JP2016027370A - レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、ポリシロキサン及び酸発生剤を含有するレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物であって、上記酸発生剤がオニウムカチオン及び酸アニオンを含み、上記オニウムカチオンが、脂環構造、脂肪族複素環構造、鎖状置換基を有する芳香環構造又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする。上記オニウムカチオンが、脂環構造、脂肪族複素環構造又はこれらの組み合わせを含むとよい。上記酸アニオンを構成する原子の原子量の和としては、350以下が好ましい。
【選択図】なし
Description
当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物はポリシロキサン及び酸発生剤を含有する。この酸発生剤はオニウムカチオン及び酸アニオンを含み、上記オニウムカチオンが脂環構造、脂肪族複素環構造、鎖状置換基を有する芳香環構造又はこれらの組み合わせを含む。これにより、当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物から形成されるレジスト下層膜では酸発生剤に起因する欠陥が低減される。当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物が上記構成を有することで上記効果を奏する理由は明らかではないが、例えば以下のように推測することができる。すなわち、上記オニウムカチオンがかさ高い構造を有することで、酸発生剤自身の凝集性が低下し、レジスト下層膜中の酸発生剤の分散性が向上する。その結果、酸発生剤の凝集により局所的にエッチングレートが変化する等の欠陥や、凝集した酸発生剤がポリシロキサンを変性させることによる局所的なゲル化等の発生を低減することができ、レジスト下層膜における欠陥の発生が抑制できると考えられる。また、これらの結果、レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの形状が良好なものとなる。
ポリシロキサンは、シロキサン結合を有するポリマーである限り特に限定されないが、下記式(i)で表されるシラン化合物の加水分解縮合物が好ましい。ポリシロキサンの合成に用いられるシラン化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基;
シクロプロペニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等のシクロアルケニル基などが挙げられる。
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基などが挙げられる。
−SO−、−SO2−、−SO2O−、−SO3−等のヘテロ原子のみからなる基;
−CO−、−COO−、−COS−、−CONH−、−OCOO−、−OCOS−、−OCONH−、−SCONH−、−SCSNH−、−SCSS−等の炭素原子とヘテロ原子とを組み合わせた基などが挙げられる。
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、メチルトリス(ジメチルシロキシ)シラン等のアルキルトリアルコキシシラン類;
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン等のアルケニルトリアルコキシシラン類;
フェニルトリメトキシシラン等のアリールトリアルコキシシラン類;
4−メチルフェニルトリメトキシシラン等の芳香環上の水素原子の1つ以上がアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アミノ基若しくはアルキルカルボニルオキシ基により置換されてなるアリールトリアルコキシシラン類;
アラルキルトリアルコキシシラン類;
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−t−ブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン類;
テトラフェノキシシラン等のテトラアリールシラン類;
オキセタニルトリメトキシシラン、オキシラニルトリメトキシシラン、オキシラニルメチルトリメトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ基含有シラン類;
3−(トリメトキシシリル)プロピル無水コハク酸、2−(トリメトキシシリル)エチル無水コハク酸、3−(トリメトキシシリル)プロピル無水マレイン酸、2−(トリメトキシシリル)エチル無水グルタル酸等の酸無水物基含有シラン類;
テトラクロロシラン等のテトラハロシラン類などが挙げられる。
1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、
ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリル)メタン、
ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシリル)エタン、
1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメチルシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリメチルシリル)メタン、
ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン等のジシラン類;
ポリジメトキシメチルカルボシラン、ポリジエトキシメチルカルボシラン等のポリカルボシラン類などが挙げられる。
上記酸発生剤はオニウムカチオン及び酸アニオンを含む。上記オニウムカチオンは、脂環構造、脂肪族複素環構造及び鎖状置換基を有する芳香環構造のうち少なくとも1つを含む。上記酸発生剤は露光又は加熱により酸を発生する。この酸によりポリシロキサン等の分子鎖間で架橋反応が生起される。これにより、レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの形状が向上する。また、上記酸発生剤の上記オニウムカチオンが上記特定の構造を有しているため、上述のようにレジスト下層膜中で好適に分散された状態となり、その結果、酸発生剤に起因するレジスト下層膜における欠陥の発生が抑制されると考えられる。
