JP2016031940A - 半導体集積回路および回路レイアウト方法 - Google Patents
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Abstract
Description
を備え、待機動作時に、前記第2のラッチ回路は前記第2の電源から電力を供給され、かつ固定された論理の前記クロック信号に基づいて論理状態を保持するとともに、前記第1のラッチ回路は動作を停止するものである。
クロック信号を伝送する第1のクロックバッファと、前記第1のクロックバッファに接続されるとともに、通常動作時および待機動作時に稼動とされる第2の電源に接続され、かつ前記第1の電源が稼動状態から非稼動状態に移行するタイミングの情報に基づき、前記第1の電源が非稼動状態に移行する前に前記クロック信号の論理を固定して出力する第2のクロックバッファと、を備え、待機動作時に、前記第2のクロックバッファは前記第2の電源から電力を供給されて前記固定された論理のクロック信号を出力するとともに、前記第1のクロックバッファは動作を停止するものである。
図1ないし図4を参照して、本実施の形態に係る半導体集積回路が具備する状態保持回路および回路レイアウト方法について説明する。なお、本実施の形態でいう「状態保持回路」とは、ラッチ回路、フリップ・フロップ、組み合わせ回路等の少なくとも一部の記憶状態を保持する必要のある回路をさす。また、状態保持回路以外の回路を「非状態保持回路」という場合がある。
およびMN4からなるクロックドインバータと、を含んで構成されたマスター側のラッチ回路M、伝送ゲートSW2と、MP5とMN5とからなるインバータと、MP6、MP7、MN6、およびMN7からなるクロックドインバータと、を含んで構成されたスレーブ側のラッチ回路S、およびMP8およびMN8からなるデータ出力用インバータ(バッファ)を備えている。なお、クロックドインバータとは、インバータと後述の伝送ゲートとを合わせた回路と等価な回路である。
クロックCK1がLレベル(CK1BがHレベル)であると、SW1がオンし、ラッチ回路Mはサンプリングモードとなり、ラッチ回路Mの出力(MP2とMN2とからなるインバータの出力)が入力データDと等しい状態になっている。
この部分に電源を印加しておけば、そのときの論理状態が保持される。
MN6およびMN7)にのみVDD1から電源が供給され、非状態保持トランジスタ(すなわち、MP5、MN5、MP6、MP7、MN6およびMN7以外のトランジスタ)に対しては電源が供給されない。したがって、非状態保持トランジスタにおけるリーク電流が抑制される。以上の手順で、電源遮断処理が完了し、待機モードに移行する。
図2(b)に示す非状態保持インバータ4の回路レイアウトをスタンダードセルのセルライブラリとして実現した回路レイアウト図の一例である。また、図4(a)および(b)は、各々図3(a)および(b)に示す回路レイアウトによって半導体集積回路を作成した場合の、A−A’断面図およびB−B’断面図を示している。
待機時のリーク電流を抑制することが可能となる。
図5を参照して、本実施の形態に係る半導体集積回路が具備する状態保持回路の一例であるクロック伝送回路について説明する。
そして、待機モード移行時にPDBをHレベルからLレベルに遷移させて固定することにより、FFのデータを保持させたまま電源VDD2を遮断させる。このことにより、待機モードにおいてクロックバッファ7、クロックバッファ8、およびその間のクロックバッファに電源が供給されなくなるのでリーク電流を減少させることができる。
動作モードにおいては、本実施の形態に係る半導体集積回路の外部からVDD1とVDD2に同じ電圧値の電源が供給される。さらに、PDBをHレベルに固定してパワーダウン機能をオフさせることにより、全回路が動作する動作モードになる。
図6および図7を参照して、本実施の形態に係るスタンダードセルを用いた回路レイアウト方法について説明する。
SC1ないしSC3の各々の非状態保持インバータ4を選択して配線する。配線は、たとえば、MPとMNの間の配線領域WAを使用して配線すればよい。
2、7、8 クロックバッファ
3 状態保持インバータ、4 非状態保持インバータ
5 クロック伝送回路(状態保持回路)
6 状態保持クロックバッファ
10 第1メタル、12 第2メタル
14S ソースアクティブ
14sub サブコンタクト
16 ゲート電極
18、18S、18D、18sub コンタクト
20 スルーホール
30 ウエル
100 基板
MP P型MOSFET、NN N型MOSFET
PDB パワーダウン信号
SC セル
SW 伝送ゲート
Claims (10)
- 通常動作時および待機動作時に稼動とされる第1の電源に接続される第1の配線と、
通常動作時に稼動とされるとともに待機動作時に非稼動とされる第2の電源に接続される第2の配線と、
