TWI791648B - 封裝結構 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種封裝結構，包括：第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、及晶片。上述第二絕緣層設置在第一絕緣層上，上述晶片設置在第二絕緣層中，且第三絕緣層設置在第二絕緣層上。其中第二絕緣層之導熱係數小於第一絕緣層之導熱係數，且第二絕緣層之硬度小於第一絕緣層之硬度。

Description

封裝結構

本發明係關於一種封裝結構，且特別關於一種增強導熱功能的封裝結構。

積體電路（integrated circuit，IC）工業已經歷了指數增長。積體電路材料及設計的技術改進已產生了數個世代的積體電路，每一世代的積體電路都具有比上一世代更小及更複雜的電路，並且已應用於日常生活中的各種裝置中(例如手機、變壓器、電池、汽車等)。為了進一步增加積體電路裝置的效能，業界致力於尋求各種可提高生產效率和降低相關成本的微縮化方法。舉例來說，在行動電話中，由於基板佔據了一定的空間，從而造成其他元件(如電池)的空間受限。若可降低基板所佔據的空間，則這些額外的空間可被靈活地運用，以滿足使用者的需求。

在降低基板的大小時使用了各種封裝結構，而對需要較大電流的裝置中的封裝結構來說，較大的電流會產生較多的熱量，若熱量累積在上述裝置中，則可能會造成效率下降或損壞裝置。因此，如何讓上述封裝結構達成進一步散熱始成為一重要之課題。

本發明提供一種封裝結構，包括：第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、及晶片。上述第二絕緣層設置在第一絕緣層上，上述晶片設置在第二絕緣層中，上述第三絕緣層設置在第二絕緣層上。其中第二絕緣層之導熱係數小於第一絕緣層之導熱係數，且第二絕緣層之硬度小於第一絕緣層之硬度。

如本發明一些實施例所述之封裝結構，其中第一絕緣層之材料包括陶瓷材料，且第二絕緣層之材料包括樹脂材料。第二絕緣層之材料不包括玻璃纖維。第二絕緣層之導熱係數小於第三絕緣層之導熱係數，且第二絕緣層之硬度小於第三絕緣層之硬度。第三絕緣層之材料包括陶瓷材料。

如本發明一些實施例所述之封裝結構，其中第三絕緣層包括金屬層及絕緣薄膜，上述絕緣薄膜係設置在金屬層上。上述封裝結構更包括彈性層、電子元件，設置在第一絕緣層上。第一絕緣層之導熱係數小於第三絕緣層之導熱係數，且第一絕緣層之硬度小於第三絕緣層之硬度。第一絕緣層中之陶瓷材料之厚度大於第一絕緣層之厚度的50%。其中第二絕緣層之厚度大於該第一絕緣層之厚度及大於第三絕緣層之厚度，第三絕緣層之厚度大於第一絕緣層之厚度。

如本發明一些實施例所述之封裝結構，其中第一絕緣層之材料包括金屬層及第一絕緣薄膜，第二絕緣層之材料包括樹脂材料，且第一絕緣薄膜係設置在金屬層上，第三絕緣層之材料包括陶瓷材料。其中第三絕緣層包括金屬層及第二絕緣薄膜，上述金屬層包括導電部及絕緣部，且導電部與絕緣部電性隔離。從平行第一絕緣層及第二絕緣層間界面的方向觀察，第一絕緣層與第二絕緣層不重疊，且第二絕緣層與第三絕緣層不重疊。封裝結構更包括第一導線層、第二導線層、及導孔，其中第一導線層係設置在第一絕緣層及第二絕緣層間，第二導線層係設置在第二絕緣層及第三絕緣層間，且導孔電性連接晶片、第一導線層、及第二導線層。

以下公開許多不同的實施方法或是範例來實行所提供之標的之不同特徵，以下描述具體的元件及其排列的實施例以闡述本發明。當然這些實施例僅用以例示，且不該以此限定本發明的範圍。

