JP2016032861A - 被覆工具 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は上記の課題に鑑み、Alの含有比率が高いうえに、耐久性にも優れる被覆工具を提供することを目的とする。
本発明に係る硬質皮膜は、高倍で観察できる透過型電子顕微鏡(TEM)による解析においては、hcp構造のAlNや非晶質相が一部に観察される場合がある。
但し、B/Aの値が大きくなり過ぎると、硬質皮膜の残留圧縮応力が高くなり過ぎて、硬質皮膜が自己破壊を起し易くなる。そのため、B/A≦1.07とすることが好ましい。更には、B/A≦1.05とすることが好ましい。
本発明に係る硬質皮膜が、AlとCr以外の金属元素を含有する場合、金属元素全体を100原子%とした場合、周期律表の4a族、5a族、6a族(Crを除く)の金属元素ならびにSi、Bから選択される1種または2種以上の元素を10%以下で含有することが好ましい。これらの元素は、硬質皮膜に耐摩耗性又は耐熱性を付与する元素であり、金属元素の総量に対して所定の範囲で含有する場合、被覆工具の耐久性を著しく低下させることはない。但し、硬質皮膜がAl、Cr以外の金属元素を含有する場合、硬質皮膜中における含有量が多くなり過ぎると被覆工具の耐久性が低下する場合がある。そのため、本発明に係る硬質皮膜は、金属元素全体を100原子%とした場合、周期律表の4a族、5a族、6a族(Crを除く)の金属元素ならびにSi、Bから選択される1種または2種以上の元素を10%以下で含有することが好ましい。
製造コストの点では、AlとCrの複合窒化物又は炭窒化物であることがより好ましい。更には、より耐熱性に優れる窒化物であることが好ましい。
本発明を切削工具に適用する場合、硬度は88.0HRA以上95.0HRA以下の超硬合金であることが好ましい。基材の硬度が低くなり過ぎれば耐摩耗性を改善するのに十分でない場合がある。また、基材の硬度が高くなり過ぎれば靱性が低下するためチッピングが発生する場合がある。優れた耐久性をより安定して発揮させるためには、基材の硬度は92.0HRA以上であることがより好ましい。更には、基材の硬度は93.0HRA以上であることがより好ましい。また、基材の硬度は、94.5HRA以下であることがより好ましい。
本発明者は、Al含有量が多いAlとCrを主体とする窒化物又は炭窒化物の被覆において、カソード電圧を一定以上に設定することで、硬質皮膜のミクロ組織に存在するhcp構造のAlNが低減するとともに、硬質皮膜に含まれる窒素元素の原子比率が高くなり被覆工具の耐久性が向上する傾向にあることを見出した。但し、カソード電圧を高めても、基材に印加するバイアス電圧の絶対値が小さくなると、硬質皮膜に含まれる窒素元素の原子比率が一定以上にならず、ミクロ組織に存在するhcp構造のAlNも低減し難い傾向がある。また、カソード電圧が高くなり過ぎると装置への負荷が大きくなり成膜が安定し難くなる。
成膜には、アークイオンプレーティング方式の成膜装置を用いた。本装置は、複数のカソード(アーク蒸発源)、真空容器および基材回転機構を含む。
カソードは、ターゲット外周にコイル磁石を配備したカソードを1基(以下「C1」という。)と、ターゲット背面および外周に永久磁石を配備して、ターゲット表面に垂直方向の磁束密度を有し、ターゲット中央付近における垂直方向の磁束密度が14mT以上のカソード(以下「C2」という。)が搭載されている。
C1には金属Tiのターゲットを設置した。C2にはAlCr合金ターゲットを設置した。
真空容器は、内部は真空ポンプにより排気され、ガスは供給ポートより導入される。真空容器内に設置した各基材にはバイアス電源が接続され、独立して各基材に負のDCバイアス電圧を印加する。
基材回転機構は、プラネタリーとプラネタリー上のプレート状治具、プレート状治具上のパイプ状治具が取り付けられ、プラネタリーが毎分3回転の速さで回転し、プレート状治具、パイプ状治具は夫々自公転する。
WC(bal.)−Co(11質量%)−TaC(0.4質量%)−Cr3C2(0.9質量%)、WC平均粒径0.6μm、硬度92.4HRAからなる超硬合金製の2枚刃ボールエンドミル(ボール半径0.5mm 日立ツール株式会社製)を、切削試験、組成分析、組織観察に用いた。
WC(bal.)−Co(8.2質量%)−TaC(0.3質量%)−Cr3C2(0.67質量%)、WC平均粒径0.6μm、硬度92.4HRAからなる超硬合金製の、寸法が8mm×25mm、厚さ0.7mmの試験片をX線回折、硬度測定に用いた。
