JP2016021493A - 光伝送装置および製造方法 - Google Patents
光伝送装置および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016021493A JP2016021493A JP2014144580A JP2014144580A JP2016021493A JP 2016021493 A JP2016021493 A JP 2016021493A JP 2014144580 A JP2014144580 A JP 2014144580A JP 2014144580 A JP2014144580 A JP 2014144580A JP 2016021493 A JP2016021493 A JP 2016021493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- cooling plate
- conversion element
- electronic circuit
- vcsel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
(実施の形態1にかかる光伝送装置)
図1Aは、実施の形態1にかかる光伝送装置の一例を示す断面図である。図1Aに示すように、実施の形態1にかかる光伝送装置100は、パッケージ基板101と、CMOSチップ110と、冷却部材170と、VCSEL160と、を備える光送信装置である。
CMOSチップ110は、たとえばCPUなどの電子回路の一部である。CMOSチップ110は、CMOS111と、配線層131と、を備える。CMOS111(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補型金属酸化膜半導体)は、P型トランジスタとN型トランジスタを組み合わせた半導体である。図1Aに示す例では、CMOS111は、たとえばVCSEL160への電源供給およびVCSEL160の制御を行う。
配線層131は、電気配線132〜134を有する。電気配線132は、バンプ104と、ソース113と、TSV141と、を接続する電気配線である。バンプ104は電気配線132の上面に設けられる。電気配線133は、ドレイン115と、ドレイン116と、バンプ105と、を接続する電気配線である。バンプ105は電気配線133の上面に設けられる。電気配線134は、ソース114と、TSV142と、を接続する電気配線である。
TSV141,142(Through−Silicon Via:シリコン貫通電極)は、CMOS111の半導体112を貫通する電極(ビア)である。TSV141は、電気配線132と端子151とを接続する。TSV142は、電気配線134と端子152とを接続する。
端子151,152は、CMOSチップ110におけるVCSEL160が設けられる面とは反対の面(下面)に設けられた電極である。端子151は、TSV141とバンプ102とを接続する。端子152は、TSV142とバンプ103とを接続する。端子151,152の少なくとも一方は、CMOSチップ110に対する電源供給を受ける電源端子である。
冷却部材170は、クーリングプレート171,172の間にヒートインシュレータ173を挟んだ冷却部材である。クーリングプレート171,172のそれぞれには、たとえばアルミニウムや銅などの金属板を用いることができる。
図1Bは、実施の形態1にかかる光伝送装置の変形例を示す断面図である。図1Bにおいて、図1Aに示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図1Bに示すように、光伝送装置100は、放熱部材181,182を備えていてもよい。放熱部材181,182のそれぞれには、たとえば放熱フィンなどの各種の放熱部材を用いることができる。
図2は、VCSELの裏面の一例を示す下面図である。VCSEL160のうちのCMOSチップ110の側の面(裏面)には、たとえば、図2に示すように、端子161〜164が設けられている。端子161は、上述したようにたとえば接地電極(GND)である。端子162は、上述したようにたとえば信号電極(Signal)である。
図3は、CMOSチップの側のクーリングプレートの一例を示す上面図である。図3に示すように、CMOSチップ110の側のクーリングプレート171は、たとえば、接続部301と、放熱部材設置部302と、を備える。図3に示す例では、接続部301は、4×4のマトリクス状に16個設けられている。
図4は、光電変換素子の側のクーリングプレートの一例を示す上面図である。図4に示すように、VCSEL160(光電変換素子)の側のクーリングプレート172は、たとえば、接続部401と、放熱部材設置部402と、を備える。図4に示す例では、接続部401は、図3に示したクーリングプレート171の接続部301に対応して、4×4のマトリクス状に16個設けられている。
図5は、ヒートインシュレータの一例を示す上面図である。図5に示すように、ヒートインシュレータ173は、たとえば、接続部501を備える。図5に示す例では、接続部501は、図3に示したクーリングプレート171の接続部301や、図4に示したクーリングプレート172の接続部401に対応して、4×4のマトリクス状に16個設けられている。
図6A〜図6Fは、光伝送装置の製造プロセスの一例を示す図である。光伝送装置100は、たとえば再配線プロセスを用いる場合に、図6A〜図6Fに示す製造プロセスによって製造することができる。図6A〜図6Fにおいて、図1Aに示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。
実施の形態2について、実施の形態1と異なる部分について説明する。
図7は、実施の形態2にかかる光伝送装置の一例を示す断面図である。図7において、図1Aに示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図7に示すように、実施の形態2にかかる光伝送装置100は、図1Aに示したVCSEL160に代えてPD710を備える光受信装置である。
図8は、PDの裏面の一例を示す下面図である。PD710のうちのCMOSチップ110の側の面(裏面)には、たとえば、図8に示すように、端子711〜714が設けられている。端子711は、上述したようにたとえば接地電極(GND)である。端子712は、上述したようにたとえば信号電極(Signal)である。
実施の形態3について、実施の形態1と異なる部分について説明する。