此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示，這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。此外，在本發明中的在另一特徵部件之上形成、連接到及/或耦接到另一特徵部件可包括其中特徵部件形成為直接接觸的實施例，並且還可包括其中可形成插入上述特徵部件的附加特徵部件的實施例，使得上述特徵部件可能不直接接觸。此外，其中可能用到與空間相關用詞，例如“在…下方”、“下方”、“水平的”、“垂直的”、“上方”、“較高的”、＂下方＂、＂較低的＂、＂上＂、＂下＂、＂頂＂、＂底＂及類似的用詞（如＂水平地＂、＂向下地＂、＂向上地＂等），這些空間相關用詞係為了便於描述圖示中一個（些）元件或特徵與另一個（些）元件或特徵之間的關係，這些空間相關用詞旨在涵蓋包括特徵的裝置的不同方向。

請參閱第1A圖，其繪示一實施例的封裝結構1a。上述封裝結構1a主要包括第一絕緣層10r、第二絕緣層20、第三絕緣層30r、晶片40、以及用以將晶片40與外部其他元件電性連接的內連線結構。上述第一絕緣層10r係設置在第二絕緣層20上，第二絕緣層20係設置在第三絕緣層30r上，且晶片40係設置在第二絕緣層20中。

上述內連線結構包括設置在第一絕緣層10r上的導線層50、設置在第一絕緣層10r及第二絕緣層20間的導線層51、設置在第二絕緣層20及第三絕緣層30r間的導線層52、設置在第三絕緣層30r上的導線層53、設置在第一絕緣層10r中的導孔60、設置在第二絕緣層20中的導孔61、62、及設置在第三絕緣層30r中的導孔63。在晶片40及導孔61之間還設置有導電墊70。鈍化層80及鈍化層81分別設置在第一絕緣層10r及第三絕緣層30r朝向封裝結構1a外部的表面上，並且分別覆蓋部分導線層50及導線層53。

此外，可在形成第二絕緣層20後，使用合適的壓合製程(例如熱壓製程)，使第一絕緣層10r及第三絕緣層30r與第二絕緣層20結合，進而形成上述封裝結構1a。

在上述內連線結構中，導孔60電性連接導線層50、51，導孔61電性連接導線層52，且通過導電墊70電性連接晶片40，導孔62電性連接導線層51、52，導孔63電性連接導線層52、53。應理解的是，上述繪示的導線層50、51、52、53及導孔60、61、62、63的位置僅是示例性的，其實際配置可以根據設計及製造需求而變化。雖然上述導孔60、61、62、63係繪示成梯形，但本發明並不以此為限。舉例來說，亦可使用合適的製程(例如鑽孔製程)，使得導孔具有筆直的側壁。此外，雖然在第1A圖中，在導線層及導孔之間繪示一界面，但其僅為示例，亦可藉由合適的製程使導線層及導孔間不具有明顯的界面。導線層50、51、52、53可藉由例如雷射打線的方式所形成。

上述導線層50、51、52、53及導孔60、61、62、63可包括合適的導電材料，例如鎢、鋁、鈷或銅等合適的導電材料。本領域通常技術人士將理解用於導線層50、51、52、53及導孔60、61、62、63的其它導電材料係在本實施例的範圍及精神內。

鈍化層80、81用以保護封裝結構1a中的各種元件，且在鈍化層80、81上具有多個開口，以分別露出部分的導線層50、53，藉以與外部電路連接。於一些實施例中，鈍化層80、81係由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合所形成。於一些實施例中，鈍化層80、81係由高分子所形成。於一些實施例中，鈍化層80、81係由化學氣相沉積製程、旋轉塗佈製程、濺鍍製程或其組合所形成。

上述第一絕緣層10r及第三絕緣層30r的材料可為相同或相似的樹脂材料，例如FR-4或BT(Bismaleimide Triazine，雙馬來醯亞胺-三氮雜苯)等樹脂材料。第二絕緣層20的材料可與第一絕緣層10r及第三絕緣層30r不同，例如為其他導熱係數較第一絕緣層10r及第三絕緣層30r高之樹脂材料。此外，第二絕緣層20不需使用玻璃纖維，進而可降低製造成本並簡化製程。然而，在第一絕緣層10r及第三絕緣層30r皆使用導熱係數較低的樹脂材料(例如＜2W/mK)所形成的條件下，封裝結構1a中的元件(如晶片40或其他周邊元件)在運作時所產生的熱較難被有效地導出封裝結構1a，因此會造成整體結構溫度升高，連帶使得效能受到限制。