オキサノルボルナン構造、アザノルボルナン構造、チアノルボルナン構造、ノルボルナンラクトン構造、オキサノルボルナンラクトン構造、ノルボルナンスルトン構造等の多環の構造などが挙げられる。
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
上記式(1−2)中、R2は、炭素数1〜20の1価の有機基である。p、q及びrは、それぞれ独立して、0〜2の整数である。pが2以上の場合、複数のR2は同一でも異なっていてもよい。
当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物が含有できるその他の成分としては、例えば溶媒、窒素含有化合物、β−ジケトン、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活性剤、塩基発生体等が挙げられる。
溶媒は、上記ポリシロキサン及びその他の任意成分を溶解又は分散することができる限り、特に限定されず用いることができる。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等の有機溶媒などが挙げられる。
4−メチル−2−ペンタノール、n−ヘキサノール等の炭素数1〜18の脂肪族モノアルコール系溶媒;
シクロヘキサノール等の炭素数3〜18の脂環式モノアルコール系溶媒;
1,2−プロピレングリコール等の炭素数3〜18の多価アルコール系溶媒;
プロピレングリコールモノエチルエーテル等の炭素数3〜19の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジ脂肪族エーテル系溶媒;
アニソール、ジフェニルエーテル等の含芳香環エーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル系溶媒等が挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、メチル−n−アミルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン、アセトフェノン等の鎖状ケトン系溶媒;
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒;
2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のジケトン系溶媒等が挙げられる。
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒;
N−メチルピロリドン、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン等の環状アミド系溶媒等が挙げられる。
酢酸n−ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;
γ−ブチロラクトン、バレロラクトン等のラクトン系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
n−ペンタン、iso−ペンタン、n−ヘキサン、iso−ヘキサン、n−ヘプタン、iso−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、iso−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、iso−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−iso−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;
ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン系溶媒などが挙げられる。
当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物は、水を含有してもよい。水を含有するとポリシロキサンが水和されるため、保存安定性が向上する。また、水を含有するとレジスト下層膜の成膜時の硬化が促進され、緻密な膜を得ることができる。
窒素含有化合物は、塩基性アミノ基を有する化合物、又は酸の作用により塩基性アミノ基となる基を有する化合物である。窒素含有化合物は当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物から得られるレジスト下層膜のアッシング耐性等の特性を向上させる効果を有する。この効果は、窒素含有化合物がレジスト下層膜に存在することにより、レジスト下層膜中の架橋反応が促進されるためと考えられる。
当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物は、例えばポリシロキサン、酸発生剤及び任意でその他の成分を混合し、溶媒に溶解または分散して得られる。当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物の固形分濃度の下限としては、0.5質量%が好ましく、1質量%がより好ましい。一方、上記固形分濃度の上限としては、20質量%が好ましく、10質量%がより好ましい。
本発明のパターン形成方法は、基板の一方の面側に、レジスト下層膜を形成する工程(以下、「レジスト下層膜形成工程」ともいう)、上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側に、レジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)、及び上記レジストパターンをマスクとし、上記レジスト下層膜及び基板を順次ドライエッチングする工程(以下、「ドライエッチング工程」ともいう)を備える。以下、各工程について説明する。
レジスト下層膜形成工程では、当該レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物を被加工基板の一方の面側に塗布し、その後加熱することでポリシロキサンを架橋させ、レジスト下層膜を形成する。
レジストパターン形成工程は、例えば感放射線性樹脂組成物を用い、上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜を形成する工程(以下、「レジスト膜形成工程」ともいう。)、上記レジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程」ともいう。)、及び有機溶媒を用い、上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう。)を備える。
