株式会社製T−50:固形分40%)を3.73g(2wt%)添加して、種晶・界面活性剤添加工程を行い、混合スラリーを作製した。
[還元工程]
次に、この混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温後、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を行った。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、その水素ガスの供給を停止してオートクレーブを冷却した。冷却後得られた還元スラリーを洗浄・濾過により固液分離し、成長前ニッケル粉を回収した。
次に、この混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温後、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を行った。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、その水素ガスの供給を停止してオートクレーブを冷却した。冷却後得られた還元スラリーを洗浄・濾過により固液分離し、成長前ニッケル粉を回収した。
[成長工程]
この回収した成長前ニッケル粉を、硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加して錯化処理して合計の液量が1000mlになるように調整したニッケルアンミン錯体を含む溶液に、再度添加して、反応を繰り返すことで、図2に示す通り平滑な面を持つ製品ニッケル粉を得た。
この回収した成長前ニッケル粉を、硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加して錯化処理して合計の液量が1000mlになるように調整したニッケルアンミン錯体を含む溶液に、再度添加して、反応を繰り返すことで、図2に示す通り平滑な面を持つ製品ニッケル粉を得た。
さらに、図3に示す通り、成長工程における還元処理により、そのかさ密度の増加が見られた。
(比較例1)
硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加し、合計の液量が1000mlになるように調整して錯化処理を行い、ニッケルアンミン錯体を含む溶液を作製した。
硫酸ニッケル336g、硫酸アンモニウム330gを含む溶液に25%アンモニア水を191ml添加し、合計の液量が1000mlになるように調整して錯化処理を行い、ニッケルアンミン錯体を含む溶液を作製した。
[種晶添加工程、還元工程]
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーのみを添加して混合スラリーを作製した。
次に、この作製した混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温し、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を施した。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、水素ガスの供給を停止して、オートクレーブを冷却後、得られたスラリーを洗浄・濾過し、ニッケル粉を回収した。
この回収したニッケル粉は、その外表面が種晶と同様の凹凸を持つニッケル粉であった。
この溶液に種晶75gを含む種晶スラリーのみを添加して混合スラリーを作製した。
次に、この作製した混合スラリーを高圧容器のオートクレーブ内に装入し、撹拌しながら185℃に昇温し、還元剤の水素ガスを吹き込み、オートクレーブ内の圧力が3.5MPaになるように水素ガスを供給して還元処理を施した。
水素ガスを供給してから1時間が経過した後に、水素ガスの供給を停止して、オートクレーブを冷却後、得られたスラリーを洗浄・濾過し、ニッケル粉を回収した。
この回収したニッケル粉は、その外表面が種晶と同様の凹凸を持つニッケル粉であった。
さらに、その得られたニッケル粉を、50ccの出荷容器に充填しようとしたが、局所排気装置を運転しなければ、粉塵が巻き上がってしまった。
Claims (5)
- ニッケルアンミン錯体を含有する溶液に、順に空隙を有するニッケル粉の種晶と、ノニオン系あるいはアニオン系の官能基を持つ界面活性剤を添加して形成した混合スラリーを、圧力容器内において高温高圧状態下で、水素還元して前記混合スラリーから還元ニッケルの粉を生成して得られた前記還元ニッケル粉を含む還元スラリーを、洗浄、濾過による固液分離処理によって前記還元ニッケル粉を回収し前記回収した還元ニッケル粉を前記種晶として用いることを、少なくとも2回以上繰り返して成長させたニッケルの粉末を得ることを特徴とするニッケル粉の製造方法。
- ニッケルアンミン錯体を含有する溶液に、順に種晶と、ノニオン系あるいはアニオン系の官能基を持つ界面活性剤を添加してニッケルの粉末を形成するニッケル粉の製造方法であって、
前記種晶が、空隙を有するニッケル粉の種晶であり、
下記(1)〜(4)の工程を順に経てニッケルの粉末を形成することを特徴とするニッケル粉の製造方法。
(記)
(1)硫酸ニッケル(NiSO4)溶液に、アンモニアガスまたはアンモニア水(NH4OH)を添加してニッケルのアンミン錯体を形成させ、硫酸ニッケルアンミン錯体溶液を得る錯化工程。
(2)前記(1)の錯化工程で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に、種晶となる空隙を有するニッケル粉を含む種晶スラリーを添加し、次いで界面活性剤を添加して混合スラリーを形成する種晶・界面活性剤添加工程。
(3)前記(2)の種晶・界面活性剤添加工程で得られた混合スラリーに、水素ガスを吹き込み、前記混合スラリー中のニッケルを還元して種晶の空隙内に析出させて形成した還元ニッケル粉を含む還元スラリーを形成した後、洗浄、濾過による固液分離処理して前記還元ニッケル粉を回収する還元工程。
(4)前記(3)の還元工程で回収した還元ニッケル粉を、前記(1)の錯化工程で得られた硫酸ニッケルアンミン錯体溶液に加えてニッケル粉を含むニッケル錯体スラリーを形成し、前記ニッケル粉を含むニッケル錯体スラリーを、前記(3)の還元工程において用いる混合スラリーとして前記(3)の還元工程に供し、水素ガスによる還元処理を施して前記ニッケル粉を含むニッケル錯体スラリー中のニッケル粉を成長させる処理を少なくとも2回以上行い、製品ニッケル粉を生成する成長工程。 - 前記ノニオン系の官能基を持つ界面活性剤が、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコールのいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載のニッケル粉の製造方法。
- 前記アニオン系の官能基を持つ界面活性剤が、ポリアクリル酸ナトリウムであることを特徴とする請求項1又は2に記載のニッケル粉の製造方法。
- 前記ノニオン系あるいはアニオン系の官能基を持つ界面活性剤の添加量が、前記ニッケルアンミン錯体を含有する溶液に添加される前記種晶の種晶重量の1〜20wt%であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のニッケル粉の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010720A JP6442298B2 (ja) | 2014-03-26 | 2015-01-22 | ニッケル粉の製造方法 |
CN201580016174.XA CN106457405A (zh) | 2014-03-26 | 2015-03-24 | 镍粉的制造方法 |
US15/127,816 US10434577B2 (en) | 2014-03-26 | 2015-03-24 | Method for producing nickel powder |
EP15770302.6A EP3124142A4 (en) | 2014-03-26 | 2015-03-24 | Method for producing nickel powder |
CA2943649A CA2943649C (en) | 2014-03-26 | 2015-03-24 | Method for producing nickel powder |
PCT/JP2015/058941 WO2015146989A1 (ja) | 2014-03-26 | 2015-03-24 | ニッケル粉の製造方法 |
AU2015234992A AU2015234992B2 (en) | 2014-03-26 | 2015-03-24 | Method for producing nickel powder |
PH12016501890A PH12016501890A1 (en) | 2014-03-26 | 2016-09-26 | Method for producing nickel powder |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014063106 | 2014-03-26 | ||
JP2014063106 | 2014-03-26 | ||
JP2014155547 | 2014-07-30 | ||
JP2014155547 | 2014-07-30 | ||