請參閱第1B圖，其繪示本發明一實施例的封裝結構1b。封裝結構1b與上述封裝結構1a類似，差異在封裝結構1b的第一絕緣層10c與封裝結構1a的第一絕緣層10r不同，其餘相同或相似的部件細節於此不再贅述。

在本實施例中，第一絕緣層10c係使用導熱係數比第一絕緣層10r高的陶瓷材料所形成，例如氧化鋁或氮化鋁等合適的陶瓷材料。第一絕緣層10c的導熱係數例如大於20W/mK。藉由這種配置方式，可使封裝結構1b中的晶片40所產生的熱以較快的速率傳導到外部，進而提升整體的效能。此外，還可藉此控制散熱方向。再者，相較於樹脂製的第一絕緣層10r，由於陶瓷製的第一絕緣層10c較不易變形且硬度較高，因此可使得封裝結構1b較不易發生翹曲的問題，進而增加連接的可靠度。此外，在第一絕緣層10c與樹脂材料製成的第二絕緣層20接合後，由於第一絕緣層10c的表面較粗糙，可提升與第二絕緣層20的接合強度。

應注意的是，上述第一絕緣層10c中之陶瓷材料之厚度係大於第一絕緣層10c總厚度的50%。藉此可確保第一絕緣層中具有足夠的陶瓷材料，以達成前述優點。此外，沿著第1B圖中的X方向觀察(平行第一絕緣層10c及第二絕緣層20間界面的方向)觀察，封裝結構1b的第一絕緣層10c與第二絕緣層20不重疊，且第二絕緣層20與第三絕緣層30r不重疊。藉由這種配置方式，可簡化封裝結構1b的生產製程並且降低成本。再者，沿著第1B圖中的Z方向觀察(垂直第一絕緣層10c及第二絕緣層20間界面的方向)，第一絕緣層10c、第三絕緣層30r會與晶片40至少部分重疊，因此可進一步提升在Z方向上的導熱效果。

此外，上述第一絕緣層10c與第二絕緣層20係在不同的步驟中分別形成，之後再用合適的製程結合(例如熱壓製程)，以防止在形成第一絕緣層10c的製程中損壞第二絕緣層20及第二絕緣層20中的晶片40。

請參閱第1C圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1c。封裝結構1c與上述封裝結構1a類似，差異在封裝結構1c的第一絕緣層10c及第三絕緣層30c與封裝結構1a的第一絕緣層10r、第三絕緣層30r不同，其餘相同或相似的部件細節於此不再贅述。在本實施例中，第一絕緣層10c及第三絕緣層30c係使用導熱係數比第一絕緣層10r及第三絕緣層30r高的陶瓷材料所形成，例如氧化鋁或氮化鋁等合適的陶瓷材料。因此，可進一步地將晶片40所散發之熱量向外導出，避免過熱的問題，使整體效能提升。此外，還可藉此控制散熱方向。再者，相較於樹脂製的第一絕緣層10r及第三絕緣層30r，由於陶瓷製的第一絕緣層10c及第三絕緣層30c較不易變形且硬度較高，因此可使得封裝結構1c較不易發生翹曲的問題，進而增加連接的可靠度。此外，在第一絕緣層10c及第三絕緣層30c與樹脂材料製成的第二絕緣層20接合後，由於第一絕緣層10c及第三絕緣層30c的表面較粗糙，可提升與第二絕緣層20的接合強度。

請參閱第1D圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1d。封裝結構1d與前述封裝結構1b之結構類似，差別是在第一絕緣層10c及第三絕緣層30r上進一步設置了彈性層E ，而其餘相同或相似的部件細節於此不再贅述。彈性層E的材料例如為樹脂等彈性材料，此外不含玻璃纖維，並且彈性層E可與第一絕緣層10c黏合。藉此，即使第一絕緣層10c遭受外力衝擊而碎裂，彈性層E可緊黏碎裂的第一絕緣層10c，以防止碎片散落而造成裝置損壞。