ソース領域上の第3の配線が前記第1の配線に接続される第1のトランジスタと、
ソース領域上の第4の配線が前記第2の配線に接続される第2のトランジスタと、を備え、
待機動作時に前記第1のトランジスタは前記第1の電源から電力を供給されて回路の論理状態を保持するとともに、前記第2のトランジスタは動作を停止する
半導体集積回路。 - 前記第1の配線、第2の配線、第3の配線、および第4の配線は多層配線の一部とされるとともに、前記第1の配線と前記第3の配線とが同じ層の配線とされ、かつ前記第2の配線と前記第4の配線とが異なる層の配線とされるとともに、前記第2の配線と前記第4の配線とがスルーホールを介して接続される
請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記第1の配線同士および前記第2の配線同士が接続された前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとを含む単位回路を複数有し、かつ複数の前記単位回路が隣接して配置されるとともに、複数の前記単位回路の前記第1の配線同士および前記第2の配線同士が接続される
請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路。 - 複数の前記単位回路の一部が所定の方向に隣接して配置されるとともに、複数の前記単位回路の他部が前記所定の方向に対して線対称となるように隣接して配置される
請求項3に記載の半導体集積回路。 - 通常動作時に稼動とされるとともに待機動作時に非稼動とされる第1の電源に接続され、かつ入力されたデータ信号をクロック信号に基づいて保持する第1のラッチ回路と、
通常動作時および待機動作時に稼動とされる第2の電源に接続され、かつ前記第1のラッチ回路に従属接続されるとともに、前記第1のラッチ回路から受け取ったデータ信号をクロック信号に基づいて保持する第2のラッチ回路と、を備え、
待機動作時に、前記第2のラッチ回路は前記第2の電源から電力を供給され、かつ固定された論理の前記クロック信号に基づいて論理状態を保持するとともに、前記第1のラッチ回路は動作を停止する
半導体集積回路。 - 前記第2の電源に接続されるとともに、前記第1のラッチ回路および前記第2のラッチ回路にクロック信号を供給するクロックバッファをさらに備え、
待機動作時に、前記クロックバッファは供給するクロック信号の論理を固定する
請求項5に記載の半導体集積回路。 - 通常動作時に稼動とされるとともに待機動作時に非稼動とされる第1の電源に接続されたインバータ回路が複数従属接続されるとともに、クロック信号を伝送する第1のクロックバッファと、
前記第1のクロックバッファに接続されるとともに、通常動作時および待機動作時に稼動とされる第2の電源に接続され、かつ前記第1の電源が稼動状態から非稼動状態に移行するタイミングの情報に基づき、前記第1の電源が非稼動状態に移行する前に前記クロック信号の論理を固定して出力する第2のクロックバッファと、を備え、
待機動作時に、前記第2のクロックバッファは前記第2の電源から電力を供給されて前記固定された論理のクロック信号を出力するとともに、前記第1のクロックバッファは動作を停止する
半導体集積回路。 - 前記第2のクロックバッファは、前記第2の電源に接続されたNAND回路またはNOR回路と、前記NAND回路またはNOR回路に接続されるとともに前記第2の電源に接続されたインバータと、を含む
請求項7に記載の半導体集積回路。 - 前記第1の電源に接続されるとともに、入力されたデータ信号をクロック信号に基づいて保持する第1のラッチ回路、および前記第2の電源に接続され、かつ前記第1のラッチ回路に従属接続されるとともに、前記第1のラッチ回路から受け取ったデータ信号をクロック信号に基づいて保持する第2のラッチ回路を備え、待機動作時に、前記第2のラッチ回路は前記第2の電源から電力を供給され、かつ固定された論理の前記クロック信号に基づいて論理状態を保持するとともに、前記第1のラッチ回路は動作を停止するフリップ・フロップをさらに備え、
前記第2のクロックバッファは、前記第1のラッチ回路および前記第2のラッチ回路にクロック信号を供給する
請求項7または請求項8に記載の半導体集積回路。 - 待機動作時において第1のトランジスタに第1の電源から電力を供給して回路の論理状態を保持させるとともに、第2のトランジスタの動作を停止させる半導体集積回路の回路レイアウト方法であって、
前記第1のトランジスタのソース領域上の第3の配線を、通常動作時および待機動作時に稼動とされる第1の電源に接続される第1の配線に接続し、
前記第2のトランジスタのソース領域上の第4の配線を、通常動作時に稼動とされるとともに待機動作時に非稼動とされる第2の電源に接続される第2の配線に接続する
回路レイアウト方法。
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