本工程では、レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側に感放射線性樹脂組成物を塗布しレジスト膜を形成する。
感放射線性樹脂組成物は、例えば酸解離性基を有するベース重合体、酸発生体及び溶媒を含有する。また、感放射線性樹脂組成物はフッ素含有重合体、酸拡散制御剤等のその他の成分を含有してもよい。
本工程では、上記レジスト膜形成工程で形成したレジスト膜を露光する。この露光としては、例えば所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。
本工程では、上記露光工程で露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像し、乾燥処理等を行う。これにより、所定のレジストパターンを形成することができる。
ドライエッチング工程では、上記レジストパターンをマスクとし、上記レジスト下層膜をドライエッチングして下層パターンを形成する。その後、この下層パターンをマスクとし、上記被加工基板をドライエッチングして被加工基板にパターンを形成する。
シロキサン樹脂溶液0.5gを30分間250℃で焼成することで、樹脂溶液0.5gに対する固形分の重量を測定し、シロキサン樹脂溶液の固形分の含有割合を決定した。
重合体のMw及びMnは、下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
カラム:東ソー社の「G2000HXL」2本、「G3000HXL」1本及び「G4000HXL」1本
溶出溶媒:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流量:1.0mL/分
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
シュウ酸10.9gを水163.8gに加熱溶解させて、シュウ酸水溶液を調製した。次に、冷却管と添加装置を備えたテトラエトキシシラン252.6g(75モル%)、メチルトリメトキシシラン33.0g(15モル%)、フェニルトリメトキシシラン32.1g(10モル%)及びプロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)507.7gを入れた5Lのフラスコに、冷却管と、上記調製したシュウ酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。次いで、オイルバスにて60℃に加熱した後、シュウ酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレーターにセットし、反応により生成したアルコールを留去した。得られた溶液に、692.0gのプロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)を加えてからエバポレーターでPGEE等を留去して溶媒置換を行うことにより、ポリシロキサンを含む混合液(以下、「ポリシロキサン混合液」ともいう)846.0gを得た。得られたポリシロキサン混合液の固形分濃度は、焼成法により測定した結果、6.9質量%であった。また、GPC測定の結果、ポリシロキサンのMwは3,000であった。
レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物の調製に用いた各成分を以下に示す。
B−1:下記式(B−1)で示す化合物
B−2:下記式(B−2)で示す化合物
B−3:下記式(B−3)で示す化合物
B−4:下記式(B−4)で示す化合物
B−5:下記式(B−5)で示す化合物
B−6:下記式(B−6)で示す化合物
B−7:下記式(B−7)で示す化合物
C−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
C−2:プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)
レジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物の調製において、溶液タンク、フィルタA、フィルタB、ダイヤフラムポンプ及びテフロン(登録商標)製チューブ(内径4mm、長さ200mm)を備える循環濾過装置を用いた。上記フィルタAとして、ポリアミド系合成繊維膜(日本ポール社の「フィルターカプセル フォトクリーDDF ウルチプリーツ・P−ナイロン」、孔径20nm、濾布面積0.53m2)を用い、上記フィルタBとして、ポリエチレン膜(日本ポール社の「フィルターカプセル フォトクリーンDDF PE−クリーン」、孔径10nm、濾布面積0.51m2)を用いた。この際フィルタAが上流側、フィルタBが下流側となるようにし、2つのフィルタをテフロン(登録商標)製チューブ(内径4mm、長さ100mm)で接続した。
下記表1に示す種類及び使用量の各化合物を用いた以外は、実施例1と同様にして実施例2〜4及び比較例1〜3のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物を得た。
12インチシリコンウエハー表面に、上記実施例及び比較例のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物をスピンコーター(東京エレクトロン社の「ACT12」)を用いてインラインで塗布し、215℃で60秒間ベークを行い、平均厚み33nmのレジスト下層膜を形成した欠陥検査用基板を得た。得られた欠陥検査用基板について、欠陥検査装置(ケー・エル・エー・テンコール社の「KLA2810」)を用いて、ピクセルサイズ0.23μm、閾値10の条件下で欠陥数を測定した。欠陥抑制性は、欠陥検査用基板1枚あたりの欠陥数が25個以下の場合は「A」とし、25個を超えた場合は「B」と評価した。これらの評価のうち、Aを合格とした。この欠陥数及び評価を表2に示す。
以下の手順により、レジスト下層膜上に形成されたパターンの形状について評価した。
ベース重合体(a−1)及びフッ素含有重合体(a−2)の合成に用いた化合物を以下に示す。