図9は、実施の形態3にかかる光伝送装置の一例を示す断面図である。図9において、図1Aに示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図9に示すように、実施の形態3においては、VCSEL160の接地電極である端子161がクーリングプレート172に接続されている。
図10は、光電変換素子の側のクーリングプレートの一例を示す上面図である。図10において、図4に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図10に示すように、実施の形態3においては、光電変換素子(たとえばVCSEL160)の側のクーリングプレート172の接続部401のそれぞれは、図4に示した開口部(GND)に代えて接地パッド(GND)が設けられている。
前記電子回路の面に対して突起状の端子を介して電気的に接続された光電変換素子と、
前記電子回路と前記光電変換素子との間に設けられ、前記電子回路から前記光電変換素子への熱移動を遮る断熱材と、
前記電子回路と前記断熱材との間に設けられ、前記電子回路を冷却する第1冷却板と、
前記断熱材と前記光電変換素子との間に設けられ、前記光電変換素子を冷却する第2冷却板と、
を備えることを特徴とする光伝送装置。
前記断熱材は絶縁体であり、
前記第2冷却板に前記光電変換素子の接地電極が接続される、
ことを特徴とする付記1に記載の光伝送装置。
相補型金属酸化膜半導体と、
前記相補型金属酸化膜半導体と前記光電変換素子とを接続する配線を含む配線層と、
自回路の面のうちの前記光電変換素子が接続される面の反対側の面に設けられ、自回路への電源供給を受ける電源端子と、
前記相補型金属酸化膜半導体の半導体部分を貫通し、前記配線層と前記電源端子とを接続する電極と、
を有することを特徴とする付記1または2に記載の光伝送装置。
前記第1冷却板の前記延出部に設けられ、前記第1冷却板の熱を放散する放熱部材を備えることを特徴とする付記1〜3のいずれか一つに記載の光伝送装置。
前記第2冷却板の前記延出部に設けられ、前記第2冷却板の熱を放散する放熱部材を備えることを特徴とする付記1〜4のいずれか一つに記載の光伝送装置。
前記電子回路に対して、前記電子回路を冷却する第1冷却板と、前記光電変換素子を冷却する第2冷却板と、前記第1冷却板と前記第2冷却板との間に設けられ前記電子回路から前記光電変換素子への熱移動を遮る断熱材と、を含む冷却部材を設け、
前記冷却部材の面のうちの前記電子回路と反対側の面に前記光電変換素子を設け、前記光電変換素子を前記電子回路の面に対して突起状の端子を介して電気的に接続する、
ことを特徴とする製造方法。
101 パッケージ基板
102〜105,606〜609 バンプ
110 CMOSチップ
111 CMOS
112 半導体
113,114 ソース
115,116 ドレイン
117,118 酸化膜
119,120 ゲート
121〜123 絶縁体
131 配線層
132〜134 電気配線
141,142 TSV
151,152,161〜164,711〜714 端子
160 VCSEL
165 レーザ光
170 冷却部材
171,172 クーリングプレート
173 ヒートインシュレータ
181,182 放熱部材
191〜193 発熱
301,401,501 接続部
302,402 放熱部材設置部
601,602 バンプパッド
603 樹脂
604,605 開口部
710 PD
715 入射光
Claims (4)
- 電子回路と、
前記電子回路の面に対して突起状の端子を介して電気的に接続された光電変換素子と、
前記電子回路と前記光電変換素子との間に設けられ、前記電子回路から前記光電変換素子への熱移動を遮る断熱材と、
前記電子回路と前記断熱材との間に設けられ、前記電子回路を冷却する第1冷却板と、
前記断熱材と前記光電変換素子との間に設けられ、前記光電変換素子を冷却する第2冷却板と、
を備えることを特徴とする光伝送装置。 - 前記第1冷却板および前記第2冷却板は電気伝導体であり、
前記断熱材は絶縁体であり、
前記第2冷却板に前記光電変換素子の接地電極が接続される、
ことを特徴とする請求項1に記載の光伝送装置。 - 前記電子回路は、
相補型金属酸化膜半導体と、
前記相補型金属酸化膜半導体と前記光電変換素子とを接続する配線を含む配線層と、
自回路の面のうちの前記光電変換素子が接続される面の反対側の面に設けられ、自回路への電源供給を受ける電源端子と、
前記相補型金属酸化膜半導体の半導体部分を貫通し、前記配線層と前記電源端子とを接続する電極と、
を有することを特徴とする請求項1または2に記載の光伝送装置。 - 電子回路と、前記電子回路に対して電気的に接続された光電変換素子と、を備える光伝送装置の製造方法において、
前記電子回路に対して、前記電子回路を冷却する第1冷却板と、前記光電変換素子を冷却する第2冷却板と、前記第1冷却板と前記第2冷却板との間に設けられ前記電子回路から前記光電変換素子への熱移動を遮る断熱材と、を含む冷却部材を設け、
前記冷却部材の面のうちの前記電子回路と反対側の面に前記光電変換素子を設け、前記光電変換素子を前記電子回路の面に対して突起状の端子を介して電気的に接続する、
ことを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014144580A JP2016021493A (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 光伝送装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014144580A JP2016021493A (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 光伝送装置および製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016021493A true JP2016021493A (ja) | 2016-02-04 |
Family
ID=55266162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014144580A Ceased JP2016021493A (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 光伝送装置および製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016021493A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021230004A1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10126081A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 断熱装置 |