JP2015010720A JP6442298B2 (ja) | 2014-03-26 | 2015-01-22 | ニッケル粉の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016033255A JP2016033255A (ja) | 2016-03-10 |
JP2016033255A5 true JP2016033255A5 (ja) | 2017-11-30 |
JP6442298B2 JP6442298B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=54195501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015010720A Active JP6442298B2 (ja) | 2014-03-26 | 2015-01-22 | ニッケル粉の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10434577B2 (ja) |
EP (1) | EP3124142A4 (ja) |
JP (1) | JP6442298B2 (ja) |
CN (1) | CN106457405A (ja) |
AU (1) | AU2015234992B2 (ja) |
CA (1) | CA2943649C (ja) |
PH (1) | PH12016501890A1 (ja) |
WO (1) | WO2015146989A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6202348B2 (ja) | 2015-10-26 | 2017-09-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 高密度ニッケル粉の製造方法 |
JP6726396B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2020-07-22 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉の製造方法 |
JP6531913B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-06-19 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉の製造方法 |
JP2017155265A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉の製造方法 |
US20200338641A1 (en) * | 2016-03-04 | 2020-10-29 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for producing nickel powder |
JP6245314B2 (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-13 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉の製造方法 |
JP6819087B2 (ja) * | 2016-06-21 | 2021-01-27 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉の製造方法、ニッケル粉の製造装置 |
JP2018141203A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 種晶用ニッケル粉末の製造方法 |
CN107746951A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-02 | 北京矿冶研究总院 | 一种硫酸盐溶液中镍的分离方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3640706A (en) * | 1970-02-20 | 1972-02-08 | Nicolas Zubryckyj | Method for recovering substantially pure nickel from ammoniacal nickel ammonium carbonate leach solutions |
CA970168A (en) * | 1972-10-20 | 1975-07-01 | Vladimir N. Mackiw | Production of nickel powder from impure nickel compounds |
CA1097506A (en) * | 1977-11-02 | 1981-03-17 | Willie Seibt | Treatment of dissolved basic nickel carbonate |
JPH10317022A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-02 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 金属微粒子粉末の製造方法 |
JP4322395B2 (ja) | 2000-04-27 | 2009-08-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3693647B2 (ja) | 2001-02-08 | 2005-09-07 | 日立マクセル株式会社 | 金属合金微粒子及びその製造方法 |
JP4063151B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2008-03-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 多孔質の球状ニッケル粉末とその製造方法 |
FR2914200B1 (fr) * | 2007-03-30 | 2009-11-27 | Inst Francais Du Petrole | Procede de synthese de nanoparticules metalliques cubiques en presence de deux reducteurs |
CN101429652B (zh) * | 2008-07-29 | 2011-06-08 | 张建玲 | 一种铁粉表面包镀镍的方法 |
CN101428349B (zh) * | 2008-07-29 | 2011-06-22 | 张建玲 | 一种镍钴金属粉末的制备方法 |
WO2010126424A1 (en) | 2009-04-27 | 2010-11-04 | Sandvik Intellectual Property Ab | Cemented carbide tools |
JP5574154B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-08-20 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉末およびその製造方法 |
JP5556561B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2014-07-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 銀粉及びその製造方法 |
KR101191970B1 (ko) * | 2011-12-09 | 2012-10-17 | 한화케미칼 주식회사 | 인 도핑된 니켈 나노 입자 및 이의 제조방법 |
JP5936783B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2016-06-22 | 国立大学法人高知大学 | ニッケル粉の製造方法 |
-
2015
- 2015-01-22 JP JP2015010720A patent/JP6442298B2/ja active Active
- 2015-03-24 CN CN201580016174.XA patent/CN106457405A/zh active Pending
- 2015-03-24 EP EP15770302.6A patent/EP3124142A4/en not_active Withdrawn
- 2015-03-24 US US15/127,816 patent/US10434577B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-24 AU AU2015234992A patent/AU2015234992B2/en not_active Ceased
- 2015-03-24 WO PCT/JP2015/058941 patent/WO2015146989A1/ja active Application Filing
- 2015-03-24 CA CA2943649A patent/CA2943649C/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-09-26 PH PH12016501890A patent/PH12016501890A1/en unknown
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