各基材をそれぞれ真空容器内のパイプ状冶具に固定し、成膜前プロセスを以下にように実施した。まず、真空容器内を8×10−3Pa以下に真空排気した。その後、真空容器内に設置したヒーターにより、基材温度を500℃まで加熱して真空排気を行った。
その後、真空容器内にArガスを導入し、0.67Paとした。その後、フィラメント電極に20Aの電流を供給、基材に−200Vのバイアス電圧を印加し、Arボンバードを4分間実施した。
その後、真空容器内の圧力が8×10−3Pa以下になるように真空排気した。続いて、基材に−800Vのバイアス電圧を印加して、C1に80Aのアーク電流を供給してTiボンバード処理を4分間実施した。
Tiボンバード処理後、直ちにC1への電流供給を中断した。そして、真空容器内のガスを窒素に置き換えた。試料毎に基材に印加する負のバイアス電圧、カソード電圧、炉内圧力を調整し、C2に150Aのアーク電流を供給して硬質皮膜を3.0μm被覆した。成膜時の基材の設定温度は500℃とした。その後、略200℃以下に基材を冷却して真空容器から取り出して試料を作製した。成膜条件について表1に示す。
B/Aの値は、硬質皮膜の原子比率で、金属元素(半金属を含む)と、窒素元素、酸素元素、炭素元素との合計を100原子%として求めた。なお、いずれの試料も、酸素および炭素の前記合計100原子%中に占める含有比率は1%程度であった。
切削方法:側面切削
被削材:質量%で、Ni−19%Cr−18.7%Fe−3.0%Mo−5.0%(Nd+Ta)−0.8%Ti−0.5%Al−0.03%Cの組成を有するNi基合金(時効硬化処理済み)
切込み:軸方向6mm、径方向0.3mm
切削速度:40m/min
一刃送り量:0.04mm/tooth
切削油:水溶性切削油
切削距離:0.2m
評価方法:切削加工後、走査型電子顕微鏡を用いて倍率150倍で観察し、工具と被削材が擦過した幅を実測し、そのうちの擦過幅が最も大きかった部分を最大摩耗幅とした。
本発明例1、2はカソード電圧とバイアス電圧を適切な範囲に制御して成膜したため、B/Aの値が1.02よりも高くなり、硬質皮膜のAlの含有量が高くても、ミクロ組織に存在するhcp構造のAlNが低減して、NaCl型構造の(111)面強度が最大強度を示し、優れた切削性能を示したと考えられる。
本発明例の中でも、本発明例1は、ナノインデンテーション硬度が48GPaと高硬度であった。これは、より高いカソード電圧で成膜したため、ミクロ組織に存在するhcp構造のAlNが低減するとともに組織がより結晶化して、高硬度になったと推定される。
本発明例1、2は、(111)面の半価幅が1.0以下であった。また、(200)の半価幅が1.3以下であった。また、本発明例1、2は、I(200)/I(111)が0.5以下であった。また、I(220)/I(111)が0.8以下であった。
比較例2、3は、X線回折パターンにおいて、hcp構造に起因するピーク強度は確認されていない。しかし、B/Aの値が低いため本発明例に比べて耐久性が低下する傾向にあった。
比較例1〜3は、(111)面の半価幅は1.0超であった。また、比較例1〜3は、I(200)/I(111)が0.5超であった。また、I(220)/I(111)が0.8超であった。
また、本発明例1と比較例1の硬質皮膜について、制限視野領域φ1μmにおける電子線回折パターンを測定した。図7に本発明例1の電子線回折パターンを示す。図8に比較例1の電子線回折パターンを示す。比較例1の電子線回折パターンには、hcp構造のAlNに起因する回折パターンがより鮮明に確認された。図9は、図7、8の電子線回折パターンから求めた任意の線における強度プロファイルの一例を示す。電子線回折パターンからも、比較例1はhcp構造のAlNが多いことが確認された。
Claims (2)
- 基材と、前記基材の表面に硬質皮膜を有する被覆工具であって、前記硬質皮膜は含有する金属(半金属を含む)元素全体を100原子%とした場合、少なくともAlを75%以上85%以下、Crを15%以上25%以下を含有する窒化物又は炭窒化物であり、かつ、金属(半金属を含む)元素、窒素、酸素および炭素の合計を100原子%とした場合の前記硬質皮膜の金属(半金属を含む)元素の原子比率Aと窒素の原子比率Bとが1.02<B/Aの関係を満たし、前記硬質皮膜はNaCl型の結晶構造であって、X線回折パターンまたは透過型電子顕微鏡の制限視野回折パターンから求められる強度プロファイルにおいて、(111)面に起因するピーク強度が最大強度を示すことを特徴とする被覆工具。
- 前記硬質皮膜は、ナノインデンテーション硬度が40GPa以上であることを特徴とする請求項1に記載の被覆工具。
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