請參閱第1E圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1e。封裝結構1e與前述封裝結構1a之結構類似，差別在於封裝結構1e的第一絕緣層係從第一絕緣層10r替換為上下兩面具有絕緣薄膜F，並由金屬材料所形成(例如鋁或銅)的第一絕緣層10m，其餘相同或相似的部件細節於此不再贅述。絕緣薄膜F係例如可藉由陽極處理或其他方法所形成，以防止第一絕緣層10m中的金屬材料與其他導電結構(例如前述內連線結構)接觸處發生短路。

由於第一絕緣層10m是使用導熱係數比前述第一絕緣層10c高的材料所形成，從而可進一步地將封裝結構1e中各元件運作時所產生的熱量導出，以達成防止過熱、控制散熱方向以及提升效率的優點。此外，由於金屬材料製成的第一絕緣層10m相較於樹脂具有良好之延展性，並且第一絕緣層10m的硬度比第二絕緣層20高，因此設置第一絕緣層10m亦可提升對應接觸的其他部分遭受撞擊時的耐衝擊力。再者，上述第一絕緣層10m的厚度可設置為小於0.1μm，因此可使封裝結構1e進一步小型化。

由於第一絕緣層10m係以具有絕緣薄膜F的金屬所製成，因此需要特殊的結構來允許電性上下導通。請參閱第1F圖，其係第1E圖中區域R的放大圖。金屬製的第一絕緣層10m具有導電部11及絕緣部12，且導電部11及絕緣部12間以隔絕部H分隔。在本實施例中，在兩個隔絕部H間並未設置絕緣薄膜F，導電部11直接且電性連接排列在導電部11上方的導線層51及排列在導電部31下方的導線層50，而絕緣部12未直接連接導電部11正上方導線層51及排列在導電部31正下方的導線層50。在隔絕部H中，可不設置任何元件(即以空氣填充)，或者是設置合適的絕緣材料，以防止導電部11及絕緣部12間發生干擾或短路。亦即，導電部11於局部電性獨立。此外，可使用不同的材料形成導電部11及導線層51，以利於加工並且提升導電性。

請參閱第1G圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1f。封裝結構1f與前述封裝結構1a之結構類似，差別在於封裝結構1f的第一絕緣層10m及第三絕緣層30m係由金屬材料所形成(例如鋁或銅)。

在第一絕緣層10m及第三絕緣層30m上皆具有絕緣薄膜(未繪示)，以防止其中的金屬材料與其他導電結構(例如前述內連線結構)接觸處發生短路。可分別在第一絕緣層10m及第三絕緣層30m的上表面及下表面上設置絕緣薄膜，以確保各方向上的絕緣效果。藉由設置導熱係數高的金屬材料，可進一步增強封裝結構1f的散熱能力，以防止過熱並提升效率。此外，由於在封裝結構1f的上側及下側分別設置了金屬製的第一絕緣層10m及第三絕緣層30m，可防止來自封裝結構1f外部的電磁波干擾，使運作更加精確，並且不須在封裝結構1f外為了降低電磁干擾而再額外鍍製一金屬。

請參閱第1H圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1g。與前述實施例不同的是，在本實施例中係使用金屬材料製的第一絕緣層10m與陶瓷材料製的第三絕緣層30c的組合。由於金屬材料製的第一絕緣層10m與陶瓷材料製的第三絕緣層30c的導熱係數皆比樹脂材料高，從而可進一步將封裝結構1g運作時所產生的熱量導出，以防止過熱並增加效能。此外，由於陶瓷材料製的第三絕緣層30c所需的空間較小，因此可在對尺寸要求較高的地方使用這種結構，以同時兼具小型化及增加散熱功效的目的。

請參閱第1I圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1h。在本實施例中，第一絕緣層10r’及第三絕緣層30r’係以摻雜導電材料的樹脂材料形成。舉例來說，可摻雜氧化鋁、氮化鋁、金粉、銀粉、石墨等導電材料，以在第一絕緣層10r’及第三絕緣層30r’仍保持電性絕緣的條件下增加導熱係數，進而增加封裝結構1h的散熱速率，並達到較高的效能。