下記化合物(M−1)12.9g(50モル%)及び化合物(M−2)17.1g(50モル%)を、メチルエチルケトン60gに溶解し、さらに2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)1.77gを投入して溶解させ、単量体溶液を調製した。次に、30gのメチルエチルケトンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱して、上記単量体溶液を滴下漏斗を用い、3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応溶液を水冷し30℃以下に冷却し、600gのメタノールへ投入して、析出した白色粉末を濾別した。濾別した白色粉末をそれぞれ150gのメタノールを用い、2回、スラリー状にして洗浄した後、再度濾別し、50℃にて17時間乾燥して白色粉末のベース重合体(a−1)を得た(収率80%)。13C−NMRの結果、ベース重合体(a−1)における化合物(M−1)/(M−2)に由来する構造単位の含有割合は49/51(モル%)であった。また、ベース重合体(a−1)のMwは6,900、Mw/Mnは1.35であった。
下記化合物(M−3)10.4g(30モル%)及び化合物(M−4)19.6g(70モル%)を、メチルエチルケトン60gに溶解し、さらに2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.91g(5モル%)を投入し、単量体溶液を調製した。次に、30gのメチルエチルケトンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、溶液を水冷し30℃以下に冷却し、600gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末を濾別した。濾別した白色粉末を150gのメタノールにて2回スラリー状にして洗浄した後、再度濾別し、50℃にて12時間乾燥して白色粉末のフッ素含有重合体(a−2)を得た(収率68%)。13C−NMRの結果、フッ素含有重合体(a−2)における(M−3)/(M−4)に由来する構造単位の含有割合は、31/69(モル%)であった。また、フッ素含有重合体(a−2)のMwは5,900、Mw/Mnは1.58であった。
b−1:トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−6−(1−アダマンタンカルボニロキシ)−ヘキサン−1−スルホネート(下記式(b−1)で表される化合物)
c−1:トリフェニルスルホニウムサリチレート(下記式(c−1)で表される化合物)
d−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
d−2:シクロヘキサノン
d−3:γ−ブチロラクトン
ベース重合体(a−1)100質量部、フッ素含有重合体(a−2)3質量部、酸発生剤(b−1)10.8質量部、酸拡散制御剤(c−1)4.3質量部並びに溶媒(d−1)2,185質量部、溶媒(d−2)935質量部及び溶媒(d−3)30質量部を混合して感放射線性樹脂組成物(J−1)を調製した。
12インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料(JSR社の「HM8006」)をスピンコートした。スピンコートには、塗布/現像装置(東京エレクトロン社の「CLEAN TRACK ACT12」)を使用した(以下、特に記載のないものについては同じ装置を用いた)。その後、PB(250℃、60秒)を行うことにより平均厚み100nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、実施例1のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物(S−1)をスピンコートし、PB(220℃、60秒)した後、冷却(23℃、60秒)することにより平均厚み30nmのレジスト下層膜を形成した。レジスト下層膜の平均厚みは、膜厚測定装置(、J.A.Woollam社の「M−2000D」)で測定した。次いで、感放射線性樹脂組成物(J−1)を形成したレジスト下層膜上にスピンコートし、PB(90℃、60秒)した後、冷却(23℃、30秒)することにより平均厚み100nmのレジスト膜を形成した。
Claims (8)
- ポリシロキサン及び酸発生剤を含有するレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物であって、
上記酸発生剤がオニウムカチオン及び酸アニオンを含み、
上記オニウムカチオンが、脂環構造、脂肪族複素環構造、鎖状置換基を有する芳香環構造又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とするレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物。 - 上記オニウムカチオンが脂環構造、脂肪族複素環構造又はこれらの組み合わせを含む請求項1に記載のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物。
- 上記酸アニオンを構成する原子の原子量の和が350以下である請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物。
- 上記オニウムカチオンが、下記式(1−1)で表されるカチオン、下記式(1−2)で表されるカチオン又はこれらの組み合わせを含む請求項1、請求項2又は請求項3に記載のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物。
式(1−2)中、R2は、炭素数1〜20の1価の有機基である。p、q及びrは、それぞれ独立して、0〜2の整数である。pが2以上の場合、複数のR2は同一でも異なっていてもよい。) - 基板の一方の面側に、レジスト下層膜を形成する工程、
上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側に、レジストパターンを形成する工程、及び
上記レジストパターンをマスクとし、上記レジスト下層膜及び基板を順次ドライエッチングする工程
を備え、
上記レジスト下層膜を請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用ポリシロキサン組成物により形成するパターン形成方法。 - 上記レジストパターンを形成する工程が、
感放射線性樹脂組成物を用い、上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜を形成する工程、
上記レジスト膜を露光する工程、及び
有機溶媒を用い、上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を備える請求項7に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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