JP2001267639A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子搭載基板及び多波長光源 |
WO2004100168A1 (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ装置 |
JP2011146603A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 検出装置、受光素子アレイ、電子機器、およびこれらの製造方法 |
JP2012142458A (ja) * | 2010-12-30 | 2012-07-26 | Zycube:Kk | インターポーザ及びそれを用いた半導体モジュール |
-
2014
- 2014-07-14 JP JP2014144580A patent/JP2016021493A/ja not_active Ceased
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10126081A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 断熱装置 |
JP2001267639A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子搭載基板及び多波長光源 |
WO2004100168A1 (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ装置 |
JP2011146603A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 検出装置、受光素子アレイ、電子機器、およびこれらの製造方法 |
JP2012142458A (ja) * | 2010-12-30 | 2012-07-26 | Zycube:Kk | インターポーザ及びそれを用いた半導体モジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021230004A1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10453802B2 (en) | Semiconductor package structure, semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4464974B2 (ja) | ダイを冷却するための熱電素子を有するマイクロエレクトロニクスアセンブリ及びその製造方法 | |
KR100870292B1 (ko) | 다이를 냉각시키는 열전기 소자를 구비한 마이크로전자어셈블리 및 그 제조 방법 | |
US20070045804A1 (en) | Printed circuit board for thermal dissipation and electronic device using the same | |
TWI508238B (zh) | 晶片散熱系統 | |
US10211123B2 (en) | Semiconductor memory device and a chip stack package having the same | |
JP2005064384A (ja) | インターフェイスモジュール付lsiパッケージ及びそれに用いるヒートシンク | |
US7298028B2 (en) | Printed circuit board for thermal dissipation and electronic device using the same | |
JP2016096329A (ja) | 複数の光素子からの熱除去 | |
WO2020225578A1 (en) | Heat removal from silicon photonics chip using a recessed side-by-side thermal dissipation layout | |
US7723843B2 (en) | Multi-package module and electronic device using the same | |
US7759789B2 (en) | Local area semiconductor cooling system | |
CN114035282A (zh) | 一种光模块 | |
KR102492530B1 (ko) | 열 방출 소자, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 반도체 소자 | |
JP5115200B2 (ja) | 電子素子、それを有するパッケージ及び電子装置 | |
TWI722533B (zh) | 散熱基板及其製作方法 | |
TWI809017B (zh) | 光電混合基板 | |
JP2016021493A (ja) | 光伝送装置および製造方法 | |
TWI702887B (zh) | 軟性線路板結構 | |
KR102038602B1 (ko) | 고방열 팬아웃 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI791648B (zh) | 封裝結構 | |
KR20030011159A (ko) | 반도체패키지 | |
US11856856B2 (en) | Thermal conduction unit, electronic module and heat dissipating device | |
JP3208579B2 (ja) | 3次元光電子集積回路装置 | |
JP6060518B2 (ja) | 電子モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171218 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20171225 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171226 |
|
AA92 | Notification that decision to refuse application was cancelled |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20180116 |