請參閱第1J圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構1i。與前述實施例不同的是，封裝結構1i之各絕緣層的厚度不同。如第1J圖所示，第三絕緣層30加上鈍化層81(上部絕緣層)具有厚度A，第二絕緣層20具有厚度B，且第一絕緣層10加上鈍化層80(下部絕緣層)具有厚度C，其中厚度B＞厚度C＞厚度A。由於上部絕緣層僅需與被動元件或外界絕緣，從而可降低其厚度，達到小型化的功效。下部絕緣層需與電路基板進行連接及承受衝擊，因此若將其厚度C設置為大於上部絕緣層的厚度A，可達到較佳的保護效果。由於在第二絕緣層20中設置了樹脂及各種元件(例如晶片40或其他積體電路元件)，從而厚度B係設置為大於厚度A及厚度C。

在一些實施例中，亦可選擇合適的材料，使得第一絕緣層之導熱係數小於第三絕緣層之導熱係數，且使得第一絕緣層之硬度小於第三絕緣層之硬度，增加設計的靈活性，以符合各種需求。

請參閱第2A圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構2a。封裝結構2a與前述封裝結構1c類似，差異在第一絕緣層10c上進一步設置了絕緣層90m。絕緣層90m可使用與前述實施例的第一絕緣層10m、第三絕緣層30m相同或相似的金屬材料所形成，並且在絕緣層90m上具有絕緣薄膜(未繪示)以防止絕緣層90m中的金屬材料與其他元件發生短路。在絕緣層90m兩側分別設置用以與外部電路連接的導線層54及導線層55，以及分別設置在導線層54及導線層55上的鈍化層82及鈍化層83。鈍化層82及鈍化層83與前述鈍化層80及81的材料、製程及用途類似，於此不再贅述。在絕緣層90m中還設置有導孔64，用以電性連接導線層54及導線層55。

在第2A圖中，絕緣層90m的寬度比前述第一絕緣層10c及第三絕緣層30c寬，從而可在絕緣層90m上設置額外的元件(例如其他被動元件等)，以達到更有效率的空間利用。此外，由於金屬材料形成的絕緣層90m的平面度較易控制，從而在封裝結構2a中設置絕緣層90m可使得封裝結構2a具有更佳的平面度。再者，由於額外設置了一層導熱係數高的絕緣層90m，可進一步增強散熱效率。

請參閱第2B圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構2b。封裝結構2b與前述封裝結構2a的差別在於封裝結構2b係使用金屬製的第一絕緣層10m、第三絕緣層30m以及陶瓷製的絕緣層90c所製成，而其他相同或相似的元件描述於此不再贅述。藉由在封裝結構2b設置比第一絕緣層10m、第三絕緣層30m寬度大的絕緣層90c，以提升整體結構的散熱效果。此外，可進一步在絕緣層90c上設置其他的元件(例如被動元件)，以更有效地利用空間。

請參閱第3A圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構3a。在本實施例中，與前述封裝結構1c不同的是，在第一絕緣層10c上還可設置另一個封裝結構，其包括絕緣層100(與第二絕緣層20相似)以及金屬製的絕緣層110m。絕緣層110m上設置有與前述第一絕緣層10m、第三絕緣層30m相似的絕緣薄膜(未繪示)，以防止絕緣層110m中的金屬材料與其他元件接觸而短路。

在第3A圖中，絕緣層100上下兩側分別設置了導線層56及導線層57，其中導線層56係設置在絕緣層100及第一絕緣層10c之間，並且與導孔60電性連接，而導線層57係設置在絕緣層100及絕緣層110m之間。在絕緣層110m背對絕緣層100的面上設置導線層58，且在導線層58上設置鈍化層84。此外，在絕緣層100中設置晶片41，且晶片41通過導電墊71及導孔67與導線層56電性連接。導線層56藉由設置在絕緣層100中的導孔65與導線層57電性連接，導線層57藉由設置在絕緣層110m中的導孔66與導線層58電性連接，而導線層58與外部的電路電性連接。

封裝結構3a允許在同個封裝結構中設置多層元件，從而可增加空間利用的效率，達到機構微型化的功效以及增加IC封裝的設計自由度。此外，由於封裝結構3a使用了導熱係數比傳統樹脂材料高的陶瓷製的第一絕緣層10c、第三絕緣層30c及金屬製的絕緣層110m，因此可使得封裝結構3a中元件運作時所產生的熱量更快地導出，以防止過熱並且增加效能。

雖然在第3A圖的實施例中的封裝結構3a係使用陶瓷製的第一絕緣層10c、第三絕緣層30c及金屬製的絕緣層110m，但本發明並不限於此。可視設置需求置換上述元件的材料。舉例來說，請參閱第3B圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構3b。在本實施例中係採用金屬製的第一絕緣層10m、第三絕緣層30m及陶瓷製的絕緣層110c。這種結構同樣可增加導熱效率、達到機構微型化的功效以及增加IC封裝的設計自由度。

請參閱第4A圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構5a。在封裝結構5a中，第一絕緣層10及第三絕緣層30的配置方式及材料可與前述實施例的第一絕緣層10c、10m及第三絕緣層30c、30m相同或相似。在本實施例中，可在水平方向同時設置多個晶片40，並且可在封裝結構5a上方設置電子元件120(如各種被動元件等)，並且可在封裝結構5a另一面設置焊球130，以與外部的其他元件焊接。由於使用了機械強度及平整性較佳的第一絕緣層10及第三絕緣層30，即使在第二絕緣層20中內埋多個晶片，仍然不會影響製程的精準度。此外，亦可提升各層之間的連接效果，加強整體的完整性。

然而，本發明並不限於此。舉例來說，可視設計需求在不同方向及位置上設置被動元件以及更改結構。舉例來說，請參閱第4B圖，其繪示本發明另一實施例的封裝結構5b。在第4B圖中，與前述第4A圖不同的是，電子元件120改為設置在封裝結構5b的下方，而焊球130設置在另一面上，以增加設計的彈性。

於上述實施例中，雖然將晶片40繪示為設置在相同的水平高度上，但本發明並不限於此。根據設計需求，亦可將第4A圖或第4B圖左方與右方的晶片40分別設置在不同的水平高度上，以增加設計的自由度。

綜上所述，本發明提供了一種封裝結構，具有第一絕緣層、第三絕緣層及設置在第一絕緣層及第三絕緣層間的第二絕緣層。第二絕緣層之導熱係數小於第一絕緣層及/或第三絕緣層之導熱係數，且第二絕緣層之硬度小於第一絕緣層及/或第三絕緣層之硬度。藉由這種配置方式，可使得封裝結構的元件於運作時所產生的熱量更有效率地導出，以防止封裝結構過熱。此外，亦可增加整體的結構強度，增加耐用性。

上述內容概述許多實施例的特徵，因此任何所屬技術領域中具有通常知識者，可更加理解本發明之各面向。任何所屬技術領域中具有通常知識者，可能無困難地以本發明為基礎，設計或修改其他製程及結構，以達到與本發明實施例相同的目的及/或得到相同的優點。任何所屬技術領域中具有通常知識者也應了解，在不脫離本發明之精神和範圍內做不同改變、代替及修改，如此等效的創造並沒有超出本發明的精神及範圍。

1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、2a、2b、3a、3b、4、5a、5b‧‧‧封裝結構10、10c、10m、10r、10r’‧‧‧第一絕緣層11‧‧‧導電部22‧‧‧絕緣部20‧‧‧第二絕緣層30、30c、30m、30r 、30r’‧‧‧第三絕緣層40、41‧‧‧晶片50、51、52、53、53’、54、55、56、57、58‧‧‧導線層60、61、61’、62、63、64、65、66、67‧‧‧導孔70、71‧‧‧導電墊80、81、82、83、84‧‧‧鈍化層90m、90c、100、110m、110c‧‧‧絕緣層120‧‧‧電子元件130‧‧‧焊球A、B、C‧‧‧厚度E‧‧‧彈性層H‧‧‧隔絕部R‧‧‧區域

以下將配合所附圖式詳述本發明之實施例。應注意的是，依據在業界的標準做法，多種特徵並未按照比例繪示且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本發明的特徵。 第1A圖為根據一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1B圖為根據本發明一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1C圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1D圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1E圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1F圖為第1E圖中區域R的放大圖。 第1G圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1H圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1I圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第1J圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第2A圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第2B圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第3A圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第3B圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第4A圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。 第4B圖為根據本發明另一實施例繪示的封裝結構的剖面圖。

1b‧‧‧封裝結構

10c‧‧‧第一絕緣層

20‧‧‧第二絕緣層

30r‧‧‧第三絕緣層

40‧‧‧晶片

50、51、52、53‧‧‧導線層

60、61、62、63‧‧‧導孔

70‧‧‧導電墊

80、81‧‧‧鈍化層

Claims (17)

1. 一種封裝結構，包括：一第一絕緣層；一第二絕緣層，設置在該第一絕緣層上；一晶片，設置在該第二絕緣層中；一第三絕緣層，設置在該第二絕緣層上；一第一導電結構，設置於該第二絕緣層中且具有漸縮的結構；以及一第二導電結構，設置於該第二絕緣層中且具有漸縮的結構；其中：該第一導電結構、該第二導電結構朝向相同的方向漸縮；沿著平行該第一絕緣層、該第二絕緣層之界面觀察時，該第一導電結構與該晶片不重疊；沿著平行該第一絕緣層、該第二絕緣層之界面觀察時，該第二導電結構與該晶片至少部分重疊；該第二絕緣層之導熱係數小於該第一絕緣層之導熱係數，且該第二絕緣層之硬度小於該第一絕緣層之硬度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該第一絕緣層之材料包括陶瓷材料，且該第二絕緣層之材料包括樹脂材料。
3. 如申請專利範圍第2項所述之封裝結構，其中該第二絕緣層之材料不包括玻璃纖維。
4. 如申請專利範圍第2項所述之封裝結構，其中該第二絕緣層之導熱係數小於該第三絕緣層之導熱係數，且該第二絕緣層之硬度小於該第三絕緣層之硬度。
5. 如申請專利範圍第4項所述之封裝結構，其中該第三絕緣層之材料包括陶瓷材料。
6. 如申請專利範圍第4項所述之封裝結構，其中該第三絕緣層包括一金屬層及一絕緣薄膜，且該絕緣薄膜係設置在該金屬層上。
7. 如申請專利範圍第2項所述之封裝結構，更包括一彈性層，設置在該第一絕緣層上。
8. 如申請專利範圍第7項所述之封裝結構，更包括一電子元件，設置在該第一絕緣層上。
9. 如申請專利範圍第2項所述之封裝結構，其中該第一絕緣層之導熱係數小於該第三絕緣層之導熱係數，且該第一絕緣層之硬度小於該第三絕緣層之硬度。
10. 如申請專利範圍第2項所述之封裝結構，其中該第一絕緣層中之陶瓷材料之厚度大於該第一絕緣層之厚度的50%。
11. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該第二絕緣層之厚度大於該第一絕緣層之厚度及大於該第三絕緣層之厚度。
12. 如申請專利範圍第11項所述之封裝結構，其中該第三絕緣層之厚度大於該第一絕緣層之厚度。
13. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該第一絕緣層之材料包括一金屬層及一第一絕緣薄膜，該第二絕緣層之材料包括樹脂材料，且該第一絕緣薄膜係設置在該金屬層上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之封裝結構，其中該第三絕緣層之材料包括陶瓷材料。
15. 如申請專利範圍第13項所述之封裝結構，其中該第三 絕緣層包括一金屬層及一第二絕緣薄膜。
16. 如申請專利範圍第13項所述之封裝結構，其中該金屬層包括一導電部及一絕緣部，且該導電部與該絕緣部電性隔離。
17. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，更包括一第一導線層、一第二導線層、及複數導孔，其中該第一導線層係設置在該第一絕緣層及該第二絕緣層間，該第二導線層係設置在該第二絕緣層及該第三絕緣層間，且該等導孔電性連接該晶片、該第一導線層、及該第二導線層。

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